CN219534522U - 封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构 - Google Patents

Abstract

本申请公开了封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构，其中，封装结构包括：基岛，基岛具有多个电性部分，多个电性部分中，至少有一个为栅极部，至少有一个为源极部；倒装芯片，倒装芯片的第一表面具有多个电极，多个电极中，至少一个为栅电极，至少一个为源电极，倒装芯片的第二表面具有漏电极，倒装芯片的第一表面设置在基岛上，倒装芯片的栅电极与基岛的栅极部相对应，倒装芯片的源电极与基岛的源极部相对应；铜片，铜片具有铜片本体以及管脚，铜片本体与倒装芯片的漏电极连接；塑封体，塑封体包覆基岛、倒装芯片和铜片。本申请铜片与倒装芯片背面的漏电极焊接，不用考虑不同的源极布置，通用性强，有效减少了铜片设计开模等费用。

Description

封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，具体涉及封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构。

背景技术

现有功率器件的封装是通过铜片连接芯片和管脚，铜片的电性至少要由源极和栅极两个部分组成。这种结构导致铜片需要根据芯片一一定制，通用性差。

实用新型内容

本实用新型针对上述问题，提出了封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构。

本实用新型采取的技术方案如下：

一种封装结构，包括：

基岛，所述基岛具有多个电性部分，多个电性部分中，至少有一个为栅极部，至少有一个为源极部；

倒装芯片，所述倒装芯片的第一表面具有多个电极，多个电极中，至少一个为栅电极，至少一个为源电极，所述倒装芯片的第二表面具有漏电极，所述倒装芯片的第一表面设置在所述基岛上，倒装芯片的栅电极与基岛的栅极部相对应，倒装芯片的源电极与基岛的源极部相对应；

铜片，所述铜片具有铜片本体以及与铜片本体一体成型或焊接在铜片本体上的管脚，所述铜片本体与倒装芯片的漏电极连接；

塑封体，所述塑封体包覆基岛、倒装芯片和铜片，所述管脚的一端位于塑封体外侧，所述基岛具有外露部分。

本申请铜片与倒装芯片背面的漏电极焊接，不用考虑不同的源极布置，通用性强，有效减少了铜片设计开模等费用。

此外，本申请封装结构采用芯片倒装加铜片工艺，内部无焊线，减少多焊线间的电性干扰。

于本实用新型其中一实施例中，所述铜片本体与管脚为一体成型件。

现有技术中，铜片与芯片和管脚均通过焊料连接，导通电阻偏大，本申请铜片本体与管脚为一体成型件(一体化结构)，相对于现有技术而言，能够有效降低导通电阻。

于本实用新型其中一实施例中，所述铜片为等厚铜片。

于本实用新型其中一实施例中，所述铜片本体为不等厚铜片本体，所述铜片本体具有外露部分。

现有技术中，外漏作为散热板的铜片散热面积受制于芯片尺寸和栅极让位，不能有效利用散热面的面积，本申请铜片本体无需设计避让栅极的凹口，可实现最大化铜片散热面面积。

于本实用新型其中一实施例中，所述铜片还具有与铜片本体固定的散热片，所述铜片本体具有外露部分。

于本实用新型其中一实施例中，所述散热片与铜片本体铆接固定。

于本实用新型其中一实施例中，所述散热片与铜片本体焊接固定。

于本实用新型其中一实施例中，所述基岛与倒装芯片通过焊料焊接配合，所述铜片本体与倒装芯片通过焊料焊接配合。

本申请还公开了一种电路结构，包括电路板以及安装在电路板上的封装结构，所述封装结构为上文所述的封装结构。

本申请还公开了一种用于制造上文所述的封装结构的框架结构，包括：

基岛框架，所述基岛框架上具有多个基岛，所述基岛具有多个电性部分，基岛的多个电性部分中，至少有一个为栅极部，至少有一个为源极部，所述基岛用于承载倒装芯片，基岛的栅极部用于与倒装芯片的栅电极连接，基岛的源极部用于与倒装芯片的源电极连接；

铜片框架，所述铜片框架上具有多个铜片，所述铜片具有铜片本体以及与铜片本体一体成型或焊接在铜片本体上的管脚，所述铜片本体用于与倒装芯片的漏电极连接。

本申请框架结构使用时，将倒装芯片放置在其中一个框架，对位后然后压上另一个框架，通过基岛框架和铜片框架的框叠装，一次叠装可完成整条框架产品的电性连接，加工效率高。实际运用时，倒装芯片与基岛框架和铜片框架可以通过焊料焊接，基岛框架与铜片框架叠在一起后，通过模具对位后与倒装芯片进行回流等焊接。本申请相对于现有一次最多焊接8-10个铜片而言，有效提高加工效率。

实际运用时，铜片的管脚可以预先打弯，然后再包封在塑封体，也可先不打弯，等切筋成形时再打弯。

本实用新型的有益效果是：本申请铜片与倒装芯片背面的漏电极焊接，不用考虑不同的源极布置，通用性强，有效减少了铜片设计开模等费用。此外，本申请封装结构采用芯片倒装加铜片工艺，内部无焊线，减少多焊线间的电性干扰。

附图说明

图1是基岛的示意图；

图2是实施例1封装结构的示意图；

图3是实施例2封装结构的一种示意图；

图4是实施例2封装结构的另一种示意图；

图5是实施例3封装结构的一种示意图；

图6是实施例3封装结构的另一种示意图；

图7是基岛框架的示意图；

图8是铜片框架的示意图。

图中各附图标记为：

1、基岛；11、栅极部；12、源极部；2、倒装芯片；3、铜片；31、铜片本体；32、管脚；33、散热片；4、塑封体；100、基岛框架；200、铜片框架。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

下面结合各附图，对本实用新型做详细描述。

实施例1

如图1和2所示，一种封装结构，包括：

基岛1，基岛1具有多个电性部分，多个电性部分中，至少有一个为栅极部11，至少有一个为源极部12；

倒装芯片2，倒装芯片2的第一表面具有多个电极，多个电极中，至少一个为栅电极，至少一个为源电极，倒装芯片2的第二表面具有漏电极，倒装芯片2的第一表面设置在基岛1上，倒装芯片2的栅电极与基岛1的栅极部11相对应，倒装芯片2的源电极与基岛1的源极部12相对应；

铜片3，铜片3具有铜片本体31以及与铜片本体31一体成型的管脚32，铜片本体31与倒装芯片2的漏电极连接；

塑封体4，塑封体4包覆基岛1、倒装芯片2和铜片3，管脚32的一端位于塑封体4外侧，基岛1具有外露部分。

本申请铜片3与倒装芯片2背面的漏电极焊接，不用考虑不同的源极布置，通用性强，有效减少了铜片3设计开模等费用。

此外，本申请封装结构采用芯片倒装加铜片3工艺，内部无焊线，减少多焊线间的电性干扰。

实际运用时，管脚32还可以焊接在铜片本体31上的管脚32。但焊接会导致导通电阻偏大，本申请铜片本体31与管脚32为一体成型件(一体化结构)，能够有效降低导通电阻。

于本实施例中，基岛1与倒装芯片2通过焊料焊接配合，铜片本体31与倒装芯片2通过焊料焊接配合。

于本实施例中，铜片3为等厚铜片3。

实施例2

本实施例与实施例1的区别在于：铜片本体31为不等厚铜片本体31(异形)，铜片本体31具有外露部分，铜片3的设置形式有两种，见图3和4。

现有技术中，外漏作为散热板的铜片散热面积受制于芯片尺寸和栅极让位，不能有效利用散热面的面积，本申请铜片本体31无需设计避让栅电极的凹口，可实现最大化铜片3散热面面积。

实施例3

如图5和6所示，本实施例与实施例1的区别在于：铜片3还具有与铜片本体31固定的散热片33，铜片本体31具有外露部分。

实际运用时，散热片33与铜片本体31可以铆接或焊接固定。

实施例4

本实施例公开了一种电路结构，包括电路板以及安装在电路板上的封装结构，封装结构为实施例1、2或3的封装结构。

实施例5

如图7和8所示，本实施例公开了一种框架结构，可以用于制造实施例1、2或3的封装结构，框架结构包括：

基岛框架100，所述基岛框架100上具有多个基岛1，所述基岛1具有多个电性部分，基岛1的多个电性部分中，至少有一个为栅极部11，至少有一个为源极部12，所述基岛1用于承载倒装芯片2，基岛1的栅极部11用于与倒装芯片2的栅电极连接，基岛1的源极部12用于与倒装芯片2的源电极连接；

铜片框架200，所述铜片框架200上具有多个铜片3，所述铜片3具有铜片本体31以及与铜片本体31一体成型或焊接在铜片本体31上的管脚32，所述铜片本体31用于与倒装芯片2的漏电极连接。

本申请框架结构使用时，将倒装芯片2放置在其中一个框架，对位后然后压上另一个框架，通过基岛框架100和铜片框架200的框叠装，一次叠装可完成整条框架产品的电性连接，加工效率高。实际运用时，倒装芯片2与基岛框架100和铜片框架200可以通过焊料焊接，基岛框架100与铜片框架200叠在一起后，通过模具对位后与倒装芯片2进行回流等焊接。本申请相对于现有一次最多焊接8-10个铜片3而言，有效提高加工效率。

实际运用时，铜片3的管脚32可以预先打弯，然后再包封在塑封体4，也可先不打弯，等切筋成形时再打弯。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此即限制本实用新型的专利保护范围，凡是运用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的保护范围内。

Claims (10)

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

基岛，所述基岛具有多个电性部分，多个电性部分中，至少有一个为栅极部，至少有一个为源极部；

倒装芯片，所述倒装芯片的第一表面具有多个电极，多个电极中，至少一个为栅电极，至少一个为源电极，所述倒装芯片的第二表面具有漏电极，所述倒装芯片的第一表面设置在所述基岛上，倒装芯片的栅电极与基岛的栅极部相对应，倒装芯片的源电极与基岛的源极部相对应；

铜片，所述铜片具有铜片本体以及与铜片本体一体成型或焊接在铜片本体上的管脚，所述铜片本体与倒装芯片的漏电极连接；

塑封体，所述塑封体包覆基岛、倒装芯片和铜片，所述管脚的一端位于塑封体外侧，所述基岛具有外露部分。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述铜片本体与管脚为一体成型件。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述铜片为等厚铜片。

4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述铜片本体为不等厚铜片本体，所述铜片本体具有外露部分。

5.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述铜片还具有与铜片本体固定的散热片，所述铜片本体具有外露部分。

6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述散热片与铜片本体铆接固定。

7.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述散热片与铜片本体焊接固定。

8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基岛与倒装芯片通过焊料焊接配合，所述铜片本体与倒装芯片通过焊料焊接配合。

9.一种电路结构，其特征在于，包括电路板以及安装在电路板上的封装结构，所述封装结构为权利要求1～8任意一项所述的封装结构。

10.一种用于制造权利要求1～8任意一项所述的封装结构的框架结构，其特征在于，包括：

基岛框架，所述基岛框架上具有多个基岛，所述基岛具有多个电性部分，基岛的多个电性部分中，至少有一个为栅极部，至少有一个为源极部，所述基岛用于承载倒装芯片，基岛的栅极部用于与倒装芯片的栅电极连接，基岛的源极部用于与倒装芯片的源电极连接；

铜片框架，所述铜片框架上具有多个铜片，所述铜片具有铜片本体以及与铜片本体一体成型或焊接在铜片本体上的管脚，所述铜片本体用于与倒装芯片的漏电极连接。