CN215731676U - 一种超薄型贴片二极管 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
本实用新型提供了一种超薄型贴片二极管，包括环氧树脂外壳、二极管晶片、阴极导电脚、阳极导电脚；所述阴极导电脚包括第一导电部、第一弯折部、第一焊接部，所述环氧树脂外壳上端形成有第一凹槽，所述第一凹槽内依次填充有第一导电树脂层、第一绝缘防护层；所述阳极导电脚包括第二导电部、第二弯折部、第二焊接部，所述环氧树脂外壳下端形成有第二凹槽，所述第二凹槽内填充有第二导电树脂层、第二绝缘防护层，所述第二导电树脂层覆盖在所述第二导电部与所述二极管晶片的下端面。本实用新型的贴片二极管，解决了传统贴片二极管厚度大的问题，并且具有优异的散热性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种超薄型贴片二极管。
背景技术
二极管又称晶体二极管，简称二极管。电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过称为顺向偏压，反向时阻断称为逆向偏压。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。在半导体硅或锗中一部分区域掺入微量的三价元素硼使之成为P型，另一部分区域掺入微量的五价元素磷使之成为N型半导体。在P型和N型半导体的交界处就形成一个PN结。一个PN结就是一个二极管，P区的引线称为阳极，N区的引线称为阴极。现有技术的贴片二极管，通常是将二极管芯片焊接在阴极引脚上，再通过导电片或金线连接二极管芯片与阳极引脚，这种结构中，由于阴极引脚、二极管芯片、导电片叠放后的整体厚度大，导致制作出的贴片二极管厚度较大，不符合电子元器件的薄型化发展趋势。
实用新型内容
针对以上问题，本实用新型提供一种超薄型贴片二极管，解决了传统贴片二极管厚度大的问题，并且具有优异的散热性能。
为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：
一种超薄型贴片二极管，包括环氧树脂外壳、位于所述环氧树脂外壳内侧的二极管晶片、位于所述二极管晶片两侧的阴极导电脚、阳极导电脚；
所述阴极导电脚包括第一导电部、第一弯折部、第一焊接部，所述第一导电部上端面与所述二极管晶片上端面在同一水平线上，所述环氧树脂外壳上端形成有第一凹槽，所述第一凹槽内从下到上依次填充有第一导电树脂层、第一绝缘防护层，所述第一导电树脂层覆盖在所述第一导电部与所述二极管晶片的上端面；
所述阳极导电脚包括第二导电部、第二弯折部、第二焊接部，所述第二导电部下端面与所述二极管晶片下端面在同一水平线上，所述环氧树脂外壳下端形成有第二凹槽，所述第二凹槽内从上到下填充有第二导电树脂层、第二绝缘防护层，所述第二导电树脂层覆盖在所述第二导电部与所述二极管晶片的下端面。
具体的，所述环氧树脂外壳的表面还覆盖有防水膜层。
具体的，所述环氧树脂外壳内侧还设有金属导热片，所述金属导热片位于所述阴极导电脚与所述二极管晶片之间。
具体的，所述金属导热片包括靠向所述二极管晶片一端的垂直部、连接在所述垂直部下端的第三弯折部，所述第三弯折部下端形成有通风散热槽。
具体的，所述第一导电树脂层、第二导电树脂层的厚度均小于1mm。
本实用新型的有益效果是：
1.本实用新型的贴片式二极管，将阴极导电脚的第一导电部上端面与二极管晶片上端面设计在同一水平线上，并通过厚度小的第一导电树脂层实现第一导电部与二极管晶片之间的电性连接，将阳极导电脚的第二导电部下端面与二极管晶片下端面设计在同一水平线上，并通过厚度小的第二导电树脂层实现第二导电部与二极管晶片之间的电性连接，取代了传统的叠放式结构以及金线连接结构，并且厚度更小，符合现代电子元器件的薄型化发展趋势；
2.在环氧树脂外壳内侧还设有金属导热片，在金属导热片的第三弯折部下端形成有通风散热槽，提升了贴片二极管的散热性能。
附图说明
图1为本实用新型的一种超薄型贴片二极管的结构示意图。
附图标记为：环氧树脂外壳1、二极管晶片2、阴极导电脚3、第一导电部31、第一弯折部32、第一焊接部33、阳极导电脚4、第二导电部41、第二弯折部42、第二焊接部43、第一导电树脂层5、第一绝缘防护层6、第二导电树脂层7、第二绝缘防护层8、防水膜层9、金属导热片10、垂直部101、第三弯折部102、通风散热槽103。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1所示：
一种超薄型贴片二极管，包括环氧树脂外壳1、位于环氧树脂外壳1内侧的二极管晶片2、位于二极管晶片2两侧的阴极导电脚3、阳极导电脚4；
阴极导电脚3包括第一导电部31、第一弯折部32、第一焊接部33，第一导电部31上端面与二极管晶片2上端面在同一水平线上，环氧树脂外壳1上端形成有第一凹槽，第一凹槽内从下到上依次填充有第一导电树脂层5、第一绝缘防护层6，第一导电树脂层5覆盖在第一导电部31与二极管晶片2的上端面，第一导电树脂层5是由炭黑与环氧树脂混合后组成，具有良好的导电能力，炭黑与环氧树脂混合料涂覆在第一导电部31与二极管晶片2的上端并且经过固化后形成第一导电树脂层5，利用第一导电树脂层5的导电性，能够实现第一导电部31与二极管晶片2之间的电性连接；
阳极导电脚4包括第二导电部41、第二弯折部42、第二焊接部43，第二导电部41下端面与二极管晶片2下端面在同一水平线上，环氧树脂外壳1下端形成有第二凹槽，第二凹槽内从上到下填充有第二导电树脂层7、第二绝缘防护层8，第二导电树脂层7覆盖在第二导电部41与二极管晶片2的下端面，第二导电树脂层7是由炭黑与环氧树脂混合后组成，具有良好的导电能力，炭黑与环氧树脂混合料涂覆在第二导电部41与二极管晶片2的下端并且经过固化后形成第二导电树脂层7，利用第二导电树脂层7的导电性，能够实现第二导电部41与二极管晶片2之间的电性连接。
优选的，为了提高环氧树脂外壳1表面的防水能力，环氧树脂外壳1的表面还覆盖有防水膜层9。
优选的，为了提升贴片二极管的散热能力，环氧树脂外壳1内侧还设有金属导热片10，金属导热片10位于阴极导电脚3与二极管晶片2之间，，金属导热片10包括靠向二极管晶片2一端的垂直部101、连接在垂直部101下端的第三弯折部102，第三弯折部102下端形成有通风散热槽103。
优选的，第一导电树脂层5、第二导电树脂层7的厚度均小于1mm。
以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种超薄型贴片二极管，包括环氧树脂外壳(1)、位于所述环氧树脂外壳(1)内侧的二极管晶片(2)、位于所述二极管晶片(2)两侧的阴极导电脚(3)、阳极导电脚(4)，其特征在于：
所述阴极导电脚(3)包括第一导电部(31)、第一弯折部(32)、第一焊接部(33)，所述第一导电部(31)上端面与所述二极管晶片(2)上端面在同一水平线上，所述环氧树脂外壳(1)上端形成有第一凹槽，所述第一凹槽内从下到上依次填充有第一导电树脂层(5)、第一绝缘防护层(6)，所述第一导电树脂层(5)覆盖在所述第一导电部(31)与所述二极管晶片(2)的上端面；
所述阳极导电脚(4)包括第二导电部(41)、第二弯折部(42)、第二焊接部(43)，所述第二导电部(41)下端面与所述二极管晶片(2)下端面在同一水平线上，所述环氧树脂外壳(1)下端形成有第二凹槽，所述第二凹槽内从上到下填充有第二导电树脂层(7)、第二绝缘防护层(8)，所述第二导电树脂层(7)覆盖在所述第二导电部(41)与所述二极管晶片(2)的下端面。
2.根据权利要求1所述的一种超薄型贴片二极管，其特征在于，所述环氧树脂外壳(1)的表面还覆盖有防水膜层(9)。
3.根据权利要求1所述的一种超薄型贴片二极管，其特征在于，所述环氧树脂外壳(1)内侧还设有金属导热片(10)，所述金属导热片(10)位于所述阴极导电脚(3)与所述二极管晶片(2)之间。
4.根据权利要求3所述的一种超薄型贴片二极管，其特征在于，所述金属导热片(10)包括靠向所述二极管晶片(2)一端的垂直部(101)、连接在所述垂直部(101)下端的第三弯折部(102)，所述第三弯折部(102)下端形成有通风散热槽(103)。
5.根据权利要求1所述的一种超薄型贴片二极管，其特征在于，所述第一导电树脂层(5)、第二导电树脂层(7)的厚度均小于1mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202121819532.XU CN215731676U (zh) | 2021-08-05 | 2021-08-05 | 一种超薄型贴片二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202121819532.XU CN215731676U (zh) | 2021-08-05 | 2021-08-05 | 一种超薄型贴片二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN215731676U true CN215731676U (zh) | 2022-02-01 |
Family
ID=79993033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202121819532.XU Active CN215731676U (zh) | 2021-08-05 | 2021-08-05 | 一种超薄型贴片二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN215731676U (zh) |
-
2021
- 2021-08-05 CN CN202121819532.XU patent/CN215731676U/zh active Active
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| GR01 | Patent grant | ||
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