CN217719583U - 半桥二极管集成器件、功率模块及变频器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型公开了一种半桥二极管集成器件、功率模块及变频器,半桥二极管集成器件包括基板、N型二极管芯片和P型二极管芯片。基板具有第一平面。P型二极管芯片的阳极焊接于第一平面。第一引脚的一端设置于第一平面,并与N型二极管的阳极电连接。第二引脚的一端设置于第一平面,并与P型二极管的阴极电连接。本实用新型的半桥二极管集成器件通过集成N型二极管芯片和P型二极管芯片组成一个半桥电路,可以代替需要较多人工参与组装的扁桥和方桥。焊接装配自动化程度较高,综合成本具有很大优势,并且可以和PCB上元器件一起回流焊接,大大提供自动化生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及分立器件,具体涉及一种半桥二极管集成器件、功率模块及变频器。
背景技术
目前变频器和伺服220V、380V和480V电压等级的功率驱动系统的功率模块方案一般采用以下方案:
一、集成模块定制方案,其将电流采样和驱动等集成到功率模块,其同样存在模块成本高、生产周期长等问题。
二、功率集成模块(Power Integrated Module,PIM)方案,其将整流桥、制动环节、逆变桥集成到同一PIM模块内,主回路主要采用键合线方式进行电气互联,内部功率芯片焊接在陶瓷覆铜基板上。该方案模块集成度高,模块防护好,封装通用,缺点是模块成本高,生产周期较长,不利于提高生产效率,对于小功率驱动器而言模块成本占比较高。
三、分立器件封装,通过陶瓷基片,铝基板或者导热绝缘模等材料和工艺实现同样的模块效果,此方案器件成本低,灵活度高,但通过陶瓷基片或者导热绝缘模等材料热阻较高,器件选型规格受到限制,且生产工艺复杂,装配成本高。分立器件目前大多匹配方桥和扁桥使用,但是扁桥和方桥的整流桥生产自动化程度较低,人工因素较多,不利于稳定生产。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是,提供一种半桥二极管集成器件、功率模块及变频器,旨在提高焊接装配自动化程度。
为实现上述目的,本实用新型提出一种半桥二极管集成器件,所述半桥二极管集成器件包括:
基板,具有第一平面;
N型二极管芯片,所述N型二极管芯片的阴极焊接于所述第一平面;
P型二极管芯片,所述P型二极管芯片的阳极焊接于所述第一平面;
第一引脚,所述第一引脚的一端设置于所述第一平面,并与所述N型二极管的阳极电连接;
第二引脚,所述第二引脚的一端设置于所述第一平面,并与所述P型二极管的阴极电连接。
在一实施例中,所述基板具有与所述第一平面相对设置的第二平面,所述第二平面用于抵接导热绝缘件。
在一实施例中,所述半桥二极管集成器件还包括第三引脚,所述第三引脚设于所述基板的第二平面;
所述基板包括布线层,所述第三引脚和所述N型二极管芯片的阳极和所述P型二极管的阴极通过所述布线层电连接。
在一实施例中,所述半桥二极管集成器件还包括外壳,所述外壳罩设于所述基板的第一平面上。
在一实施例中,所述第一引脚的另一端沿远离所述第一平面的方向延伸,并朝所述外壳的方向弯折形成第一焊接脚;所述第二引脚的另一端沿远离所述第一平面的方向延伸,并朝所述外壳的方向弯折形成第二焊接脚。
在一实施例中,所述第一引脚远离所述基板的一端延伸出所述外壳外;
所述第二引脚远离所述基板的一端延伸出所述外壳外。
本实用新型还提供一种功率模块,所述功率模块包括功率组件,所述功率组件包括:制动单元、逆变单元和整流单元,所述整流单元、所述制动单元和所述逆变单元依次串联;其中,
所述整流单元包括多个上述的半桥二极管集成器件。
在一实施例中,所述功率模块还包括:
导热绝缘基板,所述功率模块排布于所述导热绝缘基板的第一侧;
散热器,所述散热器抵接所述导热绝缘基板的第二侧,用于给所述功率模块散热;其中,所述导热绝缘基板的第二侧与所述第一侧相对设置;
所述导热绝缘基板上对应多个所述半桥二极管集成器件设有多组电极端子组,每组所述电极端子组包括三个电极端子。
在一实施例中,所述功率模块还包括:
驱动板,所述功率组件排布于所述驱动板上;
导热绝缘件,具有相对设置的第一侧和第二侧,所述导热绝缘件的第一侧抵接所述功率组件,所述导热绝缘件的第二侧抵接散热器;
所述散热器,与所述驱动板之间固定连接。所述导热绝缘件和所述功率组件夹设于所述散热器与所述驱动板之间。
本实用新型还提供一种变频器,所述变频器包括上述的半桥二极管集成器件;
和/或,包括上述的功率模块。
本实用新型的半桥二极管集成器件通过集成N型二极管芯片和P型二极管芯片组成一个半桥电路,可以代替需要较多人工参与组装的扁桥和方桥。通过将第三引脚设置在与第一引脚和第二引脚相对的平面上,无需引伸出基板的平面外再进行焊接。节省了引脚耗材,同时也减小了半桥二极管集成器件的尺寸。第一引脚、第二引脚和第三引脚可以与PCB板上的其他元器件一起回流焊接,利于焊接装配自动化,提高焊接效率。本实用新型的半桥二极管集成器件集成度更高,占用空间小,可以提高PCB板的利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型半桥二极管集成器件的电路结构示意图;
图2为本实用新型功率组件的电路结构示意图;
图3为本实用新型半桥二极管集成器件一实施例的封装外形示意图;
图4为本实用新型半桥二极管集成器件另一实施例的封装外形示意图;
图5~6为本实用新型功率模块一实施例的结构示意图;
图7~8为本实用新型功率模块另一实施例的结构示意图。
标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
10 | 基板 | 70 | 外壳 |
20 | N型二极管芯片 | 100 | 半桥二极管集成器件 |
30 | P型二极管芯片 | 200 | 散热器 |
40 | 第一引脚 | 300 | 铝基板 |
50 | 第二引脚 | 400 | 驱动板 |
60 | 第三引脚 | 500 | 导热绝缘件 |
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明,本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
参照图1~4,本实用新型提出一种半桥二极管集成器件,所述半桥二极管集成器件包括:
基板10,具有相对设置的第一平面;
N型二极管芯片20,所述N型二极管芯片20的阴极焊接于所述基板10的第一平面;
P型二极管芯片30,所述P型二极管芯片30的阳极焊接于所述基板10的第一平面;
第一引脚40,所述第一引脚40的一端设置于所述基板10的第一平面,并与所述N型二极管芯片的阳极电连接;
第二引脚50,所述第二引脚50的一端设置于所述基板10的第一平面,并与所述P型二极管芯片的阴极电连接;
第一引脚40具有焊接区和引出区,第一引脚40的焊接区焊接于引线框架的第一平面,并与N型二极管芯片20的阳极电连接。第一引脚40的引出区延伸出基板10外,构成半桥电路的第一端。第二引脚50具有焊接区和引出区,第二引脚50的焊接区焊接于引线框架的第一平面,并与P型二极管芯片30的阴极电连接。第二引脚50的引出区延伸出基板10外,构成半桥电路的第二端。焊接时只需将本实用新型的半桥二极管集成器件的第一引脚40和第二引脚50焊接在电路板上的相应的位置,无需采用两个二极管芯片分别焊接实现一个半桥电路,节省焊接时间。本实用新型的半桥二极管集成器件可以应用于整机布局,根据实际应用场景采用多个半桥二极管集成器件可以实现多种整流桥电路。采用本实用新型的半桥二极管集成器件成本低,且利于焊接装配自动化。本实用新型的半桥二极管集成器件可应用于变频器和220V、380V和480V伺服系统。
本实用新型的半桥二极管集成器件通过集成N型二极管芯片和P型二极管芯片组成一个半桥电路,可以代替需要较多人工参与组装的扁桥和方桥。焊接装配自动化程度较高,综合成本具有很大优势,并且可以和PCB上元器件一起回流焊接,大大提供自动化生产效率。
在一实施例中,所述基板具有与所述第一平面相对设置的第二平面,所述第二平面用于抵接导热绝缘件。
本实施例中,导热绝缘件可以为铝基板或导热绝缘垫(例如陶瓷片等)。半桥二极管集成器件在工作时会发热,本实施例通过将第二平面与导热绝缘件的一侧抵接,导热绝缘件的另一侧可以固定于散热器。这样,可以将半桥二极管集成器件工作时产生的热量快速传导至散热器进行散热,保证其工作稳定性。
在一实施例中,所述半桥二极管集成器件还包括第三引脚60,所述第三引脚60设于所述基板的第二平面;
所述基板包括布线层,所述第三引脚60和所述N型二极管芯片20的阳极和所述P型二极管芯片的阴极30通过所述布线层电连接。
本实施例中,第三引脚60为金属电极,第一引脚40和第二引脚50与第三引脚60电连接。第三引脚60可以是铺设于基板10的第二平面,如此,第三引脚60的第二平面显露的区域就是焊接区域,焊接区域较大,便于焊接固定于与PCB板上的焊盘,且焊接后间隙小,不易脱落。或者第三引脚60与第二平面垂直延伸出第二平面,如此,便于与PCB板上的具有通孔的焊盘焊接固定。
第一引脚40具有焊接区和引出区,第一引脚40的焊接区焊接于引线框架的第一平面,并与N型二极管芯片20的阳极电连接。第一引脚40的引出区延伸出基板10外,构成半桥电路的第一端。第二引脚50具有焊接区和引出区,第二引脚50的焊接区焊接于引线框架的第一平面,并与P型二极管芯片30的阴极电连接。第二引脚50的引出区延伸出基板10外,构成半桥电路的第二端。N型二极管芯片20的阴极与P型二极管芯片30的阳极与第三引脚60电连接,构成半桥电路的第三端。如此,N型二极管芯片20和P型二极管芯片30组成一个半桥电路。
本实用新型将第三引脚60设置在基板10的第二平面,通过SMT(表面贴装技术,Surface Mounted Technology)技术焊接至PCB板上,焊接装配自动化程度高,进而提高装配效率。第三引脚60设置在基板10的第二平面,引脚尺寸小,不需要沿基板10的第二平面延伸出去再与PCB板焊接,进一步减小了本实用新型的半桥二极管集成器件的尺寸和耗材。
焊接时只需将本实用新型的半桥二极管集成器件的第一引脚40、第二引脚50和第三引脚60焊接在电路板上的相应的位置,无需采用两个二极管芯片分别焊接实现一个半桥电路,节省焊接时间。本实用新型的半桥二极管集成器件可以应用于整机布局,根据实际应用场景采用多个半桥二极管集成器件可以实现多种整流桥电路。采用本实用新型的半桥二极管集成器件成本低,且利于焊接装配自动化。本实用新型的半桥二极管集成器件可应用于变频器和220V、380V和480V伺服系统。
本实用新型的半桥二极管集成器件通过集成N型二极管芯片和P型二极管芯片组成一个半桥电路,可以代替需要较多人工参与组装的扁桥和方桥。通过将第三引脚设置在与第一引脚和第二引脚相对的平面上,无需引申出基板的平面外再进行焊接。节省了引脚耗材,同时也减小了半桥二极管集成器件的尺寸。第一引脚、第二引脚和第三引脚可以与PCB板上的其他元器件一起回流焊接,利于焊接装配自动化,提高焊接效率。本实用新型的半桥二极管集成器件集成度更高,占用空间小,可以提高PCB板的利用率。
在一实施例中,所述第一引脚40与所述N型二极管芯片20通过键合线或金属导线连接,所述第二引脚50与所述P型二极管芯片30通过键合线或金属导线连接。
本实施例可以通过键合线实现第一引脚40与N型二极管芯片20、第二引脚50与P型二极管芯片30的电连接。键合线具有较好的电气性能、导热性能、机械性能化学稳定性。键合线按材质可分为键合金线、键合银线键合铜线等。通过丝球焊等焊接技术将键合线的一端键合在二极管芯片上,将键合线的另一端键合在基板10的引脚上,实现二极管芯片与基板10的引脚的电连接。
本实施例也可以通过金属导线实现第一引脚40与N型二极管芯片20、第二引脚50与P型二极管芯片30的电连接。例如,铜线、银线、金线等。金属导线成本低,易获取,具有良好的导电性能。
在一实施例中,所述半桥二极管集成器件还包括外壳70,所述外壳70罩设于所述基板10的第一平面上方。
本实施例中,外壳70上设有供第一引脚40穿出的第一穿设孔和供第二引脚50穿出的第二穿设孔。外壳70可以采用树脂材料,树脂材料的绝缘性能高、结构强度大、密封性能好,可以有效阻隔半桥二极管集成器件内部与元器件与外部电路的之间互相干扰,同时防止尘埃颗粒等杂物进入半桥二极管集成器件内,影响其工作性能。本实施例通过外壳70罩设于基板10的第一平面上方,避免环境中的尘埃颗粒影响内部N型二极管芯片20和P型二极管芯片30和其他电路的电气性能。同时,不影响基板10的第二平面上的第三引脚60与电路板的焊接。
在一实施例中,所述第一引脚的另一端沿远离所述第一平面的方向延伸,并朝所述外壳的方向弯折形成第一焊接脚;所述第二引脚的另一端沿远离所述第一平面的方向延伸,并朝所述外壳的方向弯折形成第二焊接脚。
参照图4,半桥二极管集成器件的第一引脚和第二引脚通常背离外壳的方向弯折形成焊接脚,在焊接时通过基板与PCB板接触实现焊接。这样焊接减小了连接基板与PCB板的引脚距离,但是半桥二极管集成器件在工作时会产生热量,热量主要集中于基板,这样焊接不利于基板散热。
参照图3,本实施例中,第一焊接脚与第二焊接脚朝外壳方向弯折,使得半桥二极管集成器件通过外壳与PCB板接触的方式焊接,将基板露出,或者将基板与导热绝缘件抵接,以实现基板的快速散热。
在一实施例中,所述第一引脚40远离所述基板10的一端延伸出所述外壳70外;
所述第二引脚50远离所述基板10的一端延伸出所述外壳70外。
本实施例中,延伸出外壳70的第一引脚40和第二引脚50可以根据需求设置引脚方向,例如,向基板10方向弯曲,使第一引脚40、第二引脚50和第三引脚60可以焊接在同一电路板上。或者,向远离基板10的方向弯曲。本实施例通过第二穿设孔使第二引脚50的引出区延伸出外壳70,便于半桥二极管集成器件与其他器件焊接。
参照图2和图5~8,本实用新型还提供一种功率模块,所述功率模块包括功率组件,所述功率组件包括:制动单元B、逆变单元C和整流单元A,所述整流单元A、所述制动单元B和所述逆变单元C依次串联;其中,
所述整流单元A包括多个上述的半桥二极管集成器件100。
本实施例中,采用多个半桥二极管集成器件100可以实现多种整流桥电路,替换上述集成模块定制方案、功率集成模块方案和分立器件封装三种功率模块方案。例如,参照图2,图2为图5~8对应的电路图。整流单元A可以采用三个半桥二极管集成器件100组成。焊接时,三个半桥二极管集成器件100可以与其他元器件一起通过回流焊接的方式固定于驱动板400上相应的位置,并通过驱动板400内部的丝印线路层实现电连接形成一个不可控整流桥电路,焊接工艺更简单。无需采用六个二极管芯片一个个焊接,节省焊接时间。通过驱动板400的丝印线路层与制动单元B和逆变单元C实现电气连接。制动单元B和逆变单元C也可以采用半导体分立器件实现。多个半桥二极管集成器件的在驱动板400上的焊接位置可以根据驱动板400内部的走线决定,在此不作限制。
本实用新型通过多个半桥二极管集成器件组成整流桥电路。多个半桥二极管集成器件可以与驱动板上的其他元器件一起回流焊接,生产工艺较简洁,大大提高了自动化生产效率。且相比于现有技术中的功率模块方案综合成本更低,应用更灵活。本实用新型的半桥二极管集成器件集成度更高,占用空间小,进而减小功率模块的占用空间。
在一实施例中,所述功率模块还包括:
导热绝缘基板,所述功率模块排布于所述导热绝缘基板的第一侧;
散热器,所述散热器抵接所述导热绝缘基板的第二侧,用于给所述功率模块散热;其中,所述导热绝缘基板的第二侧与所述第一侧相对设置;
所述导热绝缘基板上对应多个所述半桥二极管集成器件设有多组电极端子组,每组所述电极端子组包括三个电极端子。
本实施例中,导热绝缘基板可以选用铝基板。铝基板300内部设有布线层,使焊接在铝基板300上的多个半桥二极管集成器件100之间电连接形成整流单元A。多个电极端子通过布线层分别与半桥二极管集成器件100的第一引脚、第二引脚和第三引脚电连接,并构成功率模块的信号端子,以与功能模块进行信号传输。
功率模块在工作时产生的热量传输至散热器200,从而实现功率模块的快速散热。半桥二极管集成器件100的基板可以采用导热材料,从而使半桥二极管集成器件100与电路板和之间的热阻较小,实现快速散热。本实施例通过散热器200对功率模块散热,降低功率模块的温度,避免功率模块在高温下失效或损坏。
功率模块还包括驱动板400,铝基板300夹设于驱动板400和散热器200之间。驱动板400设有供电极端子焊接的焊接孔;电极端子与驱动板400上的功能电路通过焊接孔电连接。通过上述电极端子,可将功率模块与驱动板400焊接实现电气连接。特别地,为便于与驱动板400电气连接,上述电极端子最好垂直于铝基板300的上表面。电极端子可以是插针,插针垂直设置于铝基板300上表面,与铝基板300上的多个半桥二极管集成器件100之间通过布线层电连接,驱动板400上对应插针的位置设有多个焊接孔。驱动板400安装在铝基板300上,插针通过焊接孔穿出,露出部分与焊接孔焊接固定,实现铝基板300与驱动板400的电连接。
本实施例可以通过多组电极端子构成功率模块的信号端子,以实现与驱动板400的信号传输。同时,由于铝基板300本身就是导热绝缘材料,可以隔离功率模块和散热器200之间的电气连接,并快速将功率模块的热量传输至散热器200进行散热。无需再设置绝缘垫片,节省了导热绝缘材料。有利于降低半桥二极管集成器件100安装过程中产生空洞的可能性,在完成机械固定的同时进行电气连接,大大简化了生产工艺,降低了整体成本,并可提高散热性能,有效减缓伺服驱动高倍低速过载导致的温度波动。
在一实施例中,所述功率模块还包括:
驱动板,所述功率组件排布于所述驱动板上;
导热绝缘件,具有相对设置的第一侧和第二侧,所述导热绝缘件的第一侧抵接所述功率组件,所述导热绝缘件的第二侧抵接散热器;
所述散热器,与所述驱动板之间固定连接。所述导热绝缘件和所述功率组件夹设于所述散热器与所述驱动板之间。
驱动板400具有布线层,多个半桥二极管集成器件100之间通过布线层电连接形成整流单元A。功率模块也通过布线层与驱动板400上的其他功能电路实现电连接。
本实施例中,导热绝缘件500可以选用导热绝缘橡胶、导热硅胶绝缘片或陶瓷基片。驱动板400设有多个安装孔,导热绝缘件500对应驱动板400的位置设有安装孔。这样,功率模块可通过螺钉等紧固件固定到散热器200,为提高导热效率,功率模块的背面(即与半桥二极管集成器件100的相对的一面)与散热器200的表面之间可填充导热界面材料填充气隙。
用户可以根据实际应用场景选择合适的变频器组件。例如,大功率模块工作时热阻较大,可以使用成本较高、导热性能较好的铝基板300作为电路板进行绝缘导热,从而实现快速散热,同时实现信号传输;小功率模块工作时热阻较小,可以使用成本较低、导热性能较低的导热绝缘件500来进行绝缘导热,从而实现散热。
本实用新型还提供一种变频器,所述变频器包括上述的半桥二极管集成器件;
和/或,包括上述的功率模块。
本实用新型通过半桥二极管集成器件集成N型二极管芯片和P型二极管芯片组成一个半桥电路,可以代替需要较多人工参与组装的扁桥和方桥。通过将第三引脚设置在与第一引脚和第二引脚相对的平面上,无需引申出基板的平面外再进行焊接。节省了引脚耗材,同时也减小了半桥二极管集成器件的尺寸。第一引脚、第二引脚和第三引脚可以与PCB板上的其他元器件一起回流焊接,利于焊接装配自动化,提高焊接效率。本实用新型的半桥二极管集成器件集成度更高,占用空间小,可以提高PCB板的利用率,进而减小变频器的尺寸。
以上仅为本实用新型的可选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的发明构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种半桥二极管集成器件,其特征在于,所述半桥二极管集成器件包括:
基板,具有第一平面;
N型二极管芯片,所述N型二极管芯片的阴极焊接于所述第一平面;
P型二极管芯片,所述P型二极管芯片的阳极焊接于所述第一平面;
第一引脚,所述第一引脚的一端设置于所述第一平面,并与所述N型二极管的阳极电连接;
第二引脚,所述第二引脚的一端设置于所述第一平面,并与所述P型二极管的阴极电连接。
2.如权利要求1所述的半桥二极管集成器件,其特征在于,所述基板具有与所述第一平面相对设置的第二平面,所述第二平面用于抵接导热绝缘件。
3.如权利要求2所述的半桥二极管集成器件,其特征在于,所述半桥二极管集成器件还包括第三引脚,所述第三引脚设于所述基板的第二平面;
所述基板包括布线层,所述第三引脚和所述N型二极管芯片的阳极和所述P型二极管的阴极通过所述布线层电连接。
4.如权利要求1所述的半桥二极管集成器件,其特征在于,所述半桥二极管集成器件还包括外壳,所述外壳罩设于所述基板的第一平面上。
5.如权利要求4所述的半桥二极管集成器件,其特征在于,所述第一引脚的另一端沿远离所述第一平面的方向延伸,并朝所述外壳的方向弯折形成第一焊接脚;所述第二引脚的另一端沿远离所述第一平面的方向延伸,并朝所述外壳的方向弯折形成第二焊接脚。
6.如权利要求4所述的半桥二极管集成器件,其特征在于,所述第一引脚远离所述基板的一端延伸出所述外壳外;
所述第二引脚远离所述基板的一端延伸出所述外壳外。
7.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块包括功率组件,所述功率组件包括:制动单元、逆变单元和整流单元,所述整流单元、所述制动单元和所述逆变单元依次串联;其中,
所述整流单元包括多个如权利要求1-6任意一项所述的半桥二极管集成器件。
8.如权利要求7所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括:
导热绝缘基板,所述功率模块排布于所述导热绝缘基板的第一侧;
散热器,所述散热器抵接所述导热绝缘基板的第二侧,用于给所述功率模块散热;其中,所述导热绝缘基板的第二侧与所述第一侧相对设置;
所述导热绝缘基板上对应多个所述半桥二极管集成器件设有多组电极端子组,每组所述电极端子组包括三个电极端子。
9.如权利要求7所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括:
驱动板,所述功率组件排布于所述驱动板上;
导热绝缘件,具有相对设置的第一侧和第二侧,所述导热绝缘件的第一侧抵接所述功率组件,所述导热绝缘件的第二侧抵接散热器;
所述散热器,与所述驱动板之间固定连接;所述导热绝缘件和所述功率组件夹设于所述散热器与所述驱动板之间。
10.一种变频器,其特征在于,所述变频器包括如权利要求1-6任意一项所述的半桥二极管集成器件;
和/或,包括如权利要求7-9任意一项所述的功率模块。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202221652123.XU CN217719583U (zh) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 半桥二极管集成器件、功率模块及变频器 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN217719583U true CN217719583U (zh) | 2022-11-01 |
Family
ID=83775196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202221652123.XU Active CN217719583U (zh) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 半桥二极管集成器件、功率模块及变频器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN217719583U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117423688A (zh) * | 2023-12-15 | 2024-01-19 | 四川晁禾微电子有限公司 | 一种应用于高速逆变电路的快恢复续流二极管模块 |
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2022
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---|---|---|---|---|
CN117423688A (zh) * | 2023-12-15 | 2024-01-19 | 四川晁禾微电子有限公司 | 一种应用于高速逆变电路的快恢复续流二极管模块 |
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