CN213958939U - 一种适于高密度布局的场效应晶体管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型系提供一种适于高密度布局的场效应晶体管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有芯片；第一导电支脚包括第一上平板和第一下平板分别固定于第一立板的上下形成C字形，第一上平板的底部固定有第一导热板，第一导热板靠近第一立板的一侧设有第一斜面；第二导电支脚包括第二上平板和第二下平板分别固定于第二立板的上下形成C字形，第二上平板上固定有焊接凸台，第二上平板的底部固定有第二导热板，第二导热板靠近第二立板的一侧设有第二斜面。本实用新型可有效缩减整体结构的占用空间，适用于当下有高密度布局需求的电子产品；导热板能够有效提高场效应晶体管的散热性能，能有效降低场效应晶体管工作时的损耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶体管，具体公开了一种适于高密度布局的场效应晶体管。
背景技术
场效应晶体管，全称金属-氧化物半导体场效应晶体管，又称MOS管，属于电压控制型半导体器件，是利用控制输出回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
场效应晶体管包括栅极、漏极和源极三个电极，封装完成的场效应晶体管都设置有三个向绝缘封装体外部延伸的导电引脚，现有技术中，为确保导电引脚的弹性，导电引脚向绝缘封装体外凸出的长度较大，虽然安装方便，但这种场效应晶体管的占用空间大，不利于当下电子产品对高密度集成化布局的应用需求。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种适于高密度布局的场效应晶体管，占用空间小，适用于高密度的布局需求，散热性能好，且整体结构稳定牢固。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种适于高密度布局的场效应晶体管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有一个第一导电支脚和两个第二导电支脚，第一导电支脚上设有芯片；
第一导电支脚包括一体成型的第一上平板、第一立板和第一下平板，第一上平板和第一下平板分别固定于第一立板的上下形成C字形，第一上平板位于绝缘封装体内，第一立板和第一下平板均位于绝缘封装体外，第一上平板的底部固定有第一导热板，第一导热板与绝缘封装体的底面共面，第一下平板间隔设置于第一导热板的正下方，第一导热板靠近第一立板的一侧设有第一斜面，第一斜面从上至下远离第一立板倾斜，第一斜面位于绝缘封装体外，第一导热板远离第一斜面的一端缩进于第一上平板内；
第二导电支脚包括一体成型的第二上平板、第二立板和第二下平板，第二上平板和第二下平板分别固定于第二立板的上下形成C字形，第二上平板位于绝缘封装体内，第二立板和第二下平板均位于绝缘封装体外，第二上平板上固定有焊接凸台，焊接凸台的顶面与芯片的顶面共面，第二上平板的底部固定有第二导热板，第二导热板与绝缘封装体的底面共面，第二下平板间隔设置于第二导热板的正下方，第二导热板靠近第二立板的一侧设有第二斜面，第二斜面从上至下远离第二立板倾斜，第二斜面位于绝缘封装体外，第二导热板远离第二斜面的一端缩进于第二上平板内；
芯片的底端电极与第一上平板焊接相连，芯片的两个顶部电极分别通过两根导线与两个焊接凸台连接。
进一步的，第一上平板上设有第一凹槽，第二上平板31上设有第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽均位于绝缘封装体内。
进一步的，第一凹槽位于芯片靠近第一立板的一侧，第二凹槽位于焊接凸台靠近第二立板的一侧。
进一步的，焊接凸台为导电银胶台。
进一步的，第一立板和第二立板分别位于绝缘封装体的相对的两侧外。
进一步的，第一立板远离绝缘封装体的一面固定有第一标识层，第二立板远离绝缘封装体的一面固定有第二标识层。
进一步的，第一标识层和两个第二标识层为颜色不同的导热硅胶层。
进一步的，第一导热板和第二导热板均为绝缘陶瓷板。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种适于高密度布局的场效应晶体管，设置导电支脚为向内弯曲的C字形结构，可有效缩减场效应晶体管整体结构的占用空间，适用于当下有高密度布局需求的电子产品；导热板能够有效提高场效应晶体管的散热性能，能有效降低场效应晶体管工作时的损耗，且导热板不会额外增加体积，可以有效确保整体结构的小型化设计；C字形结构的导电支脚配合设置有斜面的导热板，能够有效确保导电支脚具备良好的形变缓冲能力，在封装生产、焊接安装、工作环境振动等情况下，能够有效确保场效应晶体管结构稳定牢固。
附图说明
图1为本实用新型的俯视结构示意图。
图2为本实用新型去除绝缘封装体后的立体结构示意图。
图3为本实用新型沿图1中A-A’的剖面结构示意图。
附图标记为：绝缘封装体10、第一导电支脚20、第一上平板21、第一凹槽211、第一立板22、第一标识层221、第一下平板23、第一导热板24、第一斜面241、第二导电支脚30、第二上平板31、焊接凸台311、第二凹槽312、第二立板32、第二标识层321、第二下平板33、第二导热板34、第二斜面341、芯片40、导线41。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1至图3。
本实用新型实施例公开一种适于高密度布局的场效应晶体管，包括绝缘封装体10，绝缘封装体10内设有互不接触的一个第一导电支脚20和两个第二导电支脚30，第一导电支脚20上设有芯片40，芯片40位于绝缘封装体10内；
第一导电支脚20包括一体成型的第一上平板21、第一立板22和第一下平板23，第一上平板21和第一下平板23分别固定于第一立板22的上下两端形成C字形，即第一导电支脚20为C字形结构，第一下平板23位于第一上平板21的正下方，第一上平板21位于绝缘封装体10内，第一立板22和第一下平板23均位于绝缘封装体10外，第一立板22位于绝缘封装体10的一侧外，第一下平板23位于绝缘封装体10的底部外，第一上平板21的底部通过胶水固定连接有第一导热板24，第一导热板24的底面与绝缘封装体10的底面共面，第一下平板23间隔设置于第一导热板24的正下方，第一导热板24靠近第一立板22的一侧设有第一斜面241，第一斜面241从上至下远离第一立板22倾斜，即第一导热板24是截面为梯形的结构，第一导热板24的腰正对第一立板22，第一导热板24的下底固定于第一上平板21下，第一斜面241位于绝缘封装体10外，第一斜面241为第一导电支脚20的形变缓冲提供充足的让位空间，第一导热板24远离第一斜面241的一端缩进于第一上平板21内，即第一上平板21凸出于第一导热板24远离第一斜面241的一端，形成具有卡位能力的阶梯状结构，能够有效提高绝缘封装体10与第一导电支脚20之间连接结构的牢固性；
第二导电支脚30包括一体成型的第二上平板31、第二立板32和第二下平板33，第二上平板31和第二下平板33分别固定于第二立板32的上下两端形成C字形，即第二导电支脚30为C字形结构，第二下平板33位于第二上平板31的正下方，第二上平板31位于绝缘封装体10内，第二立板32和第二下平板33均位于绝缘封装体10外，第二立板32位于绝缘封装体10的一侧外，第二下平板33位于绝缘封装体10的底部外，第二上平板31上固定有焊接凸台311，焊接凸台311的顶面与芯片40的顶面共面，即焊接凸台311的顶面与芯片40的顶面位于同一水平面中，用于方便内部接线，第二上平板31的底部通过胶水固定连接有第二导热板34，第二导热板34的底面与绝缘封装体10的底面共面，第二下平板33间隔设置于第二导热板34的正下方，第二导热板34靠近第二立板32的一侧设有第二斜面341，第二斜面341从上至下远离第二立板32倾斜，即第二导热板34是截面为梯形的结构，第二导热板34的腰正对第二立板32，第二导热板34的下底固定于第二上平板31下，第二斜面341位于绝缘封装体10外，第二斜面341为第二导电支脚30的形变缓冲提供充足的让位空间，第二导热板34远离第二斜面341的一端缩进于第二上平板31内，即第二上平板31凸出于第二导热板34远离第二斜面341的一端，形成具有卡位能力的阶梯状结构，能够有效提高绝缘封装体10与第二导电支脚30之间连接结构的牢固性；
芯片40为场效应管芯片，具有栅极、漏极和源极三个电极，芯片40的底端电极与第一上平板21焊接相连，芯片40的两个顶部电极分别通过两根导线41与两个焊接凸台311连接，优选地，导线41的两端通过锡膏分别与芯片40顶部电极和焊接凸台311焊接相连。
本实用新型中的两个导电支脚均弯折成C字形结构，具有良好的弹性，且立板与下平板均位于绝缘封装体10外，可有效避免导电支脚因形变缓冲的动作撕裂绝缘封装体10，下平板与绝缘封装体10底面之间的间隔，配合导热板的斜面结构能够为导电支脚弯曲变形提供充足的让位空间，场效应晶体管结构稳定牢固，在注塑封装的过程中，位于绝缘封装体10外的立板以及下平板能够有效协助释放应力，抗振防撕裂性能强；导热板与上平板之间形成的阶梯状结构能够为绝缘封装体10的成型提供稳定的附着基础，可有效避免导电支脚脱离绝缘封装体10，可有效确保整体结构的稳定性；导热板的底面直接与外界环境接触，能够有效提高场效应晶体管的散热性能，导电支脚弯折收缩到绝缘封装体10的下方，可有效缩小场效应晶体管的占用空间，能够有效满足现代电子产品高密度布局的设计需求。
在本实施例中，第一上平板21上设有第一凹槽211，每个第二上平板31上均设有第二凹槽312，第一凹槽211和第二凹槽312均位于绝缘封装体10内，能够有效提高导电支脚与绝缘封装体10之间连接结构的牢固性。
基于上述实施例，第一凹槽211位于芯片40靠近第一立板22的一侧，第二凹槽312位于焊接凸台311靠近第二立板32的一侧，能够有效阻碍锡膏的流动，从而有效避免对场效应晶体管进行内部焊线的过程中，锡膏溢出至最终所获的绝缘封装体10外。
在本实施例中，焊接凸台311为导电银胶台，导电银胶具有良好的弹性以及导电性能，在注塑获得绝缘封装体10后能够有效释放导线41与第二上平板31之间的应力，从而进一步提高场效应晶体管结构的牢固性。
在本实施例中，第一立板22和第二立板32分别位于绝缘封装体10的相对的两侧外，可有效确保各导电支脚之间的间隔充足，焊接安装操作方便，能够有效避免场效应晶体管焊接于PCB板时发生短路，两个第二立板32位于绝缘封装体10的同一侧。
在本实施例中，第一立板22远离绝缘封装体10的一面固定有第一标识层221，每个第二立板32远离绝缘封装体10的一面均固定有第二标识层321，标识层用于对各个导电支脚进行标识，方便进行安装使用。
基于上述实施例，第一标识层221和两个第二标识层321为颜色不同的导热硅胶层，导热硅胶具有良好的导热性能和绝缘性能，不仅能够避免导电支脚与外部的结构发生短路，同时能够进一步提高场效应晶体管的散热性能，不同的颜色能够有效分辨三个电极；第一标识层221和第二标识层321还可以为设有不同镂空图案的导热硅胶层。
在本实施例中，第一导热板24和第二导热板34均为绝缘陶瓷板，绝缘陶瓷具有良好的散热性能以及绝缘性能，在能够确保导热性能的同时能够避免各导电支脚之间发生短路。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种适于高密度布局的场效应晶体管，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有一个第一导电支脚(20)和两个第二导电支脚(30)，所述第一导电支脚(20)上设有芯片(40)，其特征在于：
所述第一导电支脚(20)包括一体成型的第一上平板(21)、第一立板(22)和第一下平板(23)，所述第一上平板(21)和所述第一下平板(23)分别固定于所述第一立板(22)的上下形成C字形，所述第一上平板(21)位于绝缘封装体(10)内，所述第一立板(22)和所述第一下平板(23)均位于所述绝缘封装体(10)外，所述第一上平板(21)的底部固定有第一导热板(24)，所述第一导热板(24)与所述绝缘封装体(10)的底面共面，所述第一下平板(23)间隔设置于所述第一导热板(24)的正下方，所述第一导热板(24)靠近所述第一立板(22)的一侧设有第一斜面(241)，所述第一斜面(241)从上至下远离所述第一立板(22)倾斜，所述第一斜面(241)位于所述绝缘封装体(10)外，所述第一导热板(24)远离所述第一斜面(241)的一端缩进于所述第一上平板(21)内；
所述第二导电支脚(30)包括一体成型的第二上平板(31)、第二立板(32)和第二下平板(33)，所述第二上平板(31)和所述第二下平板(33)分别固定于所述第二立板(32)的上下形成C字形，所述第二上平板(31)位于绝缘封装体(10)内，所述第二立板(32)和所述第二下平板(33)均位于所述绝缘封装体(10)外，所述第二上平板(31)上固定有焊接凸台(311)，所述焊接凸台(311)的顶面与所述芯片(40)的顶面共面，所述第二上平板(31)的底部固定有第二导热板(34)，所述第二导热板(34)与所述绝缘封装体(10)的底面共面，所述第二下平板(33)间隔设置于所述第二导热板(34)的正下方，所述第二导热板(34)靠近所述第二立板(32)的一侧设有第二斜面(341)，所述第二斜面(341)从上至下远离所述第二立板(32)倾斜，所述第二斜面(341)位于所述绝缘封装体(10)外，所述第二导热板(34)远离所述第二斜面(341)的一端缩进于所述第二上平板(31)内；
所述芯片(40)的底端电极与所述第一上平板(21)焊接相连，所述芯片(40)的两个顶部电极分别通过两根导线(41)与两个所述焊接凸台(311)连接。
2.根据权利要求1所述的一种适于高密度布局的场效应晶体管，其特征在于：所述第一上平板(21)上设有第一凹槽(211)，所述第二上平板(31)上设有第二凹槽(312)，所述第一凹槽(211)和所述第二凹槽(312)均位于所述绝缘封装体(10)内。
3.根据权利要求2所述的一种适于高密度布局的场效应晶体管，其特征在于：所述第一凹槽(211)位于所述芯片(40)靠近所述第一立板(22)的一侧，所述第二凹槽(312)位于所述焊接凸台(311)靠近所述第二立板(32)的一侧。
4.根据权利要求1所述的一种适于高密度布局的场效应晶体管，其特征在于：所述焊接凸台(311)为导电银胶台。
5.根据权利要求1所述的一种适于高密度布局的场效应晶体管，其特征在于：所述第一立板(22)和所述第二立板(32)分别位于所述绝缘封装体(10)的相对的两侧外。
6.根据权利要求1所述的一种适于高密度布局的场效应晶体管，其特征在于：所述第一立板(22)远离所述绝缘封装体(10)的一面固定有第一标识层(221)，所述第二立板(32)远离所述绝缘封装体(10)的一面固定有第二标识层(321)。
7.根据权利要求6所述的一种适于高密度布局的场效应晶体管，其特征在于：所述第一标识层(221)和两个所述第二标识层(321)为颜色不同的导热硅胶层。
8.根据权利要求1所述的一种适于高密度布局的场效应晶体管，其特征在于：所述第一导热板(24)和所述第二导热板(34)均为绝缘陶瓷板。
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