JP4324970B2 - 光電変換装置、画像表示装置、光電変換装置の製造方法、および画像表示装置の製造方法 - Google Patents

光電変換装置、画像表示装置、光電変換装置の製造方法、および画像表示装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、ケイ素化合物を含有する液体を用いて光電変換装置、画像表示装置、光電変換装置の製造方法、および画像表示装置の製造方法に関するものである。
従来から、環境にやさしい電源として、太陽電池等の光電変換装置が注目を集め、人工衛星用電源等に用いられる単結晶シリコン型の太陽電池、また、多結晶シリコンやアモルファスシリコンを用いた太陽電池が、産業用や家庭用に広く用いられている。
一般に、アモルファスシリコン太陽電池は、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層がＩ型半導体層からなる光吸収層を挟む、いわゆるＰＩＮ構造と呼ばれる構造を有し、Ｉ型半導体層にできる内蔵電界を利用して、電極から光電流と光起電力が取り出される。
特許文献１では、大掛かりな設備を用いずに低コストで太陽電池を製造する方法として、ケイ素化合物を含有する液体のコーティング組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を熱処理および／または光処理して形成したシリコン膜を半導体層として用いる方法が提案されている。
太陽電池の利用範囲が広がるに伴い、太陽電池部分に文字や図形を表示することに対する需要が高まっている。例えば、全体が太陽電池で形成されたＩＣカード上に顔写真や氏名等を表示する場合が考えられる。
太陽電池部分に文字や図形を表示する方法として、例えば、特許文献２には、太陽電池パネルを並べることでモザイク状に２次元描画パターンを作成する方法が記載されている。
また、特許文献３には、太陽電池の表面の透明膜に、部分的に凹凸形状を変えて文字や絵模様を形成する方法が記載されている。
また、特許文献４には、光電変換装置を形成する電極、半導体層、および色素層を、表示する図形等の形状に形成する方法が記載されている。
国際公開公報ＷＯ００／５９０４４ 特開平１０−３０８５２５号公報 特開平８−８８３８３号公報 特開２００４−２２８４５０号公報
しかし、特許文献２〜特許文献４に記載の方法では微細な絵や高精細な写真を表現することができない。また、ＩＤカードのような多品種少量生産への利用はコスト的に困難である。
そこで、本発明は、高精細な静止画を施した光電変換装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため本発明の光電変換装置は、基板上に配置された複数の光電変換領域と、前記基板上の前記光電変換領域相互間に配置された着色領域とを有し、前記着色領域は前記基板上に画像を形成することを特徴とする。
かかる構成とすることにより、表示機能と光電変換機能とを同一面に持たせることができ、平面の利用効率を向上させることができる。
光電変換領域の単位面積あたりの個数は、基板全体で略均一であることが好ましい。それにより、光電変換装置の性能が基板全体で均一となる。
また、着色領域の単位面積あたりの個数は、基板全体で略均一であることが好ましい。また、光電変換領域Ａと着色領域Ｂの面積比率Ｂ／Ａは、好ましくは１以上である。これにより、高精細な静止画を形成することができる。
また、静止画は、例えば、文字、写真、およびシンボルマーク等である。
また、本発明の光電変換装置は、基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層上に形成された複数のＩ型半導体膜と、前記複数のＩ型半導体膜上に形成された第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層上に形成された第２の電極と、を有し、前記複数のＩ型半導体膜は各々間隔を開けて島状に形成され、前記複数のＩ型半導体膜と重複しない領域に色素が配置され、前記色素を構成要素に含む画像が形成されているものである。前記色素は、例えば前記第２の電極上に形成することができる。また、前記色素は前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間で前記Ｉ型半導体膜の形成されていない領域に形成してもよい。
かかる構成とすることにより、表示機能と光電変換機能とを同一面に持たせることができ、平面の利用効率を向上させることができる。
また、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間で前記Ｉ型半導体膜の形成されていない領域に絶縁膜を形成することにより、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間でＩ型半導体層の形成されていない領域の短絡を防ぐことができる。絶縁膜の代わりに、前記Ｉ型半導体膜よりも厚みの小さい半導体膜を形成してもよい。
また、本発明の光電変換装置は、前記第２導電型半導体層の前記色素と重複しない領域と前記色素とが前記画像を形成する要素として構成される。
これにより、前記第２導電型半導体層の前記色素と重複しない領域を色素のひとつとして画像処理することができるので、画像の質を向上することができる。
また、本発明の画像表示装置は、上記の光電変換装置を含む。
かかる構成とすることによって、画像表示装置に高精細な静止画を形成し、機能性、デザイン性を高めることができると共に、情報表示器等を搭載する場合の駆動電力を供給することができる。ここで画像表示装置とは、光電変換装置を備えたＩＣカード、写真、ポスター、携帯電話、看板などを含むことはもちろん、乗用車、航空機など、装飾面を有するもの全般を含む。ここには建造物の壁面など不動産物も含まれる。
また、本発明の光電変換装置の製造方法は、基板上に第１導電型半導体層を形成する工程と、前記第１導電型半導体層上に複数の液体材料をそれぞれ間隔が空くように配置する工程と、前記複数の液体材料を焼成し複数のＩ型半導体膜を形成する工程と、前記複数のＩ型半導体膜上に第２導電型半導体層を形成する工程と、前記複数のＩ型半導体膜と重複しない領域に色素を配置する工程と、を有し、前記色素は画像を形成する要素であることを特徴とする。
かかる構成とすることによって、表示機能と光電変換機能とを同一面に持たせることができ、平面の利用効率を向上させることができる。
また、前記複数の液体材料と前記色素を、インクジェット装置のノズルより吐出して配置することにより、所望の位置にＩ型半導体膜と色素とを配置することができる。
さらに、前記複数の液体材料を配置する工程に先立ち、前記複数の液体材料と前記色素との配置を画像処理情報に基いて決定する工程を設けてもよい。予め画像を形成する要素を決定することで画質を著しく落とすことなく適切な場所に複数の液体材料を配置することができる。
また、本発明の画像表示装置の製造方法は、上記の光電変換装置の製造方法を用いる。これにより、画像表示装置に高精細な静止画を形成し、機能性、デザイン性を高めることができると共に、情報表示器等を搭載する場合の駆動電力を供給することができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
実施例１．
図１は、本発明の光電変換装置１の実施形態を示す斜視図である。なお、以下の説明では、図１中の紙面上、上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言い、各層（各部材）の上側の面を「上面」、下側の面を「下面」と言う。
図１に示す光電変換装置１は、電解質溶液を必要としない、いわゆる乾式光電変換装置と呼ばれるものである。この光電変換装置１は、基板１０と、第１の電極（面電極）１２と、第１導電型半導体層としてのＰ型半導体層１４と、Ｉ型半導体層１６と、第２導電型半導体層としてのＮ型半導体層１８と、第２の電極（対向電極）２０とを有している。第２の電極２０の上面には、色素層２２（図中、梨地部分）によって図形が形成されている。第１の電極１２と第２の電極２０とを外部回路８により接続すると、外部回路８に電流（光励起電流）が流れる。
次に各層（各部）の構成について説明する。
基板１０は、第１の電極１２、Ｐ型半導体層１４、Ｉ型半導体層１６、Ｎ型半導体層１８および第２の電極２０の各層を支持するものである。この基板１０は、平板状（または層状）の部材で構成されている。
図１に示すように、光電変換装置１は、基板１０および第１の電極１２側から、例えば、太陽光等の光（以下、単に「光」と言う。）を入射させて（照射して）使用するものである。このため、基板１０および第１の電極１２は、それぞれ、好ましくは実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、光を、Ｉ型半導体層１６に効率よく到達させることができる。
図２に、光電変換装置１の製造工程を示す。
（第１の電極の形成工程）
まず図２（Ａ）に示すように、基板１０上に、第１の電極１２を形成する。
基板１０の構成材料としては、例えば、各種ガラス材料、各種セラミックス材料、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のような各種樹脂材料等が挙げられる。また、基板１０は、単層または複数層の積層体で構成されていてもよい。
基板１０の平均厚さは、材料、用途等により適宜設定され、特に限定されないが、例えば、次のようにすることができる。
基板１０が硬質なものである場合、その平均厚さは、０．１〜１．５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．８〜１．２ｍｍ程度であるのがより好ましい。また、基板１０が可撓性（フレキシブル性）を有するもの（主として樹脂材料で構成された可撓性基板）である場合、その平均厚さは、０．５〜１５０μｍ程度であるのが好ましく、１０〜７５μｍ程度であるのがより好ましい。
なお、光電変換装置１を各種の電子機器に搭載する場合、電子機器の構成部材を光電変換装置１の基板１０として利用することができる。
基板１０の上面には、層状の第１の電極（面電極）１２が設けられている。第１の電極１２の構成材料には、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素ドープした酸化錫（ＦＴＯ）、酸化インジウム（ＩＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）のような各種金属酸化物（透明導電性酸化物）、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、銀、金、銅、モリブデン、チタン、タンタルまたはこれらを含む合金のような各種金属材料、カーボン、カーボンナノチューブ、フラーレンのような各種炭素材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ、スパッタ法、スプレー法、インクジェット法等によって薄膜状の電極を形成することができる。
第１の電極１２の平均厚さは、材料、用途等により適宜設定され、特に限定されないが、例えば、次のようにすることができる。第１の電極１２を各種金属酸化物で構成する場合、その平均厚さは、０．０５〜５μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１．５μｍ程度であるのがより好ましい。また、第１の電極１２を各種金属材料や各種炭素材料で構成する場合、その平均厚さは、０．０１〜１μｍ程度であるのが好ましく、０．０３〜０．１μｍ程度であるのがより好ましい。
（Ｐ型半導体層の形成工程）
次に、図２（Ｂ）に示すように、第１の電極１２上に、第１の半導体層としてＰ型半導体層１４を形成する。
Ｐ型半導体層１４は、例えば、一般式ＳｉnＸm（ここで、Ｘは水素原子および／またはハロゲン原子を表し、ｎは５以上の整数を表し、ｍはｎまたは２ｎ−２または２ｎの整数を表す。）で表される環系を有するケイ素化合物（特にシラン化合物）に、一般式ＳｉaＸbＹcで表されるケイ素化合物を添加し、これに紫外線を照射して重合させた後、トルエン等の溶媒で希釈し、フィルターを通した液体材料を用いて形成することができる。ここで用いられる溶媒は、上記シラン化合物および／または変性シラン化合物を溶解し、溶質と反応しないものであれば特に限定されない。また、Ｐ型半導体層の形成に用いられる変性シランとしては、例えば、ホウ素原子を含むシラン化合物が挙げられる。
上述の液体材料は、スピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スプレー法、インクジェット法等を用いて、第１の電極１２上に塗布することができ、例えば、厚さ数十ｎｍ程度に形成する。塗布後、焼成し（例えば、４００℃１時間）、ドープされたアモルファスシリコンとする。必要に応じてさらにレーザ照射等により結晶化する。
具体的例として、ホウ素変性シラン化合物１−ボラヘキサプリズマン（化合物）１ｍｇとシクロヘキサシラン１ｇをトルエン２０ｇに溶かして塗布溶液を調製し、この溶液をアルゴン雰囲気中で基板１０上にスピンコートして１５０℃で乾燥した後、水素３％含有アルゴン中で４５０℃で熱分解を行い、膜厚６０ｎｍ程度のｐ型アモルファスシリコン膜を形成する方法が挙げられる。
（シリコン膜の前駆体膜の形成工程）
次に図２（Ｃ）に示すように、不純物を含まない液体シリコン材料をインクジェット法によって吐出し、Ｐ型半導体層１４に液滴を配置し、乾燥させて、シリコン膜の前駆体膜１６’を形成する。
液体シリコン材料としては、例えば、一般式ＳｉnＸm（ここで、Ｘは水素原子および／またはハロゲン原子を表し、ｎは５以上の整数を表し、ｍはｎまたは２ｎ−２または２ｎの整数を表す。）で表される環系を有するケイ素化合物（特にシラン化合物）に紫外線を照射して重合させ、トルエン溶剤で希釈して１０％前後とし、フィルターを通したものを用いることができる。
ここで、図３にインクジェット法に用いられる液滴吐出装置（インクジェット装置）の一例を示す。
図３に示す液滴吐出装置３０は、基板１０を載置する載置テーブル３２と、載置テーブル３２をｘ軸方向に移動（主走査）するｘ軸駆動ローラ３４と、ノズル３６を有する液滴吐出ヘッド３８と、液滴吐出ヘッド３８をｙ軸方向に移動（副走査）するｙ軸駆動機構４０とを有している。
液滴吐出ヘッド３８内には、液体シリコン材料が収納され、ノズル３６の先端に形成された小孔から液滴４２として吐出される。
載置テーブル３２をｘ軸方向へ移動させるとともに、液滴吐出ヘッド３８をｙ軸方向において往復動させつつ、液滴４２をノズル３６の小孔から吐出させることにより、前記膜を形成する。
この液滴４２は、液滴吐出装置を用いることによって、所定の画像処理情報に基いて計算されて基板１０上に配置することができる。所定の画像とは後述の色素層の形成工程を経て形成される画像（図形）のことである。
（加熱処理工程）
続いて、図２（Ｄ）に示すように、４００℃、１時間の焼成を行い、シリコン膜の前駆体膜１６’を、アモルファスシリコン膜（Ｉ型半導体層）１６に変換させる。
焼成すると膜厚は薄くなるが、本発明に係る方法によれば、液滴の高さは、１μｍ以上、好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上に形成される。
加熱処理の場合には一般に到達温度が約５５０℃以下の温度ではアモルファス状、それ以上の温度では多結晶状のシリコン膜が得られる。アモルファス状のシリコン膜を得たい場合は、好ましくは３００℃〜５５０℃、より好ましくは３５０℃〜５００℃が用いられる。到達温度が３００℃未満の場合は、シラン化合物の熱分解が十分に進行せず、十分な特性のシリコン膜を形成できない場合がある。上記熱処理を行う場合の雰囲気は窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス、もしくは水素などの還元性ガスを混入したものが好ましい。多結晶状のシリコン膜を得たい場合は、上記で得られたアモルファス状シリコン膜にレーザを照射して多結晶シリコン膜に変換することができる。上記レーザを照射する場合の雰囲気も窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス、もしくはこれらの不活性ガスに水素なとの還元性ガスを混入したもの等酸素を含まない雰囲気とすることが好ましい。尚、加熱処理に代えてエキシマレーザ等のレーザを照射すれば、多結晶シリコン膜を得ることができる。また、焼成によってアモルファスシリコン膜を得てから、レーザを照射して結晶化させてもよい。
（絶縁膜形成工程）
次に、図２（Ｅ）に示すように、島状に配置されたＩ型半導体層１６の間隙を絶縁膜１７で埋める。絶縁膜１７の種類は特に限定されず、ＳｉＯ2膜等を用いることができる。形成方法も一般的なスパッタ法、ＣＶＤ法等などを用いることができる。本発明に係る光電変換装置の製造方法の特徴は、真空プロセスを必要とせず、液体材料を用いてＩ型半導体層を形成することにあるので、他の薄膜も液体材料を用いる方法に統一することによって、同一の装置、環境下ですべての工程を行うことができる。したがって、絶縁膜１７は、例えば、ポリシラザンをインクジェット法によって島と島の間の領域にのみ塗布し、これを大気中で焼成し、ＳｉＯ2膜とすることによって形成できる。あるいは、上述したケイ素化合物を含む液体を塗布し、大気中で焼成してもよい。絶縁膜１７の厚さは２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度が望ましい。
絶縁膜１７によって、Ｐ型半導体層１４が、この後形成されるＮ型半導体層と接合するのを阻止することができる。
なお、絶縁膜１７の代わりに、Ｉ型半導体層１６の間隙に、Ｉ型半導体層１６よりも厚みの小さい半導体膜を形成しても同様の効果が得られる。半導体膜は、図２（Ｃ）、（Ｄ）で示したＩ型半導体層１６と同様の方法で形成することができる。
（Ｎ型半導体層および第２の電極の形成工程）
次に、図２（Ｆ）に示すように、Ｎ型半導体層１８および第２の電極２０を形成する。
Ｎ型半導体層１８は、上述したＰ型半導体層１４の形成方法において、ホウ素変性シランに代えて、リン変性シラン化合物を用いることによって形成できる。
具体的には、リン変性シラン化合物１−ホスホシクロペンタシラン１ｍｇとオクタシラキュバン（化合物２）１ｇをトルエン１０ｇとテトラヒドロナフタレンの混合溶媒に溶解して塗布溶液を調製し、アルゴン雰囲気中でスピンコートし１５０℃で乾燥した後、水素３％含有アルゴン中で４５０℃で熱分解を行えば、膜厚６０ｎｍ程度のＮ型半導体層１８を形成することができる。
最後に、インジウムとスズを含む有機化合物の液体材料を塗布し、熱処理を行ってＩＴＯ膜に変換し、第２の電極２０とする。
（色素層の形成工程）
次に、図２（Ｇ）に示すように、第２の電極２０上に所定の図形の形状を描くように色素層２２を形成する。色素層２２は、図３に示す液滴吐出装置を用いて色素をインクジェット法により吐出し、色素の液滴を配置することにより形成される。ここでは、図１に示す「Ｅ」の形状を形成するように色素が配置される。
図４（Ａ）は、色素層２２を形成した状態の光電変換装置１の一部の平面図である。図に示すように、ドットパターンで形成されたＩ型半導体層１６と重複しない領域に色素がドットパターンで配置されることが好ましい。
なお、所定の画像処理情報に基いてＩ型半導体層１６と色素層２２とが所定の画像を構成するように配置を計算した上で、液滴吐出装置から色素を吐出することができる。
また、色素層２２は、図４（Ｂ）に示すように、絶縁膜１７の上、すなわち、Ｐ型半導体層１４とＮ型半導体層１８の間の、Ｉ型半導体層１６と重複しない領域にドットパターンで配置してもよい。
また、図４の例では、色素層２２が画像を構成する要素となっているが、色素層２２と、Ｎ型半導体層１８のうち色素層２２と重ならない部分を画像の要素としてもよい。色素層２２以外の部分も画像の要素として利用することにより、画像の質をさらに向上させることができる。
色素には、各種顔料や各種染料を単独で、または混合して使用することができる。なお、経時的な変質が少ないという点では顔料が、第２の電極２０への吸着性に優れるという点では染料が優れている。
顔料としては、例えば、フタロシアニン顔料、アゾ系顔料、アントラキノン系顔料、アゾメチン系顔料、キノフタロン系顔料、イソインドリン系顔料、ニトロソ系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、ペリレン系顔料、ピロロピロール系顔料、ジオキサジン系顔料のような各種有機顔料、炭素系顔料、クロム酸塩系顔料、硫化物系顔料、酸化物系顔料、水酸化物系顔料、フェロシアン化物系顔料、ケイ酸塩系顔料、リン酸塩系顔料、その他（例えば、硫化カドミウム、セレン化カドミウム等）のような各種無機顔料等が挙げられる。
また、染料としては、例えば、ＲｕＬ2（ＳＣＮ）2、ＲｕＬ2Ｃｌ2、ＲｕＬ2（ＣＮ）2、Ｒｕｔｅｎｉｕｍ５３５−ｂｉｓＴＢＡ（Ｓｏｌａｒｏｎｉｃｓ社製）、[ＲｕＬ2（ＮＣＳ）2］2Ｈ2Ｏのような金属錯体色素、シアン系色素、キサンテン系色素、アゾ系色素、ハイビスカス色素、ブラックベリー色素、ラズベリー色素、ザクロ果汁色素、クロロフィル色素等が挙げられる。なお、前記組成式中のＬは、２，２'−ｂｉｐｙｒｉｄｉｎｅ、または、その誘導体を示す。
実施例２．
本実施形態では、Ｎ型半導体層１８を形成した後で、Ｎ型半導体層１８上に色素層２２を形成する。図５に、実施例２による光電変換装置１の製造工程を示す。図５（Ａ）〜（Ｅ）に示す工程は実施例１と同様である。
（Ｎ型半導体層の形成工程）
図５（Ｆ）に示すように、Ｎ型半導体層１８を形成する。実施例１と同様に、リン変性シラン化合物１−ホスホシクロペンタシラン１ｍｇとオクタシラキュバン（化合物２）１ｇをトルエン１０ｇとテトラヒドロナフタレンの混合溶媒に溶解して塗布溶液を調製し、アルゴン雰囲気中でスピンコートし１５０℃で乾燥した後、水素３％含有アルゴン中で４５０℃で熱分解を行えば、膜厚６０ｎｍ程度のＮ型半導体層１８を形成することができる。
（色素層の形成工程）
次に、図５（Ｇ）に示すように、Ｎ型半導体層１８上に所定の図形の形状を描くように色素層２２を形成する。色素層２２は、実施例１と同様に、色素をインクジェット法によって吐出することにより形成される。
（第２の電極の形成工程）
最後に、図５（Ｈ）に示すように、色素層２２上に、インジウムとスズを含む有機化合物の液体材料を塗布し、熱処理を行ってＩＴＯ膜に変換し、第２の電極２０を形成する。
（画像表示装置）
本発明の画像表示装置は、上記のような光電変換装置１を備えるものである。
図６は、本発明の画像表示装置を適用したＩＣカード１００を示す平面図である。
ＩＣカード１００は、本体１０１が太陽電池機能を有し、本体１０１上に、例えば電子マネー等の情報を格納するＩＣチップ１０２、表示装置１０３を有する。本体１０１上に印刷された写真１０４、ロゴマーク１０５、文字１０６は、本発明の方法により太陽電池上に形成されている。
なお、本発明の画像表示装置としては、図６に示すＩＣカードの他、例えば、太陽電池機能を持った写真、看板、その他、携帯電話等の電子機器に備えられた太陽電池機能を持つボタンやキーに適用することもできる。さらに、乗用車、航空機など、装飾面を有するもの全般を対象とする。ここには建造物の壁面など不動産物も含まれる。
本発明に係る光電変換装置の実施形態を示す斜視図である。 本発明に係る光電変換装置の製造工程を示す説明図である。 本発明に係る光電変換装置の製造方法に用いられる液滴吐出装置を示す図である。 本発明に係る光電変換装置の平面図である。 本発明に係る第２の実施例の光電変換装置の製造工程を示す説明図である。 本発明に係る携帯型装置の一例を示す図である。
符号の説明
１ 光電変換装置、８ 外部回路、１０ 基板、１２ 第１の電極、１４ Ｐ型半導体層、１６ Ｉ型半導体層、１６’ シリコン膜の前駆体膜、１７ 絶縁膜、１８ Ｎ型半導体層、２０ 第２の電極、２２ 色素層、３０ 液滴吐出装置、３２ 載置テーブル、３４ ｘ軸駆動ローラ、３６ ノズル、３８ 液滴吐出ヘッド、４０ ｙ軸駆動機構、４２ 液滴、１００ ＩＣカード、１０１ 本体、１０２ ＩＣチップ、１０３ 表示装置、１０４ 写真、１０５ ロゴマーク、１０６ 文字

Claims (12)

  1. 基板上に配置された第１のドットパターンでなる複数の光電変換領域と、
    前記基板上の前記複数の光電変換領域相互間に配置された第２のドットパターンでなる複数の着色領域と、を有し、
    前記複数の着色領域は前記基板上に前記第２のドットパターンでなる画像を形成することを特徴とする光電変換装置。
  2. 基板上に形成された第１の電極と、
    前記第１の電極上に形成された第１導電型半導体層と、
    前記第１導電型半導体層上に形成された第１のドットパターンでなる複数のＩ型半導体層と、
    前記複数のＩ型半導体層上に形成された第２導電型半導体層と、
    前記第２導電型半導体層上に形成された第２の電極と、
    前記複数のＩ型半導体層と重複しない領域に形成された第２のドットパターンでなる複数の色素層と、を有し、
    前記基板上に前記第２のドットパターンで画像が形成される、
    ことを特徴とする光電変換装置。
  3. 請求項２に記載の光電変換装置において、
    前記色素層は前記第２の電極上に形成されていることを特徴とする光電変換装置。
  4. 請求項２に記載の光電変換装置において、
    前記色素層は前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間で前記Ｉ型半導体層の形成されていない領域に形成されていることを特徴とする光電変換装置。
  5. 請求項２乃至４のいずれかに記載の光電変換装置において、
    前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間で前記Ｉ型半導体層の形成されていない領域に絶縁膜が形成されていることを特徴とする光電変換装置。
  6. 請求項２乃至４のいずれかに記載の光電変換装置において、
    前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間で前記Ｉ型半導体層の形成されていない領域に前記Ｉ型半導体層よりも厚みの小さい半導体膜が形成されていることを特徴とする光電変換装置。
  7. 請求項２乃至６のいずれかに記載の光電変換装置において、
    前記第２導電型半導体層の前記色素層と重複しない領域と前記色素層とが前記画像を形成する要素として構成されていることを特徴とする光電変換装置。
  8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の光電変換装置を備えることを特徴とする画像表示装置。
  9. 基板上に第１導電型半導体層を形成する工程と、
    前記第１導電型半導体層上に複数の液体材料をそれぞれ間隔が空くように配置する工程と、
    前記複数の液体材料を焼成し複数のＩ型半導体層を形成する工程と、
    前記複数のＩ型半導体層上に第２導電型半導体層を形成する工程と、
    前記複数のＩ型半導体層と重複しない領域に色素層を配置する工程と、を有し、
    前記色素層は画像を形成する要素であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  10. 請求項９に記載の光電変換装置の製造方法において、
    前記複数の液体材料と前記色素層とはインクジェット装置のノズルより吐出されて配置されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  11. 請求項１０に記載の光電変換装置の製造方法において、
    前記複数の液体材料を配置する工程に先立ち、前記複数の液体材料と前記色素層との配置を画像処理情報に基いて決定する工程をさらに有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  12. 請求項９乃至１１のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法を用いることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
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