CN210535658U - 一种改进型引线框架 - Google Patents
一种改进型引线框架 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210535658U CN210535658U CN201921160121.7U CN201921160121U CN210535658U CN 210535658 U CN210535658 U CN 210535658U CN 201921160121 U CN201921160121 U CN 201921160121U CN 210535658 U CN210535658 U CN 210535658U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead frame
- base island
- splice bar
- right base
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
Abstract
本实用新型提出了一种改进型引线框架，包括上引线框架和下引线框架，所述下引线框架包括左基岛和右基岛，所述左基岛和右基岛上均贴装有半导体芯片，由所述左基岛和右基岛下端分别引出第一连接筋和第二连接筋，所述第一连接筋和第二连接筋之间连接有第三连接筋，且所述第三连接筋与上引线框架连接，所述左基岛和右基岛上半导体芯片相邻一端通过引线与第三连接筋连接，所述左基岛和右基岛上半导体芯片另一端通过引线与所述上引线框架连接。本实用新型结构强度高，共面性好，在组装使用过程中不易造成弯折现象。
Description
技术领域
本实用新型涉及引线框架领域，具体而言，涉及一种改进型引线框架。
背景技术
引线框架是集成电路中极为关键的部件之一，它有着支撑芯片、散发工作热量、以及连接外部电路的重要作用。集成电路引线框架不仅要求其物理、机械性能达到一定指标，还要求板形好，使之能适应冲压、腐刻、电镀、钎焊、以及封装等工序的考验。近年来，随着微电子技术的迅速发展，集成电路复杂度增加，集成电路具有更小的外形和更高的性能，这就对集成电路塑封引线框架提出了更高的要求，引线框架应具备更高的电性能和更高的可靠性，因此引线框架要不断的进行技术更新，并严格控制质量，致力于更好的适应封装技术和集成电路发展的需求。
如图1为一种现有的引线框架，该引线框架具有上引线框架和下引线框架，上引线框架和下引线框架具有间隙，下引线框架包括左基岛和右基岛，由左基岛和右基岛下端分别引出第一连接筋和第二连接筋，第一连接筋和第二连接筋之间连接有第三连接筋，第三连接筋与上引线框架具有一定距离。该引线框架由于上引线框架和下引线框子之间具有间隙，第三连接筋未直接与上引线框架相连接，共面性差，造成引线框架结构不稳定，在组装使用过程中易造成弯折现象。
实用新型内容
针对现有技术存在的缺陷，本实用新型提出了一种改进型引线框架，其结构强度高，共面性好，在组装使用过程中不易造成弯折现象。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种改进型引线框架，包括上引线框架和下引线框架，所述下引线框架包括左基岛和右基岛，所述左基岛和右基岛上均贴装有半导体芯片，由所述左基岛和右基岛下端分别引出第一连接筋和第二连接筋，所述第一连接筋和第二连接筋之间连接有第三连接筋，且所述第三连接筋与上引线框架连接，所述左基岛和右基岛上半导体芯片相邻一端通过引线与第三连接筋连接，所述左基岛和右基岛上半导体芯片另一端通过引线与所述上引线框架连接。
根据本实用新型一个实施方式提出的改进型引线框架，所述引线与所述半导体芯片、上引线框架和第三连接筋之间的连接方式为焊接连接，具有焊接部，所述焊接部表面具有镀银层。
根据本实用新型一个实施方式提出的改进型引线框架，所述左基岛和右基岛与上引线框架之间具有间隙，该间隙大小为1～3mm。
根据本实用新型一个实施方式提出的改进型引线框架，所述上引线框架和下引线框架上开设有锁胶孔，所述锁胶孔的直径为0.45～0.6mm。
本实用新型的有益效果包括：通过第三连接筋将上引线框架和下引线框架连接起来，提高了上引线框架和下引线框架之间的共面性，结构稳定性高，且在第三连接筋上可以加装半导体芯片，使得引线框架的面积使用率更高。
附图说明
参照附图来说明本实用新型的公开内容。应当了解，附图仅仅用于说明目的，而并非意在对本实用新型的保护范围构成限制。在附图中，相同的附图标记用于指代相同的部件。其中：
图1为现有技术中引线框架的结构示意图；
图2为本实用新型一实施例中引线框架的结构示意图。
图中标号：1-上引线框架，2-下引线框架，3-左基岛，4-右基岛，5-半导体芯片，6-第一连接筋，7-第二连接筋，8-第三连接筋，9-引线，10-锁胶孔。
具体实施方式
容易理解，根据本实用新型的技术方案，在不变更本实用新型实质精神下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的多种结构方式以及实现方式。因此，以下具体实施方式以及附图仅是对本实用新型的技术方案的示例性说明，而不应当视为本实用新型的全部或者视为对本实用新型技术方案的限定或限制。
根据本实用新型的一实施方式结合图2示出。一种改进型引线框架，包括上引线框架1和下引线框架2，下引线框架2包括左基岛3和右基岛4，左基岛3和右基岛4与上引线框架1之间具有间隙，该间隙大小为1～3mm，优选为2mm。左基岛和3右基岛4上均贴装有半导体芯片5，由左基岛3和右基岛4下端分别引出第一连接筋6和第二连接筋7，第一连接筋6和第二连接筋7之间连接有第三连接筋8，且第三连接筋8与上引线框架1连接，第三连接筋8中部可以为矩形、圆形或椭圆形等任意适宜性形状，在第三连接筋8中部可以作为基岛，加装半导体芯片5，使得引线框架的面积使用率更高。
在本实施例中，左基岛3和右基岛4上半导体芯片5相邻一端通过引线9与第三连接筋8连接，左基岛3和右基岛4上半导体芯片5另一端通过引线9与上引线框架1连接。
在本实施例中，引线9与半导体芯片5、上引线框架1和第三连接筋8之间的连接方式为焊接连接，具有焊接部，焊接部表面具有镀银层，镀银层不仅能够保护焊接部不受损伤，增强稳定性，且能够增强导电性能。
本实施例中，上引线框架1和下引线框架2上开设有锁胶孔10，锁胶孔10可以使得引线框架在塑封的时候结合力更好，锁胶孔10的直径为0.45～0.6mm，优选为0.5mm。
本实用新型的引线框架中，通过第三连接筋8将上引线框架1和下引线框架2连接起来，提高了上引线框架1和下引线框架2之间的共面性，结构稳定性高，且在第三连接筋8上可以加装半导体芯片5，使得引线框架的面积使用率更高。
本实用新型的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本实用新型技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本实用新型的保护范围内。
Claims (4)
1.一种改进型引线框架，其特征在于，包括：上引线框架(1)和下引线框架(2)，所述下引线框架(2)包括左基岛(3)和右基岛(4)，所述左基岛(3)和右基岛(4)上均贴装有半导体芯片(5)，由所述左基岛(3)和右基岛(4)下端分别引出第一连接筋(6)和第二连接筋(7)，所述第一连接筋(6)和第二连接筋(7)之间连接有第三连接筋(8)，且所述第三连接筋(8)与上引线框架(1)连接，所述左基岛(3)和右基岛(4)上半导体芯片(5)相邻一端通过引线(9)与第三连接筋(8)连接，所述左基岛(3)和右基岛(4)上半导体芯片(5)另一端通过引线(9)与所述上引线框架(1)连接。
2.根据权利要求1所述的改进型引线框架，其特征在于，所述引线(9)与所述半导体芯片(5)、上引线框架(1)和第三连接筋(8)之间的连接方式为焊接连接，具有焊接部，所述焊接部表面具有镀银层。
3.根据权利要求1所述的改进型引线框架，其特征在于，所述左基岛(3)和右基岛(4)与上引线框架(1)之间具有间隙，该间隙大小为1～3mm。
4.根据权利要求1所述的改进型引线框架，其特征在于，所述上引线框架(1)和下引线框架(2)上开设有锁胶孔(10)，所述锁胶孔(10)的直径为0.45～0.6mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921160121.7U CN210535658U (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种改进型引线框架 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921160121.7U CN210535658U (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种改进型引线框架 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210535658U true CN210535658U (zh) | 2020-05-15 |
Family
ID=70598767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921160121.7U Active CN210535658U (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种改进型引线框架 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210535658U (zh) |
-
2019
- 2019-07-23 CN CN201921160121.7U patent/CN210535658U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2015043499A1 (zh) | 一种半导体封装结构及其成型方法 | |
| CN109727943A (zh) | 一种具有低热阻的半导体器件封装结构及其制造方法 | |
| CN212113710U (zh) | 一种引线框架及焊接铝箔的芯片封装结构 | |
| CN210535658U (zh) | 一种改进型引线框架 | |
| CN210607225U (zh) | 一种双面贴装的封装结构 | |
| CN209357719U (zh) | 一种具有低热阻的半导体器件封装结构 | |
| CN212113711U (zh) | 一种引线框架及to封装结构 | |
| CN212084994U (zh) | 一种并联封装的器件组 | |
| CN209912864U (zh) | 一种焊接底座及使用该焊接底座的功率半导体模块 | |
| CN108110459B (zh) | 一种大功率ipm模块端子连接结构 | |
| CN220233186U (zh) | 大功率50a插件桥 | |
| CN217641307U (zh) | 一种贴片式so36j半导体功率芯片的封装结构 | |
| CN213958939U (zh) | 一种适于高密度布局的场效应晶体管 | |
| CN110856338B (zh) | 电路板组件及电子设备 | |
| CN217983335U (zh) | 一种贴片式tdso14半导体芯片的封装结构 | |
| CN212783440U (zh) | 导线架及具有该导线架的光电转换器 | |
| CN216698341U (zh) | 一种通过螺钉安装的肖特基二极管 | |
| CN219658701U (zh) | 一种半导体器件的跳线连接框架 | |
| CN216563111U (zh) | 导线架及光电转换器 | |
| CN218447898U (zh) | 一种贴片式半导体芯片的封装结构 | |
| CN210429794U (zh) | 一种半导体模块及封装结构 | |
| CN211929482U (zh) | 单向tvs半导体器件 | |
| CN210120131U (zh) | 一种新型to系列分立器件 | |
| CN217983333U (zh) | 一种贴片式so23c半导体分立器件的封装结构 | |
| CN211858643U (zh) | 半桥半导体封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 210000 floor 13, tower C, Tengfei building, research and Innovation Park, Nanjing area, China (Jiangsu) pilot Free Trade Zone, Nanjing, Jiangsu Patentee after: Jiangsu Changjing Technology Co.,Ltd. Address before: 210000 room 1087, hatch Eagle building, No. 99, Tuanjie Road, yanchuang Park, Jiangbei new area, Nanjing, Jiangsu Province Patentee before: Jiangsu Changjing Technology Co.,Ltd. |