CN210467820U - 一种防断裂的贴片式二极管 - Google Patents

一种防断裂的贴片式二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN210467820U
CN210467820U CN201921862312.8U CN201921862312U CN210467820U CN 210467820 U CN210467820 U CN 210467820U CN 201921862312 U CN201921862312 U CN 201921862312U CN 210467820 U CN210467820 U CN 210467820U
Authority
CN
China
Prior art keywords
pin
layer
diode
release hole
welding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201921862312.8U
Other languages
English (en)
Inventor
陶欢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semtech Semiconductor Technology Dongguan Co Ltd
Original Assignee
Mutual Creation Dongguan Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mutual Creation Dongguan Electronic Technology Co ltd filed Critical Mutual Creation Dongguan Electronic Technology Co ltd
Priority to CN201921862312.8U priority Critical patent/CN210467820U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN210467820U publication Critical patent/CN210467820U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331Disposition
    • H01L2224/3318Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型系提供一种防断裂的贴片式二极管,包括绝缘封装体,绝缘封装体内设有第一引脚、第二引脚和二极管芯片,第二引脚包括依次相连的导电顶板、导电斜板和导电底板,二极管芯片的一电极通过第一焊接层与第一引脚焊接相连,二极管芯片的另一电极通过第二焊接层与导电顶板焊接相连,第一引脚中设有第一应力释放孔,第一应力释放孔的顶部连接第一焊接层,导电顶板中设有第二应力释放孔,第二应力释放孔的底部连接第二焊接层。本实用新型在焊接层周围设置有用于释放应力的孔结构,可有效降低二极管芯片和引脚之间连接结构所受的挤压力,避免焊接结构被应力拉扯而形成虚焊等缺陷,可有效确保贴片式二极管的性能。

Description

一种防断裂的贴片式二极管
技术领域
本实用新型涉及贴片式二极管,具体公开了一种防断裂的贴片式二极管。
背景技术
贴片式二极管主要包括绝缘封装体、二极管芯片和两个导电引脚,两个导电引脚各有一端凸出于绝缘封装体,而二极管芯片焊接于两个导电引脚之间。二极管一般的使用都是应用其整流功能。
贴片式二极管具有厚度薄、安装方便等优点。贴片式二极管在制作时,先焊接二极管芯片及各线路,再通过注塑机进行封装注塑获得具有固定结构的绝缘封装体,注塑过程中,熔融塑胶会对内部的二极管芯片、导电引脚等结构形成挤压,且从液态变为固态的塑胶会形成内部应力,绝缘封装体内部的焊接部等位置会不断被应力拉扯,很容易形成虚焊等缺陷而影响贴片式二极管的性能。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种防断裂的贴片式二极管,能够有效释放内部的应力,避免焊接结构被应力拉扯而形成虚焊等缺陷。
为解决现有技术问题,本实用新型公开一种防断裂的贴片式二极管,包括绝缘封装体,绝缘封装体内设有第一引脚、第二引脚和二极管芯片,第二引脚包括依次相连的导电顶板、导电斜板和导电底板,二极管芯片的一电极通过第一焊接层与第一引脚焊接相连,二极管芯片的另一电极通过第二焊接层与导电顶板焊接相连,第一引脚中设有第一应力释放孔,第一应力释放孔的顶部连接第一焊接层,导电顶板中设有第二应力释放孔,第二应力释放孔的底部连接第二焊接层。
进一步的,绝缘封装体内设有若干散热陶瓷颗粒。
进一步的,第一引脚靠近第二引脚的一端固定有散热陶瓷座。
进一步的,导电顶板的顶面覆盖有导热硅胶层,第二应力释放孔贯穿导热硅胶层。
进一步的,导热硅胶层的顶部设有标识层。
进一步的,第一焊接层和第二焊接层均为导电银浆。
本实用新型的有益效果为:本实用新型公开一种防断裂的贴片式二极管,在焊接层周围设置有用于释放应力的孔结构,注塑完成后,能够有效释放绝缘封装体内部的应力,可有效降低二极管芯片和引脚之间连接结构所受的挤压力,避免焊接结构被应力拉扯而形成虚焊等缺陷,可有效确保贴片式二极管的性能。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图标记为:绝缘封装体10、散热陶瓷颗粒11、第一引脚20、第一应力释放孔201、散热陶瓷座21、第二引脚30、导电顶板31、第二应力释放孔311、导热硅胶层312、标识层313、导电斜板32、导电底板33、二极管芯片40、第一焊接片41、第二焊接层42。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1。
本实用新型实施例公开一种防断裂的贴片式二极管,包括绝缘封装体10,绝缘封装体10内设有第一引脚20、第二引脚30和二极管芯片40,两引脚均凸出与绝缘封装体10的两侧,第二引脚30包括依次相连的导电顶板31、导电斜板32和导电底板33,导电底板33凸出于绝缘封装体10外,即第二引脚30为之字形引脚结构,二极管芯片40位于第一引脚20的上方,导电顶板31位于二极管芯片40的上方,二极管芯片40的一电极通过第一焊接层41与第一引脚20焊接相连,二极管芯片40的另一电极通过第二焊接层42与导电顶板31焊接相连,第一引脚20中设有贯穿上下的第一应力释放孔201,第一应力释放孔201的顶部连接第一焊接层41,即第一焊接层41的边缘位于第一应力释放孔201上,导电顶板31中设有贯穿上下的第二应力释放孔311,第二应力释放孔311的底部连接第二焊接层42,即第二焊接层42的边缘位于第二应力释放孔311下。
第一应力释放孔201的底部连接外部环境,第一应力释放孔201的顶部分别连接第一焊接层41和绝缘封装体10,在焊接好二极管芯片40、第一引脚20和第二引脚30后,注塑获得绝缘封装体10,注塑后绝缘封装体10内部会形成应力,第一应力释放孔201能够有效释放第一焊接层41周围的应力,避免第一引脚20与二极管芯片40之间的连接结构断裂而失效,可确保二极管芯片40与第一引脚20之间的连接结构稳定牢固;第二应力释放孔311的顶部连接外部环境,第二应力释放孔311的底部分别连接第二焊接层42和绝缘封装体10,第二应力释放孔311能够有效释放第二焊接层42周围的应力,避免第二引脚30与二极管芯片40之间的连接结构断裂而失效,可确保二极管芯片40与第二引脚30之间的连接结构稳定牢固。
本实用新型在焊接层周围设置有用于释放应力的孔结构,注塑完成后,能够有效释放绝缘封装体10内部的应力,可有效降低二极管芯片40和引脚之间连接结构所受的挤压力,避免焊接结构被应力拉扯而形成虚焊等缺陷,可有效确保贴片式二极管的性能。
在本实施例中,绝缘封装体10内设有若干散热陶瓷颗粒11,散热陶瓷颗粒11具有良好的导热性能和绝缘性能,能够有效提高贴片式二极管的散热性能,同时能够有效避免贴片式二极管内部被短路。
在本实施例中,第一引脚20靠近第二引脚30的一端固定有散热陶瓷座21,散热陶瓷座21能够进一步提高贴片式二极管整体的散热性能,同时能够有效避免第一引脚20和第二引脚30之间造成短路。
在本实施例中,导电顶板31的顶面覆盖有导热硅胶层312,第二应力释放孔311贯穿导热硅胶层312,通过导热硅胶层312能够有效避免导电顶板31与外界环境直接接触而被腐蚀。
基于上述实施例,导热硅胶层312的顶部设有标识层313,标识层313在导热硅胶固化前通过印压的方式成型,加工方便且成本低,标识层313可以是型号、正负极等指示标识。
在本实施例中,第一焊接层41和第二焊接层42均为导电银浆,导电银浆的具有良好的粘结性能和导电性能。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种防断裂的贴片式二极管,包括绝缘封装体(10),所述绝缘封装体(10)内设有第一引脚(20)、第二引脚(30)和二极管芯片(40),其特征在于,所述第二引脚(30)包括依次相连的导电顶板(31)、导电斜板(32)和导电底板(33),所述二极管芯片(40)的一电极通过第一焊接层(41)与所述第一引脚(20)焊接相连,所述二极管芯片(40)的另一电极通过第二焊接层(42)与所述导电顶板(31)焊接相连,所述第一引脚(20)中设有第一应力释放孔(201),所述第一应力释放孔(201)的顶部连接所述第一焊接层(41),所述导电顶板(31)中设有第二应力释放孔(311),所述第二应力释放孔(311)的底部连接所述第二焊接层(42)。
2.根据权利要求1所述的一种防断裂的贴片式二极管,其特征在于,所述绝缘封装体(10)内设有若干散热陶瓷颗粒(11)。
3.根据权利要求1所述的一种防断裂的贴片式二极管,其特征在于,所述第一引脚(20)靠近所述第二引脚(30)的一端固定有散热陶瓷座(21)。
4.根据权利要求1所述的一种防断裂的贴片式二极管,其特征在于,所述导电顶板(31)的顶面覆盖有导热硅胶层(312),所述第二应力释放孔(311)贯穿所述导热硅胶层(312)。
5.根据权利要求4所述的一种防断裂的贴片式二极管,其特征在于,所述导热硅胶层(312)的顶部设有标识层(313)。
6.根据权利要求1所述的一种防断裂的贴片式二极管,其特征在于,所述第一焊接层(41)和所述第二焊接层(42)均为导电银浆。
CN201921862312.8U 2019-10-31 2019-10-31 一种防断裂的贴片式二极管 Active CN210467820U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201921862312.8U CN210467820U (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种防断裂的贴片式二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201921862312.8U CN210467820U (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种防断裂的贴片式二极管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN210467820U true CN210467820U (zh) 2020-05-05

Family

ID=70436270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201921862312.8U Active CN210467820U (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种防断裂的贴片式二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN210467820U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112122732A (zh) * 2020-09-23 2020-12-25 西安微电子技术研究所 一种焊接lccc器件的转接板和方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112122732A (zh) * 2020-09-23 2020-12-25 西安微电子技术研究所 一种焊接lccc器件的转接板和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9673138B2 (en) Semiconductor package structure having a heat sink frame connected to a lead frame
US8896015B2 (en) LED package and method of making the same
CN108091753B (zh) 一种光源元件
CN210467820U (zh) 一种防断裂的贴片式二极管
US20120217525A1 (en) Light emitting diode package and light emitting device having the same
CN103545439A (zh) 一种倒装结构led cob光源散热基板装置
CN211719598U (zh) 一种线路可靠的散热型贴片式二极管
CN101740528A (zh) 增进散热的无外引脚式半导体封装构造及其组合
CN212485342U (zh) 一种结构可靠的贴片式二极管
CN214411191U (zh) 一种串联式的大功率二极管
CN110620094A (zh) 一种功率半导体器件的封装结构及其封装工艺
CN214542202U (zh) 一种防溢流的散热型碳化硅二极管
CN113644186B (zh) 一种倒装led芯片的封装结构
CN213692017U (zh) 一种贴片式肖特基二极管
WO2018090470A1 (zh) 智能功率模块及其制造方法
CN210575922U (zh) 一种功率半导体器件的封装结构
CN209822681U (zh) 一种倒装smd led封装结构
CN210073824U (zh) 散热主板及光模块
CN210349824U (zh) 一种具有跳片结构的贴片式二极管
CN108735874B (zh) 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺
CN204834684U (zh) 一种采用倒装芯片封装的cob光源
CN214898402U (zh) 一种大功率的贴片式mos管封装结构
CN204834676U (zh) 基于镜面铝基板的led光源模块
CN215600362U (zh) 一种复合二极管的贴片式三极管封装结构
CN210467821U (zh) 一种具有稳定结构的贴片式二极管

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231102

Address after: 523430 Building 1 and 2, No. 70, Liaobu Baiye Road, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province

Patentee after: Xianzhike semiconductor technology (Dongguan) Co.,Ltd.

Address before: No. 13 Baiye Avenue, Shangtun Industrial Zone, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province, 523430

Patentee before: Mutual Creation (Dongguan) Electronic Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right