CN104716246B - 光电元件封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光电元件封装结构，包括第一电极和第二电极，所述第一电极与第二电极间绝缘设置；一设置于第一电极和第二电极之上的反射杯；一发光二极管，所述发光二极管位于反射杯内，并与第一电极和第二电极电连接；一稳压二极管，与第一电极和第二电极电连接，并与发光二极管反向并联。所述发光二极管位于反射杯底部中心，所述反射杯外部具有一缺口，所述稳压二极管设置于缺口处，反射杯内的内表面沿设置于反射杯内的发光二极管的光轴旋转对称。本发明还提供一种制造光电元件封装结构的方法。

Description

光电元件封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种光电元件封装结构，尤其涉及具有稳压二极管和发光二极管的光电元件封装结构，本发明还涉及一种制造光电元件封装结构的制造方法。
背景技术
发光二极管作为一种新型的光源，目前已广泛应用于多种场合。请参阅图1和图2，在普通光电元件的封装结构中，为了提高发光二极管20的抗静电能力，一般通过并联稳压二极管30来避免静电损伤，且发光二极管20和稳压二极管30共同封装于反射杯40中。然而，随着光电元件封装结构的尺寸越来越小，容纳发光二极管20的反射杯40的空间也较小，在配合稳压二极管30的情况下，导致发光二极管20不能设置在反射杯40底部中心，从而引起该光电元件的发光光场的偏移问题，同时稳压二极管30会吸收部分从发光二极管20发出的光线。
发明内容
本发明旨在提供一种光电元件封装结构及其制造方法以克服上述缺陷。
一种光电元件封装结构，包括第一电极和第二电极，所述第一电极与第二电极间绝缘设置；一设置于第一电极和第二电极之上的反射杯；一发光二极管，所述发光二极管位于反射杯内，并与第一电极和第二电极电连接；一稳压二极管，与第一电极和第二电极电连接，并与发光二极管反向并联。所述发光二极管位于反射杯底部中心，所述反射杯外部具有一缺口，所述稳压二极管设置于缺口处，反射杯内的内表面沿设置于反射杯内的发光二极管的光轴旋转对称。
一种光电元件封装结构的制作方法，包括：提供至少一电极组，每一电极组中包含一第一电极和一第二电极，所述同一电极组中的第一电极与第二电极间绝缘设置；在所述电极组上设置对应于每一电极组的反射杯，在每一反射杯外部开设一缺口，在反射杯底部和缺口处均暴露其所处的电极组上的第一电极和第二电极；在每一反射杯底部均设置一发光二极管，每一缺口处的电极组上均设置一稳压二极管，且发光二极管和稳压二极管反向并联于属于同一电极组的第一电极和第二电极；在每一反射杯内和缺口处分别填充第一封装材料和第二封装材料，以分别包覆发光二极管和稳压二极管；分离每一个光电元件封装结构，所述一个光电元件封装结构包括一具有一个电极组，一设置于电极组上的外部具有缺口的反射杯，一设置于反射杯内的发光二极管，一设置于缺口处的稳压二极管，所述反射杯内和缺口处均填充有第一封装材料和第二封装材料。
本发明所提供的光电元件封装结构及其及其制造方法，通过在反射杯外部设置一可暴露第一电极和第二电极的缺口，并且在反射杯外部的缺口处设置一与发光二极管反向并联的稳压二极管，解决了发光二极管不能设置在反射杯底部中心的缺陷，避免了该光电元件的发光光场的偏移问题和稳压二极管对从发光二极管发出的光线的吸收问题。
附图说明
图1为现有技术中的光电元件封装结构的俯视图。
图2为图1中光电元件封装结构的沿II-II的截面图。
图3为本发明提供的光电元件封装结构的俯视图。
图4为图3中光电元件封装结构的沿IV-IV的截面图。
图5为图3中光电元件封装结构的沿V-V的截面图。
图6为本发明提供的光电元件封装结构的电路结构图。
图7为本发明提供的光电元件封装结构的另一实施例的俯视图。
图8为图3中的光电元件封装结构填充封装材料后沿IV-IV的截面图。
图9为图3中的光电元件封装结构填充封装材料后沿V-V的截面图。
图10为本发明提供的光电元件封装结构的制作方法的第一种实施例示意图。
图11为本发明提供的光电元件封装结构的制作方法的第二种实施例示意图。
主要元件符号说明
基板 10
基板组 100、100a
电极组 110
第一电极 111
第二电极 112
绝缘带 120、120a
第一段绝缘带 121、121a
第二段绝缘带 122、122a
第三段绝缘带 123
发光二极管 20
稳压二极管 30
反射杯 40
缺口 410、410a、410b、410c、410d
内表面 401
第一封装材料 51
第二封装材料 52
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图3至图5，一种光电元件封装结构，包括一具有第一电极111和第二电极112的电极组110，设置于第一电极111和第二电极112之上的反射杯40，一发光二极管20和一稳压二极管30。在一些实施例中，光电元件封装结构还包括承载第一电极111和第二电极112的基板10。所述基板10采用绝缘材料制成。所述绝缘材料可选自环氧模塑封装材料（Epoxy Molding Compound，EMC）和SMC复合材料（Sheet molding compound，SMC）。所述电极组110包括一第一电极111和一第二电极112。所述第一电极111和第二电极112间绝缘设置。所述第一电极111和第二电极112同时暴露于基板10的面向反射杯40的一面和背向反射杯40的另一面，使得发光二极管20和稳压二极管30能通过第一电极111和第二电极112与外电路电连接。
所述反射杯40设置于基板10之上。所述反射杯40的内表面401为一光滑曲面。所述反射杯40内的内表面401沿设置于反射杯40内的发光二极管20的光轴旋转对称。在所述反射杯40内的底部的基板10上设置所述发光二极管20。所述发光二极管20位于反射杯40底部中心。所述发光二极管20与第一电极111和第二电极112电连接。在所述反射杯40的外部设置一缺口410，以露出基板10上的第一电极111的至少一部分和第二电极112的至少一部分。在所述缺口410处的基板10上设置稳压二极管30。所述稳压二极管30与第一电极111和第二电极112电连接，且与发光二极管20的关系为反向并联。所述发光二极管20采用倒装方式设置于基板10之上。
请参阅图6，稳压二极管30与发光二极管20设计为反向并联的原理如下：由于二极管具有正向导通，反向截止的特性，在正常工作状态下，在发光二极管20两端为正向电压，发光二极管20发出光线，而在电路出现异常时，在发光二极管20两端可累积大量反向电荷，使得反向电压增加，从而导致发光二极管20被击穿，损坏电路。当在发光二极管20两端反向并联稳压二极管30后，稳压二极管30可导通反向电荷，避免了发光二极管20两端的反向电压增加的问题，从而保护了发光二极管20。此反向并联的方式多用于对发光二极管进行静电保护。
在本实施例中，请参阅图3，所述基板10的底面形状为正方形。所述基板10上设置的的第一电极111和第二电极112之间的绝缘带120为第一段、第二段和第三段绝缘带121、122和123构成的“Z”型结构。第一电极111和第二电极112分别设置于绝缘带120的两侧。第二段绝缘带122连接第一段绝缘带121和第三段绝缘带123。第一段绝缘带121的长度大于第二段绝缘带122和第三段绝缘带123的长度。反射杯40内露出部分第一段绝缘带121，同时露出部分第一电极111和第二电极112，从而在反射杯40内设置发光二极管20。在反射杯40外部对应于第三段绝缘带123开设所述缺口410，以露出部分第三段绝缘带123，同时第一电极111和第二电极112，从而在缺口410处设置稳压二极管30。所述稳压二极管与第一电极111和第二电极112电连接，且与发光二极管20的关系为反向并联。
在其他实施例中，如图7所示，所述基板10的底面形状可以为其他形状，例如长方形。所述绝缘带120a可以为第一段、第二段绝缘带121a、122a构成的“L”型结构。第一段绝缘带121a的长度比第二段绝缘带122b的长度长。反射杯40内露出部分第一段绝缘带121a，同时露出部分第一电极111和第二电极112，以在反射杯40内设置发光二极管20。在反射杯40外部对应于第二段绝缘带122a开设所述缺口410，露出部分第二段绝缘带122a，同时露出第一电极111和第二电极112，以设置稳压二极管30。
进一步的，请参阅图8和图9，所述光电元件封装结构还包括封装材料，所述封装材料分为第一封装材料51和第二封装材料52，所述第一封装材料51为透明封装材料，所述第二封装材料52为不透明封装材料，所述第一封装材料51填充于反射杯40内以覆盖发光二极管20，所述第二封装材料52填充于缺口410内以覆盖稳压二极管30。所述第二封装材料52外露于所述光电元件封装结构的侧面。
本发明还提供一种光电元件封装结构的制作方法，包括：
请参阅图3和图10，提供至少一基板组100，每一基板组100包含一具有一第一电极111和一第二电极112，所述同一电极组110中的第一电极111与第二电极112间绝缘设置。
在所述电极组110上设置对应于每一电极组110的反射杯40，在每一反射杯40外部开设一缺口410，在反射杯40底部和缺口410处均暴露其所处的电极组110上的第一电极111和第二电极112。
在每一反射杯40底部均设置一发光二极管20，每一缺口410处均设置一稳压二极管30，且发光二极管20和稳压二极管30反向并联于属于同一电极组110的第一电极111和第二电极112。
在每一反射杯40内和缺口410处分别填充第一封装材料51和第二封装材料52，以分别包覆发光二极管20和稳压二极管30。
分离每一个光电元件封装结构。所述一个光电元件封装结构包括一具有一个电极组110，一设置于电极组110上的外部具有缺口410的反射杯40，一设置于反射杯40内的发光二极管20，一设置于缺口410处的稳压二极管30，所述反射杯40内和缺口410处均填充有第一封装材料51和第二封装材料52。
需要说明的是，若采用只包含一个电极组110的基板10制造光电元件封装结构，则本发明提供的制作光电元件封装结构的方法不包含“分离每一个光电元件封装结构”的步骤。
在一些实施例中，光电元件封装结构还包括承载第一电极111和第二电极112的基板10。若干基板10形成基板组100。所述第一电极111的至少一部分和第二电极112的至少一部分同时暴露于基板10的面向反射杯40的一面和背向反射杯40的另一面，使得发光二极管20和稳压二极管30能通过第一电极111和第二电极112与外电路电连接。
如图10所示，若采用若干基板10组成的条形基板组100，在“分离每一个光电元件封装结构”的步骤中，沿切割线O-O对每一个光电元件封装结构进行分离。
优选的，如图11所示，采用一个由四个基板组成的正方形的基板组100a，所述基板组100a内的四个基板10之间的旋转角度均为90度。具体的，具有缺口410b的基板10、具有缺口410c的基板10、具有缺口410d的基板10是将具有缺口410a的基板10分别顺时针旋转90度、180度和270度形成的，此时，所述缺口410a， 410b，410c和410d聚集于基板组100a的中央，且相互连通。在填充第二封装材料时，可以一次性同时填充缺口410a， 410b，410c和410d，简化了工艺流程。在“分离每一个光电元件封装结构”的步骤中，沿切割线M-M和切割线N-N对每一个光电元件封装结构进行分离。所述切割线M-M和切割线N-N相互垂直。需要说明的是，本方法同样适用于采用若干基板组100a作为基板单元所构成的大型基板。
本发明所提供的光电元件封装结构及其制造，通过在反射杯40外部设置一可暴露第一电极111和第二电极112的缺口410，并且在反射杯40外部的缺口410处设置一与发光二极管20反向并联的稳压二极管30，使发光二极管20能设置在反射杯40底部中心，解决了该光电元件的发光光场的偏移问题，同时避免了稳压二极管30吸收发光二极管20发出的光线的问题，增加了光电元件的出光强度。
对于本领域的技术人员来说可以在本发明技术构思内做其他变化，但是，根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种光电元件封装结构，包括第一电极和第二电极，所述第一电极与第二电极间设置绝缘带；一设置于第一电极和第二电极之上的反射杯；一发光二极管，所述发光二极管位于反射杯内，并与第一电极和第二电极电连接；一稳压二极管，与第一电极和第二电极电连接，并与发光二极管反向并联，其特征在于：所述发光二极管位于反射杯底部中心，所述反射杯外部具有一缺口，所述稳压二极管设置于缺口处，反射杯内的内表面沿设置于反射杯内的发光二极管的光轴旋转对称，所述绝缘带包括至少二绝缘带，所述至少二绝缘带相互连接并自所述反射杯内部延伸至所述缺口处，所述至少二绝缘带进一步延伸贯穿所述发光二极管底部。
2.如权利要求1所述的光电元件封装结构，其特征在于：所述反射杯的内表面为一光滑曲面。
3.如权利要求1所述的光电元件封装结构，其特征在于：还包括承载第一电极和第二电极的基板，所述第一电极和第二电极同时暴露于基板的两侧面，使得发光二极管和稳压二极管能通过第一电极和第二电极与外电路电连接。
4.如权利要求1所述的光电元件封装结构，其特征在于：所述光电元件封装结构还包括封装材料，所述封装材料分为第一封装材料和第二封装材料，所述第一封装材料为透明封装材料，所述第二封装材料为不透明封装材料，所述第一封装材料填充于反射杯内以覆盖发光二极管，所述第二封装材料填充于缺口内以覆盖稳压二极管。
5.如权利要求4所述的光电元件封装结构，其特征在于：所述第一封装材料包含荧光粉。
6.如权利要求4或5所述的光电元件封装结构，其特征在于：所述第二封装材料外露于所述光电元件封装结构的侧面。
7.一种光电元件封装结构的制作方法，包括：
提供至少一电极组，每一电极组中包含一第一电极和一第二电极，所述每一电极组中的第一电极与第二电极间设置绝缘带；
在所述电极组上设置对应于每一电极组的反射杯，在每一反射杯外部开设一缺口，在反射杯底部和缺口处均暴露其所处的电极组上的第一电极和第二电极，所述绝缘带包括至少二绝缘带，所述至少二绝缘带相互连接并自所述反射杯内部延伸至所述缺口处；
在每一反射杯底部均设置一发光二极管，每一缺口处的电极组上均设置一稳压二极管，且发光二极管和稳压二极管反向并联于属于同一电极组的第一电极和第二电极；
在每一反射杯内和缺口处分别填充第一封装材料和第二封装材料，以分别包覆发光二极管和稳压二极管；
分离每一个光电元件封装结构，所述一个光电元件封装结构包括一具有一个电极组，一设置于电极组上的外部具有缺口的反射杯，一设置于反射杯内的发光二极管，所述发光二极管位于反射杯底部中心，所述至少二绝缘带进一步延伸贯穿所述发光二极管底部，一设置于缺口处基板上的稳压二极管，所述反射杯内和缺口处均填充有第一封装材料和第二封装材料。
8.如权利要求7所述的光电元件封装结构的制作方法，其特征在于：还包括承载每一电极组的基板，若干所述基板形成一基板组，所述第一电极和第二电极同时暴露于基板的两侧面，使得发光二极管和稳压二极管能通过第一电极和第二电极与外电路电连接。
9.如权利要求8所述的光电元件封装结构的制作方法，其特征在于：所述基板组为若干基板组成的条形基板组。
10.如权利要求8所述的光电元件封装结构的制作方法，其特征在于：所述基板组包括至少一个由四个基板组成的正方形单元基板组，同一单元基板组内的四个基板之间的旋转角度均为90度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107482099B (zh) * 2016-06-08 2019-09-10 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101819968A (zh) * 2009-02-27 2010-09-01 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装
CN202474018U (zh) * 2011-12-23 2012-10-03 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led封装结构
CN102916108A (zh) * 2011-08-05 2013-02-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100650191B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
KR100811723B1 (ko) * 2007-03-30 2008-03-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
TW201145609A (en) 2010-06-02 2011-12-16 Advanced Optoelectronic Tech Light-emitting diode package
CN102130273A (zh) * 2010-12-10 2011-07-20 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管封装构造
KR101823506B1 (ko) * 2011-06-29 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
TWI482318B (zh) * 2012-12-18 2015-04-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其封裝結構
US20140167083A1 (en) * 2012-12-19 2014-06-19 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Led package with integrated reflective shield on zener diode
EP2803715B1 (en) * 2013-05-16 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor and light emitting device package including the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101819968A (zh) * 2009-02-27 2010-09-01 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装
CN102916108A (zh) * 2011-08-05 2013-02-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN202474018U (zh) * 2011-12-23 2012-10-03 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led封装结构

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