TW447143B - Method of manufacturing solar cell - Google Patents

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TW447143B
TW447143B TW089105750A TW89105750A TW447143B TW 447143 B TW447143 B TW 447143B TW 089105750 A TW089105750 A TW 089105750A TW 89105750 A TW89105750 A TW 89105750A TW 447143 B TW447143 B TW 447143B
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Masahiro Furusawa
Shunichi Seki
Satoru Miyashita
Tatsuya Shimoda
Ichio Yudasaka
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Seiko Epson Corp
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Description

經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 447143 r4 _ * - A7 _____B7___ 五、發明說明（1 ) 技術領域 .本發明係有關新穎之太陽電池之製造方法。 背景技術 ' 以往太陽電池製造用之非晶矽膜或多晶矽膜之成形方 法係使用一矽烷氣體或二矽烷氣體之熱CVD,( Chemical Vapor Deposition )法或電漿 CVD，.光 CVD 等.，一般而 言，.多晶矽係廣泛使用熱C V D (請參照J . Vac . Sci . Technology .，14卷1082頁（1977年），-而非晶矽則使用電 漿 C V D ( Solid State Com . ,17 卷 1193 頁（ 1 975 年）.。 但藉這些之CVD法形成矽膜中，.因使用氣相反應 故氣相狀態下產生矽粒子污染裝置.或產生異物使生產良 率降低 '因原料爲氣體狀，.故表面有凹凸之基板上不.易得 到均勻膜厚，，膜之形成速度慢，，故生產性低，.電漿C V D 法需要複雜且昂貴之高頻波發生裝置或真空裝置等.。 (又材料係使用毒性 > 反應性高之氣體狀之氫化矽.，不 僅操作困難，，且因氣體狀而需要密閉狀之真空裝置。.一般 這些裝置不僅大型裝置本身昂貴：且真空系或電漿系消 耗大量的能源：故使製品之成本提高， 對此近年不使用真空系提案塗佈液體狀之氫化矽的方 法。·日本特開平1 一 2 9 6 6 1號公報揭示將氣體狀之原 料液化吸附於冷卻之基板上，.再與化學活性原子狀之氫反 應，形成矽系之薄膜的方法，.但爲了使原料之氫化矽氣化 與繼續冷卻不僅需要複雜之裝置，.且膜厚之控制困難， 本紙張尺度適用争國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - — — — — — — —--—--I --— — — — — — ^^1 — I ---—-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 447143 ____B7__ 五、發明說明（2 ) 曰本特開平7 — 2 6 7 6 2 1號公報揭示基板上塗佈 低分子量之液體狀之氫化矽的方法，但此方法不安定：故 操作不易，.且爲液狀：因此用於大面積基板時不易得到均 勻的膜厚，。 * 英國專利GB—2077710A提及固體狀之氫化 矽聚合物的例子，.但不溶於溶媒無法藉由塗佈形成膜.= 上述矽半導體膜用於太陽電池時，，.通常必須以週期表 第3族元素或第5族元素摻雜％作爲p型或η型之半導體 使用。.這些摻雜以往係在矽膜形成後，.藉由熱擴散或離子 注入法來實施，.因此這些摻雜必須在真空中進行，.製程之 控制繁雜，.特別是大型基板上不易形成均勻之摻雜的矽膜. 〇 對此日本特開平9 — 2 3 7 9 2 7號公報揭示將.聚矽 烷溶液塗佈於基板後，.進行熱分解使矽游離的方法。.又同 公報中揭示製造太陽電池所需之η型或ρ型矽薄膜的方法 係將提供η型或ρ型之導電模之烷基化合物添加於聚矽烷 溶液，，進行塗佈的方法或在含摻雜源之氣氛中，.將塗佈聚 矽烷溶液之膜進行熱分解的方法。但是前者中，聚矽烷與 含摻雜物之烷基化合物之溶解性不同：故無法得到均勻之 摻雜的膜t或因含碳，，故最後所形成的膜中殘留大量的碳 雜質影響電氣特性。.後者中，.摻雜量不易控制.。 發明之揭示 &本發明之目的係塗佈含有製造太陽電池所需之含矽烷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐) I J I — I I------裝·!--—II 訂--- ·線 (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 447 彳 43 __B7_______ 五、發明說明（3 ) 化合物之塗佈組成物後，藉由熱，.光，.雷射處理形成矽薄 膜，.提供容易製造大面積之太陽電池，且廉價之製造方法. 。除了對於太陽電池所用之矽膜以外之薄膜也提供在塗佈 液體材料後，.熱處理形成膜之全新之太陽電池的製造方法 〇 本發明人等爲了達到上述目的而精心硏究的結果發現 製造具有在一對電極之間至少層積兩層.以上雜質之濃度及 /或種類不同之半導體薄膜之結構的太陽電池中.，藉由其 中至少一層之半導體薄膜之形成係由基板上塗佈含有矽化 合物之液體之塗佈組成物，·形成塗膜的步驟.：接著將該塗 膜進行熱處理及/或光處理形成矽膜的步驟製造時、，可以 廉價製造大面積之太陽電池，.遂完成本發明，Ί 本發明之太陽電池的製造方法，.其係製造具有在一對 電極間至少層積二層以上之雜質濃度及/或種類不同之半 導體薄膜之結構的太陽電池，其特徵爲至少一層之半導體 薄膜之形成係由：.基板上塗佈含有矽化合物之液體的塗佈 組成物，.形成塗膜的步驟；.接著將該塗膜進行熱處理及/ 或光處理形成矽膜的步驟所構成·« 本發明之太陽電池之製造方法的理想形態係& 液體之塗佈組成物：，含有具有以一般式S i ηΧπ： (；?(爲氫 原子及/或鹵原子，.η爲5以上之整數，.m爲2 η或2 η _2或2 η之整數）表示之環系的矽化合物，（特別是较# 化合物），，及溶媒的液體組成物，.或使用含有以一#式 s i axbY。（X爲氫原子及/或鹵原子：Υ爲硼原子或 -ίΛ- ---------I ί —裝 if--I--訂 III -線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 44714 3 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（4) 磷原子，.a爲3以上之整數，，b爲a以上：2a+b + 2 以下之整數爲1以上，，，a以下之整數\表示之矽化 合物（特別是變性矽烷化合物），.及溶媒的液體組成物，。 特別是太陽電池的結構中，、使用·含有具有以一般式 S i nX〇•表示之環系的矽化合物.（特別是矽烷化合物）的 組成物形成具有i型之電導性的矽膜.，另外使用含有以一 般式S i 表示之矽化合物.（特Μ是變性矽烷化合 物）的組成物形成具有Ρ型或η型之電導性的矽膜.。 前述塗佈組成物可使用含有以任意比例混合以一般式 S i nXm表示之矽化合物（未變性矽烷化合物）.，及以一 般式S 1 aXbY^表示之矽化合物（特別是變性矽烷化合 物）的混合物，，及溶媒的液體組成物？藉此可得到載體濃 度被控制之P型或η型的矽薄膜 將藉由前述塗佈組成物所形成之前述塗膜以熱及/或 光處理形成矽膜的步驟係由，.藉由熱處理除去該塗膜中之 溶媒的步驟；.接著以高於除去前述溶媒步驟之溫度之熱處 理及/或光處理使前述塗膜成爲非晶矽膜的步驟所構成、。 前述非晶矽膜可藉由雷射退火或/及燈光退火轉變成 多晶矽膜》 前述塗佈組成物之溶媒在使用上較理想者爲常溫下之 蒸汽壓爲0 . 00 1〜2 0 0mmHg之烴系溶媒、。 前述塗佈組成物可使用油墨噴印頭塗佈.。此時理想之 粘度爲1〜50mPa·s:表面張力爲20〜70 d y n / c m。_ · 泰紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐) ^ -------------裝 -------訂_!---- (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁》 447 1^3 a? _____— B7 五、發明說明（5) (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之太陽電池之製造方法所用之矽化合物（特別 是矽烷化合物）若考慮使用之容易度時，·理想之矽化合物 爲以一般式S i nxm (X爲氫原子及/或鹵原子，n爲5 以上之整數m爲η或2η_·2或2n之整數）中.，n爲 5以上2 0以下者，，更理想者是η爲5或6之化合物或這 些之混合物.。 本發明之太陽電池之製造方法所用之矽化合物.（特別 是變性矽烷化合物）若考慮使用之容易度時：理想之矽化 合物爲一般式S i aXbY。（X爲氫原子及/或鹵原子.， Y爲硼原子或磷原子a爲3以上之整數，.b爲a以上.， 2a+b + 2以下之整數，.C爲1以上’.，a以下之整數 )中，‘a + c爲5以上2 0以下之化合物或這些之混合物 較理想，.特別是a + c爲5或6之化合物或這些之混合物 更理想.。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之太陽電池之製造方法的理想形態中.，電極及 由前述電極之配線所使用之導電膜的形成係由：基板上塗 佈含有金屬之液體材料：形成塗膜的步驟；.藉由熱處理使 該塗膜形成金屬膜的步驟」該塗膜及/或該金屬膜形成圖 型的步驟所成。.前述電極及由前述導電膜的形成例如有藉 由電鍍法在基板上形成金屬膜的步驟：使該金屬膜形成圖 型的步驟。.前述電極及前述導電膜的形成步驟例如有基板 上塗佈含有銦與錫之有機化合物的液體材料：形成塗膜的 步驟；.使該塗膜形成I TO膜（Indium-Tin-Oxide )之熱處 理步驟；及該塗膜及/或該I TO膜形成圖型的步驟，。 -8 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） d47143 ^ A7 ; 〆 ______B7__ 五、發明說明（6 ) ·--請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 設置前述電極之配線時，·必要時可形成絕緣膜？該步 驟含有：.基板上塗佈含有聚矽胺烷之液體材料，.形成塗膜 的步驟；.藉由熱處理使該塗膜形成S i 〇2膜的步驟.；及該 塗膜及/或該S i 0 2膜形成圖-型的步驟 本發明之太陽電池之製造方法的理想形態係以由液體 材料所構成之原料來製造構成太陽電池之矽膜，.電極.，導 電膜，·絕緣膜，完全不使用氣相成長法與真空製程j因此 可省略大型且昂貴之真空製程，.能以遠比以往更低的成本 製造太陽電池_。 塗佈本發明用之前述塗佈組成物之步驟及/或塗佈前 · 述液體材料之步驟中，.可使用噴墨印表機噴頭在形成圖型 之同時進行塗佈_。藉此方法可將原材料之使用量降至最低. ，故能有效降低太陽電池之製造成本.。 圖面之簡單說明 第1圖係表示實施本發明方法之裝置之一例的模式圖. 〇 第2圖係表示實施本發明方法之裝置之其他例的模式 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖，。 第3圖係表示本發明之實施例所製造之太陽電池之一 例的斷面圖.。 第4圖係表示本發明之實施例所製造之太陽電池之其 他例的斷面圖及平面圖_。 第5圖係表示本發明之實施例所製造之太陽電池之其 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） W- ： 一 ' Λ 47 1 43 Α7 ___Β7 五、發明說明（7 ) 他例的斷面圖β (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施發明之最佳的形態， 以下詳細說明本發明 本發明之太陽電池之製造方法所使用的液體塗佈組成 物理想爲具有以一般式S i ηχ» ( η爲5以上之整數.，m 爲η或2 η — 2或2 η之整數，.X爲氫原子及/或鹵原子 )表示之環系之矽：特別是含有矽烷化合物.。 特別是上述一般式S i nXm之矽化合物理想爲η爲5 以上2 0以下者，.η爲5或6之環狀矽化合物更理想.。η ▼ 小於5時I.矽化合物本身因環結構之變形造成不安定/不 易使用，.又η大於2 0時：因矽化合物之凝集力使在溶液 中之溶解性降低，.實際能使用之溶媒的選擇範圍變窄.。 上述矽化合物之具體例之具有一個環系者例如有環五 矽烷，.矽烷基環五矽烷.，環六矽烷，.矽烷基環六矽烷.，環 七矽烷，，而具體例之具有2個環系者例如有1 ，1 -雙 環四矽烷，，1 ’ 1’ 一雙環五矽烷*1 ，1’ _雙環六矽 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 烷，、1 ，1’ —雙環七矽烷，1 ，1’ 一環丁矽烷基環五 矽烷，、1 ，1’ 一環丁矽烷基環六矽烷，，1 ，1’ 一環丁 矽烷基環七矽烷丨1，1，-環戊矽烷基環六矽烷：1: 1’ —環戊矽烷基環七矽烷，.1 ，1， 一環己矽烷基環七 矽烷，螺〔2 ’ 2〕五矽烷，螺〔3，3〕七矽烷，螺〔 4，4〕九矽烷，，螺〔4，5〕十矽烷，螺〔4，6〕十 —矽烷’螺〔5 ’ 5〕十一矽烷〗螺〔5，β〕十二矽烷 -10- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公爱）
五、發明說明（8 ) ’螺〔6，6〕十三矽烷/ 多環系者例如有下述式之化合物] 化合物。， HSi--SiH/， / HSi一山 Si
化合物1 化合物2 HSi—
SiH 化合物5之氫矽 HSi HSi.
Si
Si'
SiH 化合物3 -Si HSi s HSi HSi HSi
SiH
SiH
HSi. HSi'I
Si
-SiH HSi
Si、_ SiH Η H i SiHsi^siii H 〜S中 /SiH
Si
Si 化合物4 化合物5 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 除這些氫化矽化合物外，.尙有這些之骨架之氫原子一 部份被S i H3基或鹵原子取代之的矽化合物。這些化合物 可混合2種以上使用。，這些中若考慮溶解於溶媒之溶解性 時’1理想爲1 ，1’ 一雙環五矽烷，，1 ，1’ 一雙環六矽 烷，，螺〔4，4〕九矽烷，，螺〔4，5〕十矽烷，螺〔5 ’ 5〕十一矽烷，、螺〔5，6〕十二矽烷及這些之骨架具 有S i H3基之砂化合物_。 本發明使用具有以一般式S i nX«表示之環系的矽化 合物之組成物時卩該組成物中也可含有正五矽烷，，正六矽 烷，、正七矽烷等之矽烷化合物，。_ 本發明之太陽電池之製造方法係使用含有以前述一般 式S i aXbY。表示之矽化合物之液體塗佈組成物較理想 ---I--Hi--re I i I I I I I 1 ^ illilli — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -11 - Α7 Λ A7 Μ 3 ____Β7__ 五、發明說明（9 ) ’該一般式中之χ爲氫原子或氟原子，·氯原子，漠原子， 碘原子等之鹵原子式中之γ爲硼原子或磷原子？變性砂 烷化合物在惰性氣體氣氛中或還原性氣體氣氛中，.進行熱 分解’·光分解，.或雷射照射時'轉變成以硼原子或磷原子 變性之矽膜。.式中a b及c具有以下關係，3爲3以上 之整數’，b爲a以上，2a + c + 2以下之整數，c爲1 以上v，. a以下之整數。a小於3時’，變性矽烷化合物爲 氣體狀或液狀\故藉由塗佈法不易得到良好之變性矽院膜 〇 特別是上述一般式s i aXbY。之矽化合物理想爲a + c爲5以上2 0以下者a + c爲5或6之者更理想。 a + c小於5時：矽化合物本身因環結構之變形造成不安 定’，不易使用：又a + c大於2 0時-，因矽化合物之凝集 力使在溶液中之溶解性降低，，實際能使用之溶媒的選擇範 圍變窄？ 上述一般式S i aXbY。之具體例有下述式之化合物 6〜化合物2 7表示之變性矽烷化合物，。 ------------r-裝---1!訂· -----—缚 f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 五、發明說明（10 H2Si ! H2Si
si 2 H
BH H2 si J2 2 IH si 化合物6 化合物7 A7 B7 si,s H2H2
sisi 2H2 £si‘
h^Si-SiH2 B
H2Si ——SiH2
siHP
化合物9 化合物1 0 HSi〆^Η,β： g化合物l i
HSi十 HSi ί HSi、
B 化合物1 2
Si H 化合物1 3 I I-----I---!裝 i I I---—訂--1 I--I — 缚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) HSl· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Si
SiH|\ .SiH HSi HSi* g.
•Si H
SiH
.SiH
化合物1 4 化細1 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -Ί3- 五、發明說明（11 〇2 ,Si
ClsSi- bo C^Si· cl 化合物1 6
BrzSi'I
Br2 -Si CI2Si--Si〇2 / \ ClaSi BH \ i CI2S1-SiCl2 化合物1 7 Br2Si-5旧&\ / \ SiBr2 B—4-SiBr2-H-B / \ In \ i Si Br2Si-S 旧 r2 Br2 化合物19
化合物2 1 Λ7B7 da /Si QaSK \ 〇2 SL· ，\ / 严 1 B」 卜SiC斤B 1 Clz \ /η \ ^SiCk 、 Si Cb 化合物1 8 BQSi--S 旧 Γ2 / Br2Si \ / Br^Si-S»Br2
BrsSi-S 旧 r2 B—j-Sil-t-J—B SiBr2 Br2Si-SiBr2 化合物2 0
Cl化合物2 3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 CISi A C；lSi CIS.I CISi
Cl Si
SiH l^SiCI1 -Sil· CISi /1 CISi
SiH
Sih
Si Cl 化合物2 4 化合物2 6
SiCI
CISU
Si- Cl
Si Ci
.SiH 化合物2 5 CI3Si-fsi 士化合物2 7 bci2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) 447143 A7 B7 五、發明說明（12) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化合物8 ，9 ，10 ，18，19及20中之η爲〇 以上之整數，,化合物2'6及2 7中之m爲2以上之整數·。 這些式中雖僅舉硼之變性矽烷化合物，，但也可舉具有與硼 之變性矽烷化合物相同骨架之磷之變性矽烷化合物，。 本發明中，·上述之變性矽烷化合物可以溶液（組成物 )中之矽化合物的形態單獨使用，，或與未變性之前述矽烷 化合物混合使用〖變性矽烷化合物與未變性之矽烷化合物 混合之混合比例係因硼或磷之變性元素之含有比例而不同 ，對於矽原子時1變性元素爲1 P P b〜2 5%.。 本發明之方法係將如上述以一般式S i nXm表示之矽 化合物（未變性矽化合物）及上述一般式S i aXbYc ( 變性矽化合物）溶解於溶媒之溶液塗佈於基板上，。本發明 用之上述溶媒通常室溫之蒸汽壓爲0 . 00 1〜200 mmHg。，蒸汽壓高於2 0 OmmHg時，，以塗佈形成塗 膜時，，溶媒先蒸發不易形成良好的塗膜1蒸汽壓低於 0 · 0 0 ImmHg時，•乾燥速度變慢，.矽化合物之塗膜 中易殘留溶媒，.有時後段步驟之熱及/或光處理後也不易 得到良質之矽膜及變性矽膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明使用之塗佈組成物的溶媒只要是將前述矽化合 物及/或前述變性矽化合物溶解，.不會與溶媒反應者即無 特別限制，.具體例如正戊烷，，正己烷，.正庚烷，.正辛烷， 癸烷.，二環己烷，.苯.，甲苯.，二甲苯，、硬炔•.茚：四氫化 萘，十氫化萘，.角鯊烯等之烴系溶媒，.二乙醚.，二丙醚.， 乙二醇二甲醚，.乙二醇二乙醚，.乙二醇甲基乙醚，二乙二 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 4471 Λ — · κι ，、 ___Β7^_ 五、發明說明（13) 醇二甲醚.，二乙二醇二乙醚，.二乙二醇甲基乙醚，四氫化 哦喃，.1 ，.2 -二甲氧基乙烷.，雙（2 —甲氧基乙基）醚 ，.對二噁烷，.四氫化呋喃等之醚系溶媒，.丙烯碳酸酯.，r _丁內酯、甲基一 2 —吡咯烷酮，.二甲基甲醯胺.，乙 腈，.二甲亞碩：氯仿等之極性溶媒。.這些當中，若考慮與 矽化合物之溶解性及該溶液之安定性時，.以烴系溶媒.，醚 系溶媒較理想，.更理想爲烴系溶媒。這.些溶媒可單獨使用 ，.或混合兩種以上使用。特別是烴系溶媒可提高矽化合物 之溶解性，.抑制後述之熱處理或光處理時之矽化合物的殘 留ί 本發明用之塗佈組成物其溶質可爲僅含有前述未變性 之矽化合物者，.或僅含有前述變性之矽化合物者，或含有 前述兩者矽化合物者：溶媒例如由上述所例示者所棒成， 溶質之濃度通常爲1%〜80%，.可配合所要之塗佈方法 或矽膜厚度來調製。，如上述所調製之變性含矽烷化合物溶 液之粘度理想爲1〜500mPa·s的範圍。粘度低於 ImPa · s時，，塗佈困難.，粘度超過5O0mPa _ s 時，.不易得到表面平滑之塗膜.。特別是使用油墨噴印頭塗 佈時’理想之粘度爲1〜50mPa · s的範圍.。 這些溶液在不會影響目的之功能的範圍內，視需要可 微量添加氟系|聚矽氧系，.非離子系等之表面張力調節劑, 。此非離子系表面張力調節劑使溶液對塗佈對象物有良好 的潤濕性，.改良塗膜之平坦性，.防止塗膜產生顆粒，橘皮、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- I I — I nil I I lr LI I — — — — — — I— > — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,.447 1 43 * A7 ____ B7 五、發明說明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明製造太陽電池所用之矽膜之製造步驟並非如一 般.之C V D法供給氣體，.而是將液體之前述塗佈組成物塗 佈於基板上，.然後使溶媒乾燥形成塗膜，.將該塗膜進行熱 分解及/或光分解轉變成金屬矽膜，或熱分解及/或光分 解後，-再以雷射處理轉變成多晶矽膜。特別是將硼原子或 磷原子變性之矽膜不必在真空體系下進行離子注入，即可 形成P型或η型之矽膜.。述塗佈組成物的塗佈方法例如可 使用旋轉塗佈，.輥塗，·簾幕塗佈，.浸塗•噴塗，噴墨法等 之方法。·一般係在室溫以上之溫度進行塗佈_。室溫以下之 溫度有時矽烷化合物之溶解性降低，.一部份會析出_。塗佈 時之氣氛係在氮，，氦ν氬等之惰性氣體中進行較佳.。必要 時可混入氫等之還原性氣體者爲佳。、使用旋轉塗佈法時之 旋轉器之轉數係由形成之薄膜之厚度.，塗佈溶液組成來決 定，·一般使用1 00〜5 000 r pm,，理想爲300〜 3 0 0 0 r pm。.塗佈後爲了除去溶媒而進行加熱處理.。 加熱之溫度係因使用之溶媒的種類·.沸點（蒸汽壓）而異 通常爲1 0 0°C〜2 0 0°C加熱氣氛係與上述塗佈步 驟相同之氮，.氦，.氬等之惰性氣體中進行較佳》 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 本發明用之塗佈組成物係塗佈此組成物形成塗膜後， 將該塗膜藉由熱及/或光處理轉變成矽膜。此處所得之矽 膜爲非晶質狀或多結晶狀。.上述熱處理時.，一般到達溫度 爲約5 5 0 °C以下之溫度時，.可得到非晶質狀，.5 5 0 t 以上可得到多結晶狀之矽膜。.欲得到非晶質狀之矽膜時， 理想爲3 0 0 °C〜5 5 0 t ,，更理想爲3 5 .0 °C〜5 0 0 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 447143 A7 B7 五、發明說明（is) {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) °c。到達溫度爲約3 0 0 °c以下之溫度時.，矽烷化合物之 熱分解未充分進行，，有時無法形成足夠厚度之矽膜.。上述 熱處理時之氣氛爲氮.，氬.，氦等之惰性氣體，·或混入氫等 之還原性氣體者較理想。、欲得到多結晶狀之矽膜時.，對上 述製得之非晶質狀矽膜照射雷射可轉變成多結晶狀矽膜.。 上述照射雷射時之氣氛也使用氮，.氬，.氦等之惰性氣體.， 或這些氣體中混入氫等之還原性氣體者.等不含氣之氣氛較 理想。. 對於含有矽化合物之組成物（溶液）之塗膜在除去溶 媒之前及/或除去溶媒後，.可在惰性氣氛中進行光處理.。 溶媒可溶性之矽化合物藉由該光處理之反應不僅成爲溶媒 不溶性之強韌的塗膜，.藉由光處理後」或與光處理同時所 進行之熱處理可轉變成光學性，，電氣特性優異之矽膜。 上述光處理所用之光源，，例如可使用低壓或高壓之水 銀燈，.重氫燈或氬，氪，山等之稀有氣體之放電光.， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Y A G雷射，氬雷射，一氧化碳雷射X e F，. X e C 1 .， XeBr ’_KrF，KrCl 'ArF，ArCl 等之激 發雷射等之光源。這些光源一般可使用i 〇〜5 〇〇〇W 之功率者，.通常1 Ο 0〜1 Ο 0 0W即足夠。這些光源之 波長只要能被矽化合物及光開環矽化合物吸收者即可.，無 特別限制，.通常爲1 7 Ο n m〜6 Ο Ο n m…特別是考慮 吸收功率時·，理想爲1 7 0 nm〜3 8 0 nm、。若考慮轉 變成多結晶狀矽膜的效率時，、使用雷射光爲佳.。這些光處 理時之溫度通常爲室溫〜5 0 0 °C，可配合製得之矽膜之 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 447143 r4 4 A7 _B7 __ 五、發明說明（16> 半導體特性來適當選擇^ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> .對於塗佈本發明用之塗佈組成物的基扳無特別限制， 可使用通常之石英.，硼矽酸玻璃，.鈉鈣玻璃，.I TO等之 透明電極，金，.銀，.銅，.鎳：鈦.，鋁.，鎢等之金靨基板， 及表面具有這些導電性金屬或I TO等之導電性金靨氧化 膜的玻璃，，塑膠基板等.。 如上述之實施本發明方法之裝置的模式圖如第1圖及 第2圖所示。第1圖係在惰性氣氛中設置旋轉塗佈機11 f 與紅外燈1 4的裝置。在氮等之惰性氣氛中，將含有前述 之矽烷化合物之塗佈組成物滴在基板1 2上然後藉由旋 轉塗佈機1 1均勻塗佈，、乾燥後-，使用紅外燈1 4以所定 條件進行熱處理，.基板1 2上可形成非晶矽膜1 此矽 薄膜13之雜質濃度或導電特性可藉由塗佈之塗佈組成物 中之矽烷化合物與變性矽烷化合物的混合比例來控制U。矽 薄膜之膜厚可藉由旋轉塗佈之轉數.，溶液之粘度，濃度等 來控制巧 第2圖係在惰性氣氛中，.使用噴墨印表頭2 4將含有 • 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 矽烷化合物之前述塗佈組成物2 5之液滴2 6塗佈於基板 2 2上，·同時形成圖型（第2圖a)，.接著將塗佈於基板 上之塗佈組成物予以乾燥，，除去溶劑（第2圖b ),，在加 熱盤上將基板加熱，.形成非晶矽膜2 8 (第2圖c )之裝 置之模式的例。.使用噴墨印表頭塗佈溶液時。，可僅在必要 之處進行均勻塗佈，.故原材料之使用量可降至最低限度·《 此時膜厚之控制可藉由噴墨頭之動作條件.，溶液濃度或粘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 447143 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消t合作社印製 五、發明說明（17 ) 度條件來控制》 太陽電池一般係在一對電極間設置二層以上之i型.， P型，η型之半導體薄膜，，且具有pn ，. p i η，. i p， i n等之半導體接合之結構。本發明之太陽電池之製造方 法爲了形成這種半導體接合時，.藉由重複必要次數之前述 之i型：ρ型，η型之矽薄膜的形成方法，.可形成任意之 半導體接合。/ 本發明之太陽電池所用之電極及配線用之導電膜及必 要時所用之絕緣膜無特別限定，.例如一般可使用太陽電池 所用之金屬膜\ I TO膜等之透明導電膜，S i 〇2等之絕 一 緣膜，.這些之形成方法可使用一般之蒸鍍法，.濺鍍法.， C V D法等》•若考慮在不需真空製程由液體材料形成矽膜 之本發明之方法的特徵時：這些導電膜，.絕緣膜之形成也 以使用不需真空製程之液體材料較理想：由液體材料形成 導電膜的方法例如使用將金屬微粒子分散於有機溶媒之懸 浮液的方法：電鍍法，.塗佈含有銦與錫之有機化合物後， 熱處理形成I TO薄膜的方法等。由液體材料形成絕緣膜 的方法例如基板上塗佈聚矽胺烷後·.，熱處理轉變成S i 〇2 的方法 本發明之太陽電池之製造方法中，前述之矽膜：導電 膜，.絕緣膜有時在成膜後形成圖型再使用，.其方法例如可 使用光罩法.，光蝕刻法等之一般的方法.。若考慮塗佈液體 材料形成膜之本發明的特徵時〜以使用噴墨印表頭塗佈液 體材料〜同時形成圖型的方法較理想使用噴墨法時可 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4 Λ格<210 X 297公« ) : 2b>- — — — — — — — — — — II 一_ · I I (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁)
Ms -ά· /471^3 A7 B7 五、發明說明（I8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將原材料之使用量降低至最低限度，.有效降低太陽電池製 造的成本=.又使用液體材料形成前述之矽膜，.導電膜.，絕 緣膜時，.以噴墨法進行塗佈：同時形成圖型的方法特別理 想' 以下藉由下述實施例詳細說明本發明.，但本發明不受 這些實施例所限制。. (實施例1 ) 在形成透明導電膜I TO (32)之石英基板（31 )上，.使用以下之歩驟1_1〜1_4的方法製作如第3 圖之模式結構的太陽電池^ (步驟1 — 1 ) 首先I.爲了形成P型之矽膜.，而將硼變性矽烷化合物 1 -硼六矽烷柱狀體（化合物）lmg與環六矽烷1 g溶 解於甲苯2 0 g中：調製塗佈溶液。.此溶液之粘度爲 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 5 . 5mPa · s.。將此溶液在氣氣氛下.，旋轉塗佈於前 述含I TO之石英基板3 1上，.以1 5 0°C乾燥後_，在含 3%氫之氬氣氛中，以4 5 〇°C進行熱分解.，得到膜厚 6 0 n m之p型非晶矽膜3 3 .。 (步驟1 _ 2 ) 接著爲了層合i型之矽膜：而將1，1^_雙環五矽烷 2 g溶解於甲苯1 0 g與二甲苯1 0 g之混合溶媒中，，調 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4471^3 、- A7 ___B7 五、發明說明（19 ) 製塗佈溶液。·此溶液之粘度爲6 . 5mPa ♦ s。，將此溶 液在氬氣氛下，.旋轉塗佈於前述基板上，.以1 5 0°C乾燥 後，，在含3%氬之氬氣氛中，.以4 5 0 °C進行熱分解，，在 上述P型非晶砂膜3 3上層合膜厚1 0 0 nm之i型非晶 矽膜3 4 _。 (步驟1 — 3 ) , 接著爲了層合η型之矽膜，.而將磷變性矽烷化合物1 一磷環五矽烷lmg與八矽烷立方體（化合物2)1g溶 解於甲苯1 0 g與四氫化萘之混合溶媒中：調製塗佈溶液 — · 。此溶液之粘度爲7 · 2mPa · s.。將此溶液在氬氣氛 下，，旋轉塗佈於前述基板上，.以1 5 0°C乾燥後/在含3 %氫之氬氣氛中，，以4 5 0°C進行熱分解，層合膜厚.6 0 nm之η型非晶矽膜3 5 : (步驟1 - 4 ) 從如上述形成之P i η接續結構之薄膜上，.使用光罩 在層積膜之一部份蒸鍍3 0 0 nm之鋁膜3 6後/將無鋁 膜的部分進行蝕刻直到下部之I TO膜3 2露出爲止/，形 成如第3圖之結構的太陽電池，。 測定上述製作之太陽電池的光起電力.，得到變換效率 爲 4 , 5 % 4 ♦ (實施例2 / ， 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — r/ V- — i I I I I I I I I I I I 1 — (請先閲讀背面之注ί事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五 '發明說明（2〇 ) 除了變更實施例1之太陽電池形成步驟之液體材料及 處理方法（步驟1- 1〜1 — 3改爲以下之步驟2-1〜 2 - 3 )外，、其餘與實施例1的方法相同.，形成如第3圖 之結構的太陽電池。 - Η (步驟2 - 1 ) 將硼變性矽烷化合物1 -硼八矽烷立方體（化合物 12) lmg與矽烷基環五矽烷lg溶解於甲苯2〇g中 ，·再將粘度爲5mP a · s之溶液在含3%氫之氬氣氛中 ，-旋轉塗佈於基板上，.以1 5 0 °C乾燥的狀態下照射 5 0 0 W之高壓水銀燈5分鐘。.然後與步驟1 _ 1相同進 行熱處理，.形成P型非晶矽膜.。 (步驟2 — 2 ) 將1，厂―雙環六矽烷lg與1，1'_雙環五矽烷1 g溶解於四氫化萘20g，，將粘度爲7mPa · s之溶液 在含3%氫之氬氣氛中，.旋轉塗佈於基板上.，接著在相同 氣氛中，.基板溫度爲室溫的狀態下.，照射5 0 0W之高壓 水銀燈3 0分鐘.。然後與步驟2 - 1相同進行熱處理，形 成i型非晶矽膜.。 (歩驟2 - 3 ) 將1 -磷環六矽烷與1 一磷環五矽烷之混合物ling 溶解於甲苯20g中’.將粘度爲6 . 5raPa · s之溶液 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公麓） *23- 447143 A7 B7 五、發明說明（21 ) 進行與步驟1 - 3相同之處理形成η型非晶矽膜，。 然後以實施例1之步驟1 相同之電極形成的方法 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成上部電極。、形成如第3圖之結構的太陽電池。測定上 述製作之太陽電池的光起電力 '得到變換效率爲3 . 5 (實施例3 丫 , 除了僅變更實施例1之太陽電池形成步驟之液體材料 及處理方法（步驟1 — 1〜1-3改爲以下之步驟3 - 1 〜3 - 3 )外，其餘與實施例1的方法相同，.形成如第3 圖之結構的太陽電池、。 (步驟3 - 1 ) 將1一硼環五矽烷（前述化合物6)Img與環五矽 烷1 g溶解於四氫化萘3 0 g與十氫化萘1 0 g之混合溶 媒中，.使用粘度爲3 . 2mPa · s之溶液進行與步驟1 _ 1相之處理，形成p型非晶矽膜：> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (步驟3 — 2 ) 將環六矽烷1 g溶解於四氫化萘3 0 g與十氫化萘 1 Og之混合溶媒中，，使用粘度爲3 . 2mPa · s之溶 液進行與步驟1 - 2相之處理，.層合i型非晶矽膜； (步驟3 — 3 ) . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 Λ47143 Α7 _Β7______ 五、發明說明（22) 將1-磷環五矽烷lmg與環五矽烷1g溶解於溶解 於四氫化萘3 0 g與十氫化萘1 〇 S之混合溶媒中.，使用 粘度爲3 . 2mPa · s之溶液進行與步驟1 — 3相之處 理，.層合η型非晶矽膜。· * 然後以步驟1 一 4相同之電極形成的方法形成上部電 極。形成如第3圖之結構的太陽電池。·測定上述製作之太 陽電池的光起電力，得到變換效率爲5%。 (實施例4 ) 實施例3之太陽電池形成步驟中.，將步驟3 — 1〜3 - 3改爲以下之步驟4 — 1〜4 一 3 .，使形成非晶矽膜後 ，.藉由照射雷射轉變成多晶矽膜，.其餘與實施例3的方法 相同，·形成如第3圖之結構的太陽電池.。 (步驟4 _ 1 ) 使用與步驟3 - 1相同之步驟，在形成ρ型非晶矽膜 後，在氬氣氛中，.以波長3 0 8 nm之激發雷射’能量密 度3 2 0 m J / c ιώ2照射上述ρ型非晶矽膜，轉變成ρ型 多晶矽膜。
I (步驟4 _ 2 ) 使用與步驟3 _ 2相同之步驟，在層合i型非晶矽膜 後，在氬氣氛中，.以波長3 0 8 nm之激發雷射能量密 度3 2 OmJ/cm2照射上述i型非晶矽膜轉變成i型 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS)A4規格<210 x 297公釐） — — — — — — — — — — — VI --------^---1 I---- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 447143 Α7 Β7 經濟部智慧財產局貝工消费合作杜印製 五、發明說明（23) 多晶矽膜。 (步驟4 一 3 ) 使用與步驟3 - 3相同之步驟，.在層合η型非晶矽膜 後，在氬氣氛中，.以波長3 0 8 nm之激發雷射，.能量密 度3 2 Om J / c m 2照射上述η型非晶矽膜，.轉變成n型 多晶矽膜 然後以步驟1 一 4相同之電極形成的方法製作由多晶 矽薄膜所構成之如第3圖之結構的太陽電池測定上述製 作之太陽電池的光起電力，得到變換效率爲8 . 5%。 (實施例5 )/ 將實施例4之3次之氬氣氛中之照射激發雷射在大氣 中進行外”其餘與實施例4相同的步驟製作太陽電池測 定此太陽電池的光起電力，.得到變換效率爲5 . 5%。. (實施例6 ) 使用噴墨法在玻璃基板41上將含有銦與錫之有機化 合物之液體材料塗佈如4 2之圖型後，，進行熱處理.，轉變 成I TO膜（Indium-Tin-Oxide ).，形成如第4圖所示之圖 型4 2的形狀％接著以噴墨法將步驟4 - 1使用之液體材 料進行圖型塗佈.，藉由與步驟4 - 1相同之熱處理與雷射 照射使P型多晶矽膜形成如圖型4 3的形狀：然後以噴墨 法將步驟4 - 2使用之液體材料進行圖型塗佈.，藉由與步 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家櫟準（CNS)A4 Λ格<210 * 297公羞） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 d47 Ί 4 3 A7 _____B7___ 五、發明說明（24) 驟4 一 2相同之熱處理與雷射照射使i型多晶矽膜形成如 圖型4 4的形狀。再以噴墨法將步驟4 _ 3使用之液體材 料進行圖型塗佈，·藉由與步驟4 ~ 3相同之熱處理與雷射 照射使η型多晶矽膜形成如圖型4 5的形狀？由上述所形 成之p i η型多晶矽之層合圖型上使用光罩蒸鍍鋁膜4 6 "製作第4圖所示之結構之由多晶矽所構成，·且直列連接 多個元件之結構的太陽電池測定此太陽電池的光起電力 ，得到變換效率爲7 · 5 % (實施例7 ) 爲了實現以液體材料爲原料形成所有的膜.，且製造無 真空製程之太陽電池的方法時，.僅將實施例6之使用光罩 蒸鍍鋁膜的步驟改爲如以下之（1 ) 一（ 3 )，.同樣地製 作第4圖所示之太陽電池。.（1 )將銀漿料中添加有機溶 媒調製粘度爲2OmPa·s之溶液以噴墨法塗佈形成如 圖型4 6的形狀後，進行乾燥的方法：（2)使用與實施 例6之下部電極所用之相同的噴墨法使I TO形成圖型 4 6的形狀。.（3 )僅對圖型4 6的部分選擇性進行鍍鎳 的方法以上述（1 )〜（3)之任一種方法所製作之太 陽電池中·其變換效率與實施例6同爲7 . 5%。. (實施例8 / 如下述皆使用液體材料與噴墨法在玻璃基板51上製 作如第5圖所示之結構的太陽電池。，首先.，使用與實施例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27^ 11 J ---1111 —r V 1 --!l — — — — — — n (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 在 Λ"Μ 43 Α7 Β7 五、發明說明（25) (請先閲讀背面之泫意事項再填寫本頁) 6相同的方法形成I 丁0膜作爲下部電極.。接著將聚矽胺 烷溶液以噴墨法進行圖型塗佈·，熱處理轉變成如5 3所示 形狀之Si 〇2的絕緣膜。，被此Si 〇2 膜圍繞之內部全 面上以噴墨法將步驟4-1使用之液體材料進行圖型塗佈 ，·藉由與步驟4 - 1相同之熱處理與雷射照射使P型多晶 矽膜5 4 »·然後以噴墨法將步驟4 - 2使用之液體材料在 P型多晶矽膜5 4上進行圖型塗佈，.藉_由與步驟4 - 2相 同之熱處理與雷射照射形成i型多晶矽膜5 5。.再以噴墨 法將步驟4 _ 3使用之液體材料在i型多晶矽膜5 5上進 行圖型塗佈，.藉由與步驟4 - 3相同之熱處理與雷射照射 形成i型多晶矽膜5 6由上述所形成之如第5圖所示之 P i η連接結構上使用與實施例6之下部電極相同的方法 ，-以噴墨法使I Τ 0形成圖型\形成5 7的形狀/製作如 第5圖所示之結構的太陽電池。，測定此太陽電池的光起電 力，·得到變換效率爲9 % .。 產業上之利用性 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述，.使用本發明之方法製造太陽電池時：因爲使 用由液體材料出發之新的塗佈製程形成矽薄膜.，因此不需 要以往昂貴，.且大型裝置之真空中之CVD之成膜或離子 注入等之步驟。，又使用噴墨印表頭僅對於必要的部分進行 液體材料之圖型塗佈，.可將原材料之使用量降至最低？結 果製造太陽電池時，.能節省資源，.節省能源.，能夠以目前 爲止所無法達到之低成本來製造大面積之太陽電池： -28- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4*47 1 4-3 六、申請專利範圍 1 .—種太陽電池的製造方法，其係製造具有在一對 電極間至少層積二層以上之雜質濃度及/或種類不同之半 導體薄膜之結構的太陽電池：¾特徵爲至少一層之半導體 薄膜之形成係由，：基板上塗佈含·有矽化合物之液體的塗佈 組成物，，形成塗膜的步驟：_接著將該塗膜進行熱處理及/ 或光處理形成矽膜的步驟所構成.。 2 .如申請專利範圍第1項之太陽電池的製造方法.， 其係使用前述液體之塗佈組成物：含有具有以一般式 S i nXm (X爲氳原子及/或鹵原子，.η爲5以上之整數_ ，111爲11或2 η - 2或2 η之整數）表示之環系的矽化合 物，，及溶媒的液體組成物，.形成前述半導體薄膜之i型的 矽薄膜、。 3 .如申請專利範圍第1項之太陽電池的製造方法，， 其係使用前述液體之塗佈組成物：含有以一般式 % S i aXbY。（X爲氫原子及/或鹵原子，，Y爲硼原子或 磷原子t a爲3以上之整數，.b爲a以上，，2 a + b + 2 以下之整數，.C爲1以上，，.a以下之整數）表示之變性 矽化合物，.及溶媒的液體組成物.，形成前述半導體薄膜之 p型或η型的矽薄膜.。 4 .如申請專利範圍第1項之太陽電池的製造方法.， 其係使用前述液體之塗佈組成物：.含有具有以一般式 S i nXm (X爲氫原子及/或鹵原子，*η爲5以上之整數 'm爲η或2 η ~ 2或2 η之整數）表示之環系的砂化合 物，，及以一般式S i aXbY。（X爲氫原子及/或鹵原子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -29- ---------1 ---i I----I — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8B8C8D8 447143 六、申請專利範圍 ，、γ爲硼原子或磷原子，.a爲3以上之整數：b爲a以上 * 4 ’ 2 a + b + 2以下之整數，.C爲1以上，.，a以下之整 數）表示之變性矽化合物之任意比例的混合物：及溶媒的 液體組成物’·形成載體濃度被控-制之P型或n型的矽薄膜 〇 5 .申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太陽電 '池的製造方法，，其中將前述塗膜以熱或/及光處理形成矽 膜的步驟係由，，藉由熱處理除去該塗膜中之溶媒的步驟，； 接著以高於除去前述溶媒步驟之溫度之熱處理及/或光處 理使前述塗膜成爲非晶矽膜的步驟所構成，。 6 如申請專利範圍第5項之太陽電池的製造方法.， 其係藉由雷射退火或/及燈光退火使前述非晶矽膜轉變成 多晶矽膜的步驟.。 7 ·如申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太陽 電池的製造方法，.其中前述塗佈組成物之溶媒爲常溫下之 蒸汽壓爲0 . 00 1〜2 0 0mmHg之烴系溶媒 8. 如申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太陽 電池的製造方法，.其中前述塗佈組成物之粘度爲1〜5 0 mPa . s ，表面張力爲20〜70dyn/cm。 1 » 9. 如申請專利範圍第2項或第4項之太陽電池的製 造方法、其中前述一般式S i 爲5以上，.2 0以 下。、 1 0 .如申請專利範圍第3項或第4項之太陽電池的 製造方法、其中前述一般式S i aXbY£中a. + c爲5或 本紙張尺度埤用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公笼） ---------I--I ------11^.----I----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 47 1 43 as 、- C8 -办' D3 六、申請專利範圍 6之化合物或這些的混合物.。 1 1 .如申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太 陽電池的製造方法 >.其中前述電極及由前述電極之配線所 使用之導電膜的形成步驟含有：(基板上塗佈含有金屬之液 體材料，.形成塗膜的步驟.：藉由熱處理使該塗膜形成金屬 膜的步驟；.該塗膜及/或該金屬膜形成圖型的步驟> 1 2 .如申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太 陽電池的製造方法，.其中前述電極及由前述電極之配線所 使用之導電膜的形成步驟含有：.藉由電鍍在基板上形成金 屬膜的步驟；4使該金屬膜形成圖型的步驟。. 1 3 .如申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太 陽電池的製造方法〜其中前述電極及由前述電極之配線所 使用之導電膜的形成步驟含有.：基板上塗佈含有銦與錫之 有機化合物的液體材料，.形成塗膜的步驟；.使該塗膜形成 I 丁 0膜（Indium-Tin-Oxide )之熱處理步驟該塗膜及/ 或該I TO膜形成圓型的步驟。 1 4 如申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太 陽電池的製造方法，.其係含有/基板上塗佈含有聚矽胺烷 之液體材料，，形成塗膜的步驟.：藉由熱處理使該塗膜形成 5 i 〇2膜的步驟；該塗膜及/或該S i 〇2膜形成圖型的 步驟。， 1 5 .如申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太 陽電池的製造方法，，其中前述矽膜及含有前述電極之實質 上所有的膜的形成步驟係以由液體材料所構成之原料來製 I — — — — — 111 — — —— --— — — — — — « — — — — — I — <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度埤用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -31 - 4471 4 3 A8B8C8D8
    六、申請專利範圍 造，完全不使用氣相成長法與真空製程，。 1 6 ·如申請專利範圍第1項〜第4項中任一項之太 陽電池的製造方法，，其係塗佈前述塗佈組成物或前述液體 材料之步驟中，.使用噴墨印表機噴頭進行塗佈。 * — — — — — — — —— 111 — ---I I--I 1 ^ in — — — — — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度埤用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •32-
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