CN214411191U - 一种串联式的大功率二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型系提供一种串联式的大功率二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内封装有相互平行的第一芯片、第二芯片、第一电极片和第二电极片，第一芯片与第一电极片之间连接有第一铜片，第一芯片与第二芯片之间连接有第二铜片，第二芯片与第二电极片之间连接有第三铜片；第一铜片内设有第一粘结块，第二铜片内设有第二粘结块，第三铜片内设有第三粘结块；第一电极片通过第一导电粘结层连接有第一引脚片；第二电极片通过第二导电粘结层连接有第二引脚片。本实用新型具有良好的耐压性能，在承受反向电压时，二极管不易被击穿，各层间通过夹设铜片可有效提高整体结构的散热性能以及电导通效果，整体结构稳定可靠。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管，具体公开了一种串联式的大功率二极管。
背景技术
二极管是利用半导体材料制成的一种电子器件，二极管内部设有PN结，PN结的两端设有引线端子，如果按照外加电压的方向，则具备电流的单向传导性。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。
大功率二极管是通过设置芯片中的PN结面积来提高通过的电流，从而提高功率。现有技术中，二极管的内部通常只封装有一个芯片，耐压性能不足，应用于大电压的电路结构时，二极管容易被击穿。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种串联式的大功率二极管，具有良好的耐压性能，且整体结构稳定可靠，散热性能好。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种串联式的大功率二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内封装有相互平行的第一芯片、第二芯片、第一电极片和第二电极片，第一芯片与第一电极片之间连接有第一铜片，第一芯片与第二芯片之间连接有第二铜片，第二芯片与第二电极片之间连接有第三铜片；
第一铜片内设有第一通孔，第一通孔内填充有第一粘结块，第一粘结块的两端分别连接第一电极片和第一芯片，第二铜片内设有第二通孔，第二通孔内填充有第二粘结块，第二粘结块的两端分别连接第一芯片和第二芯片，第三铜片内设有第三通孔，第三通孔内填充有第三粘结块，第三粘结块的两端分别连接第二芯片和第二电极片；
第一电极片通过第一导电粘结层连接有第一引脚片，第一引脚片远离第一电极片的一端位于绝缘封装体外；第二电极片通过第二导电粘结层连接有第二引脚片，第二引脚片远离第二电极片的一端位于绝缘封装体外。
进一步的，第一电极片的中心向远离第一芯片的一侧凹陷形成第一凹槽，第一铜片卡接于第一凹槽中；第二电极片的中心向远离第二芯片的一侧凹陷形成第二凹槽，第二铜片卡接于第二凹槽中。
进一步的，第一导电粘结层和第二导电粘结层均为锡膏层。
进一步的，第一粘结块、第二粘结块和第三粘结块均为导电银胶块。
进一步的，第一引脚片包括连接成U形的第一内接水平部、第一弯折部和第一外接水平部，第一内接水平部插入绝缘封装体中与第一导电粘结层连接，第一弯折部和第一外接水平部均位于绝缘封装体外；第二引脚片包括连接成U形的第二内接水平部、第二弯折部和第二外接水平部，第二内接水平部插入绝缘封装体中与第二导电粘结层连接，第二弯折部和第二外接水平部均位于绝缘封装体外。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种串联式的大功率二极管，通过串联两个芯片来分担单个芯片的电压，具有良好的耐压性能，在承受反向电压时，二极管不易被击穿，各层间通过夹设铜片可有效提高整体结构的散热性能以及电导通效果，铜片中设置有可有效粘结定位两侧结构的粘结块，整体结构稳定可靠，此外，引脚片与电极片之间通过导电粘结层连接，能够有效避免注塑封装后所获的二极管形成开裂等缺陷。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图标记为：绝缘封装体10、第一芯片11、第二芯片12、第一电极片21、第一凹槽211、第二电极片22、第二凹槽221、第一导电粘结层23、第二导电粘结层24、第一铜片31、第一通孔311、第一粘结块312、第二铜片32、第二通孔321、第二粘结块322、第三铜片33、第三通孔331、第三粘结块332、第一引脚片40、第一内接水平部41、第一弯折部42、第一外接水平部43、第二引脚片50、第二内接水平部51、第二弯折部52、第二外接水平部53。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1。
本实用新型实施例公开一种串联式的大功率二极管，包括绝缘封装体10，绝缘封装体 10内封装有相互平行的第一芯片11、第二芯片12、第一电极片21和第二电极片22，第一芯片11和第二芯片12为二极管芯片，第一芯片11和第二芯片12的异极相对，即第一芯片11 的正极正对第二芯片12的负极，或第一芯片11的负极正对第二芯片12的正极，第一芯片11 与第一电极片21之间连接有第一铜片31，第一芯片11与第二芯片12之间连接有第二铜片 32，第二芯片12与第二电极片22之间连接有第三铜片33，即第一电极片21、第一铜片31、第一芯片11、第二铜片32、第二芯片12、第三铜片33和第二电极片22依次层叠；
第一铜片31内设有第一通孔311，第一通孔311内填充有第一粘结块312，第一粘结块的两端分别连接第一电极片21和第一芯片11，第二铜片32内设有第二通孔321，第二通孔321内填充有第二粘结块322，第二粘结块322的两端分别连接第一芯片11和第二芯片12，第三铜片33内设有第三通孔331，第三通孔331内填充有第三粘结块332，第三粘结块332 的两端分别连接第二芯片12和第二电极片22，第一粘结块312、第二粘结块322和第三粘结块332能够有效提高第一电极片21、第一铜片31、第一芯片11、第二铜片32、第二芯片12、第三铜片33和第二电极片22之间结构的稳定性，确保各层之间接触良好，铜片能够有效提高相邻结构之间的导电连接性能，同时具有厚度的铜片能够有效提高芯片的散热性能，从而提高整体结构的工作性能优选地，第一通孔311、第二通孔321和第三通孔331均设有三个，能够进一步提高层叠结构的稳定性；
第一电极片21通过第一导电粘结层23连接有第一引脚片40，第一导电粘结层23能够实现第一电极片21和第二引脚片50之间的导电连通，同时能够在封装时有效释放应力，提高整体结构的牢固性，避免出现开裂、断路等问题，第一引脚片40远离第一电极片21的一端位于绝缘封装体10外，用于与所安装的PCB板中的焊盘实现焊接相连；第二电极片22通过第二导电粘结层24连接有第二引脚片50，第二导电粘结层24能够实现第二电极片22和第二引脚片50之间的导电连通，同时能够在封装时有效释放应力，提高整体结构的牢固性，避免出现开裂、断路等问题，第二引脚片50远离第二电极片22的一端位于绝缘封装体10外，用于与所安装的PCB板中的焊盘实现焊接相连。
本实用新型通过串联两个芯片来提高整体结构的耐压性能，且层叠设置的铜板、芯片以及电极片能够有效提高器件的抗浪涌性能以及散热性能，铜片内部的粘结块能够有效对两侧的层结构实现粘结定位，可有效确保第一铜片31、第一芯片11、第二铜片32、第二芯片 12、第三铜片33和第二电极片22所组成层叠结构的稳定性，能够有效提高铜片的导通效果以及散热性能，引脚片与电极片之间通过导电粘结层连接，在进行注塑封装成型时，导电粘结层能够有效释放绝缘封装体10内部形成的应力，从而有效提高整体结构的可靠性。
在本实施例中，第一电极片21的中心向远离第一芯片11的一侧凹陷形成第一凹槽211，第一铜片31卡接于第一凹槽211中，优选地，第一铜片31过盈配合在第一凹槽211中，能够进一步提高整体结构的稳定性；第二电极片22的中心向远离第二芯片12的一侧凹陷形成第二凹槽221，第二铜片32卡接于第二凹槽221中，优选地，第二铜片32过盈配合在第二凹槽221中，能够进一步提高整体结构的稳定性。
在本实施例中，第一导电粘结层23和第二导电粘结层24均为锡膏层，或者均为导电银胶层。
在本实施例中，第一粘结块312、第二粘结块322和第三粘结块332均为导电银胶块，导电引脚具有良好的导电性能以及粘结定位性能，可有效提高第一电极片21、第一铜片31、第一芯片11、第二铜片32、第二芯片12、第三铜片33和第二电极片22之间导电连接效果的可靠性。
在本实施例中，第一引脚片40包括连接成侧倒的U形的第一内接水平部41、第一弯折部42和第一外接水平部43，第一内接水平部41插入绝缘封装体10中与第一导电粘结层23连接，第一弯折部42和第一外接水平部43均位于绝缘封装体10外，第一外接水平部43 位于绝缘封装体10的正下方；第二引脚片50包括连接成侧倒的U形的第二内接水平部51、第二弯折部52和第二外接水平部53，第二内接水平部51插入绝缘封装体10中与第二导电粘结层24连接，第二弯折部52和第二外接水平部53均位于绝缘封装体10外，第二外接水平部53位于绝缘封装体10的正下方，两个引脚片均为侧倒的U形，具有良好的缓冲效果，能够有效提高安装后二极管的抗震性能。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种串联式的大功率二极管，其特征在于，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内封装有相互平行的第一芯片(11)、第二芯片(12)、第一电极片(21)和第二电极片(22)，所述第一芯片(11)与所述第一电极片(21)之间连接有第一铜片(31)，所述第一芯片(11)与所述第二芯片(12)之间连接有第二铜片(32)，所述第二芯片(12)与所述第二电极片(22)之间连接有第三铜片(33)；
所述第一铜片(31)内设有第一通孔(311)，所述第一通孔(311)内填充有第一粘结块(312)，所述第一粘结块的两端分别连接所述第一电极片(21)和所述第一芯片(11)，所述第二铜片(32)内设有第二通孔(321)，所述第二通孔(321)内填充有第二粘结块(322)，所述第二粘结块(322)的两端分别连接所述第一芯片(11)和所述第二芯片(12)，所述第三铜片(33)内设有第三通孔(331)，所述第三通孔(331)内填充有第三粘结块(332)，所述第三粘结块(332)的两端分别连接所述第二芯片(12)和所述第二电极片(22)；
所述第一电极片(21)通过第一导电粘结层(23)连接有第一引脚片(40)，所述第一引脚片(40)远离所述第一电极片(21)的一端位于所述绝缘封装体(10)外；所述第二电极片(22)通过第二导电粘结层(24)连接有第二引脚片(50)，所述第二引脚片(50)远离所述第二电极片(22)的一端位于所述绝缘封装体(10)外。
2.根据权利要求1所述的一种串联式的大功率二极管，其特征在于，所述第一电极片(21)的中心向远离所述第一芯片(11)的一侧凹陷形成第一凹槽(211)，所述第一铜片(31)卡接于所述第一凹槽(211)中；所述第二电极片(22)的中心向远离所述第二芯片(12)的一侧凹陷形成第二凹槽(221)，所述第二铜片(32)卡接于所述第二凹槽(221)中。
3.根据权利要求1所述的一种串联式的大功率二极管，其特征在于，所述第一导电粘结层(23)和第二导电粘结层(24)均为锡膏层。
4.根据权利要求1所述的一种串联式的大功率二极管，其特征在于，所述第一粘结块(312)、所述第二粘结块(322)和所述第三粘结块(332)均为导电银胶块。
5.根据权利要求1所述的一种串联式的大功率二极管，其特征在于，所述第一引脚片(40)包括连接成U形的第一内接水平部(41)、第一弯折部(42)和第一外接水平部(43)，所述第一内接水平部(41)插入所述绝缘封装体(10)中与所述第一导电粘结层(23)连接，所述第一弯折部(42)和所述第一外接水平部(43)均位于所述绝缘封装体(10)外；所述第二引脚片(50)包括连接成U形的第二内接水平部(51)、第二弯折部(52)和第二外接水平部(53)，所述第二内接水平部(51)插入所述绝缘封装体(10)中与所述第二导电粘结层(24)连接，所述第二弯折部(52)和所述第二外接水平部(53)均位于所述绝缘封装体(10)外。
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