JPS599962A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS599962A JPS599962A JP57119459A JP11945982A JPS599962A JP S599962 A JPS599962 A JP S599962A JP 57119459 A JP57119459 A JP 57119459A JP 11945982 A JP11945982 A JP 11945982A JP S599962 A JPS599962 A JP S599962A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体スイッチ素子と液晶等を組み合わせるこ
とによって構成される画像表示装置に用いられる半導体
装置に関するものであシ、透明型（ｊの透過率を高く維
持し、コントラスト比の大きな画像表示装置を提供する
ことを目的とする。
とによって構成される画像表示装置に用いられる半導体
装置に関するものであシ、透明型（ｊの透過率を高く維
持し、コントラスト比の大きな画像表示装置を提供する
ことを目的とする。
フラノ１〜デイスプレイを構成する手段の一つに半導体
ヌイソチ素子と光学素子よりなる単位絵素を２次元のマ
トリクスに配列する方法がある。第１図はその等何回路
を示し、１はＭｉｓ （絶縁ゲート）トランジスタ、２
は液晶セル、３は走査信υ線、４は映像信号線である。
ヌイソチ素子と光学素子よりなる単位絵素を２次元のマ
トリクスに配列する方法がある。第１図はその等何回路
を示し、１はＭｉｓ （絶縁ゲート）トランジスタ、２
は液晶セル、３は走査信υ線、４は映像信号線である。
走査信号線３に順次ＭＩＳ）ランジスタ１がｏｎするよ
うにゲート信号を印加し、映像信号線４よシ１ラインに
対応した映像信号を液晶セ／ｌ’２に書き込ませるとこ
ろの線順次走査によってＣＲＴと同等の機能が賦与され
る。
うにゲート信号を印加し、映像信号線４よシ１ラインに
対応した映像信号を液晶セ／ｌ’２に書き込ませるとこ
ろの線順次走査によってＣＲＴと同等の機能が賦与され
る。
ＭＩＳ）ランジヌタ１は単結晶シリコンあるいは多結晶
シリコン、非晶質シリコンなどの非単結晶シリコンを用
いて集積化されるが、ここでは低価格化と大面積化が比
較的容易と言われている非晶質シリコンを用いた場合に
ついて文献より引用して説明する。例えばＡｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ２４巻３５７〜３６２ページ（１
９８１年）に示された単位絵素の平面図とＡ−Ａ’線」
二の断面図を第２図と第３図に示し、その製作プロセス
は以下に述べる通シである。
シリコン、非晶質シリコンなどの非単結晶シリコンを用
いて集積化されるが、ここでは低価格化と大面積化が比
較的容易と言われている非晶質シリコンを用いた場合に
ついて文献より引用して説明する。例えばＡｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ２４巻３５７〜３６２ページ（１
９８１年）に示された単位絵素の平面図とＡ−Ａ’線」
二の断面図を第２図と第３図に示し、その製作プロセス
は以下に述べる通シである。
まず第１の絶縁性基板例えばガラス板１１上に透明導電
性の例えばＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｃｌｉｕｍ−Ｔｉｎ −０
ｘｉｄｅ ）よりなる透明電極１２を選択的に被着形成
する。ついでゲート電極と走査信号線を兼ねる第１の金
属層１９を選択的に被着形成する。前記文献ではクロム
（Ｃｒ ）が使用されているが、モリブデン（Ｍｏ）や
ニッケ／ｌ／（Ｎｉ ）などの金属でも差支えない。そ
の後全面に透明絶縁層として例えば窒化シリコン（Ｆ３
１’ｓ Ｎ４ ）層１４を被着し、さらにドナまたはア
クセプタとなる不純物をほとんど含まない非晶質シリコ
ン層を被着し、ゲート金属層１３上に選択的に残して島
状シリコン層１５−どす−る。ひき続き窒化シリコン膜
１４に例えば弗酸系の食刻液を用いて開口部１６を形成
し、透明電極１２の一部を露出する。このとき図示はし
ないが集積回路の端部では金属層１３上の窒化シリコン
膜１４にも開１」部が形成される。そして映像信号線と
ＭＩＳＩ−ランシスタのソースまたはドレインを兼ねる
第２の金属層１７と、ＭＩＳ ）ランジスタの１・ルイ
ンまたはソースと開口部１６を介して透明電極１２とを
接続する第２の金属層１８が選択的に被着形成される。
性の例えばＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｃｌｉｕｍ−Ｔｉｎ −０
ｘｉｄｅ ）よりなる透明電極１２を選択的に被着形成
する。ついでゲート電極と走査信号線を兼ねる第１の金
属層１９を選択的に被着形成する。前記文献ではクロム
（Ｃｒ ）が使用されているが、モリブデン（Ｍｏ）や
ニッケ／ｌ／（Ｎｉ ）などの金属でも差支えない。そ
の後全面に透明絶縁層として例えば窒化シリコン（Ｆ３
１’ｓ Ｎ４ ）層１４を被着し、さらにドナまたはア
クセプタとなる不純物をほとんど含まない非晶質シリコ
ン層を被着し、ゲート金属層１３上に選択的に残して島
状シリコン層１５−どす−る。ひき続き窒化シリコン膜
１４に例えば弗酸系の食刻液を用いて開口部１６を形成
し、透明電極１２の一部を露出する。このとき図示はし
ないが集積回路の端部では金属層１３上の窒化シリコン
膜１４にも開１」部が形成される。そして映像信号線と
ＭＩＳＩ−ランシスタのソースまたはドレインを兼ねる
第２の金属層１７と、ＭＩＳ ）ランジスタの１・ルイ
ンまたはソースと開口部１６を介して透明電極１２とを
接続する第２の金属層１８が選択的に被着形成される。
第２の金属層１７．１８には一般的なアルミニウム（Ａ
ｌ）が使用されており、＋）ｉＪ ｊホしだ開１」部を
介して走査信号線の取シ出し電（ｊ鎮も同時に形成され
る。第２の金属層１７＋１８ｉｊＭＩＳ＋−ランジスタ
のソース・ドレイン電極モ兼ねるので、オフセットゲー
トとならぬようグー１＝金属層１３とは一部重なり合う
ように配置されている。
ｌ）が使用されており、＋）ｉＪ ｊホしだ開１」部を
介して走査信号線の取シ出し電（ｊ鎮も同時に形成され
る。第２の金属層１７＋１８ｉｊＭＩＳ＋−ランジスタ
のソース・ドレイン電極モ兼ねるので、オフセットゲー
トとならぬようグー１＝金属層１３とは一部重なり合う
ように配置されている。
さて」−述した非晶質シリコンよりなる集積回路と一主
面上に第２の透明電極１９を被着されたガラス板２Ｑと
の間に液晶２１を充填することによ一２／′ シ画像表示装置が構成される。液晶２１に相転移型のＴ
Ｎ（ツイスト・ネマチック）を用いる場合には上記画像
表示装置の上下に１枚づつ偏光板が必要であるが、吸収
型のＧＨ（ゲスト・ホスト）を用いる場合には偏光板は
不要である。 −製作プロセスの概略は上記した通
シであるが、本発明者らが詳細に検討したところゲート
絶縁層である窒化シリコン膜１４の被着条件に重大な問
題のあることが分った。それは窒化シリコン膜１４の被
着条件によってはＩＴＯよりなる透明電極１２の導電率
が低下しだシ、白濁して透過率が低下することである。
面上に第２の透明電極１９を被着されたガラス板２Ｑと
の間に液晶２１を充填することによ一２／′ シ画像表示装置が構成される。液晶２１に相転移型のＴ
Ｎ（ツイスト・ネマチック）を用いる場合には上記画像
表示装置の上下に１枚づつ偏光板が必要であるが、吸収
型のＧＨ（ゲスト・ホスト）を用いる場合には偏光板は
不要である。 −製作プロセスの概略は上記した通
シであるが、本発明者らが詳細に検討したところゲート
絶縁層である窒化シリコン膜１４の被着条件に重大な問
題のあることが分った。それは窒化シリコン膜１４の被
着条件によってはＩＴＯよりなる透明電極１２の導電率
が低下しだシ、白濁して透過率が低下することである。
これらの現象は液晶セルの応答速度を遅くしたり、画像
のコントラスト比を下げるなど画像表示装置の性能を著
しく損なう。その原因は上記文献に示されたように、窒
化シリコン膜１４の被着ヲシラン（ＳｉＨ４）ガスにア
ンモニア（ＮＨ３）ガスを添加したクロー放電によるプ
ラズマ堆積で行なうと、シランガスのグロー放電によっ
て水素ガスプラズマが発生し、水素ガスプラズマの強い
還元作用によって金属酸化物であるＩＴＯの組成比が変
動するからである。
のコントラスト比を下げるなど画像表示装置の性能を著
しく損なう。その原因は上記文献に示されたように、窒
化シリコン膜１４の被着ヲシラン（ＳｉＨ４）ガスにア
ンモニア（ＮＨ３）ガスを添加したクロー放電によるプ
ラズマ堆積で行なうと、シランガスのグロー放電によっ
て水素ガスプラズマが発生し、水素ガスプラズマの強い
還元作用によって金属酸化物であるＩＴＯの組成比が変
動するからである。
添加するアンモニアガスの希釈に水素ガスを用いるとさ
らに人１１（の水素ガスプラズマが発生し、透明型（′
Ｉ鉢１２の白濁はますます助長される。ところが水素ガ
ス以外の希釈ガスでは窒化シリコン膜１４のステップカ
バレージが悪く、デー１−金属層１３とソーメ捷たは１
−レイン配線１７の交差部２２でこれら二つの多層配線
の絶縁耐圧が極端に悪くなる。この結果、透明電極１２
の白濁を防止しつつ、交差部２２の耐圧を高めることは
相反しだ被着条件となってし捷う。
らに人１１（の水素ガスプラズマが発生し、透明型（′
Ｉ鉢１２の白濁はますます助長される。ところが水素ガ
ス以外の希釈ガスでは窒化シリコン膜１４のステップカ
バレージが悪く、デー１−金属層１３とソーメ捷たは１
−レイン配線１７の交差部２２でこれら二つの多層配線
の絶縁耐圧が極端に悪くなる。この結果、透明電極１２
の白濁を防止しつつ、交差部２２の耐圧を高めることは
相反しだ被着条件となってし捷う。
デー１−絶縁層である窒化シリコン膜１４をグロー放′
市以外の被着方法、例えばＣｖＤで形成した場合には非
晶質シリコン層１６の密着力が弱くなる。ま／ζ、ゲー
ト絶縁層１４に酸化シリコンを用いると非晶質シリコン
層１５の密着力は保証され金ものの比誘電率が窒化シリ
コンの約捧であるので膜ｊνを薄くしないとＭＩＳ）ラ
ンシヌタの相互コンダクタンスが低下して画像表示装置
の応答速度゛が遅くなるし、薄い酸化シリコンではやは
りステップカバレージが良好とは言えなくなる。
市以外の被着方法、例えばＣｖＤで形成した場合には非
晶質シリコン層１６の密着力が弱くなる。ま／ζ、ゲー
ト絶縁層１４に酸化シリコンを用いると非晶質シリコン
層１５の密着力は保証され金ものの比誘電率が窒化シリ
コンの約捧であるので膜ｊνを薄くしないとＭＩＳ）ラ
ンシヌタの相互コンダクタンスが低下して画像表示装置
の応答速度゛が遅くなるし、薄い酸化シリコンではやは
りステップカバレージが良好とは言えなくなる。
このように上記文献に示された構造と製造方法では透明
電極の白濁を防止しつつ、多層配線の交差部における絶
縁耐圧の向上を含めた所定の性能を実現することが困難
であった。本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、
その要点は透明電極を水素ガスプラズマから保護する透
明絶縁層の導入にあり、第４図に示す本発明の一実施例
の画像表示装置とともに本発明の詳細な説明する。なお
第４図において同一機能の各部については第３図と同じ
番号を付す。
電極の白濁を防止しつつ、多層配線の交差部における絶
縁耐圧の向上を含めた所定の性能を実現することが困難
であった。本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、
その要点は透明電極を水素ガスプラズマから保護する透
明絶縁層の導入にあり、第４図に示す本発明の一実施例
の画像表示装置とともに本発明の詳細な説明する。なお
第４図において同一機能の各部については第３図と同じ
番号を付す。
まずガラス板１１上に透明電極１２を選択的に被着形成
し、その後全面に第１の透明絶縁層として例えば酸化シ
リコン層２３を被着する。その被着にあたっては、透明
導電膜１２に悪影響を与えない作製雰囲気中に水素ガス
プラズマを発生しないスパッタやＣＶＤが選ばれ、その
膜厚は１０００人もあれば十分である。ついでゲート電
極と走査信号線を兼ねる第１の金属層１３を例えばＭＯ
で選択的に被着形成する。その後グロー放電によって仝
而に第２の透明絶縁層例えば窒化シリコン層１４と、さ
らにドナまだはアクセプタとなる不純物をほとんど含ま
ない非晶質シリコン層を被着し島状の非晶質シリコン層
１５を選択的に形成する。
し、その後全面に第１の透明絶縁層として例えば酸化シ
リコン層２３を被着する。その被着にあたっては、透明
導電膜１２に悪影響を与えない作製雰囲気中に水素ガス
プラズマを発生しないスパッタやＣＶＤが選ばれ、その
膜厚は１０００人もあれば十分である。ついでゲート電
極と走査信号線を兼ねる第１の金属層１３を例えばＭＯ
で選択的に被着形成する。その後グロー放電によって仝
而に第２の透明絶縁層例えば窒化シリコン層１４と、さ
らにドナまだはアクセプタとなる不純物をほとんど含ま
ない非晶質シリコン層を被着し島状の非晶質シリコン層
１５を選択的に形成する。
ひき続き窒化シリコン層１４と酸化シリコン層２３に例
えば弗酸系の食刻液を用いて開口部１６を形成し、透明
電極１２の一部を露出する。このとき図示はしないが集
積回路の端部では走査信号線１３」−の窒化シリコン膜
１４にも開［」部が形成される。
えば弗酸系の食刻液を用いて開口部１６を形成し、透明
電極１２の一部を露出する。このとき図示はしないが集
積回路の端部では走査信号線１３」−の窒化シリコン膜
１４にも開［」部が形成される。
そして映像信号線とＭＩＳＩ・ランシスクのソース−！
、／こはトレインを兼ねる第２の金属層１７と、ＭＩＳ
Ｉ−ランシスタのトレインまたはソーヌト開［−１部１
６を介して透明ｔｌ’ｒ”ｉｉ、１２とを接続する第２
の金属層１８とが選択的に被着形成され、同時に１）１
ｊ述した開１−１部を介して走査信号線の取り出し電極
（も形成される。この後本発明による非晶質シリコン集
積回路をイ１する半導体装置を用いて液晶表、 水装
置がｔＶ？ｉ成される。
、／こはトレインを兼ねる第２の金属層１７と、ＭＩＳ
Ｉ−ランシスタのトレインまたはソーヌト開［−１部１
６を介して透明ｔｌ’ｒ”ｉｉ、１２とを接続する第２
の金属層１８とが選択的に被着形成され、同時に１）１
ｊ述した開１−１部を介して走査信号線の取り出し電極
（も形成される。この後本発明による非晶質シリコン集
積回路をイ１する半導体装置を用いて液晶表、 水装
置がｔＶ？ｉ成される。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては集
積回路」二の透明電極１２を薄い酸化シリコン層２３で
被覆しだ後にゲート絶縁層１４か被着される構成になっ
ている。このためゲート絶縁層１４の被着時に大量の水
素ガスプラヌマが発生しても透明電極１２は酸化シリコ
ン層２３で保護されて導電性を失なったり透過率が低下
する恐れは皆無である。このことはヌテノプカハレージ
の良い被着条件の採用を可能にしたことと等価であり、
さらにＭＩＳ）ランシヌタを構成するゲート絶縁層１４
の膜厚の増加もないだめ、相互コンダクタンスの低下も
ないなどの優れた効果が得られコントラスト比の大きな
液晶画像表示装置を提供することができた。
積回路」二の透明電極１２を薄い酸化シリコン層２３で
被覆しだ後にゲート絶縁層１４か被着される構成になっ
ている。このためゲート絶縁層１４の被着時に大量の水
素ガスプラヌマが発生しても透明電極１２は酸化シリコ
ン層２３で保護されて導電性を失なったり透過率が低下
する恐れは皆無である。このことはヌテノプカハレージ
の良い被着条件の採用を可能にしたことと等価であり、
さらにＭＩＳ）ランシヌタを構成するゲート絶縁層１４
の膜厚の増加もないだめ、相互コンダクタンスの低下も
ないなどの優れた効果が得られコントラスト比の大きな
液晶画像表示装置を提供することができた。
さらに、本発明の構造に加え、ＭＩＳＩ−ランシヌタを
構成する不純物をほとんど含まない島状の非晶質シリコ
ン層１５とソース １〜゛レイン金属配線１７．１８と
の間にドナまだはアクセプタとなる不純物、例えば燐（
Ｐ）や硼素（Ｂ）を含む非晶質シリコン層を介在させる
と、これによって不純物を含゛まない非晶質シリコン層
１５とソース・ドレイン６〉−属配線１７．１８のオー
ミック性が向上し、金属配線相和の選定が極めて緩くな
る特長が発揮される。
構成する不純物をほとんど含まない島状の非晶質シリコ
ン層１５とソース １〜゛レイン金属配線１７．１８と
の間にドナまだはアクセプタとなる不純物、例えば燐（
Ｐ）や硼素（Ｂ）を含む非晶質シリコン層を介在させる
と、これによって不純物を含゛まない非晶質シリコン層
１５とソース・ドレイン６〉−属配線１７．１８のオー
ミック性が向上し、金属配線相和の選定が極めて緩くな
る特長が発揮される。
第５図はさらに、容量価を大きくしだ画像表示装置の等
価回路を示す。この構成は第４図におけるガラス板１１
の代りに、第６図に示すごとく一宇１ｎ１」−に透明導
電層または金属層３Ｑと透明絶縁’ｐ７ｊ ３１の被着
されたガラス板を用いることによって得られ、透明導電
層または金属層３０と透明型ｉ／ｄ（、１２とが透明絶
縁層３１を介して形成する容量を補助容量５として用い
るものである。補助容量５を液晶セル２が有する容量値
の１０倍以上に設定するのは極めて容易で、この結果液
晶の応答速度を速めるだめに液晶の導電率を上げること
が可能となる。またＭＩＳ ｌ−ランジヌタ１のｏｆｆ
時ｔ７）ソース・ドレイン間のリーク電流が、補助容量
５がなくても動作する場合の饋よりも１０倍程度大きく
なっても支障なくなるため、非晶質シリコンへの膜質の
制約が緩くなる。さらにゲートとソー７またはトレイン
間の重なり容量によるソーヌ捷たはドレイン電位のゲー
トパルスの立上り、立下口輩 り時の変動が抑圧されるので第７犯ｊ図で示しだ自己整
合型でない非晶質シリコンＭＩＳ ｌ−ランシヌタにと
っては極めて有効である。補助容量５の一電極に反射率
の高い金属層を用い、液晶をＤＳＭ（動的散乱モード）
型とすれば、上記した特長を有する反射型液晶画像表示
装置が得られることは言うまでもない。
価回路を示す。この構成は第４図におけるガラス板１１
の代りに、第６図に示すごとく一宇１ｎ１」−に透明導
電層または金属層３Ｑと透明絶縁’ｐ７ｊ ３１の被着
されたガラス板を用いることによって得られ、透明導電
層または金属層３０と透明型ｉ／ｄ（、１２とが透明絶
縁層３１を介して形成する容量を補助容量５として用い
るものである。補助容量５を液晶セル２が有する容量値
の１０倍以上に設定するのは極めて容易で、この結果液
晶の応答速度を速めるだめに液晶の導電率を上げること
が可能となる。またＭＩＳ ｌ−ランジヌタ１のｏｆｆ
時ｔ７）ソース・ドレイン間のリーク電流が、補助容量
５がなくても動作する場合の饋よりも１０倍程度大きく
なっても支障なくなるため、非晶質シリコンへの膜質の
制約が緩くなる。さらにゲートとソー７またはトレイン
間の重なり容量によるソーヌ捷たはドレイン電位のゲー
トパルスの立上り、立下口輩 り時の変動が抑圧されるので第７犯ｊ図で示しだ自己整
合型でない非晶質シリコンＭＩＳ ｌ−ランシヌタにと
っては極めて有効である。補助容量５の一電極に反射率
の高い金属層を用い、液晶をＤＳＭ（動的散乱モード）
型とすれば、上記した特長を有する反射型液晶画像表示
装置が得られることは言うまでもない。
なお、第５図において６は共通透明電極１９で、本発明
においては例えば６ｖと固定し、映像信号を０〜６ｖと
６〜１２Ｖの２つの範囲に分解し、それらの位相を逆転
することにより液晶セ／Ｉ／２が交流駆動されるように
配慮される。
においては例えば６ｖと固定し、映像信号を０〜６ｖと
６〜１２Ｖの２つの範囲に分解し、それらの位相を逆転
することにより液晶セ／Ｉ／２が交流駆動されるように
配慮される。
以上本発明の半導体装置を液晶画像表示装置に応用する
例について詳細に説明した。本発明の半導体装置と組合
さるべき光学素子は液晶に限定されるものではなく、Ｅ
Ｌ （Ｅｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）素
子その他の光学素子を用い得ることは当然である。また
第４図に於て第１の絶縁膜２３が第１の電（゛萌１３に
７１シ第２の絶縁膜１４の反対側に位置する例を述べた
が、第１の絶縁膜２３と第２の絶縁膜１４が第１の電体
１３の」二方にともに位置していても差支えないのは当
然である。
例について詳細に説明した。本発明の半導体装置と組合
さるべき光学素子は液晶に限定されるものではなく、Ｅ
Ｌ （Ｅｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）素
子その他の光学素子を用い得ることは当然である。また
第４図に於て第１の絶縁膜２３が第１の電（゛萌１３に
７１シ第２の絶縁膜１４の反対側に位置する例を述べた
が、第１の絶縁膜２３と第２の絶縁膜１４が第１の電体
１３の」二方にともに位置していても差支えないのは当
然である。
以上のように、本発明は透明電極の白濁を防止して明る
くコントラスト比の大きな画像表示装置の実現に大きく
寄与する半導体装置を提供するものである。
くコントラスト比の大きな画像表示装置の実現に大きく
寄与する半導体装置を提供するものである。
第１図は従来の液晶画像表示装置の等価回路図、第２図
は第１図の装置の要部概略平面図、第３図は第２図のＡ
−Ａ’線における従来の表示装置の要部断面図、第４図
は本発明の一実施例にかかる液晶画像表示装置の要部断
面図、第５図は本発明の他の実施例にかかる同表示装置
の等価回路図、第６図は第６図の装置の要部断面図であ
る。 １ ・・ＭＩＳ ）ランジスタ、２・・・・・・液晶セ
ル、１１．２０・・・・・・ガラス板、１２・・・・・
・透明電極、１３・・ゲート金属層、１４・・・・ゲー
ト絶縁層（窒化シリコン層）、１６・・・・非単結晶シ
リコン層、１６・・・・・・開口Ｌ １７１ １８・・
・・・ソース・ドレイン配線、１９・・・・・・共通透
明電極、２１・・・・・・液晶、２３・・・・・・透明
絶縁層（酸化シリコン層）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ７ 第３図 ？θ 第４図 ０ 第５図 第６図 ０ ２
は第１図の装置の要部概略平面図、第３図は第２図のＡ
−Ａ’線における従来の表示装置の要部断面図、第４図
は本発明の一実施例にかかる液晶画像表示装置の要部断
面図、第５図は本発明の他の実施例にかかる同表示装置
の等価回路図、第６図は第６図の装置の要部断面図であ
る。 １ ・・ＭＩＳ ）ランジスタ、２・・・・・・液晶セ
ル、１１．２０・・・・・・ガラス板、１２・・・・・
・透明電極、１３・・ゲート金属層、１４・・・・ゲー
ト絶縁層（窒化シリコン層）、１６・・・・非単結晶シ
リコン層、１６・・・・・・開口Ｌ １７１ １８・・
・・・ソース・ドレイン配線、１９・・・・・・共通透
明電極、２１・・・・・・液晶、２３・・・・・・透明
絶縁層（酸化シリコン層）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ７ 第３図 ？θ 第４図 ０ 第５図 第６図 ０ ２
Claims (4)
- （１）絶縁性透明基板上に第１の透明導電層が選択的に
被着形成され、前記第１の透明導電層上に第１の透明絶
縁層が形成され、前記基板」二に選択的に第１の金属層
が選択的に形成され、前記第１の透明絶縁層上には第２
の透明絶縁層が形成され、前記第１の金属層」二には前
記第２の透明絶縁層を介して半導体装置用のシリコンを
主成分とする島状の非単結晶半導体層が選択的に形成さ
れ、＋’＋ｉＪ記第１の透明導電層上に被着された第１
および第２の透明絶縁層には開「１部が形成され、前記
島状の非単結晶半導体層上で前記第１の金属層と一部重
なり合うように選択的に被着形成さ徴とする半導体装置
。 - （２） シリコンを主成分とする島状の非単結晶半導
体層と第２の金属層との間にシリコンを主成分としドナ
またはアクセプタとなる不純物を含む非単結晶半導体層
が介在することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の半導体装置。 - （３）絶縁性透明基板として、−主面上に透明導電層ま
たは金属層が被着されたものを用いることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。 - （４）絶縁性透明基板上に透明導電層を選択的に形成す
る工程と、全面に第１の透明絶縁層を形成後筒１の金属
層を選択的に形成する工程と、全面に第２の透明絶縁層
を形成後前記第１の金属層上にシリコンを主成分とする
島状の非単結晶半導体層一層を選択的に形成する工程と
、前記透明導電層上の前記第１および第２の透明絶縁層
に開口部を形成する工程と、前記島状の非単結晶半導体
層上で前記第１の金属層の一部と重なり合うとともに前
記開口部を介して前記透明導電層と接触する第２の金属
層を選択的に形成する工程を有し、前記第１の透明絶縁
層 を、作製−雰囲気中に水素プラズマを含まないスパ
ッタやＣｖＤなどによって形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119459A JPS599962A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119459A JPS599962A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599962A true JPS599962A (ja) | 1984-01-19 |
| JPH0422027B2 JPH0422027B2 (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=14761882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119459A Granted JPS599962A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599962A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299035A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| KR20220035098A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-21 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 강도 특성과 가공성이 우수한 아크릴 고무 베일 |
| KR20220035049A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-21 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 보존 안정성과 가공성이 우수한 아크릴 고무 베일 |
| KR20220038294A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-28 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 보존 안정성과 가공성이 우수한 아크릴 고무 시트 |
| KR20220038295A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-28 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 보존 안정성과 가공성이 우수한 아크릴 고무 베일 |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP57119459A patent/JPS599962A/ja active Granted
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| KR20220035098A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-21 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 강도 특성과 가공성이 우수한 아크릴 고무 베일 |
| KR20220035049A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-21 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 보존 안정성과 가공성이 우수한 아크릴 고무 베일 |
| KR20220038294A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-28 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 보존 안정성과 가공성이 우수한 아크릴 고무 시트 |
| KR20220038295A (ko) | 2019-07-19 | 2022-03-28 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 보존 안정성과 가공성이 우수한 아크릴 고무 베일 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0422027B2 (ja) | 1992-04-15 |
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