CN102244066B - 一种功率半导体模块 - Google Patents

一种功率半导体模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102244066B
CN102244066B CN201110224016.7A CN201110224016A CN102244066B CN 102244066 B CN102244066 B CN 102244066B CN 201110224016 A CN201110224016 A CN 201110224016A CN 102244066 B CN102244066 B CN 102244066B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power semiconductor
chip
electrode
out sheet
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110224016.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102244066A (zh
Inventor
刘国友
覃荣震
黄建伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd
Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd filed Critical Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd
Priority to CN201110224016.7A priority Critical patent/CN102244066B/zh
Publication of CN102244066A publication Critical patent/CN102244066A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102244066B publication Critical patent/CN102244066B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Abstract

本发明提供了一种功率半导体模块，所述功率半导体模块从下至上依次包括金属板、功率半导体芯片和电极引出片；所述金属板用于承载功率半导体芯片，并为功率半导体芯片提供电流通路；所述电极引出片为复合母排或多层印制电路板，电极引出片上设有连接端子，用于与功率半导体芯片连接以实现功率半导体芯片的互连。本发明提供的功率半导体模块，为压接式封装结构，芯片直接设置于金属板上，然后通过电极引出片直接压在功率半导体芯片表面，实现芯片间互连，简化封装工艺，同时模块的可靠性得到保证。

Description

一种功率半导体模块
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种功率半导体模块。
背景技术
绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单的特点，被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。
对于焊接式IGBT模块而言，功率半导体芯片2’通过锡银焊层、衬板设置于基板1’上，芯片正面电极之间的互连普遍采用引线3’（粗铝线或粗铜线）键合的方式，如图1所示。因此，焊接式IGBT模块内部有很多引线键合点。即使随着模块封装技术的持续进步和引线键合参数的不断优化，键合点的可靠性仍不能得到保障。这是由于引线线长较大，引线电感较大，且承受振动能力较差，容易发生断裂。因此，IGBT模块的可靠性仍属于较薄弱的环节。
另外，焊接式IGBT模块中，还需灌注硅胶4’，用于保护功率半导体芯片2’，但是硅胶4’会降低模块的散热性能，降低功率密度，导致模块体积难以缩小。
发明内容
本发明解决了现有技术中存在IGBT模块中散热性能差、体积难以缩小以及可靠性难以保障的技术问题。
本发明提供了一种功率半导体模块，所述功率半导体模块从下至上依次包括金属板、功率半导体芯片和电极引出片；所述金属板用于承载功率半导体芯片，并为功率半导体芯片提供电流通路；电极引出片上设有连接端子，用于与功率半导体芯片连接实现功率半导体芯片的互连。
作为本发明的进一步改进，所述电极引出片为复合母排或多层印制电路板。
作为本发明的进一步改进，金属板与功率半导体芯片之间设有第一弹性板，第一弹性板上设有芯片窗口，用于对功率半导体芯片进行定位和固定。
作为本发明的进一步改进，功率半导体芯片与电极引出片之间设有第二弹性板，第二弹性板上穿设有带状线，用于将功率半导体芯片与电极引出片相连。
所述第二弹性板的下表面设有第一定位口，用于对功率半导体芯片进行定位。或者，电极引出片的下表面设有第二定位口，用于对功率半导体芯片进行定位。
作为本发明的进一步改进，金属板的下表面设有散热器。
本发明提供的功率半导体模块，芯片直接设置于金属板上，然后通过将电极引出片直接压到功率半导体芯片表面，实现芯片间互连，封装工艺简化，能有效缩小模块的体积，降低引线电感，模块的可靠性得到保证。另外，本发明的功率半导体模块为压接式封装结构，无需灌入保护胶，且能同时通过金属板进行散热，因此其散热性能也得到提高。
附图说明
图1为现有技术中焊接式IGBT模块的结构示意图。
图2为本发明实施例一的功率半导体模块的结构示意图。
图3为本发明功率半导体模块中IGBT芯片的结构示意图。
图4为图3中A-A剖面图。
图5为本发明功率半导体模块中FRD芯片的结构示意图。
图6为图5中B-B剖面图。
图7为第一弹性板的结构示意图。
图8为本发明实施例二的功率半导体模块中第一弹性板与功率半导体芯片的结构示意图。
图9为图8中C-C剖面图。
图10为本发明实施例二的功率半导体模块的结构示意图。
图11为本发明实施例三的功率半导体模块的结构示意图。
图12为本发明实施例四的功率半导体模块的结构示意图。
图13为本发明实施例五的功率半导体模块的结构示意图。
图14为本发明实施例六的功率半导体模块的结构示意图。
图15为本发明实施例七的功率半导体模块中金属板、第一弹性板与功率半导体芯片的结构示意图。
图中: 1’-焊接式IGBT模块中的基板，2’-焊接式IGBT模块中的功率半导体芯片，3’-焊接式IGBT模块中的引线，4’-硅胶；
1-金属板，2-功率半导体芯片，3-电极引出片，4-第一弹性板，5-第二弹性板，6-带状线，21-IGBT芯片，210-集电极，211-第一发射极，212-第一栅极，22-FRD芯片，220-阴极，221-阳极，31-第二发射极，32-第二栅极，33-第二定位口；41-芯片窗口，51-第一定位口。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
功率半导体芯片2中各芯片的厚度若相同，则可直接采用平面的电极引出片3压接于芯片表面，实现芯片间互连。如图2所示，本发明提供了一种功率半导体模块，功率半导体模块从下至上依次包括金属板1、功率半导体芯片2和电极引出片3。金属板1用于承载功率半导体芯片2，并为功率半导体芯片2提供电流通路。电极引出片3上设有连接端子，用于与功率半导体芯片2连接以实现功率半导体芯片2之间的互连。本发明中，电极引出片3可采用复合母排或多层印制电路板。
本发明中，功率半导体芯片2为若干IGBT芯片21和FRD芯片22。IGBT芯片21的结构如图3和图4所示，IGBT芯片21的上表面设有第一发射极211和第一栅极212，下表面设有集电极210。FRD芯片22的结构如图5和图6所示，FRD芯片22的上表面设有阳极221，下表面设有阴极220。IGBT芯片21的集电极210与FRD芯片22的阴极220相连，IGBT芯片21的第一发射极211与FRD芯片22的阳极221相连。
如图2所示，IGBT芯片21和FRD芯片22均位于金属板1上。IGBT芯片21的集电极210与金属板1接触，FRD芯片22的阴极220与金属板1接触。从而，通过金属板1使得IGBT芯片21的集电极210与FRD芯片22的阴极220相连。
电极引出片3上的连接端子包括第二发射极31和第二栅极32。电极引出片3上的连接端子的一端延伸至电极引出片3的下表面，用于与功率半导体芯片2连接；连接端子的另一端延伸至电极引出片3的上表面，实现本发明的功率半导体模块电极的引出。具体地，IGBT芯片21的第一发射极211与电极引出片3的第二发射极31相连，IGBT芯片21的第一栅极212与电极引出片3的第二栅极32相连，FRD芯片22的阳极221与电极引出片3的第二发射极31相连。从而，通过电极引出片3使得IGBT芯片21的第一发射极211与FRD芯片22的阳极221相连。
因此，本发明中金属板1作为模块的集电极C，电极引出片3对功率半导体芯片2进行互连并实现电极引出，作为模块的栅极G和发射极E。具体地，IGBT芯片21的集电极210与FRD芯片22的阴极220通过金属板1上表面连接（即反并联），通过金属板1引出至模块的集电极C；IGBT芯片21的第一栅极212通过电极引出片3的第二栅极32进行互连并引出至模块的栅极G；IGBT芯片21的第一发射极211与FRD芯片22的阳极221通过电极引出片3的第二发射极31进行互连并引出至模块的发射极E。
由于功率半导体芯片2之间通过电极引出片3压接方式实现互连和电极引出，大大提高模块可靠性；同时不存在线长较大的引线，引线电感也相应降低、承受振动能力增强。另外，本发明提供的压接式功率半导体模块内，无需再灌注保护胶，能保证模块良好的散热性。
本发明中，金属板1既为本发明的功率半导体模块提供电流通路，也提供散热通路。优选情况下，金属板1的下表面还可设有散热器（附图中未示出），对金属板1进行散热，从而进一步提高本发明的功率半导体模块的散热性能。因此，本发明的功率半导体模块通过双面散热、双面通电流，能减小模块的热阻，增加模块的功率密度，同时还可减小模块内部的寄生参数，例如电阻和电感。
实施例二
为了更好地对功率半导体芯片2进行定位，本发明提供的功率半导体模块优选还含有第一弹性板4。如图10所示，第一弹性板4位于金属板1与功率半导体芯片2之间，用于对功率半导体芯片2进行定位。第一弹性板可采用耐高温绝缘橡胶或塑料板材。
第一弹性板4的结构如图7所示，第一弹性板4上设有芯片窗口41，该芯片窗口41内用于放置功率半导体芯片2，从而实现对功率半导体芯片2的定位和固定。
因此，本实施例提供的功率半导体模块，从下至上依次包括金属板1、第一弹性板4、功率半导体芯片2和电极引出片3。功率半导体芯片2穿过第一弹性板4上的芯片窗口41，其下表面电极（包括集电极210和阴极220）与金属板1接触。
本实施例的功率半导体模块的制备方法，可通过先将第一弹性板4固定于金属板1上，然后将功率半导体芯片2依次放置于第一弹性板4的芯片窗口41内，并与金属板1接触，即得到图8、9所示结构，然后再将电极引出片3压接在功率半导体芯片2上，使电极引出片3上的连接端子（包括第二发射极31和第二栅极32）与功率半导体芯片2的相应电极相连，封装完成后即可得到本实施例的功率半导体模块。
实施例三
作为本发明的一种优选实施方式，还可直接利用电极引出片3对功率半导体芯片2进行定位。如图11所示，电极引出片3的下表面上还可设有第二定位口33。通过第二定位口33的设置，电极引出片3既能对功率半导体芯片2进行定位，也能对模块内部的功率半导体芯片2之间进行互连并引出。本实施例中，由于电极引出片3上的第二定位口33具有对功率半导体芯片2进行定位的作用，因此无需再在金属板1上设置第一弹性板4。
因此，本实施例的功率半导体模块具有图11所示结构，从下至上依次包括金属板1、功率半导体芯片2和电极引出片3，电极引出片3上设有第二定位口33，用于对功率半导体芯片2进行定位。
实施例四
本发明的功率半导体模块中，若功率半导体芯片的厚度不同，作为本发明的一种优选实施方式，本实施例的功率半导体模块还包括第二弹性板5。如图12所示，第二弹性板5位于功率半导体芯片2与电极引出片3之间。从而，本发明中，可通过对第二弹性板5的厚度进行选择，保证对厚度不同的功率半导体芯片2均能与电极引出片3具有良好的接触。
第二弹性板5可采用与第一弹性板4相同的绝缘材料，也可不同。
由于第二弹性板5为绝缘材料，因此第二弹性板5上还穿设有带状线6，用于将功率半导体芯片2与电极引出片3相连。具体地，带状线6的一段与功率半导体芯片2的上表面的电极与电极引出片3上对应的连接端子相连，具体地，IGBT芯片21的第一发射极211、FRD芯片的阳极221分别通过带状线6与电极引出片3上的第二发射极31相连，IGBT芯片21的第一栅极212通过带状线6与电极引出片3上的第二栅极32相连。带状线6的数量可根据模块内功率半导体芯片2的数量进行选择。本发明中，优选采用良导体银带状线。
因此，本实施例的功率半导体模块具有图12所示结构，从下至上依次包括金属板1、功率半导体芯片2、第二弹性板5和电极引出片3，第二弹性板5上设有带状线6，用于将功率半导体芯片2与电极引出片3相连。
实施例五
本实施例的功率半导体模块的结构如图13所示，从下至上依次包括金属板1、第一弹性板4、功率半导体芯片2、第二弹性板5和电极引出片3，第二弹性板5上设有带状线6，用于将功率半导体芯片2与电极引出片3相连。
由于现有技术中用于封装的IGBT芯片厚度与FRD芯片的厚度常常会不同，并且为了在封装时更能容易对功率半导体芯片进行定位，因此本实施例中同时采用第一弹性板4和第二弹性板5，其中第一弹性板4用于对功率半导体芯片2进行定位，第二弹性板5用于保证不同厚度的功率半导体芯片2与电极引出片3具有良好的接触。
实施例六
对于不同厚度的功率半导体芯片，本发明还有另一种优选实施方式，用于保证各芯片与电极引出片均具有良好的接触。具体地，如图14所示，本实施例的功率半导体模块从下至上依次包括金属板1、功率半导体芯片2、第二弹性板5和电极引出片3；第二弹性板5上设有带状线6，用于将功率半导体芯片2与电极引出片3相连；第二弹性板5的下表面还设有第一定位口51，用于对功率半导体芯片2进行定位。
本实施例中，由于第二弹性板5下表面的第一定位口51的设置，因此无需再在金属板1上设置第一弹性板4。即第二弹性板5同时起到对功率半导体芯片2进行定位和确保不同厚度的功率半导体芯片2与电极引出片3具有良好接触的作用，能有效简化功率半导体模块的内部结构，缩小模块体积。
实施例七
本发明中，功率半导体模块为圆形或方形。例如，实施例二中所示功率半导体模块为圆形。本实施例中，功率半导体模块为方形，相应地，功率半导体模块中金属板1、第一弹性板4均为方形。金属板1、第一弹性板4与功率半导体芯片2的结构，如图15所示。
以上实施例仅为本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，所作出的若干改进，也应视为本发明的保护范围。 

Claims (6)

1.一种功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块从下至上依次包括金属板、若干个厚度不同的功率半导体芯片和电极引出片；所述金属板用于承载功率半导体芯片，并为功率半导体芯片提供电流通路，作为模块的集电极；电极引出片上设有连接端子，用于与功率半导体芯片连接以实现功率半导体芯片的互连；所述电极引出片为复合母排或多层印制电路板；
若干个厚度不同的功率半导体芯片与电极引出片之间设有第二弹性板；所述第二弹性板上穿设有带状线，用于将功率半导体芯片与电极引出片相连，所述第二弹性板的下表面设有第一定位口，用于对若干个厚度不同的功率半导体芯片进行定位。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体芯片为若干IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片上设有第一发射极、第一栅极和集电极，FRD芯片上设有阳极和阴极；IGBT芯片的集电极与FRD芯片的阴极相连，IGBT芯片的第一发射极与FRD芯片的阳极相连。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述IGBT芯片和FRD芯片均位于金属板上，IGBT芯片的集电极与金属板接触，FRD芯片的阴极与金属板接触。
4.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述电极引出片上的连接端子包括第二发射极和第二栅极，所述IGBT芯片的第一发射极与电极引出片的第二发射极相连，IGBT芯片的第一栅极与电极引出片的第二栅极相连，FRD芯片的阳极与电极引出片的第二发射极相连。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述金属板的下表面设有散热器。
6.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块为圆形或方形。
CN201110224016.7A 2011-08-05 2011-08-05 一种功率半导体模块 Active CN102244066B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110224016.7A CN102244066B (zh) 2011-08-05 2011-08-05 一种功率半导体模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110224016.7A CN102244066B (zh) 2011-08-05 2011-08-05 一种功率半导体模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102244066A CN102244066A (zh) 2011-11-16
CN102244066B true CN102244066B (zh) 2014-04-30

Family

ID=44962030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110224016.7A Active CN102244066B (zh) 2011-08-05 2011-08-05 一种功率半导体模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102244066B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102593111B (zh) * 2012-02-23 2014-12-31 株洲南车时代电气股份有限公司 Igbt模块及其制作方法
CN102881589B (zh) * 2012-09-24 2015-05-13 株洲南车时代电气股份有限公司 一种压接式igbt模块的制作方法及压接式igbt模块
CN103050448B (zh) * 2012-12-25 2015-10-21 浙江大学 母排型功率模块支架
CN103400831B (zh) * 2013-07-22 2016-04-20 国家电网公司 一种全压接igbt模块及其装配方法
CN103985686B (zh) * 2014-06-09 2016-10-12 株洲南车时代电气股份有限公司 一种igbt模块封装焊接结构
CN105375787B (zh) * 2014-08-28 2018-10-26 株洲南车时代电气股份有限公司 模块化功率端子平面连接装置
CN105450040B (zh) * 2014-08-28 2018-11-06 株洲南车时代电气股份有限公司 一种标准化功率模块单元
CN105679750B (zh) * 2014-11-19 2019-01-08 株洲南车时代电气股份有限公司 压接式半导体模块及其制作方法
US9620440B1 (en) * 2016-02-25 2017-04-11 Texas Instruments Incorporated Power module packaging with dual side cooling
DE102016206233A1 (de) * 2016-04-14 2017-10-19 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul mit einem Ga-Halbleiterschalter sowie Verfahren zu dessen Herstellung, Wechselrichter und Fahrzeugantriebsystem
CN107403795A (zh) * 2017-06-19 2017-11-28 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 一种功率半导体器件结构及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101946318A (zh) * 2008-02-14 2011-01-12 三菱重工业株式会社 半导体元件模块及其制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1179626A (zh) * 1996-09-05 1998-04-22 国际整流器公司 一种改进的表面封装的大功率半导体封壳及其制造方法
CN1254443A (zh) * 1997-03-26 2000-05-24 株式会社日立制作所 扁平型半导体装置和使用该装置的电力变换装置
CN100527394C (zh) * 2005-12-14 2009-08-12 新光电气工业株式会社 芯片内置基板和芯片内置基板的制造方法
JP4471967B2 (ja) * 2006-12-28 2010-06-02 株式会社ルネサステクノロジ 双方向スイッチモジュール
CN201185187Y (zh) * 2008-03-15 2009-01-21 四川立泰电子有限公司 大功率小封装三极管
CN101728366A (zh) * 2008-10-22 2010-06-09 先进开发光电股份有限公司 光电元件封装模块及其制造方法
JP5500936B2 (ja) * 2009-10-06 2014-05-21 イビデン株式会社 回路基板及び半導体モジュール
CN101890605B (zh) * 2010-07-08 2014-01-08 株洲南车时代电气股份有限公司 一种功率半导体芯片焊接装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101946318A (zh) * 2008-02-14 2011-01-12 三菱重工业株式会社 半导体元件模块及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102244066A (zh) 2011-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102244066B (zh) 一种功率半导体模块
US10943845B2 (en) Three-dimensional packaging structure and packaging method of power devices
CN203850295U (zh) 逆变器igbt模块封装结构
CN112701095B (zh) 一种功率芯片堆叠封装结构
CN105914185A (zh) 一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法
CN102254886A (zh) 一种免引线键合igbt模块
CN105514095A (zh) 一种凸台高度可变的压接式igbt模块
CN104966704A (zh) 一种低热阻的压接式功率器件封装
CN109428498A (zh) 组件结构、功率模块及功率模块组装结构
WO2020215737A1 (zh) 一种功率器件封装结构及其方法
CN110265385B (zh) 一种功率器件的封装结构及其制造方法
CN105931998B (zh) 一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块
CN204792757U (zh) 低热阻的压接式功率器件封装
CN108281406B (zh) 一种功率器件封装结构及其制造方法
CN110620094A (zh) 一种功率半导体器件的封装结构及其封装工艺
CN113725199B (zh) 一种低电感压接型半导体模块
CN104052244B (zh) 功率模块
CN214411191U (zh) 一种串联式的大功率二极管
US20170324406A1 (en) Bridge leg circuit assembly and full-bridge circuit assembly
CN210223999U (zh) 一种功率模块及其车辆
CN201584408U (zh) 一种功率模块
CN215644461U (zh) 一种功率模块及电子设备
CN218482234U (zh) 功率半导体器件封装结构
CN219476670U (zh) 功率芯片模块
CN218568833U (zh) 功率模块及车辆

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: The age of 412001 in Hunan Province, Zhuzhou Shifeng District Road No. 169

Patentee after: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC Co.,Ltd.

Address before: 412001 Hunan Province, Zhuzhou Shifeng District Tian Xin era Road No. 169

Patentee before: ZHUZHOU CSR TIMES ELECTRIC Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201020

Address after: 412001 Room 309, floor 3, semiconductor third line office building, Tianxin hi tech park, Shifeng District, Zhuzhou City, Hunan Province

Patentee after: Zhuzhou CRRC times Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: The age of 412001 in Hunan Province, Zhuzhou Shifeng District Road No. 169

Patentee before: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC Co.,Ltd.