CN111710665A - 一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 - Google Patents
一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111710665A CN111710665A CN202010666462.2A CN202010666462A CN111710665A CN 111710665 A CN111710665 A CN 111710665A CN 202010666462 A CN202010666462 A CN 202010666462A CN 111710665 A CN111710665 A CN 111710665A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- voltage
- series
- module
- doubling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- GVVPGTZRZFNKDS-JXMROGBWSA-N geranyl diphosphate Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C\CO[P@](O)(=O)OP(O)(O)=O GVVPGTZRZFNKDS-JXMROGBWSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 101150077760 SOP4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
- H02M7/10—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode arranged for operation in series, e.g. for multiplication of voltage
- H02M7/103—Containing passive elements (capacitively coupled) which are ordered in cascade on one source
- H02M7/106—With physical arrangement details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种倍压整流模块，属于半导体电子器件领域，其特征在于，包括多个焊盘及至少两个串联连接的芯片组，每个芯片组由第一芯片和第二芯片串联而成，所述第一芯片采用P型衬底二极管芯片，第二芯片采用N型衬底二极管芯片；所述芯片组集成于具有多个引脚的封装体内，所述第一芯片和第二芯片通过相关焊盘与所述封装体的相关引脚相连接，所述串联连接的芯片组沿电流方向依次命为第N芯片组、第N+1芯片组，其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘；本发明集成N型衬底和P型衬底芯片与一体，可以实现从3倍压到N倍压的整流，更进一步实现模块的扁平式封装，产品小型化。
Description
技术领域
本发明涉及半导体电子器件技术领域，具体涉及一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路。
背景技术
在交流或直流的高压电路变换中。通常会把低压的直流电（电池供电方式）或交流电整流滤波后的直流电，通过自激震荡电路，由高压变压器把电压升高，变换成高频、高压交流电，再经过整流输出高压直流电。但往往这个电压远达不到最终是使用要求，还需要继续升高电压，变成超高压直流电，这就还需要进行倍压整流，如图1-图5所示的倍压整流电路。
现有的倍压整流电路方式通常会采用3个以上的高压整流二极管，加上N个高压电容组成，且采用的每个高压二极通常会由2-3个芯片组成，这种高压二极管通常采用了酸洗工艺，工艺中采用了大量的强酸，污染严重。
随着集成电路生产工艺的发展，电子产品对小型化、集成化、可靠性以及绿色环保要求越来越高。现有高压技术中仍采用分立的多个器件进行倍压整流，而且，作为关键的高压二极管，采用酸洗工艺，满足不了对环保的要求。这样就势必造成电路板的体积以及成本不能很好的得以控制，影响了整个产品的竞争力以及广泛应用，集成化程度不高，影响了电路的小型化。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种集成N型衬底和P型衬底芯片的倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路，可以实现从3倍压到N倍压的整流，更进一步实现模块的扁平式封装，产品小型化，使用方便，安装方便，使用可靠，性价比高。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种倍压整流模块，其特征在于，包括多个焊盘及至少两个串联连接的芯片组，每个芯片组由第一芯片和第二芯片串联而成，所述第一芯片采用P型衬底二极管芯片，第二芯片采用N型衬底二极管芯片；所述芯片组集成于具有多个引脚的封装体内，所述第一芯片和第二芯片通过相关焊盘与所述封装体的相关引脚相连接，所述串联连接的芯片组沿电流方向依次命为第N芯片组、第N+1芯片组，其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘。
进一步的，所述第一芯片采用玻璃钝化GPP芯片、光阻钝化芯片、外延平面二极管芯片、电性普通高压二极管芯片（V ZR＞1000V）或高压开关二极管芯片（T RR≤500ns）。
进一步的，同一芯片组中的第一芯片与第二芯片之间通过其正面采用金属引线相连。
更进一步的，所述金属引线采用硅铝丝、粗铝线、金线或铜线。
进一步的，所述倍压整流模块的芯片组数量设为3、4、5或6，当所述倍压整流模块设有三个芯片组时，其中至少两芯片组为串联连接。
更进一步的，当所述倍压整流模块设有三个芯片组且其中两芯片组为串联连接时，另一芯片组独立于该两芯片组地设于封装体内。
进一步的，所述封装体采用4引脚、7引脚或16引脚封装结构。
进一步的，相邻芯片组之间引出有效输出端子。
更进一步的，与第一芯片或第二芯片相连的相关焊盘与封装体的相关引脚相连接，且该引脚作为倍压整流模块的有效输出端子。
及一种倍压整流电路，其特征在于，采用如上所述的倍压整流模块及若干高压电容，倍压整流模块的有效输出端子与高压电容组成递增回路，把交流电压逐级推举升高，实现多倍压整流。
本发明的有益效果是：本发明通过将P型衬底和N型衬底串联组合形成芯片组，多个如上芯片组进行串联形成连接回路，并在相邻芯片组之间引出端子，实现多芯片组合的多倍压整流模块，进而实现对高压电路输出的倍压整流；通过上述设计实现了模块的扁平式封装，集成度大大提高，产品小型化，使用方便，安装方便，使用可靠，性价比高。本发明以简单可靠的方式应用于AC/DC-DC高压变换电路中。根据不同应用可以实现从3倍压到N倍压的整流，例如电蚊拍、负离子发生器（空气净化）、臭氧发生器（消毒）、微波炉等电路中，具有广泛的市场价值。
附图说明
图1是现有技术的三倍压整流电路图；
图2是现有技术的三倍压整流电路图；
图3是现有技术的四倍压整流电路图；
图4是现有技术的五倍压整流电路图；
图5是现有技术的六倍压整流电路图；
图6是本发明实施例的三倍压整流模块结构示意图；
图7是本发明实施例的三倍压整流模块的应用电路连接示意图；
图8是本发明另一实施例的三倍压整流模块结构示意图；
图9是本发明另一实施例的三倍压整流模块的应用电路连接示意图；
图10是本发明实施例的四倍压整流模块结构示意图；
图11是本发明实施例的四倍压整流模块的应用电路连接示意图；
图12是本发明实施例的五倍压整流模块结构示意图；
图13是本发明实施例的五倍压整流模块的应用电路连接示意图；
图14是本发明实施例的六倍压整流模块结构示意图；
图15是本发明实施例的六倍压整流模块的应用电路连接示意图；
图中：1、3、5、7、9、11.第一芯片，2、4、6、8、10、12.第二芯片，13、14、15、16、17、18、19.金属框架基岛，20.金属引线，21.封装体。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实施例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
实施例1
如图6所示，本实施例针对倍压整流电路中使用多颗分立的高压二极管进行组合，将6颗高压二极管芯片分成3个芯片组，每组2颗串联，组成一个三倍压整流回路，集成在一个封装内，封装体内包含有4个可焊接芯片的铜框架（PAD）,以及多条金属引线；其中，第1芯片与第2芯片、第3芯片与第4芯片、第5芯片与第6芯片，形成串联结构，每组串联的芯片由一个P型衬底的二极管芯片和一个N型二极管芯片组成，分别焊接到4个焊盘基岛上；对外有4个输出端子。
具体地，封装体内部有6个二极管芯片，3个P型衬底结构芯片（1，3，5），三个N型衬底芯片（2，4，6），分别焊接到4个金属框架基岛上（13，14，15，16），芯片1和芯片2为一芯片组，芯片3和芯片4为一芯片组，芯片5和芯片5为一芯片组，共有4个基岛焊盘（PAD），其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘，即如图6中芯片4与芯片5共焊盘，芯片6与芯片1共焊盘；芯片正面以金属引线连接（20#-3,6），此引线工艺为超声键合、金丝球焊以及激光焊接,材质上兼容硅铝丝、粗铝线、金线以及铜线，对本模块1共有3条或6条内部引线设计，模块采用环氧树脂塑封。
其封装形式采用SOP4,四引脚扁平封装结构，应用于3倍压整流电路，见图7，适合电路图1原理应用。
实施例2
如图8所示，本实施例针对倍压整流电路中使用多颗分立的高压二极管进行组合，将6颗高压二极管芯片分成3个芯片组，每组2颗串联，组成一个三倍压整流回路，集成在一个封装体内，封装体内包含有5个可焊接芯片的铜框架（PAD）,以及多条金属引线；其中，第1芯片与第2芯片、第3芯片与第4芯片形成串联结构，第5芯片与第6芯片串联并独立于上述四个芯片地设于封装体内，每组串联的芯片由一个P型衬底的二极管芯片和一个N型二极管芯片组成，分别焊接到5个焊盘基岛上；对外有5个有效输出端子。
具体地，封装体内部有6个二极管芯片，3个P型衬底结构芯片（1，3，5），三个N型衬底芯片（2，4，6），分别焊接到5个金属框架基岛上（13，14，15，16，17），共有5个基岛焊盘（PAD），其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘，即图8中所示的芯片4与芯片5共焊盘；芯片正面以金属引线连接（20#-3条或6条），此引线工艺为超声键合、金丝球焊以及激光焊接,材质上兼容硅铝丝、粗铝线、金线以及铜线，对本模块2共有3条或6条内部引线设计；模块采用环氧树脂塑封7引脚封装结构，其中2引脚为空脚，封装引脚数不局限于7引脚，根据需要允许采用其它数量的引脚。本实施例应用于3倍压整流电路，见图9，适合电路图2原理应用。
实施例3
如图10所示，本实施例针对倍压整流电路中使用多颗分立的高压二极管进行组合，将8颗高压二极管芯片分成4个芯片组，每组2颗串联，组成一个四倍压整流回路，集成在一个封装内，封装体内包含有6个可焊接芯片的铜框架（PAD）,以及多条金属引线；其中，第1芯片与第2芯片、第3芯片与第4芯片、第5芯片与第6芯片，第7芯片与第8芯片形成串联结构，每组串联的芯片由一个P型衬底的二极管芯片和一个N型二极管芯片组成，分别焊接到5个焊盘基岛上；对外有5个有效输出端子。
具体地，封装体内部有8个二极管芯片，4个P型衬底结构芯片（1，3，5，7），4个N型衬底芯片（2，4，6，8）；分别焊接到5个金属框架基岛上（13，14，16，17，18），共有6个基岛焊盘（PAD），其中一个为空，其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘，即图10中所示的芯片8与芯片5共焊盘，芯片6与芯片3共焊盘，芯片4与芯片1共焊盘；芯片正面以金属引线连接（20#-4条或8条），此引线工艺为超声键合、金丝球焊以及激光焊接,材质上兼容硅铝丝、粗铝线、金线以及铜线，对本模块3共有4条或8条内部引线设计；模块采用环氧树脂塑封16引脚封装结构，其中11个引脚为空脚，封装引脚数不局限于16引脚，根据需要允许采用其它数量的引脚。本实施例应用于4倍压整流电路，见图11，适合电路图3原理应用。
实施例4
如图12所示，本实施例针对倍压整流电路中使用多颗分立的高压二极管进行组合，将10颗高压二极管芯片分成5个芯片组，每组2颗串联，组成一个五倍压整流回路，集成在一个封装内，封装体内包含有6个可焊接芯片的铜框架（PAD）,以及多条金属引线；其中，第1芯片与第2芯片、第3芯片与第4芯片、第5芯片与第6芯片，第7芯片与第8芯片，第9芯片与第10芯片形成串联结构，每组串联的芯片由一个P型衬底的二极管芯片和一个N型二极管芯片组成，分别焊接到6个焊盘基岛上；对外有6个有效输出端子。
具体地，封装体内部有10个二极管芯片，5个P型衬底结构芯片（1，3，5，7，9），5个N型衬底芯片（2，4，6，8，10）；分别焊接到6个金属框架基岛上（13，14，15，16，17，18），共有6个基岛焊盘（PAD），其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘，即图12中所示的芯片10与芯片7共焊盘，芯片8与芯片5共焊盘，芯片6与芯片3共焊盘，芯片4与芯片1共焊盘；芯片正面以金属引线连接（20#-5条或10条），此引线工艺为超声键合、金丝球焊以及激光焊接,材质上兼容硅铝丝、粗铝线、金线以及铜线，对本模块4共有5条或10条内部引线设计；模块采用环氧树脂塑封16引脚封装结构，其中10个引脚为空脚，封装引脚数不局限于16引脚，根据需要允许采用其它数量的引脚。本实施例应用于5倍压整流电路，见图13，适合电路图4原理应用。
实施例5
如图14所示，本实施例针对倍压整流电路中使用多颗分立的高压二极管进行组合，将12颗高压二极管芯片分成6个芯片组，每组2颗串联，组成一个六倍压整流回路，集成在一个封装内，封装体内包含有6个可焊接芯片的铜框架（PAD）,以及多条金属引线；其中，第1芯片与第2芯片、第3芯片与第4芯片、第5芯片与第6芯片、第7芯片与第8芯片、第9芯片与第10芯片、第11芯片与第12芯片形成串联结构，每组串联的芯片由一个P型衬底的二极管芯片和一个N型二极管芯片组成，分别焊接到7个焊盘基岛上；对外有7个有效输出端子。
具体地，封装体内部有12个二极管芯片，6个P型衬底结构芯片（1，3，5，7，9，11），6个N型衬底芯片（2，4，6，8，10，12）；分别焊接到7个金属框架基岛上（13，14，15，16，17，18，19），共有7个基岛焊盘（PAD），其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘，即图14中所示的芯片12与芯片9共焊盘，芯片10与芯片7共焊盘，芯片8与芯片5共焊盘，芯片6与芯片3共焊盘，芯片4与芯片1共焊盘；芯片正面以金属引线连接（20#-6条或12条），此引线工艺为超声键合、金丝球焊以及激光焊接,材质上兼容硅铝丝、粗铝线、金线以及铜线，对本模块5共有6条或12条内部引线设计；模块采用环氧树脂塑封16引脚封装结构，其中9个引脚为空脚，封装引脚数不局限于16引脚，根据需要允许采用其它数量的引脚。本实施例应用于6倍压整流电路，见图15，适合电路图5原理应用。
上述实施例中，所有模块集成的1、3、5、7、9、11号芯片为以P型衬底做成二极管芯片，所有模块集成的2、4、6、8、10、12号芯片为以N型衬底做成二极管芯片；
模块组内二极管芯片每2个组成一个倍压整流单元，每个单元均由一个P型衬底二极管与一个N型衬底二极管串联；
对芯片工艺以及结构类型：玻璃钝化GPP工艺、光阻钝化工艺、外延平面工艺；电性普通高压二极管（V ZR＞1000V），高压开关二极管芯片（T RR≤500ns）。
上述实施例提供了多种倍压整流模块，其封装体包括了4引脚，7引脚以及16引脚封装，以实现不同的倍压整流方式，但封装引脚数以及串并联组数不仅局限于上述实施例。考虑到倍压整流的灵活性，多基岛焊盘设计，即保证了电路使用的灵活性，又保证了倍压整流电路的绝缘性。
本发明模块电路每两颗不同衬底的高压二极管芯片组成一个单元组，其每个单元组二极管击穿电压可以达到4000V以上；单元组之间设计成顺向串联（由于应用需要实施例2的三倍压整流电路中设计有一个独立的单元组）；单元组之间设计了引出端子（引脚），引脚与外接的高压电容组成递增回路，把交流电压逐级推举升高，实现了多倍压整流。
本发明实现了单个模块就可以组成多倍压整流方式，相对于现有技术，组合电路中的整流二极管芯片被内置到了模块组中，而不再是分立的单一器件，在不提高成本的情况下集成度大大提高，具有更好的性价比，特别适合于对电源板体积和成本有较高要求的电蚊拍，负离子发生器（空气净化）、臭氧发生器（消毒）、微波炉等电路中，具有广泛的市场价值。。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种倍压整流模块，其特征在于，包括多个焊盘及至少两个串联连接的芯片组，每个芯片组由第一芯片和第二芯片串联而成，所述第一芯片采用P型衬底二极管芯片，第二芯片采用N型衬底二极管芯片；所述芯片组集成于具有多个引脚的封装体内，所述第一芯片和第二芯片通过相关焊盘与所述封装体的相关引脚相连接，所述串联连接的芯片组沿电流方向依次命为第N芯片组、第N+1芯片组，其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘。
2.根据权利要求1所述的倍压整流模块，其特征在于，所述第一芯片采用玻璃钝化GPP芯片、光阻钝化芯片、外延平面二极管芯片、电性普通高压二极管芯片或高压开关二极管芯片。
3.根据权利要求1所述的倍压整流模块，其特征在于，同一芯片组中的第一芯片与第二芯片之间通过其正面采用金属引线相连。
4.根据权利要求3所述的倍压整流模块，其特征在于，所述金属引线采用硅铝丝、粗铝线、金线或铜线。
5.根据权利要求1所述的倍压整流模块，其特征在于，所述倍压整流模块的芯片组数量设为3、4、5或6，当所述倍压整流模块设有三个芯片组时，其中至少两芯片组为串联连接。
6.根据权利要求5所述的倍压整流模块，其特征在于，当所述倍压整流模块设有三个芯片组且其中两芯片组为串联连接时，另一芯片组独立于该两芯片组地设于封装体内。
7.根据权利要求1所述的倍压整流模块，其特征在于，所述封装体采用4引脚、7引脚或16引脚封装结构。
8.根据权利要求1所述的倍压整流模块，其特征在于，相邻芯片组之间引出有效输出端子。
9.根据权利要求1所述的倍压整流模块，其特征在于，与第一芯片或第二芯片相连的相关焊盘与封装体的相关引脚相连接，且该引脚作为倍压整流模块的有效输出端子。
10.一种倍压整流电路，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的倍压整流模块及若干高压电容，倍压整流模块的有效输出端子与高压电容组成递增回路，把交流电压逐级推举升高，实现多倍压整流。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010666462.2A CN111710665A (zh) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010666462.2A CN111710665A (zh) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111710665A true CN111710665A (zh) | 2020-09-25 |
Family
ID=72545535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010666462.2A Pending CN111710665A (zh) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111710665A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112290910A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-29 | 云南电网有限责任公司临沧供电局 | 一种用于配变低压侧脉冲注入故障定位的倍压三角脉冲源电路 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1379835A1 (ru) * | 1986-04-29 | 1988-03-07 | Предприятие П/Я Г-4294 | Высоковольтный умножитель напр жени |
| US7180135B1 (en) * | 2003-10-06 | 2007-02-20 | George Mason Intellectual Properties, Inc. | Double gate (DG) SOI ratioed logic with intrinsically on symmetric DG-MOSFET load |
| JP2007189792A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止型ダイオード |
| CN201504312U (zh) * | 2009-09-08 | 2010-06-09 | 先歌国际影音股份有限公司 | 一种扬声器及其发音装置 |
| CN203859113U (zh) * | 2014-04-17 | 2014-10-01 | 深圳麦格米特电气股份有限公司 | 一种微波炉用高压二极管 |
| CN204376739U (zh) * | 2014-12-04 | 2015-06-03 | 安徽工程大学 | 一种基于pwm的微型高压电源 |
| CN104917405A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-16 | 华为技术有限公司 | 用于可控硅的驱动电路以及交流模块的电路 |
| CN106849711A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-06-13 | 北京工业大学 | 一种适用于人体植入式无源uhf芯片的双输出整流电路 |
| US20180183429A1 (en) * | 2016-12-28 | 2018-06-28 | Sirectifier Electronic Co., Ltd. | Integrated series schottky diode rectifier |
| CN207676903U (zh) * | 2017-08-07 | 2018-07-31 | 捷捷半导体有限公司 | 一种双芯片横向串联型高耐压表面贴装的二极管封装结构 |
| CN110417283A (zh) * | 2019-07-27 | 2019-11-05 | 山东晶导微电子股份有限公司 | 电源模块 |
| CN110855153A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-02-28 | 南京汇凯顺电子科技有限公司 | 一种半桥拓扑高压静电电源 |
| CN210805764U (zh) * | 2019-11-15 | 2020-06-19 | 华润矽威科技（上海）有限公司 | 合封整流桥的封装结构及电源模组 |
| CN212182321U (zh) * | 2020-07-13 | 2020-12-18 | 山东晶导微电子股份有限公司 | 一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 |
-
2020
- 2020-07-13 CN CN202010666462.2A patent/CN111710665A/zh active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1379835A1 (ru) * | 1986-04-29 | 1988-03-07 | Предприятие П/Я Г-4294 | Высоковольтный умножитель напр жени |
| US7180135B1 (en) * | 2003-10-06 | 2007-02-20 | George Mason Intellectual Properties, Inc. | Double gate (DG) SOI ratioed logic with intrinsically on symmetric DG-MOSFET load |
| JP2007189792A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止型ダイオード |
| CN201504312U (zh) * | 2009-09-08 | 2010-06-09 | 先歌国际影音股份有限公司 | 一种扬声器及其发音装置 |
| CN203859113U (zh) * | 2014-04-17 | 2014-10-01 | 深圳麦格米特电气股份有限公司 | 一种微波炉用高压二极管 |
| CN204376739U (zh) * | 2014-12-04 | 2015-06-03 | 安徽工程大学 | 一种基于pwm的微型高压电源 |
| CN104917405A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-16 | 华为技术有限公司 | 用于可控硅的驱动电路以及交流模块的电路 |
| US20180183429A1 (en) * | 2016-12-28 | 2018-06-28 | Sirectifier Electronic Co., Ltd. | Integrated series schottky diode rectifier |
| CN106849711A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-06-13 | 北京工业大学 | 一种适用于人体植入式无源uhf芯片的双输出整流电路 |
| CN207676903U (zh) * | 2017-08-07 | 2018-07-31 | 捷捷半导体有限公司 | 一种双芯片横向串联型高耐压表面贴装的二极管封装结构 |
| CN110417283A (zh) * | 2019-07-27 | 2019-11-05 | 山东晶导微电子股份有限公司 | 电源模块 |
| CN210327398U (zh) * | 2019-07-27 | 2020-04-14 | 山东晶导微电子股份有限公司 | 电源模块 |
| CN210805764U (zh) * | 2019-11-15 | 2020-06-19 | 华润矽威科技（上海）有限公司 | 合封整流桥的封装结构及电源模组 |
| CN110855153A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-02-28 | 南京汇凯顺电子科技有限公司 | 一种半桥拓扑高压静电电源 |
| CN212182321U (zh) * | 2020-07-13 | 2020-12-18 | 山东晶导微电子股份有限公司 | 一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112290910A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-29 | 云南电网有限责任公司临沧供电局 | 一种用于配变低压侧脉冲注入故障定位的倍压三角脉冲源电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20120193772A1 (en) | Stacked die packages with flip-chip and wire bonding dies | |
| TWI397156B (zh) | 多晶片直流－直流升壓功率變換器的有效力封裝結構 | |
| US8188596B2 (en) | Multi-chip module | |
| US20230037158A1 (en) | Semiconductor module | |
| CN210327397U (zh) | 电源模块 | |
| CN220341219U (zh) | 一种基于陶瓷覆铜基板布局的低寄生电感功率封装模块 | |
| CN212182321U (zh) | 一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 | |
| US6791172B2 (en) | Power semiconductor device manufactured using a chip-size package | |
| CN111710665A (zh) | 一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路 | |
| CN216145614U (zh) | 智能功率模块 | |
| CN110416200A (zh) | 一种功率模块封装结构及制作方法 | |
| CN107527899B (zh) | 功率组件、功率组件的制造方法及氮化镓智能功率模块 | |
| CN210805764U (zh) | 合封整流桥的封装结构及电源模组 | |
| CN210405108U (zh) | 恒压源电路 | |
| CN212461690U (zh) | 一种tvs抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块 | |
| CN213906999U (zh) | 一种电源模组及其芯片封装结构 | |
| CN108807306B (zh) | 一种带输入保护的电源功率模块结构 | |
| CN111584452A (zh) | 引线框架、集成芯片结构及电源模块 | |
| CN111564425A (zh) | 集成芯片结构、引线框架、电源模块 | |
| US20080251859A1 (en) | Semiconductor Module | |
| CN110635694A (zh) | 集成式电源模块 | |
| CN201657457U (zh) | 小功率单向全波桥式整流器 | |
| CN221304684U (zh) | GaN功率器件 | |
| JP3947669B2 (ja) | 半導体構成部品 | |
| CN220627805U (zh) | 一种dpim功率半导体全桥模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |