CN209183534U - 一种易于组装的散热型二极管封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型系提供一种易于组装的散热型二极管封装结构,包括绝缘基座和绝缘封装体,绝缘基座和绝缘封装体之间设有两个导电引脚,其中一个导电引脚上导电连接有二极管晶片,二极管晶片还通过导线与另一导电引脚导电连接;绝缘基座上设有2n个安装凹槽,n为大于1的整数,导电引脚包括上平台、弯折部和下连接片,上平台位于绝缘封装体内,每个上平台的底部均固定有n个卡位凸条,卡位凸条与安装凹槽匹配;绝缘封装体的顶部设有绝缘散热层,绝缘散热层的上表面呈波浪形状。本实用新型组装加工效率高,热量能够有效从二极管封装结构的上下两个方向实现高效的消散,整体结构的散热性能好。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管,具体公开了一种易于组装的散热型二极管封装结构。
背景技术
二极管,是一种能够单向传导电流的电子器件,在二极管内部设有PN结,PN结的两端设有引线端子,如果按照外加电压的方向,具备电流的单向传导性,大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为整流功能。
SOD是一种表面贴装的封装形式,引脚设有两个。二极管在工作时,内部的二极管晶片会产生较多热量,热量积聚过多会影响二极管整体的性能,现有技术中,二极管封装体主要包括二极管晶片、导电引脚、封装体和基座,散热性能较差,且组装加工时需要将导电引脚对位放置在基座上,这个操作需要进行复杂的操作,大部分技术需要采用额外的定位治具对基座和导电引脚进行定位,组装加工步骤繁琐、加工成本高。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种易于组装的散热型二极管封装结构,能够有效简化组装加工时所需进行的操作,整体结构的散热性能好。
为解决现有技术问题,本实用新型公开一种易于组装的散热型二极管封装结构,包括绝缘基座和绝缘封装体,绝缘基座和绝缘封装体之间设有两个导电引脚,其中一个导电引脚上导电连接有二极管晶片,二极管晶片还通过导线与另一导电引脚导电连接;
绝缘基座上设有2n个安装凹槽,n为大于1的整数,导电引脚包括上平台、弯折部和下连接片,上平台位于绝缘封装体内,每个上平台的底部均固定有n个卡位凸条,卡位凸条与安装凹槽匹配;
绝缘封装体的顶部设有绝缘散热层,绝缘散热层的上表面呈波浪形状。
进一步的,绝缘基座为散热硅胶座。
进一步的,绝缘基座的底部设有若干散热凹槽。
进一步的,绝缘封装体为环氧树脂体。
进一步的,绝缘散热层内设有若干散热陶瓷颗粒。
进一步的,导线包括铜芯线,铜芯线外包覆有镀银层。
本实用新型的有益效果为:本实用新型公开一种易于组装的散热型二极管封装结构,在绝缘基座和导电引脚的连接处设置可靠的对位结构,将导电引脚对位放置在绝缘基座上时,无需进行复杂的对位操作,组装加工效率高,且绝缘基座与导电引脚之间设置有足够大的接触面积、绝缘封装体的顶部设置有特殊的散热机构,热量能够有效从二极管封装结构的上下两个方向实现高效的消散,整体结构的散热性能好。
附图说明
图1为本实用新型的俯视结构示意图。
图2为本实用新型沿图1中A-A’的剖面结构示意图。
图3为本实用新型除去绝缘封装体和绝缘散热层后的立体结构示意图。
图4为本实用新型中绝缘基座和导电引脚的拆分结构示意图。
图5为本实用新型中导线的剖面结构示意图。
附图标记为:绝缘基座10、安装凹槽11、散热凹槽12、绝缘封装体20、绝缘散热层21、散热陶瓷颗粒211、导电引脚30、上平台31、卡位凸条311、弯折部32、下连接片33、二极管晶片40、导线41、铜芯线411、银镀层412。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1至图5。
本实用新型实施例公开一种易于组装的散热型二极管封装结构,包括绝缘基座10和绝缘封装体20,绝缘基座10和绝缘封装体20之间设有两个互不接触的导电引脚30,其中一个导电引脚30上导电连接有二极管晶片40,二极管晶片40还通过导线41与另一导电引脚30导电连接;
绝缘基座10上设有2n个安装凹槽11,n为大于1的整数,即n最小为2,导电引脚30包括上平台31、弯折部32和下连接片33,上平台31位于绝缘封装体20内,二极管晶片40 和导线41均与上平台31连接,每个上平台31的底部均固定有n个卡位凸条311,优选地,卡位凸条311与上平台31为一体成型结构,卡位凸条311与安装凹槽11匹配,即卡位凸条 311卡位安装在安装凹槽11内,能够有效提高导电引脚30整体与绝缘基座10的接触面积,能够有效提高导电引脚30向绝缘基座10传递热量的效率,可有效避免热量积聚于导电引脚 30的上平台31中,从而有效避免二极管晶片40因温度过高而影响自身的工作性能;
绝缘封装体20的顶部设有绝缘散热层21,优选地,绝缘散热层21为散热硅胶层,绝缘散热层21的上表面呈波浪形状,波浪形状的绝缘散热层21能够有效加强绝缘散热层21与空气的接触面积,可有效提高绝缘散热层21的散热效率,从而加强绝缘封装体20的散热效率。
本实用新型的制作过程为:将二极管晶片40焊接在其中一个导电引脚30的上平台31上,二极管晶片40的另一电极通过导线41与另一导电引脚30的上平台31连接,将卡位凸条311 对位插入安装凹槽11中,能够有效简化导电引脚30与绝缘基座10的对位连接操作,再将绝缘基座10放入注塑模具中,最终注塑形成绝缘封装体20。
本实用新型在绝缘基座10和导电引脚30的连接处设置可靠的对位结构,将导电引脚30 对位放置在绝缘基座10上时,无需进行复杂的对位操作,组装加工效率高,且绝缘基座10 与导电引脚30之间设置有足够大的接触面积、绝缘封装体20的顶部设置有特殊的散热机构,热量能够有效从二极管封装结构的上下两个方向实现高效的消散,整体结构的散热性能好。
在本实施例中,绝缘基座10为散热硅胶座,能够有效提高绝缘基座10的散热效率,避免热量积聚于二极管晶片40的底部。
基于上述实施例,绝缘基座10的底部设有若干散热凹槽12,散热凹槽12能够有效提高绝缘基座10与外界空气的接触面积,从而有效提高绝缘基座10与外界空气的热交换效率。
在本实施例中,绝缘封装体20为环氧树脂体,环氧树脂具有良好的机械和化学抗性,能够有效保护二极管内部的结构不易受损。
在本实施例中,绝缘散热层21内设有若干散热陶瓷颗粒211,散热陶瓷具有优良的导热性能和绝缘性能,能够有效提高绝缘散热层21整体的散热性能,同时绝缘散热层21的绝缘性能不会受影响。
在本实施例中,导线41包括铜芯线411,铜芯线411外包覆有镀银层412,铜的硬度比银大,设置铜为芯线能够有效确保导线41结构的牢固性、稳定性,银的导电性能比铜好,能够有效提高导线41整体的导电性能。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种易于组装的散热型二极管封装结构,包括绝缘基座(10)和绝缘封装体(20),所述绝缘基座(10)和所述绝缘封装体(20)之间设有两个导电引脚(30),其中一个所述导电引脚(30)上导电连接有二极管晶片(40),所述二极管晶片(40)还通过导线(41)与另一所述导电引脚(30)导电连接,其特征在于:
所述绝缘基座(10)上设有2n个安装凹槽(11),n为大于1的整数,所述导电引脚(30)包括上平台(31)、弯折部(32)和下连接片(33),所述上平台(31)位于所述绝缘封装体(20)内,每个所述上平台(31)的底部均固定有n个卡位凸条(311),所述卡位凸条(311)与所述安装凹槽(11)匹配;
所述绝缘封装体(20)的顶部设有绝缘散热层(21),所述绝缘散热层(21)的上表面呈波浪形状。
2.根据权利要求1所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构,其特征在于:所述绝缘基座(10)为散热硅胶座。
3.根据权利要求2所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构,其特征在于:所述绝缘基座(10)的底部设有若干散热凹槽(12)。
4.根据权利要求1所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构,其特征在于:所述绝缘封装体(20)为环氧树脂体。
5.根据权利要求1所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构,其特征在于:所述绝缘散热层(21)内设有若干散热陶瓷颗粒(211)。
6.根据权利要求1所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构,其特征在于:所述导线(41)包括铜芯线(411),所述铜芯线(411)外包覆有镀银层(412)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US20200168565A1 (en) * | 2018-11-23 | 2020-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
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