KR100727605B1 - 고효율 발광소자 - Google Patents

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KR100727605B1
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Abstract

본 발명은 발광소자의 구조에 관한것이다. 본 발명은 몸체와; 상기 몸체의 상면 상에 실장된 발광칩을 포함하고, 상기 발광칩이 실장된 상기 상면 영역 이외의 몸체의 주연부는 소정 각도만큼 방사상으로 하향 경사진 것을 특징으로 하는 발광소자를 제공한다. 본 발명의 발광소자는 발광소자의 몸체 주연부를 소정각도 만큼 방사상으로 하향 경사지게 제작하고, 몰딩부 및 하우징을 함께 구의 형상으로 함으로써, 발광소자의 빛 방출 각도가 180도 이상이 되고 빛의 난반사가 거의 없는 고효율의 발광소자를 제공한다.
발광소자, 구형, 몰딩, 메탈슬러그, 하우징

Description

고효율 발광소자{LIGHT-EMITTING DIODE WITH HIGH EFFICIENCY}
도 1은 종래의 발광소자를 설명하기 위한 도면.
도 2a 내지 도 3b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 5a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 5b은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자의 사시도.
도 5c은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자의 빛 방출 각도를 설명하기 위한 도면.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 설명하기 위한 도면.
도 7는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
100: 기판 102a: 제 1 전극
102b: 제 2 전극 120: 메탈슬러그
130: 발광칩 140a: 제 1 배선
140b: 제 2 배선 160: 몰딩부
180: 하우징 182a: 제 1 배선구멍
182b: 제 2 배선구멍
본 발명은 발광소자에 관한 것으로서, 자세하게는 발광소자의 빛 방출 각도가 180도 이상인 발광소자에 관한 것이다.
도 1은 종래의 발광소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면 종래의 발광소자는, N측 리드패턴(12a) 및 P측 리드패턴(12b)이 형성된 기판(10)과, 접착제(20)에 의해 상기 기판(10) 상에 실장되는 N형 전극 및 P형 전극이 형성된 발광칩(30)과, 상기 발광칩의 N형 전극 및 P형 전극과 기판(10)의 N측 리드패턴(12a) 및 P측 리드패턴(12b)을 전기적으로 연결하는 배선(40a, 40b)과, 상기 발광칩(30)을 둘러싸는 몰딩부(60)를 포함한다. 또한, 상기 기판(10) 상에 형성된 반사막(70)과, 상기 몰딩부(60)에 첨가된 형광체(50)를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 종래의 발광소자는 발광칩(30)에서 방출되는 빛을 최대한 상부로 집중시키기 위해 반사막(70) 및 몰딩부(60)가 형성되어 빛의 방출 각도는 180도 이상을 넘지 않는다. 따라서, 상부로 방출되는 빛의 강도는 강해지지만 발광소자의 상부를 제외한 부분으로는 방출되는 빛이 없고, 발광칩(30)에서 방출되는 빛이 반 사막과 몰딩부(60)를 거치는 동안 손실되어 발광칩(30)의 효율을 극대화 할 수 없는 문제점이 있다.
상기의 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 발광소자는, 발광소자 몸체의 가로폭을 발광칩의 가로폭과 최대한 가깝게 하고 몰딩부 및 하우징을 함께 구형으로 형성함으로써, 발광소자의 빛 방출각도가 180도 이상이 되어 빛의 전반사가 감소된 고효율의 발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은 몸체와; 상기 몸체의 상면 상에 실장된 발광칩을 포함하고, 상기 발광칩이 실장된 상기 상면 영역 이외의 몸체의 주연부는 소정 각도만큼 방사상으로 하향 경사진 것을 특징으로 하는 발광소자를 제공한다.
이때, 상기 몸체는 상향 돌출형성된 돌기부를 갖는 기판을 포함하고, 상기 발광칩은 상기 돌기부의 상단면 상에 실장되고, 상기 기판의 상하부를 관통하는 전극을 통하여 배선이 외부로 연장될 수 있다.
또한, 상기 몸체는 기판과 상기 기판을 수직관통하여 형성된 히트싱크를 포함하고, 상기 히트싱크는 상기 기판에서 상향 돌출형성되고, 히트싱크의 상단면 상에 발광칩이 실장될 수 있다.
이때, 상기 몸체는 히트싱크에 장착되어 기판 상에 구비된 하우징을 더 포함하고, 상기 하우징의 주연부는 소정각도만큼 방사상으로 하향 경사지도록 형성될 수 있다.
상기 몸체는 제 1 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극의 상단면 상에 발광칩이 실장되고, 상기 제 1 전극에 나란히 배열되어 발광칩과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 제 1 전극은 히트싱크일 수 있다.
더욱이, 상기 몸체는 히트싱크를 포함하고, 상기 히트싱크 상에 발광칩이 실장되고 상기 히트싱크의 좌우에는 제 1 전극 및 제 2 전극이 배열되어 발광칩과 전기적으로 연결될 수 있다.
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또한, 상기 발광칩 및 배선을 봉지하는 몰딩부를 포함할 수 있으며, 상기 발광칩은 몰딩부의 중심에 위치할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 2a 내지 도 3b는 본 발명에 따른 발광소자의 제 1 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자는 몸체와, 상기 몸체 상에 실장된 발광칩(130)과, 상기 몸체와 발광칩(130)을 연결하는 배선(140b)을 포함한다.
상기 몸체는 전극 또는 전극이 형성된 기판 또는 전극이 형성된 기판에 형성 된 히트싱크를 포함한다. 본 발명의 제 1 실시예에서는 전극을 사용하기로 한다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자는 제 1 및 제 2 전극(102a, 102b)과, 상기 제 1 전극(102a) 상에 실장된 발광칩(130)과, 상기 발광칩(130)과 제 2 전극(102b)을 연결하는 배선(140b)을 포함한다. 이때, 상기 발광칩(130)과 배선(140b)을 봉지하는 몰딩부 또는 캡을 더 포함할 수 있다.
도 2a에서는 서로 나란한 제 1 및 제 2 전극(102a, 102b) 중 제 1 전극(102a) 상에 수직형 발광칩(130)을 실장하고, 상기 발광칩(130)과 제 2 전극(102b)을 배선(140b)으로 연결한다. 이때, 도 2b에 도시된 것과 같이 제 2 전극(102b)을 제 1 전극(102a)에 실장된 발광칩(130)과 같은 높이로 형성할 수 있다. 이와 같이 높이를 같게 할 경우 와이어 접합 공정으로 배선(140b)을 형성하기가 더욱 용이한 장점이 있다. 또한, 도 2c 및 도 2d에 도시된 바와 같이 제 1 전극(102a)으로서 도전성 히트싱크를 사용할 수 있다. 특히, 도 2d에서 사용되는 발광칩(130)은 수평형으로서, 발광칩(130)과 제 1 및 제 2 전극(102a, 102b)을 연결하기 위해 두개의 배선(140a, 140b)을 사용한다. 이때, 상기 두개의 배선(140a, 140b) 중 어느 하나는 히트싱크인 제 1 전극(102a)에 연결되고, 다른 하나는 제 2 전극(102b)에 연결된다.
상기와 같이 제 1 및 제 2 전극(102a, 102b)만으로 구성될 수도 있지만, 도 3a 및 3b에 도시된 것과 같이 수평형 발광칩(130)을 사용할 경우 제 1 및 제 2 전극(102a, 102b)과 함께 히트싱크(120)와 같은 다른 부재를 사용할 수 있다. 즉, 히트싱크(120) 상에 발광칩(130)을 실장하고, 상기 발광칩(130)과 제 1 및 제 2 전극 (102a, 102b)을 연결하기 위해 두개의 배선(140a, 140b)을 사용하는 투-탭 와이어 구조(Two-tap wire structure)로 구성할 수 있다.
이때, 상기 발광칩(130)이 실장된 제 1 전극(102a) 대신 히트싱크를 사용하여 발광소자의 동작 시 발광칩(130)에서 발생되는 열을 외부로 빠르게 방출할 수 있다. 또한, 상기 히트싱크(120)의 가로폭을 발광칩(130)과 최대한 같게 하고, 발광칩(130)이 실장된 히트싱크(120)의 높이를 주변부보다 높게 하면 발광칩(130)에서 발산되는 광이 180도 이상으로 발산되게 한다.
다음은 본 발명의 다른 형태로서 전극이 형성된 기판 또는 히트싱크 상에 발광칩이 실장된 경우에 대해 기술하고자 한다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 전극(102a, 102b)이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 실장된 발광칩(130)과, 상기 발광칩(130)과 전극(102a, 102b)을 연결하는 배선(140b)을 포함한다.
상기 기판은 고분자 계열의 FR4(Flame Rating 4) 또는 BT 수지(Bismaleimide Triazine resin, BT resin) 또는 금속심 인쇄회로기판(Metal core printed circuit board, MCPCB) 등일 수 있다.
도 4a를 참조하면, 발광칩(130)이 실장될 부분과 제 1 전극(102a)을 연결하는 배선구멍(182a)과 제 1 및 제 2 전극(102a, 102b)이 형성된 기판과 상기 돌기부 상에 실장된 수직형 발광칩(130)과, 상기 발광칩(130)과 제 2 전극(102b)을 연결하는 배선(140b)을 포함한다.
상기 배선구멍(182a)은 금속과 같은 도전체를 중실의 형태로 형성한다. 하지만 이에 한정되지 않고, 중공의 구멍을 뚫은 후 내주연을 도금하여 형성하거나 금속기둥을 압입하여 형성할 수도 있다.
상기 기판은 중심부에 상향 돌출된 돌기부가 형성되고, 상기 돌기부의 상단면에 발광칩(130)이 실장되어 발광칩(130)에서 발산되는 광이 180도 이상으로 발산되도록 한다. 이때, 도 4b에 도시된 바와 같이 도 4a에 기판의 상향 돌출된 돌기부를 상기 기판의 중심부를 수직관통하는 히트싱크로 대체할 수 있다. 도 4b에 도시된 발광소자는 제 1 및 제 2 전극(102a, 102b)이 이격형성된 기판과, 상기 기판의 중심부를 수직관통하는 히트싱크(120)와, 상기 히트 싱크(120) 상에 실장된 수평형 발광칩(130)과, 상기 제 1 및 제 2 전극(102a, 102b)과 발광칩(130)을 연결하는 배선(140a, 140b)을 포함한다.
상기 히트싱크(120)는 높이를 기판보다 높게 하여 발광칩(130)에서 발산되는 광이 180도 이상으로 발산되게 한다. 이와 같이 히트싱크(120) 상에 발광칩(130)을 실장할 경우 발광칩(130)에서 발산되는 열을 보다 빠르게 외부로 배출할 수 있다. 이때, 상기 발광칩(130)이 수직형일 경우 제 1 전극을 형성하지 않고 히트싱크(120) 자체를 제 1 전극(102a)으로 사용하거나 제 1 전극이 히트싱크(120)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 상기 발광칩(130)을 둘러싸는 몰딩부를 더 포함할 수 있다. 상기 몰딩부는 소정의 틀을 이용하여 에폭시 수지 또는 실리콘 수지로 형 성될 수 있다.
또한, 전술된 몰딩부 대신 캡을 장착하기 위하여, 도 4a 및 도 4b에 도시된 발광소자에서 기판의 외부를 둘러싸는 하우징을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 하우징은 발광칩(130)을 덮는 캡을 장착할 때 캡을 고정시키는 역할을 하게 된다.
다음은 본 발명의 또 다른 실시예로서, 하우징에 장착된 히트싱크를 사용한 것에 대해 기술하고자 한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 발광소자의 제 3 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5c를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자는 몸체와, 상기 몸체 상에 실장된 발광칩(130)과, 상기 발광칩(130)을 둘러싸는 몰딩부(160)를 포함한다. 또한, 상기 발광칩(130)과 몸체를 전기적으로 연결하는 배선(140a, 140b)을 더 포함한다.
상기 몸체는 외부 전원과 연결되는 베이스부인 기판(100)과, 합성수지로 제조된 하우징(180)과 상기 기판(100) 및 하우징(180)의 중심에 관통 장착된 메탈슬러그(120)를 포함한다.
상기 하우징(180)에는 내측벽이 도금처리된 제 1 배선구멍(182a)과 제 2 배선구멍(182b)이 형성된다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 배선구멍(182a, 182b)은 도전성 금속기둥으로 형성된 제 1 및 제 2 전극으로 형성될 수 있다.
즉, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 장착된 하우징(180)과, 상기 기판(100)과 하우징(180) 내에 삽입되는 메탈슬러그(120)와, 상기 메탈슬러그(120) 상에 실장된 발광칩(130)과, 상기 발광칩(130)과 하우징(180)의 배선구멍(182a, 182b)을 전기적으로 연결하는 배선(140a, 140b)과, 하우징(180) 및 메탈슬러그(120)의 상부에서 발광칩을 덮는 몰딩부를 포함한다.
이때, 상기 몸체 상부를 소정각도 만큼 방사상으로 하향 경사지게 제작한다. 따라서, 발광소자의 빛 방출 각도는 180도 이상이 되어 발광소자에서 발산되는 빛의 가시각도는 더욱 넓어진다.
이를 위하여, 상기 메탈슬러그(120)는 상부에 실장되는 발광칩(130)의 빛이 소정각도를 갖고 하향으로 발산되도록 하기 위해 메탈슬러그(120) 상부의 가로폭을 발광칩(130)의 가로폭과 최대한 근접하게 제작한다.
또한, 에폭시 계열을 포함하는 재료로 소정의 성형공정을 통해 제조되는 상기 하우징(180)은 발광칩(130)과 메탈슬러그(120)에 의해 만들어지는 빛 방출 각도에서 발산되는 발광소자의 빛을 가리지 않는 범위 내에서 여러가지 형상으로 형성될 수 있다.
상기 기판(100)은 인쇄회로기판으로서, 메탈슬러그(120)가 장착되어 있고 기판(100)에 도금처리된 제 1 전극패턴(102a)과 제 2 전극패턴(102b)을 통해 외부 전원이 인가된다.
상기 전극패턴(102a, 102b)은 기판(100)에 구멍을 형성하고, 상기 구멍의 내주연을 도금하여 형성된다. 물론 이들 배선구멍은 금속으로 채워질 수도 있다. 또 한, 상기 하우징(180)의 배선구멍(182a, 182b)과 기판(100)의 전극패턴(102a, 102b)은 서로 연결되어 기판(100)의 하부에서 외부 전원을 인가할 수 있다.
도시된 상기 발광칩(130)은 동일 평면측에 N형 전극 및 P형 전극이 형성된 수평형 발광칩이다. 이경우, 메탈슬러그(120)와 발광칩(130) 사이에는 절연체가 형성될 수 있다.
상기 배선(140a, 140b)은 와이어 접착 공정을 통해 금(Au) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 형성되고, 발광칩(130)의 P형 전극 및 N형 전극과 상기 하우징(180)의 배선구멍(182a, 182b)을 전기적으로 연결한다. 즉, P형 전극은 제 1 배선구멍(182a)과 연결되고 N형 전극은 제 2 배선구멍(182b)과 연결되는 투-탭 와이어 구조(Two-tap wire structure)로 형성된다.
상기 몰딩부(160)는 별도의 주형을 통해 에폭시 수지 또는 실리콘 수지로 형성된다. 또한, 상기 몰딩부(160)는 몸체의 상부, 즉, 메탈슬러그(120)가 장착된 하우징(180)과 함께 구형의 형상이며, 상기 몰딩부(160)는 발광칩(130)을 둘러싸고, 몰딩부(160)의 중심에는 발광칩(130)이 위치하게 된다. 따라서, 발광칩(130)에서 상기 몰딩부(160)를 통과하는 빛의 거리는 같게 되며, 구 형상의 몰딩부(160) 중심에 발광칩(130)이 위치하여 전반사가 감소하므로 광의 효율이 향상된다.
도 5c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자의 빛 방출각도를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하여 도 5c에서 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자를 살펴보면 메탈슬러그(120) 및 하우징(180)이 발광칩(130)에서 발산되는 빛이 하향 발산될 수 있도록 하기 위해 메탈슬러그(120)의 가로폭을 발광칩(130)과 최대한 같도록 하고, 상기 하우징(180) 역시 발광칩(130)에서 발산되는 빛이 메탈슬러그(120)에 의해 가려지는 범위를 넘지 않는 것을 볼 수 있다.
이하 상기한 발광소자의 제조공정에 대해 도면을 참조하여 설명하고자 한다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6d를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광소자의 제조공정은 우선 메탈슬러그(120)가 관통 장착되고 제 1 전극(102a) 및 제 2 전극(102b)가 형성된 기판(100)을 준비한다(도 6a). 이후, 별도의 성형공정을 통해 제조된 제 1 배선구멍(182a) 및 제 2 배선구멍(182b)이 형성된 하우징(180)을 준비하고, 상기 하우징(180)에 준비된 기판(100)을 장착한다(도 6b). 이때, 상기 기판(100)의 제 1 전극(102a)와 상기 하우징(180)의 제 1 배선구멍(182a)이 연결되고, 제 2 전극(102b)와 제 2 배선구멍(182b)이 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 하우징(180)에 장착되는 기판(100)은 인쇄회로 기판으로, 인쇄회로 기판의 메탈슬러그(120)가 하우징(180)을 관통하여 장착된다. 이후, 상기 메탈슬러그(120) 상에 발광칩(130)을 실장하고, 이때 메탈슬러그(120) 상의 일부분에 비전도성 접착제를 형성한 후 발광칩(130)을 실장할 수 있다.
상기 발광칩(130)의 N형 전극 및 P형 전극과 상기 하우징(180)의 배선구멍(182a, 182b)을 와이어 접착 공정을 통해 배선(140a, 140b)으로 연결한다(도 6c). 즉, N형 전극은 제 1 배선구멍(182a)에 연결되고 P형 전극은 제 2 배선구멍(182b) 에 연결된다. 이후, 발광소자의 몰딩부(160)를 제작하기 위한 몰딩용 틀을 마련하여 몰딩용 틀 내에 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지를 일정량 넣고, 배선이 접착된 발광칩(130)을 몰딩용 틀 내의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지에 넣는다. 이 상태로 섭씨 150도에서 4분간 열처리하여 응고시켜 발광칩(130)을 둘러싸는 몰딩부(160)를 형성한다(도 6d).
상기 와이어 접합 공정(Wire bonding)은 온도와 압력 및 초음파 진동을 이용하여 고상(Solid state) 접합부를 형성하는 방법으로서, 본 실시예에서는 열압착 공정을 사용한다. 상기 열압착 공정은 배선(140a, 140b)의 끝 부분을 용융시켜 표면장력에 의해 볼(Ball)의 형태로 만들고, 모세관방전 또는 토치를 이용하여 볼을 제 1 접합부 상에 위치시키고 압력을 가하여 볼본드(Ball bond)를 형성한다. 접합조건으로 모세관 팁의 온도는 약 섭씨 100도이고, 접합부의 온도는 섭씨 300 ~ 350도 이며, 약 1N의 힘을 가하여 20 ~ 50㎳ 동안 지속한다. 이후, 모세관 팁을 이동하여 제 2 접합 위치에서 배선(140a, 140b)에 압력을 가하여 접합부를 형성하고 배선(140a, 140b)을 절단한다.
도 7은 본 발명에 따른 제 4 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 하기 실시예는 발광칩(130)이 대향 평면측에 N형 전극 및 P형 전극이 형성된 수직형 발광칩인 것 외에는 앞서 설명한 제 3 실시예와 동일하므로 앞서 설명한 제 3 실시예와 중복되는 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광소자는 외부 전원과 연결되는 베이스부인 기판(100)과, 상기 메탈슬러그(120)를 둘러싸는 배선구멍(182a, 182b)이 형성된 하우징(180)과, 상기 기판(100) 및 하우징(180)의 중심에 관통 장착된 메탈슬러그(120)와, 상기 메탈슬러그(120) 상에 실장된 발광칩(130)과 상기 발광칩(130)과 하우징(180)의 배선구멍(182a, 182b)을 전기적으로 연결하는 배선(140a, 140b)을 포함한다.
상기 발광칩(130)은 하부에는 N형 전극이, 상부에는 P형 전극이 형성된 수직형 발광칩으로서, 상기 메탈슬러그(120)를 통하여 별도의 배선 없이 N형 전극이 외부 전원과 연결된다. 또한, 상기 P형 전극은 하우징(180)에 형성된 제 2 배선구멍(182b)과 전기적으로 연결되고, 제 2 배선구멍(182b)과 연결된 제 2 전극(102b)를 통해 외부 전원과 연결된다.
이하 상기한 발광소자의 제조공정을 간략히 설명하고자 한다.
도 7을 참조하면 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광소자는 준비된 기판(100)과, 상기 기판(100)에 관통 장착된 메탈슬러그(120) 상에 은 페이스트(Ag paste)를 이용하여 발광칩(130)을 실장하고, 금(Au) 또는 알루미늄(Al)과 같은 도전성 금속의 제 1 배선(140a)으로 메탈슬러그(120)의 일정 부분과 제 1 배선구멍(182a)을 전기적으로 연결시키고, 상기 P형 전극과 제 2 배선구멍(182b)을 제 2 배선(140b)을 통해 전기적으로 연결한다. 이후 상기 배선(140a, 140b) 및 발광칩(130)을 보호하기 위한 투명 또는 착색 수지로 발광칩(130)을 둘러싸는 구의 형상으로 몰딩 시킨 후 경화시켜 몰딩부(160)를 형성하는 방법으로 제조된다.
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다. 즉, 상기에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 발광소자는 몰딩부(160)와 몸체를 구의 형상으로 형성하였으나 이에 한정되지 않고 상기 몰딩부(160)의 단면 의 형상은 사각형 또는 타원형 일수도 있다. 즉, 구형을 포함한 다각형일 수 있다. 또한, 상기 하우징(180) 역시 몰딩부(160)와 함께 구형의 형상이나 이에 한정되지 않고 발광칩(130)과 메탈슬러그(120)에 의해 만들어지는 빛 방출 각도에서 발산되는 발광소자의 빛을 가리지 않는 범위 내에서 여러가지 형상으로 형성될 수 있다. 더욱이, 상기 하우징(180)은 형성하지 않을 수도 있다.
상기에서 설명한 바와 같이 본 발명은 발광소자 몸체의 가로폭을 최대한 작게 함으로써, 발광소자의 빛 방출 각도가 180도 이상이 되게 하고 몰딩부 및 하우징을 함께 구의 형상으로 형성하여 빛의 난반사가 거의 없는 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 몸체와;
    상기 몸체의 상면 상에 실장된 발광칩을 포함하고,
    상기 발광칩이 실장된 상기 상면 영역 이외의 몸체의 주연부는 소정 각도만큼 방사상으로 하향 경사진 것을 특징으로 하는 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는 상향 돌출형성된 돌기부를 갖는 기판을 포함하고, 상기 발광칩은 상기 돌기부의 상단면 상에 실장되고, 상기 기판의 상하부를 관통하는 전극을 통하여 배선이 외부로 연장된 것을 특징으로 하는 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는 기판과 상기 기판을 수직관통하여 형성된 히트싱크를 포함하고, 상기 히트싱크는 상기 기판에서 상향 돌출형성되고, 히트싱크의 상단면 상에 발광칩이 실장되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는 제 1 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극의 상단면 상에 발광칩이 실장되고, 상기 제 1 전극에 나란히 배열되어 발광칩과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제 1 전극은 히트싱크인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는 히트싱크를 포함하고, 상기 히트싱크 상에 발광칩이 실장되고 상기 히트싱크의 좌우에는 제 1 전극 및 제 2 전극이 배열되어 발광칩과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 발광소자.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 몸체는 히트싱크에 장착되어 기판 상에 구비된 하우징을 더 포함하고,
    상기 하우징의 주연부는 소정각도만큼 방사상으로 하향 경사진 것을 특징으로 하는 발광소자.
  8. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광칩 및 배선을 봉지하는 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 발광칩은 몰딩부의 중심에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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