TW402695B - Display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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A7 B7 丨補充 五、發明說明（35) 明圖。 402695 第1OA圖及第1〇B圖係表示用以說明實施例2之 原理的等效電路圚》 第1 1 A圖及第1 1 B圖係表示正常白，正常黑方式 時之電壓V 與透射係數T之間的關係之圖式· 第12圖係表示用以說明電容比之設定之具體例的說 明圖》 第1 3圖係表示用以說明電容比之設定之具體例的說 明圖。 第14圖係表示實施例3之電子機器之構成例的圖式 〇 第15圖係表示電子機器之一種的投影機之一例的圖 式。 第16圖係表示電子機器之一種的個人電腦之一例的 圖式。 第17圖係表示電子機器之一種的個人電腦之一例的 圖式。 第18圖係表示使用TCP之實施例的圖式。 — — — — —— — — III! -----III ^ ·1111111 I 1 < (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (記號之說明） 10 像素電極 11 電極 13 接觸孔 15 電極 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -38 ⑽695 五、發明説明（j ) 〔技術領域〕 本發明係關於一種使用液晶等之顯示元件的顯示裝置 ，包括該裝置之電子機器及顯示裝置之製造方法。 〔背景技術〕 近幾年來*在使用於個人電腦之顯示等液晶顯示裝置 等，期望製品之低成本化，因此能提髙製造良品率成爲重 要之技術上課題。爲了提高良品率，防止面板之像素缺陷 (點缺陷）之產生，製造方法之縮短工程化等成爲有效之 對策。 例如在日本專利公報特開平4 一 1 5 5 3 1 6號，揭 示液晶顯示裝置之製造方法的一例子，惟在該以往技術中 ，源電極與像素電極在相同層，而在這些之間未介裝保護 絕緣膜。所以，在該以往技術，有容易產生起因於源電極 與像素電極之短路的像素缺陷之缺點。若產生像素缺陷則 降低良品率，導致製品成本之上昇· 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一方面，在揭示於日本專利公報特開平3 - 1 6 4 8 號之以往技術，源電極與像素電極並不在相同層，而在這 些之間介裝有保護絕緣層，經由接觸孔相連接。因此在該 以往技術，不容易產生起因於源電極與像素電極之短路的 像素缺陷。然而，在該以往技術，因在源電極與像素電極 之間介裝有保護絕緣膜，因此成爲需要連接源電極與像素 電極所用之接觸孔形成工程，由此會增加工程數。又若所 形成之接觸成爲不良，則產生像素缺陷，降低良品率，導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 說明（36 ) 2 0、2 1 掃描線 2 2 信號線 3 0 薄膜電晶體（TFT) 3 1 電極 3 2 閘電極 3 3 電極 3 4 汲電極 4 0 源電極- 4 2、4 4 電極 4 6 像素電極 4 8 保護絕緣膜 4 9 閘絕緣膜 5 0 接觸領域 5 2、5 8、 5 9 接觸孔 6 0 保護絕緣膜 6 3 黑基質 6 6 對向電極 6 8 玻璃基板 7 0 真性矽膜 7 1 歐姆接觸層 7 2、7 3 η型矽膜 7 6 液晶元件 2 0 0 〜2 0 2 保護二極管 2 0 4 L C共用線 (請先閱讀背面之注意事項本頁) 本紙張丈度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -39 - 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 A7 ____B7_____ 五、發明説明（2 ) 致製品成本之上昇》 如上所述，上述以往技術均在良品率之提高’製品之 低成本化等的技術課題之達成並不充分。 本發明係爲了解決以上所述之技術課題而創作者’而 其目的係在於提供一種改善使用於源電極與像素電極之間 的連接的接觸領域之形態等*可得到良品率之提高’製品 之低成本化的顯示裝置，電子機器及顯示裝置之製造方法 〔發明之揭示〕 爲了解決上述課題，本發明之顯示裝置，係羼於包括 用以驅動顯示元件所用之像素電極，及經由源電極連接於 該像素電極之交換元件的顯示裝置，其特徵爲：在產生有 上述像素電極與上述源電極之間的接觸不良時將產生於像 素電極與源電極之間的寄生電容作爲Cx ，在未產生有該 接觸不良時將具有像素電極之像素電容的最大值作爲 c OMAX，將像素位置之透射係數成爲最小透射係數時之電 壓作爲νπΜΙΝ，將成爲最大透射係數時之電壓作爲 V !^CMAX時，設定電容比RAC1成爲 R Aci = C x/ C 〇MAX> V" LCMAx/ ( V LCMIN — V L C M A X ) 之關係者。 依照本發明，例如在正常白方式的顯示裝置等，在產 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ~ -5 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂L! tt- 補充 五巧發日I說明（37 ) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 6〜2 0 9 銀 點 增耗墊 2 1 0 電 極 2 1 4 - .2 1 6、2 1 8 增 耗 墊 2 2 0 • 2 2 2 掃 描 線 2 3 3 信 號 線 2 3 4， ‘2 3 6 T F T 2 4 0 源 電 極 2 5 2 ' ‘2 5 9 接 /t〇a 觸 孔， --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再4<寫本頁) 本纸張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -40 - 402695 A7 B7 五、發明説明（3 ) 生接觸不良，產生寄生電容Cx時，可將像素缺陷變更爲. 顯示灰度畸變，而可將像素缺陷在虛表上成爲沒有。例如 依照本發明，可將透射係數爲最小透射係數TMIN之像素 (黑顯示像素）之電壓，比成爲最大透射係數時之電壓 V 大》因此，該像素係不會成爲白顯示而成爲灰色 顯示。若爲灰色顯示則幾f不會被人之眼睛察覺到，結果 ，依照本發明，可將像素缺陷在虛表上成爲沒有》 又，電容比之設定係控制源電極與像素電極之間的重 叠面積，絕緣膜之厚度*材料等各種參差即可實現。在欲 控制重曼面積時，如下述，控制設於像素電極緣部領域之 接觸領域的面稹即可以•又，在本發明之像素電容，包括 或未包括保持電容均可以》 此時，在本發明，將上述像素位置之透射係數成爲最 大透射係數之約5 0%時的電壓作爲V whi時.，設定電容 比R A c 1成爲 R A c 1 = C X / C 〇 M A X > V L C H L / ( V L C Μ I N — V L C H L ) 也可以。構成如此，可將例如黑顯示之像素的透射係數， 成爲ΤΜΑΧ之約5 0%的τ Μ以下。若透射係數爲T HL以 下，則人之眼睛不太能區別與黑顯示，因此，成爲若不太 注意則可成爲人們不知道程度之顯示。 又，像素電容C〇係因對顯示元件之施加電壓有在例 如c OMIN〜c OMAX之範圍內變化之情形。在此時，代替上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注^一^項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 402695 A7 B7 五、發明説明（4 ) 式，設定電容比RAC2成爲 R A c 2 = C X / C 〇 Μ I N〉V L C M A X / ( V" L C Μ I N _ V L C Μ A X ) 也可以。 又，在正常黑方式之-示裝置中，上述關係式係成爲 如下所示·亦即，設¥電·容比廣爲 R A c 】==C X / C 〇 M A X〉V" L C Μ I N / ( V L C M A X _ V L CM I Ν ) 或 R A c 1 = C x / G . 〇 M A X > V L C H L / ( V L C M A X _ V C C H L ) 或 R A c 2 = C X / C Ο Μ I N > V L C Μ I N / ( V L C M A X _ V L c Μ I N ) 之關係。由此，在正常黑方式之顯示裝置等，可防止接觸 不良之產生，提高良品率，可降低製品成本。 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 又，本發明係靥於包括用以驅動顯示元件所用之像素 電極，及經由源電極連接於該像素電極之交換元件的顯示 裝置，其特徵爲：設置接觸領域成爲包括連接於上述交換 元件之一信號線與相鄰接於該一信號線之信號線之間的領 域且沿著連接於該交換元件之掃描線的領域的一部分或全 部之像素電極緣部領域：在該接觸領域實行上述像素電極 與上述源電極之間的連接者。 依照本發明，因在包括一部或全部像素電極緣部領域 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -7 - 402695 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的廣泛領域設有接觸領域，因此可顯著地減輕接觸不良之 產生，可提高良品率及製品之低成本化。而且，該像素電 極緣部領域係位在像索電極之緣部而且沿著掃描線之方向 ，而成爲藉由黑基質等可容易地覆蓋，因此，依照本發明 ，成爲不必太犧牲孔徑係數等，可減輕接觸不良之產生。 又，在本發明，不必在像素電極緣部領域之所有領域 設置接觸領域，而在像索電極緣部領域之一部分（例如一 半）設置接觸領域也可以。此時，設在像素電極緣部領域 的接觸領域之大小，係例如上述地，依照產生於接觸不良 產生時之寄生電容，具有像素電極之像素電容，最小透射 係數時或最大透射係數時之電壓等來決定較理想。又在本 發明，接觸領域之一部分爲像素電極緣部領域以外之領域 也可以。 經濟部中夬標準局負工消費合作杜印裝 此時，在本發明，上述接觸領域係包括沿著上述掃描 線之方向作爲長邊的長方形接觸孔，而經由該長方形之接 觸孔連接上述像素電極與源電極之間也可以，上述接觸領 域係包括多數接觸孔，而經由該多數接觸孔實行上述像素 電極與源電極之間的連接也可以。形成長方形之接觸孔， 在像素電極緣部領域可有效率地設置所期望之面積的接觸 領域》又設置多數接觸孔時，可將沿著掃描線方向的接觸 孔之個數，比沿著信號線之方向之個數多較理想。 又，在本發明係設置黑基質領域俾覆蓋上述接觸領域 之一部分或全部者較理想•例如在源電極以不透明材料所 形成時等，接觸領域係成爲孔徑係數減少之要因。因此， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 402695 B7 五、發明説明（6 ) 配成重叠接觸領域與黑基質領域，一面將孔徑係數減少抑 制成最小限，一面成爲減少接觸不良產生，提高對比等。 又，黑基質領域係設在對向基板側也可以，設置交換元件 側也可以，或設在交換元件側之基板也可以。 又，本發明的顯示裝置之製造方法，係包括形成上述 源電極的工程，及在該源^極之上方形成所給與之絕緣膜 的工程，及形成至少上述源電極與上述像素電極之閘成爲 接觸所用之接觸領域的工程，及形成上述像素電極的工程 •在上述接觸領域形成工程中，形成連接上述源電極與上 述像素電極之間所用的接觸領域，同時地，形成連接用與 上述交換元件之閘電極相同材料所形成之電極及所給與之 電極所用的接觸領域較理想。如此，可同時形成源電極與 像素電極間之接觸領域，及例如形成保護二極管時之形成 接觸領域，增耗墊開放等，成爲可減少處理工程數。 〔實施發明所用之最佳形態〕 以下，使用圖式詳述本發明之實施形態。 (實施例1 ) 實施例1係有關於接觸孔之形狀，大小等之改善的實 施例，在第1 A圖表示其平面圖之一例子，而在第1 B圖 表示第1 A圖之P — Q剖面圚。 如第1 A圖及第1 B圖所示，實施例1之液晶顯示裝 置係包括藉由I TO等所形成的像素電極1 0，及經由源 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 9 402695 A7 _________B7_ 五、發明説明（7 ) 電極4 0連接於該像素電極1 0的薄膜電晶體（交換元件 之一種，以下簡稱爲TFT) 30，由此，驅動被封入在 與對向電極6 6之間的液晶元件7 6 (顯示元件之一種） ’章行液晶顯示。TFT3 0係至少包括閘電極3 2，汲 電極34 *源電極40，未摻雜不純物之真性矽膜70， 及η型矽膜（電阻層）72，73。像索電極10係經由 接觸領域5 0內接觸孔5 2連接於源電極4 0，閘電極 3 2與汲電極3 4係分別連接於掃描線2 0與信號線2 2 。將多數這些掃描線2 0，信號線2 2矩陣狀地交叉地配 置，而且連接掃描線2 0與信號線2 2並配置TFT3 0 •即可構成矩陣型液晶顯示裝置。 經濟部甲央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第1 Β圖所示，在本實施例，保護絕緣膜6 0 (鈍 化）形成作爲源電極4 0等與像素電極1 0之間的層間絕 緣膜。將該保護絕緣膜6 0與閘絕緣膜4 9作爲介質，將 像素電極1 0作爲上側電極，並將前段之掃描線2 1作爲 下側電極俾形成保持電容CST。但是，對於掃描線2 0 * 及藉由下一段掃描線（未予圖示）所選擇之像素電極所形 成的保持電容，因說明書之實際情形而省略。又將液晶元 件（液晶層）7 6作爲介質，將對向電極6 6作爲上側電 極，並將像素電極1 b作爲下側電極俾形成液晶電容Ctc 。將像素電極1 0分割成副像素電極*而在所給與之控制 電極之間形成控制電容也可以。 又作爲保持電容之構成方法有各種方法，在第2 A圖 與第2B圖表示其一例。在第2A圖，與2B圖，像素電 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10 - 402695 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 極1 0經由接觸孔1 3連接於電極1 5，而在該電極1 5 與掃描線2 1之間形成有保持電容CST。此時，電極1 5 係與成爲像素電極1 0之材料的I TO等相比較，使用與 三明治量少之源電極4 0相同材料（相同工程）所形成^ 因此，藉由該電極1 5形成保持電容CST之一邊電極，成 爲可減小保持電容之製造擎差。 本實施例之主要特黴係在於包括連接於T F T 3 0之 信號線2 2，及相鄰接於該信號線之信號線2 3之間的領 域且沿著連接於T F T 3 0之掃描線2 0之領域的像素電 極緣部領域之一部分或全部地設置接觸領域5 0。如此形 成接觸領域5 0，即可減輕接觸不良之產生能提高良品率 而且可得到製品之低成本化。 此時，作爲接觸領域5 0內之接觸孔5 2之形態有各 種形態，例如第1 A圖所示，將沿著掃描線2 0之方向作 爲長邊的長方形形狀也可以，例如第3圖所示，包括多數 接觸孔52a〜52i也可以》 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 又不必在上述像素電極緣部領域之所有領域設置接觸 領域5 0，惟在例如長方形之接觸孔時，則在像素電極緣 部領域之一半以上領域設置接觸領域5 0較理想，而欲形 成多數接觸孔時，則設置兩個以上之接觸孔（例如沿著掃 描線之方向所配列之兩個以上的接觸孔）較理想。又接觸 領域之面積係如在下述之實施例2所述，依照產生在接觸 不良產生時所產的寄生電容Cx *具有像素電極之像素電 容C 〇 ( C OMAX，COMIN)，最小透射係數與最大透射係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 402695 Α7 Β7 五、發明説明（9 ) 數時之電壓V LCMAX等來決定較理想。 又，接觸領域4 0係包括像素電極緣部領域者即可以 ，例如第4圖所示，接觸領域5 0之一部分爲像素電極緣 部領域以外之領域也可以* 又，TFT30之配置位置係任意，例如在表示於第 5圖之位置配置TFT30也可以。在第5圓中，位於真 性矽膜7 0之下方的掃描線2 0直接成爲閘電極。在第5 圄之情形，接觸領域5 0係設於像素電極緣部領域之所有 領域》 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依照本實施例，不必太犧牲孔徑係數，即可顯著地減 少接觸不良之產生。對於此點使用第6'圖加以說明。在液 晶顯示裝置，通常設有稱爲黑基質之遮光層，在彩色液晶 顯示裝置還設有濾色片，此時，爲了確實地防止洩光，如 第6圖所示，須在像素電極1 0之內側設有黑基質6 3成 爲重叠之狀態。例如在第6圖，該重*值係成爲7 /zm， 例如欲將黑基質6 3設於對向基板時，因須考慮對向基板 與TFT基板之對準餘度及像素電極10本身之對準餘度 的雙方，因此，該重叠值係成爲某程度大者。欲將黑基質 6 3設於T F T側基板時，所定之重叠值成爲必需。一方 面，將接觸孔5 2之宽度作爲5 ，而將對於接觸孔 52之源電極4 0之重曼作爲2 μιη時，則如第6圖所示 ，黑基質6 3之緣部與接觸孔5 2之緣部大約一致。例如 以不透明材料形成源電極4 0時，源電極4 0之部分係在 透射型液晶顯示裝置成爲對顯示並沒有貢獻。然而，依照 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -12 - A7 4ϋ2695 B7 五、發明説明（10 ) 本實施例，因接觸領域5 0與黑基質6 3之間的配置關係 係成爲例如第6圔所示，因此藉由接觸領域5 0之形成而 重新產生之顯示無貢獻領域係成爲2 寬度，成爲極狹 窄者。亦即，依照本實施例，由於在由黑基質6 3所覆蓋 之領域形成接觸領域5 0，因此不必太犧牲孔徑係數而可 有效地減輕接觸不良之產$。 又，在日本專利公報特開平4 — 1 5 5 3 1 6號，揭 示設置連接像素電極與保持電容電極之多數接觸孔（以下 稱爲接觸孔A)的構成•然而，該接觸孔A係類似於第 2 A圖之接觸孔1 3者，與連接像素電極與源電極之本實 施例之接觸孔5 2完全不相同者。 又，該接觸孔A係爲了提高冗長性之目的而設置多數 ，即使產生接觸不良也僅稍增保持電容，幾乎對液晶顯示 裝置之動作沒有影響•因此，接觸孔A之數係實際上不必 如特開平4— 1 5 5 3 1 6號所示者之多數。對此，在第 1 A圖等之接觸孔5 2產生接觸不良時’則如下述之第 1 0 A，B圖所述與動作不良有關。本實施例係爲了避免 這種動作不良而增大接觸孔5 2之面積’並增加孔數者。 與上述特開平4 一 1 5 5 3 1 6號之接觸孔A在目的，背 景完全不相同。 •以下，使用.表示於第7A圖至第7 F圖之工程剖面圖 ，說明本實施例之液晶顯示裝置之製造程序的—例子。 (各製造工程之內容） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明（U) (工程1 ) 如第7A圖所示，在玻璃基板（無鹼基板）68上使 用光刻術，形成例如約1 3 Ο 0A厚的鉻（.C r )所成的 閘電極3 2，及與閘電極相同材料所成的電極3 1，3 3 。然後，藉由電漿CVD法，連績地生成矽氮化膜 S i Nx等所成的閘絕緣膜49，真性矽膜70，以及η 型矽膜（歐姆接觸層）71。然後，藉由光蝕刻，壓料墊 化未摻雜不純物之真性矽膜7 0及η型矽膜（歐姆接觸層 )7 1。 此時，閘絕緣膜4 9之厚度係例如約3 0 0 0Α，真 性矽膜7 0之厚度係例如約3 0 0 0Α，而歐姆接觸層 7 1之厚度係例如約5 0 0Α。 在本工程中之特徴係在於未實行對於閘絕緣膜之接觸 孔的形成' (工程2 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ 然後，如第7 Β圖所示，藉由濺散及光蝕刻形成例如 C r所成的約1 300Α之汲電極34，源電極40。 (工程3 ) 然後，如第7 C ®所示，將汲電極34,源電極40 作爲罩幕，藉由蝕刻除去歐姆接觭層7 1之中央部，實行 汲極，源極之分離（分離蝕刻）·此時，在相同蝕刻裝置 之相同腔內可連績地寊行汲電極之圄型化所用之蝕刻與分 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS > Α4規格（210.Χ297公董） 14 403695 A7 B7 五、發明説明（12 ) 離蝕刻· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即，首先以Cj?2系之蝕刻氣體實行汲電極34， 源電極4 0之蝕刻，然後將蝕刻氣體切換成S Fe系之氣 體，可實行歐姆接觸層7 1之中央部的蝕刻· (工程4 ) 然後，如第7D圖所示，例如藉電漿CVD法形成保 護絕緣膜6 0 ·該保護絕緣膜6 0係例如約2 Ο Ο OA之 矽氮化膜（S i N x ) · (工程5 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 然後，如第7 E圓所示，在保護絕緣膜6 0之一部分 ，形成連接外部端子（接合線成I C之外導線）所用的接 觸孔（開口部）50，同時也形成接觸孔52，58。接 觭孔5 2係連接源電極4 0與像素電極1 0所用者。又， 接觸孔5 9係互相連接與閘電極相同工程所形成的電極 3 1及像素電極所用者，該接觸孔係保護二極管之形成等 所必需。又，接觸孔5 8係爲了形成外部端子或檢査端子 所必需。 接觸孔5 8，5 9係貫穿閘絕緣膜4 9及保護絕緣膜 6 0之重叠膜所形成*而接觸孔5 2係僅貫穿保護絕緣膜 6 0所形成。 在形成接觸孔58，5 9時，電極3 1，33係分別 功能作爲蝕刻停止層。又，在形成接觸孔5 2時，源電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） -15 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 、 A7 B7 五、發明説明（13 ) 4 0係功能作爲蝕刻停止層。· (工程6 ) 然後，如第 7 F 圖所，I TO (Indium Tin Oxide )膜係以約5 0 OA厚度沈澱，經選擇性地蝕刻，形成 I TO所成之像素電極1 0及電極1 1。I TO之蝕刻係 藉由使用H C j?/HN03/H20之混合液的濕蝕刻實行 〇 如上所述，接觸孔5 8，5 9係貫穿閘絕緣膜4 9及 保護絕緣膜6 0之重叠膜所形成，因此，成爲相當於兩層 之絕緣膜厚度之深度的接觸孔。 但是，因I TO係融點較高而與鋁等比較在分級敷層 較佳，因此，即使經由深接觸孔也不會成爲連接不良。又 ，除了 I TO之外，也可使用如金靥之氧化物之高融點的 其他透明電極材料。例如可使用SnOx，ZnOx等之金 饜氧化物。此時，分級敷饜係在實用上也能忍耐。 如此所製造之T F T，係例如使用作爲主.動矩陣基板 之像素部的交換元件。又，I TO所成電極11係成爲連 接外部端子（I C之外導線等）所用的增耗墊。 (本製造方法之特徵） 在第8A圖至第8 GB，表示對比例之TFT的製造 工程。該對比例係爲了突顯出本實施例有關之T F T的製 造方法之特徵，本案發明者所創作者，而在以往例所沒有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -16 - 4ι)269δ Α7 Β7 五、發明説明（14 ) 〇 對比例之第8 A圖係與第7 A圔相同》 在第8A圖至第8G圔，與第7A圖至第7F圖相同 部分附與參照號碼。 對比例之情形，如第8 B圓所示，在形成汲電極3 4 ，源電極40之前，形成擎觸孔ΚΙ，K2。 之後，如第8 C圖所示，形成汲電極3 4，源電極 40以及與這些相同材料所成之電極42，44。 然後，如第8 D圖所示，形成I TO所成的像素電極 4 6。 之後，如第8 E圓所示，實行歐姆接觸層7 1之中央 部的蝕刻（分離蝕刻）。 然後，如第8F圖所示，形成保護絕緣膜48。 最後，如第8G圓所示，形成接觸孔K3。由此，電 極4 4之表面會曝露，而形成有連接外部連接端子所用的 增耗墊。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依照這種對比例之製造方法，在第8 B圈之接觸孔 K 1 ，K 2之形成工程，再加上形成第8 G圖之接觸孔 K 3之工程，須要合計兩次之接觸孔形成工程· 反觀在本實施例之製造方法，係如第7 E圖所示，一 併地形成接觸孔5 2，58，59。亦即藉由貫穿保護絕 緣膜6 0及閘絕緣膜4 9之重叠膜而形成接觸孔，同時地 也圓型化源電極4 0之保護絕緣膜6 0 ·因此接觸孔之形 成工程係一次即可以•故可將曝光工程削減一工程。隨著 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -17 - 402695 A7 B7_ 五、發明説明（15 ) 此，成爲不蘅要光阻膜之沉澱工程，及其蝕刻工程•故合 計成爲縮短三工程·亦即，製造順序被簡化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又*在本實施例之製造方法，連續地在相同腔內實行 表示於第7 B圖之汲電極3 4，源電極4 0之匾型化（乾 蝕刻），及表示於第7 C圖之歐姆接觸層7 1之中央部的 蝕刻（乾蝕刻）。亦即，辛相同腔內藉由依次切換蝕刻氣 體，成爲可實行連績之蝕刻。 對此，對比例之情形，成爲第8 C圖之汲電極3 4， 源電極4 0之圖型化（乾蝕刻）之後，實行第8D圖之 I TO所成的像素電極4 6之濕蝕刻，然後，實行第8 E 圖之歐姆接觸層7 1之中央部的蝕刻（乾蝕刻）。I TO 係無法依乾蝕刻之加工，因僅實行濕蝕刻之加工，因此無 法在一腔內連績地賁行第8 C圖，第8 D圖，第8 E圖之 各蝕刻工程。故在每一工程成爲需要基板之處理，而作業 煩雜。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 又，本資施例之情形，在I TO所成之像素電極1 〇 ，電極11 ，及汲電極34，源電極40之間必須介裝保 護絕緣膜6 0。此乃指在基板上之其他領域（未予圖示） ，確實地電氣式地分離I TO所成之電極，及與汲電極， 源電極相同材料所成之電極。 但是，對比例之情形，電極4 6及汲電極3 4，源電 極4 0係羼於相同層，而在兩者之間並未介裝保護絕緣膜 。因此，在基板上之其他領域（未予圖示），若有異物時 ，本來就應絕緣，I TO所成之電極及與汲電極，源電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210'〆297公釐） ~ 18 - 4 ⑽ 695 A7 B7 五、發明説明（16 ) 相同材料所成之電極也有短路之虞。亦即，以本實施例之 製造方法所形成之裝置者可靠性較高。 又，在對比例，因在較早階段形成I το所成之像素 竜極46 (第8D圖），因此，在該後績之工程，也有因 I TO組成物之銦（I η)或錫（S η)等所產生之污染 的顧慮。 反觀，在本實施例之製造方法，因I TO所成之像素 電極1 0，電樺1 1係以最後之工程所形成，因此， 1 丁0之組成物之錫（S η )等所產生之污染的顧慮較少 〇 如上所述，依照本實施之形態的製造方法，可縮短製 造工程，而且可製造髙可靠性之裝置。 以下，使用第9 Α圓至第9 C圖，簡單說明在本實施 例所用之保護二極管。如第9 A圖所示，保護二極管 2 0 0，2 0 1，2 0 2係設成用以從外部靜電保護連接 於掃描線233，信號線234，236的TFT等所用 者，在第9 A圖係形成在顯示領域2 0 3外之領域。更具 體而言，保護二極管2 0 0係將從增耗墊2 1 4施加於掃 描線2 3 3之靜電逃逸至L C共用線2 0 4所用者，而保 _二極201，202係將從增耗墊216，21 8施加 於信號線234，236之靜電逃逸至LC共用線204 所用者。其用共用線2 0 4係經由銀點增耗墊2 0 6〜 209連接於對向電極。而且連接於外部驅動器IC等。 第9 B圖係表示保護二極管2 0 0〜2 0 3之等效電 19 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 、?τ 經濟部中央標準扃貝工消費合作社印装 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210χ297公釐） 40269ϊ5 at B7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 五、發明説明（17 ) 1 I 路圖 之一 例子 〇 如 同 圖 所 示， 該保護 二 極 管 係包 括連接有 1 1 I 閘電 極與汲電 極 的 T F T 2 2 0*2 2 2 1 對於 源極，汲 1 1 1 極間 電壓 作用 作 爲 具 有 非 線形 之阻抗 的 元 件 (在 施加低電 諸 1 1 壓時 成爲 髙阻 抗 而在施 加髙 電壓時 成 爲 低 阻抗 )° 先 閲 1 I 1 第9 C圖 係 表 示 在本 實施例所用 之保 護 二極管2 0 0 背 面 1 1 的平 面圖 (佈 置 圖 ) 之 Μ子 。該保 護 二 極 管之 最大特徵 注 意 畫 1 | 爲T FT 2 2 2 之 源 電 極 2 4 0經由 接 觸 孔 2 5 2 a ，b Ψ 項 再 1 1 ，電 極2 10 ( 興 像 素 電 極相 同材料 所 形 成 )， 接觸孔 填 寫 本 (_ | 2 5 9 a » b 連 接 於 掃 描線2 3 3。 在 此 9 接觸 孔 Ά '1 1 2 5 2 a ，b 係 相 當 於 第 7 F 圖之接 觸 孔 5 2， 電極 1 Ί 2 1 0係 相當 於 像 素 電 極 10 ，接觸 孔 2 5 9 a ，b係相 1 I 當於 接觸 孔5 9 而 掃描 電極 2 3 3 係相 當 於電 極3 3 * 訂 r 亦即 如本 實施 例 欲 形 成 保 護二 極管， 須 連 接 源電 極2 4 0 1 | 與掃 描線 2 3 3 〇 此 時 在本 實施例 由 第 7 A 圖可知* 1 I 爲了 減少 接觸 孔 之 形 成 工 程數 *未實 行 對 於 閘絕 緣膜4 9 1 1 〆 1 1 之接觸孔 的形 成 y 因 此 經由 閘絕緣 膜 之 接觸孔 無法將源 電極 2 4 0直 接 連 接 於 掃 描線 2 3 3 〇 因 此 在本 實施例係 1 1 在形 成閘 絕緣膜 » 保 護 絕緣膜 之後， 同 時 地 開設·接觸孔 1 1 2 5 2 a ，b 及 2 5 9 a ，b ，然後 9 使 用 被沉 澱之電極 1 1 2 1 0， 實行 源 電 極 2 4 0與 掃描線 2 3 3 之間 的連接。 I 電極 2 1 0係 以 與像 素 電 極相 同材料 之 I T 0等 所形成· 1 I 因I TO 係融 點 較 高 ， 因 此， 與鋁等 相 比 較步進 敷層等良 1 1 I 好， 而且 因I T 0 係 以 反 應性 濺散等 所 形 成 ，故 可將立體 1 1 角度 實質 上較 大 9 與 鉻 等 相比 較步進 敷 層 等 也成 爲良好β 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） -20 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 402695 五、發明説明（18 ) 因此，如本實施例使用I το時，即使經由如貫穿閘絕緣 膜與保護絕緣膜雙方之深接觸孔，也成爲良好地採取電極 間之連接。 (實施例2 ) 實施例2係在源m極’像素電極間之接觸上產生不良 時，將此變更灰度畸變不良等，並將像素缺陷成爲虛表上 沒有作爲目的的實施例》 首先，使用第1 0A，B園說明本實施例之原理。第 1 0 A圖係表示沒有源電極4 0，像素電極1 〇間之接觸 不良時的液晶顯示裝置的等效電路圄，而第1 0 B圖係表 示產生接觸不良時的等效電路圖，在沒有接觸不良時，如 第10A圖所示，在TFT30之源電極40及像素電極 1 0，連接有將對向電極（L C共用線）作爲另一方之電 極的液晶電容Clc，保持電容CST。一方面，在產生接觸 不良時，如第1 0 B圖所示，在源電極4 0與像素電極 10之間形成有所給與之寄生電容（：^^ •形成有這種寄生 電容Cx時，則像索電極施加電壓（液晶施加電壓）從 V 減少至，由此，例如黑顯示之像素變化成白顯 示，而產生白缺陷等之像素缺陷。 在接觸不良時施加於液晶之電應與V ^之關係 ，係由第1 0 Β圖可知，成爲 V LC*= { C x/ ( C 〇 ( V LC*) + C x) } x V LC ( 1 ) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -21 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（19 ) 式中 C 〇 ( V LC*) = c LC ( V LC*) + C ST，而 C。（ V LC”係藉由V 之數值而變化。又，在未設置保持電 容之構成時，成爲C。（ V LC*) = C LC ( V LC*)。又， 形成保持電容時，其形態也有各種，例如第1 A圇，第 1 B圖，第2A_，第2B圖所示，在像素m極1 0或與 .電極1 5相鄰接之掃描線2 1之間形成保持電容也可以， 或在像素電極10與所給與之保持電容用電極之間形成保 持電容也可以· 在本實施例，爲了防止起因於如上述（1 )所示之 V u之降低的像素缺陷產生，施以如下述所示之對策。亦 即，首.先，將像素位置之透射係數成爲最小透射係數時之 電壓作爲將成爲最大透射係數時之電壓作爲 V ，將像素電極電容C〇之最大值作爲C ΟΜΑΧ (黑 顯示時等），而將最小值作爲COMIN (白顯示時等）時， 設定電容比R AC1成爲 R A c i = C X / C Ο M 入 X > V L c M A X / ( V L C Μ I N — V" L c M A X ) (2 ) 之關係。從上式（1 )及上式（2)式可知，若成立上式 (2 )之關係時，則成爲成立

V LC*= { c v/ ( C 〇 ( V cc*) + c x) } XV LC 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 •δΓ -22 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 402695 at B7 五、發明説明（20 )

> { C X / ( C 〇 M A X + C X ) } X V L C > { V LCM ΑΧ / V LCM I N } X V LC ( 3 ) 之關係。例如第1 1 A園係表示正常白方式之顯示裝置的 電壓V LC與透射係數T之間的關係之一例·依照本資施例 ，例如透射係數爲最小透^係數TMIN之像索，亦即黑顯 示之像素的電MVLC1 ( = VLCMIN)係變化成VLC1=^該 V 係如第1 1 A圖所示，比V !^„^大，因此，該像 素係不變成白顯示而成爲灰色顯示。若爲灰色顯示則幾乎 不會受到人們之眼睛所察覺，結果，依照本實施例，可將 像素缺陷在虛表上成爲沒有。以上之情形，在上述（3 ) 作爲 V LC*= V LC1*、V LC= V LC1= V LCMIN時，可成立 V LCl*〉V LCMAX ( 4 ) 之關係式也可知。 —方面，如第1 1 A圖所示，對於電壓爲VU2而不 是黑顯示之像素，也只是電壓變化成V LC2*，而顯示之灰 度僅成爲畸變。因此，對於這種像素也可將像素缺陷在虛 表上成有沒有。 如此，依照本實施例，爲了滿足上式（2 )而設定電 容比RAC1，至少可防止例如黑顯示之像素成爲白顯示， 由此，在產生接觸不良時，可防止該像素明白地看到像素 缺陷之事態。然而，爲了在虛表上避免該像素缺陷，更增 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A 7 __B7 五、發明説明（21 ) 大電容比R A C1較理想。例如，將像索位置之透射係數成. 爲最大透射係數Τ«Αχ之大約5 0%之Τ η時的電壓作爲 VLCHI«時，設定電容比RAC1成爲 R A C1= C X / C 〇MAX> V lcHl/ ( V LCMIN- V L C H C ) . (5 ) 較理想。設成如此，則由上式（1 )及上式（5 )可知， 成立 V L( 永— C — { C x/ (C〇(VLG*) + C X ) } X V LC > { C x/ (C OMAX + C X ) } X V LC > { V LCHl/ V LCM I N } X V LC (6 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之關係式•因此，由上式（6)可知，依照本資施例，可 將黑顯示之像素（VLC=VLC1=Vi_CMIN)之透射係數成 爲TMAX之大約5 0%之T ^以下。若透射係數爲T hl以 下，則在人們之眼睛對黑顯示之間的區別無法區分，因此 ，可成爲若不太注意在人們不知道之顯示。 又*較理想係設成電容比使黑顯示時之透射係數成爲 TMAX之大約1 〇%以下•構成如此，則可成爲人們幾乎 無法知悉之像素缺陷之顯示。然而，因孔徑係數等之關係 上，有無法將電容比變成過大之情形，在此時，則設定電 容比，使黑顯示時之透射係數成爲τ Μ AX之大約5 0%〜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 4026Θ5 A7 ___B7_ 五、發明説明（22 ) 90%也可以。TMAX之大約50%〜90%之範圍時， 則像素缺陷容易由人們之眼睛察覺，惟可得到將像素缺陷 補正灰度畸變之效果等· 若成立上式（2 )之關係，產生接觸不良而施加於黑 顯不之像素（Vlc=Vlci=Vlcmin)之電壓減少至 VLC1*，由上式（4 )可ρ，也可將電壓VLC1*確實地成 爲比V · —方面，代替上式（2)，設定電容比RAC2,成立 R A c 2 = C X / C ο Μ I N > V L C M A X / ( V L C Μ 1 N _ V L C M A X ) (7 ) 之關係，也可防止黑顯示之像素成爲白顯示。 亦即，成立上式（7 )時，則成立 {Cx/(C〇MIN+Cx)} XVlc〉（Vlcmax/Vlcmin} X V LC ( 8 ) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

A —方面，像素電容CoCVl，）係如上所述爲«之函 數，因c0(vLC*)係比COMIN大，因此成立

{Cx/(C〇MIN+Cx)} XVlC > { C x/ ( C ο ( V LC*) + c x) } x V LC (9) 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25 - 402695 A7 B7 五、發明説明（23 ) 之關係。因此，藉由像素電容之數值，有成 立

VLC*= {Cx/(C〇(Vuc*) + cx)} XV LC > { V LCMAX/7 V LCMIN } X V LC (10) 之關係之情形《若上式（^ 0)成立，作爲vLC* = V" LCl*’ V LC= V LC1= V LCMIN時，則成立 V LC 1 * > V LC»I ΑΧ (11) 之關係，防止黑顯示之像索成爲白顯示。 例如，現在考 S：Vlcmin= 5 V、Vlcmax= 1 V、 C〇max= 1 4 0 f F.(黑顯不）、C〇min=8 0 f F (白 顯示）之情形，將這些數值代入上式（2 )時，則成爲 C x> C OMAX ^ { y LCMAx/ ( V LCMIN- V LCMAx) } = 14〇x {1/(5-1) } =3 5 f F (12) 因此，將Cx成爲比3 5 f F大時，則可確實地防止黑顯 示之像素成爲白顯示· 一方面，將上述數值代入上式（7)時，則成爲 C x> C OMINx { v LCMAX/ ( v LCMIN— V LCMAX) } 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 〆I. 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 -26 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 402695 A7 B7 五、發明説明（24 ) -8〇x {1/(5-1) } =2 0 f F (13) 作爲滿足上式（1 3)之〇*選擇30 f F。如此，該 Cx係比35 fF小而無法滿足上式（12)，惟藉降低 電壓Vcc〃時之CoCVu”之數值，防止黑顯示之像索 成爲白顯示。亦即，考量因之降低使黑顯示之像索 之CoCVl，）從140 fF降低至90 fF時，則由上 式（1 )，成爲 V LC*= { C x/ ( C 〇 ( V LC” + C x) } X V LC ={30/(90 + 30) } xv LC =0 · 2 5 x V LC (14) 因此，黑顯示之像索的電壓，係從 =5V之減少至. 2 5V，惟因成立 VLC1*=1 . 25V>V μΜΑΧ= 1 V 之關係，因此，該 黑顯示之像素係不會成爲白顯示而成爲灰色顯示。如上述 即使設定電容比使上式（7)成立，也因C〇(VLC»)之 數值，因有上式（1 0 )成立之情形，因此，可防止黑顯 示之像素成爲白顯示之情形· 又，以上係說明將正常白方式之情形作爲主要之例子 ，惟在如第1 1 B圖所示之正常黑方式之情形，則上式（ 2) ， （5) ， （7)之關係式係成爲 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X25»7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -! -27 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（25 ) R Aci = C x/ C 〇MAX> V LCIIIn/ ( V" LCMAX — V L c Μ I N ) (1 5 ) R A Cl= C x/ C OMAX〉V LCHl/ ( V LCMAX_ V LCHL) (1 6 ) R A c 2 = C X / C ο Μ I N〉V L C Μ I N / ( V L C M A X — V L C Μ I N ) (17) 在正常黑方式時，如第1 1 B圖所示，白顯示之像素的電 壓係從V IC3變化成V 1^3〃，不是黑顯示而可成爲灰色顯 示。不是白顯示之像索也使電壓從VIC4變化成V ， 可將像素缺陷變成灰度琦變，可有效地防止有像素缺陷時 之顯示特性的劣化· 又，作爲電容比RAci，RAC2之調整方法，係可考 量各種者。第1種方法係調整源電極4 0與像素電極1 0 之重ft面稹的方法。亦即，調整寄生電容（：\之電極面稹 即可簡整電容比•此時，將接觸領域之形態成爲以實施例 1所說明者最理想。亦即，如在實施例1 .所說明，將接觸 孔成爲長方形等而增大接觸領域之面積時，則因可減少接 觸不良之發生，而且可增大電容比，因此，由上式（3 ) 等可知，可減小接觭不良產生時之電壓V u的降低。因此 ，組合實施例1，2，相輔相乘這些。能得到實施例1， 2各別無法得到之獨特效果· 又，第2種方法係調整介裝於源電極4 0與像素電極 1 0之間的保護絕緣膜6 0之膜厚的方法。亦即，調整寄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 广丨· -28 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 A7 B7__ 五、發明説明（26 ) 生電容Cx之電極間距離，即可調整RAC1，RAC2，該 方法係藉由孔徑係數等之關係，將源電極4 0與像素電極 1 0之重叠面稹在不太-大地調整時等較有效*作爲電容比 之調整方法，其他也有變更保護絕緣膜6 0之材質’或調 整液晶電容Ca，保持電容C ST等，可採用各種方法。 最後，使用第1 2圖尽第1 3圓說明電容比之設定例 在此，作爲對象之液晶面板係1 3英吋之SXGA ’ 如第1 2圔及第1 3圖所示’像素《極1 〇之節距係從爲 2 01；am，橫爲67;zm»又’信號線22 ’ 23與像 素電極1 0之間的距離，掃描線2 0 ’ 2 1與像素電極 1 0之間的距離，係均成爲7 。又，掃描線2 0及信 號線2 2之寬度係均成爲1 0 ，則像素電極1 0之大 小係成爲縱1 77#m，橫43#m。此時之液晶電容 C L· C係成爲 CLC=100fF (黑顯示）〜50fF (白顯示） 又，保持電容C ST爲C ST= 2 5 f F時，則成爲 C〇= 1 2 5 f F ( COMAx)〜7 5 f F ( COMIN) 又，形成像素電容cx之保護絕緣膜6 0之膜厚爲 2000Α，介質常數爲e = 6 · 5。又在第1 1Α圖’ 在一般之液晶，最小透射係數TmIN時之電壓爲例如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS M4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -29 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（27 )

VuMIN=4 . 8V ’最大透射係數VMAX時之電壓爲成 爲例如 V LCMAX= i . 5 V · 在第1 2鼷，係接觸孔5 2之大小係較小，而縱橫均 成爲5 //m，而源電極4 0之大小係橫縱均成爲9 μπι · 因此，像素電極1 〇與源電極4 0之重叠面稹係成爲8 1 Airf。由以上，寄生電容Cx ，羃容比RAC1係成爲

Cx= (6 · 5x8 . 85xlO~2x81xl〇-12)/ 2 Ο Ο 0 x 1 0 一10= 2 3 . 3 f F R A ci = C χ/ C omAX =23 . 3/125 =0 . 1 9< {Vlcmax/(Vlcmin— VLCMAX)} =0 . 4 5 在此，黑顯示之像素的電壓係成爲 =4 . 8 V ·因此，黑顯示之像索的儷壓係產生接觸不良 時，如表示於上式（1 )，成爲

V LC*= { C x/ ( C 〇 ( V Lc*) + C x) } X V LC ={23 . 3/ (C〇(VLC*) +23 . 3) } x 4.8 (18) 在上式（18) ，vLC*與c〇(vLC*)係成爲回蝕性之 關係。首先求出C〇(VLC*) =COMAX= 1 2 5 f F時之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X 297公釐） " ~ 30 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 403695 A7 _B7_ 五、發明説明（28 ) V ，則成爲 V LC*= {23 · 3 / (125 + 23 · 3) } χ.4·8

=Ο . 7 5 V 上述之情形，因成爲V LC*= Ο . 7 5 V < V lCMA；£ = 1.5V，因此，像素係可能成爲白顯示，而 C〇( VLc*)係可能降低至C〇min= 7 5 f F。如此’再 將 Cc^Vlc*) = COMIN=75 f F 代入上式（18)， 則成爲 V LC*= {23.3/(75 + 23.3) }χ4· 8

=1 . 1 4 V 因成爲 VLC*=1 . 14V<V LCMAX= 1 . 5 V，因此由 第1 1 A圖可知，黑顯示之像素仍成爲完全之白顯示，而 成爲像素缺陷即可由人們之眼睛看出。亦即，將接觸孔 5 2作爲如第1 2圖所示之形態*設成電容比RAC1 = 0 . 1 9時，則無法將像素缺陷在虛表上成爲沒有》 一方面，在第1 3圖之情形，接觸孔5 2係成爲如實 施例1之第4圖所示的形狀，全長成爲5 0 ，寬度成 爲5 ·又因源電極4 0與接觸孔5 2之重叠緣部係成 爲2 ，因此，像素電極1 0與源電極4 0之重叠面積 係成爲 486# m· (12x9 + 12x9 + 30x9)。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 ο X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A ! A7 B7 五、發明説明（29 ) 因此，第13圖時之寄生電容Cx ，電容比RA C1係成爲 C X = ( 6 . 5x8 . 85xl〇-12x4 8 6 xl〇-12) /2000x10 '10

=1 4 0 f F

R A c 1 = C X / C 〇 M A X = 140/125 —1 · 1 2 > ί V LCMAX-/ (V LCMIN _ V L c M A X ) = 0-45 而黑顯示之像素的電壓係產生接觸不良時，成爲 VLc*~ {Cx/ (C〇(VLc*) + Cx) } XVlc =1 4 0 / ( c 〇 ( V LC” + 1 4 0 ) } x 4 . 8 (1 9 ) 與上述之情形同樣地，首先求出C0(VLC*)= C OMAX = 1 2 5 f F 時之 V LC* « 則成爲

V LC*= {140/(125 + 140) }X4. 8 =2 · 5 4 V 因上述之情形，成爲_ 54V>V 1 . 5V ’因此考量黑顯示之像素係成爲白顯示與黑顯示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 〆 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印製 -32 - 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（30 ) 之中間’CoCVl，）係降低至l〇〇fF (=(12 5 + 75)/2)。在此，將 C〇(VLC*)=l〇〇fF 再 代入上式（19) ’則成爲 V LC*= {140/(100 + 140) }X4. 8

=2 . 8 0 V 因成爲 VLC*=2 . 80V>V LCMAX= 1 . 5 V，因此由 第1 1 A圖可知，黑顯示之像素係成爲灰色顯示，像素缺 陷係虛表成爲沒有·亦即，可將像素缺陷可看出爲灰度畸 變，而可提高顯示特性· 在上述，爲了簡化說明，使用簡易式之C〇( VLC*) 以簡易式方法解出上式（18) ，（19)，而求得

Vl，·然而，爲了更正確地實行設計，資測C〇(VLC* )之電壓依存性等，藉由數字模擬等，更正確地求出 V lc-較理想。 (實施例3 ) 資施例3係有關於包括在實施例1 ，2所說明之顯示 裝置的電子機器之實施例，在第1 4躕表示其構成例。第 1 4圖之電子機器係包括：顯示資訊输出源1 0 0 0，顯 示資訊處理電路1 〇 0 2，驅動電路1 0 0 4，顯示面板 之一種的液晶面板1〇 〇 6，時鐘脈衝產生電路1 〇 〇 8 及電源電路1 〇 1 〇，顯示資訊输出源1 〇 0 0係包括 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1T 〆—· 402695 A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 五、 發明説明 (31 ) R 0 Μ » R A Μ 等 之 記憶 髖 9 同 步 電 路 等 f 依 照 來 白 時 通 脈 衝 產 生 電 路 1 0 0 8之 時 鐘 脈 衝 9 输 出 視 頻 信 號 等 之 顯 示 資 訊 〇 顯 示 資 訊 處 理電 路 1 0 0 2 係 依 照 來 白 時 鐘 脈 衝 產 生 電 路 1 0 0 8 之 時鐘 脈 衝 處 理 顯 示 資 訊 並 予 以 輸 出 0 該 顯 示 資 訊 處 理 電 路 10 0 2 > 係 可 包 括 例 如 放 大 1 極 性 反 轉 電 路 9 相 展 開 « 路， m 動 電 路 » Γ 補 正 電 路 或 定 位 電 路 等 0 驅 動 電 路 1 0 0 4 係 包 括 掃 描 信 號 驅 動 電 路 及 賫 料 信 號 驅 動 電 路 » 施 行 液晶 面 板 1 0 0 6 之 驅 動 0 電 源 電 路 1 0 1 0 係 將 電 源 供應於 上 述 各 電 路 0 作 爲 這 種 構 成 之 電子 機 器 有 如 表 示 於 第 1 5 圖 之液 晶 投 影 機 表 示 於 第 16 圖 之 多 媒 體 對應 的 個 人 電 腦 ( P C ) 及 工 程 工 作 站 (Ε W S ) 表 示 於 第 1 7 圖之顯 示 頁 ( pager ) 或攜帶電話 文字處理器 電視機 視窗型 或 監 測 器 直 視 型 攝 錄放影 機 電 子 手 冊 電 子 桌 上 計 算機 t 車輛 衛 星 導 航裝 置 Ρ 0 S 終 端 9 具 備觸 模 板 之 裝 置 等 〇 表 示 於 第 1 5 圖 之投影機 係 將 透 射 型 液 晶 面 板使 用 作 爲 燈 泡 的 投 射 型 投 影 機， 例 如使 用 三 枚 稜 鏡 方 式 之 光 學 系 統 〇 在 第 1 5 圖 中 在投影機 1 1 0 0 > 從 白 色 光 源 之 燈 單 元 1 1 0 2 所射 出 之投 影 光 在 光 導 件 1 1 0 4 之 內 部 » 藉 由 多 數鏡 1 0 6 及 兩枚 分 色 鏡 1 1 0 8 分 成 R t G » B 之 三 原 色 9 被 引 導 至 顯示 各 該 顔 色 之 畫 像 的 三 枚 主 動 矩 陣 型 液 晶 面 板 1 1 1 0 R， 1 1 1 0 G 及 1 1 1 0 B 9 之 後 藉 由 各 該 液 晶 面 板 1 11 0 R > 1 1 1 0 G 及 1 1 1 0 B 所 調 變 之 光 係 從 三 方向 入 射 於 分 色 稜 鏡 1 1 1 2 〇 在 分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇·〆297公釐） 402695 A7 __B7__ 五、發明説明（32 ) 色稜鏡1112，因紅色R及藍色B之光被彎曲90° ， 而綠色G之光係直進，故各色之畫像被合成，經投影透鏡 1114而使彩色畫像投影在螢幕等。 表示於第1 6圖之個人電腦1 2 0 0係具有鍵盤 1 202之本體部1 204及具有液晶顯示畫面1 206 〇 表示於第1 7圖之顯示頁1 3 0 0，係在金屬框 1 3 0 2內，具有：液晶顯示基板1 304，具備背面光 1306a之燈導件1306，電路基板1308，第1 ，第2之遮蔽板1310，1312，兩件彈性導電體 1314，1316及薄膜載體帶1318。兩件彈性導 電體1314，1316及蓽膜載體帶1318 ’係連接 液晶顯示基板1 3 0 4與電路基板1 3 0 8者。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 液晶顯示基板1304係在兩枚透明基板1304a ，1 304b之間封入液晶者，由此，至少構成點矩陣型 之液晶面板。在其中一方之透明基板可形成表示於第1 4 圖之驅動電路1 0 0 4，或此以外再形成顯示資訊處理電 路1 002。未搭載於液晶顯示基板1 304之電路，係 作爲液晶顯示基板之外裝電路，在第1 7圖之情形係可搭 載於電路基板1308。 由於第1 7圖係表示顯示頁之構成者，因此除了液晶 顯示基板1 3 0 4以外還需要電路基板1 3 0 8 ’惟作爲 電子機器用之一零件使用液晶顯示裝置時，而在透明基板 搭載有驅動電路等時，其液晶顯示裝置之最小單位係液晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35 - 402695 A7 B7 五、發明説明（33 ) 顯示基板1 304。或是，將液晶顯示基板1 304固定 於作爲框體之金屬框1 3 0 2者，也可使用作爲電子機器 用之一零件的液晶顯示裝置。又’在背面光式時’在金靥 製框1 3 0 2內裝入液晶顯示基板1 3 0 4及具備背面光 1306a的燈導件1306，可構成液晶顯示裝置。代 替這些，如第1 8圖所示，在構成液晶顯示基板1 3 0 4 之兩枚透明基板1304a，1304b之其中一方，連 接將I C晶片1 3 2 4實裝於金屬之導電膜所形成之聚亞 醯胺帶 1322 的 TCP ( Tape Carrier Package) 1 3 2 0’，也可使用作爲電子機器用之一零件的液晶顯示 裝置。 又，本發明係並不被限定於上述實施例1 ，2，3者 ，本發明之要旨之範圍內可作各種變形實施。 例如交換元件之構造等係並不被限定於在上述實施例 所說明者，例如非晶質矽薄膜電晶體之所有反相型構造， 或正相型構造，聚（多結晶）矽薄膜電晶體之刨型，正相 型構造等，可採用各種者。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，液晶顯示裝置之製造方法也並不被限定於上述實 施例所說明者，可變更工程順序，或附加其他工程等各種 變形實施。 又，接觸領域之形態也不被限定於在上述實施例所說 明者，在本發明也包括與此均等者· 又，電容比之關係式也不被限定於在上述實施例所說 明者，而在本發明也包括與此均等者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36 - A7 B7 402695 明説明（34 ) 又，在上述實施例，由於電容比之設定，說明像素缺 陷在虛表上沒有之情形，惟設定電容比以下之其他參數的 方法，若能得到與本發明之大約同等之作用，效果等者* 也包括在本發明之均等範圍內》 (圖式之簡單說明） 第1A圖係表示實施例1之平面構成之一例子的圖式

I 第1 B圖係表示其P — Q線的剖面圖》 第2Α，2Β圖係分別表示實施例1之平面構成及Q 一 Β線剖面圖之其他例子（保持電容之形成方法不相同之 例子）的圖式。 第3圖係表示實施例1之平面構成之其他例子的圖式 〇 第4圖係表示實施例1之平面構成之其他例子的圖式 〇 第5圖係表示實施例1之平面構成之其他例子的圖式 〇 第6圖係表示用以說明與黑基質之關係的說明圖。 第7Α圖至第7 F圖係表示用以說明實施例1之製造 方法之一例子的工程剖面圖。 第8 Α圖至第8 G圖係表示用以說明對比例的工程剖 面圖。 第9 A圖至第9 C圖係表示用以說明保護二極管的說 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閎讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 -37 - A7 B7 丨補充 五、發明說明（35) 明圖。 402695 第1OA圖及第1〇B圖係表示用以說明實施例2之 原理的等效電路圚》 第1 1 A圖及第1 1 B圖係表示正常白，正常黑方式 時之電壓V 與透射係數T之間的關係之圖式· 第12圖係表示用以說明電容比之設定之具體例的說 明圖》 第1 3圖係表示用以說明電容比之設定之具體例的說 明圖。 第14圖係表示實施例3之電子機器之構成例的圖式 〇 第15圖係表示電子機器之一種的投影機之一例的圖 式。 第16圖係表示電子機器之一種的個人電腦之一例的 圖式。 第17圖係表示電子機器之一種的個人電腦之一例的 圖式。 第18圖係表示使用TCP之實施例的圖式。 — — — — —— — — III! -----III ^ ·1111111 I 1 < (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (記號之說明） 10 像素電極 11 電極 13 接觸孔 15 電極 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -38 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 說明（36 ) 2 0、2 1 掃描線 2 2 信號線 3 0 薄膜電晶體（TFT) 3 1 電極 3 2 閘電極 3 3 電極 3 4 汲電極 4 0 源電極- 4 2、4 4 電極 4 6 像素電極 4 8 保護絕緣膜 4 9 閘絕緣膜 5 0 接觸領域 5 2、5 8、 5 9 接觸孔 6 0 保護絕緣膜 6 3 黑基質 6 6 對向電極 6 8 玻璃基板 7 0 真性矽膜 7 1 歐姆接觸層 7 2、7 3 η型矽膜 7 6 液晶元件 2 0 0 〜2 0 2 保護二極管 2 0 4 L C共用線 (請先閱讀背面之注意事項本頁) 本紙張丈度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -39 - tt- 補充 五巧發日I說明（37 ) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 6〜2 0 9 銀 點 增耗墊 2 1 0 電 極 2 1 4 - .2 1 6、2 1 8 增 耗 墊 2 2 0 • 2 2 2 掃 描 線 2 3 3 信 號 線 2 3 4， ‘2 3 6 T F T 2 4 0 源 電 極 2 5 2 ' ‘2 5 9 接 /t〇a 觸 孔， --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再4<寫本頁) 本纸張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -40 -

Claims (1)

1. if 公 純无 A8 B8 C8 D8 40269 六、申請專利範圍 第851 1 2438號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年1月修正 1 . 一種顯示裝置，係靥於包括用以驅動顯示元件所 用之像素電極，及經由源電極連接於該像素電極之交換元 件的顯示裝置，其特徵爲：在產生有上述像素電極與上述 源竜極之間的接觸不良時將產生於像素電極與源電極之間 的寄生電容作爲cx ，在未產生有該接觸不良時將具有像 素電極之像素電容的最大值作爲C OMAX，將像素位置之透 射係數成爲最小透射係數時之電壓作爲V^MIN，將成爲 最大透射係數時之電·壓作爲V tCMAX時，設定電容比 R A c 1成爲 R A Cl _ C χ/ C 〇ΜΑ·Χ> V LCMAx/ ( V LCMIN _ V L C M A X ) 之關係者。 2 .如申請專利範圔第1項所述之顯示裝置，其中， 將像素位置之透射係數成爲最大透射係數之5 0%時之電 壓作爲，設定電容比RAC1成爲 R Aci = C χ/.C 〇MAX> V lCHl/ ( V LCMIN _ V LCHL) 者 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 1».* ϋ 1· I ϋ »1 I > *1 —a* ϋ n n 1 /n.· i請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) -線- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 if 公 純无 A8 B8 C8 D8 40269 六、申請專利範圍 第851 1 2438號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年1月修正 1 . 一種顯示裝置，係靥於包括用以驅動顯示元件所 用之像素電極，及經由源電極連接於該像素電極之交換元 件的顯示裝置，其特徵爲：在產生有上述像素電極與上述 源竜極之間的接觸不良時將產生於像素電極與源電極之間 的寄生電容作爲cx ，在未產生有該接觸不良時將具有像 素電極之像素電容的最大值作爲C OMAX，將像素位置之透 射係數成爲最小透射係數時之電壓作爲V^MIN，將成爲 最大透射係數時之電·壓作爲V tCMAX時，設定電容比 R A c 1成爲 R A Cl _ C χ/ C 〇ΜΑ·Χ> V LCMAx/ ( V LCMIN _ V L C M A X ) 之關係者。 2 .如申請專利範圔第1項所述之顯示裝置，其中， 將像素位置之透射係數成爲最大透射係數之5 0%時之電 壓作爲，設定電容比RAC1成爲 R Aci = C χ/.C 〇MAX> V lCHl/ ( V LCMIN _ V LCHL) 者 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 1».* ϋ 1· I ϋ »1 I > *1 —a* ϋ n n 1 /n.· i請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) -線- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A8B8C8D8 402695 六、申請專利範圍 3 .—種顯示裝置，係靥於包括用以驅動顯示元件所 之像素電極，及經由源電極連接於該像素電極之交換元 件的顯示裝置，其特徵爲：在產生有上述像素電極與上述 之間的接觸不良時將產生於像素電極與源電極之間 的寄生電容作爲C.x ，在未產生有該接觸不良時將具有像 素電極之像素電容的最小值作爲COMAX，將像素位置之透 射係數成爲最小透射係數時之電壓作爲ν^ΜΙΝ，將成爲 最大透射係數時之電壓作爲V ^^^時·，設定電容比 R A c 2成爲 R A c 2 = C X / C ο Μ I N > V" L C M A X / ( V L C Μ 1 N — V L C Μ A X ) 之關係者β 4 . 一種顯示裝置，係屬於包括用以驅動顯示元件所 用之像素電極，及經由源電極連接於該像素電極之交換元 件的顯示裝置，其特徵爲：在產生有上述像素電極與上述 源電極之間的接觸不良時將產生於像素電極與源電極之間 的寄生電容作爲（：\ *在未產生有該接觸不良時將具有像 素電極之像素電容的最大值作爲C〇MAX，將像素位置之透 射係數成爲最小透射係數時之電壓作爲V αΜΙΝ，將成爲 最大透射係數時之電壓作爲V 時，設定電容比 R A C 1成爲 R A c 1 = C X / C 〇 JI A X > V L C Μ I N / ( V L C M A X — V L C Μ I N ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） ^ 1· ^ ^ ^ ^ I ^ ^ -I I I · *i 1· ^ ^ ^ I I · 1_>- I I ^ >i I- ^ . (請先闓讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 A8B8C8D8 402695 六、申請專利範圍 之關係者。 5 .如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中， 胃像素位置之透射係數成爲最大透射係數之5 〇 %時之電 壓作爲V lCHC^，設定電壓比r a C1成爲 R A C1 — C χ / c 〇 M A X > V L C H L / ( V L C M A X - V L c H L ) 者。 6 .—種顯示裝置，係屬於包括用以驅動顯示元件所 像素電極，及經由源電極連接於該像素電極之交換元 件的顯示裝置，其特徵爲：在產生有上述像素電極與上述 源電極之間的接觸不良時將產生於像素電極與源電極之間 的寄生電容作爲CX ，在未產生有該接觸不良時將具有像 素電極之像素電容的最小值作爲COM1N，將像素位置之透 射係數成爲最小透射係數時之電壓作爲ViCMIN，將成爲 最大透射係數時之電壓作爲V ^CMAX時，設定電容比 R A C2成爲 R Ac2 = C χ/ C 〇MIN> V LCMIn/ ( V LCMAX— V LCMIN) 之關係者。 7 . —種顯示裝置，係靥於包括用以驅動顯示元件所 用之像素電極，及經由源電極連接於該像素電極之交換元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請先闓讀背面之注意事項再填寫本頁) J--------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3 - A8 B8 C8 D8 则弱2 六、申請專利範圍 件的顯示裝置，其特徵爲：設置接觸領域成爲包括連接於 上述交換元件之一信號線與相鄰接於該一信號線之信號線 之間的領域且沿著連接於該交換元件之掃描線的領域的一 部分或全部之像素電極緣部領域；在該接觸領域實行上述 像素電極與上述源電極之間的連接者。 8 .如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中， 在產生有上述像素電極與上述源電極之間的接觸不良時將 產生於像素電極與源電極之間的寄生m容作爲cx ，在未 產生有該接觸不良時將具有像素電極之像素電容的最大值 作爲c OMAX，將像素位置之透射係數成爲最小透射係數時 之電壓作爲VuMIN，將成爲最大透射係數時之電壓作爲 V Umax時，設定電容比RAC1成爲 R A c 1 == C X / C。M A X〉V L C M A X / ( V L C Μ I N _ V L CM A X ) 之關係者· 9 .如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中， 在產生有上述像素電極與上述源電極之間的接觸不良時將 產生於像素電極與源電極之間的寄生電容作爲CX ，在未 產生有該接觸不良時將具有像素電極之像素電容的最大值 作爲C OMAX，將像素位置之透射係數成爲最小透射係數時 之電壓作爲ν^ΜΙΝ，將成爲最大透射係數時之電壓作爲 V LCMAX時*設定電容比R Aci成爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） II--；---------Λ--- 請先闓讀背面之注意事項再1¾本頁) 訂. .線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8B8C8D8 -- 六、申請專利範圍 Cl— C x/ C OMAX> V LCMIn/ ( V LCMAX— V UCMIN) 之關係者。 1 Ο .如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中 ’ ±述接觸領域係包括沿著上述掃描線之方向作爲長邊的 長方形接觸孔，而經由該長方形之接觸孔實行上述像素電 極與源電極之間的連接者· 1 1 .如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中 ’上述接觸領域係包括多數接觸孔，而經由該多數接觸孔 實行上述像素電極與源電極之間的連接者。 1 2 .如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中 ，設置黑基質領域俾覆蓋上述接觸領域之一部分或全部者 較理想。 1 3 . —種顯示裝置之製造方法，係靥於包括用以驅 動顯示元件所用之像素電極，及經由源電極連接於該像素 電極之交換元件的顯示裝置之製造方法，其特徵爲：包括 形成上述源電極的工程，及在該源電極之上方形成所給與 之絕緣膜的工程，及形成至少上述源電極與上述像素電極 之間成爲接觸所用之接觸領域的工程，及形成上述像素電 極的工程；在產生有上述像素電極與上述源電極之間的接 觸不良時將產生於像素電極與源電極之間的寄生電容作爲 C X ，在未產生有該接觸不良時將具有像素電極之像素電 容的最大值作爲c OMAX，將像素位置之透射係數成爲最小 透射係數時之電壓作爲VlCMIN ’將成爲最大透射係數時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (锖先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁> I t ^ ·1111111 ^ ·11111111 I 經濟部智慧財產局貝工消费合作社邱製 一 5 - 40269S A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 之·電壓作爲VLCMAX時’設定電容比RAC1成爲 R A C 1 - C X / C 〇 M A X > V L C M A X / ( V L C Μ I N V L C M A X ) 之關係者。 1 4 .—種顯示裝置之製造方法，係靥於包括用以驅 動顯示元件所用之像素電極，及經由源電極連接於該像素 «極之交換元件的顯示裝置之製造方法，其特徵爲：包括 形成上述源電極的工程，及在該源電極之上方形成所給與 之絕緣膜的工程，及形成至少上述源電極與上述像素電極 之間成爲接觸所用之接觸領域的工程，及形成上述像素電 極的工程；在產生有上述像素電極與上述源電極之間的接 觸不良時將產生於像素電極與源電極之間的寄生電容作爲 C X ，在未產生有該接觸不良時將具有像素電極之像素電 容的最大值作爲C ΟΜΑΧ，將像素位置之透射係數成爲最小 透射係數時之電壓作爲VtCMIN，將成爲最大透射係數時 之電壓作爲V LCMAX時，設定電容比RAC1成爲 R Aci = C χ/ C OMAX〉V lCMIn/ ( V LCMAX— V LCMIN) 之關係者。 1 5 . —種顯示裝置之製造方法，係屬於包括用以驅 動顯示元件所用之像素電極，及經由源電極連接於該像素 電極之交換元件的顯示裝置之製造方法，其特徵爲：包括 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) - a ϋ I _1 I II I 訂.111!11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 402695_ 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 形成上 之絕緣 之間成 極的工 交換元 的領域 或全部 在 時將產 在未產 大值作 數時之 作爲V R A CJ 述源電極的工程，及在該源電極之上方形成所給與 膜的工程，及形成至少上述源電極與上述像素電極 爲接觸所用之接觸領域的工程，及形成上述像素電 程；上述接觸領域形成工程，包括連接於一之上述 件之一信號線與相鄰接於該一信號線之信號線之間 且沿著連接於該交換元件之掃描線的領域的一部分 之像素電極緣部領域以形成上述接觸領域； 產生有上述像素電極與上述源電極之間的接觸不良 生於像素電極與源電極之間的寄生電容作爲Cx ， 生有該接觸不良時將具有像素電極之像素電容的最 爲c OMAX，將像素位置之透射係數成爲最小透射係 電壓作爲ν^ΜΙΝ，將成爲最大透射係數時之電壓 Ι^ΜΑΧ時，設定電容比RAC1成爲 C X C OMAX〉V LCMAx/ ( V L· C Μ I N V L C M A X ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 之關係者β 16.如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置之製 造方法，其中，在產生有上述像素電極與上述源電極之間 的接觸不良時將產生於像素電極與源電極之間的寄生電容 作爲Cx ，在未產生有該接觸不良時將具有像素電極之像 素電容的最大值作爲C OMAX，將像素位置之透射係數成爲 最小透射係數時之電壓作爲ViCMIN，將成爲最大透射係 數時之電壓作爲V !^ΜΑΧ時，設定電容比RAC1成爲 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 7 A8 B8 C8 D8 4D2695 六、申請專利範圍 A Cl C X y/ C OMAX^ V LCMIn/ ( V LCMAX _ V L C Μ X N ) 之關係者。 1 7 .如申請專利範圍第1 3項至第1 6項中任何一 項所述之顯示裝置之製造方法，其中，在上述接觸領域形 成工程中’形成連接上述源電極與上述像素電極之間所用 的接觸領域，同時地，形成連接用與上述交換元件之閘電 極相同材料所形成之電極及所給與之電極所用的接觸領域 者》 V (請先閲讀背面之注意事項再填i(本頁) 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 8