KR100422947B1 - 버스트 리드 데이터의 출력방법 및 출력장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 동기식 메모리로부터 출력되는 버스트 리드 데이터의 출력방법으로서,상기 동기식 메모리로부터 출력되는 버스트 리드 데이터들을 짝수번째 데이터군과 홀수번째 데이터군으로 구분하여, 상기 짝수번째 데이터군과 상기 홀수번째 데이터군 가운데 먼저 출력되어야하는 비트가 속한 데이터군을 판정하는 단계;상기 먼저 출력되어야 하는 비트가 속한 데이터군을 입력되는 클록신호의 상승에지에 각각 동기시켜 출력하는 단계;상기 먼저 출력되어야 하는 비트가 속하지 않은 데이터군을 입력되는 클록신호의 하강에지에 각각 동기시켜 출력하는 단계; 및상기 상승에지에 동기하여 출력되는 데이터군과 상기 하강에지에 동기하여 출력되는 데이터군을 조합하여 클록신호의 상승에지와 하강에지에서 연속적으로 출력시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터의 출력방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 짝수번째 데이터군과 상기 홀수번째 데이터군 가운데 먼저 출력되어야하는 비트가 속한 데이터군을 판정하는 단계는, 동기식 메모리장치의 컬럼 어드레스 신호의 최하위 비트에 기초하여 판정하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터의 출력방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 먼저 출력되어야 하는 비트가 속한 데이터군을 입력되는 클록신호의 상승에지에 각각 동기시켜 출력시키는 단계는,모드 레지스터 세트에 저장된 모드 제어신호와 컬럼 어드레스 하위 3 비트에 기초하여 출력순서를 판정하는 단계;상기 출력순서에 대응하는 각 출력순서 제어신호를 입력되는 클록신호의 하강에지에 동기시켜 활성화시키는 단계; 및상기 출력순서 제어신호에 기초하여 상기 먼저 출력되어야 하는 비트가 속한 데이터군을 입력되는 클록신호의 상승에지에 각각 동기시켜 직렬로 출력시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터의 출력방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 먼저 출력되어야하는 비트가 속하지 않은 데이터군을 입력되는 클록신호의 하강에지에 각각 동기시켜 출력하는 단계는,모드 레지스터 세트(MRS)에 저장된 모드 제어신호와 컬럼 어드레스 하위 3 비트에 기초하여 출력순서를 판정하는 단계;입력되는 클록신호에 기초하여 상기 출력순서에 대응하는 각 출력순서 제어신호를 입력되는 클록신호의 상승에지에 동기시켜 활성화시키는 단계; 및상기 출력순서 제어신호에 기초하여, 상기 먼저 출력되어야하는 비트가 속하지 않은 데이터군을 입력되는 클록신호의 하강에지에 각각 동기시켜 직렬로 출력시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터의 출력방법.
- 동기식 메모리로부터 출력되는 버스트 리드 데이터의 출력장치로서,상기 동기식 메모리로부터 출력되는 상기 버스트 리드 데이터들이 홀수번째 데이터군과 짝수번째 데이터군으로 각각 구분되어 입력되고, 컬럼 어드레스의 최하위 비트에 기초하여, 상기 구분된 홀수번째 데이터군과 짝수번째 데이터군 중 먼저 출력되어야 하는 비트를 포함하는 데이터군을 제 1 경로로, 먼저 출력되어야하는 비트를 포함하지 않는 데이터군을 제 2 경로로 따로 출력시키는 데이터군 선택부;컬럼 어드레스의 최하위 3 비트와 모드 레지스터 세트에 설정된 모드 제어신호에 기초하여, 상기 데이터군 선택부로부터 출력되는 상기 제 1 경로의 데이터와 상기 제 2 경로의 데이터의 출력순서를 제어하기 위한 출력순서 제어신호를 출력하는 출력순서 제어부; 및상기 출력순서 제어신호에 기초하여 상기 제 1 경로의 데이터와 상기 제 2 경로의 데이터를 조합하여 입력되는 클록신호의 상승에지와 하강에지의 각각에 동기시켜 연속적으로 출력하는 출력순서 조합부를 구비하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터 출력장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 데이터군 선택부는, 상기 컬럼 어드레스의 최하위 비트에 기초하여 상기 홀수번째 데이터군 중 하나의 데이터와 상기 짝수번째 데이터군 중 하나의 데이터 가운데 하나를 각각 선택하기 위한 복수의 멀티플렉서 수단; 및외부로부터 인가되는 로딩 제어신호에 기초하여 복수의 상기 멀티플렉서 수단으로부터 선택된 데이터의 출력을 각각 제어하는 복수의 출력 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터 출력장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 출력순서 제어부는,상기 제 1 경로로 출력되는 데이터군의 출력순서를 제어하기 위한 제 1 출력순서 제어신호들을 각각 출력하는 복수의 제 1 쉬프트 플립플롭 수단; 및상기 복수의 제 1 쉬프트 플립플롭 수단을 제어하기 위한 제 1 쉬프트 플립플롭 제어수단을 갖는 제 1 출력순서 제어부와,상기 제 2 경로로 출력되는 데이터군의 출력순서를 제어하기 위한 제 2 출력순서 제어신호들을 각각 출력하는 복수의 제 2 쉬프트 플립플롭 수단; 및상기 제 2 출력순서 제어신호를 각각 출력하는 복수의 제 2 쉬프트 플립플롭 수단을 제어하기 위한 제 2 쉬프트 플립플롭 제어수단을 갖는 제 2 출력순서 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터 출력장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 출력순서 제어부의 상기 제 1 쉬프트 플립플롭 제어수단은, 상기 컬럼 어드레스 최하위 3 비트에 기초하여 상기 복수의 제 1 쉬프트 플립플롭 수단들 중 하나로 개시신호를 활성화시켜 출력하고, 상기 복수의 제 1 쉬프트 플립플롭 수단 각각으로 쉬프트 방향 제어신호를 출력하며,상기 복수의 제 1 쉬프트 플립플롭 수단들 가운데 하나는 상기 활성화된 개시신호에 따라 자신의 출력순서 제어신호를 활성화시키고, 자신의 출력순서 제어신호를 변화시키지 않은 나머지 상기 복수의 제 1 쉬프트 플립플롭 수단들은 상기 쉬프트 방향 제어신호에 따라 차례로 쉬프트되면서 자신의 출력순서 제어신호를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터 출력장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 출력순서 제어부의 상기 제 2 쉬프트 플립플롭 제어수단은, 상기 컬럼 어드레스 최하위 3 비트에 기초하여 상기 복수의 제 2 쉬프트 플립플롭 수단들 중 하나로 개시신호를 활성화시켜 출력하고, 상기 복수의 제 2 쉬프트 플립플롭 수단 각각으로 쉬프트 방향 제어신호를 출력하며,상기 복수의 제 2 쉬프트 플립플롭 수단들 가운데 하나는 상기 활성화된 개시신호에 따라 자신의 출력순서 제어신호를 활성화시키고, 자신의 출력순서 제어신호를 변화시키지 않은 나머지 상기 복수의 제 2 쉬프트 플립플롭 수단들은 상기 쉬프트 방향 제어신호에 따라 쉬프트 되면서 자신의 출력순서 제어신호를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터 출력장치.
- 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 출력순서 제어부는 클록신호의 하강에지에 동기된 상기 출력순서 제어신호를 출력하고,상기 제 2 출력순서 제어부는 클록신호의 상승에지에 동기된 상기 출력순서 제어신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터 출력장치.
- 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 출력순서 제어부는 클록신호의 하강에지에 동기된 상기 출력순서 제어신호를 출력하고,상기 제 1 출력순서 제어부는 클록신호의 상승에지에 동기된 상기 출력순서 제어신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터 출력장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 출력순서 조합부는,상기 제 1 출력순서 제어신호로부터 정해진 출력순서에 따라 상기 제 1 경로의 데이터를 선택하여 직렬로 출력하는 제 1 경로 출력순서 선택수단;상기 제 2 출력순서 제어신호로부터 정해진 출력순서에 따라 상기 제 2 경로의 데이터를 선택하여 직렬로 출력하는 제 2 경로 출력순서 선택수단; 및상기 제 1 경로 출력순서 선택수단 및 상기 제 2 경로 출력순서 선택수단으로부터의 출력을, 입력되는 클록신호를 기준으로 상승에지와 하강에지에 각각 동기시켜 연속적으로 출력하기 위한 조합 선택수단을 포함하는 것을 특징으로 버스트리드 데이터 출력장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 조합 선택수단은 상기 입력되는 클록신호의 반전된 신호를 기준으로 하여 동작하는 것을 특징으로 하는 버스트 리드 데이터 출력장치.
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US7276951B2 (en) * | 2005-05-25 | 2007-10-02 | Micron Technology, Inc. | Delay line circuit |
US7349289B2 (en) * | 2005-07-08 | 2008-03-25 | Promos Technologies Inc. | Two-bit per I/O line write data bus for DDR1 and DDR2 operating modes in a DRAM |
KR100882804B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2009-02-09 | 한국전자통신연구원 | 데이터의 출력 순서를 제어할 수 있는 멀티플렉서 및 이를이용한 병렬-직렬 변환기 |
US7551107B2 (en) | 2006-12-05 | 2009-06-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Multiplexer for controlling data output sequence and parallel-to-serial converter using the same |
US20080183948A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-07-31 | Satoshi Sugawa | Flash memory system with higher data transmission rate and method thereof |
KR100956783B1 (ko) * | 2008-10-14 | 2010-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
US8107315B2 (en) * | 2010-03-22 | 2012-01-31 | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. | Double data rate memory device having data selection circuit and data paths |
KR101907073B1 (ko) | 2011-12-22 | 2018-10-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 펄스신호 생성회로, 버스트 오더 제어회로 및 데이터 출력회로 |
US9959921B2 (en) * | 2016-04-01 | 2018-05-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for refresh control |
US10607692B2 (en) * | 2017-06-29 | 2020-03-31 | SK Hynix Inc. | Serializer and memory device including the same |
KR20190103593A (ko) * | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 반도체시스템 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR980011424A (ko) * | 1996-07-29 | 1998-04-30 | 콜웰. 로버트 씨 | 디지털 신호 전달 장치 |
KR19990075644A (ko) * | 1998-03-23 | 1999-10-15 | 윤종용 | 데이터 스트로우브 신호를 사용한 데이터 입력 회로 |
KR100252048B1 (ko) * | 1997-11-18 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체 메모리장치의 데이터 마스킹 회로 및 데이터 마스킹방법 |
WO2000051132A1 (en) * | 1999-02-26 | 2000-08-31 | Micron Technology, Inc. | Full page increment/decrement burst for ddr sdram/sgram |
JP2000298983A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
KR100268429B1 (ko) * | 1997-03-18 | 2000-11-01 | 윤종용 | 동기형반도체메모리장치의데이터의입력회로및데이터입력방법 |
KR100278653B1 (ko) * | 1998-01-23 | 2001-02-01 | 윤종용 | 이중 데이터율 모드 반도체 메모리 장치 |
KR100321736B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-01-26 | 박종섭 | 안정적인 고속 라이트 동작을 수행하기 위한 반도체메모리장치 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6279116B1 (en) * | 1992-10-02 | 2001-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Synchronous dynamic random access memory devices that utilize clock masking signals to control internal clock signal generation |
US6172935B1 (en) * | 1997-04-25 | 2001-01-09 | Micron Technology, Inc. | Synchronous dynamic random access memory device |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR980011424A (ko) * | 1996-07-29 | 1998-04-30 | 콜웰. 로버트 씨 | 디지털 신호 전달 장치 |
KR100268429B1 (ko) * | 1997-03-18 | 2000-11-01 | 윤종용 | 동기형반도체메모리장치의데이터의입력회로및데이터입력방법 |
KR100252048B1 (ko) * | 1997-11-18 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체 메모리장치의 데이터 마스킹 회로 및 데이터 마스킹방법 |
KR100278653B1 (ko) * | 1998-01-23 | 2001-02-01 | 윤종용 | 이중 데이터율 모드 반도체 메모리 장치 |
KR19990075644A (ko) * | 1998-03-23 | 1999-10-15 | 윤종용 | 데이터 스트로우브 신호를 사용한 데이터 입력 회로 |
WO2000051132A1 (en) * | 1999-02-26 | 2000-08-31 | Micron Technology, Inc. | Full page increment/decrement burst for ddr sdram/sgram |
JP2000298983A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
KR100321736B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-01-26 | 박종섭 | 안정적인 고속 라이트 동작을 수행하기 위한 반도체메모리장치 |
Also Published As
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