JP6519494B2

JP6519494B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP6519494B2
Application number: JP2016022497A
Authority: JP
Inventors: 有輔山縣; 村上　隆昭; 隆昭村上; 努松浦; 梨伊平野; 一司山吉; 井上　和式; 和式井上; 耕治小田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2016-02-09
Filing date: 2016-02-09
Publication date: 2019-05-29
Anticipated expiration: 2036-02-09
Also published as: JP2017142317A

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、液晶層を変調する電界を発生する画素電極および対向電極を有する液晶表示装置に関するものである。

インプレーンスイッチング（In-Plane Switching：ＩＰＳ）（登録商標）モードは、対向する２枚の基板間に挟持された液晶層に横電界（横方向（基板に水平な方向）の電界）を印加することで表示を行う方式である。ＩＰＳモードは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードと比較して視野角特性に優れていることから、画質をより高め得る表示方式であると考えられている。一方で、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、ＴＮモードのものに比べて画素開口率を大きくすることが困難であることから、光利用効率が低いという欠点を有する。これは、ＩＰＳモードの液晶表示装置の一般的な構成、すなわち、不透明の金属膜からなる画素電極および対向電極が同一の基板の同一階層に配置される構成に起因する。

上述した光利用効率の問題を改善し得るものとして、フリンジフィールドスイッチング（Fringe Field Switching：ＦＦＳ）モードが提案されている。ＦＦＳモードの液晶表示装置では、透明導電膜からなる画素電極と対向電極とが絶縁膜を介して異なる階層に形成される。さらに、対向電極および画素電極のうち液晶層側のものには、スリット状の開口部が設けられ、この開口部を通る概ね横方向の電界が液晶層に印加される。ＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰＳモードに比べて光利用効率を高くできる。また、対向電極と画素電極との間に高い容量値を有する容量が形成されるため、各画素の保持容量の形成を省略できる。それにより、さらに画素開口率を高めることができ、光利用効率がより改善される。

さらに、液晶表示装置の光の利用効率を高めるために、アレイ基板（薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）等のスイッチ素子が形成される方の基板）において、スイッチ素子が形成される層と画素電極または対向電極が形成される層との間に、層間樹脂膜を配置した構成が提案されている。厚い層間樹脂膜を設けることにより、信号配線と画素電極との間の寄生容量を低減できるという効果が得られる。また、スイッチ素子および配線等の形状に起因する基板表面の段差が低減されるため、液晶層に電界が印加される面積が大きくなり、画素開口率を大きくできるという効果も得られる。そのため、層間樹脂膜を有する液晶表示装置は、近年、多く用いられるようになってきている。

層間樹脂層を有するアレイ基板では、走査線、信号線およびスイッチ素子が層間樹脂膜で覆われ、その層間樹脂膜上に、画素電極および対向電極が形成される。そのため、画素電極とＴＦＴのドレイン電極との間は、層間樹脂膜に形成したコンタクトホールを介して電気的に接続される。

一方、アレイ基板に対向配置される対向基板（典型的にはカラーフィルター基板）には、画素の間の領域に遮光部が形成され、アレイ基板のスイッチ素子、走査線、信号線およびコンタクトホール部は、その遮光部で覆われることになる。アレイ基板におけるコンタクトホール部の表面は凹状になるため、その部分で配向膜のラビング処理に不良が生じやすい。よって、コンタクトホール部の上方では液晶の配向が乱れ、光抜け（電界に関係なく光が通過する現象）が生じるおそれがある。アレイ基板のコンタクトホール部を対向基板の遮光部で覆うのは、その光抜けが視認されるのを防ぎ、コントラストの低下を防止するためである。

また、アレイ基板に設けられる層間樹脂膜は、感光性の樹脂膜で形成されるのが一般的である。感光性樹脂膜からなる層間樹脂膜には、既存の写真製版技術でコンタクトホールを形成可能であるが、露光の解像度が悪いため、コンタクトホールの径が大きくなる。コンタクトホールの径は、層間樹脂膜の厚さに比例して大きくなる。そのため、信号線と画素電極との間の寄生容量を低減するために層間樹脂膜を厚く形成すると、その分だけコンタクトホールの径が大きくなる。その結果、対向基板に設ける遮光部の面積を大きくする必要が生じ、画素開口率を低下させてしまう。

例えば、下記の特許文献１には、層間樹脂膜に形成するコンタクトホールの径を小さく抑える技術が開示されている。特許文献１では、層間樹脂膜を、第１の層間樹脂膜と第２の層間樹脂膜とからなる２層構造としており、コンタクトホールは以下の手順で形成される。すなわち、まず、第１の層間樹脂膜に第１のコンタクトホールを形成して、第１のコンタクトホール内を含む第１の層間樹脂膜上に中継配線を形成し、その上に第２の層間樹脂膜を形成して、第２の層間樹脂膜に中継配線に達する第２のコンタクトホールを形成する。第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールとを平面視で異なる位置に形成することで、第１および第２のコンタクトホールの径を小さくすることができる。

特開２０１２−１４５９２５号公報

特許文献１の技術によると、第２の層間樹脂膜に形成する第２のコンタクトホールの径を小さく形成することができるが、第２のコンタクトホールが形成された領域でラビング不良を防止する対策は十分にとられていない。また、第２のコンタクトホールの径（コンタクト面積）が小さいため、電気的接続抵抗が高くなって表示不良の原因となるおそれもある。

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置において、基板に形成されたコンタクトホールに起因する表示品質の低下を防止することである。

本発明の第１の局面に係る液晶表示装置は、基板上に設けられた走査線と、走査線に接続したスイッチ素子と、スイッチ素子を覆う第１層間樹脂膜と、第１層間樹脂膜に設けられ、スイッチ素子の電極に達する第１コンタクトホールと、第１層間樹脂膜上に設けられ、第１コンタクトホールを通してスイッチ素子の電極に接続する中継配線と、中継配線を覆うように第１層間樹脂膜上に設けられ、前記第1コンタクトホールの上方に設けられた第２層間樹脂膜と、第２層間樹脂膜に設けられ、中継配線に達し、前記第１コンタクトホールよりも上方に設けられる第２コンタクトホールと、第２コンタクトホールを通して中継配線に接続する画素電極と、を備え、第２コンタクトホールは、平面視で、第１コンタクトホールとは異なる位置で、且つ、走査線の上方に配置されており、長辺方向が走査線の長さ方向と同じ長方形の形状を有し、第２コンタクトホールは、その幅が前記走査線の幅以下であって、平面視で、走査線の幅の中央部に配置され、第２コンタクトホールの底部の面積は、第１コンタクトホールの底部の面積よりも大きい。

本発明の第２の局面に係る液晶表示装置は、基板上に設けられた走査線と、走査線に接続したスイッチ素子と、スイッチ素子を覆う第１層間樹脂膜と、第１層間樹脂膜に設けられ、スイッチ素子の電極に達する第１コンタクトホールと、第１層間樹脂膜上に設けられ、第１コンタクトホールを通してスイッチ素子の電極に接続する中継配線と、中継配線を覆うように第１層間樹脂膜上に設けられ、前記第1コンタクトホールの上方に設けられた第２層間樹脂膜と、第２層間樹脂膜に設けられ、中継配線に達し、前記第１コンタクトホールよりも上方に設けられる複数の第２コンタクトホールと、複数の第２コンタクトホールを通して中継配線に接続する画素電極と、を備え、複数の第２コンタクトホールは、平面視で、第１コンタクトホールとは異なる位置で、且つ、走査線の上方に配置されており、走査線の長さ方向に並んで配置され、複数の第２コンタクトホールは、その幅が前記走査線の幅以下であって、平面視で、走査線の幅の中央部に並んで配置され、複数の第２コンタクトホールの底部の面積の総和は、第１コンタクトホールの底部の面積よりも大きい。

本発明の液晶表示装置によれば、第１コンタクトホールは第２層間樹脂膜により埋められるため、第１コンタクトホール上方のラビング不良の発生が防止される。また、第２コンタクトホールが走査線の上方に配置されるため、第２コンタクトホール上方でラビング不良が生じても表示品質への影響が抑えられ、表示品質の低下が防止される。また、第２コンタクトホールを遮光膜で別途覆う必要がないため、画素開口率の向上にも寄与できる。

実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。実施の形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を模式的に示す平面図である。実施の形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分平面図である。実施の形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分断面図である。実施の形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分断面図である。実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。実施の形態２に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分平面図である。実施の形態２に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分断面図である。実施の形態３に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分平面図である。実施の形態３に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分断面図である。実施の形態４に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分平面図である。実施の形態４に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分断面図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において、互いに同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係る液晶表示装置２００の構成を概略的に示す斜視図である。図１のように、液晶表示装置２００は、液晶パネル１００の背面側（図１における奥側）にバックライトユニット１１０が配設された構成を有している。液晶パネル１００は、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０１および対向基板１０２と、その間に挟持された液晶層１０３とを含んでいる。液晶パネル１００において、ＴＦＴアレイ基板１０１は視認側（図１における手前側）、対向基板１０２は背面側に配置される。

ＴＦＴアレイ基板１０１は、液晶層１０３を変調するための電界を発生する。対向基板１０２は、カラーフィルターおよび遮光部（ブラックマトリクス：ＢＭ）を有するカラーフィルター基板である。液晶層１０３は、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２との間に導入された液晶の層である。

また、図示は省略するが、ＴＦＴアレイ基板１０１および対向基板１０２における液晶層１０３側の面には、それぞれ配向膜（不図示）が設けられる。また、ＴＦＴアレイ基板１０１および対向基板１０２における液晶層１０３とは反対側の面には、偏光板、位相差板などが設けられる。

本実施の形態において、液晶パネル１００における液晶の駆動方式は、ＦＦＳモードである。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０１は、各画素で、表示信号（表示データ）に対応する電圧（表示電圧）に応じた強度を有するフリンジ電界を発生することによって、液晶層１０３の液晶分子の配向方向を変化させる。それにより、液晶層１０３を通過する光の偏光状態が変化する。よって、各画素において、液晶層１０３を通過する光の偏光状態は、表示電圧に応じて変化することになる。

バックライトユニット１１０から出射した光は、ＴＦＴアレイ基板１０１側の偏光板を通過すると直線偏光になる。ＴＦＴアレイ基板１０１側の偏光板を通過した光は、上述のように液晶層１０３で偏光状態が変化して、対向基板１０２側の偏光板に達する。このとき対向基板１０２側の偏光板を通過する光の量は、液晶層１０３で変化した後の光の偏光状態に依存する。よって、バックライトユニット１１０から液晶パネル１００に入射した光のうち、液晶パネル１００の視認側へ通過する光の量は、表示電圧によって制御される。従って、表示信号により各画素の表示電圧を変化させることで、液晶パネル１００に所望の画像を表示させることができる。

ここで、液晶パネル１００において、画像を表示するための画素が配置された領域１００ａは「表示領域」と呼ばれ、表示領域１００ａの外側の領域１００ｂは「額縁領域」と呼ばれる。なお、「表示領域」および「額縁領域」は、液晶パネル１００を構成するＴＦＴアレイ基板１０１、対向基板１０２および液晶層１０３のそれぞれにおいても定義される。

図２は、実施の形態１に係る液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１の構成を模式的に示す平面図である。図２のように、ＴＦＴアレイ基板１０１は、表示領域１０１ａと、表示領域１０１ａを囲む額縁領域１０１ｂとを有する。

ＴＦＴアレイ基板１０１の表示領域１０１ａには、複数のゲート配線４１（走査線）と複数のソース配線４２（信号線）とが設けられている。ゲート配線４１は互いに平行に配設されている。またソース配線４２は互いに平行に配設されている。ゲート配線４１とソース配線４２とは平面視（図２の視野）において互いに交差している。ただし、ゲート配線４１とソース配線４２とは異なる層に形成されており、断面視ではゲート配線４１とソース配線４２との間には絶縁膜（後述するゲート絶縁膜）が介在する。隣接する２本のゲート配線４１と隣接する２本のソース配線４２とで囲まれた領域の各々が画素４３となる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０１上には、画素４３がマトリクス状に配列されることになる。

ＴＦＴアレイ基板１０１の額縁領域１０１ｂには、走査信号駆動回路４５および表示信号駆動回路４６が設けられている。ゲート配線４１は、表示領域１０１ａから額縁領域１０１ｂへと延設されて、走査信号駆動回路４５に接続されている。ソース配線４２も同様に、表示領域１０１ａから額縁領域１０１ｂへと延設されて、表示信号駆動回路４６に接続されている。

また、額縁領域１０１ｂにおいて、走査信号駆動回路４５の近傍には、走査信号駆動回路４５と電気的に接続された外部配線４７が設けられている。また、表示信号駆動回路４６の近傍領域には、表示信号駆動回路４６と電気的に接続された外部配線４８が設けられている。走査信号駆動回路４５には、外部配線４７を介して、外部から各種の信号が供給され、表示信号駆動回路４６には、外部配線４８を通して、外部から各種の信号が供給される。外部配線４７および外部配線４８としては、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板が用いられる。

走査信号駆動回路４５は、外部配線４７を通して入力された制御信号に基づいて、複数のゲート配線４１を順次選択し、選択したゲート配線４１にゲート信号（走査信号）を供給する。表示信号駆動回路４６は、外部配線４８を通して入力された制御信号または表示データに基づいて、その表示データに対応する表示信号を複数のソース配線４２に供給する。これにより、表示データに対応する表示電圧が各画素４３に順次供給される。

アレイ状に並ぶ画素４３の各々には、スイッチ素子として、少なくとも１つのＴＦＴ５０が設けられている。各画素において、ＴＦＴ５０は、ゲート配線４１とソース配線４２との交差点付近に配置され、ＴＦＴ５０のゲートはゲート配線４１に接続され、ＴＦＴ５０のソースはソース配線４２に接続され、ＴＦＴ５０のドレインは画素電極（図２では不図示）に接続される。よって、ＴＦＴ５０は、ゲート配線４１のゲート信号に従ってオン、オフが切り替わり、画素電極には、ＴＦＴ５０がオンしたときにソース配線４２に印加されている表示電圧が供給されることになる。

次に、ＴＦＴアレイ基板１０１における画素４３の構造について説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板１０１の構成を示す概略的な部分平面図であり、１つの画素４３に対応する部分を示している。また、図４および図５は、当該ＴＦＴアレイ基板１０１の部分断面図である。図４は図３のＡ−Ｂ線に沿った断面に対応し、図５は図３のＡ−Ｃ線に沿った断面に対応している。

図３および図４のように、ＴＦＴアレイ基板１０１は、支持基板である透明基板１０（例えばガラス基板）上に形成されている。透明基板１０上には、ゲート配線４１およびＴＦＴ５０のゲート電極１が形成されている。ゲート配線４１は、図３の横方向に直線的に延在している。ゲート電極１は、ゲート配線４１の一部分によって構成されている。すなわち、ゲート配線４１におけるＴＦＴ５０の形成領域に位置する部分が、ゲート電極１となっている。ゲート配線４１およびゲート電極１は、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの金属元素のいずれかからなる金属膜、上記金属元素の１つ以上の元素を主成分とする合金膜、または、それらの膜を含む積層膜によって形成される。

さらに、透明基板１０上には、ゲート配線４１およびゲート電極１を覆うように、ゲート絶縁膜２１が設けられている。ゲート絶縁膜２１は、例えば窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁体、またはそれらの積層膜により形成される。

ＴＦＴ５０の形成領域におけるゲート絶縁膜２１の上には、ＴＦＴ５０の活性層となる半導体層２が設けられている。半導体層２は、平面視でゲート電極１（ゲート配線４１の一部）と重なるように配置される。つまり、半導体層２は、ゲート絶縁膜２１を介してゲート電極１と対向して配置されている。半導体層２は、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（１：１：１：４）などの酸化物半導体により形成される。

ゲート絶縁膜２１の上には、ソース配線４２と、ＴＦＴ５０のソース電極３およびドレイン電極４とが形成されている。ソース配線４２は、図３の縦方向に直線的に延在している。ソース電極３は、ソース配線４２の一部分によって構成されている。すなわち、ソース配線４２におけるＴＦＴ５０の形成領域に位置する部分は、半導体層２上に形成されており、その部分がソース電極３となっている。ドレイン電極４も、その一部は半導体層２上に形成されている。ドレイン電極４もソース配線４２と同じ配線層に形成されているが、ソース電極３とドレイン電極４とは離間している。半導体層２におけるソース電極３とドレイン電極４との間に露出した部分が、透明基板１０のチャネル領域となる。ソース配線４２、ソース電極３およびドレイン電極４は、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの金属元素のいずれかからなる金属膜、上記金属元素の１つ以上の元素を主成分とする合金膜、または、それらの膜を含む積層膜によって形成される。

上記のゲート電極１、ゲート絶縁膜２１、半導体層２、ソース電極３、ドレイン電極４により、チャネルエッチ型（ボトムゲート型）のＴＦＴ５０が構成される。

ゲート絶縁膜２１上には、ＴＦＴ５０およびソース電極３を覆うように保護絶縁膜２２が設けられ、さらにその上に第１層間樹脂膜２３が設けられている。ＴＦＴ５０のドレイン電極４は、ゲート絶縁膜２１上に延在する部分（延在部分）を有しており、保護絶縁膜２２および第１層間樹脂膜２３には、当該ドレイン電極４の延在部分に達する第１コンタクトホール５が形成されている。

第１コンタクトホール５は、下の方が狭いテーパ状である。図３において、実線で描かれている第１コンタクトホール５は、第１コンタクトホール５の底部（ドレイン電極４が露出する部分）に対応している。一方、それを囲む破線の領域５ａは、第１コンタクトホール５の上端部（第１層間樹脂膜２３の上面と同じ高さの部分）に対応している。言い換えれば、領域５ａを表す破線は、第１コンタクトホール５の最外周部に対応している。つまり、領域５ａは第１コンタクトホール５の形成領域を示している。以下、領域５ａを「第１コンタクトホール領域５ａ」と称す。

第１コンタクトホール５の内部を含む第１層間樹脂膜２３上には、中継配線６が配設されている。中継配線６は、第１コンタクトホール５の底でドレイン電極４と電気的に接続している。図３のように、中継配線６は、第１コンタクトホール５からゲート配線４１が位置する方向へ延び、さらにゲート配線４１の上方を、ゲート配線４１の長さ方向に沿って延在している。中継配線６は、例えばＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの金属酸化物からなる透明導電膜により形成される。

第１層間樹脂膜２３上には、中継配線６を覆うように第２層間樹脂膜２４が設けられている。第１コンタクトホール５は、第２層間樹脂膜２４で埋められており、第１コンタクトホール領域５ａにおける第２層間樹脂膜２４の上面は平坦化されている。つまり、第２層間樹脂膜２４の上面には第１コンタクトホール５の段差に起因する凹凸は見られない。

第２層間樹脂膜２４には、中継配線６に達する第２コンタクトホール７が形成されている。第２コンタクトホール７も、下の方が狭いテーパ状である。図３において、実線で描かれている第２コンタクトホール７は、第２コンタクトホール７の底部（中継配線６が露出する部分）に対応している。一方、それを囲む破線の領域７ａは、第２コンタクトホール７の上端部（第２層間樹脂膜２４の上面と同じ高さの部分）に対応している。言いかえれば、領域７ａを表す破線は、第２コンタクトホール７の最外周部に対応している。つまり、領域７ａは第２コンタクトホール７の形成領域を示している。以下、領域７ａを「第２コンタクトホール領域７ａ」と称す。

第２コンタクトホール７は、第１コンタクトホール５とは異なる位置、具体的にはゲート配線４１の上方に形成され、ゲート配線４１に沿って延びる長方形状となっている。また、第２コンタクトホール７は、短辺方向の幅の中心位置が、ゲート配線４１の幅の中心に位置するように配置されている（つまり、第２コンタクトホール７は、平面視でゲート配線４１の幅の中央部に配置されている）。よって、第２コンタクトホール７の長さ方向は、ゲート配線４１の長さ方向と同じになる。第２コンタクトホール７の形状を長方形にすることで、第２コンタクトホール７の底部の面積（中継配線６が露出する面積）を大きくできる。本実施の形態では、第２コンタクトホール７の底部の面積を、第１コンタクトホール５の底部の面積（ドレイン電極４が露出する面積）よりも大きくしている。

第２コンタクトホール７の内部を含む第２層間樹脂膜２４上には、画素電極８が設けられている。画素電極８は、第２コンタクトホール７の底で中継配線６と電気的に接続している。その結果、画素電極８は、中継配線６を介してＴＦＴ５０のドレイン電極４に接続されることになる。これにより、画素電極８に印加する表示電圧を、ＴＦＴ５０を用いて制御可能になる。また、第２コンタクトホール７の底部の面積が大きく確保されているため、画素電極８とドレイン電極４との間の接続抵抗は小さく抑えられている。画素電極８は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属酸化物からなる透明導電膜により形成されている。画素電極８の材料は、中継配線６の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。

第２層間樹脂膜２４の上には、画素電極８を覆うように電極間絶縁膜２５が設けられている。電極間絶縁膜２５は、例えば窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁膜により形成される。

電極間絶縁膜２５の上には、画素電極８に対向するように対向電極９が設けられている。対向電極９には、フリンジ電界を発生させるためのスリット状の開口部が設けられている。対向電極９は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属酸化物からなる透明導電膜により形成されている。対向電極９の材料は、画素電極８および中継配線６の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。

なお、図示は省略するが、ＴＦＴアレイ基板１０１の額縁領域１０１ｂには、ゲート配線４１と同じ配線層に形成された共通配線に達するコンタクトホールが形成されており、対向電極９は、そのコンタクトホールを通して共通配線に電気的に接続されている。それにより、共通配線を通して対向電極９に一定の電圧（共通電圧）を供給可能になる。

また、ＴＦＴアレイ基板１０１上（液晶に面する側）には、不図示の配向膜が設けられ、当該配向膜には液晶を配向させるためのラビング処理が施されている。図３および図４のように、第２コンタクトホール領域７ａの上方では、ＴＦＴアレイ基板１０１の上面が凹状となっている。そのため、第２コンタクトホール領域７ａの上方では、配向膜のラビング処理に不良が生じやすく、その上方で液晶の配向が乱れるおそれがある。しかし、第２コンタクトホール７は、不透明の金属からなるゲート配線４１上に形成されており、第２コンタクトホール領域７ａの部分に光が入射しないため、上記のラビング不良に起因する光抜けの発生は防止される。

また、本実施の形態では、配向膜のラビング処理の方向は、ゲート配線４１の長さ方向、すなわち第２コンタクトホール７の長辺方向と同じ方向にする。その結果、ＴＦＴアレイ基板１０１上に設けられた配向膜において、ラビング処理によって配向膜に形成された傷（ラビング傷）の方向は、第２コンタクトホール７の長辺方向と同じ方向になっている。この場合、配向膜のラビング処理の際に、第２コンタクトホール領域７ａ上の段差により生じるラビング布の乱れを抑制でき、ラビング不良が生じる面積を小さく抑えることができる。よって、光抜けの発生をより確実に防止できるようになる。以下、配向膜のラビング処理の方向、すなわち、配向膜が有するラビング傷の方向を、「ラビング方向」と称す。

このように、実施の形態１に係る液晶表示装置は、基板（１０）上に設けられた走査線（４１）と、前記走査線（４１）に接続したスイッチ素子（５０）と、前記スイッチ素子（５０）を覆う第１層間樹脂膜（２３）と、前記第１層間樹脂膜（２３）に設けられ、前記スイッチ素子（５０）の電極（４）に達する第１コンタクトホール（５）と、前記第１層間樹脂膜（２３）上に設けられ、前記第１コンタクトホール（５）を通して前記スイッチ素子（５０）の電極（４）に接続する中継配線（６）と、前記中継配線（６）を覆うように前記第１層間樹脂膜（２３）上に設けられた第２層間樹脂膜（２４）と、前記第２層間樹脂膜（２４）に設けられ、前記中継配線（６）に達する第２コンタクトホール（７）と、前記第２コンタクトホール（７）を通して前記中継配線（６）に接続する画素電極（８）と、を備える。前記第２コンタクトホール（７）は、平面視で、前記第１コンタクトホール（５）とは異なる位置で、且つ、前記走査線（４１）の上方に配置されており、長辺方向が前記走査線（４１）の長さ方向と同じ長方形の形状を有している。

前記第２コンタクトホール（７）は、平面視で、前記走査線（４１）の幅の中央部に配置されている。前記第２コンタクトホール（７）の底部の面積は、前記第１コンタクトホール（５）の底部の面積よりも大きい。液晶を配向させる配向膜をさらに備え、前記配向膜におけるラビング傷の方向は、前記第２コンタクトホール（７）の長辺方向と同じである。前記第１層間樹脂膜（２３）の厚さは、前記第２層間樹脂膜（２４）の厚さよりも大きい。

本実施の形態に係る液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１では、第１コンタクトホール５が形成された第１コンタクトホール領域５ａの上方は、第２層間樹脂膜２４により平坦化されている。そのため、第１コンタクトホール領域５ａの上方では段差に起因するラビング不良は生じない。よって、第１コンタクトホール領域５ａ上に、画素電極８および対向電極９を配置しても光抜けの問題は生じない。よって、第１コンタクトホール領域５ａの上方を対向基板１０２の遮光膜で覆う必要がなく、画素開口率を向上できる。

一方、第２コンタクトホール７が形成された第２コンタクトホール領域７ａの上方には、ＴＦＴアレイ基板１０１の表面に段差が生じるため、その領域で配向膜のラビング不良が生じるおそれがある。しかし、第２コンタクトホール領域７ａはゲート配線４１の上方、すなわち画素の透過領域の外側に位置しているため、そのラビング不良によって光抜けが生じることは防止される。よって、液晶表示装置２００のコントラストの向上を図ることができる。また、対向基板１０２のブラックマトリクスの遮光部の面積を増やす必要がなく、それによっても画素開口率の向上に寄与できる。

さらに、ＴＦＴアレイ基板１０１上に設ける配向膜のラビング方向を、第２コンタクトホール７の長辺方向に揃えることによって、第２コンタクトホール領域７ａ上の段差により生じるラビング布の乱れを抑制でき、ラビング不良が生じる面積を小さく抑えることができる。それにより、光抜けの発生をより確実に防止できる。

また、第２コンタクトホール７の底部の面積は、第１コンタクトホール５の底部の面積よりも大きくしているため、画素電極８と中継配線６との良好な電気的接続を得ることができる。さらに、層間樹脂膜を第１層間樹脂膜２３と第２層間樹脂膜２４との積層構造にして厚くしているため、ゲート配線４１およびソース配線４２と画素電極８と間の寄生容量を低減でき、液晶表示装置２００の表示品位が向上するという効果も得られる。

以下、液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１の製造方法について説明する。図６〜図１１はその製造方法を説明するための工程図である。各工程図は、図３のＡ−Ｃ線に沿った断面、すなわち図５の視野に対応している。

まず、透明基板１０の上面全体に、ゲート配線４１、ゲート電極１および共通配線（不図示）の材料としての第１の導電膜を形成する。第１の導電膜としては、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの金属元素のいずれかからなる金属膜、上記金属元素の１つ以上の元素を主成分とする合金膜、または、それらの膜を含む積層膜などを用いることができる。また、第１の導電膜の成膜方法としては、例えばスパッタ法または蒸着法を用いることができる。

その後、第１の導電膜の上に、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて当該フォトレジストを露光して現像することにより、フォトレジストパターンを形成する。そして、フォトレジストパターンをマスクにして第１の導電膜をエッチングし、当該フォトレジストパターンを除去する。それにより、第１の導電膜がパターニングされ、透明基板１０上に、第１の導電膜からなるゲート電極１、ゲート配線４１および共通配線が形成される。

以下、フォトレジストパターンを形成するための一連の技術（フォトレジストの塗布、露光および現像）を「写真製版技術」と呼ぶ。また、フォトレジストパターンをマスクにしたエッチングにより膜をパターニングする技術を「微細加工処理」と呼ぶ。

ゲート電極１、ゲート配線４１および共通配線を形成した後、それらを覆うように、透明基板１０の上面全体にゲート絶縁膜２１を形成する。ゲート絶縁膜２１の材料としては、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどを用いることができる。ゲート絶縁膜２１の形成は、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、常圧ＣＶＤ、または減圧ＣＶＤなどで行うことができる。なお、ゲート絶縁膜２１にピンホールなど、短絡の原因となる膜欠陥が形成されることを防止するため、ゲート絶縁膜２１の形成は複数回の成膜によって行うことが好ましい。本実施の形態では、ゲート絶縁膜２１は、窒化シリコンと酸化シリコンとの積層膜とした。

次に、ゲート絶縁膜２１を覆うように、半導体層２の材料としての半導体膜を形成する。この半導体膜としては、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（１：１：１：４）などの酸化物半導体を用いることができ、その成膜は、例えば、スパッタ法により行うことができる。その後、写真製版技術および微細加工技術により半導体膜をパターニングして、半導体層２を形成する。ここでは、半導体層２は、ゲート絶縁膜２１を介してゲート電極１に対向する島状のパターンとなっている。その後、３００〜３５０℃の熱処理を行う。

次に、ゲート絶縁膜２１および半導体層２を覆うように、透明基板１０の上面全体に、ソース配線４２、ソース電極３およびドレイン電極４の材料としての第２の導電膜を形成する。第２の導電膜としては、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの金属元素のいずれかからなる金属膜、上記金属元素の１つ以上の元素を主成分とする合金膜、または、それらの膜を含む積層膜などを用いることができる。また、第２の導電膜の成膜方法としては、例えばスパッタ法または蒸着法を用いることができる。その後、写真製版技術および微細加工技術により第２の導電膜をパターニングして、ソース配線４２、ソース電極３およびドレイン電極４を形成する。その結果、透明基板１０上にＴＦＴ５０が形成される（図６）。

ＴＦＴ５０を形成した後、当該ＴＦＴ５０を覆うように、透明基板１０の上面全体に保護絶縁膜２２を形成する。保護絶縁膜２２の材料としては、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどを用いることができ、その成膜は、例えば、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、または減圧ＣＶＤなどで行うことができる。

次に、保護絶縁膜２２を覆うように、透明基板１０の上面全体に、第１層間樹脂膜２３の材料としての第１の樹脂を塗布する。第１の樹脂としては、アクリル、エポキシ、ポリイミドまたはポリオレフィンなどを用いることができ、その塗布は、例えば、スピンコート法またはスリットコート法などで行うことができる。第１の樹脂は感光性を有するものとし、本実施の形態では、ポジ型の感光性樹脂を用いている。第１の樹脂を塗布する厚さは、例えば、第１層間樹脂膜２３の厚さが、最も薄くなる部分（ＴＦＴ５０上の部分）で２．０μｍ以上になるように設定される。

続いて、第１の樹脂に対して、写真製版技術と同様の露光処理および現像処理を施すことで、第１コンタクトホール５を有する第１層間樹脂膜２３が形成される。この露光処理における光量は、第１層間樹脂膜２３を貫通する第１コンタクトホール５が形成される程度に十分なものとする必要がある。その後、第１層間樹脂膜２３の全面に紫外線を照射して第１層間樹脂膜２３を硬化させ、さらに、第１層間樹脂膜２３に２３０℃程度の熱処理を行う。

そして、第１層間樹脂膜２３をマスクとして用いた微細加工技術により、第１層間樹脂膜２３のパターンを保護絶縁膜２２に転写する。それにより、第１コンタクトホール５が保護絶縁膜２２を貫通して、ドレイン電極４に到達する（図７）。

次に、第１コンタクトホール５の内部を含む第１層間樹脂膜２３上に、中継配線６の材料としての第３の導電膜を形成する。第３の導電膜としては、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜が用いられ、その成膜は、例えばスパッタ法などで行うことができる。そして、写真製版技術および微細加工技術により第３の導電膜をパターニングして、中継配線６を形成する（図８）。

次に、中継配線６および第１層間樹脂膜２３を覆い、且つ、第１コンタクトホール５を埋めるように、透明基板１０の上面全体に、第２層間樹脂膜２４の材料としての第２の樹脂を塗布する。第２の樹脂としては、アクリル、エポキシ、ポリイミドまたはポリオレフィンなどを用いることができる。第２の樹脂の塗布は、例えば、スピンコート法またはスリットコート法などで行うことができるが、第１コンタクトホール５を十分に埋没させるためにはスリットコート法が好ましい。スリットコート法では、第１コンタクトホール５の段差に起因して第２層間樹脂膜２４に筋状の膜厚ムラが生じることを低減でき、第２層間樹脂膜２４の上面の平坦性を良好にできる。第２の樹脂も感光性を有するものとし、本実施の形態では、ポジ型の感光性樹脂を用いている。第２の樹脂を塗布する厚さは、第２層間樹脂膜２４が第１層間樹脂膜２３よりも薄くなるように設定され、例えば、第１コンタクトホール領域５ａ以外での第２層間樹脂膜２４の厚さが１．０μｍになるように設定される。

続いて、第２の樹脂に対して、写真製版技術と同様の露光処理および現像処理を施すことで、第２コンタクトホール７を有する第２層間樹脂膜２４が形成される（図９）。この露光処理における光量は、第２層間樹脂膜２４を貫通する第２コンタクトホール７が形成される程度に十分なものとする必要がある。その後、第２層間樹脂膜２４の全面に紫外線を照射して第２層間樹脂膜２４を硬化させ、さらに、第２層間樹脂膜２４に２３０℃程度の熱処理を行う。

次に、第２コンタクトホール７の内部を含む第２層間樹脂膜２４上に、画素電極８の材料としての第４の導電膜を形成する。第４の導電膜としては、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜が用いられ、その成膜は、例えばスパッタ法などで行うことができる。そして、写真製版技術および微細加工技術により第４の導電膜をパターニングして、画素電極８を形成する（図１０）。

次に、画素電極８および第２層間樹脂膜２４を覆うように、透明基板１０の上面全体に、電極間絶縁膜２５を形成する（図１１）。電極間絶縁膜２５の材料としては、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどを用いることができ、その成膜は、例えば、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、または減圧ＣＶＤなどで行うことができる。図示は省略するが、電極間絶縁膜２５を形成した後、写真製版技術および微細加工技術により、共通配線に達するコンタクトホールを額縁領域１０１ｂに形成する。

次に、共通配線に達するコンタクトホールの内部を含む電極間絶縁膜２５上に、対向電極９の材料としての第５の導電膜を形成する。第５の導電膜としては、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜が用いられ、その成膜は、例えばスパッタ法などで行うことができる。そして、写真製版技術および微細加工技術により第５の導電膜をパターニングして、スリット状の開口部を有する対向電極９を形成する。その結果、図４に示したＴＦＴアレイ基板１０１の構造が完成する。

その後、ＴＦＴアレイ基板１０１と、別途作成された対向基板１０２とを貼り合わせ、その間に液晶層１０３を導入して液晶パネル１００（図１）を形成する、いわゆる「セル工程」が行われる。

セル工程では、まず、ＴＦＴアレイ基板１０１および対向基板１０２それぞれの液晶層１０３側となる面に配向膜を形成する。そして配向膜の表面に、一方向にミクロな擦り傷をつける配向処理（ラビング処理）を施す。このとき、ラビング処理の方向（ラビング方向）を、ＴＦＴアレイ基板１０１のゲート配線４１の長さ方向に設定する。本実施の形態では、第２コンタクトホール７の長辺方向をゲート配線４１の長さ方向と同じにしているため、結果として、ラビング処理によって配向膜に形成される傷の方向は、第２コンタクトホール７の長辺方向と同じになる。

次に、ＴＦＴアレイ基板１０１または対向基板１０２に、表示領域を囲むようにシール材を塗布して、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる。このとき、シール材は完全に閉じたパターンにせず、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２との間の空間に液晶を注入するための注入口を作る。その後、真空注入法などにより、液晶を注入口からＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２と間に注入し、注入口を封止することで液晶層１０３を形成する。これにより、液晶パネル１００が得られる。

その後、液晶パネル１００の両面に偏光板等を貼り付け、さらに、液晶パネル１００に駆動回路を接続する。そして、液晶パネル１００の背面側にバックライトユニット１１０を取り付けて筐体に収納することで、液晶表示装置２００が完成する。

＜実施の形態２＞
図１２は、実施の形態２に係る液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１の構成を模式的に示す平面図であり、１つの画素４３に対応する部分を示している。また、図１３は、当該ＴＦＴアレイ基板１０１の部分断面図であり、図１２のＡ−Ｂ線に沿った断面に対応している。

実施の形態２のＴＦＴアレイ基板１０１は、実施の形態１（図３〜図５）とは第２コンタクトホール７の個数、形状および配置が異なっている。すなわち、実施の形態２のＴＦＴアレイ基板１０１では、第２コンタクトホール領域７ａ内に、複数の第２コンタクトホール７が、ゲート配線４１の長さ方向に沿って並べて配置されている。ここでは第２コンタクトホール領域７ａ内に５個の第２コンタクトホール７を配設した例を示したが、第２コンタクトホール７は任意の個数でよい。

個々の第２コンタクトホール７の形状は、例えば正方形または円状とする。また、個々の第２コンタクトホール７は、その中央がゲート配線４１に幅方向の中央に位置するように配置されている（つまり、複数の第２コンタクトホール７は、平面視でゲート配線４１の幅の中央部に並んで配置されている）。さらに、複数の第２コンタクトホール７の底部の面積の総和が、第１コンタクトホール５の底部の面積よりも大きくなるようにしている。その他の構成は、基本的に実施の形態１と同様であるため、ここでの説明は省略する。

このように、実施の形態２に係る液晶表示装置は、基板（１０）上に設けられた走査線（４１）と、前記走査線（４１）に接続したスイッチ素子（５０）と、前記スイッチ素子（５０）を覆う第１層間樹脂膜（２３）と、前記第１層間樹脂膜（２３）に設けられ、前記スイッチ素子（５０）の電極（４）に達する第１コンタクトホール（５）と、前記第１層間樹脂膜（２３）上に設けられ、前記第１コンタクトホール（５）を通して前記スイッチ素子（５０）の電極（４）に接続する中継配線（６）と、前記中継配線（６）を覆うように前記第１層間樹脂膜（２３）上に設けられた第２層間樹脂膜（２４）と、前記第２層間樹脂膜（２４）に設けられ、前記中継配線（６）に達する複数の第２コンタクトホール（７）と、前記複数の第２コンタクトホール（７）を通して前記中継配線（６）に接続する画素電極（８）と、を備える。前記複数の第２コンタクトホール（７）は、平面視で、前記第１コンタクトホール（５）とは異なる位置で、且つ、前記走査線（４１）の上方に配置されており、前記走査線（４１）の長さ方向に並んで配置されている。

また、前記複数の第２コンタクトホール（７）は、平面視で、前記走査線（４１）の幅の中央部に並んで配置されている。さらに、前記複数の第２コンタクトホール（７）の底部の面積の総和は、前記第１コンタクトホール（５）の底部の面積よりも大きい。また、液晶を配向させる配向膜をさらに備え、前記配向膜におけるラビング傷の方向は、前記複数の第２コンタクトホール（７）が並ぶ方向と同じである。前記第１層間樹脂膜（２３）の厚さは、前記第２層間樹脂膜（２４）の厚さよりも大きい。

本実施の形態に係る液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１においても、第１コンタクトホール５が形成された第１コンタクトホール領域５ａの上方は、第２層間樹脂膜２４により平坦化されている。そのため、第１コンタクトホール領域５ａの上方では段差に起因するラビング不良は生じない。よって、第１コンタクトホール領域５ａ上に、画素電極８および対向電極９を配置しても光抜けの問題は生じない。よって、第１コンタクトホール領域５ａの上方を対向基板１０２の遮光膜で覆う必要がなく、画素開口率を向上できる。

さらに、ＴＦＴアレイ基板１０１上に設ける配向膜のラビング方向を、第２コンタクトホール７が並ぶ方向（整列方向）に揃えることによって、第２コンタクトホール領域７ａ上の段差により生じるラビング布の乱れを抑制でき、ラビング不良が生じる面積を小さく抑えることができる。それにより、光抜けの発生をより確実に防止できる。

また、複数の第２コンタクトホール７の底部の面積の総和を、第１コンタクトホール５の底部の面積よりも大きくしているため、画素電極８と中継配線６との良好な電気的接続を得ることができる。さらに、層間樹脂膜を第１層間樹脂膜２３と第２層間樹脂膜２４との積層構造にして厚くしているため、ゲート配線４１およびソース配線４２と画素電極８と間の寄生容量を低減でき、液晶表示装置２００の表示品位が向上するという効果も得られる。

なお、実施の形態２に係るＴＦＴアレイ基板１０１の製造方法は、第２コンタクトホール７を形成するためのフォトマスクパターンを除いて、実施の形態１と同様でよい。

＜実施の形態３＞
図１４は、実施の形態３に係る液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１の構成を模式的に示す平面図であり、１つの画素４３に対応する部分を示している。また、図１５は、当該ＴＦＴアレイ基板１０１の部分断面図であり、図１４のＡ−Ｂ線に沿った断面に対応している。

実施の形態３のＴＦＴアレイ基板１０１では、実施の形態１の構造に対して、第２層間樹脂膜２４を第１層間樹脂膜２３よりも厚くしている。第２コンタクトホール７の形状は、実施の形態１と同様に、ゲート配線４１の長さ方向に延伸した長方形状を有し、かつ、第２コンタクトホール７の単辺方向の中央がゲート配線４１の幅方向の中央になるようにしている。

本実施の形態では、第１層間樹脂膜２３の膜厚が最も薄くなる部分（すなわち、ＴＦＴ５０上の部分）で厚さが１．０μｍ以上になるように、第１の樹脂の塗布条件が設定される。また、第２層間樹脂膜２４の膜厚が第１層間樹脂膜２３よりも厚くなるように、第２の樹脂の塗布条件が設定される。ここでは、第１コンタクトホール５の部分以外での第２層間樹脂膜２４の厚さが２．０μｍになるように、第２の樹脂の塗布条件を設定した。

このように、実施の形態３に係る液晶表示装置では、第１層間樹脂膜（２３）の厚さは、第２層間樹脂膜（２４）の厚さよりも小さい。

上記以外の構成は、基本的に実施の形態１と同様であるため、ここでの説明は省略する。

本実施の形態の液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１においては、第１コンタクトホール５の大きさを実施の形態１よりもさらに小さくできる。これにより、実施の形態１よりもドレイン電極４の面積を小さくすることが可能となる。よって、ドレイン電極４によって遮光される面積を少なくでき、画素開口率を向上させることができる。

また、第１コンタクトホール５が形成された第１コンタクトホール領域５ａの上方は、第２層間樹脂膜２４により平坦化されている。そのため、第１コンタクトホール領域５ａの上方では段差に起因するラビング不良は生じない。よって、第１コンタクトホール領域５ａ上に、画素電極８および対向電極９を配置しても光抜けの問題は生じない。よって、第１コンタクトホール領域５ａの上方を対向基板１０２の遮光膜で覆う必要がなく、画素開口率を向上できる。

なお、実施の形態３に係るＴＦＴアレイ基板１０１の製造方法は、第１層間樹脂膜２３および第２層間樹脂膜２４の厚さの条件を除いて、実施の形態１と同様でよい。

＜実施の形態４＞
図１６は、実施の形態４に係る液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１の構成を模式的に示す平面図であり、１つの画素４３に対応する部分を示している。また、図１７は、当該ＴＦＴアレイ基板１０１の部分断面図であり、図１６のＡ−Ｂ線に沿った断面に対応している。

実施の形態４のＴＦＴアレイ基板１０１では、実施の形態２の構造に対して、第２層間樹脂膜２４を第１層間樹脂膜２３よりも厚くしている。第２コンタクトホール７の形状は、実施の形態２と同様に、第２コンタクトホール領域７ａ内に、複数の第２コンタクトホール７が、ゲート配線４１の長さ方向に沿って並べて配置されている。ここでは第２コンタクトホール領域７ａ内に３個の第２コンタクトホール７を配設した例を示したが、第２コンタクトホール７は任意の個数でよい。また、個々の第２コンタクトホール７は、その中央がゲート配線４１に幅方向の中央に位置するように配置されている。

本実施の形態では、第１層間樹脂膜２３となる第１の樹脂の塗布条件は、第１層間樹脂膜２３の膜厚が最も薄くなる部分（すなわち、ＴＦＴ５０上の部分）で厚さが１．０μｍ以上になるように設定される。また、第２層間樹脂膜２４となる第２の樹脂の塗布条件は、第２層間樹脂膜２４が第１層間樹脂膜２３よりも厚くなるように設定される。ここでは、第１コンタクトホール５の部分以外での第２層間樹脂膜２４の厚さが２．０μｍになるように、第２の樹脂の塗布条件を設定した。

このように、実施の形態４に係る液晶表示装置では、第１層間樹脂膜（２３）の厚さは、第２層間樹脂膜（２４）の厚さよりも小さい。

本実施の形態の液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１においては、第１コンタクトホール５の大きさを実施の形態２よりもさらに小さくできる。これにより、実施の形態２よりもドレイン電極４の面積を小さくすることが可能となる。よって、ドレイン電極４によって遮光される面積を少なくでき、画素開口率を向上させることができる。

さらに、ＴＦＴアレイ基板１０１上に設ける配向膜のラビング方向を、第２コンタクトホール７が並ぶ方向に揃えることによって、第２コンタクトホール領域７ａ上の段差により生じるラビング布の乱れを抑制でき、ラビング不良が生じる面積を小さく抑えることができる。それにより、光抜けの発生をより確実に防止できる。

以下、液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１の製造方法は、第２コンタクトホール７形成におけるフォトマスクパターンが異なるだけで、その他は実施の形態２と同様であるためその説明を省略する。

＜変形例＞
本発明が適用されるＴＦＴアレイ基板１０１の構造は、上に例示したものに限られず、例えば、以下のような変形が考えられる。

ＴＦＴ５０の活性層である半導体層２の材料は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏに限られず、例えば、他の酸化物半導体膜（Ｉｎ―Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｈｆ−Ｏなど）や、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコンなどでもよい。また、ＴＦＴ５０は、チャネルエッチ型のボトムゲートＴＦＴに限られず、例えば、エッチングストッパー型ＴＦＴ、トップゲートＴＦＴ、デュアルゲート型ＴＦＴなどでもよい。

上記の各実施の形態では、画素電極８を下側に配置し、対向電極９を上側に配置した例を示したが、その上下は逆でもよい。つまり、スリット状の開口を有する画素電極８を上側に配置し、平板状の対向電極９を下側に配置してもよい。

ＴＦＴ５０のドレイン電極４の材料を透明導電膜としてもよい。その場合、ドレイン電極４が光を遮らないため、画素開口率をさらに向上させることができる。

また、第１層間樹脂膜２３および第２層間樹脂膜２４を、非感光性の樹脂としてもよい。ただし、その場合には、コンタクトホールを形成のために写真製版技術と微細加工技術とを行うことが必要となる。

また、第１層間樹脂膜２３の下の保護絶縁膜２２は省略してもよい。つまり、ＴＦＴ５０を第１層間樹脂膜２３が直接覆うようにしてもよい。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ゲート電極、２半導体層、３ソース電極、４ドレイン電極、５第１コンタクトホール、５ａ第１コンタクトホール領域、６中継配線、７第２コンタクトホール、７ａ第２コンタクトホール領域、８画素電極、９対向電極、１０透明基板、２１ゲート絶縁膜、２２保護絶縁膜、２３第１層間樹脂膜、２４第２層間樹脂膜、２５電極間絶縁膜、４１ゲート配線、４２ソース配線、４３画素、４５走査信号駆動回路、４６表示信号駆動回路、４７外部配線、４８外部配線、５０ＴＦＴ、１００液晶パネル、１０１ＴＦＴアレイ基板、１０２対向基板、１０３液晶層、１１０バックライトユニット、２００液晶表示装置、１００ａ表示領域、１００ｂ額縁領域、１０１ａ表示領域、１０１ｂ額縁領域。

Claims

基板上に設けられた走査線と、
前記走査線に接続したスイッチ素子と、
前記スイッチ素子を覆う第１層間樹脂膜と、
前記第１層間樹脂膜に設けられ、前記スイッチ素子の電極に達する第１コンタクトホールと、
前記第１層間樹脂膜上に設けられ、前記第１コンタクトホールを通して前記スイッチ素子の電極に接続する中継配線と、
前記中継配線を覆うように前記第１層間樹脂膜上に設けられ、前記第１コンタクトホールの上方に設けられた第２層間樹脂膜と、
前記第２層間樹脂膜に設けられ、前記中継配線に達し、前記第１コンタクトホールよりも上方に設けられる第２コンタクトホールと、
前記第２コンタクトホールを通して前記中継配線に接続する画素電極と、
を備え、
前記第２コンタクトホールは、平面視で、前記第１コンタクトホールとは異なる位置で、且つ、前記走査線の上方に配置されており、長辺方向が前記走査線の長さ方向と同じ長方形の形状を有し、
前記第２コンタクトホールは、その幅が前記走査線の幅以下であって、平面視で、前記走査線の幅の中央部に配置され、
前記第２コンタクトホールの底部の面積は、前記第１コンタクトホールの底部の面積よりも大きい
ことを特徴とする液晶表示装置。
液晶を配向させる配向膜をさらに備え、
前記配向膜におけるラビング傷の方向は、前記第２コンタクトホールの長辺方向と同じである
請求項１に記載の液晶表示装置。
基板上に設けられた走査線と、
前記走査線に接続したスイッチ素子と、
前記スイッチ素子を覆う第１層間樹脂膜と、
前記第１層間樹脂膜に設けられ、前記スイッチ素子の電極に達する第１コンタクトホールと、
前記第１層間樹脂膜上に設けられ、前記第１コンタクトホールを通して前記スイッチ素子の電極に接続する中継配線と、
前記中継配線を覆うように前記第１層間樹脂膜上に設けられ、前記第1コンタクトホールの上方に設けられた第２層間樹脂膜と、
前記第２層間樹脂膜に設けられ、前記中継配線に達し、前記第１コンタクトホールよりも上方に設けられる複数の第２コンタクトホールと、
前記複数の第２コンタクトホールを通して前記中継配線に接続する画素電極と、
を備え、
前記複数の第２コンタクトホールは、平面視で、前記第１コンタクトホールとは異なる位置で、且つ、前記走査線の上方に配置されており、前記走査線の長さ方向に並んで配置され、
前記複数の第２コンタクトホールは、その幅が前記走査線の幅以下であって、平面視で、前記走査線の幅の中央部に並んで配置され、
前記複数の第２コンタクトホールの底部の面積の総和は、前記第１コンタクトホールの底部の面積よりも大きい
ことを特徴とする液晶表示装置。
液晶を配向させる配向膜をさらに備え、
前記配向膜におけるラビング傷の方向は、前記複数の第２コンタクトホールが並ぶ方向と同じである
請求項３に記載の液晶表示装置。
前記第１層間樹脂膜の厚さは、前記第２層間樹脂膜の厚さよりも大きい
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
前記第１層間樹脂膜の厚さは、前記第２層間樹脂膜の厚さよりも小さい
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。