CN209804633U - 一种散热效果好的二极管 - Google Patents

一种散热效果好的二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN209804633U
CN209804633U CN201920981799.5U CN201920981799U CN209804633U CN 209804633 U CN209804633 U CN 209804633U CN 201920981799 U CN201920981799 U CN 201920981799U CN 209804633 U CN209804633 U CN 209804633U
Authority
CN
China
Prior art keywords
plastic
pin
diode
sealed body
frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201920981799.5U
Other languages
English (en)
Inventor
燕云峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan New Aviation Electronics Co Ltd
Original Assignee
Dongguan New Aviation Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan New Aviation Electronics Co Ltd filed Critical Dongguan New Aviation Electronics Co Ltd
Priority to CN201920981799.5U priority Critical patent/CN209804633U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN209804633U publication Critical patent/CN209804633U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种散热效果好的二极管,涉及二极管技术领域,包括芯片,封装芯片的塑封体,芯片的正极分别连接有焊片,焊片封装于塑封体内,焊片一端连接有第一引脚和第二引脚,第一引脚和第二引脚一端封装于塑封体内,另一端伸出塑封体,塑封体上设有框架,框架与塑封体固定连接。本实用新型的塑封体上设有框架,采用金属封装的方式对框架进行封装,从而提高了二极管的散热性能,同时塑封体由低应力塑料所制成,从而塑封体所承受的拉力更大,强度更强。

Description

一种散热效果好的二极管
技术领域
本实用新型涉及二极管技术领域,具体是一种散热效果好的二极管。
背景技术
二极管是最常用的电子元件之一,二极管最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管正极流向负极,二极管具有整流电路、检波电路和稳压电路的功能,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的。二极管在整流过程中会产生热量,长时间工作温度升高明显,大电流工作也会使温度明显升高,影响二极管的性能和使用寿命。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种散热效果好的二极管,具有散热效果好和使用寿命长的有益效果,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种散热效果好的二极管,包括芯片,封装芯片的塑封体,芯片的正极分别连接有焊片,焊片封装于塑封体内,焊片一端连接有第一引脚和第二引脚,第一引脚和第二引脚一端封装于塑封体内,另一端伸出塑封体,塑封体上设有框架,框架与塑封体固定连接。
作为本实用新型再进一步的方案:芯片与焊片通过焊料焊接,焊片与第一引脚和第二引脚通过焊料焊接。
作为本实用新型再进一步的方案:第一引脚和第二引脚之间设有第三引脚,第三引脚与框架连为一体。
作为本实用新型再进一步的方案:采用高导热塑胶封装或金属封装的方式对框架进行封装。
作为本实用新型再进一步的方案:框架上设有安装孔。
作为本实用新型再进一步的方案:焊片由铜制成。
作为本实用新型再进一步的方案:第一引脚、第二引脚和第三引脚由铜所制成。
作为本实用新型再进一步的方案:塑封体由低应力塑料所制成。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型的塑封体上设有框架,采用金属封装的方式对框架进行封装,从而提高了二极管的散热性能,同时塑封体由低应力塑料所制成,从而塑封体所承受的拉力更大,强度更强。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的结构示意图。
图2为本实用新型实施例2的结构示意图。
图中标识:
芯片12,塑封体13,焊片14,第一引脚15,第二引脚16,框架17,焊料18,第三引脚19,安装孔20。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
请参阅图1,本实用新型实施例中,一种散热效果好的二极管,包括芯片12,封装芯片12的塑封体13,芯片12的正极分别连接有焊片14,焊片14封装于塑封体13内,焊片14一端连接有第一引脚15和第二引脚16,第一引脚15和第二引脚16一端封装于塑封体13内,另一端伸出塑封体13,塑封体13上设有框架17,框架17与塑封体13固定连接。
本实用新型中一个较佳的实施例:芯片12与焊片14通过焊料18焊接,焊片14与第一引脚15和第二引脚16通过焊料18焊接。
本实用新型中一个较佳的实施例:第一引脚15和第二引脚16之间设有第三引脚19,第三引脚19与框架17连为一体。
本实用新型中一个较佳的实施例:采用铁封的方式对框架17进行封装。此设计中,采用铁封的方式对框架17进行封装,由于金属的导热性好,从而提高了二极管的散热性能。
本实用新型中一个较佳的实施例:框架17上设有安装孔20。安装孔20通过螺丝与散热器连接。
本实用新型中一个较佳的实施例:焊片14由铜制成。
本实用新型中一个较佳的实施例:第一引脚15、第二引脚16和第三引脚19由铜所制成。
本实用新型中一个较佳的实施例:塑封体13由低应力塑料所制成,塑封体13所承受的拉力更大,强度更强。
实施例2
请参阅图2,与实施例1不同的是,本实用新型实施例中,采用高导热塑胶封装的方式对框架17进行封装。此设计中,塑封体13由高导热系数λ(W/m·K)塑料所制成,从而使芯片12内部实际节温(Tj)与塑封体13表面温度(TC)更接近,使二极管的热阻RθJC更小,使二极管的散热效果更好,耐温更高。
本实用新型的塑封体13上设有框架17,采用金属封装的方式对框架17进行封装,从而提高了二极管的散热性能,同时塑封体13由低应力塑料所制成,从而塑封体13所承受的拉力更大,强度更强。
尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种散热效果好的二极管,其特征在于,包括芯片(12),封装所述芯片(12)的塑封体(13),所述芯片(12)的正极分别连接有焊片(14),所述焊片(14)封装于所述塑封体(13)内,所述焊片(14)一端连接有第一引脚(15)和第二引脚(16),所述第一引脚(15)和第二引脚(16)一端封装于塑封体(13)内,另一端伸出塑封体(13),所述塑封体(13)上设有框架(17),所述框架(17)与塑封体(13)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种散热效果好的二极管,其特征在于,所述芯片(12)与焊片(14)通过焊料(18)焊接,所述焊片(14)与第一引脚(15)和第二引脚(16)通过焊料(18)焊接。
3.根据权利要求1所述的一种散热效果好的二极管,其特征在于,所述第一引脚(15)和第二引脚(16)之间设有第三引脚(19),所述第三引脚(19)与框架(17)连为一体。
4.根据权利要求1所述的一种散热效果好的二极管,其特征在于,采用高导热塑胶封装或金属封装的方式对框架(17)进行封装。
5.根据权利要求1所述的一种散热效果好的二极管,其特征在于,所述框架(17)上设有安装孔(20)。
6.根据权利要求1所述的一种散热效果好的二极管,其特征在于,所述焊片(14)由铜制成。
7.根据权利要求1所述的一种散热效果好的二极管,其特征在于,所述第一引脚(15)、第二引脚(16)和第三引脚(19)由铜所制成。
8.根据权利要求1所述的一种散热效果好的二极管,其特征在于,所述塑封体(13)由低应力塑料所制成。
CN201920981799.5U 2019-06-26 2019-06-26 一种散热效果好的二极管 Active CN209804633U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920981799.5U CN209804633U (zh) 2019-06-26 2019-06-26 一种散热效果好的二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920981799.5U CN209804633U (zh) 2019-06-26 2019-06-26 一种散热效果好的二极管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN209804633U true CN209804633U (zh) 2019-12-17

Family

ID=68817613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201920981799.5U Active CN209804633U (zh) 2019-06-26 2019-06-26 一种散热效果好的二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN209804633U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112992818A (zh) * 2021-04-26 2021-06-18 佛山市国星光电股份有限公司 一种功率器件及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112992818A (zh) * 2021-04-26 2021-06-18 佛山市国星光电股份有限公司 一种功率器件及其制作方法
CN112992818B (zh) * 2021-04-26 2022-03-18 佛山市国星光电股份有限公司 一种功率器件及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240203841A1 (en) Novel packaging structure of power semiconductor module
WO2022127060A1 (zh) 一种功率器件封装结构及电力电子设备
CN209804633U (zh) 一种散热效果好的二极管
US20020179994A1 (en) Power semiconductor device manufactured using a chip-size package
CN219435850U (zh) Mosfet芯片封装结构
EP4250889A1 (en) Power module and manufacturing method thereof, power converter, and power supply device
KR20150071336A (ko) 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
CN111463177A (zh) 一种功率模块及其应用方法
CN217719583U (zh) 半桥二极管集成器件、功率模块及变频器
CN216054669U (zh) 一种便于散热的氮化镓功率器件
CN215955263U (zh) 功率模块
CN217334062U (zh) 一种便于高效散热反向导通的氮化镓器件
CN214428637U (zh) 一种碳化硅肖特基二极管结构
CN209785910U (zh) 大电流半导体功率器件
CN211428165U (zh) 一种高散热、高可靠性igbt功率模块结构
CN201185187Y (zh) 大功率小封装三极管
CN113707624A (zh) 一种氮化镓功率器件及其封装方法
CN210778570U (zh) 功率半导体模块、电机总成以及电动车辆
CN207800600U (zh) 导电框架及功率半导体串联结构
CN210575911U (zh) 一种散热效果好的桥式整流器
CN210040185U (zh) 一种电流通过性强的大浪涌电流二极管
CN101231982B (zh) 一种半导体器件封装结构
JPS59175756A (ja) 電力用半導体モジユ−ル
CN221486489U (zh) 一种具有针翅散热基板的三电平功率模块
CN213583772U (zh) 一种能改善emc的阻尼二极管

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant