TW397994B - Data masking circuit and data masking method of semiconductor memory device - Google Patents

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第871〇8〗49號專利申請氣 中文說明書修正頁(89年/月} % A7 ------ B7 Γ ΟΛ i絛正 i、發明説明（H) — 第一行選擇線訊號CSL_EVEN和第二行選擇線訊號 CSL_ODD受啟動、同步於資料選通訊號Ds之上升緣。 當第一行選擇線訊號CSL_EVEN和第二行選擇線訊號 CSL_〇DD受啟動時’第一資料d_EVEN和第二資料D_ODD 被輸出到第一資料線DL_EVEN和第二資料線DL_〇DD » 本發明並不侷限於以上的具體實施例，且可以清楚地了 解到在本發明的範圍和精神之内，由任何熟知本技藝的人士 可能有很多變化。 元件符號說明 41、 46 位址緩衝器 42、 62命令緩衝器 43、 63資料輸入與輸出緩衝器 44 ' 64 資料掩蔽緩衝器 45、 64 行選擇線訊號產生部份 46、 66 資料傳送部份 47 '67行選擇部份 J.-------裝------訂--；-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 -14- 本纸伕尺度適^^家標準（<：奶）八4規格（210/297公釐） A7 B7 五、發明説明（1 ) 1. 發明領域 本發明係有關於半導體記憶裝置，而且特別是有關於資 料掩蔽電路和半導體記憶裝置的資料掩蔽方法。 2 ·相關技藝的描述 當系統性能改善，卻受到半導體記憶裝置的速度所限制 。一個高性能的動態隨機存取記憶體，例如；同步動態隨 機存取記憶體（SDRAM)、RAMBUS隨機存取記憶體，和 sync-link隨機存取1己憶體，可被用來解決此問題。 經濟部中央標準局員工消资合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 同步動態隨機存取記憶體已從單資料率（SDR)同步動態 隨機存取記憶體發展到雙資料率（DDR)同步動態隨機存取 v己隐體。在單資料率同步動‘態随機存取記憶體中，資料僅 可被輸入和輸出於時脈訊號的上升緣或下降緣。在雙資料 率同步動態隨機存取記憶體中，資料於時脈訊號的上升緣 或下降緣都可被輸人和輸出^因&，雙資料率时動態隨 機存取記憶體具有一個兩倍於時脈頻率的資料頻寬。再者 ，雙資料率同f動•態隨機存取記憶體包括—個輸入/輸出 掩蔽插腳（DQM pin)，用來掩蔽不要的資料於資料輸入/輸 出命令產生時，因此根據資料掩蔽訊號啓㈣所設^的等 數時間來截止資料的輪入和輸出。 圖1是-個時序圖’顯示_個根據傳蘇技術資料 同步動態隨機存取記憶體的資料掩蔽方法。 參考圖1，資料DQ、命令CMD、和資料也_

,匕门冰乂认〆 W科掩敝訊號DQM 皆同步於時脈CLK的上升緣。這裡，在$ 杜％取資科DQ情形 --—--——— ________- 4 ·

本紙張尺度ϋ;时關 CNS ) A4i^r( 210X 297-^tT A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、發明説明（2 的掩蔽等待時間爲2。在寫入資料DQ情形的掩蔽等待時間 爲〇。 因此，當應用命令CMD來窝入資料DQflf，資料㈧被 掩蔽於資料掩蔽訊號DQM被啓動爲邏輯高値時，也就是， 第一輸入資料（dind。當應用命令CMD來讀取資料dqb ，資料DQ被掩蔽於時脈CLK的兩個週期之後，也就是， 第一輸出資料D〇UT1於資料掩蔽訊號DQM啓動在邏輯高 値之後。這裡，第一輸入資料以…與第一輸出資料Β〇υτ1 在資料DQ間以對角遮罩方式被掩蔽之。 在半導體記憶裝置，輸入和輸出資料藉由晶片組的控制 所執行。在資料讀取命令中，因資料從動態隨機存取記憶 體傳送到中央處理單元，故資料能被掩蔽於晶片組中，而 不須掩1¾動態隨機存取記憶體中的資料。然而，在資料窝 入命令中，因資料從中央處理單元傳送到動態隨機存取記 憶體’故不須要窝入的資料應該被掩蔽於動態随機存取記 憶體中。因此，在資料寫入命令中，資料應該被掩蔽於動 態隨機存取記憶體。在資料讀取命令中，資料不須要被掩 蔽於動態隨機存取記憶體。 在雙資料率同步動態隨機存取記憶體，因爲資料被取樣 於時脈的上升緣和下降緣，並且除了資料的所有命令被取 樣於時脈的上升緣，當資料掩蔽訊號在時脈的1週期間受 啓動於邏輯高値，兩個連續資料被掩蔽且資料的取樣窗減 少到單資料率同步動態隨機存取記憶體的—半。因此，資 料必須在一個短時間被取來。 -5- ί"、纸張尺度適用中國囤家標準（CNS ) Λ4規格（2】0X297公釐） I ^---1--.<-------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 ---------B7 五、發明説明（3) ^爲了解決以上的問題，遂使用一個資料選通訊號，以取 得輸入與輸出資料。也就是，藉由同步資料與資料選通訊 號來輸入和輸出資料。 圖2是一個時序圖，顯示一個根據傳統技術之雙資料率 同步動態隨機存取記憶體的資料掩蔽方法。 參考圖2,資料掩蔽訊號DQM同步於時脈CLK的上升緣 。資料DQ和時脈clk不同步，且同步於資料選通訊號DS 的上升緣與下降緣來取得資料DQ。 因此，在資料選通訊號DS的—個週期内，資料DQ的兩 個連續資料單元被寫入。 資料掩蔽訊號DQM同步於時脈CLK的上升緣，且被分 割爲一個用來掩蔽偶數資料的第一資料掩蔽訊號 DQM_EVEN，和一個用來掩蔽奇數資料的第二資料掩蔽訊 號DQM_ODD。由第一資料掩蔽訊號DQM—EVEN和第二資 料掩蔽訊號DQM_〇DD所掩蔽的資料是以對角遮罩的方式 掩蔽之。 然而，因爲上述方法的資料掩蔽訊號是兩倍，對輸入資 料掩蔽訊號的插腳數目也應該兩倍。於是，晶片組的插腳 數目必增加。例如，一個目前的Pc晶片組對輸入資料掩蔽 訊號包括八個資料掩蔽插腳。當一個同步動態隨機存取記 憶體包裝的k料掩敵插腳增加到十六個，晶片組的資料掩 蔽插腳數目也必須增加到十六個。 發明之簡單説明 本發明的一項目的是提供半導體記憶裝置的資料掩蔽電 --___- 6 - (CNS ) A4規格（2ΐ〇χ 297公麓） -----^-----乂，------1T------^ yet、 « - « (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（4 ) 路來掩蔽資料，而不須要對輸入資料掩蔽訊號増加插脚數 目° 本發明的另一項目的是提供半導體記憶裝置的資料掩蔽 電路之資料掩蔽方法。 欲達成第一項目的，這裡提供半導體記憶裝置的資料掩 蔽電路，包括：一個行選擇線訊號產生部份，用來產生接 收若干位址與寫入資料的命令之第一和第二行選擇線訊號 此等行選擇信號同步於時脈訊號，以及一個資料掩蔽訊 號，同步於資料選通訊號；一個資料傳送部份，使用同步 於資料選通訊號的資料來輸出奇數第一資料與偶數第二資 料；以及一個行選擇部份，用來傳送第一資料與第二資料 刀别到罘一和罘二資料線，回應第一和第二行選擇訊號。 用來達成本發明的第二項目的之具體實施例如下面説明。 首先，產生一個位址與一個同步於時脈的命令。產生同 步於資料選通訊號的資料。產生一個同步於資料選通訊號 的資料掩蔽訊號。藉由結合位址與同步於時脈的命令和同 步於資料選通訊號的資料掩蔽訊號，產生一個被掩蔽的第 一行選擇線訊號和第二行選擇線訊號。同步於資料選通訊 號的資料被分割爲第一資料與第二資料，而第一資料同步 於一個資料選通訊號的上升緣與下降緣之間的—個，而第 二資料同步於其他資料選通訊號的上升緣與下降緣之間的 另一個。第一資料被傳送於第一行選擇線訊號受啓動時。 第二資料被傳送於第二行選擇線訊號受啓動時。 另一個用來達成本發明的第二項目的之具體實施例如 (CNS)

-濟部中央择丰局員工消贽合作 . A7 —_______B7 五、發明説明（5 ) ^ 面説明。產生一個位址與一個同步於時脈的命令。產生一 個同步於資料選通訊號的資料。產生—個同步於資料選通 訊號的資料掩蔽訊號。藉由結合位址與同步於時脈的命令 ，產生一個第一行選擇線訊號和第二行選擇線訊號。同步 於資料選通訊號的資料被分割爲•·由資料掩蔽訊號和同步 於一個資料選通訊號的上升緣與下降緣之間所掩蔽的第一 資料，以及由知料掩蔽訊號和同步於其他資料選通訊號的 上升緣與下降緣之間所掩蔽的第二資料。第一資料被傳送 於第一行選擇線訊號受啓動時。第二資料被傳送於第二行 選擇線訊號受啓動時。 因此，根據本發明之半導體裝置的資料掩蔽電路及資料 掩蔽方法，因爲資料掩蔽訊號和同步於資料選通訊號的資 料都以相同方式反應如電壓·、溫度和程序變化等情況。於 是，資料的取樣窗變大且對輸入資料掩蔽訊號的插腳數目 不需增加。 圖式之簡軍説明 從參考附圖’藉由詳細地描述一個較佳具體實施例，本 發明的以上目的與優點將變得更明確： 圖1是一個時序圖，顯示一個根據傳統技術之單資料率 同步動態隨機存取記憶體的資料掩蔽方法。 圖2是一個時序圖，顯示一颜根據傳統技術之雙資料率 同步動態隨機存取記憶體的資料掩蔽方法。 圖3是一個根據本發明之半導體記憶裝置的資料掩蔽電 路的具體實施例。 _____________-8- 用中國國家標泽（CNS ) Λ4規格（2ΐ〇χ 297公釐） I^ ^---It------IT------f ' * · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j 五、發明説明（6 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖4疋個圖3所示訊號的時序圖。 ?是另-個根據本發明之半導體 電路的具體實施例。 衣直的貪料掩蔽 圖6是一個圖5所示訊號的時序圖。 丝佳具魏實施例之説昍 在下文中，從參考附圖，本發明的一個 將詳細地描述。 實施例 參考圖3，根據本發明之資料掩蔽電路的第一個具體實 施例包括個位址緩衝器41 ' 一個命令緩衝器42、一個 資料輸入與輸出緩衝器43、一個資料掩蔽緩衝器44、一 個行選擇線訊號產生部份45、一個資料傳送部份46和一 個行選擇部份47 ^ 位址緩衝器41從半導體記愴裝置的外部接收一個外部 位址ADD和一個時脈CLK，以及輸出一個同步於時脈CLK 的内部位址PADD並緩衝。命令缓衝器42接收時脈Clk和 一個命令CMD來讀取或窝入資料，以及輸出一個同步於時 脈CLK的内部命令PCMD並緩衝。 資料輸入與輸出緩衝器43接收一個外部資料DQ與一個 資料選通訊號DS，以及輸出一個同步於資料選通訊號DS 的内部資料PDQ並緩衝。資料選通訊號DS是一個從半導 體裝置外部輸入的訊號，爲了取得外部資料DQ。 資料掩蔽緩衝器44接收資料選通訊號DS和一個資料掩 蔽訊號DQM，用來掩蔽外部資料DQ，以及輸出一個同步 於資料選通訊號DS的内部資料掩蔽訊號PDQM並緩衝。 9- 本纸張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -·

'1T 線 A7 B7 五、發明説明（7 ) 資料傳送部份46輸出一個同步於資料選通訊號DS的上 升緣之第一資料D_EVEN，與一個同步於資料選通訊號DS 的下降緣之第二資料D_ODD，接收同步於資料選通訊號 DS的上升緣和下降緣的内部資料PDQ。 行選擇線訊號產生部份45結合内部位址PADD與内部資 料掩蔽訊號PDQM，接收内部位址PADD、内部命令PCMD 和内部資料掩蔽訊號PDQM，並產生一個第一行選擇線訊 號CSL_EVEN來輸出第一資料D—EVEN和第二行選擇線訊 號CSL_ODD。用來輸出第二資料D_ODD。當内部資料掩 蔽訊號PDQM受啓動時，第一行選擇線訊號CSL_EVEN和 第二行選擇線訊號CSL_ODD不須被啓動而同步於資料選 通訊號DS的上升緣或下降緣。 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 行選擇部份47包括一個第一 N型金屬氧化物半導體 (NMOS)電晶體Q1和第二N型金屬氧化物半導體電晶體Q2 。當第一行選擇線訊號CSL_EVEN升到邏輯高値並傳送第 一資料D_EVEN到第一資料線DL—EVEN時，第一 N型金 屬氧化物半導體電晶體Q1接通。當第二行選擇線訊號 CSL_ODD升到邏輯高値並傳送第二資料D_ODD到第二資 料線DL_ODD時，第二N型金屬氧化物半導體電晶體Q2 接通。然而，當第一行選擇線訊號CSL_EVEN未被啓動時 ，第一資料D_EVEN受掩蔽。當第二行選擇線訊號 CSL—ODD未被啓動時，第二資料D—ODD受掩蔽。此時， 第一行選擇線訊號CSL_EVEN和第二行選擇線訊號 CSL—ODD宜在夕卜部命令CMD寫入夕卜部資料DQ之後的一 -10- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 __ΒΊ 五、發明説明（8 ) 個時脈CLK週期時產生。 換句話説，在本發明中，外部資料DQ和外部資料掩蔽 訊號DQM同步於資料選通訊號DS而非時脈CLK。第一行 選擇線訊號CSL_EVEN和第二行選擇線訊號CSL_ODD是 藉由結合内部位址PADD和内部資料掩蔽訊號PDQM所產 生。第一資料D_EVEN和第二資料D_ODD，其中的外部資 料DQ之一部份由第一行選擇線訊號CSL_EVEN和第二行 選擇線訊號CSL_ODD所掩蔽，個別被傳送到第一資料線 DL_EVEN和第二資料線DL_ODD。因此，因爲資料掩蔽訊 號DQM和外部資料DQ皆同步於資料選通訊號DS，它們 以相同的方式反應電壓、溫度和程序變化。於是，資料的 取樣窗變大且對輸入資料掩蔽訊號的插腳數目不需增加。 圖4是一個圖3所示之訊號的時序圖。 參考圖4，外部資料DQ同步於資料選通訊號DS的上升 緣與下降緣，且外部資料掩蔽訊號DQM掩蔽外部資料DQ 的資料單元2與5。同時，在用來寫入資料DQ的命令CMD 輸入之後，再輸入資料選通訊號DS。 第一資料線DL_EVEN包括同步於資料選通訊號DS之上 升緣的資料〇、2、4和6。第二資料線D — ODD包括同步 於資料選通訊號DS之下降緣的資料1、3、5和7。 當外部資料掩蔽訊號DQM啓動於邏輯高値，第一行選擇 線訊號CSL_EVEN和第二行選擇線訊號CSL_ODD同步於 資料選通訊號DS之上升緣未被掩蔽。 當第一行選擇線訊號CSL_EVEN受啓動時，第一資料 _-11 -_ 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX 297公釐) _-------'.i------IT------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（9 A7 B7 濟 部 中 A 標 準 局 消 合 作 社 印 yvEN輸出到第一資料線dl_even，且僅有第一資料 —even間的資料2被掩蔽於第—資料線DL E卿。 :行選擇線訊號CSL__受啓動時，第二資料D 〇D: =第二資料線DL—咖。因此，僅有第一資❹WEN ^資料2被掩蔽於第一資料線DL_EVEN卫僅有第二資 一ODD間的資料5被掩蔽於第二資料線DL 〇DD。 電：二另：個根據本發明之半導體記憶裝置的資料掩蔽 罨路的具體實施例。參考圖5 ’根據本發明之資料掩蔽電路的另—個且體實 :例包括一個位址緩衝器61、—個命令緩衝器62 一個 =科輸人與輸出緩衝器63、_個資料掩蔽緩衝器Μ、一 行選擇線訊號產生部份65、—個資料傳送部份&和一 個行選擇部份67。 ，址緩衝器61、命令緩衝器62、資料輸入與輸出緩衝 器63和資料掩蔽緩衝器64是如位址緩衝器41、命令緩衝 P 42、資料輸入與輸出緩衝器43和資料掩蔽緩衝器44之 相同元件。 、資料傳送部份66輸出在内部資料PDQ中同步於資料選S Ds的上升緣之卜資料D—even ’與在内部資料 同步於資料選通訊號DS的下降緣之第二資料 同步於資料選通訊號DS的上升緣和下降緣 /円邠資料掩蔽訊號PDQM和内部資料pDQ。然而，當内 邵資料掩蔽訊號PDQM爲邏輯高値時，第一資料D二 和第二資料D_〇DD受掩蔽。 ~ 請k, 閲 讀 背 ώ 之 注意 事 項 再 填t 1寫1 本 頁 .訂 線 (CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 , B7 五、發明説明（10) 行選擇線訊號產生部份65產生第一行選擇線訊號 CSL_EVEN來輸出第一資料D_ EVEN和第二行選擇線訊號 CSL—ODD來輸出第二資料D—ODD，接收從位址緩衝器61 輸出的内部位址PADD與從命令緩衝器62輸出的内部命令 PCMD。當資料選通訊號DS上升邏輯高値時，並在命令 CMD寫入外部資料DQ之後，產生超過一個時脈CLK的週 期時，第一行選擇線訊號CSL_EVEN和第二行選擇線訊號 CSL_ODD受啓動。 行選擇部份67包括一個第一 N型金屬氧化物半導體電晶 體Q1和一個第二N型金屬氧化物半導體電晶體Q2。當第 一行選擇線訊號CSL_EVEN升到邏輯高値並傳送第一資料 D_EVEN到第一資料線DL—EVEN時，第一 N型金屬氧化物 半導體電晶體Q1接通。當第二行選擇線訊號CSL_0DD升 到邏輯高値並傳送第二資料D_0DD到第二資料線 DL—0DD時，第二N型金屬氧化物半導體電晶體Q2接通。 圖6是一個圖5所示訊號的時序圖。 參考圖6，外部資料DQ選擇地同步於資料選通訊號DS 的上升緣和下降緣且外部資料掩蔽訊號DQM掩蔽外部資 料DQ間的資料2和5。同時，在用來寫入資料DQ的命令 CMD輸入之後，再輸入資料選通訊號DS。 第一資料D_EVEN和第二資-料D_0DD同步於資料選通 訊號DS之上升緣，並僅當資料掩蔽訊號DQM啓動時產生 。因此，資料2被掩蔽於第一資料線D_EVEN且資料5被 掩蔽於第二資料線D —ODD。 _-13- _ 本紙張尺度適闲中國國家標準（CNS ) A4規格（2!ΟΧ297公釐） ^---------*"-- 》 - /1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *1Τ 線 第871〇8〗49號專利申請氣 中文說明書修正頁(89年/月} % A7 ------ B7 Γ ΟΛ i絛正 i、發明説明（H) — 第一行選擇線訊號CSL_EVEN和第二行選擇線訊號 CSL_ODD受啟動、同步於資料選通訊號Ds之上升緣。 當第一行選擇線訊號CSL_EVEN和第二行選擇線訊號 CSL_〇DD受啟動時’第一資料d_EVEN和第二資料D_ODD 被輸出到第一資料線DL_EVEN和第二資料線DL_〇DD » 本發明並不侷限於以上的具體實施例，且可以清楚地了 解到在本發明的範圍和精神之内，由任何熟知本技藝的人士 可能有很多變化。 元件符號說明 41、 46 位址緩衝器 42、 62命令緩衝器 43、 63資料輸入與輸出緩衝器 44 ' 64 資料掩蔽緩衝器 45、 64 行選擇線訊號產生部份 46、 66 資料傳送部份 47 '67行選擇部份 J.-------裝------訂--；-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 -14- 本纸伕尺度適^^家標準（<：奶）八4規格（210/297公釐）

Claims (1)

1. 88-ABCi 經濟部中央標準局男工消费合作社印I 六、申請專利範圍 L —種半導Μ記憶裝£的資料掩蔽電路，包括‘ -行選擇線訊號產生部份，用來產生接收若干個位址 :窝入資料的命令之第一和第二行選擇線訊號，同步於 此脈訊號’以及-個資料掩蔽訊號，該等選擇線訊號同 步於資料選通訊號； 資料傳送部份’使用同步於資料選通訊號的資料來 輸出奇數第一資料與偶數第二資料； 以^一行選擇部份，用來傳送第—資料與第二資料分 第和第—資料，線，以回應第_和第：行選擇線訊 號。 2. 如申請專利範圍第！項之資料掩蔽電路，其中的資料傳 运邵分輸出第一資料和第二資料，接收資料，並且 其中行選擇線訊號產生部份輸出一個第一行選擇線訊 號用來掩蔽第-資料，並產生第二行選擇線訊號用來掩 敗第二資料，接收位址、命令與資料掩蔽訊號。 3. 如申請專利範圍第！項之資料掩蔽電路，其中的資料傳 送部份根據資料掩蔽訊號來掩蔽資料，接收資，料與資料 掩蔽訊號，以及輸出受資料掩蔽訊號所掩蔽的第一資料 和第二資料，並且 其中行選擇線訊號產生部份輸出—個第—行選擇線訊 號用來傳送第一資料到第一資料線並輸出第二行選擇線 訊號用來傳送第二資料到接收位址和命令的第二資料線。 4. 如申請專利範圍帛1項之資料掩蔽電路，其中同步於時 脈訊號的位址從一個位址緩衝器中被輸出，接收並緩衝 -15- 太紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X297公瘙）

   - 一 ABCi

   個位址和—個從半導體記憶裝置外部來的時脈訊號 5.如申請專利範圍第1 項之資料掩蔽電路，其中同步於時 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 脈訊號的命7從—個命令緩衝器中被輸出，接收並緩衝 個命令和-個從半導體記憶裝置外部的時脈訊號。 6. 如申請專利範圍第i項之資料掩蔽電路，其中同步於資 料選通訊號的資料從-個資料輸入和輸出緩衝器中被輸 出m及緩衝器用以接收並緩衝—個資料和一個從 半導體記憶裝置外部的資料選通訊號。 7. 如申請專利範園帛i項之資料掩蔽電路，其中資料掩蔽 訊唬從-個資料掩蔽緩衝器中被輸出，接收並緩衝一個 資料掩蔽訊號和-個從半導體記憶裝置外部來的資料選 通訊號。 8·如申請專利範圍第i項之資料掩蔽電路，其中 份包括： ，，電TO體’ S第—行選擇線訊號啓動時，接通來 傳送第一資料；和 -第二電晶體，當第二行選擇線訊號啓動時，接 傳送第二資料。 9·如中請專利範圍帛i項之資料掩蔽電路，其中資料選通 訊號輸入於在—個寫人資料命令輸人到半導體記憶裝置 之後。 K).如申請專利範„ i項之資料掩蔽電路，其中第一和第 二:于選擇線訊號產生於在—個寫入資料命令輸入到半導 體记憶裝置之後超過一個時脈的週期。 I ^ ： C衣I— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·ΐτ -16 本紙張从賴巾關家標準（CNS ) A4規格（210χϋ^ Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 ~~ 11· 一種半導體記憶裝置的資料掩蔽方法，包括下列之步驟： 產生一個位址和一個同步於時脈訊號而用來寫入資料 的命令； 輸入同步於資料選通訊號的資科； 產生一個同步於資料選通訊號的資料掩蔽訊號； 產生藉由結合位址、命令和資料掩蔽訊號所掩蔽的一 個第一行選擇線訊號和一個第二行選擇線訊號； 分割資料爲第一資料及第二資料，該第一資料同步於 一個資料選通訊號的上升緣與下降緣之間的一個，而該 第二資料同步於其他資料選通訊號的上升緣與下降緣之 間的另一個； 傳送第一資料於第—行選擇線訊號受啓動時，傳送第 二資料被第二行選擇線訊號受啓動時。 12. 如申叫專利範圍第丨i項之方法，其中位址從一個位址缓 衝器中被輸出，接收並緩衝—個位址和一個從半導體記 憶裝置外部的時脈訊號。 13. 如申請專利範圍第i i項之方法，其中命令從一個命令缓 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 — — — — —— — ——— I I n - I n T (請先聞讀背面之注意事項存填寫本X) 衝器中被輸出，接收並缓衝一個命令和一個從半導體記 憶裝置外部的時脈訊號。 14. 如申請專利範圍第1 i項之方法，其中資料從—個資料輸 入和輸出緩衝器中被輸出，接收並緩衝一個資料和一個 從半導體記憶裝置外部的資料選通訊號。 15. 如申請專利範圍第11項之方法，其中資料掩蔽訊號從一 個資料掩蔽緩衝器中被輸出，接收並緩衝一個資料掩蔽 -17-尽紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（21〇><297公釐） 六、申請專利範圍 訊鈮和 调仗平等體記憶裝置外部的資 16.如申請專利範圍第115頁之方、去二f料選通訊號。 線訊號產生於在一個窝入資料命令輪入到半導體記情： 置心後超過一個時脈的週期。 w裝 Π_-種資料掩蔽方法，包括下列之步驟： 產生—個位址和一個同步於 的命令； 7Μ脈訊號而用來窝入資科 輸入同步於資料選通訊號的資料； 產生-個同步於資料選通訊號的資料掩蔽訊號； ^生藉由結合位址、命令和資料掩蔽訊號所掩蔽的— 個第一行選擇線訊號和—個第二㈣擇線訊號； 分割資料爲第-資料及第二資料，第一資料同步於—. 個資料選通訊號的上升緣與下降緣之間一個，而第二資 料同步於其他資料選通訊號的上升緣與下降緣之間: 一個；以及 _傳送第一資料於第一行選擇線訊號受啓動時，並傳送 第二資料於第二行選擇線訊號受啓動時。 18·如申請專利範” 17項之方法，其中位址從—個位址缓 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 衝器中被輸出，接收並缓衝一個位址和—個從半導體記 憶裝置外部的時脈訊號。 拉11 19. 如:請專利範圍第17項之方诀，其中命令從—個命令缓 衝器中被輸出，接收並緩衝一個命令和—個從半導體記 憶裝置外部的時脈訊號。 & ° 20. 如申請專利範圍第17項之方法，其中資料從—個資料輸 -18 - 本紙張尺g用中國國家標規格公) A8 B8 C8 ______UL· 六、申請專利範圍 入和輸出緩衝器中被輸出，接收並缓衝-個資料和—個 如半導體圮憶裝置外部的資料選通訊號。 21. 如申請專利範園第17項之方法，其中資料掩蔽訊號從一 個資料掩蔽緩衝器中被輸出，接收並緩衝—個資料掩蔽 訊號和一個從半導體記憶襞置外部的資料選通訊號。 22. 如申請專利範園第17項之方法，其中第一和第二行選擇 線訊號產生於在一個寫入資料命令輸入到半導體記憶襞 置之後超過一個時脈的週期。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -19- ----- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（21〇χ297公釐）