TW396450B - New etch process for forming high aspect ratio trenches in silicon - Google Patents

Description

A7 B7 五、發明説明（ 發明領域 —「mml 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明係關於一種在矽中形成高深寬比渠溝之紅， W lii 刻製程’特別是關於一種在矽中蝕刻極小直徑開口 -刻製程，例如其直徑小於〇 . 2 5微米。 發明背景： 鑑於半導體工業的裝置有愈來愈小和更密集地封裝 的趨勢’便有必要發展生產這類元件的製程。為了生產諸 如DRAMS的裝置’就必須在矿中形成高深寬比、具平直 邊壁的渠溝，並在其中填充一或多個介電層以形成電容 备。渠溝中不能有任何空隙D 為生產25 6MB的这置，在矽中的開口必須被蝕刻成 立®數量紐為〇_· 2 5 - 〇 · 3微米以及至少δ微米深。傳知^諸如 Η B r和氧的蝕刻合成物可以形成此類裝置，但是使用該钱 刻合成物卻有限制-隨著蝕刻的進行’蝕刻速率便降低。 尤其’當該鉑刻合成物在渠溝側壁上沈積…個保護層時， 該保護層也沈積在基板上、處理反應室壁和固定物設備 上。IW著諸如反應室内溫度的變化’這些.沈殿物便會剝 落’而在反應室中形成微粒。微粒是極不受歡迎的，因為 它們可也落到反應室中處理的基板上，那麼反應室便必須 在每個基板處理芫後即加以清洗。如此頻繁清洗的需求降 低單一基板處理的產率，並增加製造這些半導體裝置的成 本° 已知專為含矽材料的各種含齒素银刻物，但是它們都 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) /\4洗格（210 X 297公瘦） (請先閱讀背面之注意事碩^!^「本頁j 裝 • X 、1· —線

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五、發明説明（） 有各種特性使得它們不足以做為 ο仕矽中產生小直徑、具平 直邊壁的深開口之蝕刻物。某此 、 —蚀刻物等向地蝕刻；某些 姓刻物在渠溝側壁上沈積含聚合 , 口 fla的材料，而無法平滑地 填充渠溝；某些蝕刻物產生弓形 二A i 4 L ± 、' j例壁，而無法週度地填 充渠溝；某些蝕刻物蝕刻速率低. 〗 低，某些蝕刻物需要高反應 室功率’卻造成基板的傷害或;亏染。微承載(microloading) 也是個問㉟。各種㈣物的組合也試過，但對具圖案之屏 罩（patterned mask)有高選擇性的钱刻物而言都不達標 準，上述具圖案之屏罩乃是能在珍中形成高深寬比、平直 邊壁和圓形底部開並在含珍材料中以最小微承載和高 蝕刻速率蝕刻的屏罩。 .傳統矽的蝕刻合成物包含溴化氫（ΗΒ〇和氧（〇2)。該蝕 刻合成物在渠溝側壁上產生—個保護層，而形成稍許錐形 的渠溝。少量含氟氣體的加入將該保護層從蝕刻渠溝的去 除，藉以形成較深的渠溝。然而，該鈍化材料會沈積在蝕 刻反應室及其部件上，導致晶元的微粒汙染’因而反應室 需要經常清洗，通常於處理每個晶元之間。再者，使用该 蝕刻合成物時，在將要蝕刻的矽和通常使用之氧化矽硬罩 間存在較低的選擇性，引起蝕刻時嚴重的硬罩侵蝕。噹蝕 刻製程也需要高密度之電漿和對反應室的高功率傳輸。 在先前於1 997年6月2日所申請之美國專利^請案 第08/867,229號、本案為其部份續案的申請 、 农甲’發現了 一種矽的改良蝕刻合成物，其包括諸如六氣化矽（π。的冬 氟氣體、HBr和〇2。該蝕刻合成物會以每分 -31^ U . X 5ι Ί Μ 第S頁 本紙張尺度勒中關家縣^NS ) A4·· (

A7 五、發明説明（ 經濟·那中央橾準局員工消費合作杜印製 米的高蝕刻速率蝕利 独刻合成物也是非等：矽材# ’特別是多晶矽或矽晶。該 高深寬比、平直‘Λ會在具有圓形底部”中形成 1且延壁的開口。 \ 然而，該蚀刻合成物要在珍中形成^ 並不完全令人滿意。 平毛成冋木寬比的開口 再者’該钱刻合迠榀—& m θ + ® 物在使用—個包含氮化矽上t瓮 矽的雙層硬罩時，. /上育乳 問題。使用HBr、Η即顯不 χ M h , 刻合成物時，明顯地， 罩的虱化矽部份Αw 刻過程中侵蝕’增大氮化矽蝕刻開 _ 矽層和氮化矽層間形成-階梯。. 又’為边當地.中地 一丄 u -具 '中極''丨、直徑的開口，所要的 應被開成開口的頂部盥. 氐。P同樣大中，而1乃然維梓圓 …再者.…的開口基本匕與基板的表面垂直。 β因此’圣需尋求—種姓刻製程，透過一或多個硬 提供平滑錐形的開 νι.. , 1 供垂直於矽基板表西的平直 =、能1^在具有高深寬比”中㈣例如小於0.25 2直徑的開口、能夠提供可變邊壁的錐形的開口以 供避免在各個處理的基板間清洗蝕刻反應室的一種 製程。 時 化 該 硬 σ 開口 形的 罩層 邊壁 微米 及提 清洗 述： 我們找到一種連續多步驟的韻刻製程，於独刻的第一步‘界俊 Jfl ‘ Λ 種HBr.和〇2的蝕刻合成物，接著在蚀刻的第 '-'中使用含氟氣體、Η B r和〇 2的蚀刻合成物，以高

_ 第6頁 (CNS ) A4規格（210X297公釐） (諳先閲讀背面之注意事項

寫本百C ---裝------旬 線 五、 蚀刻速率在矽中形成小直徑和深而平直邊壁的開口。 第一蝕刻步驟提供邊壁的鈍化，保護硬罩即維持所需 要的、有些錐形的開口頂部，而第二步驟提供一種高蝕刻 速率非等向的蝕刻。該鈍化材料即在第二蝕刻步騾中從邊 壁、基板和反應室上移除，藉以提供避免在各個處理的晶 元間清洗姓刻反應室的一種清洗方法，並因而改進虞率。 麗~式簡單説明： 第1圖為一個在矽中使用雙層硬罩產生之開口的照片。 第2圖為電漿反應器的示意截面圖，可於其中實施本發明 含珍材料的姓刻。 第3圖為使用第二步驟中的HBr和氧〇2和SF6蝕刻合成 物並改變反應室壓力所蝕刻之渠溝照片。 第4圖為依照本發明並在蝕刻過程中改變偏壓頻率所蝕刻 之渠溝照片。 第5圖為在第一蝕刻步驟中錐形角對偏壓功率（瓦特）之 圖。 第6圖為在第一蝕刻步驟中蝕刻速率對電漿源功率之圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第7圖顯示在第二蝕刻步驟中增加偏壓功率時錐形角的變 化。 第8圖為單獨使用第一钮刻步驟所兹刻之渠溝照片。 第9圖為使用本發明所|虫刻之渠溝照片。 第1 0圖為第8圖的渠溝在浸泡稀釋的HF後之照片。 第Π、1 2和1 3圖為在第二蝕刻步驟中改變HBr的比例所 第7頁 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) M規格（2丨〇 X 297公| ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（） 得之渠溝照片。 第1 4和1 5圖分別為多個晶元連續處理後的反應室的内部 和圓頂之照片。 圖號對照說明： 1 反應室 10 邊壁 12 介電頂壁 14 晶元座 16 半導體晶元 18 圓柱形感應線圈 20 接地RF屏壁 22 處理氣體源 24 氣體輸入口 26 幫浦 28 電漿源RF產生器 30 主動RF契合網路 32 内部導電部份 34 偏壓RF電源產生器 36 外部接地導體 發明詳細說明： 本發明之蝕刻製程可在諸如第2圖所示的電漿反應器 中進行，該反應室為一種分離電漿源反應室。參閱第2圖， 一種感應耦合RF電漿反應器包括具有接地、導電而圓柱 形的邊壁10和有特殊形狀（例如圓頂形）的介電頂壁 (ceiling)12的反應室1。反應室1包括晶元座14，藉以支 撐反應室1中央的半導體晶元1 6。一個圓柱形的感應線圈 1 8環繞反應室1的上半部，從接近晶元或晶元座1 4頂端 平面向上延伸到反應室1的頂端。 一種處理氣體源2 2和可以是多個分佈於反應室1上 _ 第8買_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先間讀背面之注意事項$'‘寫本頁)

B7 五、發明説明（） 之氣體輸入口 2 4提供一種輸入反應室1内部的處理氣 體；而幫浦2 6控制反應室1的壓力。 電漿源電源供應器或RF虞生器28透過傳統主動RF 契合網路3 0提供能源至感應線圈1 8，該感應線圈1 8的項 部纏繞接電而底部纏繞接地。該晶元座1 4包括連至偏壓 RF電源供應器或產生器34和外部接地導體36(與内部導 電部份32絕緣）的内部導電部份32。一種導電的接地RF 屏壁2 0則圍繞著感應線圈1 8。 根據該反應室1的一種態樣，電漿密度於晶元上的空 間分佈均勻度因反應室1頂壁1 2的形狀為多重半徑的圓 頂而有所改進，並個別地決定或調整頂壁1 2的每個半徑。 第2圖所尔賞施例的多重半徑圆頂有黠薜圓頂壁1 2在中 央耜份阱近的曲率扁平化，而圓頂壁1 2周圍部份有較陡 的曲率。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在處理的過程中，處理氣體被送入反應室1，而電源 也都打開，以在反應堇1中形成冋企度之電痕。從感應線^ 圏RF電源供應器28送至反應室1的功率高達3000瓦特。 送至該線圈的RF產生源可以是一個12_56MHz的電源。 傳至基板支撐14的偏壓源可以變化達1 000瓦特，藉以提 供好的蝕刻速率。該偏壓頻率可以從大約400kHz變化到 大約1 3 · 5 6 Μ Η z，但以4 0 0 kH z較佳。這提供改進的概括於 制。然而，上述之類率僅作為範例之用，不同之頻率也可 使用。低至50kHz到高達1 3·56ΜΗζ的頻率及其倍數也可 使用。 第9頁 本紙張又度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 經濟部t央標準局員工消費合作社印製 A7 〜— ---—B7 _ 五、發明説明（〉 在蚀刻的過程中’壓力很重要；通常蝕刻速率隨壓力 而〜加’但遠餘刻速率在達到極大值後即隨壓力的繼續增 加而減低倘若壓力太大，蝕刻會變得更為等向。第一蝕 刻步驟可以在壓力介於丨〇和丨5〇毫托（miUit〇rr)間實施。 第一敍刻步驟可以在壓力介於1和1 〇 〇毫托間實施，但以 約在1 0和60毫托間較佳。第3圖顯示在第二步驟中改變 反XL'主C·力所產生之開口。當壓力增加時，触刻速率亦隨 之增加。 如上述使用電漿反應器時，在第一蝕刻步驟中從感應 線圈電源送至反應室之功率可以從约5〇〇到3〇〇〇瓦特。 在第二i虫刻步驟中’功率最好在约4〇〇到！ 6〇〇約瓦特之 間。傳至基板支撐的偏壓功率可以從約5變化到約3 〇 〇瓦 特’而提供1好的蝕刻速率。在第一蝕刻步驟中，，施加於 線圈和基板支撐的功率通常高過第二蝕刻步驟之時。上述 反應室的好處之一是它提供傳輸至反應室和基板支撐的 能量之獨立控制。 蚀刻合成物成份通常用氣流速率從約i〇SCcm至 3 00sccm的HBr和從約isccm至30sccrn的氧被送入反應 室。該氧氣最好以相當於加入的HBr體積百分比1〇至25 之氦、氧混合物（例如含有約30%體積氧的氦氣）加入。 此後該混合物將以He〇2指稱之。氦的加入稀釋氧氣，並 使之更容易控制進入反應室的氧氣流。一個單用HBr初步 的約1 0至20秒久的短蝕刻可用於移除任何待蝕刻矽表面 上本來的氧化物。 ______第10頁_ I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210XZ97公釐） '~~-~~ (請先閱讀背面之注意事項v^^'.ly?表頁) -裝 、ΐτ 線

I 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B? 五、發明説明（） 在第一主要链刻步驟中，可以使用HBr和氧構成的混 合物。如果願意，像是多到2 0 s c c m之少量含氟氣體，諸 如NF3、SF6、SiF4和Si2F6等等，也可加入蝕刻氣體中。 雖然非等向，第一主要蝕刻物會在開口的邊壁上沈澱一個 保護層。因此該步驟通常會產生些微錐形的邊壁，例如 8 5 - 8 9度的高深寬比之深渠溝，及8 0 - 8 9度的淺渠溝。當 渠溝要被填滿時這是有益的。因為第一主要蝕刻步驟在蝕 刻開口的邊壁及頂端沈澱鈍化物質，如果願意，該物質可 以使用稀釋液體HF之濕姓刻（wet etch)將之去除。 在第二主要蝕刻步驟中，諸如SiF4、Si2F6、NF3或最 好是S F 6等等的含氟氣體混合物可以與氧氣源一併使用。 該蝕刻具非.等向性，並形成非常平直且垂直的邊壁，具有 超過8 8度的錐形角。因此，使用·連續的兩個I虫刻步驟， 即可獲得高蝕刻速率的矽，並具有需要的輪廓角度控制而 不會侵蝕氮化矽硬罩。假若渠溝將被塑形成其底部寬過頂 端，HBr和含氟氣體的比例要調整到保護層會隨含氟氣體 一起移除，並且蚀刻便得更為等向。該兩種蚀刻物都產生 圓底的渠溝開口。雖然有寬廣的蝕刻成份比例可用，第二 I虫刻步驟中較佳的蚀刻混合物採用 SF6:HBr:02約為 1 :2 : 0.8 5之體積比例。然而，其他可以使用的比例取決於 反應室、使用的反應條件和想要的開口形狀。 一種名為"遲缓效應”的現象會在傳統蝕刻製程中發 生，意味著需要教長的時間來蝕刻深的開口。使用連續的 兩個蝕刻步驟和本發明之裝置，該效應即可減低，並且其 _ 第11貫_ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）~' (請先閱讀背面之注意事項本頁 .裝. 、-° 線 A7 B7 五、發明説明（ 總姓刻速率比先前技藝的製 灰私峨快’即使對高深寬比、小 直徑的開口亦然。 第4圖顯示在第二钮刻牛_ ^ 到步驟中低偏壓頻率的效應。第 4圖顯示符合第二步驟製程 衣狂 < —系列蝕刻開口，分別位於 A)基板中央；b)基板中央盥邊培'士 0日 ，、遭綠 < 中間；C)距離基板邊緣 l〇mm處和D)距離基板邊 您，.豕5mm處。並用400kHz和 13.56MHz的频率送$其& ii " 土板支每來做比較。明顯地，在低 頻時基板邊壁輪廓僅有微，持β , ^』改.邊，然而在高頻時，邊壁錐 形在接近基板邊緣時較不垂直於基板表面。㈣，為獲得 更垂直於基板表面的姓刻開口’應使用較低偏壓頻率。 孩偏壓功率也影響第一姓刻步驟中的錐形角。第5圖 為在第—触刻步驟中使用壓力為40毫托，源功率為 1_瓦#時錐形角對偏壓功率(瓦特)之圖。隨著偏壓功率 從200瓦特增加至q 5〇〇瓦特，錐形角也從8 5 7 88.9度，幾乎是垂直。因此第—蝕刻步驟的錐形角可以改 變偏壓功率來控制。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 為:空制第-蝕刻步驟中的蝕刻速率，電漿源功率可以 改變。第6圖為在第一蝕刻步驟中使用壓力為4〇毫托、 偏壓功率為475瓦特時蝕刻速率對電漿源功率之圖。隨著 電漿源功率從mo瓦特增加到25⑽瓦特，㈣速率也跟 著增加。在第二蝕刻步驟中’倘若電漿源功率太低，約400 瓦特〜冓的邊壁即顯得粗縫，而蚀刻速率也低。若在該 步驟中電漿源功率保持在約1〇〇〇瓦特便可獲得良好2 果。 、口 第12頁 本纸張尺度適财_家榇見-格（加χ29 五、發明説明（

偏壓功率的效應在第 力為3。毫托、電裝源功率為⑽。二中有些不同》當在壓 偏壓功率從20瓦特增加瓦特的第二姓刻步驟中 氧化罩以一較快速率蝕刻。〖特時，如第7圖所示’ 本發明將在以下的例子與 aa ^ τ ^ ^ 】中做進一步描述，但本 I明並不文其中描述細節之限制。 控制 —種使用7000埃氧化矽 、 和2200埃氮化矽的合成硬 之蝕刻在根據第2圖的裝置， Α 在昼力為40毫托時使 160sccm 的 HBr 和 3〇SCCm 本右的 ,t β有、.々30°/。氧氣的氧氦混合 (此後孩混合物將以He〇,扣浐，、 ‘知％ < )之蝕刻製程。送至 圈的㈣設定纟16DG瓦特’而基板支撐的功率設定在3 瓦特。第8圖顯示在頂端產生.錐形之蚀刻渠溝。 範例 種對珍的雙步驟[飯列1 ^ / Ψ蚀刻以罘2圖的裝置、在下列條件 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁 -裝. -5° 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 下實施 步驟1:將16〇Sccm的ΗΒγ和33sccm的He〇2送入反 應1： ’壓力保持在40毫托，送至線圈的功率設定在} 6〇( 瓦特，而基板支撐的功率設定在3〇〇瓦特。此步驟持續12( 秒。 步驟 2.將 55sccm 的 SF6、ii〇sccrr^ij HBr* 47sccir 的Ο2送入反應室’壓力保持在2 5毫托，送至線圈的功率 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公瘦) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___J1____ 五、發明説明（） 設定在1 000瓦特，而基板支撐的功率設定在20瓦特。此 步驟持續3 6 0秒。 第9圖為使用本發明所蝕刻之渠溝照片，顯示平直邊 壁的開口具有圓形底部。總蝕刻速率為1.0微米/分。介於 晶元中央與邊緣的均勻度約是2 · 0 % ’顯示本發明之良好控 制。開口的頂角有些微的錐形，8 8.4度，但是邊壁的底部 幾乎是垂直的89.5度。 ，

如第10圖所示，依循範例1的程序，但在步驟2之 後使用1 00 : 1的水：HF液體浸泡’以去除保護層。 本範例顯示輪廓角可以使用本發明之雙步驟製程來 控制。依循範例1的程序，但在步驟2中.送至線圈的功率 設定在800瓦特。 在A邵份中，第二蚀刻步驟使用之|虫刻物為4 5 s c c m 的S F 6、5 2.s c c’m的HBr和47sccm的02。如第11圖所示， 渠溝的頂角為89.2度，而底角則是90.5度。在該兩種银 刻物間有明顯的界線，而且渠溝的底部向外突出，因而比 渠溝的頂部為寬。 在B部份中，弟二蚀刻步驟使用之|虫刻物為4 5 s c c m 的SF6、80sccm的HBr和47sccm的〇2。渠溝的頂角為885 度’幾乎垂直。如第12圖所示’這產生在開口頂部略呈 第Η頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) —裝-- 、-α 線 明説明 I發、五 經滴部中央標-?·局Hi消费合作社印製 錐形之渠溝。 在c部份中’第二蝕刻步驟使用之蝕刻物為45sccm 的SF6、IOOsccm的HBr和47sccm的02。渠溝的頂角為 88.2度，而底角則是89.4度。所的之渠溝在頂部呈錐形， 而底部向内凹入，因而比渠溝的頂部為窄。此例示於第丄3 圖中。 因此，變化Η B r和S F6的相對比例，即可控制钮刻開 口的錐形角。 本程序的一項額外優點是它非常乾淨。第1 4圖顯示 基板支撐、第1 5圖顯示反應室的内部圓頂在幾乎i 〇 〇 〇個 晶元於反應室中使用氧化罩連續蝕刻處理後之結果。明顯 地’不會看.到可見的沈澱物或粒子’因此許多晶元可以依 照本發明嘈續地處理，.而無需清洗步驟。 使用本發明之雙步驟製程，晶元上的蝕刻速率均勾度 小於5% ;蝕刻速率高於1.0微米/分；而矽對氧化罩的選 擇性罱；例如，在對矽的7微米深蝕刻時，氧化物的損失 少於4 0 〇 〇埃。 雖然本發明之蝕刻製程以蝕刻反應物和條件的特殊 實施例描述，熟悉該技藝的人士將了解到可以在功率、壓 力、蝕刻物成份等等上做改變。這些改變應在此—併包 括因此，本發明只受後文附帶之申請專利範圍所限制。 _______第15 頁 本紙張尺度適用中國國家標辛（CNS)

Claims (1)

1. ABCD 六、申請專利範圍 1. 一種在具有連至反應室的第一 RF功率源和連至基板支 撐的第+二R F功率源之電漿真空反應室中將矽独刻出深 而具圓形底部的高深寬比開口之方法，該方法至少包含 下列兩個依續步驟： a) 使用包括Η B r和氧的混合物蚀刻，該混合物在邊 壁上沈積一個保護層以形成些微錐形的開口，及 b) 使用包括含氟氣體、HBr和氧的混合物缺刻，以形 成高深寬比的開口。 ' 2.如申請專利範圍第1項步驟b)所述之方法，其中上述之 含氟氣體選自SF6、SiF4、Si2F6和NF3所構成之群组。 2. 如中畸率剎袴閡第？項w述之方法.，.其中上述之含氟氣 體為SF6。 4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中HBr : SFb的 體積比為0.1至1 0。 5. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中HBr和SF6 : 氧的體積比為0.1至1 0。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之氡在步 驟a)中以包含體積百分比可高達3 0的氧之氦氣混合物 加入0 _第16肓_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 f 裝 經：身部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 Λ8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中加入體積百分 比從約1 0到約5 0的氦氧混合物到已經加入溴化氫的蝕 刻物中。 8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之含氟氣 體在步驟a)中加入，以去除渠溝底部的保護層。 ί :9 ·如申請專利範圍第8項所述之方法，其中上述之含氣.氣 體選自SF6、SiF4、Si2F6和NF3所構成之群組。 1 0.如申請專.利範圍第1項所述之方法，其中上述之步驟a) 在從約1到1 5 0毫托之壓力下實施。 1 1.如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中以至少約5 0 0 瓦特的功率輸至上述之反應室。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中以頂多約 3 0 0 0瓦特的功率輸至上述之反應室。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所述之方法，其中以約2 0到 2 000瓦特的功率輸至上述之基板支撐。 1 4·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之步驟b) 在從約1到1 0 0毫托之壓力下實施。 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS.) A4規格（210X297公釐） .…!-- ......- -- -I - -- - - —I - - - !1 --- - - - - - . - ί ,ΐτ'-I —ir - —ί. tl-1 --^外 » 二 9 (請先閱讀背面之注意事項HUT本頁) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之方法，其中以約4 0 0到 2 0 0 0瓦特的功率輸至上述之反應室。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之方法，其中以約1到5 0 0 瓦特的功率輸至上述之基板支撐。 1 7. —種在矽中控制高深寬比渠溝輪廓之方法，該方法至少 ' 包含下列連續步驟： a) 透過硬罩使用溴化氫和氧的混合物蚀刻，以在形 成之開口上形成保護層，及 b) 使用含氟氣體、溴化氫和氧的混合物蚀刻，並藉 由調整氣體混合比例改變蝕刻邊壁的錐形角。 1 8 _如申請專利範圍第】7項所述之方法，其中上述之含氟 氣體選自SF6、SiF4、Si2F6和NF3所構成之群組。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其中上述之含氟 氣體為SF()。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項^^?本頁) 2 0 .如申請專利範圍第1 7項所述之方法，其中上述之含氟 氣體在步驟a)中加入，以去除渠溝底部的鈍化材料。 2 1 . —種於單一處理反應室中在矽中連續蝕刻高深寬比開 口之方法，該方法至少包含下列連續步驟： 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 利 專 請 中 圍 ABCD 合 刻 蚀 的 體 氣 氣 含 和 板氧 基B1 矽Η 個種 一 一 室用 應 使 反中 刻室 蝕應 給反 供在 \)/ Ni/ a b 驟 步 刻 一 第 施 實 物 成 中 室 成 蝕 移 室 使t'J去 用 B Η 驟 步 上 板 基 種；之 述 合 刻 的 體 氣 IL 含 和 氧 及 驟 步 施 實 依 並 板 基 矽 個 二 第 室 應 反 刻 給 供 和 請 先 閱 面 之 注 意 事 項

   本 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 2 2 .如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中上述之含氟 氣體選自SF6、SiF4、Si2F6和NF3所構成之群組。 2 3 _如申請專利範圍第2 2項所述之方法，其中上述之含氟 氣體為SF6 。 _第_19頁_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）