TW202303740A - 加工方法及切削裝置 - Google Patents

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cutting
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cut
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須田智子
岩崎健一
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]可以抑制晶片的可靠性的降低與連接不良。 [解決手段]一種加工方法，包含以下步驟：半切步驟，使第1刀片切入封裝基板，並沿著分割預定線以第1刀片來切削封裝基板，而形成第1切削溝，並且在第1切削溝之下形成切剩部；全切步驟，在實施半切步驟後，以比第1刀片更薄之第2刀片，沿著第1切削溝來切削切剩部；及前端形狀確認步驟，確認第1刀片的前端的形狀。在半切步驟中，依據在前端形狀確認步驟中所確認出之第1刀片的前端的形狀、與第2刀片的刀刃厚度，來使第1刀片朝封裝基板切入到缺口部的深度成為預定的深度之切入深度。

Description

加工方法及切削裝置
本發明是有關於一種以厚度不同的2種刀片對封裝基板進行階梯切割(step cut)，來形成在側面形成有階梯狀的缺口部之晶片(封裝)之加工方法及切削裝置。
隨著近年的電氣機器的小型化，封裝尺寸也持續進行小型化，且封裝基板的電極面積變得越來越小。於是，為了強化和組裝基板之接合，又，為了提高接合狀態的視覺辨識性，稱為可潤濕側翼(wettable flank)之封裝已被廣泛地採用。
可潤濕側翼封裝是藉由以下方式來形成：以刀片對封裝基板的分割預定線進行半切(half cut)，而將到電極的厚度方向中途露出於切斷面之後，對電極施行鍍敷，接著以寬度比半切溝更狹窄的刀片進行全切(full cut)(參照例如專利文獻1)。
可潤濕側翼封裝是以在電極側面切入切口並施行鍍敷之作法來提升焊料之潤濕性。此外，藉由在側面形成階梯狀的缺口部，並藉由在組裝時供給至缺口部之焊料會形成被稱為填角(fillet)之如富士山的山腳之隆起，變得可進行為了可以自上表面或側面目視辨識焊料的接合狀態而由相機所進行之外觀檢查。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2020-161615號公報
發明欲解決之課題
另一方面，因為切削刀片會伴隨於磨耗而在前端形成R形狀，所以若在半切用的刀片的前端形成有R形狀的狀態下不改變切入深度地繼續切削，會導致形成於晶片(封裝)側面之缺口部的深度改變。
若缺口部的深度改變，會產生在組裝時露出於封裝側面之焊料連接部即填角無法從組裝基板形成到充分的高度而使檢查的可靠性降低之疑慮、或導致連接不良之問題。
據此，本發明之目的在於提供一種可以抑制晶片的可靠性的降低與連接不良之加工方法及切削裝置。 用以解決課題之手段
根據本發明的一個層面，可提供一種加工方法，其對設定有交叉之複數條分割預定線之封裝基板於以第1刀片進行半切之後，以刀刃厚度比該第1刀片更薄之第2刀片進行全切，藉此形成於側面形成有階梯狀的缺口部之晶片，前述加工方法具備以下步驟： 半切步驟，使該第1刀片切入該封裝基板，並沿著該分割預定線以該第1刀片來切削該封裝基板，而形成第1切削溝，並且在該第1切削溝之下形成切剩部； 全切步驟，在實施該半切步驟後，以比該第1刀片更薄之該第2刀片，沿著該第1切削溝來切削該切剩部；及 前端形狀確認步驟，確認該第1刀片的前端形狀， 在該半切步驟中，依據在該前端形狀確認步驟中所確認出之該第1刀片的前端形狀、與該第2刀片的刀刃厚度，來使該第1刀片朝該封裝基板切入到該缺口部的深度成為預定的深度之切入深度。
較佳的是，該前端形狀確認步驟是在該封裝基板的上表面以該第1刀片形成切削痕跡，並依據該切削痕跡來確認該第1刀片的前端形狀。
較佳的是，加工方法更具備有平坦化步驟，前述平坦化步驟是在預定的時間點修正該第1刀片的前端來進行平坦化。
根據本發明的另一個層面，可提供一種切削裝置，其對設定有交叉之複數條分割預定線之封裝基板於以第1刀片進行半切之後，以刀刃厚度比該第1刀片更薄之第2刀片進行全切，藉此形成於側面形成有階梯狀的缺口部之晶片，前述切削裝置具備：工作台，保持該封裝基板；第1切削單元，具有第1刀片，前述第1刀片沿著該分割預定線來切削該封裝基板而形成第1切削溝，並且在該第1切削溝之下形成切剩部；第2切削單元，具有沿著該第1切削溝來切削該切剩部之比該第1刀片更薄的該第2刀片；拍攝單元，拍攝使該第1刀片切入切削對象物而形成之切削痕跡；及控制單元，控制前述各構成要素， 控制單元包含：推定部，依據該拍攝單元所拍攝而得到之圖像來推定該第1刀片的前端形狀；及計算部，依據該推定部所推定出之該第1刀片的前端形狀、與第2刀片的刀刃厚度，來計算該缺口部的深度成為預定的深度之第1刀片的切入深度。 發明效果
根據本發明，會發揮以下效果：可以抑制晶片的可靠性的降低與連接不良。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明的實施形態，一面參照圖式一面詳細地說明。本發明並非因以下的實施形態所記載之內容而受到限定之發明。又，在以下所記載之構成要素中，包含所屬技術領域中具有通常知識者可以容易地設想得到的構成要素、實質上相同的構成要素。此外，以下所記載之構成是可適當組合的。又，在不脫離本發明之要旨的範圍內，可進行構成之各種省略、置換或變更。
依據圖式來說明本發明的實施形態之加工方法及切削裝置1。圖1是顯示實施形態之切削裝置的構成例的立體圖。圖2是實施形態之加工方法及切削裝置之加工對象的封裝基板的平面圖。圖3是圖2所示之封裝基板的側面圖。圖4是圖2所示之封裝基板的背面側的平面圖。圖5是將圖2所示之封裝基板分割而得之封裝晶片的立體圖。圖6是顯示圖1所示之切削裝置的第1切削單元以及第2切削單元等的正面圖。
實施形態之圖1所示之切削裝置是對圖2、圖3以及圖4所示之基板即封裝基板200施行切削加工，並將封裝基板200分割成圖5所示之一個個的封裝晶片201(相當於晶片)，來形成封裝晶片201之加工裝置。
(封裝基板) 如圖2所示，實施形態之切削裝置1之加工對象的封裝基板200是形成為平面形狀為矩形之平板狀。封裝基板200具備矩形的平板狀的基底基板202，並且在基底基板202的正面203具有器件區域204、與圍繞器件區域204之外周剩餘區域205。再者，基底基板202的正面203相當於封裝基板200的上表面。基底基板202是由包含銅之金屬(亦即，銅合金)等之金屬所構成。
器件區域204設定有相互交叉之複數條分割預定線206。相互交叉之複數條分割預定線206當中的一個方向的分割預定線206是在和基底基板202的長邊方向平行的方向上伸長，另一個方向的分割預定線206是在相對於基底基板202的長邊方向正交且和基底基板202的寬度方向平行的方向上伸長。在被這些相互交叉之複數條分割預定線206所區劃出之區域207配設有器件晶片208。分割預定線206是貫通於基底基板202而構成。區域207是藉由基底基板202的一部分所構成，且在正面203的背側之背面210(顯示於圖4等)側配設器件晶片208。於各分割預定線206設置有用於將封裝晶片201連接於配線基板等的電極209。
電極209是藉由基底基板202的一部分所構成，在實施形態中，分別設置在分割預定線206的寬度方向的中央，並且朝和各分割預定線206正交之方向形成為直線狀。電極209是藉由未圖示之線材(wire)等而和器件晶片208連接。
在實施形態中，器件區域204在基底基板202的長邊方向上隔著間隔而配設有複數個(在實施形態中為3個)。外周剩餘區域205是未配設有器件晶片208之區域，且藉由基底基板202所構成，並圍繞各器件區域204的全周，並且將相互相鄰之器件區域204彼此連結。
又，如圖3以及圖4所示，封裝基板200具備將各器件區域204的背面210側密封(被覆)之密封樹脂211。密封樹脂211是由熱可塑性樹脂所構成，且將配設於基底基板202的區域207的背面210之器件晶片208以及線材密封(被覆)，並且充填於分割預定線206內。密封樹脂211在基底基板202的背面210側已將各器件區域204整體密封(被覆)。密封樹脂211在基底基板202的正面203側，是以使配設有器件晶片208之區域207與電極209露出之狀態來將分割預定線206內密封。
封裝基板200是各器件區域204的各分割預定線206的寬度方向的中央被切斷，且電極209被分割為二，而分割成圖5所示之一個個的封裝晶片201。如此，實施形態之加工方法及切削裝置1的加工對象即封裝基板200，是在可被切削刀片21切削之分割預定線206配置有由金屬所構成之電極209之QFN基板。再者，在實施形態中，封裝基板200可為在分割預定線206配置有電極209之QFN(方形扁平無引線封裝，Quad Flat Non-leaded Package)基板、或不限定於此，而亦可為CSP(晶片尺寸封裝，Chip Scale Packaging)基板。又，在實施形態中，從封裝基板200所分割之封裝晶片201是各邊的長度為1mm×1mm左右的大小，亦即晶片尺寸較小之小晶片。
又，在實施形態中，如圖2所示，封裝基板200在基底基板202的正面203的分割預定線206的兩端部設置有表示切削加工時的分割預定線206的切削位置之校準用的標記212。在實施形態中，校準用的標記212已配置在和各分割預定線206的寬度方向的中央排列之位置上。
如圖5所示，封裝基板200被分割而製造之封裝晶片201具備基底基板202的區域207、已配設在區域207的背面210上之器件晶片208、電極209、與密封樹脂211。密封樹脂211是在使區域207的正面203以及電極209露出的狀態下密封器件晶片208等。
又，在實施形態中為：封裝晶片201在各側面213形成有階梯狀的缺口部214，且缺口部214和側面213平行且在對正面203與背面210之雙方正交的方向上呈平坦，並且具備正面203側的第2側面213-1、及和第2側面213-1與側面213相連之平坦面213-2。平坦面213-2是沿著正面203與背面210之雙方呈平坦地形成。缺口部214在形成有電極209之區域中，僅形成於電極209，而未形成於密封樹脂211。缺口部214的深度215是被比電極209的厚度更小之在事先設計階段等所設定之預定的深度219所決定。
又，封裝晶片201在電極209的正面具備有由金屬所構成之未圖示的鍍敷層。鍍敷層是以下之構成：提升將封裝晶片201固定於組裝基板之焊料對電極209的潤濕性。封裝晶片201是電極209可被焊料固定在組裝基板之未圖示的金屬部分而可組裝到組裝基板。
(切削裝置) 實施形態之切削裝置1是將封裝基板200保持於工作台10並沿著複數條分割預定線206進行切削加工之加工裝置。在實施形態中為：切削裝置1是將未貼附有切割膠帶之封裝基板200直接保持在工作台10，並對封裝基板200進行所謂全切來分割成封裝晶片201之加工裝置(所謂的治具切割機)。
如圖1所示，切削裝置1具備：以保持面11吸引保持封裝基板200之工作台10、副工作夾台15、對已保持在工作台10之封裝基板200進行切削加工之切削單元20、對已保持在工作台10之封裝基板200進行攝影之拍攝單元30、及控制單元100。如圖1以及圖6所示，切削裝置1是具備有二個切削單元20，即雙主軸的切割機(dicer)，也就是所謂的對向式雙主軸(Facing dual type)之切削裝置。
又，如圖1所示，切削裝置1具備移動單元40，前述移動單元40使工作台10與切削單元20相對地移動。移動單元40具備X軸移動單元41、Y軸移動單元42、Z軸移動單元43與旋轉移動單元44。
X軸移動單元41是藉由使工作台10以及旋轉移動單元44在加工進給方向即和水平方向平行之X軸方向上移動，而使切削單元20與工作台10沿著X軸方向相對地移動之單元。Y軸移動單元42是藉由使切削單元20在分度進給方向即和水平方向平行且相對於X軸方向正交之Y軸方向上移動，而使切削單元20與工作台10沿著Y軸方向相對地移動之單元。
Z軸移動單元43是藉由使切削單元20在切入進給方向即相對於X軸方向與Y軸方向之雙方正交之Z軸方向上移動，而使切削單元20與工作台10沿著Z軸方向相對地移動之單元。旋轉移動單元44被X軸移動單元41所支撐，且支撐工作台10，而以和工作台10一起在X軸方向上移動自如的方式配設。旋轉移動單元44使工作台10以繞著和Z軸方向平行的軸心的方式旋轉。
X軸移動單元41、Y軸移動單元42以及Z軸移動單元43均具備習知的滾珠螺桿、習知的馬達以及習知的導軌，前述滾珠螺桿是繞著軸心旋轉自如地設置，前述馬達使滾珠螺桿繞著軸心旋轉，前述導軌將工作台10或切削單元20支撐成在X軸方向、Y軸方向或Z軸方向上移動自如。又，旋轉移動單元44具備使工作台10繞著軸心旋轉之馬達。
工作台10以上表面即保持面11吸引保持封裝基板200。工作台10藉由旋轉移動單元44而繞著和Z軸方向平行的軸心旋轉。工作台10和旋轉移動單元44一起藉由X軸移動單元41而在X軸方向上移動。
工作台10是保持面11被切削加工時供切削刀片21侵入之退刀溝12區劃成複數個區域，且在保持面11的被退刀溝12所區劃出之區域中各自開口有用於吸引封裝基板200以及封裝晶片201之吸引孔13。退刀溝12設置在對應於分割預定線206之位置(和已保持在保持面11之封裝基板200的分割預定線206重疊之位置)且以從保持面11凹陷的方式形成。
吸引孔13是設置在和封裝晶片201對應之位置(亦即，和已保持在保持面11之封裝基板200的封裝晶片201重疊之位置)，且在保持面11的各區域開口。在實施形態中，吸引孔13和封裝晶片201以1對1方式對應。吸引孔13已透過未圖示之吸引路而連接於吸引源。
工作台10在保持面11載置封裝基板200的密封樹脂211側。工作台10藉由吸引源對吸引孔13進行吸引，藉此，將封裝基板200以及封裝晶片201吸引保持於保持面11。在實施形態中 ，工作台10雖然是將未貼附切割膠帶之封裝基板200直接吸引保持在保持面11之所謂的治具工作台，但在本發明中並非限定於治具工作台。
副工作夾台15設置於相鄰於工作台10之位置，並以保持面16吸引保持磨刀板(dressing board)250。磨刀板250是藉由被切削刀片21切削而磨耗切削刀片21的切刃的前端，且可在將切刃的前端形成為沿著切削單元20的軸心方向呈平坦之平直修整(flat dress)上使用。
副工作夾台15和工作台10以及旋轉移動單元44一起藉由X軸移動單元41而在X軸方向上移動。副工作夾台15藉由旋轉移動單元44而和工作台10一起繞著軸心旋轉。
切削單元20是在主軸23裝設切削刀片21，且對已保持在工作台10之封裝基板200進行切削之加工單元。切削單元20相對於已保持在工作台10之封裝基板200，分別藉由Y軸移動單元42而在Y軸方向上移動自如地設置，且藉由Z軸移動單元43而在Z軸方向上移動自如地設置。如圖1所示，切削單元20是透過Y軸移動單元42以及Z軸移動單元43等而設置在從裝置本體2豎立設置之支撐框架3。切削單元20是藉由Y軸移動單元42以及Z軸移動單元43，而變得可將切削刀片21定位到工作台10的保持面11的任意的位置。
切削單元20具有切削刀片21、藉由Y軸移動單元42以及Z軸移動單元43而在Y軸方向以及Z軸方向上移動自如地設置之主軸殼體22、以可繞著軸心旋轉的方式設置在主軸殼體22且在前端裝設切削刀片21之主軸23、使主軸23繞著軸心旋轉之未圖示的主軸馬達、及對切削刀片21供給切削水之切削水噴嘴。
切削刀片21是具有大致環形形狀之極薄的切削磨石。切削刀片21固定在主軸23的前端。在實施形態中為：切削刀片21是具備圓環狀的圓形基台、與配設在圓形基台的外周緣來切削封裝基板200之圓環狀的切刃之所謂的輪轂型刀片(hub blade)。切刃是由SiC(碳化矽)、氧化鋁、鑽石或CBN(立方氮化硼，Cubic Boron Nitride)等之磨粒、與金屬或樹脂等之固定磨粒的黏結劑(結合材)所構成，且形成為預定厚度。再者，在本發明中，切削刀片21亦可是只以切刃所構成之所謂的墊圈型刀片(washer blade)。
又，以下，將二個切削單元20當中的一個記載為第1切削單元20(以符號20-1來表示)，並將另一個記載為第2切削單元20(以符號20-2來表示)。又，以下，如圖6所示，將第1切削單元20-1的切削刀片21記載為第1刀片21(以符號21-1來表示)，並將第2切削單元20-2的切削刀片21記載為第2刀片21(以符號21-2來表示)。又，第2切削單元20-2的第2刀片21-2的切刃的刀刃厚度25-2比第1切削單元20-1的第1刀片21-1的切刃的刀刃厚度25-1更薄。又，在實施形態中，刀片21-1、21-2若重複進行封裝基板200的切削，切刃會從前端側逐漸地磨耗，且角會被去除而形成為曲面(R形狀)。
拍攝單元30是固定於第1切削單元20-1，以和第1切削單元20-1一體地移動。拍攝單元30具備有對已保持在工作台10之切削前的封裝基板200的應分割之區域進行攝影的拍攝元件。拍攝元件可為例如CCD(電荷耦合器件，Charge-Coupled Device)拍攝元件或CMOS(互補式金屬氧化物半導體，Complementary MOS)拍攝元件。拍攝單元30對已保持在工作台10之封裝基板200進行攝影，而得到用於完成校準等之圖像，並將所得到的圖像輸出至控制單元100，其中前述校準是進行封裝基板200與切削刀片21之對位。
又，切削裝置1具備未圖示之X軸方向位置檢測單元、未圖示之Y軸方向位置檢測單元與Z軸方向位置檢測單元，前述X軸方向位置檢測單元是用於檢測工作台10的X軸方向之位置，前述Y軸方向位置檢測單元是用於檢測切削單元20-1、20-2的Y軸方向之位置，前述Z軸方向位置檢測單元是用於檢測切削單元20-1、20-2的Z軸方向之位置。X軸方向位置檢測單元以及Y軸方向位置檢測單元可以藉由和X軸方向或Y軸方向平行之線性標度尺、與讀取頭來構成。Z軸方向位置檢測單元是利用馬達的脈衝來檢測切削單元20-1、20-2的Z軸方向之位置。X軸方向位置檢測單元、Y軸方向位置檢測單元以及Z軸方向位置檢測單元會將工作台10的X軸方向、切削單元20-1、20-2的切刃的下端的Y軸方向或Z軸方向之位置輸出至控制單元100。
再者，在實施形態中，切削裝置1的工作台10以及切削單元20-1、20-2的X軸方向之位置、Y軸方向以及Z軸方向之位置可依據事先決定之未圖示的基準位置來決定。
控制單元100也是以下之單元：分別控制切削裝置1之包含第1切削單元20-1、第2切削單元20-2與拍攝單元30之各構成要素，而使切削裝置1實施對封裝基板200之加工動作。再者，控制單元100是具有運算處理裝置、記憶裝置與輸入輸出介面裝置之電腦，前述運算處理裝置具有CPU(中央處理單元，central processing unit)之類的微處理器，前述記憶裝置具有ROM(唯讀記憶體，read only memory)或RAM(隨機存取記憶體，random access memory)之類的記憶體。控制單元100的運算處理裝置會依照已記憶於記憶裝置之電腦程式來實施運算處理，並透過輸入輸出介面裝置將用於控制切削裝置1的控制訊號輸出至切削裝置1的各構成要素。
控制單元100已和顯示單元、輸入單元相連接，前述顯示單元是藉由顯示加工動作之狀態或圖像等的液晶顯示裝置等來構成，前述輸入單元可在操作人員登錄加工內容資訊等之時使用。輸入單元是由設置於顯示單元之觸控面板所構成。
又，如圖1所示，控制單元100具備推定部101、計算部102、與控制切削裝置1的各構成要素的加工動作之加工控制部103。推定部101、計算部102與加工控制部103的功能可藉由運算處理裝置依照已記憶於記憶裝置之電腦程式來實施運算處理而實現。
實施形態之加工方法是以下之加工方法：切削裝置1對封裝基板200於以第1刀片21-1進行半切後，以刀刃厚度25-2比第1刀片21-1更薄之第2刀片21-2進行全切，藉此形成在側面213形成有階梯狀的缺口部214之封裝晶片201。亦即，實施形態之加工方法亦為切削裝置1的加工動作。圖7是顯示實施形態之加工方法的流程的流程圖。如圖7所示，實施形態之加工方法具備半切步驟1002、全切步驟1003、前端形狀確認步驟1005與平坦化步驟1007等。
切削裝置1在工作台10的保持面11載置封裝基板200的密封樹脂211，且在副工作夾台15的保持面16載置磨刀板250。切削裝置1是當控制單元100受理從輸入單元等所輸入之加工條件，且控制單元100受理來自操作人員等的加工開始指示後，會實施加工動作亦即加工方法。再者，加工條件包含：各刀片21-1、21-2的刀刃厚度25-1、25-2、第1刀片21-1的切入深度26(示於圖8)、缺口部214的深度215之在事先設計階段等所設定之預定的深度219、電極209的厚度、以及第1刀片21-1的種類、封裝基板200的種類等。再者，加工條件的切入深度26比電極209的厚度更小，且和缺口部214的深度215之在事先設計階段等所設定之預定的深度219相同。
當開始加工動作時，切削裝置1會讓切削單元20-1、20-2的主軸23(亦即切削刀片21-1、21-1)繞著軸心旋轉，並且將封裝基板200吸引保持在工作台10的保持面11，並且將磨刀板250吸引保持在副工作夾台15的保持面16。又，當開始加工動作後，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103會判定是否為確認第1刀片21-1的切刃的前端的形狀之時間點(步驟1001)。再者，確認第1刀片21-1的切刃的前端的形狀之時間點是根據封裝基板200以及第1刀片21-1的種類等而決定。切削裝置1在控制單元100的加工控制部103判定為並非確認第1刀片21-1的切刃的前端的形狀之時間點(步驟1001：否)時，會前進到半切步驟1002。
(半切步驟) 圖8是示意地顯示圖7所示之加工方法的半切步驟的剖面圖。半切步驟1002是使第1刀片21-1切入封裝基板200，並以第1刀片21-1沿著分割預定線206切削封裝基板200來形成第1切削溝216，並且在第1切削溝216之下形成切剩部217之步驟。亦即，在半切步驟1002中，第1刀片21-1是沿著分割預定線206來切削封裝基板200而形成第1切削溝216，並且在第1切削溝216之下形成切剩部217。
在半切步驟1002中，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103控制移動單元40，使工作台10移動到拍攝單元30的下方，並以拍攝單元30拍攝封裝基板200的標記212，來完成校準，前述校準是進行刀片21-1、21-2與分割預定線206之對位。在半切步驟1002中，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103控制各構成要素，而一邊使工作台10與切削單元20-1的第1刀片21-1沿著X軸方向與Y軸方向等相對地移動，一邊使第1刀片21-1的切刃在一條分割預定線206的寬度方向的中央，切入在加工條件中所決定之切入深度26量。在半切步驟1002中，如圖8所示，切削裝置1以第1刀片21-1切削封裝基板200的分割預定線206，而在分割預定線206形成第1切削溝216，並且在第1切削溝216之下形成切剩部217。
在實施形態中為：在半切步驟1002中，切削裝置1使第1刀片21-1的切刃的前端切入至各電極209的厚度方向的中央之切入深度26量，而在分割預定線206的電極209也形成第1切削溝216。再者，第1切削溝216由於是使第1刀片21-1的切刃的前端切入至電極209的厚度方向的中央而形成，因此是未將電極209以及封裝基板200分割之溝即半切溝。
在實施形態中，雖然在半切步驟1002中，是切削裝置1對已吸引保持在工作台10之封裝基板200的分割預定線206當中的一條分割預定線206形成第1切削溝216，但是在本發明中，亦可對在加工條件等中所決定之數量的分割預定線206依序形成第1切削溝216。在實施形態中為：當在半切步驟1002中，切削裝置1對已吸引保持在工作台10之封裝基板200的分割預定線206當中的一條分割預定線206形成第1切削溝216後，即前進至全切步驟1003。
(全切步驟) 圖9是示意地顯示圖7所示之加工方法的全切步驟的剖面圖。全切步驟1003是在實施半切步驟1002後，以刀刃厚度25-2比第1刀片21-1更薄之第2刀片21-2沿著第1切削溝216切削切剩部217之步驟。亦即，在全切步驟1003中，第2刀片21-2是沿著第1切削溝216切削切剩部217之刀刃厚度25-2比第1刀片21-1更薄的切削刀片。
在全切步驟1003中，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103控制各構成要素，而一邊使工作台10與切削單元20-2的第2刀片21-2沿著X軸方向與Y軸方向等相對地移動，一邊使第2刀片21-2的切刃朝形成於一條分割預定線206的寬度方向的中央之第1切削溝216之下的切剩部217切入至到達退刀溝12為止。在全切步驟1003中，是如圖9所示，切削裝置1以第2刀片21-2來切削形成於封裝基板200的分割預定線206之第1切削溝216之下的切剩部217的寬度方向的中央，而形成將切剩部217切削亦即切斷之第2切削溝218。在全切步驟1003中，是切削裝置1形成將切剩部217切削亦即切斷之第2切削溝218，而將封裝基板200分割成封裝晶片201。
此時，封裝基板200亦即封裝晶片201是藉由第1切削溝216而形成缺口部214，且藉由第2切削溝218而形成側面213。第1切削溝216的內表面會成為第2側面213-1，且第1切削溝216的底面會成為平坦面213-2，第2切削溝218的內表面會成為側面213，而形成為可藉由第1刀片21-1的切入深度26來決定缺口部214的深度215。
在實施形態中，雖然在全切步驟1003中，是切削裝置1對已吸引保持在工作台10之封裝基板200的已形成於分割預定線206當中的一條分割預定線206之第1切削溝216之下的切剩部217進行切削，但在本發明中，亦可對在加工條件等中所決定之數量的分割預定線206依序形成第1切削溝216。在此情況下，所期望的是，在全切步驟1003中，對在緊接在前之半切步驟1002中所形成之第1切削溝216之下的切剩部217進行切削。在實施形態中為：當在全切步驟1003中，切削裝置1對已吸引保持在工作台10之封裝基板200的已形成於分割預定線206當中的一條分割預定線206之第1切削溝216之下的切剩部217進行切削後，即前進至步驟1004。
切削裝置1會判定：控制單元100的加工控制部103是否已對封裝基板200的全部的分割預定線206在半切步驟1002中形成第1切削溝216，且在全切步驟1003中切削第1切削溝216之下的切剩部217，而將封裝基板200分割成一個個的封裝晶片201(步驟1004)。切削裝置1在判定為控制單元100的加工控制部103並未作成：對封裝基板200的全部的分割預定線206在半切步驟1002中形成第1切削溝216，且在全切步驟1003中切削第1切削溝216之下的切剩部217，而將封裝基板200分割成一個個的封裝晶片201(步驟1004：否)時，會返回到步驟1001。
切削裝置1在判定為：控制單元100的加工控制部103處於確認第1刀片21-1的切刃的前端的形狀之時間點(步驟1001：是)時，會前進至前端形狀確認步驟1005。在此，切削裝置1的切削單元20-1的第1刀片21-1在磨耗之前，是例如，如圖8及圖10所示，切刃的前端沿著主軸23的軸心呈平坦地形成，且前端的角的曲面28(也稱為R形狀)較小。再者，圖10是示意地顯示圖1所示之切削裝置的第1刀片的磨耗前之狀態的剖面圖。圖11是示意地顯示圖10所示之第1刀片磨耗後之狀態的剖面圖。圖12是示意地顯示圖11所示之第1刀片進一步磨耗後之狀態的剖面圖。
若重複進行分割預定線206的切削，第1刀片21-1會磨耗，且例如，如圖11所示，切刃的前端的角的曲面28會逐漸地變大，且曲面28與沿著主軸23的軸心呈平坦的面之交界27會逐漸地朝向切刃的厚度方向的中央移動。若第1刀片21-1的交界27位於以第2刀片21-2所形成之第2切削溝218的外側時，切入深度26與缺口部214的深度215會變得相等，而可以形成預定的深度219的缺口部214。又，若第1刀片21-1的交界27位於以第2刀片21-2所形成之第2切削溝218的內側時，缺口部214的深度215會變得比切入深度26更小，而成為以下情形：形成比預定的深度219更小之深度215的缺口部214。
又，若第1刀片21-1進一步磨耗，例如，如圖12所示，會在切刃的前端變得沒有沿著軸心呈平坦的面，而有前端形成為朝外周方向凸起之彎曲的曲面之情形。如此一來，缺口部214的深度215會變得比切入深度26更小，導致形成深度215比預定的深度219更小之缺口部214。
在實施形態中為：對步驟1001之第1刀片21-1的切刃的前端的形狀進行確認之時間點是第1刀片21-1如例如圖12所示地磨耗，而使缺口部214的深度215變得比切入深度26更小之前的時間點，且是例如前述之交界27侵入到第2切削溝218的內側之前(緊接在前)的時間點。在實施形態為：對步驟1001之第1刀片21-1的切刃的前端的形狀進行確認之時間點是以封裝基板200以及第1刀片21-1的種類等來決定，且為於加工方法的開始後或前次的前端形狀確認步驟1005的實施後切削了預定條數的分割預定線206後等之時間點。
(前端形狀確認步驟) 圖13是示意地且以局部剖面方式顯示在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，使第1刀片的切刃切入封裝基板的基底基板的外周剩餘區域之狀態的側面圖。圖14是在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，形成有切削痕跡之封裝基板的基底基板的外周剩餘區域的平面圖。圖15是顯示在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，拍攝單元拍攝切削痕跡而得到的圖像的圖。圖16是顯示在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，將圖15所示之圖像的長度縮小而生成之第1刀片的切刃的前端的圖像的圖。圖17是形成有圖14所示之切削痕跡之第1刀片的切刃的前端的剖面圖。圖18是和圖14所示之切削痕跡的長邊方向平行的縱剖面圖。圖19是示意地顯示在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，所計算出之切入深度等的剖面圖。
前端形狀確認步驟1005是確認第1刀片21-1的切刃的前端的形狀之步驟。在實施形態中，在前端形狀確認步驟1005中，切削裝置1是控制單元100的推定部101控制移動單元40等，並如圖13所示地將第1刀片21-1定位在封裝基板200的切削對象物即外周剩餘區域205的基底基板202的上方，且使旋轉中的第1刀片21-1沿著Z軸方向下降而使第1刀片21-1的切刃的前端切入後，使第1刀片21-1沿著Z軸方向上升。
如此一來，可在封裝基板200的外周剩餘區域205的基底基板202的正面203形成圖14所示之切削痕跡220。如此進行，在實施形態中，在前端形狀確認步驟1005中，是切削裝置1使第1刀片21-1切入封裝基板200的切削對象物即外周剩餘區域205的基底基板202的正面203，並以第1刀片21-1在正面203形成切削痕跡220。又，在實施形態中為：在前端形狀確認步驟1005中，藉由使第1刀片21-1相對於封裝基板200的外周剩餘區域205的基底基板202的正面203升降之所謂的斬切式切割(chopper cut)來形成切削痕跡220。切削痕跡220是沿著X軸方向延伸之從正面203凹陷之溝，且兩端221的形狀因應於第1刀片21-1的切刃的前端的形狀而彎曲。
又，由於藉由第1刀片21-1沿著Z軸方向進行升降而形成有切削痕跡220，因此切削痕跡220的兩端221是以隨著接近於兩端221而逐漸地接近於正面203之方式形成盡頭。切削痕跡220的兩端221會變得與第1刀片21-1的切刃的前端的形狀相等。
在前端形狀確認步驟1005中，切削裝置1是控制單元100的推定部101控制移動單元40等，來將切削痕跡220定位到拍攝單元30的下方。在前端形狀確認步驟1005中，切削裝置1是控制單元100的推定部101使拍攝單元30拍攝切削痕跡220，而得到於圖15顯示一例之圖像300。像這樣，拍攝單元30拍攝使第1刀片21-1切入封裝基板200的外周剩餘區域205的基底基板202而形成之切削痕跡220。
在前端形狀確認步驟1005中，切削裝置1是控制單元100的推定部101將圖像300的切削痕跡220的包含一端221之至少一部分的圖像之長度縮小，以使至少一部分的圖像之長度，成為從刀片21-1的切刃的前端的切線方向29(示於圖18)所觀看到之長度，而形成近似於第1刀片21-1的切刃的前端之圖像400。具體而言，控制單元100的推定部101是如圖15所示，將圖像300在切削痕跡220的長邊方向上分割。
在實施形態中，控制單元100的推定部101從切削痕跡220的一端221按可以用以下的式1來求出之每個長度L來將圖像300分割成複數個分割圖像301、302、303、304…。控制單元100事先記憶有以下的式1。控制單元100會求出對應於值α1(在式1中以α表示)之可以用式1來求出之包含切削痕跡220的一端221之分割圖像302的長度L1(在式1中以L表示)。其中，將值α1設為例如1μm，將R設為第1刀片21-1的半徑，且將d設為切削痕跡220的切入深度。再者，分割圖像302是包含切削痕跡220的一端221之切削痕跡220的一部分的圖像。
[數式1]
Figure 02_image001
…式1
控制單元100的推定部101將構成分割圖像302之像素的一部分去除成：分割圖像302的長度L(L1)成為值α1。此時，控制單元100按和長度L(L1)與值α1的長度之差距相應之每個間隔，來等間隔地去除像素。
其次，控制單元100將值α2設為例如1μm，將d設為切削痕跡220的切入深度，且將R設為R-α1，並使用式1來求出對應於值α2(在式1中以α表示)之分割圖像302的相鄰的分割圖像303的長度L(L2)。控制單元100的推定部101將構成分割圖像303之像素的一部分去除成：分割圖像303的長度L(L2)成為值α2。此外，控制單元100將值α3設為例如1μm，將d設為切削痕跡220的切入深度，且將R設為R-(α1+α2)，並使用式1來求出對應於值α3(在式1中是以α表示)之分割圖像303的相鄰的分割圖像304的長度L(L3)。控制單元100將構成分割圖像303之像素的一部分去除成：分割圖像304的長度L(L3)成為值α3。
如此進行，控制單元100的推定部101是進行：將圖像300分割成分割圖像301、302、303、…、30N，並求出對應於各值α1、α2、α3、…、αN之分割圖像302、303、304…30N的長度L1、L2、L3、…、LN。控制單元100的推定部101將全部的分割圖像302、303、304、…、30N的像素的一部分去除，而將長度縮小為值α1、α2、α3、…、αN。然後，控制單元100的推定部101將已縮小之分割圖像301、302、303、304、…、30N合併，而如圖16所示地將圖像300的長度縮小，而生成近似於第1刀片21-1的切刃的前端的形狀之圖像400。再者，圖16所示之圖像400中的切削痕跡220的形狀，和圖17所示之形成有切削痕跡220之第1刀片21-1的切刃的前端的截面形狀大致相等。
如此進行，在實施形態中為：在前端形狀確認步驟1005中，控制單元100的推定部101依據拍攝單元30所拍攝而得到之切削痕跡220的圖像300，來確認第1刀片21-1的切刃的前端的形狀。
其次，針對前述之式1進行說明。如圖18所示，拍攝單元30是從和封裝基板200的外周剩餘區域205的基底基板202的正面203正交之上方，來拍攝切削痕跡220的一端221。在圖18中，當將形成切削痕跡220的一端221時之第1刀片21-1的中心設為A，將從中心A朝Z軸方向延伸而和封裝基板200的正面203相交之點設為B，且將切削痕跡220的一端221設為C0時，可以用以下的式2來表示三角形ABC0的邊BC0之長度。
[數式2]
Figure 02_image003
…式2
在圖18中，若將與分割圖像302的切削痕跡220的一端221呈遠離之側的端設為C1，且將與分割圖像302的切削痕跡220的一端221呈遠離之側的端C1的第1刀片21-1的徑方向的切削痕跡220的深度設為α1(於式3中以α表示)，即可以用以下的式3來表示三角形ABC1的BC1的長度。
[數式3]
Figure 02_image005
…式3
並且，在圖18中，控制單元100的推定部101若將分割圖像302的切削痕跡220的長邊方向的長度設為L1(在式1中以L表示)，即可以從式2以及式3來得到式1。由於將切削痕跡220的深度即值α1設為1μm，且第1刀片21-1的半徑R以及切削痕跡220的切入深度d已事先決定，因此控制單元100的推定部101可以求出分割圖像302的切削痕跡220的長邊方向的長度L1。
並且，控制單元100的推定部101可以在式1中，將值α2設為1μm，並藉由將R設為R-α1，來求出分割圖像303的切削痕跡220的長邊方向的長度L2，且可以藉由將值α3設為1μm，並將R設為R-(α1+α2)，來求出分割圖像304之切削痕跡220的長邊方向的長度L3。控制單元100的推定部101可以同樣地求出全部的分割圖像302、303、304、…、30N的長度L1、L2、L3、…、LN。藉由將圖像300的分割圖像302、303、304、…、30N之長度L1、L2、L3、…、LN縮小為值α1、α2、α3、…、αN，而將各分割圖像302、303、304、…、30N之長度縮小成：各分割圖像302、303、304、…、30N的切削痕跡220之長度成為從第1刀片21-1的切刃的前端的切線方向29所觀看到之長度。
控制單元100的推定部101藉由將已縮小之分割圖像302、303、304、…、30N合併，而成為將圖像300之長度縮小成：圖像300的切削痕跡220之長度成為從切削痕跡220的一端221之切削刀片21的切刃的前端的切線方向29所觀看到之長度。因此，成為以下情形：近似於切削刀片21的外周形狀之圖像400，和從配置在切削痕跡220的一端221之切削刀片21的切線方向29上之拍攝單元30(圖18中以虛線表示)拍攝切削痕跡220的一端221而得到之圖像近似。
在前端形狀確認步驟1005中，控制單元100的計算部102是依據推定部101所推定出之第1刀片21-1的切刃的前端形狀與第2刀片21-2的刀刃厚度25-2，來計算缺口部214的深度215成為前述的預定的深度219之切入深度26-1。具體而言，由於第1切削溝216的內表面的形狀會和第1刀片21-1的切刃的前端的形狀同等，且第2切削溝218的內表面的形狀會和第2刀片21-2的切刃的前端的形狀同等，因此例如控制單元100的計算部102會依據推定部101所推定出之第1刀片21-1的切刃的前端形狀、與第2刀片21-2的刀刃厚度25-2，來求出第1切削溝216與第2切削溝218之交點，並計算此交點位於預定的深度219時之第1刀片21-1的切入深度26-1。
在前端形狀確認步驟1005中，控制單元100的計算部102會將所計算出之切入深度26-1作為新的加工條件來記憶到記憶裝置。在前端形狀確認步驟1005中，控制單元100的計算部102所計算出之切入深度26-1會比缺口部214的深度215的預定的深度219更大。在前端形狀確認步驟1005中，當控制單元100的計算部102將所計算出之切入深度26-1作為新的加工條件並記憶到記憶裝置後，會前進到步驟1006。
控制單元100的加工控制部103會判定是否為對第1刀片21-1的切刃的前端施行平直修整之預定的時間點(步驟1006)。控制單元100的加工控制部103會判定在前端形狀確認步驟1005中計算部102所計算出之切入深度26-1是否為和電極209的厚度相應之值以上。和電極209的厚度相應之值是指：在切削電極209而形成之第1切削溝216之下的切剩部217會殘留構成電極209之金屬之值，且可為例如電極209的厚度，亦可為比電極209的厚度稍微小之值。
控制單元100的加工控制部103若判定為在前端形狀確認步驟1005中計算部102所計算出之切入深度26-1小於和電極209的厚度相應之值時，會判定為並非對第1刀片21-1的切刃的前端施行平直修整之預定的時間點(步驟1006：否)，並返回到半切步驟1002。控制單元100的加工控制部103若判定為在前端形狀確認步驟1005中計算部102所計算出之切入深度26-1為和電極209的厚度相應之值以上時，會判定為對第1刀片21-1的切刃的前端施行平直修整之預定的時間點(步驟1006：是)，並前進到平坦化步驟1007。
(平坦化步驟) 平坦化步驟1007是在預定的時間點修正第1刀片21-1的切刃的前端的形狀而進行平坦化之步驟。在實施形態中為：在平坦化步驟1007中，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103控制移動單元40等，而將旋轉中之第1刀片21-1的切刃的前端，在和已保持在副工作夾台15之磨刀板250在Y軸方向上排列之位置且比磨刀板250的上表面更下方定位。
在實施形態中為：在平坦化步驟1007中，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103控制移動單元40等，而使第1切削單元20-1沿著Y軸方向朝接近於磨刀板250之方向移動，來使旋轉中之第1刀片21-1的切刃的前端切入磨刀板250的上表面。在實施形態中為：在平坦化步驟1007中，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103控制移動單元40等，而一邊使旋轉中之第1刀片21-1的切刃的前端切入磨刀板250的上表面一邊使第1切削單元20-1沿著Y軸方向移動，來施行將第1刀片21-1的切刃的前端形成為沿著軸心方向呈平坦之平直修整。在實施形態中為：在平坦化步驟1007中，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103控制移動單元40等使第1切削單元20-1沿著Y軸方向移動預定次數來對第1刀片21-1施行平直修整。
在實施形態中為：在平坦化步驟1007中，當切削裝置1對第1刀片21-1施行平直修整後，會返回到前端形狀確認步驟1005。再者，在實施形態中，切削裝置1雖然是在平坦化步驟1007後返回到前端形狀確認步驟1005，但在本發明中，亦可在平坦化步驟1007後返回到半切步驟1002。
在由步驟1004或步驟1006返回後之半切步驟1002中，切削裝置1是控制單元100的加工控制部103控制各構成要素，而一邊使工作台10與切削單元20-1的第1刀片21-1沿著X軸方向與Y軸方向等相對地移動，一邊使第1刀片21-1的切刃朝一條分割預定線206的寬度方向的中央，切入在前端形狀確認步驟1005中計算部102所計算出之切入深度26-1量。在半切步驟1002中，切削裝置1以第1刀片21-1切削封裝基板200的分割預定線206，而在分割預定線206形成第1切削溝216，並且在第1切削溝216之下形成切剩部217。如此，在由步驟1004或步驟1006返回後之半切步驟1002中，切削裝置1會使第1刀片21-1，以使缺口部214的深度215成為預定的深度219之切入深度26-1，來切入封裝基板200，其中前述切入深度26-1是依據在前端形狀確認步驟1005中確認出之第1刀片21-1的切刃的前端的形狀、與第2刀片21-2的刀刃厚度25-2所計算出之深度。
切削裝置1在控制單元100的加工控制部103判定為已對封裝基板200的全部的分割預定線206在半切步驟1002中形成第1切削溝216，並在全切步驟1003中切削第1切削溝216之下的切剩部217，而將封裝基板200分割成一個個的封裝晶片201(步驟1004：是)時，會結束加工動作亦即加工方法。
如以上，實施形態之加工方法及切削裝置1是在前端形狀確認步驟1005中確認第1刀片21-1的切刃的前端的形狀，並將第1刀片21-1的切入深度26-1設定成：由第1刀片21-1的切刃的前端的形狀與第2刀片21-2的刀刃厚度25-2所形成之缺口部214的深度215會成為預定的深度219。因此，實施形態之加工方法及切削裝置1可以抑制封裝晶片201的缺口部214的深度215與預定的深度219相差之誤差。其結果，實施形態之加工方法及切削裝置1會發揮以下效果：可以抑制封裝晶片201的檢查的可靠性的降低與連接不良。
又，實施形態之加工方法及切削裝置1，由於其結果是在預定的時間點在平坦化步驟1007中對第1刀片21-1施行平直修整來將第1刀片21-1的切刃的前端的形狀修正成平坦，因此可以穩定形成預定的深度219的缺口部214。一般而言，修正切削刀片的切刃的前端的形狀之平直修整會花費時間(重要的並非是將缺口部的側面形成為垂直)，而使生產性降低。然而，實施形態之加工方法及切削裝置1因為是依據第1刀片21-1的切刃的前端的形狀來改變切入深度26-1而形成預定的深度219之缺口部214，所以可以抑制平直修整的實施，並且可以抑制生產性的降低。
[變形例] 依據圖式來說明本發明的實施形態的變形例之加工方法及切削裝置1。圖20是示意地且以局部剖面方式顯示在實施形態的變形例之加工方法的前端形狀確認步驟中，使第1刀片的切刃切入封裝基板的基底基板的外周剩餘區域之狀態的側面圖。圖21是在實施形態的變形例之加工方法的前端形狀確認步驟中，形成有切削痕跡之封裝基板的基底基板的外周剩餘區域的平面圖。再者，圖20及圖21對和實施形態相同的部分是附加相同的符號而省略說明。
實施形態的變形例之加工方法及切削裝置1，除了在前端形狀確認步驟1005中形成切削痕跡220-1之方法不同以外，和實施形態相同。在變形例之加工方法的前端形狀確認步驟中，切削裝置1是如圖20所示，藉由和半切步驟1002同樣地對封裝基板200的分割預定線206切入第1刀片21-1，並使第1刀片21-1在外周剩餘區域205內上升之所謂的斬切式切割橫移(chopper cut traverse)，來形成圖21所示之切削痕跡220-1。在變形例中所形成之切削痕跡220-1，是從封裝基板200的外周剩餘區域205的基底基板202的外緣沿著X軸方向延伸而形成，且前端221形成為和實施形態同樣的形狀。在變形例之加工方法的前端形狀確認步驟中，切削裝置1是以拍攝單元30拍攝切削痕跡220-1的包含前端221之區域，並和實施形態同樣地確認形狀，來計算切入深度26-1。
變形例之加工方法及切削裝置1因為確認第1刀片21-1的切刃的前端的形狀，並將第1刀片21-1的切入深度26-1設定成使缺口部214的深度215成為預定的深度219，而和實施形態同樣地發揮以下效果：可以抑制封裝晶片201的檢查的可靠性的降低與連接不良。
再者，本發明並非限定於上述實施形態之發明。亦即，在不脫離本發明之要點的範圍內，可以進行各種變形來實施。在本發明中，加工方法及切削裝置1亦可先將作為切削對象物之矽片或磨刀板250保持在副工作夾台15，並在前端形狀確認步驟1005中使第1刀片21-1切入矽片或磨刀板250來形成切削痕跡220、220-1。又，在本發明中，不僅可在連續加工時補正切入深度26-1，亦可在更換第1刀片21-1且進行過磨刀之後，在實施半切步驟1002之前進行前端形狀確認步驟1005。在此情況下，亦可設成從經確認之第1刀片21-1的切刃的前端的形狀來調整半切步驟1002的切入深度26-1。
1:切削裝置 2:裝置本體 3:支撐框架 10:工作台 11,16:保持面 12:退刀溝 13:吸引孔 15:副工作夾台 20:切削單元 20-1:第1切削單元 20-2:第2切削單元 21:切削刀片 21-1:第1刀片 21-2:第2刀片 22:主軸殼體 23:主軸 25-1,25-2:刀刃厚度 26,26-1,d:切入深度 27:交界 28:曲面 29:切線方向 30:拍攝單元 40:移動單元 41:X軸移動單元 42:Y軸移動單元 43:Z軸移動單元 44:旋轉移動單元 100:控制單元 101:推定部 102:計算部 103:加工控制部 200:封裝基板 201:封裝晶片(晶片) 202:基底基板 203:正面(上表面) 204:器件區域 205:外周剩餘區域(切削對象物) 206:分割預定線 207:區域 208:器件晶片 209:電極 210:背面 211:密封樹脂 212:標記 213:側面 213-1:第2側面 213-2:平坦面 214:缺口部 215:深度 216:第1切削溝 217:切剩部 218:第2切削溝 219:預定的深度 220,220-1:切削痕跡 221:端 250:磨刀板 300,400:圖像 301~30N:分割圖像 1001,1004,1006:步驟 1002:半切步驟 1003:全切步驟 1005:前端形狀確認步驟 1007:平坦化步驟 A:中心 B:點 C0:切削痕跡的一端之點 C1~C3:端點 L,L1~LN:長度 R:第1刀片的半徑 X,Y,Z:方向 α1~αN:值(切削痕跡的深度)
圖1是顯示實施形態之切削裝置的構成例的立體圖。 圖2是實施形態之加工方法及切削裝置之加工對象的封裝基板的平面圖。 圖3是圖2所示之封裝基板的側面圖。 圖4是圖2所示之封裝基板的背面側的平面圖。 圖5是將圖2所示之封裝基板分割而得之封裝晶片的立體圖。 圖6是顯示圖1所示之切削裝置的第1切削單元以及第2切削單元等的正面圖。 圖7是顯示實施形態之加工方法的流程的流程圖。 圖8是示意地顯示圖7所示之加工方法的半切步驟的剖面圖。 圖9是示意地顯示圖7所示之加工方法的全切步驟的剖面圖。 圖10是示意地顯示圖1所示之切削裝置的第1刀片的磨耗前之狀態的剖面圖。 圖11是示意地顯示圖10所示之第1刀片磨耗後之狀態的剖面圖。 圖12是示意地顯示圖11所示之第1刀片進一步磨耗後之狀態的剖面圖。 圖13是示意地且以局部剖面方式顯示在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，使第1刀片的切刃切入封裝基板的基底基板的外周剩餘區域之狀態的側面圖。 圖14是在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，形成有切削痕跡之封裝基板的基底基板的外周剩餘區域的平面圖。 圖15是顯示在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，拍攝單元拍攝切削痕跡而得到的圖像的圖。 圖16是顯示在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，將圖15所示之圖像的長度縮小而生成之第1刀片的切刃的前端的圖像的圖。 圖17是形成有圖14所示之切削痕跡之第1刀片的切刃的前端的剖面圖。 圖18是和圖14所示之切削痕跡的長邊方向平行的縱剖面圖。 圖19是示意地顯示在圖7所示之加工方法的前端形狀確認步驟中，所計算出之切入深度等的剖面圖。 圖20是示意地且以局部剖面方式顯示在實施形態的變形例之加工方法的前端形狀確認步驟中，使第1刀片的切刃切入封裝基板的基底基板的外周剩餘區域之狀態的側面圖。 圖21是在實施形態的變形例之加工方法的前端形狀確認步驟中，形成有切削痕跡之封裝基板的基底基板的外周剩餘區域的平面圖。
1001,1004,1006:步驟
1002:半切步驟
1003:全切步驟
1005:前端形狀確認步驟
1007:平坦化步驟

Claims (4)

  1. 一種加工方法，對設定有交叉之複數條分割預定線之封裝基板於以第1刀片進行半切之後，以刀刃厚度比該第1刀片更薄之第2刀片進行全切，藉此形成於側面形成有階梯狀的缺口部之晶片，前述加工方法具備以下步驟： 半切步驟，使該第1刀片切入該封裝基板，並沿著該分割預定線以該第1刀片來切削該封裝基板，而形成第1切削溝，並且在該第1切削溝之下形成切剩部； 全切步驟，在實施該半切步驟後，以比該第1刀片更薄之該第2刀片，沿著該第1切削溝來切削該切剩部；及 前端形狀確認步驟，確認該第1刀片的前端形狀， 在該半切步驟中，依據在該前端形狀確認步驟中所確認出之該第1刀片的前端形狀、與該第2刀片的刀刃厚度，來使該第1刀片朝該封裝基板，切入到該缺口部的深度成為預定的深度之切入深度。
  2. 如請求項1之加工方法，其中該前端形狀確認步驟是在該封裝基板的上表面以該第1刀片形成切削痕跡，並依據該切削痕跡來確認該第1刀片的前端形狀。
  3. 如請求項1或2之加工方法，其更具備有平坦化步驟，前述平坦化步驟是在預定的時間點修正該第1刀片的前端來進行平坦化。
  4. 一種切削裝置，對設定有交叉之複數條分割預定線之封裝基板於以第1刀片進行半切之後，以刀刃厚度比該第1刀片更薄之第2刀片進行全切，藉此形成於側面形成有階梯狀的缺口部之晶片，前述切削裝置具備： 工作台，保持該封裝基板； 第1切削單元，具有第1刀片，前述第1刀片沿著該分割預定線來切削該封裝基板而形成第1切削溝，並且在該第1切削溝之下形成切剩部； 第2切削單元，具有沿著該第1切削溝來切削該切剩部之比該第1刀片更薄的該第2刀片； 拍攝單元，拍攝使該第1刀片切入切削對象物而形成之切削痕跡；及 控制單元，控制前述各構成要素， 控制單元包含： 推定部，依據該拍攝單元所拍攝而得到之圖像來推定該第1刀片的前端形狀；及 計算部，依據該推定部所推定出之該第1刀片的前端形狀、與第2刀片的刀刃厚度，來計算該缺口部的深度成為預定的深度之第1刀片的切入深度。
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