TW202312854A - 電磁波屏蔽膜 - Google Patents

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TW202312854A
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角浩輔
寺田恒彥
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日商拓自達電線股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可以只阻斷或透射具特定頻率之電磁波之電磁波屏蔽膜。 一種電磁波屏蔽膜，特徵在於具備：超穎材料層，其具有第1主面及與上述第1主面相對向之第2主面；以及接著劑層，其形成於上述超穎材料層之上述第2主面側；從上述第1主面側及/或上述第2主面側俯視上述超穎材料層時，上述超穎材料層係由周期性排列有預定圖案的導電性區域及上述導電性區域以外的非導電性區域構成，且上述預定圖案由具有導電性之材料形成。

Description

電磁波屏蔽膜
發明領域 本發明是有關於一種電磁波屏蔽膜。
背景技術 於行動設備之智慧型手機、平板終端等中，為了阻隔從內部產生的電磁波抑或從外部侵入的電磁波，會使用貼合有電磁波屏蔽膜的附屏蔽之撓性印刷配線板。用於電磁波屏蔽膜之屏蔽層是由利用蒸鍍、濺鍍、鍍敷等形成的薄膜金屬層或高度填充摻合有導電性填料的導電性糊等來形成。若今後5G等正式擴展，為求大容量數據之通信，會發展高頻、高速傳輸化，電子設備之雜訊因應對策就更加必要。
專利文獻1中揭示有一種近場電磁波吸收體，作為對數百MHz至數GHz之電磁波雜訊具有高吸收能同時可抑制電磁波吸收能之各向異性的近場電磁波吸收體，該近場電磁波吸收體是接著複數片電磁波吸收膜而成，且前述複數片電磁波吸收膜係於塑膠膜之一面形成金屬薄膜而成；又，至少一片電磁波吸收膜之金屬薄膜具有磁性金屬之薄膜層，且於至少一片電磁波吸收膜之金屬薄膜上，在複數個方向上以不規則之寬度及間隔形成有實質上呈平行的多數條斷續之線狀痕。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：國際公開2012/090586號
發明概要 發明欲解決之課題 近年來，由於無線供電技術等的普及，欲只阻斷或透射具特定頻率之電磁波之期望漸高。 專利文獻1中記載的近場電磁波吸收體雖然可於寬頻帶吸收電磁波，但卻無法只阻斷或透射具特定頻率之電磁波。
本發明是為解決上述問題點而產生的發明，本發明之目的在於提供一種電磁波屏蔽膜，其可以只阻斷或透射具特定頻率之電磁波。
用以解決課題之手段 本發明之電磁波屏蔽膜，特徵在於具備：超穎材料層，其具有第1主面及與上述第1主面相對向之第2主面；以及接著劑層，其形成於上述超穎材料層之上述第2主面側；從上述第1主面側及/或上述第2主面側俯視上述超穎材料層時，上述超穎材料層係由周期性排列有預定圖案的導電性區域及上述導電性區域以外的非導電性區域構成，且上述預定圖案由具有導電性之材料形成。
本發明之電磁波屏蔽膜中，超穎材料層係由周期性排列有預定圖案的導電性區域及導電性區域以外的非導電性區域構成，且前述預定圖案由具有導電性之材料形成。 此種周期性排列有由具有導電性之材料形成之預定圖案的導電性區域會在特定頻率之電磁場共振，可阻隔具特定頻率之電磁波。 另，所阻隔之電磁波之頻率可藉由調整預定圖案之材料、形狀、尺寸、排列、周期、構成非導電性區域之材料之介電常數等來控制。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述預定圖案為選自於由直線狀、曲線狀、多角形狀、圓狀、橢圓狀、環狀、C字狀、コ字、L字狀、曲柄狀及耶路撒冷十字狀所構成群組中至少一種圖案。 藉由使用此種圖案，可阻隔具所期望頻率之電磁波。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述非導電性區域宜由非導電性片材構成，且該非導電性片材由樹脂組成物構成，而上述預定圖案係以包埋於上述非導電性片材中之方式形成。 藉由將預定圖案包埋於由樹脂組成物構成的非導電性片材中，可輕易形成超穎材料層。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述樹脂組成物之相對介電常數宜為1~20000。 藉由調整樹脂組成物之相對介電常數，可阻隔具所期望頻率之電磁波。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述樹脂組成物宜包含填料，且上述填料宜為有機填料及/或無機填料。 藉由使樹脂組成物中含有機能性填料，可提升超穎材料層之放熱性或屏蔽特性。又，填料會發揮作為填充劑之機能。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述接著劑層宜為導電性接著劑層。 本發明之電磁波屏蔽膜會配置於印刷配線板。 此時，若接著劑層為導電性接著劑層，即可藉由將接著劑層連接於印刷配線板之接地電路，使超穎材料層之導電性區域與接地電路電連接。其結果，可提升電磁波屏蔽膜之屏蔽特性。
本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可於上述接著劑層與上述超穎材料層之間形成有導電層及/或磁性體層。又，亦可於上述超穎材料層之上述第1主面側形成有導電層及/或磁性體層。 若於電磁波屏蔽膜形成有導電層或磁性體層，導電層或磁性體層會發揮作為屏蔽層之機能，電磁波屏蔽膜整體的屏蔽特性就會提升。
本發明之電磁波屏蔽膜中，宜於上述超穎材料層之上述第1主面側形成有保護層。 藉由形成有保護層，可防止超穎材料層及接著劑層因來自外部之衝擊等而損傷。 又，藉由具有保護層，便可在不接觸超穎材料層及接著劑層之情形下進行搬運等，因此處理性會提升。
本發明之另一電磁波屏蔽膜，特徵在於具備：超穎材料層，其具有第1主面及與上述第1主面相對向之第2主面；以及接著劑層，其形成於上述超穎材料層之上述第2主面側；從上述第1主面側及/或上述第2主面側俯視上述超穎材料層時，上述超穎材料層係由周期性排列有預定圖案的非導電性區域及上述非導電性區域以外的導電性區域構成，且上述預定圖案由具有非導電性之材料形成。
本發明之電磁波屏蔽膜中，超穎材料層係由周期性排列有預定圖案的非導電性區域及非導電性區域以外的導電性區域構成，且前述預定圖案由具有非導電性之材料形成。 本發明之電磁波屏蔽膜中，導電性區域會發揮作為屏蔽層之機能。 又，由具有非導電性之材料形成的預定圖案若呈周期性排列，便會在特定頻率之電磁場共振，可透射具特定頻率之電磁波。 另，所透射之電磁波之頻率可藉由調整預定圖案之材料、形狀、尺寸、排列、周期、具有非導電性之材料之介電常數等來控制。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述預定圖案為選自於由直線狀、曲線狀、多角形狀、圓狀、橢圓狀、環狀、C字狀、コ字、L字狀、曲柄狀及耶路撒冷十字狀所構成群組中至少一種圖案。 藉由使用此種圖案，可透射具所期望頻率之電磁波。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述導電性區域宜由導電性片材構成，且該導電性片材由具有導電性之材料構成，而上述預定圖案係以包埋於導電性片材中之方式形成。 藉由將預定圖案包埋於導電性片材中，可輕易形成超穎材料層。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述具有非導電性之材料之相對介電常數宜為1~20000。 藉由調整具有非導電性之材料之相對介電常數，可阻隔具所期望頻率之電磁波。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述具有非導電性之材料宜包含填料，且上述填料宜為有機填料及/或無機填料。 藉由使具有非導電性之材料中含有機能性填料，可提升超穎材料層之放熱性或屏蔽特性。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述預定圖案之輪廓宜由從上述超穎材料層之上述第1主面貫通上述第2主面的貫通孔形成，且具有非導電性之材料宜為空氣。 以此種態樣之電磁波屏蔽膜而言，電磁波不易在貫通孔中反射及吸收。因此，就變得容易適當透射具特定頻率之電磁波。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述接著劑層宜為導電性接著劑層。 本發明之電磁波屏蔽膜會配置於印刷配線板。 此時，若接著劑層為導電性接著劑層，即可藉由將接著劑層連接於印刷配線板之接地電路，使超穎材料層之導電性區域與接地電路電連接。其結果，可提升電磁波屏蔽膜之屏蔽特性。
本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可於上述接著劑層與上述超穎材料層之間形成有導電層及/或磁性體層。又，亦可於上述超穎材料層之上述第1主面側形成有導電層及/或磁性體層。 若於電磁波屏蔽膜形成有導電層或磁性體層，導電層或磁性體層會發揮作為屏蔽層之機能，電磁波屏蔽膜整體的屏蔽特性就會提升。
本發明之電磁波屏蔽膜中，宜於上述超穎材料層之上述第1主面側形成有保護層。 藉由形成有保護層，可防止超穎材料層及接著劑層因來自外部之衝擊等而損傷。 又，藉由具有保護層，便可在不接觸超穎材料層及接著劑層之情形下進行搬運等，因此處理性會提升。
依據本發明，可提供一種可以只阻斷或透射具特定頻率之電磁波之電磁波屏蔽膜。
用以實施發明之形態 以下，具體說明本發明之電磁波屏蔽膜。然而，本發明並不限於以下實施形態，在未變更本發明要旨之範圍內可適當變更而加以應用。
[第1實施形態] 首先，說明本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜。 圖1A所示電磁波屏蔽膜1具備：超穎材料層10，其具有第1主面10a及與第1主面10a相對向之第2主面10b；以及接著劑層20，其形成於超穎材料層10之第2主面10b側。
如圖1A及圖1B所示，超穎材料層10係由導電性區域11及導電性區域11以外的非導電性區域12構成。 又，導電性區域11係以周期性排列方式形成有預定圖案11a，該預定圖案11a是由具有導電性之材料所形成。 如圖1B所示，電磁波屏蔽膜1中，預定圖案11a為C字狀，且排列成位於正方格子之頂點。
電磁波屏蔽膜1中，超穎材料層10係由周期性排列有預定圖案11a的導電性區域11及導電性區域11以外的非導電性區域12構成，且前述預定圖案11a由具有導電性之材料形成。 此種周期性排列有由具有導電性之材料形成的預定圖案11a之導電性區域11會在特定頻率之電磁場共振，可阻隔具特定頻率之電磁波。
如圖1A所示，電磁波屏蔽膜1中，非導電性區域12由非導電性片材12a構成，且該非導電性片材12a由樹脂組成物構成，而預定圖案11a係以包埋於非導電性片材12a中之方式形成。 電磁波屏蔽膜1中，預定圖案11a僅形成於超穎材料層10之第1主面10a側，第2主面10b側則並未形成預定圖案。 此種態樣之超穎材料層10可藉由將預定圖案11a包埋於非導電性片材12a中而輕易形成。 預定圖案11a可藉由以印刷、鍍敷、蒸鍍等一般方法形成於非導電性片材12a之表面，並利用壓製予以壓入來形成。 另，本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案11a亦可不予包埋而是配置於非導電性片材12a之表面。
以電磁波屏蔽膜1而言，所阻隔之電磁波之頻率可藉由調整預定圖案11a之材料、形狀、尺寸、排列、周期、構成非導電性區域12之材料之介電常數等來控制。 以下，說明電磁波屏蔽膜1各構造之較佳態樣。
電磁波屏蔽膜1中，構成預定圖案11a之具有導電性之材料並無特殊限制，惟宜由銅、銀、鋁、碳材料等構成。又，具有導電性之材料亦可為包含該等材料之導電性糊。
電磁波屏蔽膜1中，預定圖案11a之形狀為C字狀，惟本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案11a如圖2A~圖2K各自所示，宜為選自於由直線狀、曲線狀、多角形狀、圓狀、橢圓狀、環狀、C字狀、コ字、L字狀、曲柄狀及耶路撒冷十字狀所構成群組中至少一種圖案。 藉由使用此種圖案，可阻隔具所期望頻率之電磁波。
圖1B所示電磁波屏蔽膜1中，相同大小的C字狀預定圖案11a排列成位於正方格子之頂點。 然而，本發明之電磁波屏蔽膜中，只要預定圖案呈周期性排列，則任何態樣皆可。 例如，預定圖案11a可由單獨一種圖形構成，亦可藉由二種以上圖形之組合來形成。 以下，利用圖式，說明更具體的預定圖案之排列。
本發明之電磁波屏蔽膜中，如圖3A所示，C字狀之預定圖案11a亦可周期性排列成位於密鋪的正三角形之頂點。
本發明之電磁波屏蔽膜中，如圖3B所示，預定圖案11a是由C字狀圖案11a 11及大於圖案11a 11之C字狀圖案11a 12構成，且排列成圖案11a 11與圖案11a 12交替並排於正方格子之頂點。 該態樣中，圖案11a 11與圖案11a 12之組合便為預定圖案11a。亦即，在此情形下，可以說圖案11a 11與圖案11a 12之組合呈周期性縱橫排列。
本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可如圖3C所示，預定圖案11a是相同形狀的C字狀圖案11a 21、圖案11a 22及圖案11a 23在橫向(圖3C中兩箭號A所示方向)上3個連續並排而形成，且該預定圖案11a呈周期性排列。 該態樣中，圖案11a 21、圖案11a 22及圖案11a 23之組合便為預定圖案11a。
電磁波屏蔽膜1中，預定圖案11a之厚度並無特殊限制，當預定圖案11a是由銅、銀、鋁、碳材料等構成時，厚度宜為0.1~35μm，且6~18μm更佳。又，當預定圖案11a為包含該等材料之導電性糊時，則宜為5~100μm，且10~60μm更佳。 若預定圖案之厚度小於上述厚度，會變得不易獲得充分之屏蔽特性。 若預定圖案之厚度大於上述厚度，則預定圖案之柔軟性降低，在彎曲電磁波屏蔽膜時，預定圖案會變得容易破損，或者容易自非導電性片材剝落。
電磁波屏蔽膜1中，形成非導電性片材12a之樹脂組成物並無特殊限制，可使用：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物等熱塑性樹脂組成物；抑或酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。 樹脂組成物之材料可為該等中之單獨一種，亦可為二種以上的組合。
又，以電磁波屏蔽膜1而言，在非導電性片材12a中樹脂組成物之種類可有局部性不同。以下，利用圖式說明此種態樣。 圖4所示超穎材料層10中，於非導電性片材12a形成有C字狀之預定圖案11a。 非導電性片材12a是由C字狀之預定圖案11a內側的部分12a i及其以外的部分12a o構成。圖4中，部分12a i之樹脂組成物之種類與部分12a o之樹脂組成物之種類不同。 依此，藉由在非導電性片材12a中局部使用不同的樹脂組成物，便可控制所阻隔之電磁波之頻率。
電磁波屏蔽膜1中，樹脂組成物之相對介電常數宜為1~20000，且10~1000更佳。 藉由調整樹脂組成物之相對介電常數，可阻隔具所期望頻率之電磁波。 另，如圖4所示，非導電性片材12a中，當C字狀之預定圖案11a內側的部分12a i與其以外的部分12a o由不同的樹脂組成物構成時，構成部分12a i的樹脂組成物之相對介電常數宜為10~1000，構成部分12a o的樹脂組成物之相對介電常數宜為10~1000。
此種樹脂組成物可使用鐵電體的樹脂組成物，鐵電體可舉例如：包含日本特願2016-26840號段落[0027]~[0037]中記載的液晶材料之樹脂組成物、包含日本特願2004-341035號段落[0009]~[0016]及段落[0021]~[0024]中記載的有機鐵電材料之樹脂組成物、包含日本特願2003-320695號段落[0007]及段落[0015]~[0020]中記載的鐵電體物質之樹脂組成物等。
電磁波屏蔽膜1中，非導電性片材12a之厚度宜為預定圖案11a的1~3倍。 若非導電性片材之厚度小於預定圖案之厚度，強度便會減弱並且容易破損。 若非導電性片材之厚度大於預定圖案厚度的3倍，則超穎材料層之柔軟性降低。此外，電磁波屏蔽膜整體會變大，以致不易配置電磁波屏蔽膜。
電磁波屏蔽膜1中，樹脂組成物宜包含填料，且以有機填料及/或無機填料為佳。 藉由使樹脂組成物中含有機能性填料，可提升超穎材料層之放熱性或屏蔽特性。又，填料會發揮作為填充劑之機能。
有機填料可舉例如：三聚氰胺樹脂、酚樹脂、氟樹脂、胺甲酸酯樹脂、矽樹脂等之粒子。
無機填料可舉例如：氮化合物(氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氮化碳、氮化鈦等)、碳化合物(碳化矽、碳化氟、碳化硼、碳化鈦、碳化鎢、鑽石等)、金屬氧化物(二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化鈹等)等之粒子、玻璃珠、玻璃纖維等。
電磁波屏蔽膜1中，接著劑層20可為非導電性接著劑層，亦可為導電性接著劑層，惟宜由導電性接著劑層構成。 電磁波屏蔽膜1會配置於印刷配線板。 此時，若接著劑層20為導電性接著劑層，即可藉由將接著劑層20連接於印刷配線板之接地電路，使超穎材料層之導電性區域與接地電路電連接。其結果，可提升電磁波屏蔽膜1之屏蔽特性。
當接著劑層20為導電性接著劑層時，導電性接著劑層可為各向同性導電性接著劑層，亦可為各向異性導電性接著劑層。
當接著劑層20為導電性接著劑層時，接著劑層20宜由接著性樹脂組成物及導電性粒子構成。 導電性粒子並無特殊限制，可為金屬微粒子、碳奈米管、碳纖維、金屬纖維等。
接著性樹脂組成物之材料並無特殊限制，可使用：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物等熱塑性樹脂組成物；抑或酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。 接著性樹脂組成物之材料可為該等中之單獨一種，亦可為二種以上的組合。
以電磁波屏蔽膜1而言，宜能指定阻隔頻率為0.1~90GHz之電磁波，能指定阻隔頻率為1~30GHz之電磁波則更佳。
接著，說明本發明第1實施形態之另一態樣。 圖5A、圖5B及圖5C所示電磁波屏蔽膜101，除了也在超穎材料層10之第2主面10b以周期性排列方式形成有由具有導電性之材料形成的預定圖案11b外，其構造與上述電磁波屏蔽膜1相同。 如圖5C所示，電磁波屏蔽膜101中，預定圖案11b為C字狀，且排列成位於正方格子之頂點。 又，預定圖案11a與預定圖案11b為左右相反的形狀。 另，於預定圖案11a與預定圖案11b之間存在有非導電性片材12a。 即便為此種態樣之電磁波屏蔽膜，亦可阻隔具所期望頻率之電磁波。
又，本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案11a與預定圖案11b亦可為相同形狀，並且於超穎材料層10之厚度方向上呈連續狀態。亦即，形成預定圖案之具有導電性之材料亦可貫通非導電性片材。 再者，本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案11a與預定圖案11b亦可從超穎材料層10之第1主面10a一邊變形一邊連續到第2主面10b。此種形狀可舉例如開口環狀之形狀。
又，本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案11a之形狀及排列可與預定圖案11b之形狀及排列不同。
接著，說明本發明第1實施形態又另一態樣。 圖6所示電磁波屏蔽膜201，除了於超穎材料層10之第1主面10a側形成有保護層30外，其構造與上述電磁波屏蔽膜1相同。 藉由於超穎材料層10之第1主面10a側形成有保護層30，可防止超穎材料層10及接著劑層20因來自外部之衝擊等而損傷。 又，藉由具有保護層30，便可在不接觸超穎材料層10及接著劑層20之情形下進行搬運等，因此處理性會提升。
保護層30只要能保護超穎材料層10及接著劑層20，即無特殊限制，例如宜由熱塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、活性能量線硬化性組成物、樹脂膜等構成。 上述熱塑性樹脂組成物並無特殊限制，可列舉：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物等。
上述熱硬化性樹脂組成物並無特殊限制，可列舉：酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等。
上述活性能量線硬化性組成物並無特殊限制，可舉例如分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。
上述樹脂膜並無特殊限制，可舉例如：聚伸苯硫醚(PPS)膜、聚醯亞胺(PI)膜、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、環烯烴聚合物(COP)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜等。
保護層30可由單獨一種材料構成，亦可由二種以上的材料構成。
保護層30中，視需要亦可含有硬化促進劑、賦黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑、抗結塊劑等。
保護層30之厚度並無特殊限制，可以視需要適當設定，但宜為1~15μm，且3~10μm更佳。 若保護層30之厚度小於1μm，由於過薄，因此不易充分保護超穎材料層10及接著劑層20。 若保護層30之厚度大於15μm，由於過厚，因此電磁波屏蔽膜1變得不易彎折，而且保護層30本身容易破損。因此，不易應用在要求耐彎折性的構件中。
接著，說明本發明第1實施形態又另一態樣。 圖7A所示電磁波屏蔽膜301A，除了於接著劑層20與超穎材料層10之間形成有導電層40外，其構造與上述電磁波屏蔽膜201相同。 圖7B所示電磁波屏蔽膜301B，除了於超穎材料層10與保護層30之間形成有導電層40外，其構造與上述電磁波屏蔽膜201相同。
若依此形成有導電層40，導電層40會發揮作為屏蔽層之機能，電磁波屏蔽膜整體的屏蔽特性就會提升。
導電層40可由金屬層構成，亦可由導電性接著劑層構成。
當導電層40由金屬層構成時，金屬層宜包含選自於由銅、銀、金、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦及鋅所構成群組中至少一種金屬。 該等金屬適合作為電磁波屏蔽膜之屏蔽層。 此種金屬層可利用配置金屬箔膜、鍍敷、蒸鍍等方法來形成。
當導電層40由導電性接著劑層構成時，導電性接著劑層宜由導電性粒子及接著性樹脂組成物構成。
導電性粒子並無特殊限制，可為金屬微粒子、碳奈米管、碳纖維、金屬纖維等。
接著性樹脂組成物之材料並無特殊限制，可使用：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物等熱塑性樹脂組成物；抑或酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。 接著性樹脂組成物之材料可為該等中之單獨一種，亦可為二種以上的組合。
此種導電性接著劑層可藉由混合導電性粒子與接著性樹脂組成物並利用棒塗機等塗佈該混合物而形成。
導電層40之厚度宜為0.01~60μm，且0.1~20μm更佳。 若導電層之厚度小於0.01μm，就會因導電層過薄而使屏蔽層之強度減低。故，耐彎折性會降低。而且，變得不易充分反射及吸收電磁波，因此屏蔽特性會降低。 若導電層之厚度大於60μm，電磁波屏蔽膜整體會變厚，而且不易處理。
電磁波屏蔽膜301A及電磁波屏蔽膜301B中，係於接著劑層20與超穎材料層10之間以及超穎材料層10與保護層30之間中任一者形成有導電層40。 然而，本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可於接著劑層20與超穎材料層10之間以及超穎材料層10與保護層30之間這兩者形成有導電層40。
上述電磁波屏蔽膜301A及電磁波屏蔽膜301B中形成有保護層30，惟本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可不形成保護層而僅由超穎材料層10、接著劑層20及導電層40構成。
又，電磁波屏蔽膜301A及電磁波屏蔽膜301B中形成有導電層40，惟本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可形成磁性體層來取代導電層40。此種磁性體層會發揮作為屏蔽層之機能，電磁波屏蔽膜整體的屏蔽特性就會提升。 磁性體層可使用下述之物：將鐵、矽鐵、高導磁合金、軟性肥粒鐵、鋁矽鐵粉、波門杜爾鐵鈷合金(permendur)等軟磁性材料本身成型為片狀者；抑或，將混合有軟磁性材料之粉體與樹脂之物成型為片狀者。
到目前為止所說明的本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜中，超穎材料層僅形成有一層。然而，本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜中，超穎材料層亦可形成有複數層。又，本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜中，只要形成有至少一層超穎材料層，便可於超穎材料層上積層其他機能層。 此種機能層可舉如高介電體層，藉由設置此種高介電體層，可調整共振頻率，阻隔具所期望頻率之電磁波。
[第2實施形態] 接著，說明本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜。 圖8A所示電磁波屏蔽膜401具備：超穎材料層50，其具有第1主面50a及與第1主面50a相對向之第2主面50b；以及接著劑層60，其形成於超穎材料層50之第2主面50b側。
如圖8A及圖8B所示，超穎材料層50係由非導電性區域52及非導電性區域52以外的導電性區域51構成。 又，非導電性區域52係以周期性排列方式形成有由具有非導電性之材料形成的預定圖案52a。 如圖8A及圖8B所示，電磁波屏蔽膜401中，預定圖案52a為C字狀，且排列成位於正方格子之頂點。
電磁波屏蔽膜401中，超穎材料層50係由周期性排列有預定圖案52a的非導電性區域52及非導電性區域52以外的導電性區域51構成，且前述預定圖案52a由具有非導電性之材料形成。 電磁波屏蔽膜401中，導電性區域51會發揮作為屏蔽層之機能。 又，由具有非導電性之材料形成的預定圖案52a若呈周期性排列，便會在特定頻率之電磁場共振，可透射具特定頻率之電磁波。
如圖8A所示，電磁波屏蔽膜401中，導電性區域51由導電性片材51a構成，而預定圖案52a係以包埋於導電性片材51a中之方式形成。 如圖8A所示，電磁波屏蔽膜401中，預定圖案52a僅形成於超穎材料層50之第1主面50a側，第2主面50b側則並未形成預定圖案。 此種態樣之超穎材料層50可藉由將預定圖案52a包埋於導電性片材51a中而輕易形成。 此種預定圖案52a可藉由以蝕刻等於導電性片材51a之表面形成預定形狀之凹部、並於該凹部填充具有非導電性之材料這等作法來形成。
以電磁波屏蔽膜401而言，所透射之電磁波之頻率可藉由調整預定圖案52a之材料、形狀、尺寸、排列、周期、具有非導電性之材料之介電常數等來控制。
電磁波屏蔽膜401中，構成預定圖案52a之具有非導電性之材料並無特殊限制，可使用：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、丙烯酸系樹脂組成物等熱塑性樹脂組成物；抑或酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。 樹脂組成物之材料可為該等中之單獨一種，亦可為二種以上的組合。
電磁波屏蔽膜401中，具有非導電性之材料之相對介電常數宜為1~20000，且10~1000更佳。 藉由調整具有非導電性之材料之相對介電常數，可阻隔具所期望頻率之電磁波。
電磁波屏蔽膜401中，樹脂組成物宜包含填料，且以有機填料及/或無機填料為佳。 藉由使樹脂組成物中含有機能性填料，可提升超穎材料層之放熱性或屏蔽特性。又，填料會發揮作為填充劑之機能。
有機填料可舉例如：三聚氰胺樹脂、酚樹脂、氟樹脂、胺甲酸酯樹脂、矽樹脂等之粒子等。
無機填料可舉例如：氮化合物(氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氮化碳、氮化鈦等)、碳化合物(碳化矽、碳化氟、碳化硼、碳化鈦、碳化鎢、鑽石等)、金屬氧化物(二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化鈹等)等之粒子、玻璃珠、玻璃纖維等。
電磁波屏蔽膜401中，預定圖案52a為C字狀，惟本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案52a如圖9A~圖9K各自所示，宜為選自於由直線狀、曲線狀、多角形狀、圓狀、橢圓狀、環狀、C字狀、コ字、L字狀、曲柄狀及耶路撒冷十字狀所構成群組中至少一種圖案。 藉由使用此種圖案，可透射具所期望頻率之電磁波。
圖8B所示電磁波屏蔽膜401中，相同大小的C字狀預定圖案52a排列成位於正方格子之頂點。 然而，本發明之電磁波屏蔽膜中，只要預定圖案呈周期性排列，則任何態樣皆可。 例如，預定圖案52a亦可周期性排列成位於密鋪的正三角形之頂點。 又，亦可為大小不同且相似的預定圖案52a排列成交替並排於正方格子之頂點。 又，亦可為集合複數個圖案而形成預定圖案，且該預定圖案呈周期性排列。
電磁波屏蔽膜401中，預定圖案52a之厚度宜為0.1~35μm，且6~18μm更佳。 若預定圖案之厚度小於0.1μm，具所期望頻率之電磁波就會不易透射電磁波屏蔽膜。 若預定圖案之厚度大於35μm，則預定圖案之柔軟性會降低，在彎曲電磁波屏蔽膜時，預定圖案會變得容易破損，或者容易自導電性片材剝落。
電磁波屏蔽膜401中，導電性片材51a之材料並無特殊限制，惟宜由銅、銀、鋁、碳材料等構成。
電磁波屏蔽膜401中，導電性片材51a之厚度宜為預定圖案52a的1~3倍。 若導電性片材之厚度小於預定圖案之厚度，強度便會減弱並且容易破損。 若導電性片材之厚度大於預定圖案厚度的3倍，則超穎材料層之柔軟性會降低。此外，電磁波屏蔽膜整體會變大，以致不易配置電磁波屏蔽膜。再者，具所期望頻率之電磁波就會不易透射。
電磁波屏蔽膜401中接著劑層60之較佳態樣與上述電磁波屏蔽膜1中接著劑層20之較佳態樣相同。
以電磁波屏蔽膜401而言，宜能指定透射頻率為0.1~90GHz之電磁波，能指定透射頻率為1~30GHz之電磁波則更佳。
接著，說明本發明第2實施形態之另一態樣。 圖10A、圖10B及圖10C所示電磁波屏蔽膜501，除了也在超穎材料層50之第2主面50b以周期性排列方式形成有由具有導電性之材料形成的預定圖案52b外，其構造與上述電磁波屏蔽膜401相同。 如圖10C所示，電磁波屏蔽膜501中，預定圖案52b為C字狀，且排列成位於正方格子之頂點。 又，預定圖案52a與預定圖案52b為左右相反的形狀。 另，於預定圖案52a與預定圖案52b之間存在有導電性片材51a。 即便為此種態樣之電磁波屏蔽膜，亦可阻隔具所期望頻率之電磁波。
又，本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案52a與預定圖案52b亦可為相同形狀，並且於超穎材料層50之厚度方向上呈連續狀態。亦即，形成預定圖案之具有非導電性之材料亦可貫通導電性片材。 又，本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案52a與預定圖案52b亦可從超穎材料層50之第1主面50a一邊變形一邊連續到第2主面50b。此種形狀可舉例如開口環狀之形狀。
又，本發明之電磁波屏蔽膜中，預定圖案52a之形狀及排列可與預定圖案52b之形狀及排列不同。
接著，說明本發明第2實施形態又另一態樣。 圖11A及圖11B所示電磁波屏蔽膜601具備：超穎材料層50，其具有第1主面50a及與第1主面50a相對向之第2主面50b；以及接著劑層60，其形成於超穎材料層50之第2主面50b側。 又，超穎材料層50具有從第1主面50a貫通第2主面50b的貫通孔55。
如圖11A及圖11B所示，超穎材料層50係由非導電性區域52及非導電性區域52以外的導電性區域51構成。 又，非導電性區域52以周期性排列方式形成有預定圖案52a。 預定圖案52a之輪廓係由貫通孔55形成。
超穎材料層50中，是由空氣填充貫通孔55。因此，預定圖案52a可說是由空氣形成，該空氣即為具有非導電性之材料。
如圖11B所示，電磁波屏蔽膜601中，預定圖案52a為C字狀，且排列成位於正方格子之頂點。
以此種態樣之電磁波屏蔽膜601而言，電磁波不易在貫通孔55中反射及吸收。因此，就變得容易適當透射具特定頻率之電磁波。
電磁波屏蔽膜601中接著劑層60之較佳態樣與上述電磁波屏蔽膜401中接著劑層60之較佳態樣相同。
接著，說明本發明第2實施形態又另一態樣。 圖12所示電磁波屏蔽膜701，除了於超穎材料層50之第1主面50a側形成有保護層70外，其構造與上述電磁波屏蔽膜401相同。 藉由於超穎材料層50之第1主面50a側形成有保護層70，可防止超穎材料層50及接著劑層60因來自外部之衝擊等而損傷。 又，藉由具有保護層70，便可在不接觸超穎材料層50及接著劑層60之情形下進行搬運等，因此處理性會提升。
電磁波屏蔽膜701中保護層70之較佳態樣與上述電磁波屏蔽膜201中保護層30之較佳態樣相同。
接著，說明本發明第2實施形態又另一態樣。 圖13A所示電磁波屏蔽膜801A，除了於接著劑層60與超穎材料層50之間形成有導電層80外，其構造與上述電磁波屏蔽膜701相同。 圖13B所示電磁波屏蔽膜801B，除了於超穎材料層50與保護層70之間形成有導電層80外，其構造與上述電磁波屏蔽膜701相同。
若依此形成有導電層80，導電層80會發揮作為屏蔽層之機能，電磁波屏蔽膜整體的屏蔽特性就會提升。
電磁波屏蔽膜801A及電磁波屏蔽膜801B中導電層80之較佳態樣與上述電磁波屏蔽膜201中導電層40之較佳態樣相同。
電磁波屏蔽膜801A及電磁波屏蔽膜801B中，係於接著劑層60與超穎材料層50之間以及超穎材料層50與保護層70之間中任一者形成有導電層80。 然而，本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可於接著劑層60與超穎材料層50之間以及超穎材料層50與保護層70之間這兩者形成有導電層80。
上述電磁波屏蔽膜801A及電磁波屏蔽膜801B中形成有保護層70，惟本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可不形成保護層而僅由超穎材料層50、接著劑層60及導電層80構成。
又，電磁波屏蔽膜801A及電磁波屏蔽膜801B中形成有導電層80，惟本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可形成磁性體層來取代導電層80。此種磁性體層會發揮作為屏蔽層之機能，電磁波屏蔽膜整體的屏蔽特性就會提升。 磁性體層可使用下述之物：將鐵、矽鐵、高導磁合金、軟性肥粒鐵、鋁矽鐵粉、波門杜爾鐵鈷合金等軟磁性材料本身成型為片狀者；抑或，將混合有軟磁性材料之粉體與樹脂之物成型為片狀者。
到目前為止所說明的本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜中，超穎材料層僅形成有一層。然而，本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜中，超穎材料層亦可形成有複數層。又，本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜中，只要形成有至少一層超穎材料層，便可於超穎材料層上積層其他機能層。 此種機能層可舉如高介電體層，藉由設置此種高介電體層，可調整共振頻率，透射具所期望頻率之電磁波。
[其他實施形態] 到目前為止所說明的本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜僅包含下述超穎材料層(以下亦記載為「正型超穎材料層」)作為超穎材料層：由周期性排列有預定圖案的導電性區域及導電性區域以外的非導電性區域構成，且前述預定圖案由具有導電性之材料形成。 又，到目前為止所說明的本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜僅包含下述超穎材料層(以下亦記載為「負型超穎材料層」)作為超穎材料層：由周期性排列有預定圖案的非導電性區域及非導電性區域以外的導電性區域構成，且前述預定圖案由具有非導電性之材料形成。 然而，本發明之電磁波屏蔽膜亦可包含正型超穎材料層及負型超穎材料層兩者。
本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可積層、形成有複數層正型超穎材料層。 本發明之電磁波屏蔽膜中，亦可積層、形成有複數層負型超穎材料層。
實施例 以下顯示更具體說明本發明之實施例，惟本發明並不限於該等實施例。
(實施例1) 準備非導電性片材，該非導電性片材由厚度25μm之聚醯亞胺組成物構成，且具有第1主面及與第1主面相對向之第2主面。非導電性片材之相對介電常數為3.1。
接著，於非導電性片材之第1主面，以C字狀圖案(以下亦記載為「第1C字狀圖案」)位於正方格子之頂點之方式印刷8×10-5Ωcm之導電性糊。 各第1C字狀圖案為單一形狀，第1C字狀圖案之寬度(線之粗度)為1mm，全長(圖案之最大寬度)為5mm。 又，各第1C字狀圖案之重心間距離為6mm。
接著，於非導電性片材之第2主面，以C字狀圖案(以下亦記載為「第2C字狀圖案」)位於第1C字狀圖案之背面側之方式印刷8×10-5Ωcm之導電性糊。 此時，將從第1主面側觀看的第2C字狀圖案之形狀，作成從第1主面側觀看的第1C字狀圖案旋轉180度之形狀。 各第2C字狀圖案為單一形狀，第2C字狀圖案之寬度(線之粗度)為1mm，全長(圖案之最大寬度)為5mm。
經由以上步驟，製作出實施例1之正型超穎材料層。
在此，利用圖式，說明實施例1之超穎材料層各構造之位置關係。 如圖14所示，實施例1之超穎材料層10中，於非導電性片材12a之第1主面10a側配置有第1C字狀圖案11a，於第2主面10b側配置有第2C字狀圖案11b。 第2C字狀圖案11b之形狀為使第1C字狀圖案11a旋轉180度之形狀。 另，圖14中，為了能輕易理解超穎材料層10各構造之位置關係，而著眼於一個預定圖案並且將各構造分離顯示，惟實際的實施例1之超穎材料層中，預定圖案會具有複數個，而且該等構造密著。
(屏蔽特性評價) 接著，利用以下方法，評價實施例1之超穎材料層之屏蔽特性。 首先，如圖15所示，準備一連接有微帶線92及磁場探頭93的網路分析儀91(製品名：N5232A，製造商：是德(KEYSIGHT)科技股份有限公司)。 接著，將實施例1之超穎材料層10以第2主面在下側之方式配置於微帶線92上。 然後，測定使用實施例1之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗(S21)及放射磁場強度(S31)。 圖16A及圖16B中顯示結果。 如圖16A及圖16B所示，明確看出實施例1之超穎材料層可阻隔頻率3000~6000MHz之電磁波。
接著，於實施例1之超穎材料層之第2主面側，形成由厚度0.01mm之環氧樹脂構成的接著劑層，藉此製作出實施例1之電磁波屏蔽膜。
(實施例2) 於實施例1之超穎材料層之非導電性片材之第2主面側，進一步積層由厚度25μm之聚醯亞胺組成物構成的非導電性片材，藉此製作出實施例2之正型超穎材料層。
在此，利用圖式，說明實施例2之超穎材料層各構造之位置關係。 如圖17所示，實施例2之超穎材料層10中，於非導電性片材12a 1之第1主面10a側配置有第1C字狀圖案11a，於第2主面10b側配置有第2C字狀圖案11b。 第2C字狀圖案11b之形狀為使第1C字狀圖案11a旋轉180度之形狀。 又，於第2C字狀圖案11b之下側配置有非導電性片材12a 2。 另，圖17中，為了能輕易理解超穎材料層10各構造之位置關係，而著眼於一個預定圖案並且將各構造分離顯示，惟實際的實施例2之超穎材料層中，預定圖案會具有複數個，而且該等構造密著。
(屏蔽特性評價) 藉由與實施例1之屏蔽特性評價相同的方法，測定使用實施例2之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗(S21)及放射磁場強度(S31)。 圖18A及圖18B中顯示結果。 如圖18A及圖18B所示，明確看出實施例2之超穎材料層可阻隔頻率2500~5000MHz之電磁波。
接著，於實施例2之超穎材料層之第2主面側，形成由厚度0.01mm之環氧樹脂構成的接著劑層，藉此製作出實施例2之電磁波屏蔽膜。
(實施例3) 除了使從第1主面側觀看的第2C字狀圖案之形狀形成為與從第1主面側觀看的第1C字狀圖案相同之形狀外，以與實施例2相同方式製作出實施例3之正型超穎材料層。
在此，利用圖式，說明實施例3之超穎材料層各構造之位置關係。 如圖19所示，實施例3之超穎材料層10中，於非導電性片材12a 1之第1主面10a側配置有第1C字狀圖案11a，於第2主面10b側配置有第2C字狀圖案11b。 從第1主面10a側觀看時，第1C字狀圖案11a與第2C字狀圖案11b剛好重疊。 又，於第2C字狀圖案11b之下側配置有非導電性片材12a 2。 另，圖19中，為了能輕易理解超穎材料層10各構造之位置關係，而著眼於一個預定圖案並且將各構造分離顯示，惟實際的實施例3之超穎材料層中，預定圖案會具有複數個，而且該等構造密著。
(屏蔽特性評價) 藉由與實施例1之屏蔽特性評價相同的方法，測定使用實施例3之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗(S21)及放射磁場強度(S31)。 圖20A及圖20B中顯示結果。 如圖20A及圖20B所示，明確看出實施例3之超穎材料層可阻隔頻率5000~7000MHz之電磁波。
接著，於實施例3之超穎材料層之第2主面側，形成由厚度0.01mm之環氧樹脂構成的接著劑層，藉此製作出實施例3之電磁波屏蔽膜。
(實施例4) 準備三片非導電性片材，該等非導電性片材由厚度25μm之聚醯亞胺組成物構成，且具有第1主面及與第1主面相對向之第2主面。非導電性片材之相對介電常數為3.1。
接著，於第一片非導電性片材之第1主面，以第1C字狀圖案位於正方格子之頂點之方式印刷8×10-5Ωcm之導電性糊。 各第1C字狀圖案為單一形狀，第1C字狀圖案之寬度(線之粗度)為1mm，全長(圖案之最大寬度)為5mm。 又，各第1C字狀圖案之重心間距離為6mm。 接著，於第一片非導電性片材之第2主面，以第2C字狀圖案位於第1C字狀圖案之背面側之方式印刷8×10-5Ωcm之導電性糊。 此時，將從第1主面側觀看的第2C字狀圖案之形狀，作成與從第1主面側觀看的第1C字狀圖案剛好重疊之形狀。
接著，同樣地在第二片非導電性片材上形成第1C字狀圖案及第2C字狀圖案。
接著，以第一片非導電性片材、第三片非導電性片材及第二片非導電性片材之順序來積層該等非導電性片材。此時，使第二片非導電性片材旋轉180度。 藉此作成：從第一片非導電性片材之第1主面側觀看時，形成於第二片非導電性片材的第1C字狀圖案及第2C字狀圖案之形狀成為使形成於第一片非導電性片材的第1C字狀圖案及第2C字狀圖案旋轉180度之形狀。
經由以上步驟，形成實施例4之正型超穎材料層。
在此，利用圖式，說明實施例4之超穎材料層各構造之位置關係。 如圖21所示，實施例4之超穎材料層10中，於第一片非導電性片材12a 1之第1主面10a 1側配置有第1C字狀圖案11a 1，於第2主面10b 1側配置有第2C字狀圖案11b 1。 從第1主面10a 1側觀看時，第1C字狀圖案11a 1與第2C字狀圖案11b 1剛好重疊。 實施例4之超穎材料層10中，於第二片非導電性片材12a 2之第1主面10a 2側配置有第1C字狀圖案11a 2，於第2主面10b 2側配置有第2C字狀圖案11b 2。 從第1主面10a 2側觀看時，第1C字狀圖案11a 2與第2C字狀圖案11b 2剛好重疊。 實施例4之超穎材料層10中，從上面起依序積層有第一片非導電性片材12a 1、第三片非導電性片材12a 3及第二片非導電性片材12a 2。 實施例4之超穎材料層10中，第1C字狀圖案11a 2及第2C字狀圖案11b 2之形狀為使第1C字狀圖案11a 1及第2C字狀圖案11b 1旋轉180度之形狀。 另，圖21中，為了能輕易理解超穎材料層10各構造之位置關係，而著眼於一個預定圖案並且將各構造分離顯示，惟實際的實施例4之超穎材料層中，預定圖案會具有複數個，而且該等構造密著。
(屏蔽特性評價) 藉由與實施例1之屏蔽特性評價相同的方法，測定使用實施例4之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗(S21)及放射磁場強度(S31)。 圖22A及圖22B中顯示結果。 如圖22A及圖22B所示，明確看出實施例4之超穎材料層可阻隔頻率3000~5000MHz之電磁波。
接著，於實施例4之超穎材料層之第2主面側，形成由厚度0.01mm之環氧樹脂構成的接著劑層，藉此製作出實施例4之電磁波屏蔽膜。
(實施例5) 準備導電性片材，該導電性片材由厚度25μm之導電性糊構成，且具有第1主面及與第1主面相對向之第2主面。
接著，於導電性片材上，以C字狀圖案之貫通孔(以下亦記載為「第3C字狀圖案」)形成於正方格子之頂點之方式進行遮蔽及蝕刻。 各第3C字狀圖案為單一形狀，第3C字狀圖案之寬度(線之粗度)為1mm，全長(圖案之最大寬度)為5mm。 又，各第3C字狀圖案之重心間距離為6mm。
接著，於導電性片材之第2主面側，積層由厚度25μm之聚醯亞胺組成物構成的非導電性片材，製作出實施例5之負型超穎材料層。
在此，利用圖式，說明實施例5之超穎材料層各構造之位置關係。 如圖23所示，實施例5之超穎材料層50中，係藉由形成於導電性片材51a之貫通孔55而排列有第3C字狀圖案52a。 又，於導電性片材51a之第2主面50b側積層有非導電性片材12a。 另，圖23中，為了能輕易理解超穎材料層50各構造之位置關係，而著眼於一個預定圖案並且將各構造分離顯示，惟實際的實施例5之超穎材料層中，預定圖案會具有複數個，而且該等構造密著。
(屏蔽特性評價) 藉由與實施例1之屏蔽特性評價相同的方法，測定使用實施例5之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗(S21)及放射磁場強度(S31)。 圖24A及圖24B中顯示結果。 如圖24A及圖24B所示，明確看出實施例5之超穎材料層可透射頻率400~8000MHz之電磁波。
1,101,201,301A,301B,401,501,601,701,801A,801B:電磁波屏蔽膜 10,50:超穎材料層 10a,10a 1,10a 2,50a:第1主面 10b,10b 1,10b 2,50b:第2主面 11,51:導電性區域 11a,11a 1,11a 2,11b,11b 1,11b 2,52a,52b:預定圖案(C字狀圖案) 11a 11,11a 12,11a 21,11a 22,11a 23:圖案 12,52:非導電性區域 12a,12a 1,12a 2,12a 3:非導電性片材 12a i:C字狀之預定圖案內側的部分 12a o:C字狀之預定圖案內側以外的部分 20,60:接著劑層 30,70:保護層 40,80:導電層 51a:導電性片材 55:貫通孔 91:網路分析儀 92:微帶線 93:磁場探頭
圖1A為截面圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖1B為俯視圖，其示意顯示從第1主面側俯視本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之超穎材料層之一例。 圖2A為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2B為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2C為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2D為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2E為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2F為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2G為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2H為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2I為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2J為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖2K為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖3A為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜中預定圖案之一例。 圖3B為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜中預定圖案之一例。 圖3C為俯視圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜中預定圖案之一例。 圖4為俯視圖，其示意顯示從第1主面側俯視本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之超穎材料層之另一例。 圖5A為截面圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖5B為俯視圖，其示意顯示從第1主面側俯視本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之超穎材料層之一例。 圖5C為俯視圖，其示意顯示從第2主面側俯視本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之超穎材料層之一例。 圖6為截面圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖7A為截面圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖7B為截面圖，其示意顯示本發明第1實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖8A為截面圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖8B為俯視圖，其示意顯示從第1主面側俯視本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之超穎材料層之一例。 圖9A為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9B為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9C為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9D為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9E為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9F為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9G為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9H為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9I為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9J為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖9K為俯視圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜其由具有非導電性之材料形成的預定圖案形狀之一例。 圖10A為截面圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖10B為俯視圖，其示意顯示從第1主面側俯視本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之超穎材料層之一例。 圖10C為俯視圖，其示意顯示從第2主面側俯視本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之超穎材料層之一例。 圖11A為截面圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖11B為俯視圖，其示意顯示從第1主面側俯視本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之超穎材料層之一例。 圖12為截面圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖13A為截面圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖13B為截面圖，其示意顯示本發明第2實施形態之電磁波屏蔽膜之一例。 圖14為說明圖，其示意顯示實施例1之超穎材料層各構造之位置關係。 圖15為示意圖，其示意顯示超穎材料層之屏蔽特性之評價方法。 圖16A為圖表，其顯示使用實施例1之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗。 圖16B為圖表，其顯示使用實施例1之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之放射磁場強度。 圖17為說明圖，其示意顯示實施例2之超穎材料層各構造之位置關係。 圖18A為圖表，其顯示使用實施例2之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗。 圖18B為圖表，其顯示使用實施例2之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之放射磁場強度。 圖19為說明圖，其示意顯示實施例3之超穎材料層各構造之位置關係。 圖20A為圖表，其顯示使用實施例3之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗。 圖20B為圖表，其顯示使用實施例3之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之放射磁場強度。 圖21為說明圖，其示意顯示實施例4之超穎材料層各構造之位置關係。 圖22A為圖表，其顯示使用實施例4之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗。 圖22B為圖表，其顯示使用實施例4之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之放射磁場強度。 圖23為說明圖，其示意顯示實施例5之超穎材料層各構造之位置關係。 圖24A為圖表，其顯示使用實施例5之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之傳輸損耗。 圖24B為圖表，其顯示使用實施例5之超穎材料層時頻率0~10000MHz之電磁波之放射磁場強度。
10:超穎材料層
10a:第1主面
11:導電性區域
11a:預定圖案(C字狀圖案)
12:非導電性區域
12a:非導電性片材

Claims (21)

  1. 一種電磁波屏蔽膜，特徵在於具備： 超穎材料層，其具有第1主面及與前述第1主面相對向之第2主面；以及 接著劑層，其形成於前述超穎材料層之前述第2主面側； 從前述第1主面側及/或前述第2主面側俯視前述超穎材料層時，前述超穎材料層係由周期性排列有預定圖案的導電性區域及前述導電性區域以外的非導電性區域構成，且前述預定圖案由具有導電性之材料形成。
  2. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其中前述預定圖案為選自於由直線狀、曲線狀、多角形狀、圓狀、橢圓狀、環狀、C字狀、コ字、L字狀、曲柄狀及耶路撒冷十字狀所構成群組中至少一種圖案。
  3. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其中前述非導電性區域由非導電性片材構成，且該非導電性片材由樹脂組成物構成，而前述預定圖案係以包埋於前述非導電性片材中之方式形成。
  4. 如請求項3之電磁波屏蔽膜，其中前述樹脂組成物之相對介電常數為1~20000。
  5. 如請求項3或4之電磁波屏蔽膜，其中前述樹脂組成物包含填料。
  6. 如請求項5之電磁波屏蔽膜，其中前述填料為有機填料及/或無機填料。
  7. 如請求項1至6中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述接著劑層為導電性接著劑層。
  8. 如請求項1至7中任一項之電磁波屏蔽膜，其中於前述接著劑層與前述超穎材料層之間形成有導電層及/或磁性體層。
  9. 如請求項1至8中任一項之電磁波屏蔽膜，其中於前述超穎材料層之前述第1主面側形成有導電層及/或磁性體層。
  10. 如請求項1至9中任一項之電磁波屏蔽膜，其中於前述超穎材料層之前述第1主面側形成有保護層。
  11. 一種電磁波屏蔽膜，特徵在於具備： 超穎材料層，其具有第1主面及與前述第1主面相對向之第2主面；以及 接著劑層，其形成於前述超穎材料層之前述第2主面側； 從前述第1主面側及/或前述第2主面側俯視前述超穎材料層時，前述超穎材料層係由周期性排列有預定圖案的非導電性區域及前述非導電性區域以外的導電性區域構成，且前述預定圖案由具有非導電性之材料形成。
  12. 如請求項11之電磁波屏蔽膜，其中前述預定圖案為選自於由直線狀、曲線狀、多角形狀、圓狀、橢圓狀、環狀、C字狀、コ字、L字狀、曲柄狀及耶路撒冷十字狀所構成群組中至少一種圖案。
  13. 如請求項11或12之電磁波屏蔽膜，其中前述導電性區域由導電性片材構成，且該導電性片材由具有導電性之材料構成，而前述預定圖案係以包埋於前述導電性片材中之方式形成。
  14. 如請求項11至13中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述具有非導電性之材料之相對介電常數為1~20000。
  15. 如請求項11至14中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述具有非導電性之材料包含填料。
  16. 如請求項15之電磁波屏蔽膜，其中前述填料為有機填料及/或無機填料。
  17. 如請求項11之電磁波屏蔽膜，其中前述預定圖案之輪廓係由從前述超穎材料層之前述第1主面貫通前述第2主面的貫通孔形成。
  18. 如請求項11至17中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述接著劑層為導電性接著劑層。
  19. 如請求項11至18中任一項之電磁波屏蔽膜，其中於前述接著劑層與前述超穎材料層之間形成有導電層及/或磁性體層。
  20. 如請求項11至19中任一項之電磁波屏蔽膜，其中於前述超穎材料層之前述第1主面側形成有導電層及/或磁性體層。
  21. 如請求項11至20中任一項之電磁波屏蔽膜，其中於前述超穎材料層之前述第1主面側形成有保護層。
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JP2003320695A (ja) 2002-05-07 2003-11-11 Kuromikku:Kk 感熱媒体への書込装置
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JP6232620B2 (ja) 2015-11-11 2017-11-22 株式会社大都技研 遊技台
WO2019239976A1 (ja) * 2018-06-11 2019-12-19 コニカミノルタ株式会社 非接触読み取りタグ、非接触読み取りタグの製造方法、判別装置及び識別情報判別システム
JP7459485B2 (ja) * 2019-11-15 2024-04-02 株式会社レゾナック 電磁波周波数選択透過材及び車両用部品

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