CN219246668U - 一种二极管新型双晶框架结构 - Google Patents

Abstract

一种二极管新型双晶框架结构。涉及光伏旁路二极管领域。包括正极金属片、负极金属片、芯片一和芯片二，所述芯片一的正极朝下设在正极金属片上，所述芯片一通过引线连接负极金属片，所述芯片二的负极朝下设在负极金属片上，所述芯片二通过引线连接正极金属片。所述正极金属片的内端和负极金属片的内端分别呈矩形。所述正极金属片的内侧一端设有延伸部一，所述芯片一设在延伸部一上；所述负极金属片的内侧一端设有延伸部二，所述芯片二设在延伸部二上；所述延伸部一和延伸部二错开设置。本实用新型可以充分利用正、负极金属片进行散热，从而大幅降低器件工作温度。

Description

一种二极管新型双晶框架结构

技术领域

本实用新型涉及光伏旁路二极管领域，尤其涉及一种二极管新型双晶框架结构。

背景技术

传统模块双晶二极管，为芯片固定在负极PAD进行焊接，此结构双晶热源集中，无法充分利用框架正、负极金属散热，使得器件热性能差，无法满足器件大电流应用趋势。

如本申请人于2021.02.26申请的申请号为202120431900.7，名称为“分体式光伏大电流模块”，包括框架一、框架二、塑封体和一对芯片；框架二的端部设有与一对芯片适配的芯片安装部一和芯片安装部二；芯片安装部一与芯片安装部二之间设有散热口；

其通过设置散热口进行散热，然而，一对芯片仍然分别通过跳线与所述框架一电性连接（即两颗芯片均在同一侧金属框架上，通过跳线与另一侧框架连接，器件工作时两颗芯片同时发热，热量均集中在一侧铜片上），这样，虽然发热源被隔离开，但是无法同时利用框架一和框架二进行散热，散热效果有待提高。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种结构简单，方便加工，提高散热可靠性的二极管新型双晶框架结构。

本实用新型的技术方案为：包括正极金属片、负极金属片、芯片一和芯片二，

所述芯片一的正极朝下设在正极金属片上，所述芯片一通过引线连接负极金属片，

所述芯片二的负极朝下设在负极金属片上，所述芯片二通过引线连接正极金属片。

所述正极金属片的内端和负极金属片的内端分别呈矩形。

所述正极金属片的内侧一端设有延伸部一，所述芯片一设在延伸部一上；

所述负极金属片的内侧一端设有延伸部二，所述芯片二设在延伸部二上；

所述延伸部一和延伸部二错开设置。

所述正极金属片的顶面设有向上凸起，所述凸起和芯片一之间设有锡层，所述锡层位于芯片一的中间。

本实用新型在工作中，将芯片一放置在正极金属片上，芯片二放置在负极金属片上，通过对芯片一、二极性的设置，形成两颗芯片并联的电路，当器件工作时，可以充分利用正、负极金属片进行散热，从而大幅降低器件工作温度。

附图说明

图1是本实用新型第一种实施方式的结构示意图，

图2是本实用新型第二种实施方式的结构示意图，

图3是芯片一的连接结构示意图；

图中1是正极金属片，2是负极金属片，3是芯片一，4是芯片二，5是跳线，6是延伸部一，7是延伸部二，8是凸起，9是锡层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型如图1-3所示，包括正极金属片1、负极金属片2、芯片一3和芯片二4，所述芯片一3的正极朝下设在正极金属片上，所述芯片一4通过引线5连接负极金属片，

所述芯片二4的负极朝下设在负极金属片2上，所述芯片二通过引线连接正极金属片。

本实用新型在工作中，将芯片一放置在正极金属片上，芯片二放置在负极金属片上，通过对芯片一、二极性的设置，形成两颗芯片并联的电路，当器件工作时，可以充分利用正、负极金属片进行散热，从而大幅降低器件工作温度。

如图1所示，所述正极金属片1的内端和负极金属片2的内端分别呈矩形。

这样，芯片一、二便于直接放置在正极金属片、负极金属片上。

如图2所示，所述正极金属片1的内侧一端设有延伸部一6，所述芯片一设在延伸部一上；

所述负极金属片2的内侧一端设有延伸部二7，所述芯片二设在延伸部二上；

所述延伸部一和延伸部二错开设置。

设置延伸部一和延伸部二，便于充分利用空间，可靠放置芯片一、二，结构布局紧凑。

如图3所示，所述正极金属片的顶面设有向上凸起8，所述凸起和芯片一之间设有锡层9，所述锡层位于芯片一的中间。

设置凸起，便于局部布锡，防止锡量溢出至芯片正极面的绝缘环，从而发生短路。凸起通过对正极金属片冲压形成，方便加工。跳线与正、负极金属片连接时，同样设置锡层。

本实用新型中新的结构将芯片一、二分别置于框架的正、负极金属片上，其中，一颗芯片倒置，形成两颗芯片并联的电路，当器件工作时，可以充分利用正负极金属片进行散热，提升器件整体性能。

对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：

（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；

（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；

以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (3)

1.一种二极管新型双晶框架结构，包括正极金属片、负极金属片、芯片一和芯片二，其特征在于，

所述芯片一的正极朝下设在正极金属片上，所述芯片一通过引线连接负极金属片，

所述芯片二的负极朝下设在负极金属片上，所述芯片二通过引线连接正极金属片；

所述正极金属片的内侧一端设有延伸部一，所述芯片一设在延伸部一上；

所述负极金属片的内侧一端设有延伸部二，所述芯片二设在延伸部二上；

所述延伸部一和延伸部二错开设置。

2.根据权利要求1所述的一种二极管新型双晶框架结构，其特征在于，所述正极金属片的内端和负极金属片的内端分别呈矩形。

3.根据权利要求1或2所述的一种二极管新型双晶框架结构，其特征在于，所述正极金属片的顶面设有向上凸起，所述凸起和芯片一之间设有锡层，所述锡层位于芯片一的中间。

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