CN219066811U - 一种单基岛二极管 - Google Patents

Abstract

一种单基岛二极管，其包括外部设置的壳体，壳体底端设置的基座以及基座顶端封装的封盖，还包括第一阴极端子、第四阳极引线和封装芯片，所述壳体的一侧分别嵌入设置有第一阴极端子、第二阴极端子、第三阴极端子和第二阴极输入端子，壳体的另一侧分别嵌入设置有第一阳极端子、第二阳极端子、第三阳极端子和第四阳极端子，基座的内部对称封装有两个封装芯片，基座顶部的封装芯片的一侧连接有第一阴极引线和第二阴极引线，本实用新型结构新颖，构思巧妙，可用于不同腿长的训练者训练使用，同时可根据需要选择相应的训练强度，适用性强。

Description

一种单基岛二极管

技术领域

本实用新型涉及二极管，具体为一种单基岛二极管。

背景技术

二极管，(英语：Diode)，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向压降)，反向时阻断(称为逆向耐压)。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。

现有的单基岛二极管散热面体积偏小、同一封装尺寸内封入一个芯片，功率受限，不利于使用。

实用新型内容

针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本实用新型提供一种单基岛二极管，有效的解决了现有的单基岛二极管散热面体积偏小、同一封装尺寸内封入一个芯片，功率受限，不利于使用的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：本实用新型包括外部设置的壳体，壳体底端设置的基座以及基座顶端封装的封盖，还包括第一阴极端子、第二阴极端子、第三阴极端子、第一阳极端子、第二阳极端子、第三阳极端子、第四阳极端子、第一阴极引线、第二阴极引线、第三阴极引线、第一阳极引线、第二阳极引线、第三阳极引线、第四阳极引线和封装芯片，所述壳体的一侧分别嵌入设置有第一阴极端子、第二阴极端子、第三阴极端子，壳体的另一侧分别嵌入设置有第一阳极端子、第二阳极端子、第三阳极端子和第四阳极端子，基座的内部封装有一个二极管芯片，基座顶部的封装芯片的一侧连接有第一阴极引线、第二阴极引线和第三阴极引线，基座顶部的封装芯片的另一侧连接有第一阳极引线、第二阳极引线、第三阳极引线和第四阳极引线。

优选的，所述第一阴极引线与第一阴极端子连接，第二阴极引线与第二阴极端子连接。

优选的，所述第三阴极引线与第三阴极端子连接。

优选的，所述第一阳极引线与第一阳极端子连接，第二阳极引线与第二阳极端子连接。

优选的，所述第三阳极引线与第三阳极端子连接，第四阳极引线与第四阳极端子连接。

优选的，所述第一阴极端子、第二阴极端子和第三阴极端子的长度在0.48mm-0.68mm。

有益效果：本实用新型使用时，同一封装尺寸的基座内封装有一个较大的二极管芯片，加大散热面积，同一封装尺寸内，封入了一个较大的芯片，散热效果非常好，功率密度加大，提高运算能力。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型整体结构示意图；

图2是本实用新型内部结构示意图；

图3是本实用新型主视图；

图中标号：1、壳体；2、基座；3、封盖；4、第一阴极端子；5、第二阴极端子；6、第一阳极端子；7、第二阳极端子；8、第三阴极端子；10、第三阳极端子；11、第四阳极端子；12、第一阴极引线；13、第二阴极引线；14、第一阳极引线；15、第二阳极引线；16、第三阴极引线；18、第三阳极引线；19、第四阳极引线；20、封装芯片。

具体实施方式

下面结合附图1-3对本实用新型的具体实施方式做进一步详细说明。

实施例一，由图1-3给出，本实用新型提供一种单基岛二极管，包括外部设置的壳体1，壳体1底端设置的基座2以及基座2顶端封装的封盖3，还包括第一阴极端子4、第二阴极端子5、第一阳极端子6、第二阳极端子7、第三阴极端子8、第三阳极端子10、第四阳极端子11、第一阴极引线12、第二阴极引线13、第一阳极引线14、第二阳极引线15、第三阴极引线16、第三阳极引线18、第四阳极引线19和封装芯片20，壳体1的一侧分别嵌入设置有第一阴极端子4、第二阴极端子5和第三阴极端子8，壳体1的另一侧分别嵌入设置有第一阳极端子6、第二阳极端子7、第三阳极端子10和第四阳极端子11，基座2的内部封装有一个基岛，基岛内封装有一个较大的二极管芯片20，基座2顶部的封装芯片20的一侧连接有第一阴极引线12和第二阴极引线13，基座2顶部的封装芯片20的另一侧连接有第一阳极引线14和第二阳极引线15，基座2底部的封装芯片20的一侧连接有第三阴极引线16，基座2底部的封装芯片20的另一侧连接有第三阳极引线18和第四阳极引线19。

第一阴极引线12与第一阴极端子4连接，第二阴极引线13与第二阴极端子5连接，便于配合连接使用。

第一阳极引线14与第一阳极端子6连接，第二阳极引线15与第二阳极端子7连接，便于配合连接使用。

第三阴极引线16与第三阴极端子8连接，便于配合连接使用。

第三阳极引线18与第三阳极端子10连接，第四阳极引线19与第四阳极端子11连接，便于配合连接使用。

第一阴极端子4、第二阴极端子5和第三阴极端子8的长度在0.48mm-0.68mm，便于使用。

有益效果：本实用新型使用时，同一封装尺寸的基座2内封装有一个较大的二极管芯片20，加大散热面积，同一封装尺寸内，封入了一个较大的二极管芯片，功率密度加大，提高运算能力。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种单基岛二极管，包括外部设置的壳体（1），壳体（1）底端设置的基座（2）以及基座（2）顶端封装的封盖（3），其特征在于：还包括第一阴极端子（4）、第二阴极端子（5）、第三阴极端子（8）、第一阳极端子（6）、第二阳极端子（7）、第三阳极端子（10）、第四阳极端子（11）、第一阴极引线（12）、第二阴极引线（13）、第三阴极引线（16）、第一阳极引线（14）、第二阳极引线（15）、第三阳极引线（18）、第四阳极引线（19）和封装芯片（20），所述壳体（1）的一侧分别嵌入设置有第一阴极端子（4）、第二阴极端子（5）和第三阴极端子（8），壳体（1）的另一侧分别嵌入设置有第一阳极端子（6）、第二阳极端子（7）、第三阳极端子（10）和第四阳极端子（11），基座（2）的内部封装有一个基岛，基岛内封装有一个封装芯片（20），基座（2）顶部的封装芯片（20）的一侧连接有第一阴极引线（12）、第二阴极引线（13）和第三阴极引线（16），基座（2）顶部的封装芯片（20）的另一侧连接有第一阳极引线（14）、第二阳极引线（15）、第三阴极引线（16）和第四阳极引线（19）。

2.根据权利要求1所述的一种单基岛二极管，其特征在于，所述第一阴极引线（12）与第一阴极端子（4）连接，第二阴极引线（13）与第二阴极端子（5）连接。

3.根据权利要求1所述的一种单基岛二极管，其特征在于，所述第三阴极引线（16）与第三阴极端子（8）连接。

4.根据权利要求1所述的一种单基岛二极管，其特征在于，所述第一阳极引线（14）与第一阳极端子（6）连接，第二阳极引线（15）与第二阳极端子（7）连接。

5.根据权利要求1所述的一种单基岛二极管，其特征在于，所述第三阳极引线（18）与第三阳极端子（10）连接，第四阳极引线（19）与第四阳极端子（11）连接。

6.根据权利要求1所述的一种单基岛二极管，其特征在于，所述第一阴极端子（4）、第二阴极端子（5）和第三阴极端子（8）的长度在0.48mm-0.68mm。

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