CN212182318U - 大功率桥堆整流器 - Google Patents
大功率桥堆整流器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN212182318U CN212182318U CN202021465571.XU CN202021465571U CN212182318U CN 212182318 U CN212182318 U CN 212182318U CN 202021465571 U CN202021465571 U CN 202021465571U CN 212182318 U CN212182318 U CN 212182318U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- frame
- chip
- chips
- jumper
- bridge rectifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
大功率桥堆整流器。涉及一种桥堆整流器，尤其涉及大功率桥堆整流器结构的改进。提供了一种结构简单，加工方便，焊接锡层均匀，产品可靠性高的大功率桥堆整流器。包括框架和若干设置在所述框架同侧的芯片；若干所述芯片固定设置在所述框架上；若干所述芯片间隔设置，分别通过跳线与框架连接；设有若干所述芯片的框架通过塑封体封装。本实用新型对整流桥堆的结构改进，在不变更产品外形大小及功能的情况下，通过对框架内部结构的设计，使产品的封装效率提高10%，最大放置芯片尺寸达到110mil，增加了产品的正向通电流能力，芯片与框架连接采用跳线式结构，焊接锡层均匀，提高产品的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种桥堆整流器，尤其涉及大功率桥堆整流器结构的改进。
背景技术
随着技术的发展，电子设备也逐渐朝着小型化，轻薄化的方向发展。因此，小体积轻薄性桥堆在满足大功率的同时，就需要解决产品焊接锡层厚度问题，提升桥堆产品的可靠性。
现有技术中，如国家知识产权局于2018.09.28公布的申请号为201820001499.1名称为“一种大功率薄型贴片式桥堆整流器”的专利，其结构是上、下各两片铜片拼合成一个长方形片体，在铜片上开有放置芯片的凹部，芯片与上、下两片铜片之间用锡膏连接，由于是两片式海鸥脚结构，上、下片式之间易受力不均，导致锡层焊接厚度不易控制，更容易产生品质风险。同时，上下片式结构，会浪费很多铜材。
实用新型内容
本实用新型针对以上问题，提供了一种结构简单，加工方便，焊接锡层均匀，产品可靠性高的大功率桥堆整流器。
本实用新型的技术方案是：包括框架和若干芯片；
若干所述芯片的N面分别与所述框架固定连接，并设置在所述框架的同侧；
若干所述芯片间隔设置，分别通过跳线与框架连接；
设有若干所述芯片的框架通过塑封体封装。
所述框架包括第一框架、第二框架、第三框架和第四框架；
所述第一框架、第二框架、第三框架和第四框架分别间隔设置，固定设置在所述塑封体内；
所述第一框架设有从所述塑封体内伸出的第一引脚；
所述第二框架设有从所述塑封体内伸出的第二引脚；
所述第三框架设有从所述塑封体内伸出的第三引脚；
所述第四框架设有从所述塑封体内伸出的第四引脚。
若干所述芯片为四只，分别为第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片；
所述跳线包括第一跳线、第二跳线和第三跳线；
所述第一芯片固定设置在所述第一框架上；所述第四芯片固定设置在所述第四框架上；
所述第一芯片与第四芯片分别通过所述第一跳线连接至所述第三框架上；
所述第二芯片固定设置在所述第二框架上，通过所述第二跳线与所述第一框架连接；
所述第三芯片固定设置在所述第二框架上，通过所述第三跳线与所述第三框架连接。
所述框架上设有若干锁胶孔。
本实用新型中包括作为芯片载体的框架和若干芯片；若干芯片通过锡膏固定设置在框架上；若干芯片间隔设置，分别通过跳线与框架连接。本专利设计对整流桥堆的结构改进，在不变更产品外形大小及功能的情况下，通过对框架内部结构的设计，使产品的封装效率提高10%，最大放置芯片尺寸达到110mil，增加了产品的正向通电流能力，芯片与框架连接采用跳线式结构，焊接锡层均匀，提高产品的可靠性。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图，
图2是芯片安装位置状态结构示意图，
图3是图1的左厕结构示意图，
图4是图1的右侧结构示意图，
图中1是框架，11是第一框架，12是第二框架，13是第三框架，14是第四框架，2是芯片，21是第一芯片，22是第二芯片，23是第三芯片，24是第四芯片，3是跳线，31是第一跳线，32是第二跳线，33是第三跳线，4是塑封体，5是锁胶孔。
具体实施方式
本实用新型如图1-4所示，包括作为芯片2载体的框架1和若干芯片2；
若干所述芯片2的N面分别通过锡膏与所述框架1固定连接，并设置在所述框架1的同侧；若干颗芯片2都是同一面（四颗芯片的N面）朝下（朝向框架的一侧）设置，一致性高，加工方便、稳定可靠。芯片的P面上设有保护玻璃，如果P面侧与框架连接会降低性能。
若干所述芯片2间隔设置，分别通过跳线3与框架1连接；实现电气连接，电流导通；本案中跳线3的作用为实现芯片焊区与框架1的电气连接；
设有若干所述芯片2的框架1通过塑封体4封装。
所述框架包括第一框架11、第二框架12、第三框架13和第四框架14；
所述第一框架11、第二框架12、第三框架13和第四框架14分别间隔设置，固定设置在所述塑封体4内；
所述第一框架11设有从所述塑封体4内伸出的第一引脚；
所述第二框架12设有从所述塑封体4内伸出的第二引脚；
所述第三框架13设有从所述塑封体4内伸出的第三引脚；
所述第四框架14设有从所述塑封体4内伸出的第四引脚。四只引脚分别与外围电路连接，实现与外围电路的电流导通。
若干所述芯片2为四只，分别为第一芯片21、第二芯片22、第三芯片23和第四芯片24；
所述跳线3包括第一跳线31、第二跳线32和第三跳线33；跳线主要作用是连接芯片与框架，实现电流导通，提高产品连接的可靠性和产品品质。本案中第一跳线31呈L形结构，位于第一芯片与第四芯片之间设有用于提高连接可靠性的跳线锁胶孔。
所述第一芯片21固定设置在所述第一框架11上；所述第四芯片24固定设置在所述第四框架14上；
所述第一芯片21固定设置在所述第一框架11上；所述第四芯片24固定设置在所述第四框架14上；
所述第一芯片21与第四芯片24分别通过所述第一跳线31连接至所述第三框架13上；
所述第二芯片22固定设置在所述第二框架12上，通过所述第二跳线32与所述第一框架11连接；
所述第三芯片23固定设置在所述第二框架12上，通过所述第三跳线33与所述第三框架13连接。
所述框架上设有若干锁胶孔5。通过锁胶孔5使塑封体4对应位置上下穿通，增加与框架的结合力。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点：
1、通过对框架内部结构的优化设计，在保证产品的散热及功能情况下，提升了产品封装利用率，最大可放入110mi芯片，产品尺寸为发生增加。
2、本案采用跳线式结构，焊接过程中不易受外力不均，芯片与跳线、框架结合的锡层会更均匀，提升了产品的可靠性。
3、内部连接采用跳线式结构，节省了材料的浪费，降低了生产成本。
对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (4)
1.大功率桥堆整流器，其特征在于，包括框架和若干芯片；
若干所述芯片的N面分别与所述框架固定连接，并设置在所述框架的同侧；
若干所述芯片间隔设置，分别通过跳线与框架连接；
设有若干所述芯片的框架通过塑封体封装。
2.根据权利要求1所述的大功率桥堆整流器，其特征在于，所述框架包括第一框架、第二框架、第三框架和第四框架；
所述第一框架、第二框架、第三框架和第四框架分别间隔设置，固定设置在所述塑封体内；
所述第一框架设有从所述塑封体内伸出的第一引脚；
所述第二框架设有从所述塑封体内伸出的第二引脚；
所述第三框架设有从所述塑封体内伸出的第三引脚；
所述第四框架设有从所述塑封体内伸出的第四引脚。
3.根据权利要求2所述的大功率桥堆整流器，其特征在于，若干所述芯片为四只，分别为第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片；
所述跳线包括第一跳线、第二跳线和第三跳线；
所述第一芯片固定设置在所述第一框架上；所述第四芯片固定设置在所述第四框架上；
所述第一芯片与第四芯片分别通过所述第一跳线连接至所述第三框架上；
所述第二芯片固定设置在所述第二框架上，通过所述第二跳线与所述第一框架连接；
所述第三芯片固定设置在所述第二框架上，通过所述第三跳线与所述第三框架连接。
4.根据权利要求1所述的大功率桥堆整流器，其特征在于，所述框架上设有若干锁胶孔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202021465571.XU CN212182318U (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 大功率桥堆整流器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202021465571.XU CN212182318U (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 大功率桥堆整流器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN212182318U true CN212182318U (zh) | 2020-12-18 |
Family
ID=73762088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202021465571.XU Active CN212182318U (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 大功率桥堆整流器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212182318U (zh) |
-
2020
- 2020-07-22 CN CN202021465571.XU patent/CN212182318U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102983114B (zh) | 具有超薄封装的高性能功率晶体管 | |
| CN112701095A (zh) | 一种功率芯片堆叠封装结构 | |
| CN211743142U (zh) | 一种双芯片的导热型贴片二极管 | |
| CN212182318U (zh) | 大功率桥堆整流器 | |
| CN214203676U (zh) | 贴片式光伏旁路模块的封装框架 | |
| CN214411191U (zh) | 一种串联式的大功率二极管 | |
| CN212084994U (zh) | 一种并联封装的器件组 | |
| CN212485342U (zh) | 一种结构可靠的贴片式二极管 | |
| CN210223999U (zh) | 一种功率模块及其车辆 | |
| CN212182316U (zh) | 一种无载体的半导体叠层封装结构 | |
| CN214068695U (zh) | 一种2.5d封装结构及电子设备 | |
| CN217768368U (zh) | 一种贴片式so8j半导体芯片的封装结构 | |
| CN211208442U (zh) | 旁路二极管 | |
| CN211929482U (zh) | 单向tvs半导体器件 | |
| CN217134355U (zh) | 一种半导体功率器件封装结构 | |
| CN213401176U (zh) | 一种焊接牢固的贴片式半导体器件 | |
| CN218414570U (zh) | 低应力大功率桥堆框架 | |
| CN217035627U (zh) | 贴片式电力电子器件 | |
| CN211063868U (zh) | 基于PCB Layout中解决芯片电源管脚载流问题的结构 | |
| CN211238219U (zh) | 一种封装密度大高频性能好的ic芯片堆叠封装件 | |
| CN220233186U (zh) | 大功率50a插件桥 | |
| CN216250730U (zh) | 一种堆叠式芯片封装件 | |
| CN211957631U (zh) | 全波整流芯片的封装结构 | |
| CN211858642U (zh) | 耐高压功率二极管器件 | |
| CN220138312U (zh) | 紧凑型双芯片功率器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |