KR20240051914A - 전자파 실드 필름 - Google Patents
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Abstract
특정한 주파수를 갖는 전자파만을 차단 또는 투과시킬 수 있는 전자파 실드 필름을 제공한다. 제 1 주면 및 상기 제 1 주면에 대향하는 제 2 주면을 갖는 메타머티리얼층과, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 2 주면측에 형성된 접착제층을 구비하고, 상기 메타머티리얼층을 상기 제 1 주면측 및/또는 상기 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때에, 상기 메타머티리얼층은, 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 도전성 영역과, 상기 도전성 영역 이외의 비도전성 영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 실드 필름.
Description
본 발명은, 전자파 실드 필름에 관한 것이다.
모바일 기기인 스마트폰, 태블릿 단말 등에는, 내부로부터 발생하는 전자파나 외부로부터 침입하는 전자파를 차폐하기 위해, 전자파 실드 필름을 첩부한, 실드가 부착된 플렉시블 프린트 배선판이 사용되고 있다. 전자파 실드 필름에 사용하는 실드층은, 증착, 스퍼터, 도금 등으로 형성된 박막의 금속층이나, 도전성 필러를 고충전 배합한 도전성 페이스트 등에 의해 형성되어 있다. 앞으로 5G 등이 본격적으로 확대되게 되면, 대용량의 데이터를 통신하기 위해, 고주파, 고속 전송화가 진행되고, 전자 기기의 노이즈 대책은 더욱 필요해진다.
특허문헌 1 에는, 수백 ㎒ 내지 수 ㎓ 의 전자파 노이즈에 대하여 높은 흡수능을 가짐과 함께, 전자파 흡수능의 이방성이 억제된 근방계 전자파 흡수체로서, 플라스틱 필름의 일방의 면에 금속 박막을 형성하여 이루어지는 복수 장의 전자파 흡수 필름을 접착시켜 이루어지는 근방계 전자파 흡수체로서, 적어도 1 장의 전자파 흡수 필름의 금속 박막은 자성 금속의 박막층을 갖고, 또한 적어도 1 장의 전자파 흡수 필름의 금속 박막에 불규칙한 폭 및 간격으로 실질적으로 평행한 다수의 단속적인 선상흔이 복수 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 근방계 전자파 흡수체가 개시되어 있다.
최근, 무선 급전 기술 등의 보급에 의해, 특정한 주파수를 갖는 전자파만을 차단 또는 투과시키고자 한다는 요망이 높아지고 있다.
특허문헌 1 에 기재된 근방계 전자파 흡수체는, 넓은 주파수 대역에서 전자파를 흡수할 수 있지만, 특정한 주파수를 갖는 전자파만을 차단 또는 투과시킬 수는 없었다.
본 발명은, 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 발명으로서, 본 발명의 목적은, 특정한 주파수를 갖는 전자파만을 차단 또는 투과시킬 수 있는 전자파 실드 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 전자파 실드 필름은, 제 1 주면 및 상기 제 1 주면에 대향하는 제 2 주면을 갖는 메타머티리얼층과, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 2 주면측에 형성된 접착제층을 구비하고, 상기 메타머티리얼층을 상기 제 1 주면측 및/또는 상기 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때에, 상기 메타머티리얼층은, 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 도전성 영역과, 상기 도전성 영역 이외의 비도전성 영역으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 메타머티리얼층은, 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 도전성 영역과, 도전성 영역 이외의 비도전성 영역으로 이루어진다.
이와 같은 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 도전성 영역은, 특정한 주파수의 전자계에 공진하여, 특정한 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
또한, 차폐하는 전자파의 주파수는, 소정 패턴의 재료, 형상, 사이즈, 배열, 주기, 비도전성 영역을 구성하는 재료의 유전율 등을 조정함으로써 제어할 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 소정 패턴은, 직선상, 곡선상, 다각형상, 원상, 타원상, 링상, C 자상, コ 자, L 자상, 크랭크상 및 예루살렘 크로스상으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 패턴이다.
이와 같은 패턴을 사용함으로써, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 비도전성 영역은, 수지 조성물로 이루어지는 비도전성 시트로 구성되고, 상기 소정 패턴은, 상기 비도전성 시트에 매립되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.
소정 패턴을 수지 조성물로 이루어지는 비도전성 시트에 매립함으로써 용이하게 메타머티리얼층을 형성할 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 수지 조성물의 비유전율은, 1 ∼ 20000 인 것이 바람직하다.
수지 조성물의 비유전율을 조정함으로써, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 수지 조성물은, 필러를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 필러는, 유기 필러 및/또는 무기 필러인 것이 바람직하다.
수지 조성물에 기능적인 필러를 함유시킴으로써, 메타머티리얼층의 방열성이나, 실드 특성을 향상시킬 수 있다. 또, 필러는 충전제로서 기능한다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 접착제층은, 도전성 접착제층인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 실드 필름은, 프린트 배선판에 배치되게 된다.
이 때, 접착제층이 도전성 접착제층이면, 접착제층을 프린트 배선판의 그라운드 회로에 접속시킴으로써, 메타머티리얼층의 도전성 영역과 그라운드 회로를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 그 결과, 전자파 실드 필름의 실드 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 접착제층과 상기 메타머티리얼층 사이에는 도전층 및/또는 자성체층이 형성되어 있어도 된다. 또, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면측에 도전층 및/또는 자성체층이 형성되어 있어도 된다.
전자파 실드 필름에 도전층이나 자성체층이 형성되어 있으면, 도전층이나 자성체층이 실드층으로서 기능하여, 전자파 실드 필름 전체의 실드 특성이 향상된다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면측에 보호층이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
보호층이 형성되어 있음으로써, 메타머티리얼층 및 접착제층이 외부로부터의 충격 등에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또, 보호층을 가짐으로써, 메타머티리얼층 및 접착제층을 접촉하지 않고 운반 등을 할 수 있으므로, 핸들링이 향상된다.
본 발명의 다른 전자파 실드 필름은, 제 1 주면 및 상기 제 1 주면에 대향하는 제 2 주면을 갖는 메타머티리얼층과, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 2 주면측에 형성된 접착제층을 구비하고, 상기 메타머티리얼층을 상기 제 1 주면측 및/또는 상기 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때에, 상기 메타머티리얼층은, 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 비도전성 영역과, 상기 비도전성 영역 이외의 도전성 영역으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 메타머티리얼층은, 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 비도전성 영역과, 비도전성 영역 이외의 도전성 영역으로 이루어진다.
본 발명의 전자파 실드 필름에 있어서, 도전성 영역은 실드층으로서 기능한다.
또, 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열되어 있으면, 특정한 주파수의 전자계에 공진하여, 특정한 주파수를 갖는 전자파를 투과시킬 수 있다.
또한, 투과하는 전자파의 주파수는, 소정 패턴의 재료, 형상, 사이즈, 배열, 주기, 비도전성을 갖는 재료의 유전율 등을 조정함으로써 제어할 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 소정 패턴은, 직선상, 곡선상, 다각형상, 원상, 타원상, 링상, C 자상, コ 자, L 자상, 크랭크상 및 예루살렘 크로스상으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 패턴이다.
이와 같은 패턴을 사용함으로써, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 투과시킬 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 도전성 영역은, 도전성을 갖는 재료로 이루어지는 도전성 시트로 구성되고, 상기 소정 패턴은, 도전성 시트에 매립되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.
소정 패턴을 도전성 시트에 매립함으로써 용이하게 메타머티리얼층을 형성할 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 비도전성을 갖는 재료의 비유전율은, 1 ∼ 20000 인 것이 바람직하다.
비도전성을 갖는 재료의 비유전율을 조정함으로써, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 비도전성을 갖는 재료는, 필러를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 필러는, 유기 필러 및/또는 무기 필러인 것이 바람직하다.
비도전성을 갖는 재료에 기능적인 필러를 함유시킴으로써, 메타머티리얼층의 방열성이나, 실드 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 소정 패턴의 윤곽은, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면으로부터 상기 제 2 주면을 관통하는 관통공에 의해 형성되어 있고, 비도전성을 갖는 재료는 공기인 것이 바람직하다.
이와 같은 양태의 전자파 실드 필름에서는, 관통공에 있어서, 전자파는 반사 및 흡수되기 어렵다. 그 때문에, 특정한 주파수를 갖는 전자파를 바람직하게 투과시키기 쉬워진다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 접착제층은, 도전성 접착제층인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 실드 필름은, 프린트 배선판에 배치되게 된다.
이 때, 접착제층이 도전성 접착제층이면, 접착제층을 프린트 배선판의 그라운드 회로에 접속시킴으로써, 메타머티리얼층의 도전성 영역과 그라운드 회로를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 그 결과, 전자파 실드 필름의 실드 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 접착제층과 상기 메타머티리얼층 사이에는 도전층 및/또는 자성체층이 형성되어 있어도 된다. 또, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면측에 도전층 및/또는 자성체층이 형성되어 있어도 된다.
전자파 실드 필름에 도전층이나 자성체층이 형성되어 있으면, 도전층이나 자성체층이 실드층으로서 기능하여, 전자파 실드 필름 전체의 실드 특성이 향상된다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면측에 보호층이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
보호층이 형성되어 있음으로써, 메타머티리얼층 및 접착제층이 외부로부터의 충격 등에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또, 보호층을 가짐으로써, 메타머티리얼층 및 접착제층을 접촉하지 않고 운반 등을 할 수 있으므로, 핸들링이 향상된다.
본 발명에 의하면, 특정한 주파수를 갖는 전자파만을 차단 또는 투과시킬 수 있는 전자파 실드 필름을 제공할 수 있다.
도 1a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 1b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2c 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2d 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2e 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2f 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2g 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2h 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2i 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2j 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2k 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에 있어서의 소정 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에 있어서의 소정 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3c 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에 있어서의 소정 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 4 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 5a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 5c 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 6 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9c 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9d 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9e 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9f 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9g 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9h 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9i 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9j 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9k 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 10a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 10b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 10c 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 11a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 11b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 12 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 14 는, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 15 는, 메타머티리얼층의 실드 특성의 평가 방법을 모식적으로 나타내는 모식도이다.
도 16a 는, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 16b 는, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 17 은, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 18a 는, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 18b 는, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 19 는, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 20a 는, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 20b 는, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 21 은, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 22a 는, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 22b 는, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 23 은, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 24a 는, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 24b 는, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 1b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2c 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2d 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2e 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2f 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2g 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2h 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2i 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2j 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2k 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에 있어서의 소정 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에 있어서의 소정 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3c 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에 있어서의 소정 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 4 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 5a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 5c 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 6 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7a 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7b 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9c 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9d 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9e 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9f 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9g 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9h 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9i 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9j 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 9k 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴의 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 10a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 10b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 10c 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 11a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 11b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 메타머티리얼층을 제 1 주면측으로부터 평면에서 봤을 때의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 12 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13a 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13b 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 14 는, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 15 는, 메타머티리얼층의 실드 특성의 평가 방법을 모식적으로 나타내는 모식도이다.
도 16a 는, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 16b 는, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 17 은, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 18a 는, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 18b 는, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 19 는, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 20a 는, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 20b 는, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 21 은, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 22a 는, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 22b 는, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
도 23 은, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 24a 는, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실을 나타내는 차트이다.
도 24b 는, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 방사 자계 강도를 나타내는 차트이다.
이하, 본 발명의 전자파 실드 필름에 대해 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에 있어서 적절히 변경하여 적용할 수 있다.
[제 1 실시형태]
먼저, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에 대해 설명한다.
도 1a 에 나타내는 전자파 실드 필름 (1) 은, 제 1 주면 (10a) 및 제 1 주면 (10a) 에 대향하는 제 2 주면 (10b) 을 갖는 메타머티리얼층 (10) 과, 메타머티리얼층 (10) 의 제 2 주면 (10b) 측에 형성된 접착제층 (20) 을 구비한다.
도 1a 및 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 메타머티리얼층 (10) 은, 도전성 영역 (11) 과, 도전성 영역 (11) 이외의 비도전성 영역 (12) 으로 이루어진다.
또, 도전성 영역 (11) 은, 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴 (11a) 이 주기적으로 배열되어 형성되어 있다.
도 1b 에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 필름 (1) 에서는, 소정 패턴 (11a) 은 C 자상이고, 정방 격자의 정점에 위치하도록 배열되어 있다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 메타머티리얼층 (10) 은, 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴 (11a) 이 주기적으로 배열된 도전성 영역 (11) 과, 도전성 영역 (11) 이외의 비도전성 영역 (12) 으로 이루어진다.
이와 같은 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴 (11a) 이 주기적으로 배열된 도전성 영역 (11) 은, 특정한 주파수의 전자계에 공진하여, 특정한 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
도 1a 에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 필름 (1) 에서는, 비도전성 영역 (12) 은, 수지 조성물로 이루어지는 비도전성 시트 (12a) 로 구성되고, 소정 패턴 (11a) 은, 비도전성 시트 (12a) 에 매립되도록 형성되어 있다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 소정 패턴 (11a) 은, 메타머티리얼층 (10) 의 제 1 주면 (10a) 측에만 형성되어 있고, 제 2 주면 (10b) 측에는 형성되어 있지 않다.
이와 같은 양태의 메타머티리얼층 (10) 은, 소정 패턴 (11a) 을 비도전성 시트 (12a) 에 매립함으로써 용이하게 형성할 수 있다.
소정 패턴 (11a) 은, 비도전성 시트 (12a) 의 표면에 인쇄, 도금, 증착 등의 통상적인 방법으로 형성하고, 프레스하는 것에 의해 압입함으로써 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴 (11a) 은, 매립되지 않고, 비도전성 시트 (12a) 의 표면에 배치되어 있어도 된다.
전자파 실드 필름 (1) 에 있어서, 차폐하는 전자파의 주파수는, 소정 패턴 (11a) 의 재료, 형상, 사이즈, 배열, 주기, 비도전성 영역 (12) 을 구성하는 재료의 유전율 등을 조정함으로써 제어할 수 있다.
이하, 전자파 실드 필름 (1) 의 각 구성의 바람직한 양태에 대해 설명한다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 소정 패턴 (11a) 을 구성하는 도전성을 갖는 재료로는, 특별히 한정되지 않지만, 구리, 은, 알루미늄, 탄소 재료 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또, 도전성을 갖는 재료는, 이들 재료를 포함하는 도전성 페이스트여도 된다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 소정 패턴 (11a) 의 형상은, C 자상이지만, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는 소정 패턴 (11a) 은, 도 2a ∼ 도 2k 에 각각 나타내는 바와 같이, 직선상, 곡선상, 다각형상, 원상, 타원상, 링상, C 자상, コ 자, L 자상, 크랭크상 및 예루살렘 크로스상으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 패턴인 것이 바람직하다.
이와 같은 패턴을 사용함으로써, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
도 1b 에 나타내는 전자파 실드 필름 (1) 에서는, 동일한 크기의 C 자상의 소정 패턴 (11a) 이, 정방 격자의 정점에 위치하도록 배열되어 있다.
그러나, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴이 주기적으로 배열되어 있으면 어떠한 양태여도 된다.
예를 들어, 소정 패턴 (11a) 은, 1 종 단독의 도형으로 구성되어 있어도 되고, 2 종 이상의 도형의 조합에 의해 형성되어 있어도 된다.
보다 구체적인 소정 패턴의 배열을 이하에 도면을 사용하여 설명한다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 도 3a 에 나타내는 바와 같이, C 자상의 소정 패턴 (11a) 이, 평면 충전된 정삼각형의 정점에 위치하도록 주기적으로 배열되어 있어도 된다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 도 3b 에 나타내는 바와 같이, 소정 패턴 (11a) 은, C 자상의 패턴 (11a11) 과, 패턴 (11a11) 보다 큰 C 자상의 패턴 (11a12) 으로 이루어지고, 패턴 (11a11) 과 패턴 (11a12) 이 정방 격자의 정점에 교대로 나열되도록 배열되어 있다.
이 양태에서는, 패턴 (11a11) 과 패턴 (11a12) 의 조합이, 1 개의 소정 패턴 (11a) 이다. 요컨대, 이 경우, 패턴 (11a11) 과 패턴 (11a12) 의 조합이, 종횡으로 주기적으로 배열되어 있다고 할 수 있다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 도 3c 에 나타내는 바와 같이, 소정 패턴 (11a) 은, 동일한 형상의 C 자상의 패턴 (11a21), 패턴 (11a22) 및 패턴 (11a23) 이 횡방향 (도 3c 중, 양 화살표 A 로 나타내는 방향) 으로 3 개 연속해서 나열되어 형성되어 있고, 이 소정 패턴 (11a) 이 주기적으로 배열되어 있어도 된다.
이 양태에서는, 횡방향으로 연속하는 3 개의 패턴 (11a21), 패턴 (11a22) 및 패턴 (11a23) 의 조합이, 1 개의 소정 패턴 (11a) 이다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 소정 패턴 (11a) 의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 소정 패턴 (11a) 이, 구리, 은, 알루미늄, 탄소 재료 등으로 이루어지는 경우에는, 0.1 ∼ 35 ㎛ 인 것이 바람직하고, 6 ∼ 18 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 소정 패턴 (11a) 이 이들 재료를 포함하는 도전성 페이스트인 경우에는, 5 ∼ 100 ㎛ 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 60 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.
소정 패턴의 두께가 상기 두께 미만이면, 충분한 실드 특성이 얻어지기 어려워진다.
소정 패턴의 두께가 상기 두께를 초과하면, 소정 패턴의 유연성이 저하되어, 전자파 실드 필름을 구부렸을 때에, 소정 패턴이 파손되기 쉬워지거나, 비도전성 시트로부터 박리되기 쉬워진다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 비도전성 시트 (12a) 를 형성하는 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 스티렌계 수지 조성물, 아세트산비닐계 수지 조성물, 폴리에스테르계 수지 조성물, 폴리에틸렌계 수지 조성물, 폴리프로필렌계 수지 조성물, 이미드계 수지 조성물, 아미드계 수지 조성물, 아크릴계 수지 조성물 등의 열가소성 수지 조성물이나, 페놀계 수지 조성물, 에폭시계 수지 조성물, 우레탄계 수지 조성물, 멜라민계 수지 조성물, 알키드계 수지 조성물 등의 열경화성 수지 조성물 등을 사용할 수 있다.
수지 조성물의 재료는 이것들의 1 종 단독이어도 되고, 2 종 이상의 조합이어도 된다.
또, 전자파 실드 필름 (1) 에서는, 비도전성 시트 (12a) 에 있어서 부분적으로 수지 조성물의 종류가 상이해도 된다. 이와 같은 양태에 대해 이하에 도면을 사용하여 설명한다.
도 4 에 나타내는 메타머티리얼층 (10) 에서는, C 자상의 소정 패턴 (11a) 이 비도전성 시트 (12a) 에 형성되어 있다.
비도전성 시트 (12a) 는, C 자상의 소정 패턴 (11a) 의 내측의 부분 (12ai) 과 그 이외의 부분 (12aО) 으로 이루어진다. 도 4 에 있어서, 부분 (12ai) 의 수지 조성물의 종류와 부분 (12aО) 의 수지 조성물의 종류는 상이하다.
이와 같이, 비도전성 시트 (12a) 에 있어서 부분적으로 상이한 수지 조성물을 사용함으로써, 부분적으로 비도전성 시트 (12a) 의 비유전율을 변화시킬 수 있으므로, 차폐하는 전자파의 주파수를 제어할 수 있다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 수지 조성물의 비유전율은, 1 ∼ 20000 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 1000 인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물의 비유전율을 조정함으로써, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
또한, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 비도전성 시트 (12a) 에 있어서, C 자상의 소정 패턴 (11a) 의 내측의 부분 (12ai) 과 그 이외의 부분 (12aО) 이 상이한 수지 조성물에 의해 구성되어 있는 경우, 부분 (12ai) 을 구성하는 수지 조성물의 비유전율은, 10 ∼ 1000 인 것이 바람직하고, 부분 (12aО) 을 구성하는 수지 조성물의 비유전율은, 10 ∼ 1000 인 것이 바람직하다.
이와 같은 수지 조성물로는, 강유전체인 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 강유전체로는, 예를 들어, 일본 특허출원 2016-26840호의 단락 [0027] ∼ [0037] 에 기재된 액정 재료를 포함하는 수지 조성물, 일본 특허출원 2004-341035호의 단락 [0009] ∼ [0016] 및 단락 [0021] ∼ [0024] 에 기재된 유기 강유전체 재료를 포함하는 수지 조성물, 일본 특허출원 2003-320695호의 단락 [0007] 및 단락 [0015] ∼ [0020] 에 기재된 강유전체 물질을 포함하는 수지 조성물 등을 들 수 있다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 비도전성 시트 (12a) 의 두께는, 소정 패턴 (11a) 의 1 ∼ 3 배인 것이 바람직하다.
비도전성 시트의 두께가 소정 패턴의 두께 미만이면, 비도전성 시트의 강도가 약해져, 파손되기 쉬워진다.
비도전성 시트의 두께가 소정 패턴의 두께의 3 배를 초과하면, 메타머티리얼층의 유연성이 저하된다. 또, 전자파 실드 필름 전체가 커져, 전자파 실드 필름을 배치하기 어려워진다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 수지 조성물은, 필러를 포함하는 것이 바람직하고, 유기 필러 및/또는 무기 필러인 것이 바람직하다.
수지 조성물에 기능적인 필러를 함유시킴으로써, 메타머티리얼층의 방열성이나, 실드 특성을 향상시킬 수 있다. 또, 필러는 충전제로서 기능한다.
유기 필러로는, 예를 들어, 멜라민 수지, 페놀 수지, 불소 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지 등의 입자를 들 수 있다.
무기 필러로는, 예를 들어, 질소 화합물 (질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 질화탄소, 질화티탄 등), 탄소 화합물 (탄화규소, 탄화불소, 탄화붕소, 탄화티탄, 탄화텅스텐, 다이아몬드 등), 금속 산화물 (실리카, 알루미나, 산화마그네슘, 산화아연, 산화베릴륨 등) 등의 입자, 유리 비드, 유리 섬유 등을 들 수 있다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 접착제층 (20) 은 비도전성 접착제층이어도 되고, 도전성 접착제층이어도 되지만, 도전성 접착제층으로 이루어지는 것이 바람직하다.
전자파 실드 필름 (1) 은, 프린트 배선판에 배치되게 된다.
이 때, 접착제층 (20) 이 도전성 접착제층이면, 접착제층 (20) 을 프린트 배선판의 그라운드 회로에 접속시킴으로써, 메타머티리얼층의 도전성 영역과 그라운드 회로를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 그 결과, 전자파 실드 필름 (1) 의 실드 특성을 향상시킬 수 있다.
접착제층 (20) 이 도전성 접착제층인 경우, 도전성 접착제층은 등방 도전성 접착제층이어도 되고, 이방성 도전성 접착제층이어도 된다.
접착제층 (20) 이 도전성 접착제층인 경우, 접착제층 (20) 은, 접착성 수지 조성물과 도전성 입자로 이루어지는 것이 바람직하다.
도전성 입자로는, 특별히 한정되지 않지만, 금속 미립자, 카본 나노튜브, 탄소 섬유, 금속 섬유 등이어도 된다.
접착성 수지 조성물의 재료로는, 특별히 한정되지 않지만, 스티렌계 수지 조성물, 아세트산비닐계 수지 조성물, 폴리에스테르계 수지 조성물, 폴리에틸렌계 수지 조성물, 폴리프로필렌계 수지 조성물, 이미드계 수지 조성물, 아미드계 수지 조성물, 아크릴계 수지 조성물 등의 열가소성 수지 조성물이나, 페놀계 수지 조성물, 에폭시계 수지 조성물, 우레탄계 수지 조성물, 멜라민계 수지 조성물, 알키드계 수지 조성물 등의 열경화성 수지 조성물 등을 사용할 수 있다.
접착성 수지 조성물의 재료는 이것들의 1 종 단독이어도 되고, 2 종 이상의 조합이어도 된다.
전자파 실드 필름 (1) 에서는, 주파수가 0.1 ∼ 90 ㎓ 인 전자파를 특이적으로 차폐할 수 있는 것이 바람직하고, 주파수가 1 ∼ 30 ㎓ 인 전자파를 특이적으로 차폐할 수 있는 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 제 1 실시형태의 다른 양태에 대해 설명한다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c 에 나타내는 전자파 실드 필름 (101) 은, 메타머티리얼층 (10) 의 제 2 주면 (10b) 에도 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴 (11b) 이 주기적으로 배열되어 형성되어 있는 것 이외에는, 상기 전자파 실드 필름 (1) 과 동일한 구성이다.
도 5c 에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 필름 (101) 에서는, 소정 패턴 (11b) 은 C 자상이고, 정방 격자의 정점에 위치하도록 배열되어 있다.
또, 소정 패턴 (11a) 과 소정 패턴 (11b) 은 좌우를 반대로 한 형상이다.
또한, 소정 패턴 (11a) 과 소정 패턴 (11b) 사이에는, 비도전성 시트 (12a) 가 존재하고 있다.
이와 같은 양태의 전자파 실드 필름이어도, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
또, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴 (11a) 과 소정 패턴 (11b) 은 동일한 형상이고, 메타머티리얼층 (10) 의 두께 방향으로 연속하고 있어도 된다. 요컨대, 소정 패턴을 형성하는 도전성을 갖는 재료가 비도전성 시트를 관통하고 있어도 된다.
또한, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴 (11a) 과 소정 패턴 (11b) 이, 메타머티리얼층 (10) 의 제 1 주면 (10a) 에서 제 2 주면 (10b) 에 걸쳐서 변형되면서 연속하고 있어도 된다. 이와 같은 형상으로는, 예를 들어, 스플릿 링상의 형상을 들 수 있다.
또, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴 (11a) 의 형상 및 배열과 소정 패턴 (11b) 의 형상 및 배열은 상이해도 된다.
다음으로, 본 발명의 제 1 실시형태의 또 다른 양태에 대해 설명한다.
도 6 에 나타내는 전자파 실드 필름 (201) 은, 메타머티리얼층 (10) 의 제 1 주면 (10a) 측에 보호층 (30) 이 형성되어 있는 것 이외에는, 상기 전자파 실드 필름 (1) 과 동일한 구성이다.
메타머티리얼층 (10) 의 제 1 주면 (10a) 측에 보호층 (30) 이 형성되어 있음으로써, 메타머티리얼층 (10) 및 접착제층 (20) 이 외부로부터의 충격 등에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또, 보호층 (30) 을 가짐으로써, 메타머티리얼층 (10) 및 접착제층 (20) 을 접촉하지 않고 운반 등을 할 수 있으므로, 핸들링이 향상된다.
보호층 (30) 은, 메타머티리얼층 (10) 및 접착제층 (20) 을 보호할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 열가소성 수지 조성물, 열경화성 수지 조성물, 활성 에너지선 경화성 조성물, 수지 필름 등으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 열가소성 수지 조성물로는, 특별히 한정되지 않지만, 스티렌계 수지 조성물, 아세트산비닐계 수지 조성물, 폴리에스테르계 수지 조성물, 폴리에틸렌계 수지 조성물, 폴리프로필렌계 수지 조성물, 이미드계 수지 조성물, 아크릴계 수지 조성물 등을 들 수 있다.
상기 열경화성 수지 조성물로는, 특별히 한정되지 않지만, 페놀계 수지 조성물, 에폭시계 수지 조성물, 우레탄계 수지 조성물, 멜라민계 수지 조성물, 알키드계 수지 조성물 등을 들 수 있다.
상기 활성 에너지선 경화성 조성물로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 분자 중에 적어도 2 개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 중합성 화합물 등을 들 수 있다.
상기 수지 필름으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리페닐렌술파이드 (PPS) 필름, 폴리이미드 (PI) 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 시클로올레핀 폴리머 (COP) 필름, 폴리에테르에테르케톤 (PEEK) 필름 등을 들 수 있다.
보호층 (30) 은 1 종 단독의 재료로 구성되어 있어도 되고, 2 종 이상의 재료로 구성되어 있어도 된다.
보호층 (30) 에는, 필요에 따라, 경화 촉진제, 점착성 부여제, 산화 방지제, 안료, 염료, 가소제, 자외선 흡수제, 소포제, 레벨링제, 충전제, 난연제, 점도 조절제, 블로킹 방지제 등이 포함되어 있어도 된다.
보호층 (30) 의 두께는, 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 1 ∼ 15 ㎛ 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 10 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.
보호층 (30) 의 두께가 1 ㎛ 미만이면, 지나치게 얇으므로 메타머티리얼층 (10) 및 접착제층 (20) 을 충분히 보호하기 어려워진다.
보호층 (30) 의 두께가 15 ㎛ 를 초과하면, 지나치게 두꺼우므로 전자파 실드 필름 (1) 이 절곡되기 어려워지고, 또, 보호층 (30) 자체가 파손되기 쉬워진다. 그 때문에, 내절곡성이 요구되는 부재에 적용하기 어려워진다.
다음으로, 본 발명의 제 1 실시형태의 또 다른 양태에 대해 설명한다.
도 7a 에 나타내는 전자파 실드 필름 (301A) 은, 접착제층 (20) 과 메타머티리얼층 (10) 사이에 도전층 (40) 이 형성되어 있는 것 이외에는, 상기 전자파 실드 필름 (201) 과 동일한 구성이다.
도 7b 에 나타내는 전자파 실드 필름 (301B) 은, 메타머티리얼층 (10) 과 보호층 (30) 사이에 도전층 (40) 이 형성되어 있는 것 이외에는, 상기 전자파 실드 필름 (201) 과 동일한 구성이다.
이와 같이 도전층 (40) 이 형성되어 있으면, 도전층 (40) 이 실드층으로서 기능하여, 전자파 실드 필름 전체의 실드 특성이 향상된다.
도전층 (40) 은, 금속층으로 이루어져 있어도 되고, 도전성 접착제층으로 이루어져 있어도 된다.
도전층 (40) 이 금속층으로 이루어지는 경우, 금속층은, 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈, 주석, 팔라듐, 크롬, 티탄 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
이들 금속은, 전자파 실드 필름의 실드층으로서 적합하다.
이와 같은 금속층은, 금속 박막의 배치, 도금, 증착 등의 방법으로 형성할 수 있다.
도전층 (40) 이 도전성 접착제층으로 이루어지는 경우, 도전성 접착제층은, 도전성 입자와 접착성 수지 조성물로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
도전성 입자로는, 특별히 한정되지 않지만, 금속 미립자, 카본 나노튜브, 탄소 섬유, 금속 섬유 등이어도 된다.
접착성 수지 조성물의 재료로는, 특별히 한정되지 않지만, 스티렌계 수지 조성물, 아세트산비닐계 수지 조성물, 폴리에스테르계 수지 조성물, 폴리에틸렌계 수지 조성물, 폴리프로필렌계 수지 조성물, 이미드계 수지 조성물, 아미드계 수지 조성물, 아크릴계 수지 조성물 등의 열가소성 수지 조성물이나, 페놀계 수지 조성물, 에폭시계 수지 조성물, 우레탄계 수지 조성물, 멜라민계 수지 조성물, 알키드계 수지 조성물 등의 열경화성 수지 조성물 등을 사용할 수 있다.
접착성 수지 조성물의 재료는 이것들의 1 종 단독이어도 되고, 2 종 이상의 조합이어도 된다.
이와 같은 도전성 접착제층은, 도전성 입자와 접착성 수지 조성물을 혼합하고, 당해 혼합물을 바 코터 등으로 도포함으로써 형성할 수 있다.
도전층 (40) 의 두께는, 0.01 ∼ 60 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 20 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.
도전층의 두께가 0.01 ㎛ 미만이면, 도전층이 지나치게 얇기 때문에 실드층의 강도가 낮아진다. 그 때문에, 내절곡성이 저하된다. 또, 전자파를 충분히 반사 및 흡수하기 어려워지므로 실드 특성이 저하된다.
도전층의 두께가 60 ㎛ 를 초과하면, 전자파 실드 필름 전체가 두꺼워져 취급하기 어려워진다.
전자파 실드 필름 (301A) 및 전자파 실드 필름 (301B) 에서는, 접착제층 (20) 과 메타머티리얼층 (10) 사이 및 메타머티리얼층 (10) 과 보호층 (30) 사이 중 어느 쪽에 도전층 (40) 이 형성되어 있었다.
그러나, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 접착제층 (20) 과 메타머티리얼층 (10) 사이 및 메타머티리얼층 (10) 과 보호층 (30) 사이의 양방에 도전층 (40) 이 형성되어 있어도 된다.
상기 전자파 실드 필름 (301A) 및 전자파 실드 필름 (301B) 에서는, 보호층 (30) 이 형성되어 있지만, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 보호층이 형성되어 있지 않고, 메타머티리얼층 (10), 접착제층 (20) 및 도전층 (40) 만으로 이루어져 있어도 된다.
또, 전자파 실드 필름 (301A) 및 전자파 실드 필름 (301B) 에서는, 도전층 (40) 이 형성되어 있지만, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 도전층 (40) 대신에, 자성체층이 형성되어 있어도 된다. 이와 같은 자성체층은 실드층으로서 기능하여, 전자파 실드 필름 전체의 실드 특성이 향상된다.
자성체층으로는, 철, 규소철, 퍼멀로이, 소프트 페라이트, 센더스트, 퍼멘더 등의 연자성 재료 자체를 시트상으로 성형한 것이나 연자성 재료의 분체와 수지를 혼합한 것을 시트상으로 성형한 것을 사용할 수 있다.
지금까지 설명해 온 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에서는, 메타머티리얼층이 1 층만 형성되어 있었다. 그러나, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에서는, 메타머티리얼층은, 복수 층이 형성되어 있어도 된다. 또, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에서는, 메타머티리얼층이 적어도 1 층 형성되어 있으면, 메타머티리얼층에 다른 기능층이 적층되어 있어도 된다.
이와 같은 기능층으로는, 고유전체층을 들 수 있고, 이와 같은 고유전체층을 형성함으로써, 공진 주파수를 조정하여, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
[제 2 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에 대해 설명한다.
도 8a 에 나타내는 전자파 실드 필름 (401) 은, 제 1 주면 (50a) 및 제 1 주면 (50a) 에 대향하는 제 2 주면 (50b) 을 갖는 메타머티리얼층 (50) 과, 메타머티리얼층 (50) 의 제 2 주면 (50b) 측에 형성된 접착제층 (60) 을 구비한다.
도 8a 및 도 8b 에 나타내는 바와 같이, 메타머티리얼층 (50) 은, 비도전성 영역 (52) 과, 비도전성 영역 (52) 이외의 도전성 영역 (51) 으로 이루어진다.
또, 비도전성 영역 (52) 은, 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴 (52a) 이 주기적으로 배열되어 형성되어 있다.
도 8a 및 도 8b 에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 필름 (401) 에서는, 소정 패턴 (52a) 은 C 자상이고, 정방 격자의 정점에 위치하도록 배열되어 있다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 메타머티리얼층 (50) 은, 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴 (52a) 이 주기적으로 배열된 비도전성 영역 (52) 과, 비도전성 영역 (52) 이외의 도전성 영역 (51) 으로 이루어진다.
전자파 실드 필름 (401) 에 있어서, 도전성 영역 (51) 은 실드층으로서 기능한다.
또, 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴 (52a) 이 주기적으로 배열되어 있으면, 특정한 주파수의 전자계에 공진하여, 특정한 주파수를 갖는 전자파를 투과시킬 수 있다.
도 8a 에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 필름 (401) 에서는, 도전성 영역 (51) 은, 도전성 시트 (51a) 로 구성되고, 소정 패턴 (52a) 은, 도전성 시트 (51a) 에 매립되도록 형성되어 있다.
도 8a 에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 필름 (401) 에서는, 소정 패턴 (52a) 은, 메타머티리얼층 (50) 의 제 1 주면 (50a) 측에만 형성되어 있고, 제 2 주면 (50b) 측에는 형성되어 있지 않다.
이와 같은 양태의 메타머티리얼층 (50) 은, 소정 패턴 (52a) 을 도전성 시트 (51a) 에 매립함으로써 용이하게 형성할 수 있다.
이와 같은 소정 패턴 (52a) 은, 도전성 시트 (51a) 의 표면에 에칭 등에 의해 소정 형상의 오목부를 형성하고, 당해 오목부에 비도전성을 갖는 재료를 충전하거나 함으로써 형성할 수 있다.
전자파 실드 필름 (401) 에 있어서, 투과하는 전자파의 주파수는, 소정 패턴 (52a) 의 재료, 형상, 사이즈, 배열, 주기, 비도전성을 갖는 재료의 유전율 등을 조정함으로써 제어할 수 있다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 소정 패턴 (52a) 을 구성하는 비도전성을 갖는 재료는, 특별히 한정되지 않지만, 스티렌계 수지 조성물, 아세트산비닐계 수지 조성물, 폴리에스테르계 수지 조성물, 폴리에틸렌계 수지 조성물, 폴리프로필렌계 수지 조성물, 이미드계 수지 조성물, 아미드계 수지 조성물, 아크릴계 수지 조성물 등의 열가소성 수지 조성물이나, 페놀계 수지 조성물, 에폭시계 수지 조성물, 우레탄계 수지 조성물, 멜라민계 수지 조성물, 알키드계 수지 조성물 등의 열경화성 수지 조성물 등을 사용할 수 있다.
수지 조성물의 재료는 이것들의 1 종 단독이어도 되고, 2 종 이상의 조합이어도 된다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 비도전성을 갖는 재료의 비유전율은, 1 ∼ 20000 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 1000 인 것이 보다 바람직하다.
비도전성을 갖는 재료의 비유전율을 조정함으로써, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 수지 조성물은, 필러를 포함하는 것이 바람직하고, 유기 필러 및/또는 무기 필러인 것이 바람직하다.
수지 조성물에 기능적인 필러를 함유시킴으로써, 메타머티리얼층의 방열성이나, 실드 특성을 향상시킬 수 있다. 또, 필러는 충전제로서 기능한다.
유기 필러로는, 예를 들어, 멜라민 수지, 페놀 수지, 불소 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지 등의 입자 등을 들 수 있다.
무기 필러로는, 예를 들어, 질소 화합물 (질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 질화탄소, 질화티탄 등), 탄소 화합물 (탄화규소, 탄화불소, 탄화붕소, 탄화티탄, 탄화텅스텐, 다이아몬드 등), 금속 산화물 (실리카, 알루미나, 산화마그네슘, 산화아연, 산화베릴륨 등) 등의 입자, 유리 비드, 유리 섬유 등을 들 수 있다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 소정 패턴 (52a) 은, C 자상이지만, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는 소정 패턴 (52a) 은, 도 9a ∼ 도 9k 에 각각 나타내는 바와 같이, 직선상, 곡선상, 다각형상, 원상, 타원상, 링상, C 자상, コ 자, L 자상, 크랭크상 및 예루살렘 크로스상으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 패턴인 것이 바람직하다.
이와 같은 패턴을 사용함으로써, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 투과시킬 수 있다.
도 8b 에 나타내는 전자파 실드 필름 (401) 에서는, 동일한 크기의 C 자상의 소정 패턴 (52a) 이, 정방 격자의 정점에 위치하도록 배열되어 있다.
그러나, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴이 주기적으로 배열되어 있으면 어떠한 양태여도 된다.
예를 들어, 소정 패턴 (52a) 이, 평면 충전된 정삼각형의 정점에 위치하도록 주기적으로 배열되어 있어도 된다.
또, 크기가 상이하고 상사 (相似) 인 소정 패턴 (52a) 이, 정방 격자의 정점에 교대로 나열되도록 배열되어 있어도 된다.
또, 복수의 패턴이 집합하여 소정 패턴을 형성하고 있고, 당해 소정 패턴이 주기적으로 배열되어 있어도 된다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 소정 패턴 (52a) 의 두께는, 0.1 ∼ 35 ㎛ 인 것이 바람직하고, 6 ∼ 18 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.
소정 패턴의 두께가 0.1 ㎛ 미만이면, 원하는 주파수를 갖는 전자파가 전자파 실드 필름을 투과하기 어려워진다.
소정 패턴의 두께가 35 ㎛ 를 초과하면, 소정 패턴의 유연성이 저하되어, 전자파 실드 필름을 구부렸을 때에, 소정 패턴이 파손되기 쉬워지거나, 도전성 시트로부터 박리되기 쉬워진다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 도전성 시트 (51a) 의 재료는, 특별히 한정되지 않지만, 구리, 은, 알루미늄, 탄소 재료 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 도전성 시트 (51a) 의 두께는, 소정 패턴 (52a) 의 1 ∼ 3 배인 것이 바람직하다.
도전성 시트의 두께가 소정 패턴의 두께 미만이면, 도전성 시트의 강도가 약해져, 파손되기 쉬워진다.
도전성 시트의 두께가 소정 패턴의 두께의 3 배를 초과하면, 메타머티리얼층의 유연성이 저하된다. 또, 전자파 실드 필름 전체가 커져, 전자파 실드 필름을 배치하기 어려워진다. 또한, 원하는 주파수를 갖는 전자파가 투과하기 어려워진다.
전자파 실드 필름 (401) 에 있어서의 접착제층 (60) 의 바람직한 양태는, 상기 전자파 실드 필름 (1) 에 있어서의 접착제층 (20) 의 바람직한 양태와 동일하다.
전자파 실드 필름 (401) 에서는, 주파수가 0.1 ∼ 90 ㎓ 인 전자파를 특이적으로 투과시킬 수 있는 것이 바람직하고, 주파수가 1 ∼ 30 ㎓ 인 전자파를 특이적으로 투과시킬 수 있는 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태의 다른 양태에 대해 설명한다.
도 10a, 도 10b 및 도 10c 에 나타내는 전자파 실드 필름 (501) 은, 메타머티리얼층 (50) 의 제 2 주면 (50b) 에도 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴 (52b) 이 주기적으로 배열되어 형성되어 있는 것 이외에는, 상기 전자파 실드 필름 (401) 과 동일한 구성이다.
도 10c 에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 필름 (501) 에서는, 소정 패턴 (52b) 은 C 자상이고, 정방 격자의 정점에 위치하도록 배열되어 있다.
또, 소정 패턴 (52a) 과 소정 패턴 (52b) 은 좌우를 반대로 한 형상이다.
또한, 소정 패턴 (52a) 과 소정 패턴 (52b) 사이에는, 도전성 시트 (51a) 가 존재하고 있다.
이와 같은 양태의 전자파 실드 필름이어도, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 차폐할 수 있다.
또, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴 (52a) 과 소정 패턴 (52b) 은 동일한 형상이고, 메타머티리얼층 (50) 의 두께 방향으로 연속하고 있어도 된다. 요컨대, 소정 패턴을 형성하는 비도전성을 갖는 재료가 도전성 시트를 관통하고 있어도 된다.
또, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴 (52a) 과 소정 패턴 (52b) 이, 메타머티리얼층 (50) 의 제 1 주면 (50a) 에서 제 2 주면 (50b) 에 걸쳐서 변형되면서 연속하고 있어도 된다. 이와 같은 형상으로는, 예를 들어, 스플릿 링상의 형상을 들 수 있다.
또, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 소정 패턴 (52a) 의 형상 및 배열과 소정 패턴 (52b) 의 형상 및 배열은 상이해도 된다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태의 또 다른 양태에 대해 설명한다.
도 11a 및 도 11b 에 나타내는 전자파 실드 필름 (601) 은, 제 1 주면 (50a) 및 제 1 주면 (50a) 에 대향하는 제 2 주면 (50b) 을 갖는 메타머티리얼층 (50) 과, 메타머티리얼층 (50) 의 제 2 주면 (50b) 측에 형성된 접착제층 (60) 을 구비한다.
또, 메타머티리얼층 (50) 은, 제 1 주면 (50a) 으로부터 제 2 주면 (50b) 을 관통하는 관통공 (55) 을 갖는다.
도 11a 및 도 11b 에 나타내는 바와 같이, 메타머티리얼층 (50) 은, 비도전성 영역 (52) 과, 비도전성 영역 (52) 이외의 도전성 영역 (51) 으로 이루어진다.
또, 비도전성 영역 (52) 은, 소정 패턴 (52a) 이 주기적으로 배열되어 형성되어 있다.
소정 패턴 (52a) 의 윤곽은, 관통공 (55) 에 의해 형성되어 있다.
메타머티리얼층 (50) 에 있어서, 관통공 (55) 은, 공기에 의해 충전되어 있다. 그 때문에, 소정 패턴 (52a) 은, 비도전성을 갖는 재료인 공기에 의해 형성되어 있다고 할 수 있다.
도 11b 에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 필름 (601) 에서는, 소정 패턴 (52a) 은 C 자상이고, 정방 격자의 정점에 위치하도록 배열되어 있다.
이와 같은 양태의 전자파 실드 필름 (601) 에서는, 관통공 (55) 에 있어서, 전자파는 반사 및 흡수되기 어렵다. 그 때문에, 특정한 주파수를 갖는 전자파를 바람직하게 투과시키기 쉬워진다.
전자파 실드 필름 (601) 에 있어서의 접착제층 (60) 의 바람직한 양태는, 상기 전자파 실드 필름 (401) 에 있어서의 접착제층 (60) 의 바람직한 양태와 동일하다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태의 또 다른 양태에 대해 설명한다.
도 12 에 나타내는 전자파 실드 필름 (701) 은, 메타머티리얼층 (50) 의 제 1 주면 (50a) 측에 보호층 (70) 이 형성되어 있는 것 이외에는, 상기 전자파 실드 필름 (401) 과 동일한 구성이다.
메타머티리얼층 (50) 의 제 1 주면 (50a) 측에 보호층 (70) 이 형성되어 있음으로써, 메타머티리얼층 (50) 및 접착제층 (60) 이 외부로부터의 충격 등에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또, 보호층 (70) 을 가짐으로써, 메타머티리얼층 (50) 및 접착제층 (60) 을 접촉하지 않고 운반 등을 할 수 있으므로, 핸들링이 향상된다.
전자파 실드 필름 (701) 에 있어서의 보호층 (70) 의 바람직한 양태는, 상기 전자파 실드 필름 (201) 에 있어서의 보호층 (30) 의 바람직한 양태와 동일하다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태의 또 다른 양태에 대해 설명한다.
도 13a 에 나타내는 전자파 실드 필름 (801A) 은, 접착제층 (60) 과 메타머티리얼층 (50) 사이에 도전층 (80) 이 형성되어 있는 것 이외에는, 상기 전자파 실드 필름 (701) 과 동일한 구성이다.
도 13b 에 나타내는 전자파 실드 필름 (801B) 은, 메타머티리얼층 (50) 과 보호층 (70) 사이에 도전층 (80) 이 형성되어 있는 것 이외에는, 상기 전자파 실드 필름 (701) 과 동일한 구성이다.
이와 같이 도전층 (80) 이 형성되어 있으면, 도전층 (80) 이 실드층으로서 기능하여, 전자파 실드 필름 전체의 실드 특성이 향상된다.
전자파 실드 필름 (801A) 및 전자파 실드 필름 (801B) 에 있어서의 도전층 (80) 의 바람직한 양태는, 상기 전자파 실드 필름 (201) 에 있어서의 도전층 (40) 의 바람직한 양태와 동일하다.
전자파 실드 필름 (801A) 및 전자파 실드 필름 (801B) 에서는, 접착제층 (60) 과 메타머티리얼층 (50) 사이 및 메타머티리얼층 (50) 과 보호층 (70) 사이 중 어느 쪽에 도전층 (80) 이 형성되어 있었다.
그러나, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 접착제층 (60) 과 메타머티리얼층 (50) 사이 및 메타머티리얼층 (50) 과 보호층 (70) 사이의 양방에 도전층 (80) 이 형성되어 있어도 된다.
상기 전자파 실드 필름 (801A) 및 전자파 실드 필름 (801B) 에서는, 보호층 (70) 이 형성되어 있지만, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 보호층이 형성되어 있지 않고, 메타머티리얼층 (50), 접착제층 (60) 및 도전층 (80) 만으로 이루어져 있어도 된다.
또, 전자파 실드 필름 (801A) 및 전자파 실드 필름 (801B) 에서는, 도전층 (80) 이 형성되어 있지만, 본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 도전층 (80) 대신에, 자성체층이 형성되어 있어도 된다. 이와 같은 자성체층은 실드층으로서 기능하여, 전자파 실드 필름 전체의 실드 특성이 향상된다.
자성체층으로는, 철, 규소철, 퍼멀로이, 소프트 페라이트, 센더스트, 퍼멘더 등의 연자성 재료 자체를 시트상으로 성형한 것이나 연자성 재료의 분체와 수지를 혼합한 것을 시트상으로 성형한 것을 사용할 수 있다.
지금까지 설명해 온 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에서는, 메타머티리얼층이 1 층만 형성되어 있었다. 그러나, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에서는, 메타머티리얼층은, 복수 층이 형성되어 있어도 된다. 또, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름에서는, 메타머티리얼층이 적어도 1 층 형성되어 있으면, 메타머티리얼층에 다른 기능층이 적층되어 있어도 된다.
이와 같은 기능층으로는, 고유전체층을 들 수 있고, 이와 같은 고유전체층을 형성함으로써, 공진 주파수를 조정하여, 원하는 주파수를 갖는 전자파를 투과시킬 수 있다.
[그 밖의 실시형태]
지금까지 설명해 온 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름은, 메타머티리얼층으로서, 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 도전성 영역과, 도전성 영역 이외의 비도전성 영역으로 이루어지는 메타머티리얼층 (이하,「포지티브형의 메타머티리얼층」으로도 기재한다) 만을 포함하고 있었다.
또, 지금까지 설명해 온 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 전자파 실드 필름은, 메타머티리얼층으로서, 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 비도전성 영역과, 비도전성 영역 이외의 도전성 영역으로 이루어지는 메타머티리얼층 (이하,「네거티브형의 메타머티리얼층」으로도 기재한다) 만을 포함하고 있었다.
그러나, 본 발명의 전자파 실드 필름은, 포지티브형의 메타머티리얼층 및 네거티브형의 메타머티리얼층의 양방을 포함하고 있어도 된다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 포지티브형의 메타머티리얼층이 복수 층 적층되어 형성되어 있어도 된다.
본 발명의 전자파 실드 필름에서는, 네거티브형의 메타머티리얼층이 복수 층 적층되어 형성되어 있어도 된다.
실시예
이하에 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는 실시예를 나타내지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
두께 25 ㎛ 의 폴리이미드 조성물로 이루어지고, 제 1 주면 및 제 1 주면에 대향하는 제 2 주면을 갖는 비도전성 시트를 준비하였다. 비도전성 시트의 비유전율은, 3.1 이었다.
다음으로, 비도전성 시트의 제 1 주면에 C 자상의 패턴 (이하,「제 1 C 자상 패턴」으로도 기재한다) 이 정방 격자의 정점에 위치되도록, 8 × 10-5 Ω㎝ 의 도전성 페이스트를 인쇄하였다.
각 제 1 C 자상 패턴은 단일의 형상이고, 제 1 C 자상 패턴의 폭 (선의 굵기) 은 1 ㎜ 이고, 전체 길이 (패턴의 최대 폭) 는 5 ㎜ 였다.
또, 각 제 1 C 자상 패턴의 무게 중심 간의 거리는 6 ㎜ 였다.
다음으로, 비도전성 시트의 제 2 주면에 C 자상 패턴 (이하,「제 2 C 자상 패턴」으로도 기재한다) 이, 제 1 C 자상 패턴의 이측에 위치하도록, 8 × 10-5 Ω㎝ 의 도전성 페이스트를 인쇄하였다.
이 때, 제 1 주면측으로부터 본 제 2 C 자상 패턴의 형상을, 제 1 주면측으로부터 본 제 1 C 자상 패턴이 180 도 회전한 형상이 되도록 하였다.
각 제 2 C 자상 패턴은 단일의 형상이고, 제 2 C 자상 패턴의 폭 (선의 굵기) 은 1 ㎜ 이고, 전체 길이 (패턴의 최대 폭) 는 5 ㎜ 였다.
이상의 공정을 거쳐, 실시예 1 에 관련된 포지티브형의 메타머티리얼층을 제조하였다.
여기서, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를, 도면을 사용하여 설명한다.
도 14 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층 (10) 에서는, 비도전성 시트 (12a) 의 제 1 주면 (10a) 측에 제 1 C 자상 패턴 (11a) 이 배치되어 있고, 제 2 주면 (10b) 측에 제 2 C 자상 패턴 (11b) 이 배치되어 있다.
제 2 C 자상 패턴 (11b) 의 형상은, 제 1 C 자상 패턴 (11a) 을 180 도 회전시킨 형상이다.
또한, 도 14 에서는, 메타머티리얼층 (10) 의 각 구성의 위치 관계의 이해를 용이하게 하기 위해, 소정 패턴의 1 개에 주목하고, 각 구성을 분리하여 나타내고 있지만, 실제의 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층에서는, 소정 패턴은 복수 있으며, 이들 구성은 밀착되어 있다.
(실드 특성 평가)
다음으로, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층의 실드 특성을 이하의 방법으로 평가하였다.
먼저, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 마이크로스트립 라인 (92) 및 자계 프로브 (93) 가 접속된 네트워크 애널라이저 (91) (제품명 : N5232A, 제조원 : 키사이트 테크놀로지 주식회사) 를 준비하였다.
다음으로, 마이크로스트립 라인 (92) 상에 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층 (10) 을, 제 2 주면이 하측이 되도록 배치하였다.
그 후, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실 (S21) 및 방사 자계 강도 (S31) 을 측정하였다.
결과를 도 16a 및 도 16b 에 나타낸다.
도 16a 및 도 16b 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층은, 주파수 3000 ∼ 6000 ㎒ 의 전자파를 차폐할 수 있는 것이 판명되었다.
다음으로, 실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층의 제 2 주면측에, 두께 0.01 ㎜ 의 에폭시 수지로 이루어지는 접착제층을 형성함으로써 실시예 1 에 관련된 전자파 실드 필름을 제조하였다.
(실시예 2)
실시예 1 에 관련된 메타머티리얼층의 비도전성 시트의 제 2 주면측에, 두께 25 ㎛ 의 폴리이미드 조성물로 이루어지는 비도전성 시트를 추가로 적층함으로써 실시예 2 에 관련된 포지티브형의 메타머티리얼층을 제조하였다.
여기서, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를, 도면을 사용하여 설명한다.
도 17 에 나타내는 바와 같이, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층 (10) 에서는, 비도전성 시트 (12a1) 의 제 1 주면 (10a) 측에 제 1 C 자상 패턴 (11a) 이 배치되어 있고, 제 2 주면 (10b) 측에 제 2 C 자상 패턴 (11b) 이 배치되어 있다.
제 2 C 자상 패턴 (11b) 의 형상은, 제 1 C 자상 패턴 (11a) 을 180 도 회전시킨 형상이다.
또, 제 2 C 자상 패턴 (11b) 의 하측에 비도전성 시트 (12a2) 가 배치되어 있다.
또한, 도 17 에서는, 메타머티리얼층 (10) 의 각 구성의 위치 관계의 이해를 용이하게 하기 위해, 소정 패턴의 1 개에 주목하고, 각 구성을 분리하여 나타내고 있지만, 실제의 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층에서는, 소정 패턴은 복수 있으며, 이들 구성은 밀착되어 있다.
(실드 특성 평가)
실시예 1 에 관련된 실드 특성 평가와 동일한 방법으로, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실 (S21) 및 방사 자계 강도 (S31) 을 측정하였다.
결과를 도 18a 및 도 18b 에 나타낸다.
도 18a 및 도 18b 에 나타내는 바와 같이, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층은, 주파수 2500 ∼ 5000 ㎒ 의 전자파를 차폐할 수 있는 것이 판명되었다.
다음으로, 실시예 2 에 관련된 메타머티리얼층의 제 2 주면측에, 두께 0.01 ㎜ 의 에폭시 수지로 이루어지는 접착제층을 형성함으로써 실시예 2 에 관련된 전자파 실드 필름을 제조하였다.
(실시예 3)
제 1 주면측으로부터 본 제 2 C 자상 패턴의 형상이, 제 1 주면측으로부터 본 제 1 C 자상 패턴과 동일한 형상이 되도록 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 실시예 3 에 관련된 포지티브형의 메타머티리얼층을 제조하였다.
여기서, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를, 도면을 사용하여 설명한다.
도 19 에 나타내는 바와 같이, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층 (10) 에서는, 비도전성 시트 (12a1) 의 제 1 주면 (10a) 측에 제 1 C 자상 패턴 (11a) 이 배치되어 있고, 제 2 주면 (10b) 측에 제 2 C 자상 패턴 (11b) 이 배치되어 있다.
제 1 C 자상 패턴 (11a) 과 제 2 C 자상 패턴 (11b) 은, 제 1 주면 (10a) 측으로부터 봤을 때에, 정확히 중첩되어 있다.
또, 제 2 C 자상 패턴 (11b) 의 하측에 비도전성 시트 (12a2) 가 배치되어 있다.
또한, 도 19 에서는, 메타머티리얼층 (10) 의 각 구성의 위치 관계의 이해를 용이하게 하기 위해, 소정 패턴의 1 개에 주목하고, 각 구성을 분리하여 나타내고 있지만, 실제의 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층에서는, 소정 패턴은 복수 있으며, 이들 구성은 밀착되어 있다.
(실드 특성 평가)
실시예 1 에 관련된 실드 특성 평가와 동일한 방법으로, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실 (S21) 및 방사 자계 강도 (S31) 을 측정하였다.
결과를 도 20a 및 도 20b 에 나타낸다.
도 20a 및 도 20b 에 나타내는 바와 같이, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층은, 주파수 5000 ∼ 7000 ㎒ 의 전자파를 차폐할 수 있는 것이 판명되었다.
다음으로, 실시예 3 에 관련된 메타머티리얼층의 제 2 주면측에, 두께 0.01 ㎜ 의 에폭시 수지로 이루어지는 접착제층을 형성함으로써 실시예 3 에 관련된 전자파 실드 필름을 제조하였다.
(실시예 4)
두께 25 ㎛ 의 폴리이미드 조성물로 이루어지고, 제 1 주면 및 제 1 주면에 대향하는 제 2 주면을 갖는 비도전성 시트를 3 장 준비하였다. 비도전성 시트의 비유전율은, 3.1 이었다.
다음으로, 1 개째의 비도전성 시트의 제 1 주면에 제 1 C 자상 패턴이 정방 격자의 정점에 위치되도록, 8 × 10-5 Ω㎝ 의 도전성 페이스트를 인쇄하였다.
각 제 1 C 자상 패턴은 단일의 형상이고, 제 1 C 자상 패턴의 폭 (선의 굵기) 은 1 ㎜ 이고, 전체 길이 (패턴의 최대 폭) 는 5 ㎜ 였다.
또, 각 제 1 C 자상 패턴의 무게 중심 간의 거리는 6 ㎜ 였다.
다음으로, 1 개째의 비도전성 시트의 제 2 주면에 제 2 C 자상 패턴이, 제 1 C 자상 패턴의 이측에 위치하도록, 8 × 10-5 Ω㎝ 의 도전성 페이스트를 인쇄하였다.
이 때, 제 1 주면측으로부터 본 제 2 C 자상 패턴의 형상을, 제 1 주면측으로부터 본 제 1 C 자상 패턴과 정확히 중첩되는 형상으로 하였다.
다음으로, 동일하게 2 개째의 비도전성 시트에 제 1 C 자상 패턴 및 제 2 C 자상 패턴을 형성하였다.
다음으로, 1 개째의 비도전성 시트, 3 개째의 비도전성 시트 및 2 개째의 비도전성 시트의 순서가 되도록, 이들 비도전성 시트를 적층하였다. 이 때, 2 개째의 비도전성 시트를 180 도 회전시켰다.
이로써, 1 개째의 비도전성 시트의 제 1 주면측으로부터 봤을 때에, 2 개째의 비도전성 시트에 형성된 제 1 C 자상 패턴 및 제 2 C 자상 패턴의 형상이, 1 개째의 비도전성 시트에 형성된 제 1 C 자상 패턴 및 제 2 C 자상 패턴을 180 도 회전시킨 형상이 되도록 하였다.
이상의 공정을 거쳐, 실시예 4 에 관련된 포지티브형의 메타머티리얼층을 형성하였다.
여기서, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를, 도면을 사용하여 설명한다.
도 21 에 나타내는 바와 같이, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층 (10) 에서는, 1 개째의 비도전성 시트 (12a1) 의 제 1 주면 (10a1) 측에 제 1 C 자상 패턴 (11a1) 이 배치되어 있고, 제 2 주면 (10b1) 측에 제 2 C 자상 패턴 (11b1) 이 배치되어 있다.
제 1 C 자상 패턴 (11a1) 과 제 2 C 자상 패턴 (11b1) 은, 제 1 주면 (10a1) 측으로부터 봤을 때에, 정확히 중첩되어 있다.
실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층 (10) 에서는, 2 개째의 비도전성 시트 (12a2) 의 제 1 주면 (10a2) 측에 제 1 C 자상 패턴 (11a2) 이 배치되어 있고, 제 2 주면 (10b2) 측에 제 2 C 자상 패턴 (11b2) 이 배치되어 있다.
제 1 C 자상 패턴 (11a2) 과 제 2 C 자상 패턴 (11b2) 은, 제 1 주면 (10a2) 측으로부터 봤을 때에, 정확히 중첩되어 있다.
실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층 (10) 에서는, 위에서부터 순서대로 1 개째의 비도전성 시트 (12a1), 3 개째의 비도전성 시트 (12a3) 및 2 개째의 비도전성 시트 (12a2) 가 적층되어 있다.
실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층 (10) 에서는, 제 1 C 자상 패턴 (11a2) 및 제 2 C 자상 패턴 (11b2) 의 형상은, 제 1 C 자상 패턴 (11a1) 및 제 2 C 자상 패턴 (11b1) 을 180 도 회전시킨 형상이다.
또한, 도 21 에서는, 메타머티리얼층 (10) 의 각 구성의 위치 관계의 이해를 용이하게 하기 위해, 소정 패턴의 1 개에 주목하고, 각 구성을 분리하여 나타내고 있지만, 실제의 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층에서는, 소정 패턴은 복수 있으며, 이들 구성은 밀착되어 있다.
(실드 특성 평가)
실시예 1 에 관련된 실드 특성 평가와 동일한 방법으로, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실 (S21) 및 방사 자계 강도 (S31) 을 측정하였다.
결과를 도 22a 및 도 22b 에 나타낸다.
도 22a 및 도 22b 에 나타내는 바와 같이, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층은, 주파수 3000 ∼ 5000 ㎒ 의 전자파를 차폐할 수 있는 것이 판명되었다.
다음으로, 실시예 4 에 관련된 메타머티리얼층의 제 2 주면측에, 두께 0.01 ㎜ 의 에폭시 수지로 이루어지는 접착제층을 형성함으로써 실시예 4 에 관련된 전자파 실드 필름을 제조하였다.
(실시예 5)
두께 25 ㎛ 의 도전성 페이스트로 이루어지고, 제 1 주면 및 제 1 주면에 대향하는 제 2 주면을 갖는 도전성 시트를 준비하였다.
다음으로, 도전성 시트에 C 자상 패턴의 관통공 (이하,「제 3 C 자상 패턴」으로도 기재한다) 이 정방 격자의 정점에 형성되도록, 마스킹 및 에칭을 실시하였다.
각 제 3 C 자상 패턴은 단일의 형상이고, 제 3 C 자상 패턴의 폭 (선의 굵기) 은 1 ㎜ 이고, 전체 길이 (패턴의 최대 폭) 는 5 ㎜ 였다.
또, 각 제 3 C 자상 패턴의 무게 중심 간의 거리는 6 ㎜ 였다.
다음으로, 도전성 시트의 제 2 주면측에, 두께 25 ㎛ 의 폴리이미드 조성물로 이루어지는 비도전성 시트를 적층하여, 실시예 5 에 관련된 네거티브형의 메타머티리얼층을 제조하였다.
여기서, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층의 각 구성의 위치 관계를, 도면을 사용하여 설명한다.
도 23 에 나타내는 바와 같이, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층 (50) 에서는, 도전성 시트 (51a) 에 형성된 관통공 (55) 에 의해 제 3 C 자상 패턴 (52a) 이 배열되어 있다.
그리고, 도전성 시트 (51a) 의 제 2 주면 (50b) 측에 비도전성 시트 (12a) 가 적층되어 있다.
또한, 도 23 에서는, 메타머티리얼층 (50) 의 각 구성의 위치 관계의 이해를 용이하게 하기 위해, 소정 패턴의 1 개에 주목하고, 각 구성을 분리하여 나타내고 있지만, 실제의 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층에서는, 소정 패턴은 복수 있으며, 이들 구성은 밀착되어 있다.
(실드 특성 평가)
실시예 1 에 관련된 실드 특성 평가와 동일한 방법으로, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층을 사용한 경우의, 주파수 0 ∼ 10000 ㎒ 의 전자파의 전송 손실 (S21) 및 방사 자계 강도 (S31) 을 측정하였다.
결과를 도 24a 및 도 24b 에 나타낸다.
도 24a 및 도 24b 에 나타내는 바와 같이, 실시예 5 에 관련된 메타머티리얼층은, 주파수 400 ∼ 8000 ㎒ 의 전자파를 투과시킬 수 있는 것이 판명되었다.
1, 101, 201, 301A, 301B, 401, 501, 601, 701, 801A, 801B : 전자파 실드 필름
10 : 메타머티리얼층
10a, 10a1, 10a2, 50a : 제 1 주면
10b, 10b1, 10b2, 50b : 제 2 주면
11 : 도전성 영역
11a, 11a1, 11a2, 11b, 11b1, 11b2 : 소정 패턴 (C 자상 패턴)
11a11, 11a12, 11a21, 11a22, 11a23 : 패턴
12 : 비도전성 영역
12a, 12a1, 12a2, 12a3 : 비도전성 시트
12ai : C 자상의 소정 패턴의 내측의 부분
12aО : C 자상의 소정 패턴의 내측 이외의 부분
20, 60 : 접착제층
30, 70 : 보호층
40, 80 : 도전층
50 : 메타머티리얼층
51 : 도전성 영역
51a : 도전성 시트
52 : 비도전성 영역
52a, 52b : 소정 패턴 (C 자상 패턴)
55 : 관통공
91 : 네트워크 애널라이저
92 : 마이크로스트립 라인
93 : 자계 프로브
10 : 메타머티리얼층
10a, 10a1, 10a2, 50a : 제 1 주면
10b, 10b1, 10b2, 50b : 제 2 주면
11 : 도전성 영역
11a, 11a1, 11a2, 11b, 11b1, 11b2 : 소정 패턴 (C 자상 패턴)
11a11, 11a12, 11a21, 11a22, 11a23 : 패턴
12 : 비도전성 영역
12a, 12a1, 12a2, 12a3 : 비도전성 시트
12ai : C 자상의 소정 패턴의 내측의 부분
12aО : C 자상의 소정 패턴의 내측 이외의 부분
20, 60 : 접착제층
30, 70 : 보호층
40, 80 : 도전층
50 : 메타머티리얼층
51 : 도전성 영역
51a : 도전성 시트
52 : 비도전성 영역
52a, 52b : 소정 패턴 (C 자상 패턴)
55 : 관통공
91 : 네트워크 애널라이저
92 : 마이크로스트립 라인
93 : 자계 프로브
Claims (21)
- 제 1 주면 및 상기 제 1 주면에 대향하는 제 2 주면을 갖는 메타머티리얼층과, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 2 주면측에 형성된 접착제층을 구비하고,
상기 메타머티리얼층을 상기 제 1 주면측 및/또는 상기 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때에, 상기 메타머티리얼층은, 도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 도전성 영역과, 상기 도전성 영역 이외의 비도전성 영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 실드 필름. - 제 1 항에 있어서,
상기 소정 패턴은, 직선상, 곡선상, 다각형상, 원상, 타원상, 링상, C 자상, コ 자, L 자상, 크랭크상 및 예루살렘 크로스상으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 패턴인 전자파 실드 필름. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 비도전성 영역은, 수지 조성물로 이루어지는 비도전성 시트로 구성되고,
상기 소정 패턴은, 상기 비도전성 시트에 매립되도록 형성되어 있는 전자파 실드 필름. - 제 3 항에 있어서,
상기 수지 조성물의 비유전율은, 1 ∼ 20000 인 전자파 실드 필름. - 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 수지 조성물은, 필러를 포함하는 전자파 실드 필름. - 제 5 항에 있어서,
상기 필러는, 유기 필러 및/또는 무기 필러인 전자파 실드 필름. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착제층은, 도전성 접착제층인 전자파 실드 필름. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착제층과 상기 메타머티리얼층 사이에는 도전층 및/또는 자성체층이 형성되어 있는 전자파 실드 필름. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면측에 도전층 및/또는 자성체층이 형성되어 있는 전자파 실드 필름. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면측에 보호층이 형성되어 있는 전자파 실드 필름. - 제 1 주면 및 상기 제 1 주면에 대향하는 제 2 주면을 갖는 메타머티리얼층과, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 2 주면측에 형성된 접착제층을 구비하고,
상기 메타머티리얼층을 상기 제 1 주면측 및/또는 상기 제 2 주면측으로부터 평면에서 봤을 때에, 상기 메타머티리얼층은, 비도전성을 갖는 재료에 의해 형성된 소정 패턴이 주기적으로 배열된 비도전성 영역과, 상기 비도전성 영역 이외의 도전성 영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 실드 필름. - 제 11 항에 있어서,
상기 소정 패턴은, 직선상, 곡선상, 다각형상, 원상, 타원상, 링상, C 자상, コ 자, L 자상, 크랭크상 및 예루살렘 크로스상으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 패턴인 전자파 실드 필름. - 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 도전성 영역은, 도전성을 갖는 재료로 이루어지는 도전성 시트로 구성되고,
상기 소정 패턴은, 상기 도전성 시트에 매립되도록 형성되어 있는 전자파 실드 필름. - 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비도전성을 갖는 재료의 비유전율은, 1 ∼ 20000 인 전자파 실드 필름. - 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비도전성을 갖는 재료는, 필러를 포함하는 전자파 실드 필름. - 제 15 항에 있어서,
상기 필러는, 유기 필러 및/또는 무기 필러인 전자파 실드 필름. - 제 11 항에 있어서,
상기 소정 패턴의 윤곽은, 상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면으로부터 상기 제 2 주면을 관통하는 관통공에 의해 형성되어 있는 전자파 실드 필름. - 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착제층은, 도전성 접착제층인 전자파 실드 필름. - 제 11 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착제층과 상기 메타머티리얼층 사이에 도전층 및/또는 자성체층이 형성되어 있는 전자파 실드 필름. - 제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면측에 도전층 및/또는 자성체층이 형성되어 있는 전자파 실드 필름. - 제 11 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메타머티리얼층의 상기 제 1 주면측에 보호층이 형성되어 있는 전자파 실드 필름.
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| JP4131833B2 (ja) | 2003-05-13 | 2008-08-13 | 日本電信電話株式会社 | 光増幅装置およびそれを用いた光中継伝送方式 |
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