CN220233186U - 大功率50a插件桥 - Google Patents
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Abstract
大功率50A插件桥，涉及半导体技术领域。包括：第一铜框架基岛，呈长条状，上部设有上下结构设置的芯片位一和芯片位二，下部设有从塑封体内伸出的引脚一；第二铜框架基岛，呈L型结构，间隔设置在所述第一铜框架基岛的侧部，顶部设有芯片位三，底部设有沿所述第一铜框架基岛的侧部从塑封体内伸出的引脚二；第三铜框架基岛，间隔设置在所述第二铜框架基岛的下方，上部设有芯片位四，下部设有从塑封体内伸出的引脚三。本案取消引脚基岛凸点后，通过跳线弯曲部达到芯片与铜框架水平连接目的同时，提高了铜框架的利用率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及大功率50A插件桥。
背景技术
随着电子产品的发展迅速，充电器等领域需要更大功率，更大电流的电子产品，而不能增加电子产品的尺寸，不能改变半导体的形状，在目前GBU封装中框架只能承载140mil芯片，需要重新布局框架设计，满足200mil芯片安装，确保GBU封装能达到50A能力，保证其散热。
实用新型内容
本实用新型针对以上问题，提供了一种保持外型本体不变，承载更大芯片，提升功率的大功率50A插件桥。
本实用新型的技术方案是：
GBU新型大功率50A插件桥，包括：
第一铜框架基岛，呈长条状，上部设有上下结构设置的芯片位一和芯片位二，下部设有从塑封体内伸出的引脚一；
第二铜框架基岛，呈L型结构，间隔设置在所述第一铜框架基岛的侧部，顶部设有芯片位三，底部设有沿所述第一铜框架基岛的侧部从塑封体内伸出的引脚二；
第三铜框架基岛，间隔设置在所述第二铜框架基岛的下方，上部设有芯片位四，下部设有从塑封体内伸出的引脚三；
引脚框架，呈长条形，间隔设置在所述第二铜框架基岛的侧部，上部分别通过相应跳线与相应芯片位上的芯片电性连接，下部设有从塑封体内伸出的引脚四；所述跳线一端设有与相应芯片适配的溢胶孔，另一端的连接面设有若干波纹凸起。
具体的，所述第二铜框架基岛的边缘和第三铜框架基岛的边缘分别至引脚框架的边缘距离相等。
具体的，所述第二铜框架基岛与第三铜框架基岛之间设有椭圆形散热孔。
具体的，所述芯片位一上设有第一芯片；所述芯片一通过跳线一与第二铜框架基岛电性连接。
具体的，所述芯片位二上设有第二芯片；所述第二芯片通过跳线二与第二铜框架基岛电性连接。
具体的，所述芯片位三上设有第三芯片；所述第三芯片通过跳线三与引脚框架电信连接。
具体的，所述芯片位四上设有第四芯片；所述第四芯片通过跳线四与引脚框架电信连接。
具体的，所述芯片位一和芯片位二之间设有圆形孔。
所述跳线包括依次固定连接的芯片连接部、延伸部和框架连接部。
具体的，所述延伸部设有弯曲部。
本实用新型有益效果：
本方案是通过保证本体大小不变的情况下，改善内部结构，从载体能放140mil芯片改为能放200mil芯片，同样电流芯片越大功率越小，发热越小，芯片越大承载的电流越大，功率越大。同时现有技术中相应铜框架基岛上设有用于与跳线连接的引脚基岛凸点，引脚基岛凸点不仅占用框架横筋位置较大而且引脚基岛凸点漏点胶时无法判别是否点胶，容易造成产品虚汗，空焊等问题。本案取消引脚基岛凸点后，通过跳线弯曲部达到芯片与铜框架水平连接目的同时，提高了铜框架的利用率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图，
图2是跳线的结构示意图，
图3是跳线的侧部结构示意图；
图中100是第一铜框架基岛，110是引脚一，
200是第二铜框架基岛，210是引脚二，
300是第三铜框架基岛，310是引脚三，
400是引脚框架，410是引脚四，
500是椭圆形散热孔，
610是第一芯片，620是第二芯片，630是第三芯片，640是第四芯片，
700是圆形孔，
800是跳线，810是波纹凸起，820是溢胶孔。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、 “下”、 “左”、 “右”、 “竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，除非另有说明， “多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、 “相连”、 “连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接 ；可以是机械连接，也可以是电连接 ；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
本实用新型如图1-3所示；
GBU新型大功率50A插件桥包括：
第一铜框架基岛100，呈长条状，上部设有上下结构设置的芯片位一和芯片位二，下部设有从塑封体内伸出的引脚一110；
第二铜框架基岛200，呈L型结构，间隔设置在所述第一铜框架基岛100的侧部，顶部设有芯片位三，底部设有沿所述第一铜框架基岛100的侧部从塑封体内伸出的引脚二210；
第三铜框架基岛300，间隔设置在所述第二铜框架基岛200的下方，上部设有芯片位四，下部设有从塑封体内伸出的引脚三310；
引脚框架400，呈长条形，间隔设置在所述第二铜框架基岛200的侧部，上部分别通过相应跳线800与相应芯片位上的芯片电性连接，下部设有从塑封体内伸出的引脚四410；所述跳线800一端设有与相应芯片适配的溢胶孔820，另一端的连接面设有若干波纹凸起810。
有技术中，跳线800与相应铜框架连接时，铜框架上设有与跳线800适配的连接凸起，本案跳线800设置了弯曲部来连接芯片（第一芯片610、第二芯片620、第三芯片630或第四芯片640）和框架（第二铜框架基岛200、第三铜框架基岛300或引脚框架400），取消原连接凸起（或称之为引脚基岛凸点）后，在焊接工艺中容易发生侧翻，所以在跳线800上开溢胶孔820，确保锡膏溢出溢胶孔820，这样组焊时，跳线800不会侧翻,跳线800另一端底部打上波纹凸起810，增加跳线800和基岛的抓着力，确保跳线800组焊时不会侧翻。
一步限定，所述第二铜框架基岛200的边缘和第三铜框架基岛300的边缘分别至引脚框架400的边缘距离相等，即第二铜框架基岛200和第三铜框架基岛300左侧侧面在同一平面内，上下对应。
一步限定，所述第二铜框架基岛200与第三铜框架基岛300之间设有椭圆形散热孔500，提高器件的散热性。
一步限定，所述芯片位一上设有第一芯片610；所述芯片一通过跳线一与第二铜框架基岛200电性连接。
一步限定，所述芯片位二上设有第二芯片620；所述第二芯片620通过跳线二与第二铜框架基岛200电性连接。
一步限定，所述芯片位三上设有第三芯片630；所述第三芯片630通过跳线三与引脚框架400电信连接。
一步限定，所述芯片位四上设有第四芯片640；所述第四芯片640通过跳线四与引脚框架400电信连接。
一步限定，所述芯片位一和芯片位二之间设有圆形孔700，提高器件的散热性。
进一步限定，所述跳线包括依次固定连接的芯片连接部、延伸部和框架连接部。
进一步限定，所述延伸部设有弯曲部。通过弯曲部设置，确保相应芯片P级和相应框架基岛连接时基本保持水平，降低芯片产生的应力。
方案是通过保证本体大小不变的情况下，改善内部结构，从载体能放140mil芯片改为能放200mil芯片，同样电流芯片越大功率越小，发热越小，芯片越大承载的电流越大，功率越大。
对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，包括：
第一铜框架基岛，呈长条状，上部设有上下结构设置的芯片位一和芯片位二，下部设有从塑封体内伸出的引脚一；
第二铜框架基岛，呈L型结构，间隔设置在所述第一铜框架基岛的侧部，顶部设有芯片位三，底部设有沿所述第一铜框架基岛的侧部从塑封体内伸出的引脚二；
第三铜框架基岛，间隔设置在所述第二铜框架基岛的下方，上部设有芯片位四，下部设有从塑封体内伸出的引脚三；
引脚框架，呈长条形，间隔设置在所述第二铜框架基岛的侧部，上部分别通过相应跳线与相应芯片位上的芯片电性连接，下部设有从塑封体内伸出的引脚四；所述跳线一端设有与相应芯片适配的溢胶孔，另一端的连接面设有若干波纹凸起。
2.根据权利要求1所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述第二铜框架基岛的边缘和第三铜框架基岛的边缘分别至引脚框架的边缘距离相等。
3.根据权利要求1所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述第二铜框架基岛与第三铜框架基岛之间设有椭圆形散热孔。
4.根据权利要求1所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述芯片位一上设有第一芯片；所述芯片一通过跳线一与第二铜框架基岛电性连接。
5.根据权利要求1所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述芯片位二上设有第二芯片；所述第二芯片通过跳线二与第二铜框架基岛电性连接。
6.根据权利要求1所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述芯片位三上设有第三芯片；所述第三芯片通过跳线三与引脚框架电信连接。
7.根据权利要求1所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述芯片位四上设有第四芯片；所述第四芯片通过跳线四与引脚框架电信连接。
8.根据权利要求1所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述芯片位一和芯片位二之间设有圆形孔。
9.根据权利要求1所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述跳线包括依次固定连接的芯片连接部、延伸部和框架连接部。
10.根据权利要求9所述的GBU新型大功率50A插件桥，其特征在于，所述延伸部设有弯曲部。
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