TW445623B - Crack stop between neighboring fuses for protection from fuse blow damage - Google Patents

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445 6 2 3 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明範園 本發明係有關積體電路之製造，且更特別地，係有關當 使用一雷射光束以燒斷所選定形成一熔絲组之熔絲時，_ 種在增加熔絲密度（亦即，每單位面積之熔絲數）之同時， 防止熔絲受損之方法。 發明背景 半導禮基材電路（semiconductor integrated circuits ,下文簡 柄1C)及其製造技術爲此項技藝所熟知。對於典型之積體 電路，大數量之半導體裝置是在矽基材上製造的。爲達到 要求之功能，典型上使用多個導體將所選定之裝置耦合在 一起。在一些積體電路中，有些導電性鏈或線可耦合至溶 絲’在使用雷射製造後可選擇性地规劃（亦即溶斷）溶絲。 舉例而言’對於動態隨機存取記憶體（dynamic rand〇m access memory ’下文簡稱;DRAM) ’在製造時可使用溶絲以防止不 愼聚積之電荷破壞某些電晶體之閘極疊層。一旦IC之製造 大致冗成時，可燒斷或切斷熔絲以容許Dram電路像在從 未存在保遵性電流路徑情況下操作。更普遍地，溶絲可用 以設定一DRAM電路中重複陣列元件之致能位元及位址位 元；或者以在晶方内或外呈現之重複替換元件適切地替換 有缺陷之元件’俾修復在DRAM中所發現之缺陷。 爲利於討論’圖1示出一包含主記憶器陣列102之典型 DRAM積體電路。爲容許主記憶器陣列102内有缺陷之主陣 列元件之替換，特提供如所示之重複替換陣列104。溶絲 陣列106中之多個熔絲經由熔絲閂陣列108及熔絲解碼器電 _ - 4 - 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 <297公釐 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装—III---—訂---11--11 ( < 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44562^ A7 B7 五、發明說明（2 ) 路110而耦合至重複陣列104 ^爲了替換有缺陷之主記憶器 (清先閱讀r面之注意事項再填寫本頁) 陣列元件，將熔絲陣列106中各個熔絲之値設定爲解碼器 電路可指認之二進制1或0，便可將其等燒斷或切斷。在此 動作期間’當電源接通時，熔絲陣列1〇6中之熔絲値典型 上疋載入溶絲閂陣列108。然後在操作時期，溶絲解碼器 電路110解碼這些値，俾利於以重複陣列1〇4其部分之特定 重複元件替換所選定有缺陷之記憶器陣列元件。以重複性 陣列元件替換故障之主記憶器陣列元件之技術爲此項技藝 所熟知’爲簡化之由將不在此詳細討論。 如先前提及者，可選擇性地以雷射光束將熔絲陣列1〇6 内之熔絲鏈燒斷或規劃。一旦燒斷後，因一規劃過之熔絲 阻止流過它的電流且對該電流之路徑呈現開路，故該熔絲 從高導狀態改變成高電阻（亦即非導電）狀態。 參照圖2a ’所示出之熔絲組200具有多個熔絲鏈，諸如 202、204、206及208(如圖1之熔絲陣列1〇6所表示者），該等 熔絲鏈是以原未燒斷（亦即導電狀態）顯示的。 於圖2b中’已使用雷射光束切斷或燒斷熔絲鏈2〇4，因 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而阻止經其之電流流動。對於既定之雷射波長及點大小（ 亦即用做去除熔絲），若諸熔絲放置得太靠近，在燒斷熔 絲之過程’可能不愼地燒斷或切斷一鄰近之熔絲鏈，使得 1C有缺陷，或所出現之最佳可能性是導致鄰近之熔絲受損 。此乃因從許多因素（例如電射點之大小）觀之，一燒斷之 溶絲其附近之損壞區典型上較溶絲本身爲大，以致損壞了 在熔絲之上從熔絲向外延伸之鈍化物層。很明確地，有許 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）

經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 ,6胃 五、發明說明（3 ) 多因素涉及到雷射光束所引起之損壞嚴重性決定，例如光 束所帶之能量，其波長及光束之直徑。 v於圖3a者爲由溶絲302、304及306組成之典型熔絲組 300。附増之構造（例如3〇8及31〇)是置於熔絲组之内其熔絲 之間。當一雷射光束（未示出）燒斷溶絲304時，這些由阻隔 材料（典型上爲鎢或鉬）所形成之構造是做爲斷裂阻斷用。 尚顯不出從熔絲304擴散且止於斷裂阻斷308及310之斷裂 320 = 從相同構造之另一面觀之（圖3b)，示出了建於基材35〇上 之上述構造之頂視囷。僅顯示出兩個熔絲，亦即302及304 。斷裂阻斷係由330至340之數層組成，其層數與半導體晶 方製造過程所用之接線層數—致^再次地，斷裂32〇爲該斷 裂阻斷所阻止，而斷裂阻斷最好是由耐火金屬部分造成。 已有數個用以保護熔絲元件之其它保護熔絲之方法提出 來，以確保备溶絲燒斷開路時，溶絲仍保不受影響。分別 在1994年3月31日及1995年5月30日發給〇iimour等人之美國 專利第5,420,455號及第5,523,253號所説明之一例指出：在 熔絲間散佈著具有高於熔絲熔點之金屬沈積。此等金屬包 括鎢及鉬。這些阻隔物係抗斷裂的，其設計是要防止任何 斷裂擴散到隔鄰中其它鄰接熔絲。阻隔材料體之位置是從 含熔絲鏈層之頂部表面延伸至近似到熔絲鏈厚度中點之半 途。 &汕〇虹等人所説明之構造具有—主要之缺點，其理由是 該構造需要特殊的金屬，由於製造考量，該等金屬通常是 本紙張尺度適用帽國家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公爱· ---------— I— i -----I ^ i -----I <請先閱讀背面之^意事項再填寫本頁) 445623 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 非必要的’而且/或者它們具有不需要的特性，而言些特 性可能對製造積體晶方之電路完整性有不利之影響。另_ 項缺點是要有某些特定耐火金屬時所須製程變更之附加需 求，此將增加產品之成本，而顯得不經濟。尚有之缺點是 存在阻隔金屬部分所提供之導電路徑，此可能在某些特定 環境下改變形成1C晶片之電路其電氣特性。最後，因爲金 屬性斷裂阻斷本身將爲電射溶損，導致緊鄰之熔絲或電路 元件之損壞，故Gilmour等人所描述：在熔絲鏈之間引入金 屬性斷裂阻斷亦將無法在緊密間距下發生效用。 發明目的 因而本發明之目的是提供一種用以製造具有雷射溶絲鍵 之積體電路之改良式熔絲構造及方法。 本發明之另一目的是提供一種改良式熔絲鏈構造及一種 方法’因而可降低相鄰溶絲間之距離（間距），俾利於將更 多溶絲集中置入一定空間。 仍爲本發明之另一目的是防止或雷射光束之固有能量或 橡絲燒斷引起之損壞’延伸或影響何鄰近之熔絲鏈或已規 劃之熔絲鏈其隔鄰之電路元件。 尚有之目的是當一雷射光束規劃該構造内之至少—此溶 絲鏈時，可保護在數個接線層上展延之熔絲鏈。 發明概述 本發明之一項特點是利用熔絲間做爲斷裂阻止構造之縫 隙形式材料之不連續性阻制緊密封裝在一起之溶絲其周圍 區域之損壞。則這些「斷裂阻斷」可用於各種組構，以包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------If---In----訂---------. (請先閲請背面之;i-t事項再填寫本頁) 4 45 6 2 3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明說明（5 ) 容燒斷之熔絲附近之損壞範圍。 ，本發明之另-項特點是將積體電路包括附加<構造之設 計，其特徵爲無材料、置於溶絲間且與熔絲平行。當積體 電路製造時，雷射光束可定出雷射熔絲鏈之組構。 本發明尚有之另-項特點爲這些斷裂阻斷是定位在炫絲 鏈上緊緊圍繞熔絲燒斷之區域a 在本發明之一具體實施例中，提出一種熔絲構造，包含 :一絕緣半導體基材；一與該絕緣半導體基材合爲一體之 熔絲组，該熔絲組由多個平行之共平面型熔絲鏈組成；以 及散佈在各對熔絲鏈間之縫隙，該等缝隙是在超出共平面 型熔絲鏈界定之平面上·延伸。 在本發明之另一具體實施例中，提出一種與—半導體基 材合爲一體之熔絲構造，包含：一與該半導體基材合爲一 體之熔絲組，該熔絲組由多個共平面型熔絲鏈組成，各熔 絲鏈具有一超過熔絲鏈度而延伸之共平面區；以及定位在 該半導體基材内並散佈在共平面區周圍之各對熔絲鏈間之 缝隙。 在本發明之第三具體實施例中，提出—種與一做爲多個 疊置之絕緣線層支撐之半導體基材合爲—體之熔絲構造， 包含：一與第一疊置之絕緣線層合爲一體之熔絲組，該熔 絲組至少包含兩個共平面列之熔絲鏈；—與第二叠置之絕 緣線層合爲一體之導電匯流排，該導電匯流排定位在横過 至少兩列嫁絲鏈方向之方向；以及置於該至少兩列溶絲鏈 間並在平行於該匯流排之方向延伸之導電材料部分。 8- — — — — —— — — — If— 11 ί 11111 訂·！ I ] 1111 ^ (請先閲讀背面之?i意事項再填寫本頁)

f I I I 1° 5 t I ί $ y, 4 4 5 6 2 3 A7 137 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 明（另-項特點提出一種形成與支轉多個叠置之、絕 緣線層之半導體基材合爲—體之㈣構造之方法，該方法 步驟爲·對-第—疊置之絕緣線層提供—至少包各 兩個共平面㈣絲鏈之I絲組m置之絕緣㈣ 提供一定位在横過該至少兩㈣絲鏈方向之方向之導€匯 波排，以及在1¾至少兩㈣絲鏈間並在平行於該匯流排之 方向上延伸所放置之導電材料部分。 圖式簡述 在下列對較佳具體實施例與附圖同時做詳細説明後，本 發明的這些及其它特點、特色及優點將是很明顯的。 圖1 7Γ出典型dram之概要方塊圖，包含—主記憶器陣 列、一重複替換陣列、一熔絲解碼器電路、熔絲閂及一溶 絲陣列中之熔絲。 圖2a示出熔絲組之多個熔絲鏈在原未熔斷狀態之典型安 排。 圖2b顯示以一雷射光束燒斷圖2 a描述的熔絲鏈之一。 圖3a與3b分別顯示一由多個熔絲製成之傳統熔絲組之頂 視與側視圖，其中附增之構造是置於熔絲組内之熔絲間， 當以雷射燒斷熔絲時，該附增構造係做爲斷裂阻斷用。 圖4a顯示定位於雷射燒斷熔絲鏈之正確點周園區域之空 氣斷裂阻斷，根據本發明之一項特點，其中圍繞該點之區 域是變寬到超過溶絲之寬度。 圖4b爲一熔絲燒斷動作期間，打擊—點之雷射光束概要 圖。 _ - 9 - 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） u I^it----- 訂！ — — — 1 ' 線 (請先閱讀背面之注意事項再填窵本頁) v 4456? 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ' 10 A7 B7 五、發明說明（7 ) 圖5顯示該溶絲構造之橫截面圖’其中之阻斷是圍繞即 將繞斷之熔絲示出的。 圖6a- 6e顯示根據本發明製造一空氣斷裂阻斷所需之各個 製程步驟。 圖7a及7b分別顯示本發明一第二具體實施例之頂部及侧 面之表示，其中在具有多個絕緣線層之積體電路，兩列熔 絲具有一將其等分隔之斷裂阻斷壁。

較佳具體實施例銳.BFI 在圖4所示本發明之一第一具體實施例中，斷裂阻斷是 定位在即將爲雷射燒斷之熔絲鏈區域之周圍（以一黑點描 繪，例如點420)。 多個熔絲402、404及406形成熔絲組400。例如在熔絲402 周圍繪出以點420(當燒斷動作期間，雷射擊中熔絲之目標 點）附近爲中心之兩個斷列阻斷41〇及412。尚顯示蹣跚式的沿 著個別熔絲鏈長度上之點，各點爲其自身之斷裂阻斷所圍 繞。此组構表示蹣跚式的斷裂阻斷有利於降低熔絲間距之 一例。雖然該斷裂阻斷係以角形括弧之形狀顯示，不過可 想像出許多其它之形狀與位置以達相同目的。當做例子來 看，斷裂阻斷可僅由縱向部分形成而不需任何橫向部分。 如四方形425所示者，可以舶^ 乂雙·出界定熔絲鏈寬度邊界之 延伸區方便地圍繞各熔絲鏈所遝々. 硬听選疋疋正確點而修改示出之 组構。此種延伸具有吸收燒斷私你 動作期間雷射光束發出後所 增加能量之優點。然而，其缺¥上σ 、默點疋可能較無此金屬延伸物 425時更會妨礙獲取較緊密之間距。 1本紙張尺度適用中國®家標準（CNS)A.l規格（210 X 297 1---^--------^-nlll—ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 45 6¾猱nil86號專利申請案 中文說明書修正頁（90年3月） A7 B7

煩請委員明示f年、月所提之 修正本有無變更^質内容是否准予修正。 經濟部中央標率局貞工消費合作杜印裝 五、發明説明（8 ) 圖4b所示為雷射光束450擊中溶絲鏈402之點420之概要 圖。所示之各熔絲鏈具有前所提及圍繞該點之區域。為簡 化計，未示出斷裂阻斷。 對於傳統之設計，當熔絲間距（亦即，相鄰熔絲間之距 離）降至低於約3微米時，即無法很可靠地使用成一排置於 熔絲組内之熔絲鏈。此乃因典型上用來燒斷熔絲之雷射具 有1 - 1.3微米等級之波長。結果可以對焦之最小點是大於八 2.6微米》此與雷射點有關聯之基材定位相關之不確定性聯 想在一起’使得熔絲之燒斷成為不可靠之操作。對於惊絲 間距低於3微米者’當間距降低時’損壞相鄰猿絲之機率 增加。在這些緊密的間距，在熔絲鏈間引入如GUm〇ur等人 所描述之金屬性斷裂阻斷亦將無效，因為斷裂阻斷本身將 為雷射所間引入如溶損’導致與其相之熔絲或電路元件之 損壞。在此描述之發明中，由於斷裂阻斷是以移除材料做 成’故雷射光束對斷裂阻斷不會有損壞之可能性^此使得 封裝炫絲縱然降至2.2微米之間距，當熔絲燒斷期間而不損 壞相鄰之熔絲成為可能。還有，該斷裂阻斷仍能執行阻止 斷裂損壞相鄰熔絲之功能。 圖5顯示構造之橫截面圖。所示之熔絲5〇2是埋入具有兩 個最好以空氣製成之斷裂阻斷504及506之基材中，俾最少 化相關先前技藝所發現並已於先前說明之缺點。所繪示之 斷裂508為斷裂阻斷504及506阻止。 現在參考圖6a-6e，將對可應用在空氣斷裂阻斷製造之各步 鄉做說明。最初一介電質層C1 602沈積在碎基材（未示出）之 -11 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i^'

-IT 445 62 3 A7 B7 鲤濟部中央棣隼局貝工消費合作社印製 五、發明説明（9 頂部。其後沈積一金屬（Ml) 604。利用標準蝕刻與刻版法可 形成熔絲鏈元件Ml。接著沈積一第二電質薄膜C2 606。若 確屬必要或而要’可便利地進行化學機械研磨（chernicaj_ mechanical polishing，下文簡稱CMP)。介電質C2受到蝕刻以 接觸出現在Ml層上之其它金屬構造。 . 現在參考圖6b ’經光罩修正導致如所示空氣斷裂阻斷渠 溝608之形成。在正常上，如圖6c所示：接著是最後之金屬 化層M2 610，其中之介電質為導電材料之全面性沈積所填 塞。此意謂著金屬M2會再填塞渠溝。總之，因m2將型樣化 化且受蝕刻’所以最好從空氣斷裂阻斷渠溝移除金屬M2。 亦有可能以適當方式修正M2光罩，而不須從渠溝移除金屬 M2。使用此方法，將可形成金屬斷裂阻斷渠溝而非空氣斷 裂阻斷渠溝。 示於圖6d之晶方製造之最後程序，係由使用一介電質612 及緩衝劑塗佈614之形成保護層步驟以防止晶方刮傷或吸收 濕氣所组成》於空氣斷裂阻斷之部分，也應用形成保護層 程序以材料充填空氣斷裂阻斷渠溝。總之，如同在金屬M2 之情況’因存在用以開窗口（亦即，為了以雷射光束燒斷熔 絲所需之空氣斯裂阻斷渠溝616)之最後蚀刻步驟，故須移 除此材料（圖6e)。 現在參考圖7a及7b，其等分別示出本發明之一第二具體 實施例之頂部及侧面圖：顯示出兩排熔絲，並具有一將其 等分隔之斷裂阻斷壁。 一橡絲組700具有成一列之熔絲702、704及706，以及在 同一組700内之第二列中之熔絲708、7 10及712。所顯示之 -12- 本紙張尺度遄用中國國家標车（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先聞諳背面之；}i意事項再填寫本頁} i % 訂 445623 A7 B7 五、發明說明（1〇 ) 斷裂阻斷4參考號碼爲72〇。當兩列共用一共同之電氣匯 流排组430以分隔它們（一頂部及—底部細長條）時，因須將 兩列做電氣連接，故禁止該斷裂阻斷從頂部表面下至基材 之運作。圖7b示出從號碼775所示位置取得之圖乃橫截面圖 ，熔絲702經由當做一共同電極之底層43〇連接到熔絲7〇8。 斷裂阻斷720最好是僅由在73〇以上之層製成，且這些層並 不與諸熔絲接觸。可將斷裂阻斷（例如72〇)設計成有一端與 匯流排430電氣接觸，或者必要時，斷裂阻斷可與匯流排 完全分離。 鑒於係針對數個具體實施例來描述本發明，對於熟知此 項技藝之人士而言，這些具體實施例僅是當做解説例而已 且可納入各種變更及修改而不致偏離下列申請專利範圍所 述之本發明範園都將是顯而易見的。 {請先閱讀背面之玉意事項再填寫本頁)

.丨 ί 丨 I I I 訂 I----- I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 本紙張反度適用中國國家標準（CNS&丨規格<210 X 297公釐）

Claims (1)

1. Α8 Β8 « < * *> t 445 623 第8812Π86號專利申請案 中文申請專利範圍修正本(90年3月）語 六、申請專利範圍 1 一種培絲之構造，包含： 一絕緣半導體基材； 一與該絕緣半導體基材整合之熔絲組，係由多個平 行之共平面型熔絲鏈所組成；以及 ， 散佈在各對該熔絲鏈間之縫隙，該等縫隙在超出該 共平面型熔絲鏈所界定之平面上延伸。 2 .如申請專利範圍第！項之熔絲構造，其中該等缝隙為空 氣。 3，如申請專利範圍第1項之熔絲構造，其中該等缝隙其各 縫隙之寬度低於一雷射光束之直徑。 4 .如申請專利範圍第3項之熔絲構造，其中定位在熔絲任 一邊之該等缝隙其兩相鄰縫隙間之距離是低於該雷射 光束之直徑。 5 ·如申請專利範園第3項之熔絲構造，其中在該等熔絲鏈 之兩個相鄰熔絲鏈間之最小間距，係由該雷射光束之 直、該雷射光束定位該炫絲鏈之準確度以及該雷射 光束之能量與波長所決定。 6 ·如申請專利範圍弟1項之您絲構造，其中該半導體基材 疋以一置於該半導體基材其大部分表面上之絕緣廣做 絕緣的。 7.如申請專利範圍第6項之熔絲構造，其中該絕緣物滑尚 包含一在該絕緣基材上之純化物層。 良紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I ；^1T------4 (請先閲讀背面之注ί項再填寫本頁) 經濟部中央樣率局男工消费合作社印笨 445623 A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 8·如申請專利範圍第7項之熔絲構造，其中該熔絲鏈是沈 積在該鼓化物層上。 ;--;---4：------'玎 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 9. 一種與一半導體基材整合之熔絲構造，包含： 一與琢丰導體基材合為一體並由多個共平面型熔絲鏈 組成之熔絲組，各個該熔絲鏈具有一延伸超出該熔絲 鏈寬度之共平面區；以及 位在該半導體基材内且散佈於園繞該共平面區之各對 該熔絲鏈間之縫隙。 10. 如申請專利範圍第9項之熔絲構造，其中該缝隙在該共 平面型炼絲鍵所界定之平面之上、下或上與下二者延 伸。 11. 如申請專利範圍第9項之熔絲構造，其中該共平面區為 踢跚式的。 12. 如申請專利範園第9項之熔絲構造，其中該縫隙為與該 嫁絲鏈平行之共平面線段’該線段在各個該熔絲鏈之 縱向延伸β 經濟部中央揉準局真工消費合作社印装

   _半導體基材合 Mm 13. 如申請專利範園第！ 2項之熔絲構造 中該縫隙尚具 有與該縱向線段接觸之橫向部分=I 14. 一種與一做為多個疊置絕緣線層 為一體之熔絲構造，包含： 一與該+番置絕緣線層之第一層合為一體之懷絲組 該熔絲组至少包含兩個共平面列之熔絲鏈； 2- 本紙浪尺度逍用中國國家梯準（CNS M4規格（2I0X297公釐） 445623 Α8 Β8 C8 D8 C 經濟‘邓中央搮準局貞工消費合作社印東 六、申請專利範圍 一與該等疊置絕緣線層之第二層合為一體之導電匯流 排’該導電匯流排定位在横過該至少兩列熔絲鏈方向 之方向；以及 置於該至少兩列熔絲鏈間並在平行於該匯流排之方向 延伸之導電材料部分。 ' 15. 如申請專利範園第14項之熔絲構造，其中置於該至少 兩列炫絲鏈間之該導電材料部分其一端附著至電氣接 觸用之該匯流排，因而對一雷射光束引起之損壞提供 了 一斷裂阻斷。 16. 如申請專利範圍第15項之嫁絲構造，其中該斷裂阻斷 與該匯流排是分離的。 17. 如申请專利範圍第15項之溶絲構造，其中該斷裂阻斷 延伸越過多於該基材内之該絕緣線層之一層。 18‘如申請專利範圍第15項之熔絲構造，其中該斷裂阻斷 係由耐火金屬製成。 19 _如申請專利範圍第14項之嫁絲構造，其中各該溶絲鏈 具有一超出該熔絲鏈寬度延伸之共平面區。 20. 如申請專利範圍第14項之熔絲構造，其中置於該至少 兩列溶絲鍵間且在平行於該匯流排方向延伸之該導電 材料部分為空氣隙所取代。 21. —種在一積趙電路中一基材表面上形成一溶絲構造之 方法，包含之步驟為： -3- 本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS > A4規鼻（210X297公羡） ml .^1^1 ^1. ΚΓ— I —^r—--eJ • * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 445 R ? 、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 ,修正 VfJ 7U — 經濟部中央標準局w:工消費合作社印11 少兩列嫁:絲鏈方向之方向之導電匯流徘. 在該至少兩列熔絲鏈間放置導電材料部分 於該匯流排之方向延伸。 提供一與該基材合為一體之溶絲組’該熔絲組係由多 個平行之共平面型熔絲鏈組成；以及 在各對該熔絲鏈之間散佈缝隙，該等缝隙係在超出該 共平面型熔絲鏈所界定之平面上延伸。 22. —種在一積體電路中形成與一半導體基材合為一體之 熔絲構造之方法，包含之步驟為： 提供一與該半導體基材合為一體且由多個共平面型熔 絲鏈組成之熔絲組，各該熔絲鏈具有一延伸超出該熔 絲鏈寬度之共平面區；以及 在該半導體基材内定位缝隙並將之散繞該共平 面區之各對該熔絲鏈間。 逢 23, 一種形成與一做為多個疊置絕緣線層半導禮基 材合為一體之熔絲構造之方法，包含之為： 對該等#置絕緣線層之第一層提供—至少包含兩個共 平面列熔絲鏈； 對該等疊置絕緣線層之第二層提供—定位在橫场該至 以及 並在平行 4 本紙張尺度適用中國圃家梂率（CNS )戍4说格（210 X 297公釐） I m n .^1 n n *^i --'I n T * U3-在 (请先閱ti背面之注意事項存填寫本肓)