CN211743142U - 一种双芯片的导热型贴片二极管 - Google Patents

一种双芯片的导热型贴片二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN211743142U
CN211743142U CN202020597014.7U CN202020597014U CN211743142U CN 211743142 U CN211743142 U CN 211743142U CN 202020597014 U CN202020597014 U CN 202020597014U CN 211743142 U CN211743142 U CN 211743142U
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
diode
conductive
insulating
diode chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202020597014.7U
Other languages
English (en)
Inventor
马良君
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Taifeng Radio Frequency Identification Co ltd
Original Assignee
Dongguan Zhongzhi Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Zhongzhi Electronic Technology Co ltd filed Critical Dongguan Zhongzhi Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202020597014.7U priority Critical patent/CN211743142U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN211743142U publication Critical patent/CN211743142U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型系提供一种双芯片的导热型贴片二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体中设有第一导电引脚和第二导电引脚，第一导电引脚下焊接有上二极管芯片，第二导电引脚上焊接有下二极管芯片，绝缘封装体中还设有呈C字形的绝缘散热架；绝缘散热架包括一体成型的夹层横板、支撑竖板和横垫板，夹层横板中设有导电通孔，导电通孔中设有导电连接层，上二极管芯片和下二极管芯片分别位于夹层横板的上下两侧，上二极管芯片和下二极管芯片均与导电连接层连接。本实用新型集成了串联的两个二极管芯片，占用空间小，贴片二极管内部连接结构的可靠性高；两个二极管芯片之间的绝缘散热架能够有效提高两个二极管芯片的散热效率。

Description

一种双芯片的导热型贴片二极管
技术领域
本实用新型涉及二极管，具体公开了一种双芯片的导热型贴片二极管。
背景技术
贴片二极管又称晶体二极管，是一种具有单向传导电流的电子器件，按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性，二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。
现有技术中，贴片二极管一般包括一个绝缘封装体、两个导电引脚和一个二极管芯片，在一些特殊的应用环境中，常需要使用两个二极管正接串联或反接串联以实现不同的应用需求，两个独立的二极管在电路板等承载体上固定并与对应的线路连接，使用操作复杂，占用空间大，暴露的线路结构越多可靠性越低。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种双芯片的导热型贴片二极管，集成了串联的两个二极管芯片，占用空间小、散热性能好，结构稳定可靠。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种双芯片的导热型贴片二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体中设有均呈Z字形的第一导电引脚和第二导电引脚，第一导电引脚下焊接有上二极管芯片，第二导电引脚上焊接有下二极管芯片，绝缘封装体中还设有呈C字形的绝缘散热架；
绝缘散热架包括一体成型的夹层横板、支撑竖板和横垫板，支撑竖板的上下两端分别连接夹层横板和横垫板，夹层横板中设有导电通孔，导电通孔中设有导电连接层，上二极管芯片和下二极管芯片分别位于夹层横板的上下两侧，上二极管芯片和下二极管芯片均与导电连接层连接，横垫板位于绝缘封装体的底部。
进一步的，第一导电引脚包括从上至下一体成型的第一芯片焊板、第一斜支板和第一焊接底板，第二导电引脚包括从上至下一体成型的第二芯片焊板、第二斜支板和第二焊接底板；第一芯片焊板的底部与上二极管芯片焊接相连，第二芯片焊板的顶部与下二极管芯片焊接相连，横垫板位于第二芯片焊板远离下二极管芯片的一侧。
进一步的，绝缘散热架为散热陶瓷架。
进一步的，导电连接层为导电银胶层。
进一步的，夹层横板上固定有绝缘限位环，绝缘限位环围绕与上二极管芯片的四周。
进一步的，绝缘限位环为散热硅胶环。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种双芯片的导热型贴片二极管，集成了串联的两个二极管芯片，使用操作方便，以层叠的方式设置两个二极管芯片的位置，贴片二极管的占用空间小，可有效缩减所需电路板等承载体的面积，从而更适应当下市场对小型化电子产品的设计需求，两个二极管芯片之间的连接线路收纳于绝缘封装体中，贴片二极管内部连接结构的可靠性高；两个二极管芯片之间设有可靠稳定的绝缘散热架，能够有效提高两个二极管芯片的散热效率，避免热量积聚于贴片二极管中，确保贴片二极管的工作性能，C字形绝缘散热架能够有效提高贴片二极管结构牢固性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图标记为：绝缘封装体10、第一导电引脚11、第一芯片焊板111、第一斜支板112、第一焊接底板113、第二导电引脚12、第二芯片焊板121、第二斜支板122、第二焊接底板123、上二极管芯片21、下二极管芯片22、绝缘散热架30、夹层横板31、导电通孔311、导电连接层312、支撑竖板32、横垫板33、绝缘限位环34。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1。
本实用新型实施例公开一种双芯片的导热型贴片二极管，包括绝缘封装体10，优选地，绝缘封装体10为环氧树脂体，绝缘封装体10中设有均呈Z字形的第一导电引脚11和第二导电引脚12，第一导电引脚11和第二导电引脚12分别贯穿绝缘封装体10的两端面且互不接触，优选地，第一导电引脚11和第二导电引脚12均为金属导电引脚，第一导电引脚11下通过焊锡焊接有上二极管芯片21，第二导电引脚12上通过焊锡焊接有下二极管芯片22，优选地，上二极管芯片21和下二极管芯片22均为TVS二极管，绝缘封装体10中还设有呈C字形的绝缘散热架30，能够有效提高贴片二极管与外界环境之间的导热效率；
绝缘散热架30包括一体成型的夹层横板31、支撑竖板32和横垫板33，绝缘散热架30的开口朝向第二导电引脚12设置，支撑竖板32的上下两端分别连接夹层横板31和横垫板33，夹层横板31中设有导电通孔311，导电通孔311中设有导电连接层312，上二极管芯片21和下二极管芯片22分别位于夹层横板31的上下两侧，上二极管芯片21和下二极管芯片22均与导电连接层312连接，横垫板33位于绝缘封装体10的底部，能够有效避免热量积聚于贴片二极管的底部。
上二极管芯片21和下二极管芯片22根据实际需求可正接串联或反接串联，从而实现对应的功能，叠放设置两个二极管芯片能够有效降低贴片二极管的底部面积，从而能够有效降低电路板等承载体上的占用面积，常规叠放的两个二极管芯片在工作时积热相对单片二极管芯片更严重，本实用新型在叠放的两个二极管芯片之间设有具备良好导热性能和绝缘性能的绝缘散热架30，能够有效避免热量积聚于两个二极管芯片之间，可有效提高贴片式二极管整体结构的散热性能，从而确保贴片二极管能够长时间正常运作，且二极管芯片整体结构稳定牢固，使用过程中出现虚接断开的机率低。
在本实施例中，第一导电引脚11包括从上至下一体成型的第一芯片焊板111、第一斜支板112和第一焊接底板113，第二导电引脚12包括从上至下一体成型的第二芯片焊板121、第二斜支板122和第二焊接底板123，第一芯片焊板111、第一斜支板112、第二芯片焊板121和第二斜支板122均位于绝缘封装体10内，第一焊接底板113和第二焊接底板123分别贯穿绝缘封装体10的两端外；第一芯片焊板111的底部与上二极管芯片21焊接相连，第一芯片焊板111位于上二极管芯片21远离夹层横板31的一侧，第二芯片焊板121的顶部与下二极管芯片22焊接相连，第二芯片焊板121位于下二极管芯片22远离夹层横板31的一侧，横垫板33位于第二芯片焊板121远离下二极管芯片22的一侧，横垫板33的底面、第一焊接底板113的底面和第二焊接底板123的底面共面，能够有效提高贴片二极管整体结构的稳定性，抗振动的能力强，不易发生虚接断开。
在本实施例中，绝缘散热架30为散热陶瓷架，散热陶瓷具有良好的机械强度、绝缘性能和导热性能，能够有效提高贴片二极管整体的机械强度，还能有效避免两个导电引脚发生短路，同时能够确保贴片二极管的散热性能良好。
在本实施例中，导电连接层312为导电银胶层，导电银胶具有良好的导电性能和粘合性能，通过导电银胶能够有效提高上二极管芯片21、下二极管芯片22和夹层横板31之间连接结构的可靠性。
在本实施例中，夹层横板31上固定有绝缘限位环34，绝缘限位环34围绕与上二极管芯片21的四周，通过绝缘限位环34能够有效提高上二极管芯片21与绝缘散热架30之间连接结构的牢固性，下二极管芯片22能够被支撑竖板32实现一定的限位，整体贴片二极管的结构稳定牢固。
基于上述实施例，绝缘限位环34为散热硅胶环，散热硅胶具有良好的散热性能、绝缘性能和弹性，能够进一步提高贴片二极管的散热性能，还能够有效提高对上二极管芯片21限位的可靠性。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种双芯片的导热型贴片二极管，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)中设有均呈Z字形的第一导电引脚(11)和第二导电引脚(12)，其特征在于，所述第一导电引脚(11)下焊接有上二极管芯片(21)，所述第二导电引脚(12)上焊接有下二极管芯片(22)，所述绝缘封装体(10)中还设有呈C字形的绝缘散热架(30)；
所述绝缘散热架(30)包括一体成型的夹层横板(31)、支撑竖板(32)和横垫板(33)，所述支撑竖板(32)的上下两端分别连接所述夹层横板(31)和所述横垫板(33)，所述夹层横板(31)中设有导电通孔(311)，所述导电通孔(311)中设有导电连接层(312)，所述上二极管芯片(21)和所述下二极管芯片(22)分别位于所述夹层横板(31)的上下两侧，所述上二极管芯片(21)和下二极管芯片(22)均与所述导电连接层(312)连接，所述横垫板(33)位于所述绝缘封装体(10)的底部。
2.根据权利要求1所述的一种双芯片的导热型贴片二极管，其特征在于，所述第一导电引脚(11)包括从上至下一体成型的第一芯片焊板(111)、第一斜支板(112)和第一焊接底板(113)，所述第二导电引脚(12)包括从上至下一体成型的第二芯片焊板(121)、第二斜支板(122)和第二焊接底板(123)；所述第一芯片焊板(111)的底部与所述上二极管芯片(21)焊接相连，所述第二芯片焊板(121)的顶部与所述下二极管芯片(22)焊接相连，所述横垫板(33)位于所述第二芯片焊板(121)远离所述下二极管芯片(22)的一侧。
3.根据权利要求1所述的一种双芯片的导热型贴片二极管，其特征在于，所述绝缘散热架(30)为散热陶瓷架。
4.根据权利要求1所述的一种双芯片的导热型贴片二极管，其特征在于，所述导电连接层(312)为导电银胶层。
5.根据权利要求1所述的一种双芯片的导热型贴片二极管，其特征在于，所述夹层横板(31)上固定有绝缘限位环(34)，所述绝缘限位环(34)围绕与所述上二极管芯片(21)的四周。
6.根据权利要求5所述的一种双芯片的导热型贴片二极管，其特征在于，所述绝缘限位环(34)为散热硅胶环。
CN202020597014.7U 2020-04-20 2020-04-20 一种双芯片的导热型贴片二极管 Active CN211743142U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020597014.7U CN211743142U (zh) 2020-04-20 2020-04-20 一种双芯片的导热型贴片二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020597014.7U CN211743142U (zh) 2020-04-20 2020-04-20 一种双芯片的导热型贴片二极管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN211743142U true CN211743142U (zh) 2020-10-23

Family

ID=72852108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020597014.7U Active CN211743142U (zh) 2020-04-20 2020-04-20 一种双芯片的导热型贴片二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN211743142U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112992700A (zh) * 2021-02-01 2021-06-18 中之半导体科技(东莞)有限公司 一种二极管的稳定固晶方法
CN113192938A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 东莞市佳骏电子科技有限公司 一种大电流无极性的肖特基二极管
CN113241339A (zh) * 2021-04-29 2021-08-10 东莞市佳骏电子科技有限公司 一种大功率碳化硅二极管及其制作方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112992700A (zh) * 2021-02-01 2021-06-18 中之半导体科技(东莞)有限公司 一种二极管的稳定固晶方法
CN112992700B (zh) * 2021-02-01 2021-09-28 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种二极管的稳定固晶方法
CN113192938A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 东莞市佳骏电子科技有限公司 一种大电流无极性的肖特基二极管
CN113241339A (zh) * 2021-04-29 2021-08-10 东莞市佳骏电子科技有限公司 一种大功率碳化硅二极管及其制作方法
CN113241339B (zh) * 2021-04-29 2022-06-21 东莞市佳骏电子科技有限公司 一种大功率碳化硅二极管及其制作方法
CN113192938B (zh) * 2021-04-29 2022-06-21 东莞市佳骏电子科技有限公司 一种大电流无极性的肖特基二极管

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN211743142U (zh) 一种双芯片的导热型贴片二极管
CN106997871B (zh) 一种功率模块的封装结构
CN110854103B (zh) 一种嵌入式双面互连功率模块封装结构和制作方法
CN211719597U (zh) 一种具有释热防短路结构的贴片式二极管
CN112701094A (zh) 一种功率器件封装结构及电力电子设备
CN113192938B (zh) 一种大电流无极性的肖特基二极管
CN217719583U (zh) 半桥二极管集成器件、功率模块及变频器
CN212485342U (zh) 一种结构可靠的贴片式二极管
CN211719583U (zh) 一种芯片斜立的半导体器件封装结构
CN212084994U (zh) 一种并联封装的器件组
CN110473849B (zh) 一种导热稳固型贴片式二极管
CN213958944U (zh) 一种低损耗的碳化硅二极管
CN114628375A (zh) 一种压接式半导体子模组及模块
CN111463177A (zh) 一种功率模块及其应用方法
CN220895500U (zh) 一种半导体功率模块
CN215600350U (zh) 一种贴片式二极管的集成化封装结构
CN211858642U (zh) 耐高压功率二极管器件
CN215815870U (zh) 一种双芯片的导热型贴片二极管
CN110911365A (zh) 一种倒装焊封装散热结构及制造方法
CN213212151U (zh) 一种半导体封装结构
CN211238226U (zh) 功率半导体封装器件
CN220796724U (zh) 一种双面半桥功率模块
CN210928114U (zh) 一种散热型轻质多层电路板
CN218602422U (zh) 超大功率器件铜基带焊接结构
CN219246668U (zh) 一种二极管新型双晶框架结构

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230423

Address after: No. 9, Yinpingxu Lane, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province, 523000

Patentee after: Dongguan Taifeng Radio Frequency Identification Co.,Ltd.

Address before: 523430 Room 101, building 1, 76 Baiye Road, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province

Patentee before: DONGGUAN ZHONGZHI ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

TR01 Transfer of patent right