TW388078B - Flattening process for bonded semiconductor substrates - Google Patents
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經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(1 發明有關於—用於包括兩個或更多已固接半導體晶圓 、半導禮基體的表面平坦化之程序。特職,本發明提供 :万法以得到具有—致且明定厚度之已固接基雜和由此-製程所得之已固接基體集困。 我們發現H緣體上之矽"(semic〇nduc加⑽inSulat〇r) (SOI")基體正在増加它於半導體工業上的應用。這些基 體通常包括-薄層梦或其他_般用做元件層的半導禮層, 、,緣層’以及-晶圓堆積或支援層。該典型地包括氧化 欢氣财或另—絕緣物質的騎層,在電氣上自該支援層 隔離了該元件層。 4 藉著將兩梦晶圓接在-起,S0I基體已準備完成。通常, -絕緣層形成於該-或兩晶圓的磨光面上,而該兩晶圖是 以在固接界面的絕緣層接在一起。於是該已固接晶圓之一 的厚度藉著各種方法被降低以在該絕緣層上產生一薄元件 層0 個已被建議用來製造SOI基體的方法是固接蚀回法 (bond and etch back method),於圖1中以圖形描述之。此方 法的起始物質是把柄晶圓1 (handle wafer)和元件晶圓2。該 把柄晶圓1有一堆積矽層3和一氧化層4。該元件晶圓2有一 層碎的蟲晶生長元件層5,一層極高度摻雜矽的羞晶生長 元件層6,以及一堆積矽層7。然後藉著元件層5被固接到 氧化層4,該晶圓加入而形成一已固接的基體8。堆積矽層 7藉著蝕刻,或蝕刻後機械研磨的混合而被移除,以露出 高度摻雜矽層6。然後高度掺雜矽層6以一侵先姑刻溶劑來 本紙張尺度適用中國鬮家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------- -X t 裝! (請先閲讀背面之注意事項·再填窝t頁) 订_ 張 紙 I--1--—------本 經濟部中央梯準局MC工消費合作杜印裝 A7 B7 五、發明説明(2 ) 移除,以生長一具有鋪於絕緣層4和支持層3之上露出的元 件層 5 的.SOI基體9。可見於如European Patent Application, Publication No. 0 520 216 A2。 儘管固接蚀回法可用於製造高品質SOI基體,它相對來説 是複雜實行的且變化是受限的。例如,磊晶生長通常在低 溫下實行以最小化該元件層的摻雜,其有降低磊晶生長速 度和羞晶反應物所設基礎之產出量的效應。由於此一相同 的原因,該絕緣氧化層典型地代替該元件晶圓而生長於把 柄晶圓之上。 另一個已被建議用來降低該結合晶圓之一的厚度的方法 是電漿輔助化學蝕刻(plasma assisted chemical etching) ("PACE"),於圖2中以圖形描述之。在此方法中,一 s〇i基 體8’藉著固接具有一矽層3和一氧化層4的把柄晶圓i到一 硬元件晶圓2上而形成。然後該S0I基體8,在兩個貯存移 除步驟中被薄化。在第一步驟中,矽貯存迅速但不需一致 地從表面10被移除,以傳統研磨,化學機械磨光或其他粗 貯存移除方法,意即產生-具有中間厚度^的薄膜2,,超 過該元件層的最終目標厚度Tt。爲降低在第一貯存移除步 驟引起的不一致,薄膜2,的厚度描述使用滅网儀 (enipsometer) ’ 一—高瘋哀1^置,或金來測 量。一點一點表示薄膜2,厚度的該描述資科,被處理來產 生-對整個薄膜2·表面的停留時間對位置對照圖。這對昭 圖用來控制物質移除工具(如電漿盤)在_2,上㈣動, 從層2,的表面10,上局部地移除多餘的貯存,以產生具有厚 -5 遥财關家料(CNS )八傳( (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) > In ^^1 — I 1^1 I I 1.1·
五、發明説明(3 ) A7 B7 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 度爲T t的元件層5的SOI晶圓9。可見於如U. S. Patent No. 5,254,830。 該PACE方法的一個好處是它產生的SOI晶圓具有對目標 厚度有著非常小總厚度變動("TTV”)的元件層,例如’大 約1 0奈米TTV。然而,重要的是,此方法依靠該元件層的 光學厚度測量,其厚度描述測量裝置的操作波長需要在該 元件層爲透明的範圍。因此,在典型使用的波長處,可能 不能用來測量厚度大於7微米的元件層,也不能用來測量 高度摻雜或其他光學不透明層的厚度。另外,在此研究中 只有元件層的TTV是被控制的;任何存在於支援層的ττν 被忽略並"印入printed into")該SOI基體中。這一效應以 圖形描述於圖3中’其以準備使用具有相當大ττν之把柄晶 圓的SOI基體誇張的細部來説明;此結果是一 801基體在元 件層5中有微小的或沒有TTV,但在矽層3和基體9中卻有 相當大的TTV。 發明摘要 因此,在本發明的諸多目的中,可記爲提供一種用於不 過分複雜之基體其準備的製程,一種使絕緣層可形成把柄 晶圓,元件晶圓或兩者較早固接者之上的製程,一種沒有 溫度處理限制的製程,一種使得光學不透明層可用的製 程,以及一種可做到基體ττν控制而不只是元件層的製 程。 因此,簡單地説,本發明指出_種基體準備的製程,該 基體具有-厚度爲目標厚度Tt的丰導體層。該製程包括面 -6 -
本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS)A4iii7lI^^iT 請 先 閲 讀 背 面 之 注 I- 裝 頁 訂 五、發明説明(4 ) 對面固接兩晶圓以形成一基體,其中之一的晶圓有上金名 n Tkn<)W11以及小於大約〇 75微米的總厚度變動,而第二晶 圓包括一層半導體物質。該基體在第一貯存移除步驟中薄 化以降低該半導體層的厚度。在匕屬化基體—前表面離散位 力篆上表鱼故涯屋里星量皇產生厚度描述資料〇另外 的貯存在第二貯存移除步驟中從該已薄化基體的前表面被 移除,以降低該半導體層的厚度至目標厚度,移除的量 爲考慮過厚度描述資料,Tt,以及Tkn<>wn之後,在各個已決 定的離散位置上應移除的貯存量。 本發明也指出藉固接兩個或更多晶圓來準備的基體之集 團。該集團包括至少10個具有基體平均總厚度變動不超過 大約〇·2微米且半導體層平均總厚度變動不超過大約0.5微 米的基體。 其他目的和特性,部分將會顯而易見,部分將在下文中 指出。 圖形之簡單説明 圖1是一根據第一種先前技藝方法所準備之已固接s〇I基 體的圖示橫斷面圖; 經 圖2是一根據第二種先前技藝方法所準備之已固接s〇i基 禮的圖示橫斷·面圖; η 工 消 费 合 作 社 裝 .訂 圖3是根據第二種先前技藝方法使用具有實際總厚度變 動的把柄晶圓所準備之已固接s〇I基體的圖示橫斷面圖; 圖4是一根據本發明的製程所準備之已固接s〇i基體的圖示 橫斷面圖.· 經濟部中央標準局月工消费合作社印装 A7 __;_ B7五、發明説明(5 ) 相對應之對照字元顯示多個圖式觀點之相對應部分。 建議具體實施例之説明 現在參照圖形,而且特別是圖4,本發明的製程由起始物 質,一把柄晶圓1,來工作。通常,把柄晶圓1可能已模式 化或未模式化且它可能有任何半導體應用特有的直徑或目 標厚度;舉例來説,直徑可能是從4到8吋(100到200mm)或 更大且厚度可能是從475到725微米或更大,而厚度的增加 典型地帶著直徑的增加。 在第一製程步驟中,把择晶J11丄I乎坦化议形成一 H知 厚度握度乎埕晶-圓。較希望的,該平坦化晶圓有小於1 微米的TTV,更好的是,有小於大約0.75微米的TTV,而又 更好的是,有小於大約0.5微米的TTV,最好是,有小於大 約0.2微米的TTV,而最理想的是,有小於大約0.1微米的 TTV。符合這TTV標準的晶圓可以使用如揭示於U. S. Patent Nos. 4,668,366, 5,254,830, 5,291,415, 5,375,064, 5,376,224及5,491,571的PACE基礎的技術來準備。使用這種 技術的精準晶圓造形設備已由1PEC/Precision (Bethe1, Connecticut)以PWS-200商標而商業應用化了。 通常,具有小於大約在25"mx25#m面積上O.lnm之表面 粗糙度的晶圓是可固接的。然而,電漿晶圓薄化製程將典 型地留给該矽晶圓的表面如以一厚子顯微鏡(Atomic Force Microscope) (AFM)測得的大表面粗糖度。因此’最好該電 漿薄化把柄晶圓表面的粗糙度被降低至小於該粗糙程度的 値。這是很容易以參照如"吻觸"("kiss")磨光的光磨光製程 -8 - 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4规格(210X297公釐) οά-----—IT---^----Jj -/-. --(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局工消费合作社印製 A7 ------- B7_«___ 五、發明説明(6 ) '—' 做到的。決定移除量的算法如下:(1)決定該電漿薄化表面 .的峰("P")對谷("v")粗糙度,Γ(ρ-ν);(2)設計磨光製程使 用成型漿(如 diluted Glanzox)來移除大约3r(p_vy,j4r(pv),· 以及(3)傳統RCA型清洗。移除這小量矽不會減損該晶圓的 TTV。 考慮控制TTV的而要,把柄晶圓包括任何機械上支持其 他層,啓動該結構的執握,以及處理,且不構成對元件層 之污染源的物質。這種物質包括如,一基本半導體物質, —複合半導禮物質’多晶秒,一玻璃物質如石英,或一陶 资物質如氧化铭’亂化铭或碳化碎。碎是用做把柄晶圓1 較合意的物質,以其導通型態和電阻係數並不是臨界的。 再參照圖4 ’把柄晶圓1依一種方法來處理以形成一包括 在矽層3表面上知絕4 〇該絕緣層 4的厚度通常介於大約5又(〇.5nm)到大約5微米,最好是大 約0.4到大約2微米’以大約3〇〇人到大約500人範圍的厚度爲 典型的來説。氧化矽,氮化矽或混合物是較好的絕緣物 質。雖然絕緣層最好以熱生長製程形成,但其他技術諸如 化學氣相沉積和電漿増強沉積也是適用的。 在該絕緣層形成之後,把柄晶圓1被固接到一以相似方法 處理過未處理過的元件晶圓2以形成一基體8,。更特別地, 把柄晶圓1的絕緣層4被固接到元件晶圓2露出的表面。固 接是根據此技藝已知的方法做的。最好,使用一直接固接 法,其中該固接表面是以在室溫下使它們可吸水,精準排 列而固接的方式清潔的。然後該基體6在活化的溫度下鍛 -9 - 本紙張从適財_家鮮(CNS) A4^ (2敝297公兼) ---------Ο 裝----!ΐτ!ίιυ * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) 化而増加固接強度。 再參照圖4,基體8’在第一貯存移除步驟中被薄化而產生 一具有介質厚度Tint的薄膜2’。通常,這步驟是一粗略移除 步驟’貯存迅速但不需是一致地從基體被移除。它可能藉 各種傳統薄化技術,諸如研磨,化學機構磨光,或蝕刻(電 漿或化學)來實現。於是,由第.一移除步骤所得的介質厚度 Tint就會是目標元件層厚度1\加上大約兩倍在第一貯存移除 步驟中導入之TTV的値。通常,傳統機械薄化法會導入 TTV大約1到5微米,而因此Tint*Tt之間的差異通常會小於大 約20微米,較希望是小於大約10微米,而最好是小於大約 5微米。 如果基體8’表現出孔洞,氣泡和其他分層等在該把柄和 元件拥圓邊緣處固接不一致的結果,層2 1的邊緣1 2可能藉 機械方法諸如研磨,磨光,或蝕刻(電漿或化學)移除來消 除這些減損基體優點的特性《典型地來説,這邊緣剝光步 驟’若全然實行,會在第一和第二貯存移除步驟間實行。 在第一貯存移除步驟之後’產生一點一點的厚度描述資 料用於薄化之基體且藉產生的資料如一在基想8’的表面14 上位置的方程式對應於足夠數目的離散位置來保證包括了 基體8 ·的全部表面範圍。因此,離散位置的數目最少是2, 好一點來説至少是1 〇,更好一點至少1〇〇,再好一點至少 1000,而對某些應用來説,最好至少是大約5,〇〇〇。用來產 生這資料的厚度測量工具可以是一電容性,光學干擾, FTIR,或機械式(如微距儀)厚度測量工具。然而,最好使 c請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -訂- L, - -10 -
經濟部中央梯準局貞工消费合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明(8 ) 用具有至少大約0.5微米的解析度之電容性厚度測量工具, 而更希望是至少大約0.1微米的解析度。具有大約〇· 1到0.2 微米的解析度之電容性測量工具已由ADE Corporation (Newton, ΜΑ)以ADE 7200商標而商業應用化了。在操作 中,在這些工具的平行板電容的空隙中一矽晶圓的導入導 致了電容的改變。這電容値改變可能與該晶圓的厚度和它 的有效介電常數有關。如果該晶圓被植入不同介電常數的 物質,有效介電常數可藉模型化該植入結構如串聯的.電容 般得出。例如’就埋層氧化物爲一致化且薄(小於大約 的SOI層來説,因不同物質導致的偏i是最小的,且若該埋 層氧化物厚度精確已知,則無論如何它都是可被精準計算 的0 很重要的, ,層2'的厚度及厚度變動可用一依厚 度描述資料,已知之把柄晶圓厚度Tkn〇wn ’及目標厚度L 而運算之算法來計算。舉例來説,達到目標厚度要移除的 物質量Tt可以從各個離散位置的厚度描述資料減去把柄晶 圓已知厚度丁kn own 來決定。這些數値的差異比較於元件層5 的目標厚度1\是構成在各位置必須被移除以達到目標厚度 T t之貯存量的兩個値間的差異。 一旦從層2’中各位置要移除的物質量被決定,這資訊會 被處理且轉換爲冑留時間對❾置的對應圖用來在第二貯存 移除步驟中控制貯存移除工具。這第二貯存移除步骤可使 用任何能夠局部且精準地從層2,的各小區域移除貯存的工 丨丨··—-______ -11- 本紙張^~~~--- ---------裝-- (請先閱讀背面之注意Ϋ-項再填寫^'_頁) ,11
A 經濟部中央揉準局員工消費合作社印装 A7 _B7五、發明説明(9 ) 具來實行以產生元件層5。這工具可以是’例如,一具有 微磨光頭的化學機構磨光工具。然而,最好它是載於U. S. Patent Nos. 4,668,366, 5,254,830, 5,291,415, 5,375,064, 5,376,224及5,491,571的型式的PACE移除工具,其已由 IPEC/Precision, Inc以PWS-200商標而商業應用化了。 在第二貯存移除步驟之後,基體8'有小於1微米的TTV, 較希望地,是有小於0.75微米的TTV,更希望地,是有小 於0.5微米的TTV,最好,是有小於0.2微米的TTV,而最理 想地,是有小於0.1微米的TTV。通常,元件層5有大約於 基體V的TTV。因此,元件層5有小於2微米的TTV,較希望 地,是有小於1.5微米TTV,更希望地,是有小於1微米的 TTV,最好,是有小於0.4微米的TTV,而最理想地,是有 小於0.2微米的TTV。基體和元件層最終的TTV値藉著從一 極度平坦的把柄晶圓開始,精密的基體厚度的對應,以及 在第二貯存移除步驟中以對應圖精準的薄化該基體來達 成。由於該把柄晶圓是極度平坦的,在第二貯存移除步驟 前存在該基體的TTV實際上是由於元件層的不一致性 (TTV)。另外,該基體精密的對應和精準的薄化使得元件 層的準備在第二貯存移除步驟之後有相似於基體的T T V。 基體8'可以随意地以"吻觸"磨光來降低在第二貯存移除 步驟之後的表面粗糙度至大約每25 ju m2面積1入之値。通 常,大約矽的1到300奈米會在此磨·光步驟中被移除。該磨 光可能在一使用如,稀釋氨固化膠狀二氧化矽漿(dilute ammonia stabilized colloidal silica slurry)和傳統磨光設備之 -12- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. ο 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
J 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印氧 A7 B7 五、發明説明(10 ) 化學/機械磨光製程中實行。較合意的稀釋氨固化膠狀二氧 化梦衆(dilute ammonia stabilized colloidal silica slurry)是 Glanzox,它已由 Fujimi Incorporated of Aichi Pref. 452, Japan商業應用化了。Glanzox 3900有從大約8到大約10%的 二氧化矽内容和從大约0.025到大約0.035 的顆粒大小。 如果該氨固化膠狀二氧化矽漿在使用之前不是稀釋的,該 磨光的晶圓會不如以稀釋漿處理的晶圓來得平坦。大約一 份二氧化矽漿至大約十份去離子化水的稀釋液是較合意 的。在磨光之後,該基體送到一使用標準清洗液如H2 0 4i202-NH40H的清洗步驟。 本發明的製程在具有相對厚半導體層,如至少1微米的厚 度,3微米,5微米,7微米,10微米,或甚至更大厚度的 SOI基體之準備中提供了特別的好處。本發明的製程在具有 光學不透明之層或區域的SOI基體之準備中也提供了特別的 好處。此好處從在本製程中使用的測量方法開始。在本發 明中,厚詹測量以該支持屋的背面爲參者平面,使 明進行。該支棱及的 背^鱼_3:屋爲jt-jt持1是良一導入微小 如圖4所描述,絕緣層4形成於把柄晶圓1之上。然而實 際上,該絕緣層可能形成於把柄晶圓1,元件晶圓或兩者 中較先固接者之上,只要該兩晶圓是以在固接界面的氧化 層固接在一起。 即使本發明被描述於SOI基體的背景上,它的應用並不限 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0><297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 五、發明説明(11 A7 B7 於包括一絕緣層的基體。它對任何自兩個或更多晶圓而其 中一個是極度平坦晶圓所準備之半導體基體有普遍的應 用。因此,舉例來説,它可被使用於其中各已固接晶圊皆 包括已格式化或未格式化的半導體層之應用。它也可被使 用於其中有超過兩個已固接晶圓之應用。 另外,本發明的晶圓固接和平坦化製程做到一具有嚴格 TTV分佈的半導體基禮集團的準備❶那就是説,可以一至 少大約10個基體,最好是至少大約25個基體的集團的準 備’而其具有基體平均TTV不超過大約〇·2微米且半導.趙層 平均TTV不超過大約0.5微米。 從前文之中,可以看到本發明的許多目的達到且獲得其 他有利的結果。 各式各樣的變化會在上述而不脱離本發明的範_之結構 和製程中做到’想要做到的是所有包含在上述説明或見於 附圖中的事項北會被了解且不只有限的理解。 請 先 閲 Λ 之 注 I. t 裝 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 -14· 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- ! U767號專利中請案 干又申請專利範園修正本(88年1月) 、申請專利範圍 L 一種用於一具有且為_L之主之基質之準備 的复程,該製程包括 主·^匕一 J 一赢_®以降低該第一晶圓的農厚^度至不超 過〇. 75微米之一已知厚度T|cn()wn。 .周接;該第一晶圓和一第二晶圓,面對面以形成_基 質,該第二晶圓包括一半導體材料,基質具有由第一和 弟二晶圓未^義的|L表面和度-表面,一由第一和 第二晶圓的已固接表面來定義的前表面和後表面間之土 肩’一後表面和該介面間的j撞j,以及一位於前表面 和包括該半導體物質之介面間的半導體廣, 薄化該基質,藉由於筻一邈中,從前表面 #除貯存來降低該半導體層的到一比Tt大之中間質 厚度Tint, ϋ該薄化基質的免料,該厚度描述資料的 產生,包括在前表面離散位置處該基質前表面和後 表面間的距離, 經濟部中夫橾準局負工消費合作社印策六 •^在n教_位复處复屋_徐㈣存量,以降低該半導 體層的厚度至目標厚度1,該決定包括使速=厚 g料,1,及2缸_的算法, 邊^度 於策二騾中,從該薄化基體的前表面蓋废 貯存,以降低該半導體層的—厚度至目標厚度Tt,在各^ 散位置處要移除的貯存量是根據該決定而得。 2.如申請專利範圍第1項的製程,其中第—晶圓有小於大 約0,5微米的總厚度變動。 本紙張尺度逋用令國困家#準(〇飑)戌4规格(2丨0><297公釐) ! U767號專利中請案 干又申請專利範園修正本(88年1月) 、申請專利範圍 L 一種用於一具有且為_L之主之基質之準備 的复程,該製程包括 主·^匕一 J 一赢_®以降低該第一晶圓的農厚^度至不超 過〇. 75微米之一已知厚度T|cn()wn。 .周接;該第一晶圓和一第二晶圓,面對面以形成_基 質,該第二晶圓包括一半導體材料,基質具有由第一和 弟二晶圓未^義的|L表面和度-表面,一由第一和 第二晶圓的已固接表面來定義的前表面和後表面間之土 肩’一後表面和該介面間的j撞j,以及一位於前表面 和包括該半導體物質之介面間的半導體廣, 薄化該基質,藉由於筻一邈中,從前表面 #除貯存來降低該半導體層的到一比Tt大之中間質 厚度Tint, ϋ該薄化基質的免料,該厚度描述資料的 產生,包括在前表面離散位置處該基質前表面和後 表面間的距離, 經濟部中夫橾準局負工消費合作社印策六 •^在n教_位复處复屋_徐㈣存量,以降低該半導 體層的厚度至目標厚度1,該決定包括使速=厚 g料,1,及2缸_的算法, 邊^度 於策二騾中,從該薄化基體的前表面蓋废 貯存,以降低該半導體層的—厚度至目標厚度Tt,在各^ 散位置處要移除的貯存量是根據該決定而得。 2.如申請專利範圍第1項的製程,其中第—晶圓有小於大 約0,5微米的總厚度變動。 本紙張尺度逋用令國困家#準(〇飑)戌4规格(2丨0><297公釐) 經濟部中央樑率局βζ工消费合作社印*. A8 B8 C8 一 —__ D8 ____ 六、申請專利範圍 3·如申請專利範圍第1項的製程,其中第一晶圓有小於大 約〇·2微米的總厚度變動》 4. 如申請專利範圍第1項的製程,其中該基質的半導體層 有至少大約1微米的目標厚度值T t。 5. 如申請專利範圍第i項的製程,其中至少第一和第二晶 圓其中之一包括一層,由此該基質藉固接包括 一含有在該半導體層和支持層間的絕緣物質之絕緣層的 第一和第二晶圓而形成。 6. 如申請專利範圍第1項的製程,其中該半導體物質是矽 且第一和第二晶圓其中之一包括一層具有至少大約3〇〇A 的二氧化矽’由此該基質藉固接包括一在該半導體層和 支持層間的二氧化矽絕緣層的第一和第二晶圓而形成。 7. 如申請專利範圍第1項的製程,其中Tint比τ ^大不超過工〇 微米》 8. 如申請專利释圍第1項的製程,其中該基質在第二貯存 步驟之後被磨光。 9. 如申請專利範圍第1項的製程,其中厚度描述資料是藉 測量在離散位置處基質的電容偉而產生。 …10. —種用於一具有目標厚度為Tt至少為1微米之半導體層 之基質之準備的製程,該製程包括 土並^ 一第一石夕晶圓以降低該晶圓的總厚度變動至不 超過大約0.5微米的值,該已平坦化之第一矽晶圓具有已 知厚度Tknt)Wn, .磨半該已平坦化之晶圓,以降低該平坦化晶圓之_表 ' 2 - 本纸張尺度適用t國國家旗準(CNS > A4规格(210X297公釐) ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫^·頁) 訂 經濟部尹央棣率局員工消费合作杜印裝 A8 B8 ---- 〇l 六、申請專利ϋ ~ '一 - 面的粗糙度(rms)至不超過大約在25以mx25从m面積之上 〇· Inm的值, ϋ 一 mm層於該第一晶圓之磨光表面 矽晶圓之表面之上, — _1_^第一和第二晶圓在一起,面對面以形成—基質, 基質具#由第第二晶圓未固接面定義的前表面和後 表面,一由第一和第二晶圓的已固接表面來定義的前表 面和後表面間之介面,一介於後表面和該介面間的支持 層’一位於前表面和介面間的矽層,以及—介於該支持 層和包括该一巩化碎層之半導體層間的介電質層, 薄化該基質,藉由於第一貯存移除步驟中,從前表面 移除貯存來降低該半導體層的厚度到一比Tt大不超過1〇 微米之中間質厚度Tint, 產生對該薄化基質的厚度描產資科,厚度描述資料的 產生包括使用一電容性測量工具測量在前表面離散位置 處該基質前表面和後表面間的距離, 決定在各離散位置處要一替1故劈存j以降低該半導體 層的厚度至目標厚度Tt,該決定包括使用一運算厚度描 述資料,Tt ’及Tknown的算法,以及 藉使用電聚以、蚀赴前表面而在第二貯存移除步驟中從 孩薄化基體的前表面移除貯存以降低該半導體層的厚度 至目標厚度Tt,在各離散位置處要移除的貯存量是根據 決定而得。 • 11. 一種以如申請專利範圍第10项之製程所製造之基質的集 -3 - 本纸張尺度逍用中國國家棣率(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T • 1 - I - I · 383078 J88 C8 ---------D8 、申請專利範團 團’其中每一個都包括具有前和後表面之固接的第二和 第—晶圓’一由雨晶―圖之已固接表面來定義的該前和後 面門之J面,一介於後表面和該介面間的支持層,一 位於前表面和該介面間具有半導體物質的半導體層以 及一介於該支持層和半導體層間的絕緣層,該集團包括 至少10個具有基質平均總厚度變動不 約0 2微米 且半導1屢~平·變_^不趙過大約0 · 5微米的基 質。 如申請專利範圍第丨丨項的基質集團,其中該集團包括至 少2 5個晶圓。 13·如申請專利範圍第11項的基質集團,其中在集圏裡每一 基質的絕緣層包括一層至少大約3〇〇A厚的二氧化妙。 14·如申請專利範圍第11項的基質集®,其中在集困裡每— 基質的半導體層包括一層至少大約1微米厚的秒。 I HI I I— i— 11« .....I - ----- i --- (n ,ti - (請先《讀背面之注意亊項存填寫本頁) 經濟部中央棣準局貝Η消费合作杜印«. 本纸張尺度逋用中國國家揉準(CNS > Α4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US71136096A | 1996-09-04 | 1996-09-04 |
Publications (1)
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