TW202319582A

TW202319582A - 被鍍基板之製造方法

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Publication number: TW202319582A
Application number: TW111123232A
Authority: TW
Inventors: 桑静; 平原英俊; 村岡宏樹
Original assignee: 國立大學法人岩手大學
Priority date: 2021-06-22
Filing date: 2022-06-22
Publication date: 2023-05-16
Also published as: JPWO2022270504A1; JP7463001B2; WO2022270504A1; CN117795124A

Abstract

一種被鍍基板之製造方法，具有：將光反應性接合劑2施加到由玻璃或矽所形成的基板1的表面的接合劑施加步驟；將光4照射到光反應性接合劑2已經施加在其上的基板1的表面以使基板1的表面與光反應性接合劑2接合的照射步驟；在照射步驟之後藉由清洗而除去未與基板1的表面接合的光反應性接合劑2的第一清洗步驟；在第一清洗步驟之後施加結合到光反應性接合劑2的觸媒6的觸媒施加步驟；在觸媒施加步驟之後藉由清洗而除去未與光反應性接合劑2結合的觸媒6的第二清洗步驟；以及在第二清洗步驟之後藉由無電鍍鍍覆處理將導電性物質7設置在結合有觸媒6的光反應性接合劑2上的鍍覆步驟。根據本發明的被鍍基板之製造方法，其在基板表面不形成凹凸的情況下，能夠製造在由玻璃或矽所形成的基板表面形成以具有充分的剝離強度而密著的鍍層的被鍍基板。

Description

被鍍基板之製造方法

本發明是有關於使用了由玻璃或矽所形成的基板的被鍍基板之製造方法。

近年來，在電子封裝的領域中，由玻璃或矽等的材料所形成的基板受到注目，也需要在如此的基板上形成鍍層的技術。由如此的材料所形成的基板具有高頻特性、低傳輸損耗、低熱膨脹、尺寸穩定性等等的優異的特性。

作為對由玻璃或矽等的材料所形成的基板的表面進行鍍覆處理的方法，已知有，例如，在真空中蒸鍍金屬的方法、濺鍍金屬的方法、進行無電鍍鍍覆處理的方法等，在由如此的材料所形成的基板的表面施行鍍覆處理的被鍍基板中，基板表面與鍍層的密著性是重要的特性，為了提升密著性而嘗試進行了改良。

例如，已知有以下的技術，在藉由無電鍍鍍覆處理而在基板的表面形成鍍層的方法中，藉由在由玻璃所形成的基板上施行蝕刻處理而在基材表面形成微細的凹凸，然後進行矽烷偶合劑處理、無電鍍鍍覆處理，藉此改善基板表面與鍍層的密著性(專利文獻1)。 [先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利申請特開第2006-338837號公報

[發明所欲解決的問題]

然而，在上述的方法中，由於在基板表面存在因蝕刻處理而產生的凹凸，在將此被鍍基板應用於高頻電子部件時，會成為信號的傳輸損失、發熱等問題的原因，因此並不佳。此外，在基板表面形成導體佈線的微細圖案時，也存在因凹凸而阻礙微細的形成的問題。因此，需要一種被鍍基板的製造方法，其能夠形成對於由玻璃或矽等材料所形成的基板的平滑的表面的密著性高、剝離強度良好的鍍層。

本發明是鑑於上述情況而完成的，其目的在於提供一種被鍍基板之製造方法，其在基板表面不形成凹凸的情況下，能夠製造在玻璃或矽等的材料的基板表面形成以具有充分的剝離強度而密著的鍍層的被鍍基板。

本案發明人為了解決上述問題而進行研究，結果發現藉由一種被鍍基板之製造方法，能夠在基板表面不形成凹凸的情況下，形成對於由玻璃或矽等材料所形成的基板表面具有充分的剝離強度的鍍層，而完成了本發明，其中被鍍基板之製造方法包括以下步驟：將光反應性接合劑施加到由玻璃或矽所形成的基板的表面的接合劑施加步驟；將光照射到光反應性接合劑已經施加在其上的基板的表面以使基板的表面與光反應性接合劑接合的照射步驟；在照射步驟之後藉由清洗而除去未與基板的表面接合的光反應性接合劑的第一清洗步驟；在第一清洗步驟之後施加結合到光反應性接合劑的觸媒的觸媒施加步驟；在觸媒施加步驟之後藉由清洗而除去未與光反應性接合劑結合的觸媒的第二清洗步驟；以及在第二清洗步驟之後藉由無電鍍鍍覆處理將導電性物質設置在結合有觸媒的光反應性接合劑上的鍍覆步驟。

具體而言，本發明如下文所述。 [1]一種被鍍基板之製造方法，具有：接合劑施加步驟，將光反應性接合劑施加到由玻璃或矽所形成的基板的表面；照射步驟，將光照射到上述光反應性接合劑已經施加在其上的上述基板的表面以使上述基板的表面與上述光反應性接合劑接合；第一清洗步驟，在上述照射步驟之後藉由清洗而除去未與上述基板的表面接合的上述光反應性接合劑；觸媒施加步驟，在上述第一清洗步驟之後施加結合到上述光反應性接合劑的觸媒；第二清洗步驟，在上述觸媒施加步驟之後藉由清洗而除去未與上述光反應性接合劑結合的上述觸媒；以及鍍覆步驟，在上述第二清洗步驟之後藉由無電鍍鍍覆處理將導電性物質設置在結合有上述觸媒的上述光反應性接合劑上。 [2]如[1]所記載之被鍍基板之製造方法，其中，在上述照射步驟中的照射，是藉由設置遮蔽上述基板的表面的一部分的遮罩並照射光而選擇性地照射上述基板的表面的方法，及/或藉由照射聚焦光而選擇性地照射上述基板的表面的方法而進行。 [3]如[1]或[2]所記載之被鍍基板之製造方法，其中，上述光反應性接合劑是在1個分子內具有三嗪環與烷氧基矽烷基(也包括上述烷氧基矽烷基中的烷氧基為OH的情況)，且進一步具有重氮(diazo)基或疊氮(azide)基的化合物。 [4]如[1]～[3]中任一項所記載之被鍍基板之製造方法，其中，上述光反應性接合劑是選自下述通式(1)或通式(2)所表示的化合物。 [化學式1]

[在式(1)中，-Q ₁或-Q ₂中的至少一個為-NR ₁(R ₂)或-SR ₁(R ₂)，其餘為任意的基團。R ₁及R ₂是H、碳原子數為1～24的烴基或-RSi(R') _n(OA) _3-n(R是碳原子數為1～12的鏈狀烴基。R'是碳原子數為1～4的鏈狀烴基。A是H或碳原子數為1～4的鏈狀烴基。n是0～2的整數。)。其中，上述R ₁、R ₂中的至少一者是-RSi(R') _n(OA) _3-n。] [化學式2]

[在式(2)中，-Q ₃為-NR ₁(R ₂)或-SR ₁(R ₂)。R ₁及R ₂是H、碳原子數為1～24的烴基或-RSi(R') _n(OA) _3-n(R是碳原子數為1～12的鏈狀烴基。R'是碳原子數為1～4的鏈狀烴基。A是H或碳原子數為1～4的鏈狀烴基。n是0～2的整數。)。其中，上述R ₁、R ₂中的至少一者是-RSi(R') _n(OA) _3-n。] [5]如[1]～[4]中任一項所記載之被鍍基板之製造方法，其中，上述光反應性接合劑為下述通式(3)所表示的化合物。 [化學式3]

[6]如[1]～[4]中任一項所記載之被鍍基板之製造方法，其中，上述光反應性接合劑為下述通式(4)所表示的化合物。 [化學式4]

[7]如[1]～[6]所記載之被鍍基板之製造方法，其中，在上述照射步驟中所照射的光的波長為200nm～380nm。 [8]如[1]～[7]中任一項所記載之被鍍基板之製造方法，其中，在上述觸媒施加步驟中所施加的觸媒是選自由Pd、Ag、Cu所組成的群組。 [發明功效]

根據本發明的被鍍基板之製造方法，其在基板表面不形成凹凸的情況下，能夠製造在由玻璃或矽所形成的基板表面形成以具有充分的剝離強度而密著的鍍層的被鍍基板。

[用以實施發明的形態]

在下文中，將針對本發明的實施形態進行說明。然而，本發明不限於以下實施形態。

本實施形態的被鍍基板的製造方法具有：將光反應性接合劑施加到由玻璃或矽所形成的基板的表面的接合劑施加步驟；將光照射到光反應性接合劑已經施加在其上的基板的表面以使基板的表面與光反應性接合劑接合的照射步驟；在照射步驟之後藉由清洗而除去未與基板的表面接合的光反應性接合劑的第一清洗步驟；在第一清洗步驟之後施加結合到光反應性接合劑的觸媒的觸媒施加步驟；在觸媒施加步驟之後藉由清洗而除去未與光反應性接合劑結合的觸媒的第二清洗步驟；以及在第二清洗步驟之後藉由無電鍍鍍覆處理將導電性物質設置在結合有觸媒的光反應性接合劑上的鍍覆步驟。

[光反應性接合劑] 如第1圖所繪示，在本實施形態的被鍍基板的製造方法中所使用的光反應性接合劑2是一種物質，其在被施加到基板1的表面後，藉由在照射步驟中的光照射而與基板1接合，並進一步與在觸媒施加步驟中所施加的觸媒6結合，而成為藉由鍍覆步驟所形成的鍍層(導電性物質7)的基礎。

本實施形態中所使用的光反應性接合劑，在其1個分子內，具有藉由光的照射而產生高反應性的化學種，並與由玻璃或矽所形成的基板的表面接合的光反應性基團以及與觸媒相互作用而結合的相互作用性基團。又，相互作用性基團可以是藉由水解等而表現出與觸媒的相互作用性(結合性)的官能基團。

光反應性接合劑在1個分子內具有三嗪環與烷氧基矽烷基(也包括上述烷氧基矽烷基中的烷氧基為OH的情況)，其中，以進一步具有重氮基或疊氮基的化合物為佳。在此，重氮基以與碳結合為佳，以重氮甲基為更佳。

作為三嗪環，較佳可使用1,3,5-三嗪等。再者，烷氧基矽烷基可以選擇矽烷醇生成基的一種。矽烷醇生成基是藉由水解等而產生矽烷醇的基團。作為烷氧基矽烷基，可以任意地選擇具有矽與烷氧基的基團。在此，在烷氧基矽烷基與三嗪環結合的部位與矽之間，也可以存在其他元素。例如，在烷氧基矽烷基與三嗪環結合的部位與矽之間，也可以存在胺基、硫醇基、氧基及/或烴基。由於如上所述的其他元素的存在，當基板表面與導體佈線藉由光反應性接合劑接合時，可以充當間隔物。再者，本實施形態的光反應性接合劑具有2個以上的烷氧基矽烷基時，其結構可以相同也可以不同。

在作為光反應性接合劑的上述較佳化合物中，重氮基或疊氮基可以是光反應性基團，而烷氧基矽烷基可以是相互作用性基團。又，烷氧基矽烷基藉由水解而生成矽烷醇基，此矽烷醇基有助於與觸媒的相互作用。

在上述化合物具有重氮基的情況下，藉由光照射，從與重氮基結合的碳生成碳烯(carbene，具有6個價電子且具有2個配位的碳種，其具有2個未提供到碳原子上的鍵結的電子)，此碳烯的部位發生自由基加成反應，而與存在於基板的表面的氧原子(羥基(OH基)、矽的氧化被膜(SiO ₂)等)形成化學鍵結。再者，在上述化合物具有疊氮基的情況下，藉由光照射，疊氮基變化為氮烯(nitrene)，此氮烯的部位發生自由基加成反應，而與存在於基板的表面的氧原子(羥基(OH基)、矽的氧化被膜(SiO ₂)等)形成化學鍵結。藉此，上述化合物的烷氧基矽烷基被施加到基板表面。

光反應性接合劑，更佳為下述通式(1)或通式(2)所表示的化合物。

[化學式5]

[化學式6]

[在上述式(1)中，-Q ₁或-Q ₂中的至少一個為-NR ₁(R ₂)或-SR ₁(R ₂)，其餘為任意的基團。在通式(2)中，-Q ₃為-NR ₁(R ₂)或-SR ₁(R ₂)。

R ₁及R ₂是H、碳原子數為1～24的烴基或-RSi(R') _n(OA) _3-n。上述碳原子數為1～24的烴基為鏈狀烴基、具有取代基(環狀或鏈狀)的鏈狀烴基、環狀基或具有取代基(環狀或鏈狀)的環狀基。例如，-C _mH _2m+1、-C _mH2 _m-1、-C ₆H ₅、-CH ₂CH ₂C ₆H ₅、-CH ₂C ₆H ₅、-C ₁₀H ₇等。上述-RSi(R') _m(OA) _3-m的R是碳原子數為1～12的鏈狀烴基(例如，-CmH2m)。上述R'是碳原子數為1～4的鏈狀烴基(例如，-C _mH2 _m+1)。上述A是H或碳原子數為1～4的鏈狀烴基(例如，-CH ₃、-C ₂H ₅、-CH(CH ₃) ₂、-CH ₂CH(CH ₃) ₂或-C(CH ₃) ₃)。n是0～2的整數。R ₁與R ₂中的至少一個是-RSi(R') _n(OA) _3-n。R ₁與R ₂可以相同也可以不同。在本說明書中，所謂具有取代基的基團(例如，烴基)，是指，例如，上述基團(例如，烴基)的H被適當的可取代官能基團所取代的基團。

在上述通式(1)中，Q ₁及Q ₂也可以是雙方均為-HN-RSi(R') _n(OA) _3-n或-S-RSi(R') _n(OA) _3-n。亦即，可以是-Q1或Q2的雙方均為-NR ₁(R ₂)或-SR1(R ₂)，R ₁、R ₂中的任一者為-RSi(R') _n(OA) _3-n，其餘為H。再者，結合到Q ₁及Q ₂的-HN-RSi(R') _n(OA) _3-n或-S-RSi(R') _n(OA) _3-n可以相同也可以不同。在同樣的情況下，可以表示為Q ₁及Q ₂的雙方均為-HN-R ₃，R ₃是RSi(R') _n(OA) _3-n。

在上述通式(1)中，上述Q ₁、Q ₂中的至少一者可以是-HN(CH ₂) ₃Si(EtO) ₃或-S(CH ₂) ₃Si(EtO) ₃。在此，Et代表C ₂H ₅。再者，可以是上述Q ₁、Q ₂的雙方均為-HN(CH ₂) ₃Si(EtO) ₃或-S(CH ₂) ₃Si(EtO) ₃。在這種情況下，光反應性接合劑為下述通式(3)所表示的2,4-雙[(3-三乙氧基矽烷基丙基)胺基]-6-重氮甲基-1,3,5-三嗪(也稱為PC1)。 [化學式7]

在上述通式(2)中，Q ₃可以是-HN(CH ₂) ₃Si(EtO) ₃或-S(CH ₂) ₃Si(EtO) ₃。在此，Et代表C ₂H ₅。在這種情況下，光反應性接合劑為下述通式(4)所表示的6-(3-三乙氧基矽烷基丙基胺基)-1,3,5-三嗪-2,4-二疊氮化物(也稱為pTES)。 [化學式8]

在下文中，將參照第1圖而更詳細地說明本實施形態的被鍍基板的製造方法。

[基板] 在第1(a)圖中，顯示在本實施形態的被鍍基板的製造方法中所使用的基板1。在本實施形態中所使用的基板是由玻璃或矽所形成之物。

在本說明書中，玻璃是指將熔融的液體急速冷卻而在不結晶化的情況下以過冷狀態直接將其固化的所謂非晶質無機物。作為用於基板的玻璃的例子，沒有特別限制，例如，可以使用石英玻璃、無鹼玻璃、硼矽酸鹽玻璃等。再者，所謂矽，是指矽的單體。作為用於基板的矽，沒有特別限制，例如，可以使用純度為「99.999999999%」(eleven・nine)的矽。

在本發明的被鍍基板的製造方法中，無需預先對基板的表面進行改質，就能夠得到基板與鍍層充分地密著的被鍍基板。再者，在本發明的被鍍基板的製造方法中，也可以在接合劑施加步驟之前，藉由超音波清洗(例如，使用丙酮清洗2次，每次5分鐘)而將基板潔淨化。再者，也可以在超音波清洗之後、接合劑施加步驟之前，使用氫氧化鈉對玻璃基板的基板表面進一步進行清洗。藉由使用氫氧化鈉清洗，可以增加與碳烯(carbene)、氮烯(nitrene)反應的基材表面的OH基的數量，因此能夠提升基板表面與光反應性接合劑的接合強度。

＜接合劑施加步驟＞如第1(b)圖所繪示，本實施形態的接合劑施加步驟是在基板1的表面施加光反應性接合劑2的步驟。在此，作為基板1及光反應性接合劑2，分別使用上文所述之物。

例如，可以將光反應性接合劑溶解在溶劑中作為光反應性接合劑溶液(包括分散液)而施加到基板上。施加方法沒有特別限制而可以藉由各種方法進行，可以列舉，例如，將基板浸入光反應性接合劑溶液中，將光反應性接合劑溶液噴霧塗佈或輥輪塗佈到基板上等。在此步驟之後，藉由後述的照射步驟，使所施加的光反應性接合劑與基板表面接合。

光反應性接合劑溶液(包括分散液)，較佳為將光反應性接合劑以0.01質量%～0.5質量%的範圍內溶解在溶劑中而施加到基板上，進一步更佳為0.05質量%～0.3質量%，特佳為0.075質量%～0.2質量%。藉由在上述範圍內，能夠充分地被覆基板表面，並且能夠以1個分子被覆基板表面，因此不會發生被覆表面的粗糙化、凹凸化等，而能夠得到充分的接著力。

在將基板浸漬在光反應性接合劑溶液(包括分散液中的清況下，浸漬時間以1秒～10分鐘為佳，以5秒～6分鐘為更佳。再者，浸漬時的光反應性接合劑溶液(包括分散液)的溫度，從光反應性接合劑的接合能力的活性的觀點考慮，以10℃～40℃為佳，以15℃～30℃為更佳。

使光反應性接合劑溶解或分散的溶劑，只要可以溶解或分散就沒有特別限制，可以使用水；甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、二甘醇等的醇類；丙酮、甲乙酮等的酮類；乙酸乙酯等的酯類；氯化甲烷等的鹵化物；丁烷、己烷等的烯烴類；四氫呋喃、丁基醚等的醚類；苯、甲苯等的芳香族類；二甲基甲醯胺、甲基吡咯啶酮等的醯胺類等。再者，也可以是混合了這些各種溶劑的混合溶劑。

又，除了光反應性接合劑之外，光反應性接合劑溶液還可以包含，例如，安定劑、聚合抑制劑、光降解抑制劑等的各種成分。

＜照射步驟＞如第1(c)圖所繪示，本實施形態的照射步驟是對在接合劑施加步驟中施加了光反應性接合劑2的基板1的表面照射光4，以使基板1的表面與光反應性接合劑2接合的步驟。

在照射步驟中的照射，可以是藉由設置遮蔽基板的表面的一部分的遮罩並照射光的方法，及/或藉由照射聚焦光而選擇性地照射基板的表面的方法，而進行選擇性地照射基板的表面。藉由使用這些方法，能夠使受到光照射的部分(其中後續設置導電性物質的部分)與未受到光照射的部分(其中後續並未設置導電性物質的部分)明確地區分而形成。

在第1(c)圖中，作為照射步驟的一個例子，示意性地顯示了設置遮蔽基板1的表面的一部分的遮罩3而照射光的方法。在此方法中，於在接合劑施加步驟中施加了光反應性接合劑2的基板1的表面上，設置遮蔽基板的表面的一部分的遮罩3之後，將光4從光源5照射到基板1的表面。在此光4的照射之後，從基板1的表面除去遮罩3。遮罩3的材質沒有特別限制。

再者，在採用藉由聚焦光而選擇性地照射基板的表面的方法的情況下，聚焦光的照射方向相對於基板表面為大致垂直是較佳的。藉由與基板表面呈現大致垂直，能夠更明確地區分受到光照射的部分與未受到光照射的部分。

在照射步驟中，作為照射所使用的光，可以使用可見光，但以使用對於光反應性接合劑對基板的接合能力的活化較為有效的紫外線為更佳。在此，所謂紫外線，是指波長範圍為100nm～400nm的光，以波長範圍為200nm～380nm為更佳，以220nm～380nm為特佳。在上述範圍之中，在光反應性接合劑為具有重氮基的化合物的情況下，照射所使用的光的波長以200nm～380nm為佳，以220nm～380nm為更佳。再者，在光反應性接合劑為具有疊氮基的化合物的情況下，照射所使用的光的波長以200nm～380nm為佳。藉由使所照射的光的波長在上述的範圍，能夠更充分地發揮光反應性接合劑對基板的接合能力。

再者，在照射步驟中照射光的時間，以1秒～70分鐘為佳，以1秒～30分鐘為更佳，以5秒～10分鐘為特佳。在上述範圍之中，在光反應性接合劑為具有重氮基的化合物的情況下，照射光的時間以5秒～20分鐘為佳，以10秒～10分鐘為進一步更佳。再者，在光反應性接合劑為具有疊氮基的化合物的情況下，照射光的時間以1秒～20分鐘為佳，以10秒～10分鐘為進一步更佳。藉由使照射光的時間在上述的範圍，能夠更充分地發揮光反應性接合劑對基板的接合能力，並且能夠進一步抑制由於光的照射而可能發生的基板劣化。

再者，在照射步驟中所照射的光的累積光量，以1mJ/cm ²～1000mJ/cm ²為佳，以10mJ/cm ²～100mJ/cm ²為更佳，以30mJ/cm ²～75mJ/cm ²為進一步更佳，以40mJ/cm ²～60mJ/cm ²為特佳。在上述範圍之中，在光反應性接合劑為具有重氮基的化合物的情況下，所照射的光的累積光量，以20mJ/cm ²～70mJ/cm ²為佳，以30mJ/cm ²～60mJ/cm ²為更佳，以40mJ/cm ²～60mJ/cm ²為特佳。再者，在光反應性接合劑為具有疊氮基的化合物的情況下，所照射的光的累積光量，以30mJ/cm ²～60mJ/cm ²為佳，以40mJ/cm ²～60mJ/cm ²為更佳，以40mJ/cm ²～50mJ/cm ²為特佳。藉由使所照射光的累積光量在上述範圍，能夠更充分地發揮光反應性接合劑對基板的接合能力，並且能夠進一步抑制由於光的照射而可能發生的基板劣化。

作為照射步驟中所使用的光源，可以使用，例如，紫外線LED、低壓水銀燈、高壓水銀燈、準分子雷射、屏障放電燈、微波無電極放電燈等。

在使用藉由照射聚焦光而選擇性地照射基板的表面的方法的情況下，通常使用透鏡系統將從光源發射的光聚焦並照射到被照射部分。作為透鏡系統，可以使用菲涅耳透鏡(Fresnel lens)、透鏡陣列等。可以根據產品的佈線寬度而適當地選擇受到聚焦光所照射的基板上的範圍內的光斑直徑。

再者，在使用雷射作為光源的情況下，可以使用非線性光學晶體代替透鏡或透鏡系統。當以這種方式使用非線性光學晶體時，可以將入射波變換波長而使用。例如，藉由設置非線性光學晶體，波長1064nm的釔鋁石榴石(YAG)雷射光變成波長為532nm。此外，當二段式設置非線性光學晶體時，能夠得355nm的紫外光作為3倍波。藉此，能夠使用作為在光反應性接合劑的反應中所需的波長。

＜第一清洗步驟＞如第1(d)圖所繪示，本實施形態的第一清洗步驟是在照射步驟之後藉由清洗而從基板表面除去未與基板1的表面接合的光反應性接合劑2的步驟。藉此，光反應性接合劑2僅殘留在基板1的表面之中的在上述照射步驟中受到光4選擇性地照射的部分上。

清洗方法沒有特別限制，可以列舉溶劑浸漬、溶劑清洗等。作為第一清洗步驟中所使用的溶劑，可以依據在接合劑施加步驟中所施加的光反應性接合劑的種類等而適當地使用最合適的溶劑。例如，可以列舉水、醇(甲醇、乙醇等)、酮、芳香烴、酯或醚、鹼性水等。使用溶液時，可以藉由自然乾燥、加熱等而使溶液中的溶劑乾燥。又，清洗時也可以併用超音波等的手段。

再者，在本發明的一個實施形態中，可以將包括上述的接合劑施加步驟、照射步驟、第一清洗步驟在內的一連串步驟重複多次，但是即使僅將這一連串步驟重複一次，也可以使光反應性接合劑可以與基材充分地接合。

由上述步驟中得到的光反應性接合劑所形成的層的厚度，以0.5～500nm為佳，以0.5～100nm為特佳。

＜觸媒施加步驟＞如第1(e)圖所繪示，本實施形態的觸媒施加步驟是在第一清洗步驟之後，將無電鍍用的觸媒6施加在光反應性接合劑2上並使其結合的步驟。在本說明書中僅提及為觸媒時，亦包括其前驅物。

作為使無電鍍用的觸媒(例如，金屬膠體)及/或無電鍍用的前驅物(例如，金屬鹽)與光反應性接合劑結合的方法，可以調製使金屬膠體分散在適當的分散介質中的觸媒分散液或是包含將金屬鹽利用適當的溶劑溶解而解離的金屬離子的觸媒溶液，並將這些觸媒分散液或觸媒溶液塗佈到接合有光反應性接合劑的基材表面上，或者也可以將接合有光反應性接合劑的基材浸漬在這些觸媒分散液或觸媒溶液中。

藉由這些方法，可以利用離子-離子相互作用或偶極子-離子相互作用而使觸媒吸附到光反應性接合劑中的相互作用性基團，或者使觸媒浸漬到光反應性接合劑上。從充分地進行如此的吸附或浸漬的觀點考慮，以使1化學當量的觸媒吸附到1個分子的光反應性接合劑之方式而適當地選擇為佳。

在觸媒施加步驟中所使用的無電鍍用的催化劑，主要是0價金屬，可以列舉鈀(Pd)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鐵(Fe)、鈷(Co)等。特別是，從其良好的操作性、高催化能力的觀點考慮，以Pd、Ag、Cu為佳。作為這些使觸媒與光反應性接合劑結合的手法，可以使用，例如，將其電荷調整為與光反應性接合劑的相互作用性基團(例如，親水性基團)相互作用的金屬膠體施加到光反應性接合劑的手法。

在觸媒施加步驟中所使用的無電鍍觸媒用的前驅物，只要是可以藉由化學反應而進行無電鍍的觸媒，就可以沒有特別限制地使用。主要可以使用上述的無電鍍觸媒所使用的0價金屬的金屬離子。作為無電鍍觸媒前驅物的金屬離子藉由還原反應而轉變成作為無電鍍觸媒前驅物的0價金屬。作為無電鍍觸媒前驅物的金屬離子，也可以在施加到光反應性接合劑之後、置入無電鍍浴的浸漬之前，藉由另一還原反應而使其轉變成0價金屬作為無電鍍觸媒前驅物。再者，可以將無電鍍觸媒前驅物保持其原樣而浸漬到無電鍍浴中，並藉由無電鍍浴中的還原劑使其轉變成金屬(無電鍍觸媒)。作為將這些觸媒與光反應性接合劑結合的手法，例如，將作為無電鍍前驅物的金屬離子以金屬鹽的形式施加到光反應性接合劑上。作為所使用的金屬鹽，只要將其溶解在適當的溶劑中可以解離成金屬離子與鹼(陰離子)，就沒有特別限制，可以列舉M(NO ₃) _nMCl _n、M _2/n(SO4)、M _3/n(PO ₄)(M代表n價金屬原子)等。

＜第二清洗步驟＞如第1(f)圖所繪示，本實施形態的第二清洗步驟是在觸媒施加步驟後，藉由清洗而從基板表面除去未與接合到基板1的表面的光反應性接合劑2結合的觸媒6(包含觸媒前驅物)的步驟。藉此，觸媒6僅殘留在基板1的表面之中與光反應性接合劑2接合的部分(亦即，在上述照射步驟中受到光4照射的部分)上。

清洗方法沒有特別限制，可以列舉溶劑浸漬、溶劑清洗等。作為第二清洗步驟中所使用的溶劑，可以依據所使用的光反應性接合劑的種類、觸媒及其前驅物的種類等而適當地使用最合適的溶劑。例如，可以列舉水、甲醇、乙醇、鹼性水等。又，清洗時也可以併用超音波等的手段。

＜鍍覆步驟＞如第1(g)圖所繪示，本實施形態的鍍覆步驟是藉由無電鍍處理而將導電性物質7設置於接合在基板1上並與電鍍用的觸媒6結合的光反應性接合劑2上的步驟。再者，上述鍍覆步驟可以在第二清洗步驟中藉由清洗而從基板表面除去未與光反應性接合劑2結合的觸媒6(包含觸媒前驅物)之後進行。藉由在鍍覆步驟中進行無電鍍處理，可以在接合有光反應性接合劑的基板上形成高密度的導電性物質(金屬)的膜。所形成的導電性物質(金屬)的膜對基板表面具有優異的密著性。

所謂無電鍍處理，是指使用溶解了想要使其析出作為鍍層的金屬離子的溶液，藉由化學反應使金屬析出的操作。無電鍍處理，例如，藉由將接合有結合了無電鍍用的觸媒的光反應性接合劑的基板浸漬在無電鍍浴中而進行。再者，當將接合有結合了無電鍍用的前驅物的光反應性接合劑的基板浸漬在無電鍍浴中時，也將此基板浸漬在無電鍍浴中，在這種情況下，在無電鍍浴中，可以進行前驅物的還原及其後續的無電鍍。作為所使用的無電鍍浴，可以使用一般已知的無電鍍浴。

一般的無電鍍浴是以鍍覆用的金屬離子、還原劑、提升金屬離子安定性的添加劑(安定劑)作為主要成分。再者，除了這些之外，無電鍍浴中也可以包含無電鍍浴的安定劑等的已知的添加劑。

作為無電鍍浴中所包含的金屬離子的種類，已知有銅、錫、鉛、鎳(Ni)、金、鈀、銠等的離子，其中，從導電性的觀點考慮，以銅、銀、金、鎳的離子為更佳。

還原劑、添加劑可以根據金屬離子的種類而適當地選擇。例如，銅的無電鍍浴可以包含硫酸銅(Cu(SO ₄) ₂)作為銅鹽，甲醛(HCOH)作為還原劑，銅離子的安定劑之乙二胺四乙酸(EDTA)、酒石酸鉀鈉等的螯合劑作為添加劑。再者，在CoNiP的無電鍍所使用的鍍浴中，可以包含硫酸鈷、硫酸鎳作為其金屬鹽，次磷酸鈉作為還原劑，丙二酸鈉、蘋果酸鈉、琥珀酸鈉作為錯合劑。再者，鈀的無電鍍浴可以包含二氯四氨鈀((Pd(NH ₃) ₄)Cl ₂)作為金屬離子，胺(NH ₃)、聯胺(H ₂NNH ₂)作為還原劑，乙二胺四乙酸(EDTA)作為安定劑。在這些鍍浴中也可以加入上述成分以外的成分。

在鍍覆步驟中所形成的導電性物質的膜(金屬膜)的表面粗糙度(算術平均粗糙度Ra)，以0.3μm以下為佳，以0.2μm以下為更佳。當表面粗糙度在上述範圍內時，能夠防止將被鍍基板使用作為電路部件時的信號的傳輸損失、發熱等。

在鍍覆步驟中所形成的導電性物質的膜(金屬膜)的膜厚，可以根據鍍浴的金屬鹽或金屬離子濃度、在鍍浴中的浸漬時間、鍍浴的溫度等而適當地選擇，以10nm～1000nm為佳，以20nm～500nm為更佳。當膜厚在上述範圍內時，能夠保持充分的導電性，並且使用作為電路部件時能夠進一步使被鍍基板具有充分的密實度。

藉由鍍覆步驟(無電鍍處理)所得到的被鍍基板可以進一步進行退火處理。藉此能夠降低鍍覆應力並且能夠提升剝離強度。上述退火處理可以在，例如，50℃～600℃的溫度下持續進行5分鐘～10小時。再者，退火處理的溫度可以是一個階段(T1)或複數個階段(T1、T2、…)。在退火處理中的溫度變化(例如，室溫→T1、T1→T2、T1或T2→室溫)，較佳為使溫度在預定時間內連續地變化。溫度變化所需的時間可以是，例如，15分鐘～5小時，也可以是1～3小時。

又，在增厚導電性物質的膜時，也可以在藉由無電鍍處理形成導電物質的膜之後，再進行進一步的電鍍處理，而能夠在短時間內使金屬膜成長。實施電鍍處理後的導電性物質的膜(金屬膜)的膜厚可以適當地選擇，以1μm～50μm為佳。

以上所說明的實施形態是為了更容易理解本實施形態而記載，並非意圖限定本實施形態而記載。因此，上述實施形態所揭示的各要素旨在包括屬於本實施形態的技術範圍的所有設計變更及均等物。 [實施例]

以下，藉由例示被鍍基板的製造方法的具體例，對本實施形態進行更詳細的說明，但本實施形態並非受到以下內容的任何限定。

＜實施例1：被鍍基板的製作-1＞ (實施例1-1：光反應性接合劑與基材的接合處理) 作為基板，使用了兩種類型的基板：其中一種是由矽晶圓(SiS-02-P2956)所形成，另一種是由玻璃(D263Teco，SCHOTT公司)所形成。對上述基板重複進行兩次使用丙酮且持續5分鐘的超音波清洗。將玻璃基板使用丙酮清洗並充分乾燥，然後重複進行兩次使用氫氧化鈉水溶液(2質量%)且在50℃下持續5分鐘進行的超音波清洗，用水清洗，然後重複進行兩次使用蒸餾水且持續5分鐘的超音波清洗。在清洗、充分乾燥之後，將上述基板置於藉由將以下通式(4)所表示的光反應性接合劑(6-(3-三乙氧基矽烷基丙基氨基)-1,3,5-三嗪-2,4-二疊氮化物(在下文中稱為pTES))0.1g溶解在乙醇溶劑100g中所製作的pTES溶液(0.1質量%)中，並在室溫下浸漬10秒。 [化學式9]

接著，從pTES溶液中將基板取出並充分乾燥，然後將不銹鋼製的遮罩(參照第2圖)設置在基板的表面上。隨後，使用從紫外線照射裝置(Sen Lights Co., Ltd.，HLR 100T-2)輸出的紫外線(主波長365nm，照射距離10cm)照射設置了上述遮罩的基板表面。紫外線的照射時間分別為0秒、5秒、30秒、1分鐘、5分鐘、10分鐘(累積光量分別為0mJ/cm ²、10mJ/cm ²、60mJ/cm ²、120mJ/cm ²、600mJ/cm ²、1200mJ/cm ²，累積光量均為實測值)。又，累積光量，是藉由在紫外線照射基板時使用積分光度計(Eye graphics Co., Ltd.，紫外線積分照度計「UVPF-A1」)測量所使用的紫外線而求取。

照射完成後，為了從各基板表面除去未反應的光反應性接合劑，對各基板進行使用乙醇的超音波清洗1分鐘，充分乾燥，而得到pTES處理基板。

在此，在pTES處理基板中，為了確認pTES與基材表面之間的接合，使用X射線光電子分析裝置(XPS，PHI Quantera II、ULVAC-PHI公司)對各pTES處理基板的表面進行化學組成的分析。上述分析結果顯示於第3圖～第7圖中。

第3圖繪示了矽晶圓的XPS光譜，第4圖繪示了玻璃的XPS光譜。第3(a)～3(c)圖及第4(a)～4(c)圖中的各光譜，其中從上而下依序是分析紫外線照射時間為10分鐘、5分鐘、30秒、5秒、0秒的pTES處理基板表面。在此，空白實驗(blank)是指未施加pTES的基板。再者，第5圖繪示藉由XPS對在矽晶圓的各pTES處理基板中的元素比率進行分析的結果，第6圖繪示藉由XPS對在玻璃的各pTES處理基板中的元素比率進行分析的結果，第7圖繪示從上述這些值所求取的氮/矽(N/Si)值與UV照射時間的關係。根據這些結果，無論是使用由矽晶圓所形成的基板還是使用由玻璃所形成的基板，進行了紫外線照射的各pTES處理基板的表面都可以觀察到來自pTES的波峰，例如，C－N、C＝N、Si－O，這些波峰在空白實驗及紫外線照射時間為0秒的pTES處理基板上是不到的。亦即，確認了pTES藉由紫外線照射與基板表面接合。

另外，使用原子力顯微鏡(AFM，Nanosurf Easyscan2 AFM，Nanosurf公司)，觀察各pTES處理基板的接合有pTES的表面的形狀。結果顯示於第8圖。在空白實驗及紫外線照射時間為0秒的基板，基板表面是光滑的，但在進行了紫外線照射的各pTES處理基板的表面，確認到因pTES接合而形成的微細的凹凸的形狀。

(實施例1-2：對基板的鍍覆處理) 接著，將實施例1-1中所得到的pTES處理基板浸漬在觸媒處理液中1分鐘，使鈀作為觸媒擔載在光反應性接合劑中。將0.023g(和光純藥公司)的二氯化鈀(PdCl ₂)添加到200mL的鹽酸(35%，富士軟片和光純藥工業公司)(10ml/l)中，一邊使用超音波攪拌使其溶解，而調製觸媒處理液。之後，從觸媒處理液中取出pTES處理基板，用純水清洗以從基板表面除去未擔載在光反應性接合劑的觸媒。

接著，將擔載有觸媒的pTES處理基板浸漬在60℃的無電鍍鎳鍍液中1分鐘或30秒，以進行無電鍍鍍覆處理。在蒸餾水40.5ml中添加3ml的KM、3ml的KA、3ml的KR、1.5ml的KE(上村工業公司)，進一步添加蒸餾水50.0ml，使用超音波攪拌10分鐘而調製無電鍍鎳鍍液。在無電鍍鍍覆處理之後，分別使用水及乙醇清洗並充分乾燥，然後在80℃下進行10分鐘的退火，以得到在基板表面上設置有鎳鍍層的鍍鎳基板。

接著，將針對所得到的鍍鎳基板的膠帶剝離試驗的結果與利用雷射顯微鏡(VK-9710，KEYENCE公司)觀察鍍鎳基板的表面的結果，分別依照紫外線照射的時間區別而顯示於第9圖及第10圖。在膠帶剝離試驗中，將賽珞玢膠帶(Nichiban Co., Ltd.，產品名稱：Cellotape(註冊商標))貼在鍍鎳基板的設置有鍍層的表面上，然後將賽珞玢膠帶剝離，藉此驗證鍍層是否會從基板剝離。第9圖顯示了基板是矽晶圓且無電鍍鍍覆處理為1分鐘的鍍鎳基板的觀察結果，第10圖顯示了基板是玻璃且無電鍍鍍覆處理為30秒的鍍鎳基板的觀察結果。再者，在第9(a)圖～第9(d)圖、第10(a)圖～第10(d)圖中，左側顯示膠帶剝離試驗的結果，右側顯示雷射顯微鏡的觀察結果的圖像。由這些結果可知，鎳鍍層以充分的密著性而形成於基板表面。

再者，第11圖顯示使用穿透式電子顯微鏡(TEM，JEM-2100，日本電子公司，加速電壓200kV)觀察到的鍍鎳基板的剖面的圖像。第11(a)圖顯示了使用矽晶圓作為基板、紫外線時間為1分鐘且無電鍍鍍覆處理為1分鐘的鍍鎳基板的剖面的觀察結果。第11(b)圖顯示了使用玻璃作為基板、紫外線時間為1分鐘且無電鍍鍍覆處理為30秒的鍍鎳基板的剖面的觀察結果。由第11(a)圖及第11(b)圖可知，從基板表面依序積層pTES層、鎳鍍層。

＜實施例2：被鍍基板的製作-2＞ (實施例2-1：光反應性接合劑與基材的接合處理) 作為基板，使用了兩種類型的基板：其中一種是由矽晶圓(SiS-02-P2956)所形成，另一種是由玻璃(D263Teco，SCHOTT公司)所形成。對上述基板重複進行兩次使用丙酮且持續5分鐘的超音波清洗。將玻璃基板使用丙酮清洗並充分乾燥，然後重複進行兩次使用氫氧化鈉水溶液(2質量%)且在50℃下持續5分鐘進行的超音波清洗，用水清洗，然後重複進行兩次使用蒸餾水且持續5分鐘的超音波清洗。在清洗、充分乾燥之後，將上述基板置於藉由將以下通式(3)所表示的光反應性接合劑(2,4-雙[(3-三乙氧基矽烷基丙基)胺基]-6-重氮甲基-1,3,5-三嗪(在下文中稱為PC1))0.1g溶解在乙醇溶劑100g中所製作的PC1溶液(0.1質量%)中，並在室溫下浸漬10秒。 [化學式10]

接著，從PC1溶液中將基板取出並充分乾燥，然後將不銹鋼製的遮罩(參照第2圖)設置在基板的表面上。隨後，使用從紫外線照射裝置(Sen Lights Co., Ltd.，HLR 100T-2)輸出的紫外線(主波長365nm，照射距離10cm)照射設置了上述遮罩的基板表面。紫外線的照射時間為30秒(累積光量：60mJ/cm ²，累積光量為實測值)。照射完成後，為了從各基板表面除去未反應的光反應性接合劑，對各基板進行使用乙醇的超音波清洗1分鐘，充分乾燥，而得到PC1處理基板。

(實施例2-2：對基板的鍍覆處理) 接著，將實施例2-1中所得到的PC1處理基板浸漬在觸媒處理液中1分鐘，使鈀作為觸媒擔載在光反應性接合劑中。觸媒處理液以與實施例1-2相同的方式製備。之後，從觸媒處理液中取出PC1處理基板，用純水清洗以從基板表面除去未擔載在光反應性接合劑的觸媒。

接著，將擔載有觸媒的PC1處理基板浸漬在60℃的無電鍍鎳鍍液中1分鐘或30秒，以進行無電鍍鍍覆處理。無電鍍鎳鍍液以與實施例1-2相同的方式製備。在無電鍍鍍覆處理之後，分別使用水及乙醇清洗並充分乾燥，然後在80℃下進行10分鐘的退火，以得到在基板表面上設置有鎳鍍層的鍍鎳基板。

接著，將針對所得到的鍍鎳基板的膠帶剝離試驗的結果顯示於第12圖中。在膠帶剝離試驗中，將賽珞玢膠帶(Nichiban Co., Ltd.，產品名稱：Cellotape(註冊商標))貼在鍍鎳基板的設置有鍍層的表面上，然後將賽珞玢膠帶剝離，藉此驗證鍍層是否會從基板剝離。第12(a)圖顯示了基板是矽晶圓且無電鍍鍍覆處理為1分鐘的鍍鎳基板的觀察結果，第12(b)圖顯示了基板是玻璃且無電鍍鍍覆處理為30秒的鍍鎳基板的觀察結果。由這些結果可知，鎳鍍層以充分的密著性而形成於基板表面。

再者，第13圖顯示使用穿透式電子顯微鏡(TEM，JEM-2100，日本電子公司，加速電壓200kV)觀察到的鍍鎳基板的剖面的圖像。第13(a)圖顯示了使用矽晶圓作為基板且無電鍍鍍覆處理為1分鐘的鍍鎳基板的剖面的觀察結果。第13(b)圖顯示了使用玻璃作為基板且無電鍍鍍覆處理為1分鐘的鍍鎳基板的剖面的觀察結果。由第13(a)圖及第13(b)圖可知，從基板表面依序積層PC1層、鎳鍍層。

＜實施例3：鍍層的剝離強度測定-1＞除了不使用不銹鋼製的遮罩以外，以與實施例2相同的方式對由矽晶圓或玻璃所形成的基板的表面進行光反應性接合劑(PC1)的接合處理、觸媒處理、鍍覆處理及退火處理。作為鍍覆處理，對矽晶圓進行鎳鍍覆，對玻璃進行鎳鍍覆與銅鍍覆的兩種鍍覆處理，處理時間為1分鐘(鎳鍍覆)、15分鐘(銅鍍覆)。再者，對由ABS樹脂所形成的基板也使用同樣的方法而進行光反應性接合劑的接合處理，進一步進行鍍覆處理，藉此施行銅鍍覆。又，無電鍍銅鍍液使用ATS Adcopper IW(奧野製藥公司)。使用表面及界面切割分析系統(Surface And Interfacial Cutting Analysis System, SAICAS)法而測定所得到的被鍍處理基板的鍍膜的剝離強度。SAICAS法是使用Daipla Wintes Co., Ltd.的裝置的SAICAS NN-05，在下述條件下進行測定。結果顯示於表1。與施行了鍍覆處理的由ABS所形成的基板相比，施行了鍍覆處理的由玻璃或矽所形成的基板顯示出良好的剝離強度。

= SAICAS條件 = 使用鑽石切削刃(切削刃寬度0.3mm，C.DIA 20 10) 鑽石刀片斜角=20∘ 隙角=10∘ 刀片寬度=0.3mm 垂直速度 =20nm/秒，水平速度=100nm/秒剪切角=45∘

[表1]

基板	矽	玻璃	玻璃	ABS
光反應接合劑	PC1	PC1	PC1	PC1
鍍覆處理	鎳	鎳	銅	銅
剝離強度(kN/m)	0.18	0.30	0.18	0.13

＜實施例4：鍍層的剝離強度測定-2＞ (實施例4-1：利用SAICAS法測定無電鍍鍍膜的剝離強度) 除了不使用不銹鋼製的遮罩以外，以與實施例1相同的方式對由矽晶圓或玻璃所形成的基板的表面進行光反應性接合劑(pTES)的接合處理。紫外線的照射時間為1分鐘(累積光量：120mJ/cm ²，累積光量為實測值)。對所得到的pTES處理基板，進一步進行觸媒處理及鍍覆處理。觸媒處理以與實施例1-2相同的方式進行，無電鍍處理的處理時間為1分鐘。在無電鍍鍍覆處理之後，分別使用水及乙醇清洗並充分乾燥後，進行退火，以得到在基板表面上設置有鎳鍍層的鍍鎳基板。又，退火條件如下所示。

= 退火條件 = 室溫→110℃：1小時 110℃：20分鐘 110℃→250℃：1.5小時 250℃：30分鐘 250℃→20℃：2.5小時

與實施例3同樣地，使用SAICAS法測定所得到的鍍鎳處理基板的鎳鍍膜的剝離強度。在使用pTES作為光反應性接合劑的情況下，也顯示出良好的剝離強度。

[表2]

基板	矽	玻璃
光反應接合劑	pTES	pTES
鍍覆處理	鎳	鎳
剝離強度(kN/m)	0.29	0.25

(實施例4-2：利用剝離試驗測定電鍍鍍膜的剝離強度) 對實施例4-1中所得到的鍍鎳玻璃基板進一步進行銅的電鍍。作為電鍍銅的鍍液，使用硫酸銅/硫酸(CuSO ₄/H ₂SO ₄)水溶液(CuSO ₄濃度為60g/L)。電鍍銅的鍍覆條件分三階段進行：0.004A/cm ²：10min→0.008A/cm ²：10min→0.016A/cm ²：20min。在電鍍銅的鍍覆處理之後，分別用水和乙醇清洗並充分乾燥，然後在80℃下進行10分鐘的退火，以得到在基板表面上設置有鎳/銅鍍層的被鍍處理基板。

藉由剝離試驗測定所得到的被鍍處理基板的鍍膜的剝離強度。剝離試驗是依據JIS K 6854-1「接著劑-剝離接著強度試驗方法第一部：90度剝離」而進行。所得到的被鍍處理基板的90℃剝離強度為0.8kN/m。即使在藉由電解銅鍍覆而增厚的情況下，也能維持良好的剝離強度。

1:基板 2:光反應性接合劑 3:遮罩 4:光 5:光源 6:觸媒 7:導電性物質

[第1圖]是用於說明本實施形態的被鍍基板的製造方法的示意圖。 [第2圖]是實施例中所使用的不銹鋼製的遮罩的照片。 [第3圖]是顯示使用了矽晶圓的pTES處理基板表面的XPS光譜的圖。 [第4圖]是顯示使用了玻璃的pTES處理基板表面的XPS光譜的圖。 [第5圖]是顯示使用了矽晶圓的pTES處理基板表面的在各照射時間下的元素比率的圖。 [第6圖]是顯示使用了玻璃的pTES處理基板表面的在各照射時間下的元素比率的圖。 [第7圖]是顯示pTES處理基板的氮/矽(N/Si)值與紫外線照射時間的關係的圖。 [第8圖]是藉由原子力顯微鏡觀察各pTES處理基板的表面的形狀的圖。 [第9圖]是顯示使用了矽晶圓的鍍鎳基板(pTES處理)的膠帶剝離試驗的結果與藉由雷射顯微鏡觀察的結果的圖。 [第10圖]是顯示使用了玻璃的鍍鎳基板(pTES處理)的膠帶剝離試驗的結果與藉由雷射顯微鏡觀察的結果的圖。 [第11圖]顯示了藉由穿透式電子顯微鏡觀察到的鍍鎳基板(pTES處理)的剖面的圖像。 [第12圖]是顯示鍍鎳基板(PC1處理)的膠帶剝離試驗的結果的圖。 [第13圖]顯示了藉由穿透式電子顯微鏡觀察到的鍍鎳基板(PC1處理)的剖面的圖像。

1:基板

2:光反應性接合劑

3:遮罩

4:光

5:光源

6:觸媒

7:導電性物質

Claims

一種被鍍基板之製造方法，具有：接合劑施加步驟，將光反應性接合劑施加到由玻璃或矽所形成的基板的表面；照射步驟，將光照射到上述光反應性接合劑已經施加在其上的上述基板的表面，以使上述基板的表面與上述光反應性接合劑接合；第一清洗步驟，在上述照射步驟之後藉由清洗而除去未與上述基板的表面接合的上述光反應性接合劑；觸媒施加步驟，在上述第一清洗步驟之後施加結合到上述光反應性接合劑的觸媒；第二清洗步驟，在上述觸媒施加步驟之後藉由清洗而除去未與上述光反應性接合劑結合的上述觸媒；以及鍍覆步驟，在上述第二清洗步驟之後藉由無電鍍鍍覆處理將導電性物質設置在結合有上述觸媒的上述光反應性接合劑上。
如請求項1所述之被鍍基板之製造方法，其中，在上述照射步驟中的照射，是藉由設置遮蔽上述基板的表面的一部分的遮罩並照射光而選擇性地照射上述基板的表面的方法，及/或藉由照射聚焦光而選擇性地照射上述基板的表面的方法而進行。
如請求項1或2所述之被鍍基板之製造方法，其中，上述光反應性接合劑是在1個分子內具有三嗪環與烷氧基矽烷基(也包括上述烷氧基矽烷基中的烷氧基為OH的情況)，且進一步具有重氮(diazo)基或疊氮(azide)基的化合物。
如請求項1～3中任一項所述之被鍍基板之製造方法，其中，上述光反應性接合劑是選自下述通式(1)或通式(2)所表示的化合物 [化學式1]
[在式(1)中，-Q ₁或-Q ₂中的至少一個為-NR ₁(R ₂)或-SR ₁(R ₂)，其餘為任意的基團；R ₁及R ₂是H、碳原子數為1～24的烴基或-RSi(R')n(OA) _3-n(R是碳原子數為1～12的鏈狀烴基；R'是碳原子數為1～4的鏈狀烴基；A是H或碳原子數為1～4的鏈狀烴基；n是0～2的整數)其中，上述R ₁、R ₂中的至少一者是-RSi(R') _n(OA) _3-n] [化學式2]
[在式(2)中，-Q ₃為-NR ₁(R ₂)或-SR ₁(R ₂)；R ₁及R ₂是H、碳原子數為1～24的烴基或-RSi(R') _n(OA) _3-n(R是碳原子數為1～12的鏈狀烴基；R'是碳原子數為1～4的鏈狀烴基；A是H或碳原子數為1～4的鏈狀烴基；n是0～2的整數)其中，上述R ₁、R ₂中的至少一者是-RSi(R') _n(OA) _3-n]。
如請求項1～4中任一項所述之被鍍基板之製造方法，其中，上述光反應性接合劑為下述通式(3)所表示的化合物 [化學式3]
。
如請求項1～4中任一項所述之被鍍基板之製造方法，其中，上述光反應性接合劑為下述通式(4)所表示的化合物 [化學式4]
。
如請求項1～6中任一項所述之被鍍基板之製造方法，其中，在上述照射步驟中所照射的光的波長為200nm～380nm。
如請求項1～7中任一項所述之被鍍基板之製造方法，其中，在上述觸媒施加步驟中所施加的觸媒是選自由Pd、Ag、Cu所組成的群組。