TW297870B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW297870B
TW297870B TW084104355A TW84104355A TW297870B TW 297870 B TW297870 B TW 297870B TW 084104355 A TW084104355 A TW 084104355A TW 84104355 A TW84104355 A TW 84104355A TW 297870 B TW297870 B TW 297870B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
developer
patent application
formula
water
surfactant
Prior art date
Application number
TW084104355A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Hoechst Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst Ag filed Critical Hoechst Ag
Application granted granted Critical
Publication of TW297870B publication Critical patent/TW297870B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C7/00Multicolour photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents; Photosensitive materials for multicolour processes
    • G03C7/30Colour processes using colour-coupling substances; Materials therefor; Preparing or processing such materials
    • G03C7/407Development processes or agents therefor
    • G03C7/413Developers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明相關於一種不含金屬離子之顯影劑,其含有水與 至少一種可溶解於水的有機驗性化合物,且也與其濃縮品 相關。此種顯影劑適於供噸影像照射的正向-作業記綠層-特别是光致抗蝕層之使用。 對照射敏感的混合物,其被用於產生印刷板,乾阻體或 光致抗蝕髏者’通常含有蓁醍二疊氮化物衍生物做爲對照 射敏感的组份。也有可能採用一種經光化性照射可產生酸 的化合物,配合使用可被此種酸分裂的化合物製成更容易 溶解於接著所用的顯影劑中者。此外,這些混合物通常含 有帶有酚性羥基群的聚合性粘結劑。通常這些屬於盼醛清 漆類或多m基苯乙烯類。它們可增加對照射敏感層次之機 械強度及抗蚀性。這類物質可塗裝應用於電容器,半導禮 ,多層印刷電路或積體電路上。尤値得一提者爲矽基質物 ,其也可被受熱氧化及/或塗裝以鋁且也可能摻雜其他金 屬。金屬板及金屬薄片’例如鋁板,銅板與辞板及雙金屬 及三金屬薄片,以及經金屬蒸氣塗裝著的非導電板,及紙 ,均爲合適者。這些基質可經熱行預處理,表面粒化,淺 淺地蝕刻或以化學品進行預處理以改善所要的特性,例如 增加親水性。爲使基質表面給予對照射敏感層具更佳的附 著性及/或更佳的粘著性,可能加入某種粘附促進劑。於 石夕基質及二氧化矽基質的情形而言,適合者爲胺基矽烷類 型之粘附促進劑,例如3-胺基丙基三乙氧基矽垸或六甲基 二矽胺烷。 „ \ 這些記綠材料通常於經順影像照射後,利用水性鹼性溶 ----------襄------1T------.^ (請先閲饋背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > A4規格(210x297公釐> 經濟部中央樣準局員工消費合作社印复 A7 _ _ B7_五、發明説明(2 ) 液進行顯影,此溶液常以四垸基銨氫氧化物爲其鹼性组份 。習慣上係使用四甲基銨氫氡化物,(2-m基乙基>-三甲 基按氫氧化物(=可力丁)或相當的混合物之水溶液(US -A 4 239 661 )。這類不含金屬的顯影劑在半導體工業上 已獲取認可,特别是用於生產具高解析力之積體電路方面 。半導體材料受到金屬離子的污染時將導致半導髏组件之 操作紊亂。 半導體工業正生產結構遠小於1微米之增加頻率的積體 電路。增加的積體密度使得光石印術法裡的印板以使光致 阻鱧產生花樣的要求也增加。如果要投像至相當小的結構 ,例如vias時,以不含金屬離子之顯影劑顯影後,於曝過 光之地帶,常有不完全的顯影,甚至於在含有表面活性添 加劑時也一樣。或多或少的阻艘結構會被溶走。所生的顯 影缺點包括浮渣、微凹溝及T-型貼合層。 "浮渣"是非映像地帶中的阻體殘屑。"微凹溝"證明阻體 結構的基艘上有些許凹陷或浸蚀且發生於,特别是,高解 析阻體上。"T-型貼合層’的導因是難溶解的表皮層於顯影 後產生之阻體邊緣的T-型輪廓。 這些缺點不能藉改變石印術法而予完全克服,以便於阻 禮上得到乾淨、無缺點結構。爲達目的,有必要接著在氧 化電漿電抗器中或藉濺散法將花樣化的抗蝕層進行處理。 爲改變結構小於1微米之基質表面而接著進行的刻蝕操 作’通常包括電漿刻蝕,撇浮渣或其他各種刻蝕所致的顯 V 影缺點或’有必要的過度刻蝕,改變結構的大小。 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) .裝· 訂 線- 本紙張Μ適用中國國CNS)八4祕(210χ297ϋ> (〇 A7 B7 五、發明説明(3 ) 特别的,T-型貼合層干援線寬度或線間隔之檢視且,於 接著的刻蝕過程,影響抗蝕層結構忠實地移轉至基體上。 微細溝纹之形成證明於刻蝕操作時,增加刻蝕的程度有 不利因素β 目前爲止所用的表面活性劑實不可能有敫抑制顯影上的 缺點。於高濃度的表面活性劑下,可看到於未韃曝^地帶 有抗蝕體之極暗侵蝕處。這是由於薄層抗蝕厣輪 顯影 所致並使解析度減少。 本發明的目的因此爲提供一種水性顯影劑供正向操作 光致抗蝕層組合物,藉其可克服前述的各種問趣。特别是 如果使用這種顯影劑的話,將不再有浮渣、微四 /或 Τ-型貼合層之出現。 4 本目標可使用一種不含金屬離子之顯影命I達到其除了 含有至少一種的標準驗性化合物外,也含有某種陰離子及 ,選擇地,非離子表面活性劑。 本發明因此相關於一種不含金屬離子之_影劑其包括 U)水及(b)至少一種可溶解於水的有機鹼性化合物,'以及 另含有 》 ,y c)至少一種具下式之陰離子表面活性劑 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) -裝· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 R1- [〇-ch2-ch2-] z-o-ch2-cooh或 r1- [〇-ch2-ch2-] z-〇-ch2-so3h 其中 (X) (II) / R1爲(C2 -c20)烷基或爲(c6 -C20)芳基,選擇地經取 本紙張尺度適用中國國家橾牟(CNS ) Μ規格(210X297公釐) • m —^1 A7 B7 五、發明説明(4 ) 代達3個的分支狀或直鏈烷基群且 z 爲1至60之整數, 選擇地 d) 至少一種具下式之非離子表面活性劑 C»H2»+1- [〇-CH2-CH2-]x[0-CH(CH3) -CH2-]yOH (III) 或 C»H2»+1-【〇-CH2-CH2-]x[0-CH(CH3) -CH2-】yO-CnH2n+1 (IV), 其中 m爲10至22之數, n爲1至6之數,且 X與y爲,分别獨立地,3至30之數, 且選擇地 e) 至少一種具下式之表面活性劑 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 HC=C-CR2R3-t〇-CH2-CH2-]r〇H 或 HO- [CH2-CH2-0-] r-CR4R5-C=C-CR2R3- [0-CH2-CH2-] r〇H 其中 (V) (VI), 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 R 2 -R5爲,分别獨立地,氫原子或(C i -C 5 )垸基且 r爲1至60之數; 或爲具下式者|10_[<:|112_(:112_0_]丨[€:11(〇113卜012-0-]1:11 (VII), 其中的s:t = 10:90 至 80:20, 或爲具式R6 -[〇-CH2 -CHj ] 〇 -0H 其中的 (VI) 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ^~ --—____ Β7_____ 五、發明説明(5 ) R6爲(c6-c2〇)芳基,選擇地經取代達三個的具分支 或直鍵燒基群,且 0 爲1至60之數, 除離子與非離子表面活性劑之使用比例,相當於類影劑 線重之lOppm至6,000ppm,但是’(c):[(d) + (e)]之重量比 例爲3 : 7至8 : 2且表面活性劑(c)之比例永遠要大於表面 活性(d)之比例。 式®與式IV化合物中的(:·Η2·+ι基,通常爲不分枝的、 相當長鏈的垸基。 本發明的顯影劑通常具有11至13.5的酸鹼値。 較適宜的可溶解於水的有機鹼性化合物(b)爲脂族或芳 族胺類,例如丙垸-〗,3-二胺或4, 4,-二胺基二苯基胺, 與驗性雜環化合物其含有,除了3-5個碳原子外,至少一 個氮原子與,選擇地,也爲氧原子或硫原子於環上,例如 ’ 〇it唑,毗咯垸,毗咯垸酮,毗啶,嗎琳,〇jt螓,派啶, 喝咬舆d塞唑等類化合物。也爲較隹的化合物爲季銨化合物 ’特别是選擇地經取代的四烷基銨化合物,其中的各垸基 具有不超過四個的碳原子。特佳類赉的化合物爲四甲基鍵 氳氧化物與(2-繇基乙基)三甲基銨氫氧化物(=可力丁 )°本發明的顯影劑也可含有不同鹼類的混合物。化合物 (b)之比例通常爲相當於顯影劑總重量之0.5至20%。 較佳的陰離子表面活性劑(c)爲0-羧基甲基0,-異壬基苯 基聚乙二醇類,特别是那些在衆6二醇鏈中,含6至30個 氧化乙烯單元者(式 I,z=6-30,R1 =(H3 C) 2 CH-[CH2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 本紙張尺度财關 CNS ) A4^#._7210X297^jt Τ 經漓部中央榡準局員工消費合作社印製 A7 ______________B7_____ 五、發明説明(6 ) ]6 -C 6 Η 4 -) 〇 式ΙΠ舆IV之較佳的非離子表面活性劑(d)中,其中以 11=12-18且η=2-4,χ=2-8且y=3-8者較適宜。 選擇存在的表面活性劑(e)是被用來調整顯影之速率者。 其中的r以3至40較適宜。 ”不含金屬離子"意指本發明的類影劑含有不超過l〇〇ppb 之金屬離子。 本發明的顯影劑通常被製成濃縮液使用,其含有的(b) 至(e)之组成分爲前述標示量之2至8倍。此種濃縮液是 安定的,即’不會有相分離、沉澱或混濁之情形發生。能 使用去離子水輕易將其稀釋而得即用溶液,相當於具最適 特性的安定顯影劑。本發明的這種顯影劑可有效防止浮渣 、微凹溝及T-型貼合層之產生,且解析及操作狀態可精確 地改進。 宜_例1至8與對照音糾 首先製備水溶液,其含有2.38%重量計之四甲基銨氫氧 化物或4.20¾重量計之可力丁。此溶液的酸鹼値爲13。然 後加入表中所示量的表面活性劑(c),(d)輿,選擇地, (e),以製備得本發明的顯影溶液。 比較上,選用含有2.38%重量計之111^11與2000??111的二壬 基苯酚乙氧化物,18 E0基群二壬基的比例爲50¾)。 進行下述的石印作業: 將直徑爲3吋的矽扁,以旋轉塗裝機塗裝上以^ 〇 508 267之抗蝕層。在1〇(rc下,於熱板上經12〇秒的烘焙加工 I紙張尺度逍用中關家標準(CNS ) A4麟·( 210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.
、1T 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) (預烘焙)後,抗蝕層的厚度爲1.1微米。經塗裝過的扁 片順影像經蒙片進行UV-照射,使用一種裝置以減少投射 量(Stepper FPA 1550, g-line, 0.35 NA, 400 mw/cm2 ,Canon Ltd.)。曝光後接著再s12〇tJ下,在熱板上進行 第二次的烘焙。 於授煉樣式裡之軌道系統上,使用表中所示的類影溶液 將扁片進行顯影50秒。待顯影完全後,以去離子水淋洗扁 片後,將其旋轉弄乾。 於下面的表中 A) 爲在未曝光地帶之抗蚀層之侵蚀; B) 蒙片結構在抗蝕層上的1:1影像之照射時間(微秒), (每單位面積的照射能量[=照射度]相當於照射時間乘 以發光〔本情沉爲400毫瓦/cm2〕); C) 爲場點的照射時間; D) 爲(B)對(C)的比例,用以測度抗蚀屠/類影劑系统的操 作寬容度。 經顯影的結構藉撺瞄電子顯微鏡之助進行評估: ++相當清晰的結構,有相當陡峭的抗蚀層邊緣, +結構清晰,抗蝕層的邊緣陡峭, - 略有抗蝕層之殘屑(浮渣), —帶明顯浮渣及T-型貼合層。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) I n I m n n — 訂 I i— I .^i I I^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 五、發明説明() A 7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 結構品質 + + + + + + + + + + + + + 評定標準 Q oorHO 卜 tn 〇〇〇!〇〇 ιπιηιηνοιη^^ιοιηοο rHrHrHrHrHrHrHrHiHrH m u e ιηιηοοοοοοσο HCS00 00(NOOC0U3C0 <ΝΓ4ΗΗ〇ϊ<Ν<Νι-Ι»Η»Η m 〇3 e Ο Ο Ο Ό Ό Ο Ό ο »f:5 Ο 卜 0^ 00 00 卜 I/1CN mrocNfOrooioidCNn m o #< in / 宮 fNiintnoovocna)寸 cn τΗγΗγΜι-IrHrHrHi-ΙτΗ^ί4 1 Ck 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇 rH<N 寸 ΓΟΓΟ 寸 miOCiCN 表面活性劑 ___1 添加物 * * * 6(> όΡ 09 άΡ ιη η 1 1 1 1 1 · « ι CN ο ο m t-f CNi CSJ ΓΟ 非離子 **/**★ i * •«C * ♦ ciP <λ° <ίΡ άΡ όΡ άΡ ΘΡ γο ιη γο 晒 ι ι · · · Ο ΓΟ Ο Ο ΓΟ ο ΓΟ Η <Ν ^ ΓΟ Ο γΗ 陰離子 ★ <Α° <λ° όΡ βΡ όΡ 60 όΡ <λ° 卜 * m \ · · oooouDintDom ι ΟΟΟ^νο 卜 ν〇τί«Γ〇 γΗ rH γΗ 實例 編號 「tcsmrf 寸 mu?卜 00CN α υ oh οε - ®^蚪砩屮咪粳*:#t跻t-«^^Moxd-9 一(ΖΗ3)-3εΗΜΗΜο-ε·5(ο^τ·εο3)ώ(ο3)^ϊ01-#ίκ)Λ3κ# 9 -镏絮馆罐蚪砩衆»0碱鉍 —.— —— — I— n 訂 备(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)八4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 杰$申請案第84104355號 丨1#"^fV ROC Patent Appln. No.84104355 i 本於年ίΛΑβ曰 ,正之申請專利範团中文本-附件"站玄 Β8 Amended Claims in Chinese - ΕηοΓι C8 (Suboitted on July l>, 1々、+請專^[趑圍 1996) 1. 一種不含金屬離子之顯影劑,其含有(a)水及(b)至少— 種可溶解於水的有機鹼性化合物,該顯影劑另含有…至 少一種具下式之陰離子表面活性劑 c)至少一種具下式之陰離子表面活性劑 R1- [0-CH2-CH2-] 2-o-ch2-cooh 或 . R1- [〇-CH2-CH2-] z-0-CH2-S03H 其中 (I) (XI), R1爲(c2 -C20)烷基或爲(C6 -C20)芳基,其選擇地 經取代達3個的分支狀或直鏈垸基群且 Z爲1至60之整數, 選擇地 d)至少一種具下式之非離子表面活性劑 CmH2m+l- i〇-CH2-cH2-]xt〇-CH(CH3) -CH2-] OH (工工幻 或 cmH2«+i- [〇-ch2-ch2-]x[〇-ch(ch3) -CH2-]y〇-cnH2n+1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-° 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 其中 in爲10至22之數, η爲1至6之數,且 X與y爲,分别獨立地,3至30之數, 且選擇地 e)至少一種具下式之表面活性劑 HC=C-CR2R3- [0-CH2-CH2-].r0H 或 、 HO-[CH2-CH2-0-]r-CR4R5-C=C-CR2R3-[〇-CH2-CH2-] r -11 - (IV), (V) OH (VI) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^^7870 Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標隼局貝工消费合作社印製 六、申請專利範圍 其中 R2 -R5爲,分别獨立地,氫原子或(C 1 -C5 )垸基且 r爲1至60之數; 或爲具下式者 HO-[CH2-CH2-0-]atCH(CH3)-CH2-0-]tH (VII), 其中的s: t = 10:90至80:20, 或爲具式R6 -[〇-CH2 -CH2 ] 0 -OH (W), 其中的 R6爲(C6 -C2〇)芳基,選擇地經取代達三個的具分 枝或直鏈垸基群,具 〇 爲1至60之數, 陰離子與非離子表面活性劑之使用比例,相當於顯影劑 總重之lOppm至6,000ppm,但是,(c):[(d)十(e)]之重量 比例爲3 : 7至8 : 2且表面活性劑(c)之比例永遠要大於 表面活性(d)之比例。 2. 根據申請專利範圍第1項之顯影劑,其具有的酸鹼値介 於 11 至 13.5。 3. 根據申請專利範圍第1或2項之顯影劑,其中可溶解於 水的有機鹼性化合物(b)爲一種脂族或芳族胺,特别是 丙-1, 3-二胺或4,4、二胺基二苯基胺,鹼性雜琿化合 物,其環中含有,除了3至5個的碳原子外,至少一個 氮原子及,選擇地,也含有氧及硫原子,特别是毗咬, 口比洛坑,αΑ洛坑S同,ait交,嗎ϋ林,她嗔,派交,喝咬或 -12 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-'° 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規冰(210Χ297公釐〉 A8 B8 C8 D8 2i)787Q 六、申請專利範圍 嘧唑類。 4·根據申請專利範圍第1或2項之顯影劑,其中可溶解 於水的有機鹼性化合物(b)爲四甲基銨氫氧化物或(2-m基乙基)三甲基銨氫氧化物。 5. 根據申請專利範圍第1或2項之顯影劑,其中可溶解 於水的有機鹼性化合物(b)的比例爲相當於顯影劑總 重量之0.5至20%。 6. —種顯影劑濃縮液,其含有的(b)至(e)之組成分爲根 據申請專利範圍第1至5項之任一項中所言之二至八 倍量。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 -13 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
TW084104355A 1994-06-01 1995-05-02 TW297870B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4419166A DE4419166A1 (de) 1994-06-01 1994-06-01 Entwickler für Photoresistschichten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW297870B true TW297870B (zh) 1997-02-11

Family

ID=6519527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW084104355A TW297870B (zh) 1994-06-01 1995-05-02

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5731132A (zh)
EP (1) EP0685767B1 (zh)
JP (1) JP3426055B2 (zh)
KR (1) KR100368671B1 (zh)
CN (1) CN1109273C (zh)
DE (2) DE4419166A1 (zh)
SG (1) SG34226A1 (zh)
TW (1) TW297870B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014114413B3 (de) * 2014-10-03 2016-02-25 Pao-Hsien Cheng Vorrichtung zum schnellen Lösen eines Kinderwagensitzes

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573560B1 (ko) 1997-10-30 2006-08-30 가오가부시끼가이샤 레지스트용현상액
US6063550A (en) * 1998-04-29 2000-05-16 Morton International, Inc. Aqueous developing solutions for reduced developer residue
US5922522A (en) * 1998-04-29 1999-07-13 Morton International, Inc. Aqueous developing solutions for reduced developer residue
TWI221946B (en) 1999-01-07 2004-10-11 Kao Corp Resist developer
US6352817B1 (en) 1999-10-21 2002-03-05 Advanced Micro Devices, Inc. Methodology for mitigating formation of t-tops in photoresist
JP2001215690A (ja) * 2000-01-04 2001-08-10 Air Prod And Chem Inc アセチレン列ジオールエチレンオキシド/プロピレンオキシド付加物および現像剤におけるその使用
TW558736B (en) * 2000-02-26 2003-10-21 Shipley Co Llc Method of reducing defects
JP2002049161A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Clariant (Japan) Kk 被覆層現像用界面活性剤水溶液
WO2002023598A2 (en) * 2000-09-15 2002-03-21 Infineon Technologies North America Corp. A method to reduce post-development defects without sacrificing throughput
JP2002351094A (ja) * 2001-05-22 2002-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd 現像液組成物及び画像形成方法
US20020187438A1 (en) * 2001-06-12 2002-12-12 Ching-Yu Chang Development method for manufacturing semiconductors
CN100580561C (zh) * 2003-07-16 2010-01-13 三菱瓦斯化学株式会社 防蚀显影组合物
DE602005024371D1 (de) * 2005-05-10 2010-12-09 Agfa Gevaert Nv Verfahren zur Verarbeitung von Flachdruckplatten
US20080008956A1 (en) * 2006-06-23 2008-01-10 Eastman Kodak Company Positive-working imageable members with branched hydroxystyrene polymers
KR100775848B1 (ko) 2006-11-09 2007-11-12 금산인삼협동조합 기능성 홍삼과자 및 그 제조방법
CN102540771A (zh) * 2010-12-24 2012-07-04 无锡华润上华半导体有限公司 正性光刻胶用显影液及光刻工艺中的显影方法
CN102063024B (zh) * 2010-12-24 2014-01-29 东莞市智高化学原料有限公司 一种显影液组成物
KR20180066109A (ko) 2015-10-07 2018-06-18 엘리멘티스 스페셜티즈, 인크. 습윤제 및 소포제
KR102152665B1 (ko) * 2016-03-31 2020-09-07 후지필름 가부시키가이샤 반도체 제조용 처리액, 및 패턴 형성 방법
KR102011879B1 (ko) * 2018-12-28 2019-08-20 영창케미칼 주식회사 극자외선 리소그래피용 공정액 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE474010C (de) * 1927-04-13 1929-03-25 Bernhard Neupert Fahrtrichtungsanzeiger
GB1573206A (en) * 1975-11-26 1980-08-20 Tokyo Shibaura Electric Co Method of trating surfaces of intermediate products obtained in the manufacture of semiconductor devices
US4670372A (en) * 1984-10-15 1987-06-02 Petrarch Systems, Inc. Process of developing radiation imaged photoresist with alkaline developer solution including a carboxylated surfactant
US4613561A (en) * 1984-10-17 1986-09-23 James Marvin Lewis Method of high contrast positive O-quinone diazide photoresist developing using pretreatment solution
JPS6232453A (ja) * 1985-08-06 1987-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト用現像液
JPH0638159B2 (ja) * 1986-07-18 1994-05-18 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト用現像液
DE4027299A1 (de) * 1990-08-29 1992-03-05 Hoechst Ag Entwicklerzusammensetzung fuer bestrahlte, strahlungsempfindliche, positiv und negativ arbeitende sowie umkehrbare reprographische schichten und verfahren zur entwicklung solcher schichten
DE4111445A1 (de) 1991-04-09 1992-10-15 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch mit estern der 1,2-naphthochinon-2-diazid-sulfonsaeure und ein damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JP3134502B2 (ja) * 1992-06-18 2001-02-13 東レ株式会社 水なし平版印刷版用現像液
US5286606A (en) * 1992-12-29 1994-02-15 Hoechst Celanese Corporation Process for producing a developer having a low metal ion level

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014114413B3 (de) * 2014-10-03 2016-02-25 Pao-Hsien Cheng Vorrichtung zum schnellen Lösen eines Kinderwagensitzes

Also Published As

Publication number Publication date
KR960001867A (ko) 1996-01-26
US5731132A (en) 1998-03-24
DE4419166A1 (de) 1995-12-07
CN1109273C (zh) 2003-05-21
DE59508636D1 (de) 2000-09-21
KR100368671B1 (ko) 2003-09-06
JP3426055B2 (ja) 2003-07-14
CN1117599A (zh) 1996-02-28
EP0685767B1 (de) 2000-08-16
EP0685767A1 (de) 1995-12-06
SG34226A1 (en) 1996-12-06
JPH07333863A (ja) 1995-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW297870B (zh)
WO2004051379A1 (ja) リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JPS58150948A (ja) 感光性組成物
US7998664B2 (en) Processing liquid for resist substrate and method of processing resist substrate using the same
TW574615B (en) Photosensitive resin composition
JP3024695B2 (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
JP2015019006A (ja) フィルム状ポジ型感光性接着剤組成物、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
JPH03502256A (ja) 水性現像液およびポジ型ホトレジスト組成物の現像におけるその使用
JP4308585B2 (ja) 感光性樹脂組成物密着性向上剤及びそれを含有する感光性樹脂組成物
JPH0915852A (ja) ポジ型レジスト組成物とそれを用いた微細パターン形成方法
KR100527013B1 (ko) 감방사선성수지조성물
JP4440600B2 (ja) 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物
JP3190967B2 (ja) アルカリ性水溶液及び感光性樹脂組成物のパターン形成方法
KR101017234B1 (ko) 감광성 수지 조성물
EP0848291B1 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP7340329B2 (ja) 感光性樹脂積層体及びレジストパターンの製造方法
JP7076329B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性樹脂積層体
JP3003064B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
Shirakawa et al. Challenges for immersion lithography extension based on negative tone imaging (NTI) process
JP2002341527A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP7376989B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性樹脂積層体
TW573223B (en) Composition for positive type photoresist
JP7340328B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP2024002706A (ja) 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、パターン硬化膜、及び半導体素子
JPH0876373A (ja) ポジ型感光性組成物とそれを用いた微細パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent