TW398007B - Thin film forming apparatus - Google Patents

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A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 1 ) 1 1 發 明 m 1 1 1 . 發明領域 1 I 本 發 明 ί系 關 於 一 種 薄 膜 成 形 装 置 1 用 以於 一 方 形 (正方 請- 先 閱 讀 背- 之 1 I 形 或 長 方 形 )基板表面上形成- -薄膜。 1 1 2 . 相關技藝說明 1 注 1 傳 統 上 f 在應用C V D (化學氣 相沉積）装置之薄膜成形装 意 事 1 - 項 1 置 之 領 域 中 要 求 低 溫 下 形 成 均 膜 厚 度與 一 致 膜 特 性， 再 1 以 延 伸 該 薄 膜 成 形 裝 置 之 用 途 〇 % 本 頁 笨 1 為 了 付 合 此 要 求 t 本 案 請 人 已 發 明 一種 薄 膜 成 形 裝置 1 1 9 揭 露 於 JP -A (日本未審査專利公告）第5-55 1 94號中 > 1 1 根 據 傳 統 薄 膜 成 形 裝 置 高 周 波 電 漿 由一 成膜室7中之 1 1 訂 生 料 氣 體 所 製 將 離 子 束 . 離 子 源 處 引出 至 m 成 膜 室中 i » 同 時 以 該 離 子 束 昭 v»v> 射 電 漿 與 一 基 板 表 面； 藉 由 離 子 束照 1 1 射 所 產 生 之 電 漿 中 之 由 基 遷 移 效 應 kk 及膜 品 質 之 控 制， 1 1 而 於 低 溫 下 在 該 基 板 上 累 積 並 形 成 一 均 勻厚 度 與 一 致 特性 1 之 薄 膜 Ο 1 I K 與 其 它如電漿CVD装置等現存裝置相同之方式 在此 1 應 用 此 形CVD裝置之薄膜成形裝置中 •用Μ於該成膜室中 1 產 生 电 漿 -y 高 周 波 電 極 為 圓 柱 狀 而 為 球形 分 佈 ^7 高 周波 1 1 電 漿 係 於 電 極 内 側 之 電 漿 產 生 區 域 中 形成 〇 1 I 在 此 例 中 9 高 周 波 漿 平 行 於 該 基 板 之截 面 積 為 圓 形。 • \ 1 1 甘 於 一 碟 肜 基 板 * 如 一 矽 晶 圆 1 當 適 當 地测 定 出 該 高 周波 1 i 電 極 i之直徑ί [口圖1 3中之平面圖所示時 *該圓形基板2的整 1 ! 個 表 面 積 適 度 地 覆 蓋 上 高 周 波 電 漿 > 因 而可 於 *··#_ 基 板 2表 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公t ) 4 A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝

五、發明説明 (2 ) 1 1 面 上 有 效 形 成 均 勻 厚 度 與 一 致 特 性 之 薄 膜 0 1 1 | m 而 > 關 於 其 表 面 成 為 一 正 方 形 或 一 長 方 形 之 Λ- 方 形 基 1 1 板 ， 如 TFT- LCD ( 薄 膜 電 晶 體 -液晶顯示器） 之 液 晶 顯 示 面 板 N 請- 4r 1 | 閱 I 所 用 ~y 玻 璃 基 板 > 則 不 可 能 有 效 利 用 高 周 波 電 功 率 9 形 成 讀一 1 I 明 η 面 1 I 均 勻 厚 度 與 —· 致 特 性 之 薄 膜 9 此 將 於 Μ 下 說 之 0 之 I 注 1 換 之 當 試 圖 Μ 傳 統 装 置 於 一 方 形 基 板 的 整 個 表 面 上 思 事 1 項 1 形 成 一 均 勻 厚 度 與 一 致 特 性 之 薄 膜 時 t 必 須 將 高 周 波 電 極 再 填 1 之 直 徑 設 定 在 比 該 基 板 對 角 線 長 的 值 9 才 能 使 高 周 汲 電 漿 寫 本 頁 装 1 蓋 過 整 個 基 板 表 面 0 1 1 即 使 在 正 方 形 表 面 之 例 中 如 圖 14 U )般凸出於基板2外 1 | 陰 影 部 分 之 高 周 波 電 漿 亦 對 膜 的 形 成 Μ 所 貢 獻 0 因 此 浪 1 訂 費 高 周 波 電 功 率 且 不 可 能 增 進 膜 成 形 效 率 0 1 1 為 避 免 剝 除 基 板 外 部 分 所 附 著 之 多 餘 膜 時 使 膜 表 面 被 I 1 該 多 餘 薄 膜 污 染 ， 必 須 頻 頻 進 行 清 理 因 而 須 提 高 製 造 成 1 1 本 0 1 在 長 方 形 基 板 之 例 中 凸 出 於 基 板 2外陰影部分之高周 Τ I 波 電 漿 比 正 方 形 之 m 者 更 多 0 因 此 其 膜 成 形 效 率 更 加 低 1 | 落 1 變 得 必 須 更 常 進 行 清 理 0 I 因 此 9 傳 統 装 置 的 缺 點 在 於 無 法 在 方 形 基 板 的 整 涸 表 面 I 1 L· 有 效 形 成 一 均 勻 厚 度 與 —* 致 特 性 薄 膜 0 | -4—-\± 傳 統 中 置 中 > 離 子 束 被 自 ---- 離 子 源 處 引 出 至 一 成 m 室 1 I 中 致 使 該 基 板 表 面 -V . 圓 形 部 分 可 被 該 雛 子 束 照 射 到 .；： • 1 1 1 因 此 t Μ 與 上 述 高 周 波 電 者 相 同 —w 方 式 1 當 試 圖 VK 離 1 1 子 柬 照 射 該 方 肜 基 板 的 整 酒 表 面 時 1 朱 照 射 到 基 阪 上 的 浪 1 I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（3 ) 費掉的高周波電漿部分增加了。由此觀之，無法在基板上 有效形成一均勻厚度與一致特性之薄膜。 當試圖藉由上述型式之薄膜成形装置形成一均勻厚度與 一致持性之薄膜時，高周波電極之直徑必須比該基板之尺 寸大。因此，無法縮小薄膜成形裝置之尺寸。 當基板之面積增加時，高周波電場變得不均勻糗不穩定 ，因為該高周波電極尺寸之增加會造成高周波傳輸延遲， 而麥得難K均勻形成高周波電漿。因此傾向於發生薄膜成 形失敗的情肜。 發明概述 本發明之一目的在於有效地於一方形基板表面上形成一 均勻厚度與一致特性之薄膜，其係有效利用高周波電功率 為之ώ 同時，本發明之一目的在於更有效地於一方形基板表面 上形成一均勻厚度與一致特性之薄膜，其係藉由使離子束 照射在該方形基板的整個表面上，而不發生浪費的情形。 另外，本發明之一目的在於減小薄膜成形裝置之尺寸。 除此之外，本發明之一目的在於於一大面積方形基板表 面上形成一均勻厚度與一致特性之薄膜。 為了達成上述目的，在本發明第一方面所述之薄膜成形 装置之組成如下。該基板係由一具有正方形表面或長方形 表面之方肜板組成，a該薄膜成形装置提供有一高周波電 極· μ使該高周波電漿形成一立方體或一 1方形平行管狀 ，Μ於該基板之該丧面側上覆蓋該基板的整個表面， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規( 210Χ297公釐） _ _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 經濟部中央棣準局員工消膏>咋钍印製 五、發明説明 (4 ) 1 1 1 亦 即 装 置 之 第 一 方 面 為 本 發 明 之 一 薄 膜 成 形 裝 置 其 包 1 1 | 括 * 1 | —. 基 板 9 由 — 具 有 長 方 形 表 面 之 方 形 板 組 成 * 位 於 一 成 請 Ί S3 | 膜 室 中 ♦ 讀 背 I 一 高 周 波 產 生 装 置 * 具 有 —. 高 周 波 電 極 I 以 形 成 一 長 方 冬 1 I '兔 ! | 形 平 行 管 狀 之 高 周 波 電 漿 f 其 平 行 於 該 基 板 表 面 之 截 面 之- 事 XS I 再 1 長 邊 長 度 足 Μ 於 該 基 板 之 該 表 面 側 上 覆 蓋 該 基 板 表 面 之 一 填 , 寫 本 裝 側 ： Μ 及 頁 1 | — 用 Κ 輻 射 離 子 束 至 該 基 板 表 面 上 之 装 置 Η 控 制 薄 1 1 膜 之 特 性 0 1 1 因 此 不 搏 統 薄 膜 成 形 装 置 中 高 周 波 電 漿 形 成 球 狀 般 1 訂 1 該 高 周 波 電 漿 像 依 該 方 形 基 板 表 面 之 輪 廊 而 形 成 一 方 1 I 體 或 一 長 方 形 平 行 管 狀 且 該 基 板 的 整 個 表 面 被 該 高 周 波 1 1 I 電 漿 所 覆 蓋 而 不 發 生 浪 費 的 情 形 因 此 高 周 波 電 功 率 可 1 i 有 效 被 利 用 而 正 方 形 或 長 方 形 基 板 的 整 個 表 面 可 有 效 覆 1 蓋 上 一 均 匀 厚 度 與 一 致 特 性 之 薄 膜 0 1 I 該 装 置 之 第 二 方 面 為 一 根 據 該 第 .一_. 方 面 -y 薄 膜 成 形 装 置 I I 9 其 中 該 高 周 波 電 極 之 形 成 使 得 該 高 周 波 電 漿 於 該 基 板 表 1 1 面 上 -V 輪 m 具 有 與 該 基 板 表 面 相 同 之 形 狀 並 覆 蓋 住 整 涸 1 1 基 板 表 面 〇 1 該 装 置 之 第 三 方 面 為 一 根 據 該 第 —_ 方 面 之 薄 膜 成 形 装 置 i I 9 中 ,1¾ 高 周 波 產 生 装 置 具 有 複 數 個 功 率 供 給 部 件 並 產 I 1 生 IJ H F ί 帝圍之高周波 ) 1 1 | 装 置 之 第 四 方 面 為 根 據 該 第 二 方 面 m 膜 成 形 装 置 1 ! 冬.紙張<度’:4用？爿國家標準（〇!^)八4現格1：：10;<:297公釐） A7 經濟部中央標準局負工消費合阼比印製 相 置 成 中装昭〖。膜 ，基 表方步 t 不 面 在 P 一 度 有 裝 膜室 形板形 薄源該 板正一 不之表 澂薄 成11 具。形、 薄膜 成基方 之子射 基之進，致板 符該形 邊 面 上成。 之 成膜之 長面離 照 該面並 座所基 其.，漿良 表面膜 f 面該薄束或方一並 在表，板射形 ，成11之 3 極平 薄方入 該子形 二括， 射個費基照方 置組波iffl 電之之 d 一拉且離方第包中 照整浪如束該 装阪周飩 波面面 々第被，得正 該置室 並蓋之,子 於 形形 高之 ‘,β1 周表方 Ζ 該漿射使之據裝膜 出覆射分離可 成方該面 高板一ΜΗ據電照廓面根之成 引一照部於，瞑膜之使丧 該基第16根波束輪表一束該 被成束的由此薄薄一血以板 沿該該12一周子之板為子入 中變子外免因之一表，基 Μ 於據ΖΡ供高離成基面離拉 源面離以避。性ι-ft形極該 係行根ΜΗ提過等形個方射漿 子表免板可果持提方電於 件平 一27明透該所整六輻電 離射避基，後致明艮波ΓΤ· 部一為於發係被其到第Μ波 自照可且此害一發有周平 給 於面介 本束可，射之 用周 已之， -因有與 本具高'ft 供 置方係 之子 面源照 置該高 被 射此費。之度 之 一 一 ， ) 率配五波述離表子可装中遇。板照因浪到成厚述由有狀 5)功式第周所中板離一該其透面基束。的射造勻所除烘管 ( 等方之高面其基一成，，束表該子形率照所均面板提行 明 該之 置該方，該有形之置子個.離方功束執一 一 方基1.,'!· 中隔裝中六置使供面言装離整此 之畏電子加成t-πί装 t ¥ 其間該其第裝致提表換形得的因上或少雛要形，第：K/J 發 ，同 ， 形，置射 成使板 面形減破必匕 於成柽 、 五 f 裝 訂 1 切 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適;f丨中闽闽家標準（CNS ) Λ4現格（：：丨0.、2〇7公f ) 經濟部中央標隼局員工消費合作仕印製 A7 B7五、發明説明（6 ) 足以於該基板之該表面翻t覆蓋該基板表面之一·側；且該 薄膜成形裝f提供有6基板移動裝置_ ’用Μ使該基板沿該 截面之短邊動。 因此，關於由該高周波電極所形成之高周波電漿，其輪 廓為一長方形平行管狀，平行於該基板之畏方形截面之一 短邊比該基板短，使得僅有一部分基板表面可被該高周波 電漿所覆蓋，然而，因為基板移動装置沿短邊方向移動基 板，故可K連績方式使I高周波電漿覆蓋整個基板表面。 因此，整酒基板表面可覆篕上一均勻厚度與一致特性之薄 膜。 在此例中，可藉由使該等高周波電極之一之相對表面間 之間隔小於該基板之小型结構，而有效於一不考慮基板大 小之長方形表面上形成一均勻厚度與一致特性之薄膜。 第八方面所述之本發明提供一根據該第t方面之薄膜成 形裝置，其中離子束係透過高周波電漿被拉入該成膜室中 -致使該基板表面可被該等離子束照射，且該薄膜成形装 置提供有一離子源，該等離子束照射至該基板上之照射區 域為一與該成膜室中所進行膜成形過程相符之長方形ΰ 因此，自離子源抽入成膜室中之離子束可有效照射在該 基板上。因此，根據與第六方面中所述相同之作用，薄膜 成形裝置可進一步減小•且變成可形成一均勻厚度與一致 琦性之薄_。 本發明之第九、十、與十一方面提供一根據該第一方面 之薄_成肜装置|其中該等高周波電極之形成丨系Μ複數® 本纸張尺皮遇用中國固家標隼（（:NS ) Λ4現格t ：：丨〇〆21)7公慶） -0 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) /J"

、1T Λ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（Ί 1 1 電 極 ， 尤 其 是 四 個 平 板 電 極 9 於 該 基 板 之 該 表 面 側 上 排 列 1 1 成 —_. 方 肜 之 方 式 形 成 於 該 成 膜 室 中 其 彼 此 間 圼 電 絕 緣 * 1 I 且 薄 膜 成 形 裝 置 提 供 有 一 高 周 波 電 功 亨 供 給 裝 置 用 Μ 請 先 1 個 別 供 應 一 高 周 波 電 功 率 予 每 — 平 板 電 極 9 使 得 供 給 至 每 閱 讀 1 背 - 平 板 電 極 之 電 功 率 強 度 可 個 別 控 制 0 由 於 前 述 者 故 可 面 之 1 注 1 依 基 板 -y 輪 TTia 廓 與 尺 寸 精 確 控 制 高 周 波 電 漿 之 分 佈 0 因 此 9 k- 事 項 1 | 變 成 可 形 成 —_. 均 勻 厚 度 與 一 致 特 性 之 薄 膜 0 尤 其 可 形 成 再 jti. 大 面 積 大 方 形 基 板 之 均 勻 厚 度 與 一 致 特 性 之 薄 膜 0 寫 本 頁 裝 1 本 發 明 提 供 ___» 根 據 上 述 各 方 面 之 薄 膜 成 形 装 置 其 中 該 1 I 等 高 周 波 電 極 之 形 成 係 Μ 複 數 個 電 極 尤 其 是 四 個 平 板 電 1 1 | 極 於該基板之該表面側上排列成 一 方 形 之 方 式 形 成 於 該 1 1 成 膜 室 中 其 彼 此 間 圼 電 絕 緣 且 該 薄 膜 成 形 裝 置 提 供 有 訂 1 一 高 周 波 電 功 率 供 給 装 置 用 以 於 兩 個 彼 此 相 對 之 平 板 電 1 1 極 間 分 別 供 應 一 高 周 波 電 功 率 0 因 此 可 Μ 與 前 述 者 相 同 1 I 之 方 式 進 行 高 周 波 電 漿 之 分 配 控 制 0 尤 其 可 根 據 基 板 表 1 面 之 長 短 邊 比 例 精 確 控 制 高 周 波 電 功 率 在 彼 此 垂 直 之 兩 方 1 向 上 之 供 給 0 因 此 可 避 免 電 功 率 進 給 之 錯 誤 控 制 發 生 1 1 而 高 周 波 電 漿 之 分 配 可 控 制 在 一 g 標 值 0 1 根 據 第 十 二 方 面 t 當 該 薄 膜 成 形 裝 置 提 供 有 一 位 於 該 等 1 I 平 板 電 極 上 或 位 於 彼 此 相 對 之 兩 個 平 板 電 極 間 9 用 K 使 1 1 I 周 波 相 波 此 同 步 之 装 置 時 可 形 成 . 均 厚 度 與 — 致 特 性 1 薄 險 Ί 該 装 置 -y 第 十 三 方 面 為 一 根 據 該 第 ____. 方 面 -V 膜 成 形 裝 1 置 η. 中 該 用 K 糊 射 離 子 束 之 装 置 透 過 —一 a 方 形 縫 將 離 1 1 -Μ氏張尺度吨⑴中㈣國孓標隼（CNS ) Λ4規格（2U) 乂 21)7公；f ) -10- A7 B7 經濟部中央標準局負工消资合阼社印^ 五、發明説明 (8 ) 1 1 束 引 入 Λ· 士 m m 成 膜 室 中 〇 1 1 該 装 置 之 第 十 四 方 面 為 一 根 據 該 第 — 方 面 薄 膜 成 形 装 1 1 置 t 其 中 該 用 輻 射 離 子 束 之 装 置 透 過 __. 與 該 基 板 尺 寸 相 r-V 請 先 1 配 合 縫 將 離 子 束 引 入 該 薄 成 膜 室 中 〇 閱 讀 1 背 1 該 裝 置 之 第 十 五 方 面 為 根 據 該 第 — 方 面 之 薄 膜 成 形 装 面 之 1 注 1 置 其 中 該 用 >λ 輻 射 離 子 束 之 装 置 透 過 複 數 個 形 成 於 m 板 意 事 1 項 | 上 之 洞 將 難 子 束 引 入 該 薄 成 膜 室 中 0 再 該 裝 置 之 第 十 方 面 為 一 根 據 該 第 一 方 面 之 薄 膜 成 形 装 寫 本 頁 裝 1 置 其 中 該 用 VX 轜 射 離 子 束 之 装 置 透 過 — 光 束 遮 蔽 板 將 離 1 I 子 束 引 入 該 薄 成 膜 室 中 該 光 束 遮 蔽 板 具 有 一 與 欲 於 其 上 1 1 I 形 成 該 薄 膜 之 該 基 板 長 邊 相 配 合 之 縫 0 1 1 訂 因 此 白 離 子 源 抽 入 成 膜 室 中 之 離 子 束 可 有 效 眧 >、、、 射 在 該 1 基 板 上 〇 因 此 根 據 與 第 方 面 中 所 述 相 同 之 作 用 薄 膜 1 1 成 形 装 置 可 進 —- 步 減 小 且 變 成 可 形 成 一 均 勻 厚 度 與 一 致 1 I 特 性 之 薄 膜 0 1 .W- 簡 單 圖 式 說 明 1 圖 1為本發明第- -實施例之裝置配置視圖‘ *> 1 1 圖 2為沿圖1 之 線 A-A ' 所 取 之 部 分 平 面 圖 〇 1 圖 3為本發明第二簧施例之離子束引出電極之電極板平 1 I 面 圖 0 I 圖 4為以遮板限制離子束之例之装置配置視圓 .1 1 圖 5為圖4所 示 遮 板 之 平 面 圖 〇 i 圖 6 a i 顯 示 一 種 用 作 引 出 離 子 束 所 用 引 出 電 極 多 孔 型 1 1 電 極 板 -v 面 圖 » 而 圖 6 b ) 顯 示 一 種 用 作 引 出 離 子 束 所 用 i 1 木紙張义度通用·Ρ國國家丨票孪（CNS ) Λ4規格（2丨如.>)7公鏠) -11- 經濟部中央標隼局員工消費合阼钍印繁 A7 B7 五、發明説明（9 ) 引出電極之縫型電極板之平面圖。 圖7為本發明第三實施例之平面圖。 圖8為本發明第四實施例之平面圖。 圖9為本發明第五簧施例之平面圖。 圖1 0為本發明第六實施例之平面圖。 圖11為本發明第七實施例之平面圖。 圖12為圖11中所示基板之平面圖。 圖13為傳統裝置之平面圖。 圖14(a)與14(b)分別為用以說明由該傳統装置所進行之 一方形基板上之成膜之平面圖。 較佳實施例之說明 參閲圖1至12，本發明之實施例將說明如下。 第一實砲例 首先，參閱圖1輿2說明本發明之第一實施例。 圖1顯示該裝置之配置圖。利用將離子束4引出之引出電 極5將真空室3分割成上方離子室6與下方成膜室7。一直在 位於該成膜室7下方位置處之放電埠8處進行真空放電。 當離子物種之氣體被由一未示於圖中之氣體引入埠引入 該離子源室6時，此氣體藉由高周波放電或微波放電變成 電漿，而離子束4便藉由引出電極5而自該離子源室6抽入 該成膜室7中。 Μ於此，圖中所示之參考編號9為一磁埸產生裝置，如 一永久磁戡或線圈。此磁場產生裝置與該引出電極5以及 該離子源6 —起組成一離子源。 轸紙張尺度通丨Α闽國家標率（CNS ) Λ4規格（：!<).χ 247公箱：） -]2 - nn In ' 士，^^ —-J 、vs 一鰣 /1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ΑΊ Β7 經濟部中央標皁局Hx消膏合泎社印繁 五、發明説明 (10) 1 1 關 於 引 出 電極 5， 提供三種型式的引出電極5 a ， 5b，5 C 1 1 t 其 從 該 離 子源 室 6依序装設。 在此洌中 電極5 a係用Μ 1 1 加 速 電 極 5 b ί系 用 Μ 減 速 9 而 電 極 5 c tk 用 以 接 地 。絕緣 器 請 先 1 10 配 置 在 電 極5a 到 5 c 間 0 閱 讀 1 背 1 在 該 成 膜 室7中， 基板座11水平設置在該放電埠8之上 方 面 之 1 注 1 位 置 處 0 在 Μ該 離 子 束 4照射之此基板座1 1上之- 一泣置處 意 事 1 項 | » 提 供 一 方 形基 板 12 f 其 表 面 為 正 方 形 或 長 方 形 ，如一 再 寫 V 裝 TFT- L C D玻璃基板。 本 頁 1 在 此 基 板 12之 一 上 方 位 置 處 S 提 供 一 高 周 波 電 極13。 此 1 I 高 周 波 電 極 13非 為 傳 統 式 的 圓 柱 形 電 極 〇 如 圖 2中所示， 1 I 其 為 沿 圖 i之線a -A '所取之成膜室7 圖 > 該 電 極 由 一中空 立 1 1 訂 方 體 或 —* 中 空長 方 形 平 行 管 所 組 成 其 平 行 於 基 板12之 截 1 面 為 一 環 繞 該基 板 12 之 正 方 形 或 長 方 形 〇 1 1 關 於 此 在該 成 膜 室 7之外圍上 提供- -由永久磁鐵或 1 I 線 圏 組 成 之 磁場 產 生 装 置 其 未 於 圖 中 0 1 將 生 料 氣 體由 該 氣 體 引 入 埠 14引 入 該 成 膜 室 7中•開故 1 適 當 的 高 周 波電 源 15 並 在 上 逑 條 件 下 連 接 至 ΒΆ 高周波 電 1 f 極 1 3 ， Κ 開 始放 電 0 由 於 Μ 上 的 放 電 局 周 波 電 漿於該 高 1 周 波 電 極 1 3 内側 卞 一 空 間 中 形 成 〇 此 高 周 波 電 漿 將生料 氣 ! i 體. 解 離 並 活 化。 1 I 藉 此 解 離 興活 化 如 離 子 與 白 由 基 等 成 膜 物 種 累積在 該 一！ I 基 板 ί 2 之 表 面上 » 而 於 該 基 板 1 2 上 形 成 一 薄 膜 〇 1 1 同 時 離 子束 4透過高周波電漿照射在該基板】 2之表面 1 1 h ί 0 形 成 於 該基 板 1 2 h 之 薄 膜 特 性 » 如 结 晶 性 m 位向1 受 ! 1 本紙張尺度中写國家標準（CMS ) Λ4坭格：!丨0/297公if ) - 1 3 - 經濟部中央標準局員工消f含阼fi印t. A7 B7 五、發明説明（u) 到控制而可圼均句。 此時，根據該高周波電極1 3之輪鄆，其輪廊為僅覆蓋基 板12表面之一立方體或一長方形平行管狀之電埸分佈在該 高周波電極13内。因此，ψ μ-, ^ m ^ μ ia jg m m 〇根據 此電分佈沭成媵-物種佈分佈存該革板1 ? > %-m上。 因I，薙隱僅沉穑餌形成於基板1 2之表面上。 該薄膜很少附著至如基板座11之基板Μ外之部分。因此 ，不會浪費高周波電功率，且可有效形成一薄膜。另外， 該薄膜很少附著至基板以外之部分。因此，不可能剝除不 必要的薄膜，且該基板1 2之膜成形表面不可能被此剝除之 薄膜污染。因此，可減少清潔工作。 因此，在該基板12的整個正方形或長方形表面上，可有 效形成均勻厚度與一致特性之薄膜。 鼷於此，該離子源室6與成膜室7之輪廓可為立方體、長 方形平形管狀、或圓柱狀。 在此簧施例中，藉由利用高周波之UHF範圍（10-500 MHz)，尤其是27-216 MHz，可產生更均勻的高密度電漿， 並可於基板上形成高品質薄膜，而不會受損。 若使用高周波之UHF範圍（10-500 MHz) ·可得到如下三 種優點。 (1 )電漿密度可增加。 (2 )可_加低功率而得到高密度電漿。 (3 )可降低電漿位能，降低基板的電漿損傷。 與R F範圍比較，1丨〖丨F範圍的高周波很難縳移'•因此，較 f紙張尺度適:fl屮阁4家丨票準（CNS ) Λ4規格（公緩） -14 - 批衣_f 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局员二消今合阼比印11 A7 B7 五、發明説明（12 ) 佳於該電極1 3之複數涸部分處設置複數個功率供給装置。 第二簧施例 其次，參閲圖3至6說明本發明之第二實施例。 在此第二實施例中，為了使第一實施例中之離子束4僅 照射至基板12之表面上，所有組成引出電極5之電極5a至 5 c或該等電極中之某些係由圖3中之電極1 6所組成。 在此電極16中，適當数目的引出孔17均匀地僅形成於一 覆蓋該基板12之正方形或長方形區域中。當離子束4從這 些引出孔1 7抽離時，Μ離子束4照射於基板1 2上之照射面 輪鄆寒成覆蓋該基板12表面之一正方形或長方形。 因此，在此實施例中，高周波電漿形成基本上覆蓋該基 板12表面之一立方體或一長方形平行管狀，而離子束4僅 照射該基板1 2表面。因此，可避免不必要的離子束4照射 。因此*可減少離子束4之電功率消耗，並Μ低成本有效 形成一薄膜。 在該離子束4照射中可遛免基板外部分，如基板座11， 溫度之升高。因此，可進一步改善膜成形特性。 關於此，若離i源室6與成膜室7如傳統装置般為圓柱狀 之方式，且該引出電極5為圓柱狀，則該離子束之照射可 Μ如下方法控制，以代替設置方形電極1 6。 如圖4與5中所示，於離子源室6中緊郯該引出電極5之前 或於成膜室7中緊郯該引出電極5之後之一位置處提供一碟 形遮蔽板1 8。 在此遮蔽板1 8上·在基本t與該基板丨2表面重叠的部分 P喊用家標準（CMS ) λ4現格 I、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------裝-- *?TI— n ‘ 經濟部中央读準^3:、\ ί··;:..'±. A7 B7五、發明説明（13)中形成一引出開口 19。離子束4可自此開口 19引出，使得 只有該基板1 2表面可被該離子束4照射。 其次，取代配置該遮蔽板1 8者，可將所有的引出電極5 ，或電極5a到5c中之一些，由圖6(a)中均句形成大數目引 出孔2 0之圖中所示之電極2 1，變化至圖6 ( b )中僅在與該基 板12表面重鲞的部分中形成複數個長方形引出縫22之圖中 所示之電極2 3。同時，在此例中，離子束4自每一引出鏠22抽離，使得 基本上僅有基板1 2之表面可被雛子束4照射到。關於此，若離子源室6與成膜室7非為圓柱狀，亦可提供 極 電 與例 18施 板實 蔽三 遮第 次圖 其與 圖 閲 參 例 施 實 三 第 之 明 發 本圖 明 ’ 說同 7/Γ 相 式 方 之 室 0 成 示 顯 為 面 平 之 分 部1 之 之 中 例 施 實1 第 代 取 中 例 施 實 此 在 示 所 中 7 圖 如 ο 圖 極極框 電 電 形 波板方 周平 一 高 個成

四形2e 置係極 設4d電^ Μ « 置 周 位24高 13極的 極電式 電板形 該平鏠 於個裂 25四一 器 ，供 緣即提 絕亦-過，式 透4d方 ,2此 , 至 者 3M 至 進 率 功 波 周源 高 電 1 波 成周 形高 其個 ， 四 7d該 由 別 27個 源為 電 '率 波功 周波 高周 個 高 四 , 供置 提 装 給 至 a 7 至 給 供 2 至 至 極 電 板 平 等 該 至 應 供 得 o 使制 ， 控 4dM ? JD 別 24假 極可 電 率 板功 平 電 等 之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

至 時 空 制 一 控 之 別3Γ 個内 B 為 2 寒極 功 電 電波 之 周 4d高 y.- 該 之 24域 極區 S成 板形 平漿 等« 亥 皮 1311’·*·ί 至 周 應高 供 為 當在

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（14 ) 間中之電場分佈可自由控制，而可控制高周波電漿。 因此，尤其當基板1 2很大時，亦即當該基板之面積很大 時，可使高周波電漿均勻，而可形成高品質之薄膜。 若電功率係如第一實施例般自該單一之高周波電源1 5供 應至該高周波電極1 3，則高周波電極1 3之尺寸亦須根據該 基板1 2尺寸之增加而增加。因此，會延遲高周波之傳輸， 而在該高周波電極内部之一空間中之電場分佈傾向於變得 不均勻與不蒱定。结果，該高周波電漿無法均勻形成，而 薄膜無法均勻形成於該基板1 2上。Μ此方式，可能會使所 形成膜之品質惡化。 一方面，在第三實施例中*當平板電極24a至24d之電 係個別供應自高周波電源27a至27d時，供應至每一平 極2 4 a至2 4 d之電功率強度可個別加Μ控制。即使基板 12為一大基板，其面積很大，亦可輕易使該高周波電極26 内部之一空間中之電場分佈均勻而穩定，並可進一步肋於 生料氣體之裂解，使高周波電漿均勻，而於該基板1 2上形 成一均勻薄膜。 由於可於該高周波電極26内部之一空間中形成均勻高周 波電漿，該電極之尺寸不需要增加，而不像在均勻形成電 漿之該高周波電極U内之一部分中形成一較均勻薄膜之例 中者般… 因此，此實施例之優點在於装置之尺寸可縮小1且可於 大面磧基板1 2表面h有效形成均勻學度與一致特性之薄膜 :在此洌中，電功率消耗很小，且可Μ低成本有效形成一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ΙΟΧ 297公釐） I~, 7 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（I5 ) 薄膜。 第四簧施例 接著，參閱圖8說明本發明之第四簧施例。 圖8係K與圖7相同方式顯示之平面圖。如圖8中所示， 在此實腌例中，四個平板電極2 8 a至2 8 d係K間隔方式排成 一方形，與圖7中所示之高周波電極26相同之該高周波電 極2 9係設置在該高周波電極2 6之位置處，而該高周波電源 30x供懕高周波電功率至彼此相對之兩個平板電極28a， 2 8 c間，而該高周波電源3 0 y亦供應高周波電功率至彼此相 對之兩個平板電極28b，28d間。 在此例中，當藉由高周波電源30x供應至該兩平板電極 28a，28c間之高周波電功率與藉由高周波電源30y供應至 該兩平板電極28b，28d間之高周波電功率之比設定在與基 板12側邊之比相同之值時，可在基板12表面上精確形成均 勻之高周波電漿。 因此，尤其當該基板12為一表面為長方形之方形基板時 ，欲自該高周波電源3 Ο X，3 0 y輸入之電功率可根據該基板 長邊對短邊之比而輕易並精確地決定。 第五簧施例 接著，參閲圖9說明本發明之第五簧施例。 圖9中所示之第五貿施例組成如下。在圖9中，將相位控 制單元3 1加至圖7所示之结構中。Μ此單元3 1之相位蝓入 區段：Ι 1 a監测每一高周波電源2 7 a至2 7 d之輸出相位。根據 偵測结果，每一高周波電源2 7 a至2 7 d之高周波相位丨系Μ此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） _ ι 〇 _ I HH -- 1^1 Hi- 1 I ...... - —I M^v -I 11— I -----ml . ! I -- i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 16) 1 1 單 元 3 1 之 相 位 控 制 訊 號 輸 出 區 段 3 1 b控制 致使加 諸每一 1 1 平 板 電 極 24 a 至 2 4 d 高 周 波 相 位 可 被同 步 化。 1 1 在 此 例 中 f 可 避 免 因 加 諸 每 一 平 板電 極 24a至24d之高周 請 先 Ί 波 電 壓 相 位 偏 移 所 致 之 电 場 擾 流 的 發生 Ο 因此，在此實砲 閱 讀 1 背 1 例 中 » 可 形 成 比 實 施 例 7中者w m定的高周波 電漿。 由 之 1 注 1 第 六 實 施 例 意 事 1 項 1 接 著 9 參 閱 圖 10 說 明 本 發 明 之 第 六簧 施 例。 再 4 ί- 圖 10 中 所 示 之 第 六 實 施 例 組 成 如 下。 在 圖10中 將相位 % 本 頁 '装 1 控 制 單 元 31加 至 圖 8所示之结構中 、加諸彼此相對 之兩平 N_> ! ! 板 電 極 28 a ， 2 8c 上 以 及 加 諸 彼 此 相對 之 兩平板電極28b 1 I 28d上之高周波電源30x 30 y之高周波相位，受 到此單 1 1 訂 元 3 1 之 相 位 輸 入 區 段 31 a之控制 > K此方式，加諸 彼此相 1 對 之 兩 平 板 電 極 28 a 28c 上 之 高 周 波相 位 可與加諸彼此相 1 1 對 之 兩 平 板 電 極 28b 28d 上 之 高 周 波相 位 同步。 1 1 在 此 m 中 可 遴 免 電 漿 空 間 中 電 場擾 流 的發生· 5因此， i 在 此 實 施 例 中 可 形 成 比 簧 施 例 3中所示者更穩定 的商周 Ί I 波 電 漿 〇 1 第 -t 實 施 例 ! 1 接 著 參 閲 圖 11 與 -1 2說 明 本 發 明 之第 七 實施例 1 1 圖 11 為 顯 示 總 體 配 置 之 圖 而 圓 1 2為 該 基板之平面圖。 1 fi ΐ與2 中 及 圖 1 1 與 1 2 中 使 用 類 ίΜ 的參 老 符號指出類Μ的 1 I 元 件 - ' ! 在 此 賞 胞 例 中 » 基 板 1 2 比 高 周 波 電漿 尺寸茛 ‘因此， i 1 如 圖 1 i 中 所 示 在 成 膜 室 7中提供- -水尹方向形成 之基板 1 ! 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） _ ! g — A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 1 I 输 送 通 道 32 〇 置 放 於 該 基 板 座 11 上 之 基 板 12藉 由 一 基 板 移 I 1 動 装 置 * 如 一 輸 送 器 沿 該 輸 送 通 道 32移 動。 1 1 藉 由 高 周 波 電 極 13形 成 於 基 板 12 表 面 —t 之高 周 波 電 漿 為 請 先 Ί 長 形 平 行 管 狀 0 如 圖 12 之 陰 影 部 分 所 示 ，高 周 波 電 漿 平 閣 讀 1 背 1 行 於 基 板 之 截 面 長 邊 1長度足K覆蓋該基板之- -邊 (視圖 面 之 1 注 ! 中 為 短 邊 ) ’’ a !» > 意 事 1 項 1 當 該 基 板 12沿 高 周 波 電 漿 截 面 之 短 邊 ” s ”方向移動時 再 4 -» 窝 装 1 9 亦 即 當 該 基 板 12沿 該 基 板 12之 長 邊 ” b ”方向移動時 被 本 頁 高 周 波 電 漿 覆 蓋 之 基 板 12 部 分 移 動 使 得 薄膜 可 形 成 於 ! 1 基 板 1 2的 整 個 表 面 上 0 1 I 此 時 高 周 波 電 漿 基 本 上 僅 覆 蓋 該 基 板 12之 表 面 而 不 1 1 訂 會 在 非 基 板 的 部 分 形 成 不 必 要 的 薄 膜 〇 因 此， Μ 第 — 實 拖 1 例 及 其 它 賁 施 例 中 相 同 之 方 式 可 有 效 形 成一 均 勻 厚 度 與 1 1 一 致 特 性 之 薄 膜 0 1 1 藉 由 高 周 波 電 Μ-Μ 蓋 —. 部 基 板 12 表 面 之小 電 極 结 構 9 ! 可 在 不 考 慮 基 板 尺 寸 的 情 形 下 於 該 華 板 12的整 偶 表 面 上 形 Ί 1 成 _ 均 勻 厚 與 __· 致 特 性 Ζ 薄 里 0 因 丨tti 可壓 縮 該 装 置 0 1 關 於 此 當 該 基 板 1 2 之 邊 為 圖 1 2 中 所 示之 長 邊 "b '' 1 1 且 高 周 波 電 漿 為 長 方 形 平 行 管 狀 其 長 邊 1覆蓋該基板1 2 ! 1 長 邊 ，’b 時 ，該基板ΐ 2可於高周波電漿之短逷” s " 方 向 h 1 1 移 動 1 | 關 於 此 9 在 第 t 宵 施 例 中 * 當 m wtt 子 束 4之照射類糾於第 1 Ί 二 寊 施 例 般 控 制 t 巨 僅 有 · 部 分 被 高 周 波 電漿 m 蓋 基 板 1 1 1 ‘L 被 離 束 4照射到時 •當然變成可Μ低成本在基板1 2的 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -20 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

五、發明説明（18 ) 1 1 整 個 表 面 h 形 成 __. 均 勻 厚 度 與 一 致 特 性 之— 薄 膜 〇 1 I m 代 該 高 周 波 電 極 13者 % 可 安 排 第 三 或 第 四 實 施 例 中 所 1 1 述 之 裂 型 式 高 周 波 電 極 26 t 29 * 以 ττ户 成 高 周 波 电 漿 0 在 請 1 ^ 1 先 1 此 例 中 f 較 佳 加 入 第 五 或 第 -ΐ. 霣 施 例 中 所 述 -y 相 LX. U 控 制 單 閱 ft 1 脅 元 31 〇 之 1 注 I 實 例 意 事 1 - 項 I 接 著 j 於 Μ 下 說 明 本 發 明 之 諸 實 例 0 再 /1 實 例 1 窝 本 \ 、表 頁 1 首 先 於 Μ 下 說 明 類 似 於 第 一 實 強 例 實 例 1 - 在此簧 1 I 例 中 如 圖 1與2所 示 該 高 周 波 電 極 1 3形成 一 中 空 方 體 1 1 I 或 一 中 空 長 方 形 平 行 管 狀 其 蕺 面 類 似 於 該 基 板 12 且 高 1 I 訂 1 周 波 電 漿 形 成 覆 蓋 基 板 12整 個 表 面 之 一 立 方 體 或 一 長 方 形 平 行 管 0 1 1 m 基 板 12成形為 — 長 方 形 板 其 尺 寸 為 300 m m X 4 0 0 m m 1 I 該 高 周 波 電 極 1 3成形 為 一 中 空 長 方 形 平 行 管 狀 其 尺 寸 為 1 1 3 5 0 /π π? X 4 5 0 in m 0 強度為300 W之電功率 g 高周波電源1 5輸入 1 至 該 商 周 波 電 極 1 3中 因 而 進 行 膜 的 形 成 0 结 果 m 厚 度 1 的 均 勻 度 比 與 膜 特 性 的 均 勻 度 比 為 + 5¾ 1 1 形 成 於 基 板 外 區 域 中 -y 非 必 要 膜 之 形 成 範 圍 降 約 1 I 70¾ ，其與傳統装置中Μ圓柱狀高周波電極所進行者相同。 1 1 1 實 例 2 Ί 接 著 將 於 Μ 下 說 明 實 例 2 >其中圖7中 所 示 之 高 周 波 電 1 極26被 安 排 取 代 該 高 周 波 電 極 1 2 ， 形 成 . m j 1 1 換 * 強 度 為 2 0 0 W 之 電 功 率 被 輸 入 至 >~-Λ- 间 周 波 电 極 26 1 I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -21 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用令國國家榡準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（I9) 之每一電極2 4 a至2 4 d中，而膜之形成係於與實例1中相同 之基板1 2上進行。结果，膜厚度的均勻度比與膜特性的均 匀度比均為ί 4 %。兩者之比率均比實例1中者改善了 1 %。 另外，如圖9中所示，設置該相位控制單元3 1，而加諸 在該等平板電極2 4a至2 4d上之高周波相位波此同步。结果 ，膜厚度的均勻度比與膜特性的均勻度比均為13 . 7 :¾ *換 言之，膜厚度的均匀度比與膜特性的均匀度比均獲進一步 改善。 實洌3 接著，將於Μ下說明實例3，其中設置圖8中所示之高周 波電極2 9，並進行成膜。 該高周波電源30χ供應高周波電功率至彼此相對之兩涸 平板電極2 8 a , 2 8 c間，而該高周波電源3 0 y亦供應高周波電 功率至彼此相對之兩個平板電極2 8 b , 2 8 d間，因而進行成 膜。此時，該基板12M與實例1與2中相同的方式成形為一 長方形板，並根據該長邊對短邊之比，自短邊上之電源 30x輸入強度為300W之電功率，以及自長邊上之電源30y輸 入強度為4 0 0 W之電功率。结果，膜厚度的均勻度比與膜特 性的均勻度比均為ί 4 %。 另外，如圖1 0中所示，設置該相位控制單元3 1，而加諸 在該短邊上平板電極2 8 a | 2 8 c上之高周波相位與加諸在該 S邊上平板電極2 8 b，2 8 d上之高周波相位同步。結果，膜 厚度的均勻度比與膜特性的均勻度比均為13 . 5 :¾，換言之 ，膜厚度的均勻度比與膜特性的均勻度比均濩進一步改善… -22 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------------衣-----

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ Β7 五、發明説明（20 ) 實例4 接著，將於以下說明貿例4，其中移動該基板1 2 Μ形成 一薄膜。 在此實例中*圖1 1中所示高周波電極1 3平行於該基板1 2 之截面形成一中空長方形平行管狀，其尺寸為35〇ramx 100mm。強度為200 W之電功率自高周波電源15 _人至該高 周波電極13中，因而形成高周波電漿，其輪廊為一中空長 方形平行管狀，其平行於該基板12之截面為350mm(長邊I) X ΙΟΟίΒΙΠ (短邊 S)。 Μ離子束4照射之表面經測定為一部分，其尺寸為350 mmx 100mm，與該基板12被高周波電漿覆蓋之基板12部分 重叠。 然後，基板1 2之尺寸經測定為3 0 0 m m (短邊” a ”）X 4 0 0 m m ，（長邊” b ”），且如圔1 2中所示，基板1 2係Μ該高周波電 漿之長邊” 1 ’’可與該基板1 2之短邊” a ”平行之方式置放於基 板座1 1上，並在基板1 2沿該長邊” b ”方向移動的同時進行 成膜。结果，於該基板丨2的整個表面上形成一均勻厚度與 一致特性之薄膜，其中膜厚度的均勻度比與膜特性的均勻 度比均為i 3 S；。 在此實例中，用Μ形成一基板之時間長度大約為實例ί 中長度之四倍，然而，輸入電功率之強度降至1 / 4 ·且厚 度均勻性較佳。 在t述之每一實例中，將高周波設定在U . 5 6 Μ Η ζ 然而 ，應注意者為本發明並不限於上述之特定高周波，R F範圍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公f ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------------袈--- 、1Τ 經濟部中央標隼局員工消費合作社印袋 A7 B7 五、發明説明（21 ) 與[丨H F範圍均可應用至本發明中。 本發明可提供Μ下的效果。不Μ搏統装置的高周波電漿 般，申請專利範圍第1項之例中之高周波電漿並非球形， 而是根據方形基板1 2表面之輪廊形成一立方體或一長方肜 平行管狀。因此，該基板12的整個表面可被高周液雷漿所 覆蓋1因此，可有效使f高周波電功率’並可於該正方肜 或县方形基板1 2的整個面上形成一均勻厚度與一致特性 第六方面中所述之本發明提供Μ下的效果。受到自離子 源引入該成膜室7中之離子束4照射之基板12照射表面形成 一覆蓋整個基板12表面之正方形或長方形。因此，離子束 4在照射中不會浪費，並可進一步減少電功率消耗。同時 ，如基板座等基板Κ外之部分不會受到離子束4之照射。 因此，避免該部分加熱升溫。因此，可更有效於該方形基 板1 2上形成一薄膜。 第t方面中所述之本發明提供Μ下的效果。該基板移動 装置使基板1 2於高周波電槳之短邊” s ”方向上移動。因此 ，基板1 2表面之各部分一個一個陸續被高周波電漿覆蓋， 因而可於該基板1 2的整画表面上形成一均匀厚度與一致特 性之薄膜。此時，高周波電漿基本上僅覆蓋該基板1 2之表 固◊因此•藉由具有僅覆蓋一部分1方形基板1 2表面之高 周波電漿之小電極之小结構，可在不考慮基板尺寸的情形 下形成一均勻厚度與一致特性之薄膜 第八方面中所述之本發明提供以Τ的效果。該捶板1 2於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公煃） 0 , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ¥--- 、1Τ A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明（22) 1 1 該 具 有 如 申 請 專 利 範 圍 第3項中所述结構之装置中受到自 1 1 離 子 源 引 人 該 成 膜 室 7中之離子束4之 有 效 照 射 其中該基 1 1 板 1 2會移動 0 因 此 « 藉 由 與 申 請 專 利 範 圍 第 2項中相同的 /-S 請 先 1 • | 動 作 9 可 於 該 基 板 12上 形 成 一 均 勻 厚 度 與 一 致 特 性之薄膜。 閱 讀 背 ώ 之 注 1 第 九 方 面 中 所 述 之 本 發 明 提 供 Μ 下 的 效 果 0 高 周波電功 1 1 1 率 係 涸 別 供 ataa 愿 給 等 形 成 高 周 波電極2 6之 平 板 電 極24a至 意 事 項 1 1 24d 且輸入至該等平板電極24a 至24d中之電功率係假別 再 填 /1 加 Μ 控 制 0 因 此 可 根 據 申 請 專 利 範 圍 第 1至4項 之装置中 馬 本 頁 装 1 之 基 板 1 2輪廓與尺寸精 確 控 制 高 周 波 電 漿 之 分 佈 。因此， 1 1 可 形 成 —. 更 均 勻 厚 度 與 更 一 致 特 性 之 薄 膜 0 尤 其 ，可於一 1 I 大 面 積 之 大 方 形 基 板 上 形 成 一 均 勻 厚 度 與 一 致 特 性之薄膜。 1 訂 本 發 明 提 供 Μ 下 之 效 果 0 根 據 Λ-->- m 基 板 1 2長邊與短邊之比 1 I » 可 設 定 欲 輸 入 彼 此 垂 直 之 兩 方 向 上 之 局 周 波 電 功率比， 1 1 致 使 高 周 波 電 漿 可 根 據 一 預 定 值 均 勻 分 佈 於 m 長 方形基板 I 1 12之 表 面 上 〇 因 此 可 比 請 專 利 範 圍 第 5項中所述_^例 1 1 I 者 更 容 易 形 成 — 均 勻 厚 度 與 一 致 特 性 之 薄 膜 〇 第 十 二 方 面 中 所 述 本 發 明 提 供 Μ 下 的 效 果 0 加諸申請 1 專 利範圍第5項之平板電極2 4 a至2 4 d間 ，或申請專利範圍 1 1 第6項之彼此相對之平板電極28a 與 28 C間 ，或彼此相對之 1 1 平板電極2 8 b與2 8 d間 高 周 波 相 位 彼 此 同 步 0 1 根 逋 第 十 方 面 « 離 子 源 引 入 該 成 膜 7中之離子束有 % i i 1 效 m 八》、 射 至 基 板 上 因 此 根 據 第 方 面 中 所 述 之相同作 1 Ί I 用 該 薄 膜 成 形 装 置 ^7 尺 寸 可 進 —· 步 11 小 « 且 變 成可形成 1 1 一 均 % 厚 度 與 — 致 特 性 m 勝 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 經濟部中央橾隼局負工消费合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 1 . 一 種 薄 膜 成 形 裝 置 括 ： 1 1 —. 基 板 * 由 — 具 有 長 方形 表 面之方 形板組 成 丨位於 一 成 1 1 膜 室 中 > 請- 1 1 先 一 高 周 波 產 生 装 置 具有 —· 高周波 電極， Μ 形成一 長 方 閲 讀」 i 背 形 平 行 管 狀 高 周 波 電 漿， 其 平行於 該基板 表 面之截 面 積 面 之 1 注 1 長 邊 長 度 足 Μ 於 該 基 板之 該 表面側 上覆蓋 *-·*- 基板表 面 之 意 事 1 - 1 一 側 及 再 l 一 用 糴 射 離 子 束 至 該基 板 表面上 之装置 Κ控制 該 薄 寫 本 頁 装 1 膜 之 特 性 0 'W 1 | 2 . 如 申 請專利範圍第1項之薄膜成形裝置 其中該高周 1 I 波 電 極 之 形 成 使 得 該 高 周波 電 漿於該 基板表 面 上之輪 廊 具 I 1 訂 有 與 該 基 板 表 面 相 同 之 形狀 並覆蓋 住整個 基 板表面 0 1 3 ‘ 如 請 專 利 範 圍 第 1項之薄膜成形裝置 其中該高周 1 1 波 產 生 装 置 具 有 複 數 個 功率 供 給部件 ，並產生ϋ H F範園之 1 I 高 周 波 0 1 4 · 如 申 請 專 利 範 圍第3項之薄膜成形裝置 其中該等功 1 率 供 給 部 件 係 以 沿 該 高 周波 電 極表面 具有相 同 間隔之 方 式 1 1 配 置 於 —. 平 行 於 該 基 板 表面 之 平面上 〇 1 1 5 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 1項之薄膜成形装置 其中該高周 | 波 (系 介 於 27 MHz 與 2 1 6 Μ Η ζ 間 之 範圍内 〇 1 I 6 . 如 Φ m 專 利 範 圍 第 2項之薄膜成形装置 >其中該用Μ 1 1 輻 射 離 了 束 之 裝 置 包 括 一離 子 源，使 得雛子 束 透過高 周 波 1 1 電 漿 拉 入 該 成 膜 室 中 並照 射 該基板 的整画 表 面0 1 1 7, 如 串 請 專 利 範 圍 第 2項之薄膜成形裝置 ，其中 1 1 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1 - A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 丨 1 該 高 周 波 電 極 係 形 成 Μ 使 該 高 周 波 電 漿 成 形 為 長 方 形 1 1 1 平 行 管 狀 f 其 平 行 於 該 基 板 表 面 之 截 面 之 長 邊 長 度 足 Μ 於 1 1 該 基 板 之 該 表 面 側 上 覆 蓋 該 基 板 表 面 之 一 側 ： 且 請 άτ 1 閲 該 薄 膜 成 形 装 置 提 供 有 基 板 移 動 裝 置 9 用 Μ 使 該 基 板 讀 背 ir 1 1 I 沿 該 截 面 短 邊 平 行 移 動 0 之 1 注 1 8 . 如 請 專 利 範 圍 第7項之薄膜成形装置 其中該用以 意 事 1 - 項 1 輻 射 離 子 束 之 裝 置 包 括 一 離 子 源 使 得 離 子 束 透 過 高 周 波 再 填 1 •稀 电 漿 拉 入 該 成 膜 室 中 並 昭 射 欲 藉 該 薄 膜 形 成 之 區 域 0 寫 本 頁 袁 1 9 . 如 甲 請 專 利 範 圍 第 1項之薄膜成形裝置 其中該高周 1 1 波 產 生 装 置 具 有 高 周 波 電 極 複 數 個 平 板 電 極 於 該 基 板 1 | 之 該 表 面 側 上 排 列 成 一 方 形 之 方 式 形 成 於 該 成 膜 室 中 其 1 訂 彼 此 間 圼 電 絕 緣 且 該 薄 膜 成 形 裝 置 提 供 有 __. 高 周 波 電 功 1 率 供 Λ A Να 装 置 用 個 別 供 懕 一 高 周 波 電 功 率 予 每 一 平 板 電 1 1 極 使 得 供 給 至 每 一 平 板 電 極 之 電 功 率 強 度 可 個 別 控 制 0 1 1 1 0 .如申請專利範圍第1項 之 薄 膜 成 形 裝 置 其 中 該 高 周 1 波 產 生 装 置 具 有 高 周 波 電 極 Μ 四 個 平 板 電 極 於 該 基 板 1 I 該 表 面 側 上 排 列 成 一 方 形 之 方 式 形 成 於 該 成 膜 室 中 其 彼 1 1 此 間 呈 電 絕 緣 9 且 該 薄 膜 成 形 装 置 提 供 有 一 高 周 波 電 功 率 1 1 供 給 装 置 » 用 個 別 供 ata 應 一 高 周 波 電 功 率 予 每 — 平 板 電 極 1 » 使 得 供 給 至 每 一 平 板 電 極 之 電 功 率 強 度 可 個 別 控 制 0 1 I 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之薄膜成形裝置 ，其中該薄 | 膜 成 形 装 置 提 供 有 一 高 周 波 電 功 率 進 給 装 置 # 用 Μ 分 別 於 1 彼 此 相 對 兩 個 平 板 電 極 間 進 給 — 高 周 波 電 功 率 0 1 1 1 L !口申請專1 叫範圍第1項 -V 薄 膜 成 形 裝 置 t 其 中 該 薄 膜 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 - 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 步個 同兩 此之 彼對 相相 波此 周彼 高於 使位 K或 用 ， 一 上 有極 供 電 提板 置平 装等 形該 成 於 第 圍 範 利 專 請 如 過 透 置 裝 之 束 子 0 射 0 膜缝 薄形 之 方 項 長 中 室 置 裝 形 成 束 子 0 將

   ---------装— J- (請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁) 、tr 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）