CN220272478U - 一种抗静电led光源加工器件及抗静电led光源器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种抗静电LED光源加工器件及抗静电LED光源器件，应用于发光领域，该抗静电LED光源加工器件包括：导电层、齐纳二极管和抗机械力封装料，抗机械力封装料用于封装光源芯片加工区域外的导电层，导电层包括被绝缘体分割的正极导电层和负极导电层，齐纳二极管设置在抗机械力封装料内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接。本实用新型通过预先将齐纳二极管集成在抗机械力封装料内部，并分别与正极导电层和负极导电层导电连接，能够使LED器件中芯片时刻处于被保护的状态，避免现有制备方案中在齐纳二极管未工作前，LED光源器件中的光源芯片便存在静电损伤的风险，同时在光源芯片固晶过程，无需考虑齐纳二极管的设置位置。

Description

一种抗静电LED光源加工器件及抗静电LED光源器件

技术领域

本实用新型涉及发光领域，特别涉及一种抗静电LED光源加工器件及抗静电LED光源器件。

背景技术

LED(发光二极管)器件是一种可直接将电能转化为可见光的发光器件，但在日常生活环境中，甚至自身都会带有不同程度的静电，当静电积累到一定程度时就会发生放电，对LED器件造成不可逆的伤害，破坏内部的芯片结构，最终致使整个发光器件瘫痪，出现漏电流、死灯等现象。现有技术为了避免这一问题，提出了一种在LED器件中加入齐纳二极管，通过齐纳二极管释放掉静电电荷，从而达到保护LED器件的效果。

但现有在LED器件中加入齐纳二极管，需要和LED器件中的芯片分步作业，在齐纳二极管未工作前，LED器件的芯片存在静电损伤的风险，且工序复杂，制备成本高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种抗静电LED光源加工器件及抗静电LED光源器件，解决了现有技术中光源器件在齐纳二极管未工作前，LED器件的芯片存在静电损伤的风险，且工序复杂，制备成本高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种抗静电LED光源加工器件，包括：

导电层、齐纳二极管和抗机械力封装料，所述抗机械力封装料用于封装光源芯片加工区域外的导电层；

所述导电层包括被绝缘体分割的正极导电层和负极导电层；

所述齐纳二极管设置在所述抗机械力封装料内部，分别与所述正极导电层和所述负极导电层导电连接。

可选的，所述正极导电层或所述负极导电层中设置有光源芯片固晶区域。

可选的，将设置有所述光源芯片固晶区域的一极导电层作为第一极导电层；相对应的另一极导电层作为第二极导电层；

所述第一极导电层中光源芯片加工区域大于所述第二极导电层中光源芯片加工区域。

可选的，所述第二极导电层中抗机械力封装料封装区域，设置有所述齐纳二极管；

所述齐纳二极管分别与所述第一极导电层和所述第二极导电层导电连接。

可选的，所述齐纳二极管与所述第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接。

可选的，所述齐纳二极管与所述第一极导电层通过导线进行导电连接。

可选的，所述抗机械力封装料为塑胶料。

本实用新型还提供了一种抗静电LED光源器件，包括：

如上述的抗静电LED光源加工器件、光源芯片和用于封装光源芯片加工区域的封装料；

所述抗静电LED光源加工器件中的正极导电层和负极导电层分别与所述光源芯片导电连接。

可选的，所述用于封装光源芯片加工区域的封装料为封装胶。

可选的，所述光源芯片的正极与所述正极导电层通过导线导电连接；

所述光源芯片的负极与所述负极导电层通过导线导电连接。

可见，本实用新型提供的抗静电LED光源加工器件，包括导电层、齐纳二极管和抗机械力封装料，抗机械力封装料用于封装光源芯片加工区域外的导电层，导电层包括被绝缘体分割的正极导电层和负极导电层，齐纳二极管设置在抗机械力封装料内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接。本实用新型通过预先将齐纳二极管集成在抗机械力封装料内部，并分别与正极导电层和负极导电层导电连接，能够使LED器件中芯片时刻处于被保护的状态，避免现有制备方案中在齐纳二极管未工作前，LED光源器件中的光源芯片便存在静电损伤的风险，同时将齐纳二极管预先设置在抗机械力封装料内部，在光源芯片固晶过程，无需考虑齐纳二极管的设置位置，降低了制备的复杂度。

此外，本实用新型还提供了一种抗静电LED光源器件，同样具有上述有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为一种现有抗静电LED光源加工器件的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种抗静电LED光源加工器件的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种抗静电LED光源加工器件的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种抗静电LED光源器件的结构示意图；

图1至图4中，附图说明标记如下：

10-导电层；

20-齐纳二极管；

30-抗机械力封装料；

40-绝缘体；

50-碗杯轮廓；

60-光源芯片，61-光源芯片固晶区域。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

LED器件是一种可直接将电能转化为可见光的发光器件，但在日常生活环境中，甚至自身都会带有不同程度的静电，当静电积累到一定程度时就会发生放电，对LED器件造成不可逆的伤害，破坏内部的芯片结构，最终致使整个发光器件瘫痪，出现漏电流、死灯等现象。现有技术为了避免这一问题，提出了一种在LED器件中加入齐纳二极管，并通过齐纳二极管与LED器件中的芯片并联连接的方式，利用齐纳二极管释放掉静电电荷，从而达到保护LED器件的效果。

但现有在LED器件中加入齐纳二极管保护芯片免受静电的影响方案中，需要和LED器件中的芯片分步骤进行作业，在齐纳二极管未工作前，LED器件的芯片存在被静电损伤的风险，且由于导电层的加工区域面积有限，需要考虑LED器件中芯片与导电层的焊线连接位置与齐纳二极管设置位置，工序相对复杂，影响LED光源器件的制备效率。

本实用新型通过预先将齐纳二极管集成在抗机械力封装料内部，并分别与正极导电层和负极导电层导电连接，能够使LED器件中芯片时刻处于被保护的状态，避免现有制备方案中在齐纳二极管未工作前，LED光源器件中的光源芯片便存在静电损伤的风险，同时将齐纳二极管预先设置在抗机械力封装料内部，在光源芯片固晶过程，无需考虑齐纳二极管的设置位置，降低了制备的复杂度。

实施例1：

请参考图2，图2为本实用新型实施例提供的一种抗静电LED光源加工器件的结构示意图。该器件可以包括：

导电层10、齐纳二极管20和抗机械力封装料30，抗机械力封装料30用于封装光源芯片加工区域外的导电层10；

导电层10包括被绝缘体40分割的正极导电层和负极导电层；

齐纳二极管20设置在抗机械力封装料30内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接。

需要进行说明的是，本实施例中提供的抗静电LED光源加工器件中，导电层10一部分暴露出来，另一部分被抗机械力封装料30封装。本实施例中光源芯片加工区域为形成的碗杯轮廓50内的导电层区域，相应的，碗杯轮廓50外的导电层区域为光源芯片加工区域外的导电层区域。碗杯轮廓50为抗机械力封装料30一侧，沿外部指向内部导电层10开设的凹槽中的侧壁，其中在垂直于抗机械力封装料30外部指向内部的方向中凹槽的截面面积，由抗机械力封装料30外部指向内部的方向逐渐减小，形成碗杯轮廓50的侧壁。进一步需要进行说明的是，本实施例中碗杯轮廓50底部轮廓外部的导电层区域均为光源芯片加工区域外的导电层区域。本实施例中导电层10被绝缘体40分割成正极导电层和负极导电层，其中绝缘体40将导电层10中正极导电层和负极导电层完全导电分离。

本实施例并不限定导电层10的具体材质，只要是能够导电即可。例如，导电层10可以是铝材质，或者导电层10也可以是铜材质，或者导电层10还可以是其他导电材质。本实施例并不限定绝缘体40的具体材质，只要是能够将导电层10分割为正极导电层和负极导电层的绝缘材质即可。本实施例并不限定齐纳二极管20设置在抗机械力封装料30内部的具体位置。例如，齐纳二极管20可以设置在抗机械力封装料30内部的正极导电层中，或者齐纳二极管20也可以设置在抗机械力封装料30内部的负极导电层中，或者齐纳二极管20也可以设置在抗机械力封装料30内部，未与导电层接触的位置。本实施例并不限定齐纳二极管20分别与正极导电层和负极导电层导电连接的具体方式，只要是能够使齐纳二极管20分别与正极导电层和负极导电层导电连接即可。例如，齐纳二极管20可以设置于抗机械力封装料30内部的正极导电层中，与正极导电层形成接触导电连接结构，同时与负极导电层通过导线连接，或者齐纳二极管20也可以设置于抗机械力封装料30内部的负极导电层中，与负极导电层形成接触导电连接结构，同时与正极导电层通过导线连接，或者齐纳二极管20还可以设置于抗机械力封装料30内部，分别与正极导电层和负极导电层通过导线连接。当齐纳二极管20设置于抗机械力封装料30内部的正极导电层或负极导电层中时，本实施例并不限定齐纳二极管20与抗机械力封装料30内部的正极导电层或负极导电层导电连接的具体方式。例如，齐纳二极管20可以与抗机械力封装料30内部的正极导电层或负极导电层通过固晶连接的方式进行连接，或者齐纳二极管20可以与抗机械力封装料30内部的正极导电层或负极导电层通过其他导电连接的方式进行连接，只要是能够将齐纳二极管20固定在抗机械力封装料30内部的正极导电层或负极导电层中即可。本实施例并不限定抗机械力封装料30的具体材质，只要是能够起到抗机械力的作用即可。例如，抗机械力封装料30的材质可以是塑胶材质，或者抗机械力封装料30的材质可以是硅胶材质，或者抗机械力封装料30的材质还可以是其他抗机械力材质。

进一步需要进行说明的是，本实施例中通过将齐纳二极管设置在抗机械力封装料内部，能够在制备光源芯片之前，预先设置好齐纳二极管，进而避免光源芯片在设置齐纳二极管前发生静电损坏，同时将齐纳二极管设置在抗机械力封装料内部，在后续制备光源芯片时，不需要考虑齐纳二极管的设置位置，降低了器件制备的复杂度。

进一步地，为了保证抗机械力封装料30的稳固性，保证抗机械力封装料30材质的抗机械性，上述抗机械力封装料30的材质可以是塑胶料材质。

需要进行说明的是，通过将抗机械力封装料30设置为塑胶料材质，能够在保证较低制备成本的同时，保证了将抗机械力封装料30的抗机械性。

应用本实用新型实施例提供的抗静电LED光源加工器件，包括导电层10、齐纳二极管20和抗机械力封装料30，抗机械力封装料30用于封装光源芯片加工区域外的导电层10，导电层10包括被绝缘体40分割的正极导电层和负极导电层，齐纳二极管20设置在抗机械力封装料30内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接。本实用新型通过预先将齐纳二极管20集成在抗机械力封装料30内部，并分别与正极导电层和负极导电层导电连接，能够使LED器件中芯片时刻处于被保护的状态，避免现有制备方案中在齐纳二极管20未工作前，LED光源器件中的光源芯片便存在静电损伤的风险，同时将齐纳二极管20预先设置在抗机械力封装料30内部，在光源芯片固晶过程，无需考虑齐纳二极管20的设置位置，降低了制备的复杂度。此外，本实用新型实施例通过将抗机械力封装料30设置为塑胶料材质，能够在保证较低制备成本的同时，保证了将抗机械力封装料30的抗机械性。

实施例2：

请参考图3，图3为本实用新型实施例提供的另一种抗静电LED光源加工器件的结构示意图。该器件可以包括：

导电层10、齐纳二极管20和抗机械力封装料30，抗机械力封装料30用于封装光源芯片加工区域外的导电层10；

导电层10包括被绝缘体40分割的正极导电层和负极导电层；

齐纳二极管20设置在抗机械力封装料30内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接；

正极导电层或负极导电层中设置有光源芯片固晶区域61。

需要进行说明的是，本实施例中通过在正极导电层或负极导电层中设置光源芯片固晶区域61，能够便于后续将光源芯片通过固晶方式设置在光源芯片固晶区域61，同时更便于将光源芯片设置在预设位置，提高了设置光源芯片的效率。本实施例并不限定设置光源芯片固晶区域61的位置。例如，光源芯片固晶区域61可以设置在正极导电层中的光源芯片加工区域，光源芯片固晶区域61也可以设置在负极导电层中的光源芯片加工区域。本实施例并不限定在正极导电层中的光源芯片加工区域，或者在负极导电层中的光源芯片加工区域设置光源芯片固晶区域61的具体位置。例如，可以将光源芯片固晶区域61设置在正极导电层中的光源芯片加工区域或者在负极导电层中的光源芯片加工区域的区域中心，也可以将光源芯片固晶区域61设置在正极导电层中的光源芯片加工区域或者在负极导电层中的光源芯片加工区域的其他位置。

进一步需要进行说明的是，本实施例中可以在光源芯片固晶区域61中设置便于导电层与光源芯片进行固晶的材料。为了保证光源芯片进行固晶处理的可操作性，上述设置光源芯片固晶区域61的导电层，可以不同时设置齐纳二极管，以保证操作空间的充足。

进一步地，为了进一步保证设置光源芯片的导电层具有充足的操作空间，以便于后续光源芯片的制备，可以将设置有光源芯片固晶区域61的一极导电层作为第一极导电层；相对应的另一极导电层作为第二极导电层；

第一极导电层中光源芯片加工区域大于第二极导电层中光源芯片加工区域。

需要进行说明的是，本实施例中通过将设置有光源芯片固晶区域61的第一极导电层中光源芯片加工区域的面积，设置为大于第二极导电层中光源芯片加工区域的面积。能够保证后续设置光源芯片的导电层占有更多的空间，便于后续光源芯片的制备。

本实施例并不限定第一极导电层和第二极导电层的具体面积大小。例如，可以是第一极导电层的面积占比达到整体导电层的五分之四，第二极导电层的面积占比达到整体导电层的五分之一；或者也可以是第一极导电层的面积占比达到整体导电层的五分之三，第二极导电层的面积占比达到整体导电层的五分之二；或者还可以是第一极导电层的面积占比达到整体导电层的四分之三，第二极导电层的面积占比达到整体导电层的四分之一。

进一步地，为了进一步提高后续光源芯片在第一极导电层制备的可操作空间，上述第二极导电层中抗机械力封装料30封装区域，可以设置有齐纳二极管20；

齐纳二极管20分别与第一极导电层和第二极导电层导电连接。

需要进行说明的是，通过将齐纳二极管20设置在第二极导电层中抗机械力封装料30封装区域，能够与后续制备的光源芯片分处于不同极的导电层中，进而在需要设置第二极导电层的基础上，将齐纳二极管20设置在第二极导电层中抗机械力封装料30封装区域，避免了对第一极导电层空间的占用。

进一步地，为了提高齐纳二极管20与第二极导电层导电连接的稳固性，上述齐纳二极管20可以与第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接。

需要进行说明的是，本实施例中通过将齐纳二极管20与第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接，能够减少齐纳二极管20与外部导电连接时引线键合方式的使用，提高器件集成度的同时，提高了齐纳二极管20与第二极导电层导电连接的稳固性。

进一步地，为了保证齐纳二极管20与第一极导电层导电连接的便捷性，上述齐纳二极管与第一极导电层可以通过导线进行导电连接。

需要进行说明的是，齐纳二极管20通过固晶连接的方式与第二极导电层进行导电连接，此时齐纳二极管20为了减少对空间的占用，可以与第一极导电层通过导线进行导电连接，例如可以利用引线键合的方式进行导电连接。

应用本实用新型实施例提供的抗静电LED光源加工器件，包括导电层10、齐纳二极管20和抗机械力封装料30，抗机械力封装料30用于封装光源芯片加工区域外的导电层10，导电层10包括被绝缘体40分割的正极导电层和负极导电层，齐纳二极管20设置在抗机械力封装料30内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接，正极导电层或负极导电层中设置有光源芯片固晶区域61。本实用新型通过预先将齐纳二极管20集成在抗机械力封装料30内部，并分别与正极导电层和负极导电层导电连接，能够使LED器件中芯片时刻处于被保护的状态，避免现有制备方案中在齐纳二极管20未工作前，LED光源器件中的光源芯片便存在静电损伤的风险，同时将齐纳二极管20预先设置在抗机械力封装料30内部，在光源芯片固晶过程，无需考虑齐纳二极管20的设置位置，降低了制备的复杂度，通过在正极导电层或负极导电层中设置光源芯片固晶区域61，能够便于后续将光源芯片通过固晶方式设置在光源芯片固晶区域61，同时更便于将光源芯片设置在预设位置，提高了设置光源芯片的效率。此外，本实用新型实施例通过将设置有光源芯片固晶区域61的第一极导电层中光源芯片加工区域的面积，设置为大于第二极导电层中光源芯片加工区域的面积，能够提高后续光源芯片制备的简便性；通过将齐纳二极管20设置在第二极导电层中抗机械力封装料30封装区域，能够进一步避免齐纳二极管20对第一极导电层空间的占用；通过将齐纳二极管20与第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接，能够提高器件集成度，同时提高齐纳二极管20与第二极导电层导电连接的稳固性；通过将齐纳二极管20设置为与第一极导电层通过导线进行导电连接，能够提高齐纳二极管20与第一极导电层连接的简洁性。

为了使本实用新型更便于理解，上述抗静电LED光源加工器件具体可以包括：

导电层、齐纳二极管和塑胶料，塑胶料用于封装光源芯片加工区域外的导电层；

导电层包括被绝缘体分割的正极导电层和负极导电层；

齐纳二极管设置在塑胶料内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接；

将设置有光源芯片固晶区域的一极导电层作为第一极导电层；相对应的另一极导电层作为第二极导电层；第一极导电层中光源芯片加工区域大于第二极导电层中光源芯片加工区域；

第二极导电层中塑胶料封装区域，设置有齐纳二极管；齐纳二极管与第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接；齐纳二极管与第一极导电层通过导线进行导电连接。

下面对本实用新型实施例提供的抗静电LED光源器件进行介绍，下文描述的抗静电LED光源器件与上文描述的抗静电LED光源加工器件可相互对应参照。

具体请参考图4，图4为本实用新型实施例提供的一种抗静电LED光源器件的结构示意图，可以包括：

如上述的抗静电LED光源加工器件、光源芯片60和用于封装光源芯片加工区域的封装料；

抗静电LED光源加工器件中的正极导电层和负极导电层分别与光源芯片60导电连接。

需要进行说明的是，本实施例中通过将光源芯片60分别与正极导电层和负极导电层导电连接，能够与预先设置的齐纳二极管20形成并联连接，当出现静电电荷时，齐纳二极管能够疏散掉大部分静电电荷，进而保护光源芯片60不被破坏。

本实施例并不限定光源芯片60分别与正极导电层和负极导电层导电连接的方式，只要是能够使光源芯片60同时与正极导电层和负极导电层导电连接即可。例如，光源芯片60可以设置于正极导电层中，与正极导电层形成接触导电连接结构，同时与负极导电层通过引线键合的方式形成导电连接，或者光源芯片60也可以设置于负极导电层中，与负极导电层形成接触导电连接结构，同时与正极导电层通过引线键合的方式形成导电连接，或者光源芯片60还可以设置于正极导电层或负极导电层中，分别与正极导电层和负极导电层通过引线键合的方式形成导电连接。

进一步地，为了保证在抗静电LED光源器件中，对光源芯片60进行封装保护，上述用于封装光源芯片加工区域的封装料可以为封装胶。

需要进行说明的是，本实施例中可以在制备好光源芯片60，并完成光源芯片60分别与正极导电层和负极导电层的导电连接后，通过点胶对光源芯片加工区域进行封装保护，点胶区域形成封装胶结构。本实施例中形成的封装胶结构的抗机械力性能低于塑胶料的抗机械力性能。

进一步地，为了保证光源芯片60分别与正极导电层和负极导电层导电连接的便捷性，上述光源芯片60的正极可以与正极导电层通过导线导电连接；

光源芯片60的负极可以与负极导电层通过导线导电连接。

需要进行说明的是，本实施例中通过将光源芯片60分别与正极导电层和负极导电层利用导线进行导电连接，降低了光源芯片60与导电层10进行导电连接的制备成本。进一步需要说明的是，本实施例中可以通过引线键合的方式将光源芯片60分别与正极导电层和负极导电层进行导电连接，或者也可以通过其他导线连接的方式使光源芯片60分别与正极导电层和负极导电层进行导电连接。

应用本实用新型实施例提供的抗静电LED光源器件，包括如上述的抗静电LED光源加工器件、光源芯片60和用于封装光源芯片加工区域的封装料，抗静电LED光源加工器件中的正极导电层和负极导电层分别与光源芯片60导电连接，其中，抗静电LED光源加工器件包括导电层10、齐纳二极管20和抗机械力封装料30，抗机械力封装料30用于封装光源芯片加工区域外的导电层10，导电层10包括被绝缘体40分割的正极导电层和负极导电层，齐纳二极管20设置在抗机械力封装料30内部，分别与正极导电层和负极导电层导电连接。本实用新型通过预先将齐纳二极管20集成在抗机械力封装料30内部，并分别与正极导电层和负极导电层导电连接，能够使LED器件中芯片时刻处于被保护的状态，避免现有制备方案中在齐纳二极管20未工作前，LED光源器件中的光源芯片便存在静电损伤的风险，同时将齐纳二极管20预先设置在抗机械力封装料30内部，在光源芯片固晶过程，无需考虑齐纳二极管20的设置位置，降低了制备的复杂度。此外，本实用新型实施例通过将封装光源芯片加工区域的封装料设置为封装胶，能够保证在抗静电LED光源器件中，对光源芯片60进行封装保护；通过将光源芯片60分别与正极导电层和负极导电层利用导线进行导电连接，降低了光源芯片60与导电层10进行导电连接的制备成本。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系属于仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其他任何变体意在涵盖非排他性的包含。

以上对本实用新型所提供的一种抗静电LED光源加工器件及抗静电LED光源器件进行了详细介绍，本文中应用了多个具体个例对本实用新型进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (7)

1.一种抗静电LED光源加工器件，其特征在于，包括：

导电层、齐纳二极管和抗机械力封装料，所述抗机械力封装料用于封装光源芯片加工区域外的导电层；

所述导电层包括被绝缘体分割的正极导电层和负极导电层；

所述齐纳二极管设置在所述抗机械力封装料内部，分别与所述正极导电层和所述负极导电层导电连接；

所述正极导电层或所述负极导电层中设置有光源芯片固晶区域；

将设置有所述光源芯片固晶区域的一极导电层作为第一极导电层；相对应的另一极导电层作为第二极导电层；

所述第一极导电层中光源芯片加工区域大于所述第二极导电层中光源芯片加工区域；

所述第二极导电层中抗机械力封装料封装区域，设置有所述齐纳二极管；

所述齐纳二极管分别与所述第一极导电层和所述第二极导电层导电连接。

2.根据权利要求1所述的抗静电LED光源加工器件，其特征在于，所述齐纳二极管与所述第二极导电层通过固晶连接的方式导电连接。

3.根据权利要求1所述的抗静电LED光源加工器件，其特征在于，所述齐纳二极管与所述第一极导电层通过导线进行导电连接。

4.根据权利要求1所述的抗静电LED光源加工器件，其特征在于，所述抗机械力封装料为塑胶料。

5.一种抗静电LED光源器件，其特征在于，包括：

如权利要求1至4任一项所述的抗静电LED光源加工器件、光源芯片和用于封装光源芯片加工区域的封装料；

所述抗静电LED光源加工器件中的正极导电层和负极导电层分别与所述光源芯片导电连接。

6.根据权利要求5所述的抗静电LED光源器件，其特征在于，所述用于封装光源芯片加工区域的封装料为封装胶。

7.根据权利要求5所述的抗静电LED光源器件，其特征在于，所述光源芯片的正极与所述正极导电层通过导线导电连接；

所述光源芯片的负极与所述负极导电层通过导线导电连接。