CN211858643U - 半桥半导体封装结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开一种半桥半导体封装结构，包括2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架上；所述第一引线架和第二引线架均进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的竖金属板和向下外凸的焊接凸部，所述第一引线架和第二引线架各自的焊接凸部分别通过焊锡层与2个二极管芯片各自同极性另一端电连接；所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求。

Description

半桥半导体封装结构
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种半桥半导体封装结构。
背景技术
现有的整流器件将整流二极管芯片封装在一个壳体内，将交流电经过整流变成直流电的半导体器件。整流桥包括全桥和半桥，全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起，半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路。现有半桥器件的体积较大，因而不能满足市场上对于小型化和薄型化需求，同时，散热性能也不佳。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种半桥半导体封装结构，该半桥半导体封装结构既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种半桥半导体封装结构，包括2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架上，所述金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；
所述第一引线架和第二引线架均进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的竖金属板和向下外凸的焊接凸部，所述第一引线架和第二引线架各自的横金属板位于2个二极管芯片的上方，所述第一引线架和第二引线架各自的竖金属板分别对称地设置于2个二极管芯片的两侧；
所述第一引线架和第二引线架各自的焊接凸部分别通过焊锡层与2个二极管芯片各自同极性另一端电连接，所述第一引线架和第二引线架各自竖金属板与横金属板相背的一端为第二引脚部，此第二引脚部从环氧封装层内延伸出；
所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述金属基座的第一引脚部与引线架的第二引脚部占环氧封装层的底表面的面积比为10：2~5。
2. 上述方案中，位于所述引线架上横金属板的焊接部与二极管芯片的正极电连接，所述引线架的第二引脚部作为正极输入端。
3. 上述方案中，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有2个第二凹槽。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
1. 本实用新型半桥半导体封装结构，其金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；所述第一引线架和第二引线架均进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的竖金属板和向下外凸的焊接凸部，所述第一引线架和第二引线架各自的横金属板位于2个二极管芯片的上方，所述第一引线架和第二引线架各自的竖金属板分别对称地设置于2个二极管芯片的两侧；所述第一引线架和第二引线架各自的焊接凸部分别通过焊锡层与2个二极管芯片各自同极性另一端电连接，所述第一引线架和第二引线架各自竖金属板与横金属板相背的一端为第二引脚部，此第二引脚部从环氧封装层内延伸出，既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命；
2. 本实用新型半桥半导体封装结构，其环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽，既有利于增加散热面积，也有利于改善半导体器件与PCB电路板之间的空气流通速率，从而更有利于快速带走热量。
附图说明
附图1为本实用新型半桥半导体封装结构结构示意图；
附图2为本实用新型半桥半导体封装结构的剖视结构示意图。
以上附图中：1、二极管芯片；2、金属基座；21、支撑部；22、第一引脚部；3、第一引线架；4、环氧封装层；5、焊锡层；6、横金属板；7、竖金属板；8、焊接凸部；9、第二引脚部；10、第二引线架；11、第一凹槽；12、第二凹槽。
具体实施方式
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例1：一种半桥半导体封装结构，包括2个二极管芯片1、金属基座2、第一引线架3和第二引线架10，一环氧封装层4包覆于2个二极管芯片1、金属基座2、第一引线架3和第二引线架10上，所述金属基座2的上表面具有2个支撑部21，所述2个二极管芯片1位于金属基座2正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层5与金属基座2的2个支撑部21电连接，位于金属基座2下端的第一引脚部22从环氧封装层4内延伸出；
所述第一引线架3和第二引线架10均进一步包括横金属板6和分别位于横金属板6两端的竖金属板7和向下外凸的焊接凸部8，所述第一引线架3和第二引线架10各自的横金属板6位于2个二极管芯片1的上方，所述第一引线架3和第二引线架10各自的竖金属板7分别对称地设置于2个二极管芯片1的两侧；
所述第一引线架3和第二引线架10各自的焊接凸部8分别通过焊锡层5与2个二极管芯片1各自同极性另一端电连接，所述第一引线架3和第二引线架10各自竖金属板7与横金属板6相背的一端为第二引脚部9，此第二引脚部9从环氧封装层4内延伸出；
所述环氧封装层4的下表面且位于2个所述第二引脚部9左右侧均开有至少一个第一凹槽11，所述环氧封装层4的下表面且位于第一引脚部22前后侧均开有至少一个第二凹槽12。
上述金属基座2的第一引脚部22与引线架3的第二引脚部9占环氧封装层4的底表面的面积比为10：4.5。
实施例2：一种半桥半导体封装结构，包括2个二极管芯片1、金属基座2、第一引线架3和第二引线架10，一环氧封装层4包覆于2个二极管芯片1、金属基座2、第一引线架3和第二引线架10上，所述金属基座2的上表面具有2个支撑部21，所述2个二极管芯片1位于金属基座2正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层5与金属基座2的2个支撑部21电连接，位于金属基座2下端的第一引脚部22从环氧封装层4内延伸出；
所述第一引线架3和第二引线架10均进一步包括横金属板6和分别位于横金属板6两端的竖金属板7和向下外凸的焊接凸部8，所述第一引线架3和第二引线架10各自的横金属板6位于2个二极管芯片1的上方，所述第一引线架3和第二引线架10各自的竖金属板7分别对称地设置于2个二极管芯片1的两侧；
所述第一引线架3和第二引线架10各自的焊接凸部8分别通过焊锡层5与2个二极管芯片1各自同极性另一端电连接，所述第一引线架3和第二引线架10各自竖金属板7与横金属板6相背的一端为第二引脚部9，此第二引脚部9从环氧封装层4内延伸出；
所述环氧封装层4的下表面且位于2个所述第二引脚部9左右侧均开有至少一个第一凹槽11，所述环氧封装层4的下表面且位于第一引脚部22前后侧均开有至少一个第二凹槽12。
上述金属基座2的第一引脚部22与引线架3的第二引脚部9占环氧封装层4的底表面的面积比为10：2.5。
位于所述引线架3上横金属板6的焊接部61与二极管芯片1的正极电连接，所述引线架3的第二引脚部9作为正极输入端。
上述环氧封装层4的下表面且位于第一引脚部22前后侧均开有2个第二凹槽12。
采用上述半桥半导体封装结构时，既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命；还有，其环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽，既有利于增加散热面积，也有利于改善半导体器件与PCB电路板之间的空气流通速率，从而更有利于快速带走热量。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种半桥半导体封装结构，其特征在于：包括2个二极管芯片（1）、金属基座（2）、第一引线架（3）和第二引线架（10），一环氧封装层（4）包覆于2个二极管芯片（1）、金属基座（2）、第一引线架（3）和第二引线架（10）上，所述金属基座（2）的上表面具有2个支撑部（21），所述2个二极管芯片（1）位于金属基座（2）正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层（5）与金属基座（2）的2个支撑部（21）电连接，位于金属基座（2）下端的第一引脚部（22）从环氧封装层（4）内延伸出；
所述第一引线架（3）和第二引线架（10）均进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的竖金属板（7）和向下外凸的焊接凸部（8），所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自的横金属板（6）位于2个二极管芯片（1）的上方，所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自的竖金属板（7）分别对称地设置于2个二极管芯片（1）的两侧；
所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自的焊接凸部（8）分别通过焊锡层（5）与2个二极管芯片（1）各自同极性另一端电连接，所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自竖金属板（7）与横金属板（6）相背的一端为第二引脚部（9），此第二引脚部（9）从环氧封装层（4）内延伸出；
所述环氧封装层（4）的下表面且位于2个所述第二引脚部（9）左右侧均开有至少一个第一凹槽（11），所述环氧封装层（4）的下表面且位于第一引脚部（22）前后侧均开有至少一个第二凹槽（12）。
2.根据权利要求1所述的半桥半导体封装结构，其特征在于：所述金属基座（2）的第一引脚部（22）与引线架（3）的第二引脚部（9）占环氧封装层（4）的底表面的面积比为10：2~5。
3.根据权利要求1所述的半桥半导体封装结构，其特征在于：位于所述引线架（3）上横金属板（6）的焊接部（61）与二极管芯片（1）的正极电连接，所述引线架（3）的第二引脚部（9）作为正极输入端。
4.根据权利要求1所述的半桥半导体封装结构，其特征在于：所述环氧封装层（4）的下表面且位于第一引脚部（22）前后侧均开有2个第二凹槽（12）。
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