TW305948B

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Publication number: TW305948B
Application number: TW083109587A
Authority: TW
Original assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-11-08
Filing date: 1994-10-15
Publication date: 1997-05-21
Also published as: KR100219979B1; US5600460A

Description

經濟部中央標隼局員工消费合作社印裝 305948 A7 B7五、發明説明（1 ) 〔產業上之利用領域〕本發明係有關一種液晶顯示基板之製造方法，例如，有關一種利用薄膜電晶體等之主動陣列型的液晶顯示基板之製造方法。〔習用技術之說明〕 ....... ，按，例如主動陣列型之液晶顯示基板中，延伸於其列 (橫）方向之掃描信號線，係並設於行（縱）方向，而延伸於行（縱）方向之映像信號線，係並設於列（横）方向 0 由此等掃描信號線及映像信號線所包圍之各區域中，分別形成有具備例如由薄膜電晶體所構成之開關裝置的圖素。並設於同列方向之各開關裝置，係藉介以接近之掃描信號線施加的電壓而ON，此時，來自映像信號線之信號電壓，係介以開關裝置而施加於對應之圖素。又，使用薄膜電晶體之主動陣列型的液晶顯示裝置，例如已由日本特開昭6 3 — 3 0 9 9 2 1號公報、「採用冗長構成之1 2 . 5型主動陣列型彩色液晶顯示器」（日經electronics，第 1 9 3〜2 1 0頁，1 9 8 6年1 2 月1 5日，日經馬固婁希魯公司發行）等文獻，業已爲人所知。由此等構成所構成之液晶顯示基板，近年有大畫面化及微細化之傾向，伴隨於此，在製造時，掃描信號線及映丨-^--τ卜丨--〇-裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本f) 、-» 線本纸張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 A7 B7五、發明説明（2 ) 像信號線發生斷線之機率也爲之增大。因此，在液晶顯示基板製造時，‘會針對該掃描信號線及映像信號線中是否產生斷線進行檢査。〔發明之解決課題〕然而，根據上述方式之對於掃描信號線及映像信號線是否有產生斷線之檢査的結果，若發現有斷線之情形時，一般係不對該斷線作修復，而將基板直接視爲不良品予以處理。所以如此的理由是，首先，並無可以簡單之方法修復斷線的技術。又，即使以某種方法修復斷線，其修復部也缺乏信賴性。此外，修復部還會對液晶造成不良影響，例如，此一部份會產生輝度不一致的問題。是以，本發明係有鑑此等情事開發而成者，其目的係在提供一種極爲簡單，且可高信賴性地修復斷線或短路之液晶顯示基板之製造方法。〔課題之解決手段〕爲了達成此一目的，本發明包括以下之手段。手段1 一種液晶顯示基板之製造方法，包括將介以液晶相互對向配置之透明基板中的至少一側透明基板之偏液晶側的面上所形成之配線層的斷線，予以檢査之過程：其特徵係 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) αι Γ UK— m^i nn ! 1 nn ϋι« 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X 297公釐） 305948 A7 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印裂 B7五、發明説明（3 ) 在：具有將導電材料附著於該配線層之斷線部位，而將該斷線予以修復之過程。手段2 於手段1中，具有在斷線修復後·，包含其斷線部··位，形成將上述配線層被覆之保護膜的過程。手段3 —種液晶顯示基板之製造方法，包括將介以液晶相互對向配置之透明基板中的至少一側透明基板之偏液晶側的面上，以絕緣膜被覆之配線層的斷線，予以檢査之過程；其特徵係在：具有將被覆該配線層之斷線部位的絕緣膜，選擇性予以除去之過程，以及將導電材料附著於由絕緣膜露出之配線層的斷線部位，而將該斷線予以修復之過程。手段4 一種液晶顯示基板之製造方法，包括將介以液晶相互對向配置之透明基板中的至少一側透明基板之偏液晶側的面上，以絕緣膜被覆之配線層的短路，予以檢査之過程：其特徵係在：具有將被覆該配線層之短路部位的絕緣膜及該配線層的短路部位，依序選擇性予以除去之過程，以及將絕緣膜 ------裝-- (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（4 ) 被瑷固定於該短路部位之過程。手段5 於手段1或手段3中，以光CVD法將導電材料附著於配線層之斷線部位者。 J··； 1 ..· 手段6 於手段3中，於斷線修復後，將該部份利用C V D法以絕緣膜被覆者。手段7 於手段4中，將短路部位被覆之絕緣膜的被覆固定，係以光CVD法實施者。手段8 —種光CVD裝置，係用於手段5〜手段7中，其特徵係在：經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 備有一顯微鏡，此顯微鏡所具備之光軸，係與照射於配線層之斷線部位的雷射光之光軸一致者。手段9 於手段5中，係於透明基板配置於光CVD用鐘形罩內之狀態下，進行斷線修復者。本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） A7 B7 305S48 五、發明説明（5 ) 手段1 0 於手段5中，係於透明基板配置於光CVD用鐘形罩內之狀態下，進行短路修復者。手段1 1 一種液晶顯示基板之製造方法，此基板備有介以液晶相互對向配置之透明基板中的一側透明基板之偏液晶側的面上所形成之至少多數個圖素電極，以及在此等各圖素電極間所形成之多數個配線層：其特徵係在：具有檢査上述各斷線層是否斷線之過程，以及將由該檢査所確認之斷線部位，介以鄰接之圖素電極予以接縯之過程。〔作用〕根據上述手段1中所示之構成，由於係將導電材料附著於斷線部位進行修復，因此可以局部之處理即完成極簡單及具有高信賴性之斷線修復。根據上述手段2中所示之構成，由於斷線修復部位係由保護膜所保護，因此，可確保其後之品質的信賴性。根據上述手段3中所示之構成，即使是由絕緣膜被覆狀態下之配線層，也可藉由其局部之處理而達成具有再現性之修復。根據上述手段4中所示之構成·，即使是配線層之短路的修復，也能以局部之處理極爲簡單且高信賴性地達成。本紙張尺度適用中國國家標孪（CNS ) A4规格（210X297公釐） --- J-l· —--裝------訂-----0 線 (請先閲讀背面之;i意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝經濟部中央標準局員工消費合作社印裝五、發明説明（6 ) 根據上述手段5中所示之構成，可依微細之圖案附著導電材料，因此可作具有信賴性之修復。根據上述手段6中所示之構成，基於同樣之理由，可有效地建立修復後之再現性。根據上述手段7中所示之構成，可有效地建立短路修復後之再現性。 …........ 根據上述手段8中所示之構成，可確實地達成修復部位及用以修復之雷射光的一致化。根據上述手段9中所示之構成，可使用一般大小之光 CVD裝置進行斷線之修復。根據上述手段1 0中所示之構成，可使用一般大小之光CVD裝置進行短路之修復。根據上述手段1 1中所示之構成，藉由介以鄰接之圖素電極進行接續，可在避開信號線之斷線部位的其他區域，形成導電膜。是以，藉由在不存有雜質部殘渣之區域形成導電膜，可完成接續修復，因此，其信賴性可大幅提高。〔實施例〕本發明之其他目的及特徵，可由佐以圖面之下述說明，獲得深一層之瞭解。 <主動陣列型之液晶顯示裝置> 以下，茲將本發明應用於主動陣列型彩色液晶顯示裝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） —_—^：----裝------訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 305S48 五、發明説明（7 ) 置之實施例說明之。又，以下說明之圖面中，具有同一機能之部份，係標示相同之符號，至於其重複之說明則予省略。 <陣列部之概要> 圖2係應用本發明之主動陣列型彩色液晶顯示裝·置的一個圖素及其附近之平面圖，圖3係沿圖2之3 — 3切斷線的斷面圖，圖4係沿圖2之4 — 4切斷線的斷面圖。如圖2所示，各圖素係配置於鄰揆之兩條掃描信號線 (閘極信號線或水平信號線）G L與鄰接之兩條映像信號線（漏極信號線或垂直信號線）DL之交叉區域內（由四條信號線所圍成之區域內）。各圖素包含薄膜電晶體 TFT、透明圖素電極I TO 1及保持電容裝置C a d d 。掃描信號線G L在圖中係在左右方向延伸’在上下方向配置有多數條。映像信號線D L係在上下方向延伸，在左右方向配置有多數條。如圖3所示，以液晶層LC爲基準，下部透明玻璃基板SUB 1側，形成有薄膜竃晶體TFT及透明圖素電極 IT01 ，另外，上部透明玻璃基板SUB2側，形成有濾色器F I L、遮光用黑底圖案BM。透明玻璃基板 SUB 1、SUB 2之兩面上，設有由浸潰處理等所形成之氧化矽膜S I Ο。上部透明基板S U B 2之內側（液晶L C側）的表面，依序層合有遮光膜BM、濾色器F I L、保謨膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '^3""裝------訂-----C3線經濟部中央標準局員工消費合作社印裝經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 A 7 B7五、發明説明（8 ) PSV2、共通透明圖素電極IT02 (COM)以及上部定向膜Ο R I 2。 <陣列周邊之概要> 圖5係包含上下玻璃基板SUB 1、SBU 2之顯示面板PNL的陣列（AR )周邊之要部平面圖，圖6'係其周邊部之誇張平面圖，圖7係對應於圖5及圚6之面板左上角部的密封部S L附近之擴大平面圖。又，圖8係以圖 3之斷面爲中央，左側表示圖7之8 a — 8 a切斷線的斷面，右側表示應與映像信號驅動電路接續之外部接續端子 DTM附近的斷面之斷面圇。同樣地，圖9係左側表示應與掃描電路接續之外部接續端子GTM附近的斷面，右側表示無外部接纘端子之密封部附近的斷面之斷面圖。此一面板之製造，若爲小型尺寸，爲了提高產量，可將一片玻璃基板以多數個裝置同時加工後予以分割；若爲大型尺寸，爲了共用製造設備，不管是任一種類，均係將標準化大小之玻璃基板加工後，再予以形成爲適合各種類之尺寸，任何一種狀況，均是經由一般之過程將玻璃切斷。圖5〜圖7中所示的是後者之例，圓5、圖6之兩圖均係表示上下基板SUB 1、SUB 2之切斷後之狀態，圖 7係表示切斷前之狀態，LN係表示兩基板之切斷前的緣，<3丁1及（：丁2分別係表示基板3118 1、3116 2之應切斷位置。不管是任一種場合，在完成狀態下，爲使外部接績端子群Tg、Td (後附字省略）存在之（圖中之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------訂-----線經濟部中央樣隼局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（9 ) 上下邊及左邊的）部份露出，上側基板SUB 2之大小，係限制成較下側基板S U B 1爲內側。端子群T g、T d 分別係將後述之掃描電路接續用端子GTM、映像信號電路接續用端子DTM、及將渠等之引出配線部多數個集中於搭載有集成電路晶片CH I之帶形載體封裝體TC P ( 圖1 8、圖1 9 )之單位命名。各群之陣列部.以至外部接續端子之引出配線，愈接近兩端愈傾斜。這是爲使顯示面板PNL之端子DTM、GTM與封裝體TCP之配列間隔及各封裝體TC P中之接續端子間隔配合所致。透明玻璃基板SUB1 、SUB2之間，沿其緣部，不包括液晶封入口 I N J ，形成有用以封閉固定液晶L C 之密封圖案S L。密封材例如係由環氧樹脂所構成。上部透明玻璃基板SUB2側之共通透明圖素電極IT02 ，至少在其一個位置，於本實施例中，係於面板之四角，以銀糊材AGP與下部透明玻璃基板SUB 1側所形成之引出配線I NT相接續。此一引出配線I NT，係與後述之閘極端子GTM、漏極端子DTM以相同之製造過程形成〇 , 定向膜ORI 1、ORI 2、透明圖素電極IT01 、共通透明圖素電極I TO 2各層，係形成於密封圖案 51^之內側。偏光板卩01^1、？01^2，分別係形成於下部透明玻璃基板SUB 1、上部透明玻璃基板SUB 2 之外側的表面。液晶L C係封入於：在設定液晶分子的朝向之下部定向膜OR I 1與上部定向膜OR I 2之間，由本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210 X 297公釐） - 12 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9裝訂 -Ο線經濟部中央橾隼局員工消費合作社印袈 305948 A7 B7 五、發明説明（10 ) 密封圖案SL所隔成之區域。下部定向膜OR I 1係形成於下部透明玻璃基板SUB 1側之保護膜PSV 1的上部〇此一液晶顯示裝置，係藉由：在下部透明玻璃基板 SUB 1側及上部透明玻璃基板SUB 2側，又另外層合各種之層體，將密封圖案S L形成於基板SUB 2側.，並將下部透明玻璃基板S U B 1及上部透明玻璃基板 SUB 2重合，再由密封材SL之開口部I NJ注入液晶 LC，以環氧樹脂等封止注入口 I N J ，並將上下基板切斷而形成。 <薄膜電晶體T F T> 其次，回到圖2 、圖3 ，將TFT基板SUB 1側之構成詳細說明之。薄膜電晶體TFT在動作上，當對閘極電極GT施加正偏壓時，使源極、漏極間之溝道電阻減小，而當偏壓爲零時，使溝道電阻增大。各圖素中，冗長地設有多數個（兩個）薄膜電晶體 TFT1、TFT2。薄膜電晶體 TFT1、TFT2 分別在實質上係以相同之尺寸（溝道長、溝道寬相同）構成，具有閘極電極GT、閘極絕緣膜GI、i型（眞性， intrinstic，導電型決定雜質未摻雜）非晶質矽（S i ) 所構成之i型半導體層AS、一對之源極電極S D 1、漏極Μ極S D 2。又，請瞭解的是，源極及漏極原本係由其本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - ------—，--CD-裝------訂-----C3 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標率局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（u) 間之偏壓極性所決定，此一液晶顯示裝置之電路，其極性在動作中會反轉，因此，源極、漏極在動作中會互換。然而，在以下之說明中，爲方便計，以一者爲源極，另一者爲漏極固定地予以表示。 <閘極電極GT> - * 閘極電極G T係以由掃描信號線G L在垂直方向突出之形狀構成（分歧成T字形）。閘極電極GT係越過薄膜電晶體TFT 1 、TFT2之各主動區域突出。薄膜電晶體TFT1、TFT2之各閘極電極GT，係一體（作爲共通之閘極電極）構成，連續於掃描信號線G L形成。於本例中，閘極電極GT係由單層之第二導電膜g 2所形成。作爲第二導電膜g 2，例如可使用由噴濺所形成之鋁（ AJ2 )膜，其上設有之陽極氧化膜AOF。此一閘極電極GT係形成爲可完全覆蓋i型半導體層 AS (由下方觀察），或是較其爲大，使外光或背照光不會照到i型半導體層AS。 <掃描信號線GL> 掃描信號線GL係由第二導電膜g 2所構成。此一掃描信號線GL之第二導電膜g 2，與閘極電極GT之第二導電膜g 2係以相同之製造過程所形成，且係一體構成。又，掃描信號線G L上，也形成有Α ί之陽極氧化膜 A 0 F ° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 扣衣 I 訂 -Ο線齊郎中失嗓象苟寄：Μ 奢"卡.土 f殳 A7 B7 ~ 五、發明説明（12) <絕緣膜G I > 絕緣膜GI，於薄膜電晶體TFTl、TFT2中，係作爲對閘極電極G T及半導體層A S賦與電場之閘極絕綠膜使用。絕緣膜G I條形成於閘極電極G T及掃描信號線G L之上層。作爲絕緣膜G I ，例如可選用由電漿 CVD所形成之氮化矽膜，形成爲1 2~〇〇〜2 7 〇 · 〇 A 之厚度（本實施例爲2 0 0 〇A之程度）。閘極絕緣膜 G I係如圖7所示，係以包圍陣列部AR整體之方式形成，周邊部係以露出外部接續端子DTM、GTM之方式除去。絕緣膜G I對於掃描信號線G L及映像信號線D L之電絕緣也有貢獻。 <i型半導體層AS> i型半導體層AS，於本例中，在各薄膜電晶體 TFTl 、TFT2中，分別係以獨立之島狀形成，其係非晶質矽，以2 0 0〜2 2 0 0A之厚形成（於本實施例中爲2 0 0 0A程度之膜厚）。層d 0係有電阻接觸用之摻雜有磷（P)之N(+)型非晶質矽半導體層，設於下側有i型半導體層AS存在，而上側有導電餍d 2 ( d 3 )存在之部份。 i型半導體層AS，在掃描信號線GL與映像信號線 DL之交叉部（越過部）的兩者間亦有設。此一交叉部之 i型半導體層AS，可降低交叉部之掃描信鞞線GL與映像信號線D L間之短路。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫木I) .—装------訂丨線經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 305548 a? _B7 __五、發明説明（13) <透明圖素電極IT01> 透明圖素電極I TO 1 ，係構成液晶顯示部之圖素電極之一。透明圖素電極I TO，係接績於薄膜電晶體TFT 1 之源極電極S D 1及薄膜電晶體T F T 2之源極電極 SD2二者。因此，即使薄膜電晶體TFT1、TFT2 中之一者產生缺陷，在該缺陷會帶來副作用時，可以雷射光等將適當之部位切斷；不會造成副作用時，則因另一薄膜電晶體仍可正常動作，不予理會即可。透明圇素電極I TO 1 ，係由第一導電膜d 1所構成，此一第一導電膜d 1 ，係由以噴濺法形成之透明導電膜 (銦—錫一氧化物ITO:NASA膜）所構成，形成爲 1 0 0 0〜2 0 0 0A之厚度（本實施例爲1 4 0 0A程度之膜厚）。 <源極電極SD1、漏極電極SD2> 源極電極SD1、漏極氰極SD2，分別係由與N ( + )型半導體層d 0接觸之第二導電膜d2及形成於其上之第三導電膜d3所構成。第二導電膜d 2係採用由噴濺法所形成之鉻（C r ) 膜，其係以5 0 0〜1 0 0 〇A之厚度（本實施例爲 6 〇程度）形成。Cr膜，當其膜厚較厚時，應力會增大，因此在形成時不超過2 〇〇〇 A程度。C r膜可使 .'1— 抑衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) T* 、-» -Ο線本紙張·尺度適用中國國家榡隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - 經濟部中央樣苹局員工消費合作社印裝 A7 B7 立、發明説明（14 ) 與N ( + )型半導體層d 0之接著性良好，使用目的是防止第三導電膜d 3之Aj，擴散至N ( + )型半導體層 d 0 (即作爲所謂之障壁層）。作爲第二導電膜d 2 ，除了 Cr膜以外，也可使用高熔點金屬（Mo、Ti 、Ta 、W)膜、高熔點金饜矽化物（MoS丨2、Ti S i2、 T a S i 2、W S i 2 )膜0 第三導電膜d3係Aj之噴濺物，形成爲3 0 〇〇〜 5 0 0 0Α之厚度（本實施例中爲4 0 0 0Α程度）。 Ai?膜與C r膜相比，應力小，且膜厚可形成較厚，其作用是降低源極電極S D 1、漏極電極S D 2及映像信號線 D L之電阻値，可使起因於閘極電極GT或i型半導體層 AS之階差超越確實化（使階狀被覆良好化）。第二導電膜d 2、第三導電膜d 3，在以相同之光罩圖案圖案化之後，再利用相同之光罩，或是將第二導電膜 d 2、第三導電膜d 3作爲光罩，將N ( + )型半導體層 d〇除去。換言之，殘留於i型半導體層AS上之N (型 )半導體層d 0，其第二導電膜d 2、第三導電膜d 3以外的部份，係以自調方式除去。此時，N ( + )型半導體層d Q，係被蝕刻成厚度完全被除去，因此，i型半導體層AS其表面部份多少也被蝕刻，其程度由蝕刻時間控制即可。 <映像信號線D L > 映像信號線D L係由源極電極S D 1、漏極電極本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 17 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------訂-----C3線 A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製五、發明説明（15) SD 2及同層之第二導電膜d 2、第三導電膜d 3所構成 0 <保護膜PSV1> 薄膜電晶體TFT及透明圖素電極I· TO 1上，設有保護膜PSV1。保護膜PSV1主要係爲防止薄膜·電晶體TFT與濕氣等接觸而形成，使用透明性高且耐濕性良好者。保護膜PSV1例如可由電漿CVD裝置所形成之氧化矽膜或氮化膜所形成，以1 # m程度之膜厚形成。如圖7所示，保護膜PSV1係形成爲包圍陣列部 AR整體，其周邊部係以露出外部接續端子DTM、 GTM之方式除去，又，上基板側SUB 2之共通電極 COM以銀糊AGP接績於下側基板SUB 1之外部接續端子接績用引出配線I N T的部份，也被除去。另外，有關保護膜P SV 1與閘極絕緣膜G I之厚度關係，前者在考慮保護效果之下，設定地較厚，而後者在考慮電晶體之相互電導之下，設定地較薄。是以，如圖7所示，爲了使保護效果高的保護膜P S V 1即使是周邊部也能儘可能地廣範圍進行保護，其係形成較閘極絕緣膜G I爲大。 <遮光膜B Μ > 上部透明玻璃基板SUB 2側，設有遮光膜ΒΜ，以使外部光或背照光不入射至i型半導體層A S。圖2中所示之遮光膜BM之封閉性多角形輪廓線，表示其內側未形本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 18 · ------- —.--裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本f ) 、-° -〇線 A7 B7五、發明説明（) 成遮光膜BM之開口。遮光膜BM係由於光之遮蔽性高的例如鋁膜或鉻膜等所形成，於本實施例中，鉻膜係以噴猫法形成爲1 3 Ο 0A程度之厚度。是以，薄膜電晶體TFT1、TFT2之i型半導體層AS，係由上下之遮光膜BM及較大之閘極電極GT所包夾，使得外部之自然光或背照光不致照射到。遮光·膜 BM係在各圖素之周園以格子狀形成（所謂之黑底），以此一格子分隔出一圇素之有效顯示區域。是以，各圖素之輪廓係由遮光膜BM而明確化，使得對比度提高。換言之，遮光膜BM具有對於i型半導體層A S之遮光及黑底的兩種機能。透明圖素電極I TO 1之摩擦方向的根本側之端·綠部份（圇2右下部份）也是由遮光膜BM所遮光，因此上述部份縱使產生時，該疇也看不見，因此，顯示性質不會劣化0 如圖6所示，遮光膜BM之周邊部係形成爲畫框狀，其圖案係與設有點狀之多數個開口的圖2所示之陣列部的圇案連續地形成。周邊部之遮光膜BM，如圖6〜圖9所示，係延長至密封部S L之外側，可；防止起因於個人電腦等之實際裝機的反射光等之漏光進入陣列部的情形發生。另一方面，此一遮光膜BM係由基板SUB 2之緣部停留於約0 . 3〜1 . Omm程度之內側，避開基板SUB2之切斷區域形成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 丁 .-° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -19 - A7 B7 五、發明説明（17 ) <濾色器F I L > 濾色器F I L在相對圖素之位置，以紅、綠、藍之重複形成爲帶狀。爲覆蓋透明圚素電極I TO全部，濾色器 F I L係形成得較大；又，遮光膜BM係由透明圖素電極 I TO 1之周緣部偏內側，以與濾色器F I L及透明圖素電極I T 〇 1之端緣部份重曼。濾色器F I L可以下述方式形成。首先，在上部透明玻璃基板S U B 2之表面形成丙烯酸系樹脂等之染色基材，而後，以照相蝕刻技術將紅色濾色器形成區域以外之染色基材除去。而後，將染色基材以紅色染料染之，並施予固定處理，形成紅色濾色器R。而後，藉由施行相同之過程，依序形成綠色濾色器G、藍色濾色器B。 <保護膜PSV2> 保護膜PSV2之設置目的是，防止濾色器FIL之染料，漏於液晶LC。保護膜PSV2例如可由丙烯酸樹脂、環氧樹脂等透明樹脂材料所形成。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .-ο線 <共通透明圚素電極I TO 2 > 共通透明圖素電極I TO 2 ，係與下部透明玻璃基板 SUB 1側就各圖素設置之透明圖素電極I TO 1對向，液晶LC之光學狀態，係應答於各圖素電極I TO 1與共通透明圖素電極I T02間之電位差（電場）而變化。此一共通透明圚素電極I TO 2在構成上係可供施加共通電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（18 ) 壓V c om。於本實施例中，共通電壓V c om係設定於施加於映像信號線DL之最小電平的驅動電壓Vdmin與最大電平的驅動電壓V draax之中間直流電位；當欲將映像信號驅動電路所使用之集成電路的電源電壓降低至約一半時，施加交流電壓即可。又，共通透明圖素電極 I T02之平面形狀，請參見圖6、圖‘ 7。 · <保持容量裝置C a d d之構造> 透明圖素電極i το 1 ，係於與薄膜m晶體tft接續之端部的相反側端部，與相鄰之掃描信號線G L重叠。此一重叠現象係如圖4所示，係構成將透明圖素電極 I TO 1作爲一側之電極P L 2，而將相鄰之掃描信號線 G L作爲另一側電極P L 1之保持容量裝置（靜電容量裝置）C a d d。此一保持容量裝置C a d d之介電體膜，係由薄膜電晶體TFT之閘極絕緣膜使用之絕緣膜G I及陽極氧化膜Α Ο F所構成。保持容量裝置C a d d係形成於映像信號線G L之第二導電膜g 2的寬度寬化之部份。又，與映像信號線D L 交叉之部份的第二導電膜g 2，係形成爲較細，以減小與映像信號線D L短路之機率。保持容量裝置C a d d之電極PL 1的階差部處，透明圖素電極I TO 1即使斷線，藉由跨過其階差所形成之第二導電膜d 2及第三導電膜d 3所構成之島形區域，而補償其不良。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 21 _ __^.——.———— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 -〇線 A7 305848 B7 五、發明説明（19 ) <閘極端子部> 圖1 0係由顯示陣列之掃描信號線G L以至其外部接續端子GTM爲止的接續構造圖，（A)係平面圖，（B )係沿（A)之B-B切斷線的斷面圖。又，同圖中之與圖7下方附近對應的斜配線之部份，爲方便計，係以一直線狀表示。 .、. - AO係照相處理用光罩圖案，換言之，係選擇性陽極氧化之光致抗蝕劑圚案。是以，此一光致抗蝕刻，在陽極氧化後係被除去，圖中所示之圖案A 0，在完成品中並不會殘留，但是在閘極配線G L處，如斷面圖所示，係選擇性地形成有氧化膜AOF，因此會殘留其軌跡。於平面圖中，以光致抗蝕劑之境界線A 0爲基準，左側係由抗蝕劑所覆蓋之未陽極氧化的區域，右側係由抗蝕劑露出之經陽極氧化的區域。經陽極氧化之A 1層g 2 ，其表面形成有其氧化物Aj?2〇3膜AOF，下方之導電部體積減小。光軍圚案AO與掃描線G L並非以單一直線狀交叉，而是彎曲成曲柄狀交叉。圖中，Aj?層g 2 ，爲使其易於判讀，其上施有陰影，而未陽極氧化之區域，係經圖案化成梳狀。這是因爲，由於當Ai?層之宽度寬廣時，表面會產生晶鬚，因此，其一條一條之寬度較窄，藉著將其形成爲多數條束集成並列狀之構造，可防止晶鬚之產生，同時還可使斷線之機率或導電率之犧牲能被壓抑於最小限度所致。是以，本例中，相當於梳子之根部的部份也是沿著光罩Α Ο偏移。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） n^n - tif^—-^ln 士^^ 1' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --° -〇線經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 22 經濟部中央橾隼局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（20 ) 閘極端子GTM，係由與氧化矽S I Ο層之接著性佳，較Aj?等耐電蝕性高之Cr層gl，以及保護其表面之與圖素電極IT01同程度（同層、同時形成）之透明導電膜d1所構成。又，閘極絕緣膜GI上及其側面部形成之導電膜d 2及d 3，爲了可在導電膜d 3或d 2蝕刻時因針孔等之故而造成導電膜g 2或g 1 —起被蝕刻之·情形不至於發生，係以其區域由光致抗蝕劑所覆蓋，結果係被殘留。又越過，閘極絕緣膜G I朝右方延長之I 丁〇層 dl ，係爲使相同之對策更爲萬全而設。於平面圖中，閘極絕緣膜G I係形成於其境界線之右側，保護膜P S V 1也是形成於其境界線右側，位於左端之端子部GTM，係由其露出以能與外部電路電接觸。圖中，只表示閘極線GL及閘極端子之一對，實際上，此種對狀物如圖7所示，上下係並列有多數支，構成端子群 Tg (圖6、圖7):閘極端子之左端，在製造過程中係越過基板之切斷區域CT1延伸，由配線SHg短路。製造過程中之此等短路線SHg，係有利於陽極氧化時之供電，以及在定向膜OR I 1摩擦時等防止靜電破壞。 <漏極端子DTM> 圖11係由映像信號線DL以至其外部接續端子 DTM爲止之接績狀態圖，（A)係平面圖，（B)係沿 (A)之B — B切斷線的斷面圖。又，同圖係對應於圖7 右上方附近，圖面之朝向爲方便計有所改變，右端方向係本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背ώ之注意事項再填寫本育) 裝------訂— -〇線經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7五、發明説明（21) 相當於基板SUB 1之上端部（或下端部）。 TS T d係檢査端子，此處並未接續外部電路，爲了能將探針等接觸，其宽度係由配線部寬廣化。同樣地，漏極端子DTM爲了能與外部電路接續，其寬度也是由配線部寬廣化。檢査端子T S T d與外部接績漏極端子D TM ，係在上下方向多數個交替配列成鋸齒狀，而檢査端.子 TSTd係如圖所示，並未到達基板SUB 1之端部即終止；另外，漏極端子DTM，如圖7所示，係構成端子群 Td (後附字省略），越過基板SUB1之切斷線CT1 進一步延長，於製造過程中，爲了防止靜電破壞，全部彼此係藉配線SHd短路。包夾存有檢査端子TSTd之映像信號線D L的陣列，相反側接續有漏極接續端子，反之，包夾存有漏極接續端子DTM之映像信號線D L的陣列，相反側接續有檢査端子。漏極接績端子DTM，基於與上述閘極端子GTM相同的理由，由C r層g 1及I TO層d 1之兩層所形成，以除去閘極絕緣膜G I之部份與映像信號線D L接續。閘極絕緣膜G I之端部上形成的半導體層AS，係用以將閘極絕緣膜GI之緣部蝕刻成傾斜狀。在端子DTM上，爲了進行與外部電路之接續，保護膜P S V 1無疑係被除去。A 0係上述之陽極氧化罩，其境界線係充份地包圍光罩整體，圖中，由其境界線，左側係由光罩所覆蓋，此圖中未被稷蓋之部份不存有層g2 ，因此此一圖案並無直接關係。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - - ^— (請先閲讀背面之注意事項再填寫未、-° .-ο線經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A 7 B7___五、發明説明（22 ) 由陣列部以至漏極端子DTM爲止的引出配線，如圖 8之（C )部所示，係在漏極端子部DTM相同層次之層 d 1、g 1之正上方，與映像信號線DL同層次之層d 2 、d 3層合至密封圖案S L之中途爲止的構造，這是爲了將斷線之機率壓抑至最小限度，並盡量以保護膜P S V 1 或密封圇案SL保護易於電蝕之Αβ層士3。 <顯示裝置整體等效電路> 顯示陣列部之等效電路及其周邊電路之接線圖，係示於圖1 2中。同圖雖係電路圖，但其係對應實際之幾何學配置繪製。A R係將多數個圖素配列成二次元狀之陣列。圖中，X係指映像信號線DL，後附字G、B及R分別係對應綠、藍及紅圖素附加。Y係指掃描信號線G L，後附字1 、2、3……e n d，係依掃描時機之順序附加〇映像信號線X (後附字省略）係交互地接續於上側（或奇數）映像信號驅動電路He、下側（或偶數）映像信號驅動電路Η 〇。掃描信號線Υ (後附字省略）係接續於垂直掃描電路 V 0 S U Ρ係一種電路，包括將從用以由一個電壓源獲得多數個經分壓之安定化電壓源的電壓源或主（上位演算處理裝置）而來之CRT (陰極射線管）用資訊，更換成 TFT液晶顯示裝置用資訊之電路。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25 - ~~" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) .P裝---- -Ο線經濟部中央標準局員工消费合作社印裂 A7 _B7_五、發明説明（23 ) <保持容量裝置C a d d之作用> 保持容量裝置C a d d，在薄膜電晶體TFT接通時，減小相對中點電位（圖素電極髦位）V 1 c之閘極電位變化AV g之影響。以式可予作如下之表示。 AVlc= { C gs/ ( C gs + C add + C p 1 x) } XAVg 式中，Cg s係薄膜電晶體TFT之閘極電極GT與源極電極SD1之間形成的寄生容量，Cp i x係透明圖素電極IT0 1 (PIX)與共通透明圖素電極IT02 (COM)之間形成的容量，AV 1 c係與AVg有關之圖素電極電位的變化部份。此一變化部份AVI C，係加於液晶LC之直流成份的原因，保持容量c a d d愈大，愈可使其値減小。又，保持容量裝置C a d d具有將放電時間增長之作用，可將薄膜電晶體TFT於OF F後之映像資訊長久地蓄積。施加於液晶LC之直流成份的降低’ 可提高液晶L C之壽命，且可減少液晶顯示畫面切換胃’ 早先之圖像殘留的所謂之圖像保留現象。如前所述，閘極電極GT爲完全覆蓋i型半導體® AS而設定地較大的部份、源極電極S D 1、漏極電極 SD2之重叠面積增大，會造成寄生容量Cg s增大’如此，會造成中點電位V 1 C易於受閘極（掃描）信號Vg 的影響之反效果。但是，藉著設置保持容量裝置C a ά d (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂 —0 線—- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -26 - A7 B7 五、發明説明（24) ，可消除此一缺點。保持容量裝置C a d d之保持容量，由圖素之寫入性質來看，相對液晶容量Cp i X係設定於4〜8倍（ 4 .Cp i x<Cadd<8 .Cp i X)程度之値，相對寄生容量Cg s係設定於8〜3 2倍（8 · Cg s < Cadd<3 2 .Cgs)程度之値。、只作爲保持容量電極線使用之初級的掃描信號線G L (Yo)，係與共通透明圖素電極ΙΤ02 (Vcom) 設定成相同之電位。於圖7之例中，初段之掃描信號線係經由端子GT 0 、引出線I NT、端子DT 0及外部配線，短路於共通電極C OM。或是，初級之保持容量電極線 Y 〇係接續於最終段之掃描信號線Y e n d、V c om以外之直流電位點（交流接地點），或是可接續成從垂直掃描電路V接受多一個掃描脈衝Y〇。 <製造方法> 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝：,_ I -—裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -〇線其次，茲就上述液晶顯示裝置之基板SUB 1側的製造方法，佐以圖13〜圖15進行說明。又，於同圖中，中央之文字係過程名之簡稱，左側係由圖3所示之圖素部份，右側係由圖1 0所示之閘極端子附近的斷面形狀觀察之加工流程圖。不包括過程D，過程A〜過程I係對應各照相處理之區分圖，各過程之斷面圚，係表示照相處理後之加工終了，且光致抗蝕劑除去之階段。又，照相處理，在本說明書中，係指從光致抗蝕劑塗本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27 _ S05948 at B7 五、發明説明（25) 布以至經由使用光罩之選擇性曝光將其影像爲止之一連串作業，重複之說明在此省略。以下，依區分之過程進行說明0 過程A，圖1 3 在由7 0 5 9玻璃（商品名）所構成之下部透明··玻璃基板SUB 1的兩面上，以浸漬處理設置氧化矽膜S I 0 後，進行5 0 0 °C、6 0分鐘之烘烤。而後，以噴濺法在下部透明玻璃基板SUB1設置膜厚爲1 1 Ο 0A之由鉻所構成的第一導電膜g 1，在照相處理後，以作爲蝕刻液之硝酸鈽銨溶液，將第一導電膜g 1選擇性地蝕刻。藉此而形成與閘極端子GTM、漏極端子DTM、閘極端子 GTM接續成之陽極氧化總線SHg，將漏極端子DTM 短路之總線SHd，以及陽極氧化總線SHg接續之陽極氧化片（圖未示）。過程B，圖1 3 將膜厚爲 2 8 Ο 0A 之 Aj?-Pd 、A5 — S i ， A5_Si—Ti 、A5 — Si—Cu等所構成之第二導電膜g 2，以噴濺法設置。在照相處理後，以磷酸、硝酸及冰醋酸之混酸液，將第二導電膜g 2選擇性地蝕刻。過程C，圚1 3 在照相處理後（前述之陽極氧化用光罩A0形成後）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 · 士^-·»^^ I 11 - - II 1-1-- - 一 J< 1 II I ml - - —I ." (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 A7 _B7__ 五、發明説明（26 ) ，將基板S UB 1浸溃於3 %酒石酸以氨調整成p Η 6 . 25 土 0 . 0 5之溶液以乙二醇液稀釋成1 : 9的溶液所形成之陽極氧化液中，將其調整成生成電流密度成爲 0 · 5mA/cirf (定電流生成）。其次，進行陽極氧化，直到到達爲獲得一定之A j? 2 Ο 3膜厚有其必要性之生成電壓1 2 5V爲止。而後，最好在此一狀態下保持數·十分鐘（定電壓生成）。爲獲得均匀之Ai?2〇3膜，此舉有其重要性。藉此，獲得導電膜g 2被陽極氧化，而掃描信號線G L、閘極電極GT及電極P L 1上形成膜厚爲 1 8 0 0A之陽極氧化膜AOF。過程C > ，圖1 3 此過程係檢査依此所形成之第二導電膜g 2所構成的掃描信號線GL是否正常地接續，是否發生斷線。此處之檢査在實施時，係將探針抵接於各掃描信號線 G L的兩端電接續之閘極端子部，並測定該掃描信號線 G L之電阻。此一場合下，當發現掃描信號線G L之一部份發生斷線時的修復，係以圖1 (a)〜（c)說明如下。圖1 (a)〜（c)，例如係表示圖2之2 — 2線的部位之斷面。此一斷面部位例如係以目視表示，其位置資訊係以某種手段獲得。例如，將下玻璃基板S U B載置於與顯微鏡對向配置之X - Y台，介以顯微鏡將斷線部發現時之該X-Y台的位置，與上述位置資訊對應。此一位置本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .ο-裝------訂-----Q線經濟部中央樣隼局員i消費合作社印製 ΑΊ Β7 五、發明説明（27) 資訊，可成爲日後修復時所用之資訊。圖1 ( a )所示之掃描信號線GL的斷線部位，如圖 1 ( b )所示，藉著在特定之氛圍中照射以雷射光，而在其上形成白金（Pt )層，藉由基於此Pt層之連結層 j η進行斷線之修復。圖2 1係此一斷線修復時所用之裝置的一個實施、例之概略構成圖。於同圖中，設有一個內藏有X — Υ台1之鐘形罩2 ，此一鐘形罩2上，安裝有與該X — Υ台1對向配置之顯微鏡兼雷射用鏡筒3 °Χ— Υ台1上，配置有作爲斷線檢査對象之下玻璃基板SUB 1。藉由驅動X— Y台1 ，下玻璃基板SUB 1之加工表面，其所有區域係可與顯微鏡兼雷射用鏡筒3對向。X-Y台1係藉XY台控制器4而被控制驅動，藉由上述位置資訊之輸入，斷線部位會變得與顯微鏡兼雷射用鏡筒3對向。又，此一場合下，是否確實對向，係由顯微鏡兼雷射用鏡筒3之顯微鏡調査。來自雷射源5之雷射光係導至顯微鏡兼雷射用鏡筒3 ，而照射至掃描信號線G L之斷線部位。此一雷射光，例如可爲A r雷射或YAG雷射。A r雷射之場合，其波長爲0 . 5 5"m，YAG雷射之場合，其波長爲1 . 05 "m (第二諧波：〇 . 53//m)，不管是任一種場合，其功率宜約爲2 0 OmW，光束徑宜爲5〜1 0"m。鐘形罩2內，作爲材料氣體7，係供給由（ .本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） -- --„--.--.--扣衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂線 A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製五、發明説明（別） P t C 2 ) (CO) 3氣體與Ar氣體所組成之混合氣體 0 藉此，雷應，而形成其生成材料之白金（P t )層，以此一 P t層作爲連結層 j η，斷線之掃描信號線GL變得導通。又，作爲形成P t層之前階段，.宜以雷射光6進行所謂之熱處理，而將P t層之形成區域清淨化。又，在P t 層形成時，藉著從以斷線區域爲間隔存在之掃描信號線的一側至另一側，將雷射光6以圖2 5 ( a )所示之方式掃描，確認該Pt層j η易於形成。上述說明所述的是以P t層進行修復之實例，但本發明不受此限制，例如，也可使用C r 、Μ 〇、W等等。作爲此時之材料氣體7，可分別使用Cr ((：0)6+：«2等、MoCj?6+H2 或 Mo (C0)6+Ar 等、WC16或 W F 6 + Η 2等 ° 又，也可不使用雷射光7，例如可使用束集離子束方法，將I η等直接描繪，此舉也可獲得相同之效果。過程D，圖4 在將氨氣、矽烷氣、氮氣導入電漿C V D裝置中而設置膜厚爲2 0 0 0Α之氮化矽膜，將矽烷氣、氫氣導入電漿CVD裝置中而設置膜厚爲2 0 0 之i型非晶質矽膜後，又將氫氣、膦氣體導入電漿CVD裝置內，設置膜厚爲3 0 0A之N ( + )型非晶質矽膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝— Γ .-ο線本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - A7 B7 五、發明説明（29 ) 此處，掃描信號線G L之斷線部位，係形成爲圖1 ( C )所示之狀況。過程E，圖1 4 照相處理後，使用SF6、作爲乾蝕氣體，將 N ( + )型非晶質矽膜、i型非晶質矽膜選擇性地蝕刻，形成i型半導體層AS之島。過程F，圖1 4 照相處理後，使用S F6作爲乾燥氣體，將氮化矽膜選擇性地蝕刻。過程G，圖1 5 經濟部中夬標隼局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由噴濺法設置膜厚爲1 4 0 0A之由I TO膜所構成的第一導電膜d 1。在照相處理後，藉著使用鹽酸及硝酸之混酸液作爲蝕刻液，將第一導電膜d 1選擇性地蝕刻，而形成閘極端子GTM、漏極端子DTM之最上層及透明圖素電極I T 0 1。過程Η，圖1 5 藉由噴濺法設置膜厚爲6 0 0 Α之由Cr所構成的第二導電膜，並再藉由噴濺法設置膜厚爲4 0 0 0 A之由 Al-Pd'Al-Si 'Al-Si-Ti >A1-S i — Cu等所構成之第三導電膜d 3。在照相處理後，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32 · A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 將第三導電膜d 3以與過程B相同之蝕刻液蝕刻之，將第二導電膜d 2以與過程A相同之蝕刻液蝕刻之，形成映像信號線DL、源極電極SD1、漏極電極SD2。而後，將CCj?4、SF6導入乾蝕裝置內，將N ( + )型非晶質矽膜蝕刻，而選擇性地除去源極與漏極間之N ( + )型半導體層d 0 〇過程Η >，圖1 5 對於依此一方式形成之由第二導電膜d 2、第三導電膜d 3之層合體所構成的映像信號線D L是否正常接續，是否斷線，進行檢査。此時之檢査，係將探針抵接於各映像信號線D L兩端處電接續之漏極端子部，依與過程c /所說明之方法相同的方法，進行檢査。又，有關發現映像信號線D L之一部份產生斷線時的修復，係示於圖2 2 (a)〜（c)中。圖2 2 ( a )〜（c )，例如係表示圖2之2 2 — 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 2 2線的斷面。此一圖2 2 ( b )中之斷線的修復，係與過程C ^中所示者相同。過程I ，圖1 5 將氨氣、矽烷氣、氮氣導入電漿CVD裝置中，設置 ^________________________ 膜厚爲1 //m之氮化矽膜。照相處理後，利用以SFe爲乾蝕氣體之照相蝕刻技術，將氮化矽膜選擇性地蝕除，而 -33 - --.--1 —---裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -〇線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（31 ) 形成保護膜PSV1。此處，映像信號線D L之斷線部位，係形成爲圖2 2 (c )所示之狀態。過程I >，圖1 5 檢査已形成之掃描信號線G L與映像信號線D L的交叉部是否短路。圖2 3中所示的是，在掃描信號線G L與映像信號線 D L短路之狀況下，藉著將映像信號線D L之一部份斷線而可予修復之構成。同圊將掃描信號線G L與映像信號線 D L之交叉部的平面圖，係圖2之該部份擴大後的詳細圖 0 映像信號線D L，於其與掃描信號線G L之交叉部，延伸於其長方向之通孔H J係設於中央部。假設圖中X記號之部位，於層間絕綠膜之針孔等所造成的短路有發生的狀況，將包含此一部位之映像信號線 DL的一部份，與上述通孔HJ ，以圖中符號CUT所示之切斷部份，和其他部份之映像信號線D L分離。藉此，其他部份之映像信號線D L，可以原狀利用而達成修復。圖24 (a)〜（c)係此一過程圖。首先，圖24 (a )係沿圖2 3之2 4 - 2 4線的斷面圖。例如將雷射光照射於圚2 3之符切斷部份CUT，而如圖2 4 ( b ) 所示般之，藉由將保護膜PSV1、第三導電膜d3、第二導電膜d 2、及N ( + )型半導體d 0除去而完成切斷本紙張尺度適七_中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I _ — —.I丨丨^裝------訂-----0\線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 經濟部中央標窣局員工消費合作社印裂 A7 _B7_____ 五、發明説明（32 ) 0 而後，在切斷部位，依與過程C >之相同之方式，使用雷射光6形成保護膜P SV j 。此一場合下，作爲圖 2 1所示之材料氣體7，例如可選擇S i H3+NH5 + N 2 ° 於上述之製造過程中，掃描信號線G L或映像信號線 D L之斷線修復，係在其形成後，亦即在上面被覆保護膜 P SV等之前實施，但不一定非得如此，毫無疑問，也可在保護膜PSV被覆後實施。此一場合下，藉著以雷射光除去保護膜P SV，使斷線部露出，而後，如過程（3 >或過程Η >所示，形成連結層j η，而後，再如過程I >所示，可形成保護膜 PSVi 。有關連續厝j η、保護膜PSVj之依序形成，可原狀利用圖2 1所示之裝e，只要將供給於鐘形罩2 之材料氣體7更換即可。例如，圖2 5所示之雷射光6的掃描方法，在斷線部存有異物時，如圖25 (a)所示，若將斷線部位以最短距離掃描，會在異物上形成連結層j η，如此會在信賴性上產生問題。是以，當在斷線部存在有異物時，如圖2 5 (b)所示，藉著避開異物進行掃描，可高信賴性地進行斷線的修復。又，圖2 5 ( b )所示之斷線修復法在圖素部實施時 ’由於連結層】· ！^係覆於鄰接之圖素電極I TO 1與其接本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本ΙΓ) .9等 Ο線經濟部中夬標隼局員工消費合作社印製 305948 a? B7 五、發明説明（33 ) 觸，因此會有產生點缺陷的問題。然而，與導因於斷線之點缺陷相比，此一點缺陷並不引人注目，因此，圖25 ( b )之實施例，作爲簡單及高信賴性地修復斷線方法，非常有效。 ‘ 又，連結層j η也可藉著將雷射光6多次掃描而形成。圖2 6係藉著將雷射光6多數次掃描而形成連結層之一例。根據圖2 6之實施例，係藉第一次之掃描，形成第一連結層i η 1 ，藉由第二次之掃描，會在j η 1越過配線 (此例中係映像信號線D L )之部份形成第二連結層 j η 2。是以，根據圖2 6之寊施例，如圖2 6 ( b )所示，藉著使因DL而形成之階差部的連結層j η的厚度增厚，可防止連結層j η之斷線，提高信賴性。又，於圖26 (b)所示之實施例中，爲了使連結層 j η與映像信號線DL之接續更爲確實，可將導電膜d 3 之一部份切開而露出導電膜d 2 ，使導電膜d 2與連結層 i η亦作接續。根據本實施例，使用形成導電膜d3，而Αβ與作爲連結層j η之材料使用的P t之接績並非良好，此點，業已由實驗證實。是以，本實施例係將導電膜d 2由導電膜d 3露出，使其與連結層j η接績。根據本實施例，係使用Cr形成導電膜d 2 ，由於 C r與P t之接續良好，因此可使映像信號線D L與連結層i η之接績確實化，可提高斷線修復之液晶顯示裝置的本紙張尺度適用中國國家標华（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -36 - (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) .ο裝· -G線 Β7 Β7 經濟部中央標羋局員工消费合作社印裂五、發明説明（34 ) 信賴性。根據本寅施例，作爲除去導電膜d 2上之導電膜d 3 的方法’係採用利用雷射光照射除去導電膜d 3之方法。藉著使用雷射光照射於除去導電膜d 3之方法中，可將導電膜d 3除去過程及連結層j n形成過程在相同之鐘形罩內、或是在相同的眞空中內實施·，對於製造裝置之小型化有貢獻。又，將連結層j η及導電膜d 2接續之方法，並不只限於圖26所示之實施例，也可如圖27 (a)所示，也可採用：在導電膜d 2、導電膜d 3二者上設置缺口部 12 ，並如圖27 (b)(圖27 (a)之C — C 一斷面 )所示，在導電膜d 2之側面與連結層j n接續的方法。圖2 6所示之實施例，雖有導電膜d 2之接續面積大的優點，但是，爲了只除去導遒膜d 2上之導電膜d 3，必須微細地控制雷射光照射時間或輸出’，而有需要作業者之熟練度的問題。相對於此，根據在圖2 7中所示之導電膜d 2、導電膜d 3二者上設置缺口部1 2，在導電膜d 2之側面與連結層j η接續之方法，雖無須用以除去導電膜d 2上之導電膜d 3的作業者之熟練度，但卻有導電膜d 2之接續面稹小的問題。圖2 7所示之實施例，係考慮此點，將缺口部1 2上之連結層i τι 3之面稹形成較其他部份之連結層j η 1更爲宽廣，使接績面積增大，提高連結層]’ η與映像信號線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37 - - - —y— -1-- -- ·:1·fn ^(1 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *ya 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（35 ) D L之接續的信賴性。於圖2 7所示之實施例中，作爲將連結層j η 3之面積增大的方法，包括將雷射光照射時間，較其他之連結層 j η 1爲長之方法。根據爲了將連結層j η 3之面積增大，而將雷射光照射時間較其他之連結層j n i爲長的方法，由於光C.VD 膜之成長進行之故，與其他之連結層相比，膜厚會較厚，是爲其特徵。又，作爲異物存在之場合的斷線之修復方法，如圖 2 8所示，可介以鄰接之圖素電極接續斷線部位。於同圖中，透明玻璃基板SUB之主表面上，具有在圚中X方向延伸之掃描信號線GL，此一掃描信號線GL 在圖中y方向並設有彼此平行之多數個。另一方面，還具有圖中y方向延伸之映像信號線D L ，此映像信號線D L在圖中X方向並設有附此平行之多數個。此等映像信號線D L至少藉與掃描信號線G L間所形成之層間絕緣膜（圖未示），作彼此絕緣交叉。掃描信號線G L與映像信號線D L所圍成之矩形區域內，形成有圖素電極I TO。此一圖素電極I TO係由透明導電層所構成，其一部份係延伸及於掃描信號線G L上所形成之薄膜電晶體（TFT )的部份，構成源極電極 S D 1 ° 該薄膜電晶體（TFT)，係在掃描信號線GL之表面依序形成與上述層間絕緣膜同過程所形成之閘極絕緣膜 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -38 * ： ---i.—〇-裝------訂-----ο線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A 7 B7 五、發明説明（36 ) 、以及例如a (非晶性）一 S i所構成之半導體層AS而構成，該半導體層A S上之與上述源極電極S D 1對向配置形成的漏極電極SD 2，係與映像信號線DL —體形成 0 又，圖素電極I TO之其他部份，係延伸及於鄰接之另一掃描信號線G L的一部份，介以與上述層間絕緣膜同過程形成之介電體膜而重曼，於此一重叠區域中，形成有電容器C a d d。又，依此所構成之玻璃基板SUB的表面，不包括圖素電極I TO之周邊部的中央部開設有孔部之保護膜（圖未示），例如係由矽氮化膜等所形成。依此所構成之液晶顯示基板，於此一狀態下，掃描信號線G L、映像信號線D L中係經通電，以檢査是否有斷線部位。圖2 8係依此一檢査，在映像信號線D L中有斷線時之詳細狀況的平面圖。映像信號線DL之斷線部位I1處，例如附著殘存有由光致抗蝕劑等雜質殘渣所造成的異物1 0。其理由是，異物1 0之附著部份，相對其周邊之面係以具有階差之方式形成，因此，跨於此一部份形成之映像信號線DL，於該階差之部位，會產生中斷之現象。爲了進行此一斷線部位之接續修復，根據本實施例，特別是如圇2 7所示，以斷線部位1 1爲間隔，將其一側映像信號線DL之端部以連結層j η 1接續於鄰接之圖素本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） -39 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-----線 A7 _B7_ 五、發明説明（37 ) 電極I TO，將另一側映像信號線D L之端部以連結層 j η 2接續於上述圖素電極I TO。具體言之，係將該斷線部位11 ，介以鄰接之圖素電極I Τ Ο接續。此處，連結層]_ η 1、j η 2之形成，例如係使用雷 ^ 根據依此所構成之液晶顯示基板之製造方法，特別是將映像信號線DL之斷線部位11，介以鄰接之圖素電極 I Τ Ο接續修理。具體言之，藉著介以鄰接之圖素電極I TO接續，可在避開映像信號線DL之斷線部位11的其他區域，形成連結層j η 1、j η 2。是以，藉著在異物1 0存在之面域形成連結層i η 1 、：i η 2，可作接續修復，因此可大幅提高其信賴性。又，用於接續修復之圖素電極I TO，其本身作爲圖素之機能雖會喪失，但若考慮無法對映像信號線D L之斷線作修復，而導致透明玻璃基板S U B不可利用此點，則可知其技術上之效果大。本實施例係就映像信號線D L斷線之場合進行說明’ 無疑，掃描信號線G L斷線時亦同樣可適用。又，形成以雷射光6令材料氣體7反應之空間的鐘形罩2的形狀，除了如圖2 1所示之將基板SUB 1整體覃覆者之外，還可爲如圖2 7所示般之僅罩覆基板SUB1 之一部份者。根據圖2 9之實施例，由於只將基板本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40 - ：~, —，—裝------訂-----CZ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A 7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝五、發明説明（38) SUB 1之一部份以鐘形罩（2 a、2 b、2 c )罩褢即可，因此可簡單地進行斷線修復，可使裝置小型化，可使基板之出入與罩覆整體者相比較爲容易’因此’其量產性佳，是爲其特徵。此外，罩覆基板之一部份的類型，與罩覆基板整體的類型相較，鐘形罩2內之氣密性會成爲問題。是以，根據圚2 9之實施例，爲了保持鐘形罩2內之氣密性，可將鐘形罩2以多數個鐘形罩2 a、2 b、2 c所構成，在各鐘形罩間設置多數個空間，實施眞空排氣，或是將惰性氣體，例如N 2等流入，保持與大氣間之氣密性。又，根據圖2 9之實施例，雷射光6之引入口處設有可更換之窗。窗之材質宜爲透明度佳者，圖2 9之實施例中係使用石英玻璃9。一般而言，根據使用雷射光進行製膜之方法，雷射光引入口也會製膜，長期使用之期間，引入口之透過率會降低，是爲其問題。根據圖2 9之實施例，藉著石英玻璃9 形成爲可更換式，可解決石英玻璃9之透明度降低的問題 0 <液晶顯示組件之整體構成> 圖1 6係液晶顯示組件MD L之各構成零件的分解透視圖。 SHD係由金屬板所構成之框狀屛蔽盒（金靥框架），LCW係其顯示窗，PNL係液晶顯示面板，SPB係 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •ΠΊ裝------訂-----CT線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -41 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 305S48 A7 B7 五、發明説明（39 ) 光擴散板，MFR係中間框架，RL係背照光，BLS係背照光支持體，LCA係下側盒，以如圖所示之上下配置關係，各構件係重叠形成組件MD L。組件MD L，係藉屛蔽盒S HD上所設之爪C L及鈎 F K而整體被固定。中間框架MF R係形成爲框狀，設有一與顯示窗-LCW對應之開口，其框部份設有擴散板SPB、背照光支持體B L S及配合各種電路零件之形狀或厚度的凹凸、放熱用之開口。下側盒L C A兼作爲背照光之反射體，以能作高效率之反射，對應螢光管B L形成有反射山RM。 <顯示面板PNL及驅動電路基板PCB 1 > 圖1 7係將映像信號驅動電路He、Ho及垂直掃描電路V接縯於圖5等所示之顯示面板P N L的狀態之上視圖0 CH I係驅動顯示面板PNL之驅動I C晶片（下側之三個係垂直掃描電路側之驅動I C晶片、左右之各六個係映像信號驅動電路側之驅動I C晶片）。TC P係如圖 1 8、1 9後述，係驅動用1C晶片CHI由TAB (帶自動結合）法所安裝之帶狀載體封裝體，PCB 1係安裝有上述TC P或電容器C D S等之驅動電路基板，分割成三個。F C TP係框架接地襯墊，切入屛蔽盒S HD而設之彈簧狀破片FG係經焊接。FC係將下側驅動電路基板本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ' -42 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝------訂-----線經濟部中央標準局員工消费合作社印敦 A7 B7 五、發明説明（40 ) PCB1及左側驅動電路基板PCB1 ，以及將下側驅動電路基板PCB1及右側驅動電路基板PCB1電接績之平型電纜。作爲平型電纜FC，如圖所示’係使用將多數個引線（在磷青銅之素材上施鍍以S η鍍金而成）以帶狀之聚乙烯層及聚乙烯醇作三明治式支持而成之平型電纜。 <TC Ρ之接續構造> 圖18係構成掃描信號電路V或映像信號驅動電路 He、Ho之集成電路晶片CHI搭載於可撓性配線基板之帶狀載體封裝體TCP之斷面構造圖，圖1 9係將其接續於液晶顯示面板之狀態，本例中，係接續於映像信號電路用端子D TM之狀態的要部斷面圖。於同圖中，TTB係集成電路CH I之輸入端子一配線部，TTM係集成電路CH I之輸出端子—配線部，例如由Cu所構成，各自之內側的前端部（通稱內引線），以所謂之面朝下接合法接續有集成電路C Η I之接合片 PAD。端子TTB、ΤΤΜ之外側前端部（通稱外引線 )，分別係對應半導體集成電路晶片CHI之輸入及輸出，藉由焊接等接績於CRT/TFT變換電路一電源電路 SUP，藉由異向性導電膜ACF接績於液晶顯示面板 PNL。封裝體TCP係以前端部覆蓋使面板PNL側之接績端子DTM露出的保護膜P S V 1之方式，接續於面板，是以，外部接續端子DTM(GTM)，由於保護膜 P SV 1由封裝體TC P之至少一者所覆蓋，因此對於電本紙張尺度適用中國國家揉芈（CNS ) A4規格（210X297公釐） -43 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .oi 訂經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（41 ) 蝕之抵抗性强。 BF I係由聚醯亞胺等所構成之基礎薄膜，SRS係在焊接時使焊料不致附於無用部位之用以屛蔽的焊料抵抗膜。密封圇案S L之外側的上下玻璃基板之間隙，洗淨後係由環氧樹脂E P X等所保護，在封裝體TC P與上側基板SUB 2間進而充塡有矽酮樹脂S I L，使保護電路多重化。 <驅動電路基板PCB2> 保持、收納於中間框架MF R之液晶顯示部L C D的驅動電路基板PCB 2 ，如圖2 Q所示，係形成L字形，其上搭載有I C、電容器、電阻等之電子零件。此一驅動電路基板PCB2上，搭載有電路SUP，此一電路 S U P包括用以由一個電壓源獏得多數個經分壓之安定化電壓源的電源電路，或是將來自主（上位演算處理裝置）之CRT (陰極射線管）用的資訊，變換成TFT液晶顯示裝置用資訊的電路。C J係連接器接績部，接續有與外部接續之圖未示連接器。驅動電路基板P C B 2與反相器電路基板PCB3，係藉背照光電纜介以中間框架MFR 上所設之連接器孔作電氣接績。驅動電路基板PCB 1與驅動電路基板PCB 2，係藉可彎曲之平型電纜F C作電氣接續。組合時，驅動電路基板PCB2 ，係藉著將平型電纜FC作1 8 0°之彎曲，重叠於驅動電路基板p C B 1之裏側，並嵌合於中間框本紙張尺度適用1ί7國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x 297公釐） 44 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 .裝· ·-* A7 B7 _ 五、發明説明（42 ) 架MF R之一定凹部。〔發明之效果〕如上所說明，根據本發明液晶顯示基板之製造方法’ 可極簡單且高信賴性地修復斷線或短路。〔圖面之簡單說明〕圖1係本發明液晶顯示基板之製造方法的一實施例之過程圖。圚2係應用本發明之主動陣列式彩色液晶顯示裝置的液晶顯示部之一個圖素及其周邊之要部平面圖。圖3係沿圖2之3 — 3切斷線的一個圇素及其周邊之斷面圖。圖4係沿圇2之4 - 4切斷線的附加容量裝置 Cadd之斷面圖。圖5係顯示面板之陣列周邊部的構成之說明用平面圖 0 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 ---I —.1 ^--(卜裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -C線圖6係將圖5之周邊部稍誇張表示的更具體說明用之面板平面圖。圖7係包含上下基板之電氣接續部的顯示面板之角部之擴大平面圖。圖8係以陣列之圇素部爲中央，兩側之面板角附近及映像信號端子部附近之斷面圖。圖9係左側無掃描信號端子，右側無外部接續端子之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（43 ) 面板緣部份之斷面圖。圖10係閘極端子GTM及閘極配線GL的接續部附近之平面及斷面圖。圖11係漏極端子DTM與映像信號線DL之接績部附近之平面及斷面圖。圖1 2係包含主動陣列式之彩色液晶顯示裝置的.陣列部及其周邊之電路圖。圖1 3係表示基板SUB 1側之過程A〜C的製造過程之圖素部與閘極端子部的斷面圚之流程圖。圖1 4係表示基板SUB 1側之過程D〜F的製造過程之圖素部與閘極端子部的斷面圖之流程圖。圖1 5係表示基板SUB 1側之過程G〜I的製造過程之圖素部與閘極端子部的斷面圖之流程圖。圖1 6係液晶顯示組件之分解透視圚。圖17係在液晶顯示面板安裝周邊之驅動電路的狀態之上視圖。圖18係構成驅動電路之集成電路晶片CHI搭載於可撓性配線基板的帶狀載體封裝體TC P之斷面構造圖。圖19係帶狀載體封裝體TCP接續於液晶顯示面板 P N L之映像信號電路用端子D TM的狀態之要部斷面圖 0 圖2 0係周邊驅動電路基板PCB 1 (上面可觀察得到）與電源電路基板PCB 2 (下面可觀察得到）之接續狀態之上視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •ογ裝--- 訂-----C」線本紙涑尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（44 ) 圖2 1係使用於本發明中之光CVD裝置的一個實施例之構成圖。圖2 2係本發明的其他實施例之過程圖。圖2 3係掃描信號線與映像信號線之短路修復用的構成之說明圖。圖24係本發明的其他實施例之過程圚。圖2 5係本發明之雷射光6的掃描方法之說明圖。圖2 6係本發明之雷射光6的掃描方法之其他實施例之圖13 圖2 7係本發明之其他實施例之說明圖。圖2 8係本發明之其他實施例之說明圖。圖2 9係使用於本發明之光CVD裝置的其他實施例之圖。〔符號之說明〕 SUB……透明玻璃基板 G L……掃描信號線 DL……映像信號線 G I ......絕綠膜 G T ......聞極電極 AS……i型半導體層 SD ......源極電極或漏極電極. P S V ......保護膜 B Μ ......遮光膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -47 - ----.1^--^4-裝------ΪΓ-----('線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 305948 A7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（45 ) L C ......液晶 TFT……薄膜電晶體 I το ......透明圖素電極 g，d ......導電膜 C a d d……保持容量裝置 Α Ο F ......陽極氧化膜 Α Ο……陽極氧化用光罩 G T Μ……閘極端子 D Τ Μ……漏極端子 S H D……屛蔽盒 P N L ......液晶顯7Κ面板 S Ρ Β ......光擴散板 MFR……中間框架 B L ......背照光 B L S……背照光支持體 L C Α……下側盒 RM……背照光光反射山部 (以上後附字省略） 5 ......雷射源 6 ......雷射光 7 ......材料氣體 8 ...... N 2氣體 9……石英玻璃 10 ......異物 (請先閱請背面之·.工意事項再填寫本瓦) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 48 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（46) 11 ......斷線部位 12 ......缺口部 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 49 -

Claims

D8 ξ< \ Η 六、申請專利範圍附·件一：第83 1 09587號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國85年1月修正 (#-先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 1·—種液晶顯示基板之製造方法，主要藉液晶配置成互相爲相對向之透明基板中之一方透明基板之該液晶側之面所形成之至少具備複數之圖素電極及形成於該等各圖素電極間之複數配線層，其特徽爲：具備有，檢査上述液晶顯示基板之各配線層之有無具斷線處之斷線檢査過程，及將由於上述斷線處而使上述配線屠形成電性之斷開所形成之一方配線與另一方之配線間予以成電性連接之修復過程，上述斷線檢査過程係在上述斷線處存在於上述液晶顯示基板之配線層之時，予以特定該斷線處且送上述液晶顯示基板至上述修復過程，而上述斷線處未存在於上述液晶顯示基板之配線層之時，就送上述液晶顯示基板至除了上述修復過程之外之下一次之過程，經濟部中央標率局β;工消费合作社印*. 而前述修復過程乃以形成導電膜於與上述一方配線相鄰接之圚素電極間以及上述另一方配線與上述相鄰接之圓素電極間，而使上述一方配線和另一方配線間形成氰性連接，有關上述導氰膜乃以供該導電膜之原料於上述液晶顯示基板，並以照射雷射光於上述原料來產生反應所形成者 0 2.如申請專利範園第1項所記載之液晶顛示基板之氏張尺度逋用中國國家榣準（CNS) Α4规格（210Χ297公釐_) 1 . A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍製造方法，其中，導電膜係由白金所形成。 3 .如申請專利範圍第1項所記載之液晶隳示基板之製造方法，其中，導電膜係由鉻所形成。 4 .如申請專利範圍第1項所記載之液晶顛示基板之製造方法，其中，導電膜係由鉬所形成。 5 ·如申請專利範圍第1項所記載之液晶隳示基板之製造方法，其中，導電膜係由鎢所形成。 6 .如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示基板之製造方法，其中，在前述斷線修復過程之後，具有以絕緣膜被覆上述断線處之過程。 7 .如申請專利範園第6項所記載之液晶顯示基板之製造方法，其中，絕緣膜爲矽之氮化膜。 I I I I 裝—- I— I 訂 (t先閩f#-背面之注意事項再填寫本頁) 線經濟部中央榡率局Λ工消费合作社印氧本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐)