TW202300902A

TW202300902A - 檢查方法、感光化射線性或感放射線性組成物的製造方法、電子元件的製造方法

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Publication number: TW202300902A
Application number: TW111106253A
Authority: TW
Inventors: 永﨑秀雄; 中村貴之; 杉山真一
Original assignee: 日商富士軟片股份有限公司
Priority date: 2021-03-11
Filing date: 2022-02-21
Publication date: 2023-01-01
Also published as: JPWO2022190705A1; WO2022190705A1

Abstract

本發明提供一種簡便地測定感光化射線性或感放射線性組成物中的微小異物的檢查方法。本發明提供一種使用所述檢查方法的組成物的製造方法及電子元件的製造方法。包含鹼可溶性成分的感光化射線性或感放射線性組成物的檢查方法具有：步驟X1，將所述組成物塗佈於基板上來形成塗膜；步驟X2，不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液自所述基板除去所述塗膜；以及步驟X3，使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後的所述基板上的缺陷的數量。

Description

檢查方法、感光化射線性或感放射線性組成物的製造方法、電子元件的製造方法

本發明是有關於一種檢查方法、感光化射線性或感放射線性組成物的製造方法、及電子元件的製造方法。

已知半導體元件是使用光微影技術於基板上形成微細的電子電路圖案而製造。具體而言，將使用感光化射線性或感放射線性組成物（以下亦稱為「抗蝕劑組成物」。）而得的抗蝕劑膜形成於基板上後，對抗蝕劑膜進行照射光的曝光處理、使用顯影液的顯影處理及視需要使用淋洗液的淋洗處理等各種處理，藉此可獲得圖案狀的抗蝕劑膜。將以所述方式獲得的圖案狀的抗蝕劑膜作為遮罩，實施各種處理而形成電子電路圖案。於此種半導體元件形成步驟中，為了進一步提高所獲得的半導體元件的良率，要求可抑制缺陷的產生的圖案形成方法。近年來，正研究製造10 nm節點以下的半導體元件，此傾向變得更加顯著。

然而，作為圖案中產生缺陷的原因之一，可列舉抗蝕劑組成物中所含的異物。先前，作為檢查抗蝕劑組成物中所含的異物的有無及其數量的方法，實施有如下方法等：使用液中粒子計數器（例如理音（Rion）股份有限公司的微粒子計測器，液中粒子計數器 KS-41B等）計測抗蝕劑組成物（溶液）中的異物；及將抗蝕劑組成物塗佈於基板上來形成塗膜並利用缺陷檢查裝置（例如，科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5等）觀察所述塗膜，藉此計測膜表面及膜中的異物。但是，於使用液中粒子計數器計測抗蝕劑組成物（溶液）中的異物的方法中，就機器的檢測界限的方面而言，通常若並非粒徑為0.1 μm（100 nm）以上大小的粒子，則難以成為檢測對象。另外，於使用缺陷檢查裝置計測膜表面及膜中的異物的方法中，通常40 nm～60 nm的尺寸的缺陷成為檢測的對象。因此，對於該些檢查方法應用於近年來的10 nm節點以下的半導體元件的製造時，很難說檢測靈敏度充分。

另外，關於偵測抗蝕劑組成物的異物的檢查方法，並不限於所述的檢查方法，迄今為止進行了各種研究。例如，於專利文獻1中，作為檢測誘發圖案缺陷的凝膠狀異物的方法，揭示了「一種異物檢查方法，其特徵在於包括：於半導體基板上旋轉塗佈光阻劑的步驟；使用紫外線使所塗佈的光阻劑感光的步驟；藉由鹼顯影液除去經感光的所述光阻劑的步驟；以及對除去了所述光阻劑的所述半導體基板面照射雷射光並根據散射光檢查有無異物的步驟。」。於專利文獻1中，具體而言，藉由對由正型抗蝕劑組成物形成的正型抗蝕劑膜實施曝光及鹼顯影而使基板露出，計測附著於所露出的基板上的凝膠狀異物，藉此偵測抗蝕劑組成物中有無存在凝膠狀物質。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平07-280739號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明者對專利文獻1中記載的異物檢查方法進行了研究，結果發現，於專利文獻1的方法中，由於在對正型抗蝕劑膜實施曝光及鹼顯影之後實施基板的缺陷檢查，因此於曝光時抗蝕劑膜中的成分發生反應，伴隨於此，缺陷成分亦有可能改質。即，顯然，於實施抗蝕劑膜的曝光之後實施基板的缺陷檢查的檢查方法中，於進行抗蝕劑組成物的異物檢查時，存在檢測精度不充分的情況，有將其加以改善的餘地。

另外，如上所述般，對於檢查方法，亦要求即使於應用於近年來經微細化的半導體元件的製造的情況下亦顯示充分的檢測靈敏度（換言之，亦能夠測定微小的異物）。

因此，本發明的課題在於提供一種簡便地測定感光化射線性或感放射線性組成物中的微小異物的檢查方法。另外，本發明的課題亦提供一種使用了所述檢查方法的感光化射線性或感放射線性組成物的製造方法及電子元件的製造方法。 [解決課題之手段]

本發明者等人發現藉由以下的結構可解決所述課題。

〔1〕一種檢查方法，為包含鹼可溶性成分的感光化射線性或感放射線性組成物的檢查方法，具有：步驟X1，將所述組成物塗佈於基板上來形成塗膜；步驟X2，不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液自所述基板除去所述塗膜；以及步驟X3，使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後的所述基板上的缺陷的數量。〔2〕如〔1〕所述的檢查方法，具有：步驟Y1，進而於所述步驟X1之前使用缺陷檢查裝置對所述步驟X1中使用的所述基板測定所述基板上的缺陷的數量。〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的檢查方法，其中，於所述步驟X1中，所述基板為矽晶圓，並且使用缺陷檢查裝置測定的缺陷的數量為0.15個/cm ²以下。〔4〕如〔1〕至〔3〕中任一項所述的檢查方法，其中，於所述步驟X1中，所述基板為矽晶圓，並且使用缺陷檢查裝置測定的所述基板上的20 nm以上大小的缺陷的數量為0.15個/cm ²以下。〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一項所述的檢查方法，其中，進而於所述步驟X2之前，具有：步驟Z1，將所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液塗佈於基板上；以及步驟Z2，使用缺陷檢查裝置測定塗佈有所述鹼顯影液的所述基板上的缺陷的數量。〔6〕如〔5〕所述的檢查方法，具有：步驟Z3，進而於所述步驟Z1之前，使用缺陷檢查裝置對所述步驟Z1中使用的所述基板測定所述基板上的缺陷的數量；以及步驟Z4，自於所述步驟Z2中測定出的缺陷的數量中減去於所述步驟Z3中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液導致的缺陷的數量。〔7〕如〔1〕至〔6〕中任一項所述的檢查方法，其中，於所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液是由下述檢查R1算出的20 nm以上大小的缺陷的數量為0.15個/cm ²以下的鹼顯影液。缺陷檢查R1：缺陷檢查R1具有下述步驟ZA1～步驟ZA4。步驟ZA1：使用缺陷檢查裝置測定基板上的20 nm以上大小的缺陷的數量的步驟步驟ZA2：將所述鹼顯影液塗佈於所述基板上的步驟步驟ZA3：使用缺陷檢查裝置測定塗佈有所述鹼顯影液的所述基板上的20 nm以上大小的缺陷的數量的步驟步驟ZA4：自於所述步驟ZA3中測定出的缺陷的數量中減去於所述步驟ZA1中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由所述鹼顯影液導致的20 nm以上大小的缺陷的數量的步驟。〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一項所述的檢查方法，其中，所述鹼顯影液是包含氫氧化四甲基銨的水溶液。〔9〕如〔1〕至〔8〕中任一項所述的檢查方法，其中，於所述步驟X2中，使用所述鹼顯影液的除去處理的除去時間為300秒以內。〔10〕如〔9〕所述的檢查方法，其中，所述除去時間為180秒以內。〔11〕如〔1〕所述的檢查方法，為包含鹼可溶性成分的感光化射線性或感放射線性組成物的檢查方法，具有：步驟X1，將所述組成物塗佈於基板上來形成塗膜；步驟X2，不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液自所述基板除去所述塗膜；步驟X3A，使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後的所述基板上的缺陷的數量；步驟Y1，進而於所述步驟X1之前，使用缺陷檢查裝置對所述步驟X1中使用的所述基板測定所述基板上的缺陷的數量；步驟ZX，於所述步驟X2之前實施步驟Z1、步驟Z2、步驟Z3以及步驟Z4，所述步驟Z1將所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液塗佈於基板上；所述步驟Z2使用缺陷檢查裝置測定塗佈有所述鹼顯影液的所述基板上的缺陷的數量；所述步驟Z3使用缺陷檢查裝置對所述步驟Z1中使用的所述基板測定所述基板上的缺陷的數量；所述步驟Z4自於所述步驟Z2中測定出的缺陷的數量中減去於所述步驟Z3中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液導致的缺陷的數量；以及步驟X3E，自於所述步驟X3A中測定出的缺陷的數量中減去所述步驟Y1中算出的缺陷的數量以及所述步驟Z4中算出的缺陷的數量，藉此算出由所述組成物導致的缺陷的數量。〔12〕一種感光化射線性或感放射線性組成物的製造方法，具有：感光化射線性或感放射線性組成物的製備步驟，以及實施如〔1〕至〔11〕中任一項所述的檢查方法的步驟。〔13〕一種電子元件的製造方法，具有實施如〔1〕至〔11〕中任一項所述的檢查方法的步驟。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種簡便地測定感光化射線性或感放射線性組成物中的微小異物的檢查方法。另外，根據本發明，可提供一種使用了所述檢查方法的感光化射線性或感放射線性組成物的製造方法及電子元件的製造方法。

以下，詳細地說明本發明。以下記載的構成要件的說明有時基於本發明的代表性的實施方式而成，但本發明並不限定於所述實施方式。關於本說明書中的基（原子團）的表述，只要不違反本發明的主旨，則未記載經取代及未經取代的表述亦同時包含不具有取代基的基與具有取代基的基。例如，所謂「烷基」不僅包含不具有取代基的烷基（未經取代的烷基），亦包含具有取代基的烷基（經取代的烷基）。另外，所謂本說明書中的「有機基」，是指包含至少一個碳原子的基。只要無特別說明，取代基較佳為一價的取代基。所謂本說明書中的「光化射線」或「放射線」，例如是指水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表的遠紫外線、極紫外線（EUV光：Extreme Ultraviolet）、X射線及電子束（EB：Electron Beam）等。所謂本說明書中的「光」，是指光化射線或放射線。所謂本說明書中的「曝光」，只要無特別說明，則不僅包含利用水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表的遠紫外線、極紫外線（EUV光）、X射線等進行的曝光，亦包含利用電子束及離子束等粒子束進行的描繪。於本說明書中，所謂「～」是以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義使用。只要無特別說明，則於本說明書中表述的二價基的鍵結方向並無限制。例如，於「X-Y-Z」形成的式所表示的化合物中的Y為-COO-的情況下，Y可為-CO-O-，亦可為-O-CO-。另外，所述化合物可為「X-CO-O-Z」，亦可為「X-O-CO-Z」。

於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯兩者或任一者，「(甲基)丙烯酸」表示丙烯酸及甲基丙烯酸兩者或任一者，「(甲基)烯丙基」表示烯丙基及甲基烯丙基兩者或任一者，「(甲基)丙烯醯基」表示丙烯醯基及甲基丙烯醯基兩者或任一者。於本說明書中，樹脂的重量平均分子量（Mw）、數量平均分子量（Mn）、及分散度（亦稱為分子量分佈）（Mw/Mn）定義為藉由利用凝膠滲透層析（Gel Permeation Chromatography，GPC）裝置（東曹（Tosoh）公司製造的HLC-8120GPC）進行的GPC測定（溶媒：四氫呋喃、流量（樣品注入量）：10 μL、管柱：東曹（Tosoh）公司製造的TSK gel Multipore HXL-M、管柱溫度：40℃、流速：1.0 mL/分鐘、檢測器：示差折射率檢測器（Refractive Index Detector））所得的聚苯乙烯換算值。

本說明書中所謂酸解離常數（pKa）表示水溶液中的pKa，具體而言是使用下述軟體包1，藉由計算求出基於哈米特（Hammett）的取代基常數及公知文獻值的資料庫的值而得的值。本說明書中記載的pKa的值全部表示使用所述軟體包並藉由計算而求出的值。

軟體包1：高級化學發展有限公司（Advanced Chemistry Development）（ACD/Labs） Solaris系統用軟體V8.14版（Software V8.14 for Solaris）（1994-2007 ACD/Labs）。

另一方面，pKa亦藉由分子軌道計算法求出。作為所述具體的方法，可列舉藉由基於熱力學循環計算水溶液中的H ⁺解離自由能量而算出的方法。關於H ⁺解離自由能量的計算方法，例如可藉由密度泛函法（density functional theory，DFT）進行計算，除此以外亦於文獻等中報告了各種方法，並不限制於此。再者，存在多個可實施DFT的軟體，例如可列舉高斯（Gaussian）16。

所謂本說明書中的pKa，如上所述般是指使用軟體包1藉由計算求出基於哈米特的取代基常數及公知文獻值的資料庫的值而得的值，於無法藉由所述方法來算出pKa的情況下，設為採用基於密度泛函法（DFT）並藉由Gaussian16而獲得的值。另外，本說明書中的pKa如上所述般是指「水溶液中的pKa」，於無法算出水溶液中的pKa的情況下，設為採用「二甲基亞碸（dimethyl sulfoxide，DMSO）溶液中的pKa」。

於本說明書中，作為鹵素原子，例如可列舉氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。

於本說明書中，所謂固體成分是指溶劑以外的所有成分。再者，即使固體成分的性狀為液狀，亦以固體成分的形式計算。

〔檢查方法〕本發明的檢查方法為包含鹼可溶性成分的感光化射線性或感放射線性組成物（以下，將「感光化射線性或感放射線性組成物亦稱為「抗蝕劑組成物」。）的檢查方法，且具有以下的步驟X1～步驟X3。再者，以下中，將「包含鹼可溶性成分的感光化射線性或感放射線性組成物」亦稱為「檢查組成物」。步驟X1：將檢查組成物塗佈於基板上來形成塗膜的步驟步驟X2：不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液（以下亦稱為「除去用溶劑」。）自所述基板除去所述塗膜的步驟步驟X3：使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後所述基板上的缺陷的數量的步驟

作為所述檢查方法的特徵點，可列舉以下方面：於基板上實施包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）中所含的異物的檢測。以下中，對其作用機制進行說明。於所述檢查方法中，於步驟X1中，暫時將檢查組成物以塗膜的形式形成於基板上，於接下來的步驟X2中，實施使用鹼顯影液（除去用溶劑）自基板除去所述塗膜的除去處理。除去處理的結果是，伴隨著塗膜向鹼顯影液的溶出等，於經過了步驟X2的基板的表面可能產生塗膜所含的微小異物（與基板的相互作用特別強、於圖案後可能成為缺陷的因素的異物）的附著。於本發明的檢查方法中，於步驟X3中，對經過了所述步驟X2的基板的表面上存在的缺陷數進行測定。即，本發明的檢查方法將檢查組成物中所含的異物於基板上偵測為缺陷。若為半導體製造用的矽晶圓等基板的表面上存在的缺陷，則藉由使用市售的缺陷檢查裝置（例如，科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5等），例如能夠測定20 nm左右大小的缺陷。因此，若與如上所述般的使用液中粒子計數器的抗蝕劑組成物（溶液）中的異物的計測方法（檢測界限/測定對象：通常為粒徑為0.1 μm（100 nm）以上大小的粒子）相比，則可偵測更微小的異物。另外，本發明的檢查方法即使與使用缺陷檢查裝置的膜表面及膜中的異物的計測方法（檢測界限/測定對象：通常為40 nm～60 nm的尺寸的缺陷）相比，亦可偵測更微小的異物。

因此，根據所述檢查方法，可簡便地測定感光化射線性或感放射線性組成物（檢查組成物）中的微小異物。另外，所述檢查方法不伴隨曝光所引起的檢查組成物的變質（詳細而言，檢查組成物中的化合物及缺陷的變質），因此若與專利文獻1的檢查方法相比較，則可說是可進一步捕捉檢查組成物中實際所含的缺陷（檢測精度更優異）的方法。

以下中，列舉具體實施方式的一例，對本發明的檢查方法進行說明。再者，於以下的檢查方法的說明中，列舉使用缺陷檢查裝置測定的缺陷的大小為20 nm以上的大小的形態為例進行說明，但缺陷的大小並不限制於此。若裝置的檢測界限允許，則亦可將小於20 nm的缺陷作為檢查的對象。

〔檢查方法的第一實施方式〕檢查方法的第一實施方式是包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）的檢查方法，具有以下的步驟X1～步驟X3。步驟X1：將檢查組成物塗佈於基板上來形成塗膜的步驟步驟X2：不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液（除去用溶劑）自所述基板除去所述塗膜的步驟步驟X3：使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後所述基板上的缺陷的數量的步驟。

以下中，首先，對各順序進行說明。

《步驟X1》步驟1是使用作為本檢查方法的檢查對象的、包含鹼可溶性成分的組成物（檢查組成物）而於基板上形成塗膜的步驟。以下，對步驟X1中使用的各種材料及步驟X1的順序進行說明。

＜各種材料＞（檢查組成物）作為檢查組成物，對於可較佳地應用於本檢查方法的包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物，將於後段進行說明。

（基板）作為基板，可列舉積體電路組件的製造中所使用的基板，較佳為矽晶圓。就檢查精度進一步提高的方面而言，關於步驟X1中所使用的基板，自應用於步驟X1以前就存在於基板上的缺陷的數量（原基板缺陷數）較佳為1.50個/cm ²以下，更佳為1.00個/cm ²以下，進而佳為0.75個/cm ²以下，特佳為0.15個/cm ²以下。再者，作為下限值，例如為0.00個/cm ²以上。其中，就檢查精度進一步提高的方面而言，關於步驟X1中所使用的基板，自應用於步驟X1以前就存在於基板上的20 nm以上大小的缺陷的數量（原基板缺陷數）較佳為1.50個/cm ²以下，更佳為1.00個/cm ²以下，進而佳為0.75個/cm ²以下，特佳為0.15個/cm ²以下。再者，作為下限值，例如為0.00個/cm ²以上。於步驟X1中所使用的基板的缺陷數多的情況下，於步驟X3中所實施的基板的缺陷檢查時有時會發生散射而阻礙缺陷數的正確測定。因此，就步驟X3中缺陷檢查的精度更優異的方面（進而，本檢查方法的檢查精度進一步提高的方面）而言，步驟X1中所使用的基板較佳為使用清潔度高者。基板的缺陷檢查可藉由缺陷檢查裝置（例如，科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5等）測定。

＜步驟X1＞作為使用檢查組成物而於基板上形成塗膜的方法，例如可列舉將檢查組成物塗佈於基板上的方法。另外，作為塗佈方法的另一例，可列舉使用塗佈機杯的塗佈方法、及使用鹼顯影單元的塗佈方法。另外，亦較佳為使用利用旋轉器的旋轉塗佈方法的塗佈方法。使用旋轉器進行旋轉塗佈時的轉速較佳為500 rpm～3000 rpm。較佳為於基板上塗佈檢查組成物之後將基板乾燥。作為乾燥方法，例如可列舉進行加熱而乾燥的方法。加熱可藉由通常的曝光機及/或顯影機中所包括的機構來實施，亦可使用加熱板等來實施。加熱溫度較佳為80℃～150℃，更佳為80℃～140℃，進而佳為80℃～130℃。加熱時間較佳為30秒～1000秒，更佳為60秒～800秒，進而佳為60秒～600秒。作為一形態，較佳為於90℃下實施90秒鐘加熱。

塗膜的膜厚並無特別限制，但較佳為10 nm～1000 nm，更佳為10 nm～120 nm。其中，較佳為針對檢查組成物的每個使用用途來考慮膜厚，例如，於檢查組成物供於利用EUV曝光或EB曝光的圖案形成的情況下，作為塗膜的膜厚，更佳為10 nm～100 nm，進而佳為15 nm～70 nm。另外，例如，於檢查組成物供於利用ArF液浸曝光的圖案形成的情況下，作為塗膜的膜厚，更佳為10 nm～120 nm，進而佳為15 nm～90 nm。

＜步驟X2＞步驟X2是使用鹼顯影液（除去用溶劑）自基板除去步驟X1中形成的塗膜的步驟。但是，於步驟X2中，不對抗蝕劑組成物利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理（即，不使曝光所引起的塗膜中的成分的變質發生），而自基板除去塗膜。再者，此處所述的「不對抗蝕劑組成物利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理」是指不實施觀察到殘膜的最小曝光量以上的曝光處理。以下，對步驟X2中使用的各種材料及步驟X2的順序進行說明。

（鹼顯影液（除去用溶劑））於步驟X2中，使用鹼顯影液作為除去用溶劑。所謂鹼顯影液，代表性地可列舉鹼水溶液。作為步驟X2中使用的鹼顯影液，只要為可將步驟X1中形成的塗膜自基板除去的物質則並無特別限制，其中，較佳為於使用作為檢查組成物的包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物來實施圖案形成時作為顯影液而使用者。

作為鹼顯影液的鹼源並無特別限制，例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉及氨水等無機鹼類；乙胺及正丙胺等一級胺類；二乙胺及二正丁胺等二級胺類；三乙胺及甲基二乙胺等三級胺類；二甲基乙醇胺及三乙醇胺等醇胺類；氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化四戊基銨、氫氧化四己基銨、氫氧化四辛基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化丁基三甲基銨、氫氧化甲基三戊基銨及氫氧化二丁基二戊基銨等氫氧化四烷基銨，以及氫氧化三甲基苯基銨、氫氧化三甲基苄基銨、氫氧化三乙基苄基銨及氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨等四級銨鹽；吡咯及哌啶等環狀胺類等。作為鹼源，其中，較佳為四級銨鹽，更佳為氫氧化四烷基銨（作為烷基部分的碳數，較佳為1～6。），進而佳為氫氧化四甲基銨。

鹼水溶液中，作為鹼源的含量，相對於鹼水溶液的總質量，例如較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.1質量%～5.0質量%，進而佳為2.0質量%～3.0質量%。作為鹼水溶液的pH，例如較佳為10.0～15.0，更佳為11.0～15.0，進而佳為12.0～15.0。鹼水溶液亦可包含醇類及/或界面活性劑。

作為鹼顯影液，其中，較佳為氫氧化四甲基銨的2.38質量%的水溶液。

就檢查精度進一步提高的方面而言，關於步驟X2中所使用的除去用溶劑，於實施下述缺陷檢查R1時的缺陷的數量較佳為1.50個/cm ²以下。換言之，就缺陷檢查的精度進一步提高的方面而言，步驟X2中所使用的除去用溶劑較佳為於實施下述缺陷檢查R1時的缺陷的數量為1.50個/cm ²以下的溶劑。關於步驟X2中所使用的除去用溶劑，就檢查精度更進一步提高的方面而言，於實施下述缺陷檢查R1時的缺陷的數量更佳為0.75個/cm ²以下，進而佳為0.15個/cm ²以下。再者，作為下限值，例如為0.00個/cm ²以上。

就檢查精度進一步提高的方面而言，關於步驟X2中所使用的除去用溶劑，於實施下述缺陷檢查R1時20 nm以上大小的缺陷的數量較佳為1.50個/cm ²以下。換言之，就缺陷檢查的精度進一步提高的方面而言，步驟X2中所使用的除去用溶劑較佳為由下述缺陷檢查R1算出的20 nm以上大小的缺陷的數量為1.50個/cm ²以下的溶劑。關於步驟X2中所使用的除去用溶劑，就檢查精度更進一步提高的方面而言，於實施下述缺陷檢查R1時，20 nm以上大小的缺陷的數量更佳為0.75個/cm ²以下，進而佳為0.15個/cm ²以下。再者，作為下限值，例如為0.00個/cm ²以上。《缺陷檢查R1》缺陷檢查R1具有下述步驟ZA1～步驟ZA4。步驟ZA1：使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟步驟ZA2：將除去用溶劑塗佈於基板上的步驟步驟ZA3：使用缺陷檢查裝置測定塗佈有除去用溶劑的基板上的缺陷的數量的步驟步驟ZA4：自於步驟ZA3中測定出的缺陷的數量中減去於步驟ZA1中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由除去用溶劑導致的缺陷的數量的步驟

再者，步驟ZA1及步驟ZA3中基板的缺陷檢查可藉由缺陷檢查裝置（例如，科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5等）測定。

以下中對缺陷檢查R1進行說明。 ·步驟ZA1 步驟ZA1是使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟。具體而言，對基板上存在的缺陷的數量（較佳為20 nm以上大小的缺陷的數量）進行測定。作為步驟ZA1中使用的基板，並無特別限制，可列舉積體電路組件的製造中所使用的基板，較佳為矽晶圓。步驟ZA1中基板的缺陷檢查可藉由缺陷檢查裝置（例如，科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5等）測定。藉由實施所述步驟ZA1，測定自應用於步驟ZA2以前就存在於基板上的缺陷的數量（較佳為20 nm以上大小的缺陷的數量）（原基板缺陷數）。

·步驟ZA2 步驟ZA2是將除去用溶劑塗佈於基板上的步驟。作為將除去用溶劑塗佈於基板上的方法，並無特別限制，塗佈方法較佳為使用旋轉器的旋轉塗佈。使用旋轉器進行旋轉塗佈時的轉速較佳為500 rpm～3000 rpm。另外，作為除去用溶劑的供給流量，較佳為0.2 mL/s～15 mL/s，更佳為0.2 mL/s～12 mL/s。供給時間較佳為3秒～300秒，更佳為5秒～150秒，進而佳為5秒～120秒。較佳為於基板上塗佈除去用溶劑之後將基板乾燥。作為乾燥方法，例如可列舉進行加熱而乾燥的方法。加熱可藉由通常的曝光機及/或顯影機中所包括的機構來實施，亦可使用加熱板等來實施。加熱溫度較佳為80℃～250℃，更佳為80℃～140℃，進而佳為80℃～130℃。加熱時間較佳為30秒～1000秒，更佳為30秒～800秒，進而佳為30秒～600秒，特佳為30秒～200秒。作為一形態，較佳為於100℃下實施60秒鐘加熱。

·步驟ZA3 步驟ZA3是使用缺陷檢查裝置測定塗佈有除去用溶劑的基板上的缺陷的數量的步驟。具體而言，對基板上存在的缺陷的數量（較佳為20 nm以上大小的缺陷的數量）進行測定。步驟ZA3中基板的缺陷檢查可藉由缺陷檢查裝置（例如，科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5等）測定。藉由實施所述步驟ZA3，測定於除去用溶劑的塗佈後基板上存在的缺陷的數量（較佳為20 nm以上大小的缺陷的數量）（除去用溶劑塗佈後缺陷數）。

·步驟Z4 步驟ZA4是如下步驟：自於步驟ZA3中測定出的缺陷的數量（除去用溶劑塗佈後缺陷數）中減去於步驟ZA1中測定出的缺陷數的數量（原基板缺陷數），藉此算出由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去用溶劑缺陷數）。實施所述步驟ZA4而得的缺陷的數量如上所述般較佳為1.50個/cm ²以下，更佳為0.75個/cm ²以下，進而佳為0.15個/cm ²以下。再者，下限值例如為0.00個/cm ²以上。實施所述步驟ZA4而得的20 nm以上大小的缺陷的數量如上所述般較佳為1.50個/cm ²以下，更佳為0.75個/cm ²以下，進而佳為0.15個/cm ²以下。再者，下限值例如為0.00個/cm ²以上。於由步驟X2中所使用的除去用溶劑導致的缺陷數多的情況下，於步驟X3中所實施的基板的缺陷檢查時有時會發生散射而阻礙缺陷數的正確測定。因此，就步驟X3的缺陷檢查的精度更優異的方面（進而，本檢查方法的檢查精度進一步提高的方面）而言，步驟X2中所使用的除去用溶劑較佳為使用清潔度高者。

（步驟X2的順序）作為使用除去用溶劑自基板除去步驟X1中形成的塗膜的方法，並無特別限制。作為除去方法的一例，例如可列舉：使基板於充滿除去用溶劑的槽中浸漬固定時間的方法；藉由表面張力使除去用溶劑堆積至基板表面並靜置固定時間而除去的方法；對基板表面噴霧除去用溶劑的方法；及一面以固定速度掃描除去用溶劑噴出噴嘴一面朝以固定速度旋轉的基板上連續噴出除去用溶劑的方法。利用所述方法的除去可藉由鹼顯影單元實施。另外，作為除去方法的另一例，可列舉使用塗佈機杯的除去方法、及使用鹼顯影單元的除去方法。另外，亦較佳為使用利用旋轉器的旋轉塗佈方法的除去方法。實施使用利用旋轉器的旋轉塗佈方法的除去方法時的轉速較佳為500 rpm～3000 rpm。另外，作為除去用溶劑的供給流量，較佳為0.2 mL/s～15 mL/s，更佳為0.2 mL/s～12 mL/s。供給時間較佳為3秒～300秒，更佳為5秒～180秒。

作為除去用溶劑的溫度，並無特別限制，較佳為20℃～160℃，更佳為70℃～120℃。作為使用除去用溶劑的除去處理的除去時間，就檢查精度更優異的方面而言，例如為800秒以下，較佳為300秒以下，更佳為180秒以下。再者，作為下限值，例如為5秒以上。若步驟X2中的除去時間過長，則不僅塗膜而且微小成分（異物）亦容易自基板除去，因此於步驟X3中的缺陷檢查中有時無法進行缺陷數的正確測定。因此，就步驟X3中缺陷檢查的精度更優異的方面（進而，本檢查方法的檢查精度進一步提高的方面），較佳為步驟X1中所使用的除去時間短。

較佳為於實施除去處理之後將基板乾燥。作為乾燥方法，例如可列舉進行加熱而乾燥的方法。加熱可藉由通常的曝光機及/或顯影機中所包括的機構來實施，亦可使用加熱板等來實施。加熱溫度較佳為40℃～200℃，更佳為70℃～160℃，進而佳為80℃～130℃。加熱時間較佳為30秒～1000秒，更佳為30秒～800秒，進而佳為30秒～600秒，特佳為30秒～200秒。作為一形態，較佳為於100℃下實施60秒鐘加熱。

＜步驟X3＞步驟X3是使用缺陷檢查裝置測定藉由步驟X2除去塗膜之後基板上的缺陷的數量的步驟。具體而言，對基板上存在的缺陷的數量（較佳為20 nm以上大小的缺陷的數量）進行測定。步驟X3中基板的缺陷檢查可藉由缺陷檢查裝置（例如，科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5等）測定。藉由實施所述步驟X3，測定利用除去用溶劑除去後基板上存在的缺陷的數量（（較佳為20 nm以上大小的缺陷的數量）（溶劑除去處理後的總缺陷數））。

〔檢查方法的第二實施方式〕以下，對檢查方法的第二實施方式進行說明。檢查方法的第二實施方式是包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）的檢查方法，具有步驟X1、步驟X2及步驟X3（步驟X3A及步驟X3B）以及視需要的步驟Y1。步驟X1：將檢查組成物塗佈於基板上來形成塗膜的步驟步驟X2：不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液（除去用溶劑）自所述基板除去所述塗膜的步驟步驟X3：步驟X3包括步驟X3A及步驟X3B。步驟X3A：使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後（即，經過步驟X2之後）所述基板上的缺陷的數量的步驟步驟X3B：自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量中減去自應用於步驟X1以前就存在於基板上的缺陷的數量（由基板導致的缺陷數：原基板缺陷數），藉此算出由檢查組成物導致的缺陷的數量的步驟。但是，於由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）未知的情況下，檢查方法的第二實施方式進而具有步驟Y1，將藉由所述步驟Y1測定的缺陷數作為由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）。步驟Y1：於步驟X1之前，對所述步驟X1中使用的基板，使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟

檢查方法的第二實施方式於步驟X3中具有步驟X3B，所述步驟X3B為自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量（溶劑除去處理後的總缺陷數）中減去由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）。藉由所述結構，能以更高的精度檢查由檢查組成物導致的缺陷的數量。

以下中，對各順序進行說明。＜步驟X1及步驟X2＞於檢查方法的第二實施方式中，步驟X1及步驟X2與所述檢查方法的第一實施方式中的步驟X1及步驟X2相同。

＜步驟X3（步驟X3A及步驟X3B）＞步驟X3具有步驟X3A及步驟X3B。（步驟X3A）於檢查方法的第二實施方式中，步驟X3A與所述檢查方法的第一實施方式中的步驟X3相同。（步驟X3B）步驟X3B是如下步驟：自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量中減去自應用於步驟X1以前就存在於基板上的缺陷的數量（由基板導致的缺陷數：原基板缺陷數），藉此算出由檢查組成物導致的缺陷的數量。於由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）根據目錄等的記載而已公知的情況下，則可使用所述公稱值。於由基板導致的缺陷數未知的情況下，檢查方法的第二實施方式進而具有步驟Y1，將藉由所述步驟Y1測定的值作為由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）。

＜步驟Y1＞步驟Y1是於步驟X1之前，對步驟X1中使用的基板，使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟。步驟Y相當於在檢查方法的第一實施方式的步驟X1中說明的、實施測定原基板缺陷數的方法的步驟，其較佳形態亦相同。

〔檢查方法的第三實施方式〕以下，對檢查方法的第三實施方式進行說明。檢查方法的第三實施方式是包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）的檢查方法，具有步驟X1、步驟X2及步驟X3（步驟X3A及步驟X3C）以及視需要的步驟ZX。步驟X1：將檢查組成物塗佈於基板上來形成塗膜的步驟步驟X2：不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液（除去用溶劑）自所述基板除去所述塗膜的步驟步驟X3：步驟X3包括步驟X3A及步驟X3C。步驟X3A：使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後（即，經過步驟X2之後）所述基板上的缺陷的數量的步驟步驟X3C：自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量中減去由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數），藉此算出由檢查組成物導致的缺陷的數量的步驟。但是，於由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）未知的情況下，檢查方法的第三實施方式進而具有步驟ZX，將藉由所述步驟ZX測定的缺陷數作為由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）。步驟ZX：於所述步驟X2之前，實施以下所示的步驟Z1～步驟Z4的步驟（再者，步驟Z1～步驟Z4按照步驟Z3、步驟Z1、步驟Z2、步驟Z4的順序實施）。步驟Z1：將步驟X2中使用的除去用溶劑塗佈於基板上的步驟步驟Z2：使用缺陷檢查裝置測定塗佈有除去用溶劑的基板上的缺陷的數量的步驟步驟Z3：對步驟Z1中使用的基板，使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟步驟Z4：自於步驟Z2中測定出的缺陷的數量中減去於步驟Z3中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由步驟X2中使用的除去用溶劑導致的缺陷的數量的步驟

檢查方法的第三實施方式於步驟X3中具有步驟X3C，所述步驟X3C為自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量（溶劑除去處理後的總缺陷數）中減去由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）。藉由所述結構，能以更高的精度檢查由檢查組成物導致的缺陷的數量。

以下中，對各順序進行說明。＜步驟X1及步驟X2＞於檢查方法的第三實施方式中，步驟X1及步驟X2與所述檢查方法的第一實施方式中的步驟X1及步驟X2相同。

＜步驟X3（步驟X3A及步驟X3C）＞步驟X3具有步驟X3A及步驟X3C。（步驟X3A）於檢查方法的第三實施方式中，步驟X3A與所述檢查方法的第一實施方式中的步驟X3相同。（步驟X3C）步驟X3C是如下步驟：自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量中減去由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數），藉此算出由檢查組成物導致的缺陷的數量。於由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）根據目錄等的記載而已公知的情況下，可使用所述公稱值。於由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）未知的情況下，檢查方法的第三實施方式進而具有步驟ZX，將藉由所述步驟ZX測定的值作為由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）。

＜步驟ZX（步驟Z1～步驟Z4）＞步驟ZX是於步驟X2之前求出由步驟X2中使用的除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去用溶劑缺陷數）的步驟。於步驟ZX中，步驟Z1、步驟Z2、步驟Z3及步驟Z4分別相當於在檢查方法的第一實施方式的步驟X2中說明的、缺陷檢查R1中的步驟ZA2、步驟ZA3、步驟ZA1及步驟ZA4，其較佳形態亦相同。

〔檢查方法的第四實施方式〕以下，對檢查方法的第四實施方式進行說明。檢查方法的第四實施方式是包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）的檢查方法，具有步驟X1、步驟X2及步驟X3（步驟X3A及步驟X3D）以及視需要的步驟Y1及步驟ZX。步驟X1：將檢查組成物塗佈於基板上來形成塗膜的步驟步驟X2：不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液（除去用溶劑）自所述基板除去所述塗膜的步驟步驟X3：步驟X3包括步驟X3A及步驟X3D。步驟X3A：使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後（即，經過步驟X2之後）所述基板上的缺陷的數量的步驟步驟X3D：自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量中減去自應用於步驟X1以前就存在於基板上的缺陷的數量（由基板導致的缺陷數：原基板缺陷數）以及由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數），藉此算出由檢查組成物導致的缺陷的數量（組成物缺陷數）的步驟。但是，於由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）未知的情況下，檢查方法的第四實施方式進而具有步驟Y1，將藉由所述步驟Y1測定的缺陷數作為由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）。另外，於由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）未知的情況下，檢查方法的第四實施方式進而具有步驟ZX，將藉由所述步驟ZX測定的缺陷數作為由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）。步驟Y1：於所述步驟X1之前，對所述步驟X1中使用的基板，使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟步驟ZX：於所述步驟X2之前實施的具有步驟Z1～步驟Z4的步驟（再者，步驟Z1～步驟Z4按照步驟Z3、步驟Z1、步驟Z2、步驟Z4的順序實施）步驟Z1：將步驟X2中使用的除去用溶劑塗佈於基板上的步驟步驟Z2：使用缺陷檢查裝置測定塗佈有除去用溶劑的基板上的缺陷的數量的步驟步驟Z3：對步驟Z1中使用的基板，使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟步驟Z4：自於步驟Z2中測定出的缺陷的數量中減去於步驟Z3中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由步驟X2中使用的除去用溶劑導致的缺陷的數量的步驟

檢查方法的第四實施方式於步驟X3中具有步驟X3D，所述步驟X3D是自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量（溶劑除去處理後的總缺陷數）中減去由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）以及由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）。藉由所述結構，能以更高的精度檢查由檢查組成物導致的缺陷的數量（組成物缺陷數）。

以下中，對各順序進行說明。＜步驟X1及步驟X2＞於檢查方法的第四實施方式中，步驟X1及步驟X2與所述檢查方法的第一實施方式中的步驟X1及步驟X2相同。

＜步驟X3（步驟X3A及步驟X3D）＞步驟X3具有步驟X3A及步驟X3D。（步驟X3A）於檢查方法的第四實施方式中，步驟X3A與所述檢查方法的第一實施方式中的步驟X3相同。（步驟X3D）步驟X3B是如下步驟：自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量中減去自應用於步驟X1以前就存在於基板上的缺陷的數量（由基板導致的缺陷數：原基板缺陷數）以及由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數），藉此算出由檢查組成物導致的缺陷的數量（組成物缺陷數）。於由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）根據目錄等的記載而已公知的情況下，則可使用所述公稱值。於由基板導致的缺陷數未知的情況下，檢查方法的第四實施方式進而具有步驟Y1，將藉由所述步驟Y1測定的值作為由基板導致的缺陷數（原基板缺陷數）。另外，於由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）根據目錄等的記載而已公知的情況下，可使用所述公稱值。於由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）未知的情況下，檢查方法的第四實施方式進而具有步驟ZX，將藉由所述步驟ZX測定的值作為由除去用溶劑導致的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數）。

＜步驟Y1＞於檢查方法的第四實施方式中，步驟Y1與所述檢查方法的第二實施方式中的步驟Y1相同。

＜步驟ZX＞於檢查方法的第四實施方式中，步驟ZX與所述檢查方法的第三實施方式中的步驟ZX相同。

〔檢查方法的第五實施方式〕檢查方法的第五實施方式是包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）的檢查方法，具有以下所示的步驟X1、步驟X2、步驟X3（步驟X3A及步驟X3E）、步驟Y1、及步驟ZX。步驟X1：將檢查組成物塗佈於基板上來形成塗膜的步驟步驟X2：不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液（除去用溶劑）自所述基板除去所述塗膜的步驟步驟X3A：使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後所述基板上的缺陷的數量的步驟。步驟Y1：於所述步驟X1之前，對步驟X1中使用的基板，使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟步驟ZX：於所述步驟X2之前實施的具有步驟Z1～步驟Z4的步驟（再者，步驟Z1～步驟Z4按照步驟Z3、步驟Z1、步驟Z2、步驟Z4的順序實施）。步驟Z1：將步驟X2中使用的除去用溶劑塗佈於基板上的步驟步驟Z2：使用缺陷檢查裝置測定塗佈有除去用溶劑的基板上的缺陷的數量的步驟步驟Z3：對步驟Z1中使用的基板，使用缺陷檢查裝置測定基板上的缺陷的數量的步驟步驟Z4：自於步驟Z2中測定出的缺陷的數量中減去於步驟Z3中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由步驟X2中使用的除去用溶劑導致的缺陷的數量的步驟步驟3E：自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量中減去步驟Y1中算出的缺陷的數量以及步驟Z4中算出的缺陷的數量，藉此算出由檢查組成物導致的缺陷的數量的步驟。

以下中，對各順序進行說明。

＜步驟X1及步驟X2＞於檢查方法的第五實施方式中，步驟X1及步驟X2與所述檢查方法的第一實施方式中的步驟X1及步驟X2相同。

＜步驟X3（步驟X3A及步驟X3E）＞步驟X3具有步驟X3A及步驟X3E。（步驟X3A）於檢查方法的第五實施方式中，步驟X3A與所述檢查方法的第一實施方式中的步驟X3相同。（步驟X3E）步驟3E是如下步驟：自於步驟X3A中測定出的缺陷的數量（溶劑除去處理後的總缺陷數）中減去步驟Y1中算出的缺陷的數量（原基板缺陷數）以及步驟Z4中算出的缺陷的數量（除去溶劑缺陷數），藉此算出由檢查組成物導致的缺陷的數量（組成物缺陷數）。

＜步驟Y1＞於檢查方法的第五實施方式中，步驟Y1與所述檢查方法的第二實施方式中的步驟Y1相同。

＜步驟ZX＞於檢查方法的第五實施方式中，步驟ZX與所述檢查方法的第三實施方式中的步驟ZX相同。

〔檢查組成物〕本發明的檢查方法中的檢查組成物是包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物。以下中，對作為檢查組成物而較佳的包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物的形態一例進行說明。

《包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物》所謂包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物是指曝光部硬化而未曝光部可藉由鹼顯影液除去的抗蝕劑組成物。作為包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物，例如可使用能夠鹼顯影的公知的負型抗蝕劑組成物。能夠鹼顯影的負型抗蝕劑組成物通常曝光部硬化，未曝光部可藉由鹼顯影液除去。另外，所謂鹼可溶性成分較佳為可於圖案形成時使用的鹼顯影液中溶解（包括一部分溶解及完全溶解中的任一種）的成分。作為鹼可溶性成分的較佳的一形態，可列舉具有酚性羥基的鹼可溶性樹脂。所謂酚性羥基為以羥基取代芳香環基的氫原子而成的基。所述芳香環基的芳香環可為單環及多環中的任一種，例如可列舉苯環及萘環。以下中，對作為檢查組成物而較佳的負型抗蝕劑組成物的形態一例進行說明。

＜負型抗蝕劑組成物的較佳形態1＞作為能夠鹼顯影的負型抗蝕劑組成物，例如可列舉包含鹼可溶性樹脂、光酸產生劑、交聯劑及溶劑的組成物等。

以下，列舉負型抗蝕劑組成物（R）為一例，說明負型抗蝕劑組成物的較佳形態1的具體形態。

（負型抗蝕劑組成物（R））負型抗蝕劑組成物（R）包含鹼可溶性樹脂、光酸產生劑、交聯劑及溶劑。

《鹼溶性樹脂》作為鹼可溶性樹脂，較佳為具有酚性羥基的鹼可溶性樹脂（以下亦稱為「樹脂（P）」。）。再者，「酚性羥基」的定義如上所述。

·具有酚性羥基的重複單元作為樹脂（P），更佳為包含具有酚性羥基的重複單元。作為具有酚性羥基的重複單元，例如較佳為下述通式（II）所表示的重複單元。

[化1]

式中，R ₂表示氫原子、可具有取代基的甲基或鹵素原子（較佳為氟原子）。B'表示單鍵或二價的連結基。Ar'表示芳香環基。m表示1以上的整數。

作為R ₂所表示的可具有取代基的甲基，可列舉三氟甲基及羥基甲基等。作為R ₂，較佳為氫原子或甲基，更佳為氫原子。

作為B'所表示的二價的連結基，較佳為羰基、伸烷基（較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～5）、磺醯基（-S(=O) ₂-）、-O-、-NH-、或將該些組合而成的二價的連結基。作為B'，其中，較佳為單鍵、羰氧基（-C(=O)-O-）、或-C(=O)-NH-，更佳為單鍵或羰氧基（-C(=O)-O-），進而佳為單鍵。

作為Ar'所表示的芳香族環，可為單環或多環的芳香族環中的任一種，可列舉：例如苯環、萘環、蒽環、芴環及菲環等碳數6～18的可具有取代基的芳香族烴環；例如噻吩環、呋喃環、吡咯環、苯並噻吩環、苯並呋喃環、苯並吡咯環、三嗪環、咪唑環、苯並咪唑環、三唑環、噻二唑環、及噻唑環等包含雜環的芳香族雜環等。該些中，較佳為芳香族烴環，更佳為苯環或萘環，進而佳為苯環。另外，Ar'所表示的芳香族環亦可進而具有取代基。作為取代基，例如可列舉：烷基、環烷基、鹵素原子、羥基、烷氧基、羧基、烷氧基羰基、烷基羰基、烷基羰氧基、烷基磺醯氧基、芳基羰基。

m較佳為1～5的整數，更佳為1～3，進而佳為1。於m為1且Ar'為苯環的情況下，相對於苯環的與B'（於B'為單鍵的情況下為聚合物主鏈）的鍵結位置，-OH的取代位置可為對位、間位及鄰位中的任一種，較佳為對位。

樹脂（P）可為僅由所述具有酚性羥基的重複單元構成的均聚物，亦可包含其他重複單元。於樹脂（P）為共聚物的情況下，作為具有酚性羥基的重複單元的含量，相對於樹脂（P）中的全部重複單元，較佳為10莫耳%～98莫耳%，更佳為30莫耳%～97莫耳%，進而佳為40莫耳%～95莫耳%。

·包含具有非酸分解性的烴結構的基的重複單元樹脂（P）亦較佳為包含含有具有非酸分解性的烴結構的基的重複單元（以下亦稱為「非酸分解性重複單元」。）。所謂非酸分解性基是指不因光酸產生劑產生的酸而發生分解反應的性質。作為具有烴結構的基，是指包含直鏈狀及支鏈狀的烴基、以及環狀（可為單環及多環中的任一種）的脂環烴基中的至少一種的基，亦可為橋環式。另外，所述脂環烴基的碳原子的至少一部分亦可被氧原子等雜原子及/或羰基碳（=CO）取代。作為具有烴結構的基，其中，較佳為環狀（可為單環及多環中的任一種）的脂環烴基。

作為直鏈狀及支鏈狀的烴基，可列舉碳數1～20的烷基。作為單環的脂環烴基，較佳為碳數3～8的環烷基。作為構成多環型的脂環烴基的脂環烴，可列舉具有碳數5以上的雙環、三環、四環結構的脂環烴。作為脂環烴，其中較佳為碳數6～30的多環環，更佳為金剛烷環、十氫萘環、降冰片烷環、降冰片烯環、雪松醇環、異冰片烷環、冰片烷環、二環戊烷環、α-蒎烯環、三環癸烷環、四環十二烷環或雄甾烷（androstane）環，進而佳為金剛烷環。

另外，所述具有烴結構的基亦可進而具有取代基。作為取代基，例如可列舉：烷基（較佳為碳數1～6）、環烷基（較佳為碳數3～10）、芳基（較佳為碳數6～15）、鹵素原子、羥基、烷氧基（較佳為碳數1～6）、羧基、羰基、硫代羰基、烷氧基羰基（較佳為碳數2～7）及將該些基組合而成的基（較佳為總碳數1～30，更佳為總碳數1～15）。

作為包含具有非酸分解性的烴結構的基的重複單元，其中，較佳為下述通式（1）所表示的重複單元。

[化2]

式中，R表示氫原子或甲基。X表示具有非酸分解性的烴結構的基。Ar表示芳香族環。L表示單鍵或二價的連結基。

作為R，較佳為氫原子。

作為L所表示的二價的連結基，可列舉羰基、伸烷基（較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～5）、磺醯基（-S(=O) ₂-）、-O-、-NH-及將該些組合而成的二價的連結基。作為L，較佳為單鍵。

作為Ar所表示的芳香族環，可列舉：例如苯環、萘環、蒽環、芴環及菲環等碳數6～18的可具有取代基的芳香族烴環；例如噻吩環、呋喃環、吡咯環、苯並噻吩環、苯並呋喃環、苯並吡咯環、三嗪環、咪唑環、苯並咪唑環、三唑環、噻二唑環、及噻唑環等芳香族雜環。作為Ar所表示的芳香族環，較佳為苯環或萘環，更佳為苯環。另外，Ar所表示的芳香族環亦可進而具有取代基。作為取代基，例如可列舉：烷基（較佳為碳數1～6）、環烷基（較佳為碳數3～10）、芳基（較佳為碳數6～15）、鹵素原子、羥基、烷氧基（較佳為碳數1～6）、羧基、烷氧基羰基（較佳為碳數2～7）。

作為X所表示的具有非酸分解性的烴基的基，較佳為-Y-X ₂所表示的基（Y為二價的連結基及X ₂為所述具有烴結構的基）。作為Y所表示的二價連結基，可列舉：羰基、硫代羰基、伸烷基（較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～5）、磺醯基、-COCH ₂-、-NH-及將該些組合而成的二價的連結基（較佳為總碳數1～20、更佳為總碳數1～10），較佳為羰基。

作為X ₂所表示的具有烴結構的基，可列舉已述的具有烴結構的基。作為X ₂所表示的具有烴結構的基，其中，較佳為環狀（可為單環及多環中的任一種）的脂環烴基，更佳為金剛烷基。

作為包含具有非酸分解性的烴結構的基的重複單元的含量，相對於樹脂（P）的全部重複單元，較佳為1莫耳%～40莫耳%，更佳為2莫耳%～30莫耳%。

·其他重複單元樹脂（P）亦可包含其他重複單元。作為其他重複單元，例如可列舉日本專利特開2015-148688號公報的段落0125～段落0237中所揭示的各重複單元。

樹脂（P）的重量平均分子量（Mw）較佳1,000～200,000，更佳為2,000～30,000，進而佳為3,000～25,000。分散度（Mw/Mn）通常為1.0～3.0，較佳為1.0～2.6，更佳為1.0～2.0，進而佳為1.1～2.0。

樹脂（P）可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。組成物中，相對於總固體成分，樹脂（P）的含量較佳為20質量%～99.5質量%，更佳為40質量%～99質量%，進而佳為55質量%～98質量%。

《交聯劑》交聯劑是具有可使樹脂交聯的交聯性基的化合物（包含樹脂），較佳為藉由酸的作用使樹脂（P）交聯的化合物。作為交聯劑，可較佳地使用公知的化合物，例如可列舉：美國專利申請案公開2016/0147154A1號說明書的段落[0379]～段落[0431]及美國專利申請案公開2016/0282720A1號說明書的段落[0064]～段落[0141]中所揭示的公知的化合物。作為交聯性基，可列舉：羥基甲基、烷氧基甲基、醯氧基甲基、烷氧基甲醚基、環氧乙烷環及氧雜環丁烷環等，較佳為羥基甲基、烷氧基甲基、環氧乙烷環或氧雜環丁烷環。交聯劑較佳為具有兩個以上交聯性基的化合物。交聯劑較佳為具有羥基甲基或烷氧基甲基的酚衍生物、脲系化合物（具有脲結構的化合物）或三聚氰胺系化合物（具有三聚氰胺結構的化合物）。交聯劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。相對於組成物的總固體成分，組成物中的交聯劑的含量較佳為1質量%～50質量%，更佳為3質量%～40質量%，進而佳為5質量%～30質量%。

《光酸產生劑》光酸產生劑是藉由光化射線或放射線的照射而產生酸的化合物。作為光酸產生劑，可列舉光酸產生劑X及光酸產生劑Y。組成物包含單獨的光酸產生劑X，或者包含光酸產生劑X及光酸產生劑Y此兩者。

·光酸產生劑X 作為光酸產生劑X，較佳為藉由光化射線或放射線的照射而產生有機酸的化合物。例如可列舉：鋶鹽化合物、錪鹽化合物、重氮鎓鹽化合物、鏻鹽化合物、醯亞胺磺酸酯化合物、肟磺酸酯化合物、重氮二碸化合物、二碸化合物、及鄰硝基苄基磺酸酯化合物。

作為光酸產生劑X，可單獨使用藉由光化射線或放射線的照射而產生酸的公知的化合物，或者作為該些的混合物適當選擇來使用。例如可較佳地使用美國專利申請案公開2016/0070167A1號說明書的段落[0125]～段落[0319]、美國專利申請案公開2015/0004544A1號說明書的段落[0086]～段落[0094]、及美國專利申請案公開2016/0237190A1號說明書的段落[0323]～段落[0402]中所揭示的公知的化合物。

作為光酸產生劑X，例如較佳為下述通式（ZI）、通式（ZII）或通式（ZIII）所表示的化合物。

[化3]

於所述通式（ZI）中，R ₂₀₁、R ₂₀₂及R ₂₀₃分別獨立地表示有機基。作為R ₂₀₁、R ₂₀₂及R ₂₀₃的有機基的碳數一般而言為1～30，較佳為1～20。另外，R ₂₀₁～R ₂₀₃中的兩個可鍵結而形成環結構，環內可包含氧原子、硫原子、酯鍵、醯胺鍵或羰基。作為R ₂₀₁～R ₂₀₃中的兩個鍵結而形成的基，可列舉伸烷基（例如伸丁基、伸戊基）及-CH ₂-CH ₂-O-CH ₂-CH ₂-。 Z ^-表示陰離子（較佳為非親核性陰離子。）。

接著，對通式（ZII）、及通式（ZIII）進行說明。通式（ZII）及通式（ZIII）中，R ₂₀₄～R ₂₀₇分別獨立地表示芳基、烷基或環烷基。作為R ₂₀₄～R ₂₀₇的芳基，較佳為苯基或萘基，更佳為苯基。R ₂₀₄～R ₂₀₇的芳基亦可為含有具有氧原子、氮原子或硫原子等的雜環結構的芳基。作為具有雜環結構的芳基的骨架，例如可列舉：吡咯、呋喃、噻吩、吲哚、苯並呋喃及苯並噻吩等。作為R ₂₀₄～R ₂₀₇的烷基及環烷基，較佳為碳數1～10的直鏈狀烷基或碳數3～10的支鏈狀烷基（例如甲基、乙基、丙基、丁基及戊基）、或碳數3～10的環烷基（例如環戊基、環己基及降冰片基）。

R ₂₀₄～R ₂₀₇的芳基、烷基及環烷基可分別獨立地具有取代基。作為R ₂₀₄～R ₂₀₇的芳基、烷基及環烷基可具有的取代基，例如可列舉：烷基（例如碳數1～15）、環烷基（例如碳數3～15）、芳基（例如碳數6～15）、烷氧基（例如碳數1～15）、鹵素原子、羥基及苯硫基等。 Z ^-表示陰離子。

作為通式（ZI）中的Z ^-及通式（ZII）中的Z ^-，較佳為下述通式（3）所表示的陰離子。

[化4]

通式（3）中，o表示1～3的整數。p表示0～10的整數。q表示0～10的整數。

Xf表示氟原子或經至少一個氟原子取代的烷基。所述烷基的碳數較佳為1～10，更佳為1～4。另外，作為經至少一個氟原子取代的烷基，較佳為全氟烷基。 Xf較佳為氟原子或碳數1～4的全氟烷基，更佳為氟原子或CF ₃。尤其是進而佳為兩個Xf為氟原子。

R ₄及R ₅分別獨立地表示氫原子、氟原子、烷基或經至少一個氟原子取代的烷基。於存在多個R ₄及R ₅的情況下，R ₄及R ₅分別可相同亦可不同。 R ₄及R ₅所表示的烷基可具有取代基，較佳為碳數1～4。R ₄及R ₅較佳為氫原子。經至少一個氟原子取代的烷基的具體例及較佳形態與通式（3）中的Xf的具體例及較佳形態相同。

L表示二價的連結基。於存在多個L的情況下，L分別可相同亦可不同。作為二價的連結基，例如可列舉：-COO-（-C(=O)-O-）、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO ₂-、伸烷基（較佳為碳數1～6）、伸環烷基（較佳為碳數3～15）、伸烯基（較佳為碳數2～6）及將該些的多個組合而成的二價的連結基等。該些中，較佳為-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-SO ₂-、-COO-伸烷基-、-OCO-伸烷基-、-CONH-伸烷基-或-NHCO-伸烷基-，更佳為-COO-、-OCO-、-CONH-、-SO ₂-、-COO-伸烷基-或-OCO-伸烷基-。

W表示包含環狀結構的有機基。該些中，較佳為環狀有機基。作為環狀有機基，例如可列舉脂環基、芳基及雜環基。脂環基可為單環式，亦可為多環式。作為單環式的脂環基，例如可列舉：環戊基、環己基、及環辛基等單環的環烷基。作為多環式的脂環基，例如可列舉：降冰片基、三環癸烷基、四環癸烷基、四環十二烷基、及金剛烷基等多環的環烷基。其中，較佳為降冰片基、三環癸烷基、四環癸烷基、四環十二烷基、及金剛烷基等碳數7以上的具有大體積的結構的脂環基。

芳基可為單環式，亦可為多環式。作為所述芳基，例如可列舉苯基、萘基、菲基及蒽基。雜環基可為單環式，亦可為多環式。多環式能夠進一步抑制酸的擴散。另外，雜環基可具有芳香族性，亦可不具有芳香族性。作為具有芳香族性的雜環，例如可列舉：呋喃環、噻吩環、苯並呋喃環、苯並噻吩環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、及吡啶環。作為不具有芳香族性的雜環，例如可列舉：四氫吡喃環、內酯環、磺內酯環及十氫異喹啉環。作為內酯環及磺內酯環的例子，可列舉於所述樹脂中所例示的內酯結構及磺內酯結構。作為雜環基中的雜環，特佳為呋喃環、噻吩環、吡啶環或十氫異喹啉環。

所述環狀有機基亦可具有取代基。作為所述取代基，例如可列舉：烷基（可為直鏈狀及支鏈狀中的任一種，較佳為碳數1～12）、環烷基（可為單環、多環及螺環中的任一種，較佳為碳數3～20）、芳基（較佳為碳數6～14）、羥基、烷氧基、酯基、醯胺基、胺基甲酸酯基、脲基、硫醚基、磺醯胺基及磺酸酯基。再者，構成環狀有機基的碳（有助於環形成的碳）亦可為羰基碳。

作為通式（3）所表示的陰離子，較佳為SO ₃ ^--CF ₂-CH ₂-OCO-(L)q'-W、SO ₃ ^--CF ₂-CHF-CH ₂-OCO-(L)q'-W、SO ₃ ^--CF ₂-COO-(L)q'-W、SO ₃ ^--CF ₂-CF ₂-CH ₂-CH ₂-(L)q-W、SO ₃ ^--CF ₂-CH(CF ₃)-OCO-(L)q'-W。此處，L、q及W與通式（3）相同。q'表示0～10的整數。

通式（ZI）中的Z ^-及通式（ZII）中的Z ^-可為苯磺酸根陰離子，較佳為經支鏈狀烷基或環烷基取代而成的苯磺酸根陰離子。

作為光酸產生劑X，例如可參考國際公開2018/193954號公報的段落[0135]～段落[0171]、國際公開2020/066824號公報的段落[0077]～段落[0116]、國際公開2017/154345號公報的段落[0018]～段落[0075]及段落[0334]～段落[0335]中所揭示的光酸產生劑。該些的內容組入至本說明書中。

光酸產生劑X可為低分子化合物的形態，亦可為組入至聚合物的一部分中的形態。另外，亦可將低分子化合物的形態與組入至聚合物的一部分中的形態併用。光酸產生劑X較佳為低分子化合物的形態。於光酸產生劑X為低分子化合物的形態的情況下，分子量較佳為3,000以下，更佳為2,000以下，進而佳為1,000以下。於光酸產生劑X為組入至聚合物的一部分中的形態的情況下，可組入至所述樹脂（P）的一部分中，亦可組入至與樹脂（P）不同的樹脂中。光酸產生劑X可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

組成物中，以組成物的總固體成分為基準，光酸產生劑X的含量（於存在多種的情況下為其合計）較佳為0.1質量%～35質量%，更佳為0.5質量%～25質量%，進而佳為1質量%～20質量%，特佳為1質量%～15質量%。

·光酸產生劑Y 光酸產生劑Y是相對於光酸產生劑X而言相對地變為弱酸的鎓鹽結構的光酸產生劑。於混合使用光酸產生劑X以及產生相對於自光酸產生劑X產生的酸而言相對為弱酸的酸的鎓鹽的情況下，若藉由光化射線或放射線的照射而自光酸產生劑X產生的酸與未反應的具有弱酸根陰離子的鎓鹽碰撞，則藉由鹽交換而釋放出弱酸並產生具有強酸根陰離子的鎓鹽。於所述過程中強酸被交換為觸媒能力更低的弱酸，因此於外觀上酸失活而能夠控制酸擴散。

作為光酸產生劑Y，較佳為下述通式（d1-1）～通式（d1-3）所表示的化合物。

[化5]

式中，R ⁵¹為可具有取代基的烴基，Z ^2c為可具有取代基的碳數1～30的烴基（其中，設為於鄰接於S的碳上未取代有氟原子者），R ⁵²為有機基，Y ³為直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基或伸芳基，Rf為包含氟原子的烴基，M ⁺分別獨立地為銨陽離子、鋶陽離子或錪陽離子。

關於作為M ⁺而表示的鋶陽離子或錪陽離子的較佳的例子，可列舉通式（ZI）中例示的鋶陽離子及通式（ZII）中例示的錪陽離子。

相對於光酸產生劑而言相對地變為弱酸的鎓鹽（DC）亦可為於同一分子內具有陽離子部位與陰離子部位、且陽離子部位與陰離子部位藉由共價鍵而連結的化合物（以下，亦稱為「化合物（DCA）」。）。作為化合物（DCA），較佳為下述通式（C-1）～通式（C-3）的任一者所表示的化合物。

[化6]

通式（C-1）～通式（C-3）中，R ₁、R ₂、及R ₃分別獨立地表示碳數1以上的取代基。 L ₁表示連結陽離子部位與陰離子部位的二價的連結基或單鍵。 -X ^-表示選自-COO ^-、-SO ₃ ^-、-SO ₂ ^-及-N ^--R ₄中的陰離子部位。R ₄表示於與鄰接的N原子的連結部位具有羰基（-C(=O)-）、磺醯基（-S(=O) ₂-）及亞磺醯基（-S(=O)-）中的至少一個的一價取代基。 R ₁、R ₂、R ₃、R ₄及L ₁可相互鍵結而形成環結構。另外，於通式（C-3）中，將R ₁～R ₃中的兩個一併表示為一個二價取代基，亦可藉由雙鍵而與N原子鍵結。

作為R ₁～R ₃中的碳數1以上的取代基，可列舉：烷基、環烷基、芳基、烷基氧基羰基、環烷基氧基羰基、芳基氧基羰基、烷基胺基羰基、環烷基胺基羰基、及芳基胺基羰基等。較佳為烷基、環烷基或芳基。

作為二價的連結基的L ₁可列舉直鏈狀或支鏈狀伸烷基、伸環烷基、伸芳基、羰基、醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、胺基甲酸酯鍵、脲鍵、及將該些的兩種以上組合而成的基等。L ₁較佳為伸烷基、伸芳基、醚鍵、酯鍵、或將該些的兩種以上組合而成的基。

組成物中，以組成物的總固體成分為基準，光酸產生劑Y的含量（於存在多種的情況下為其合計），較佳為1.0×10 ^-4質量%以下，更佳為1.0×10 ^-5質量%以下。

《鹼性化合物》鹼性化合物作為酸擴散控制劑發揮作用。具體而言，作為淬滅劑發揮作用，所述淬滅劑捕獲曝光時自光酸產生劑等產生的酸，抑制因多餘的產生酸引起的未曝光部中的酸分解性樹脂的反應。作為酸擴散控制劑，例如可使用如下化合物等作為酸擴散控制劑：鹼性化合物（CA）；藉由光化射線或放射線的照射而鹼性降低或消失的鹼性化合物（CB）；具有氮原子且具有因酸的作用而脫離的基的低分子化合物（CD）；及於陽離子部具有氮原子的鎓鹽化合物（CE）。

作為鹼性化合物，可適宜使用公知的酸擴散控制劑。例如可較佳地使用美國專利申請案公開2016/0070167A1號說明書的段落[0627]～段落[0664]、美國專利申請案公開2015/0004544A1號說明書的段落[0095]～段落[0187]、美國專利申請案公開2016/0237190A1號說明書的段落[0403]～段落[0423]、及美國專利申請案公開2016/0274458A1號說明書的段落[0259]～段落[0328]中所揭示的公知的化合物作為酸擴散控制劑。另外，例如作為鹼性化合物（CA）的具體例，可列舉國際公開第2020/066824號公報的段落[0132]～段落[0136]中記載者，作為藉由光化射線或放射線的照射而鹼性降低或消失的鹼性化合物（CB）的具體例，可列舉國際公開第2020/066824號公報的段落[0137]～段落[0155]中記載者，作為具有氮原子且具有因酸的作用而脫離的基的低分子化合物（CD）的具體例，可列舉國際公開第2020/066824號公報的段落[0156]～段落[0163]中記載者，作為於陽離子部具有氮原子的鎓鹽化合物（CE）的具體例，可列舉國際公開第2020/066824號公報的段落[0164]中記載者。該些內容組入至本說明書中。

作為鹼性化合物的一形態，較佳為化合物（CE），更佳為於陽離子部具有包含氮原子的鹼性部位的化合物。鹼性部位較佳為胺基，更佳為脂肪族胺基。進而佳為鹼性部位中的與氮原子鄰接的原子全部為氫原子或碳原子。另外，就提高鹼性的觀點而言，較佳為拉電子性的官能基（羰基、磺醯基、氰基、及鹵素原子等）不直接鍵結於氮原子。作為化合物（CE）的較佳具體例，可列舉美國專利申請案公開2015/0309408A1號說明書的段落[0203]中所揭示的化合物，但並不限定於此。

以下示出鹼性化合物的較佳例，但本發明並不限定於該些。Me表示甲基。

[化7]

鹼性化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。組成物中，相對於組成物的總固體成分，鹼性化合物的含量（於存在多種的情況下為其合計）較佳為0.001質量%～20質量%，更佳為0.01質量%～10質量%。

《溶劑》作為溶劑，可適宜使用公知的抗蝕劑溶劑。例如可較佳地使用美國專利申請案公開2016/0070167A1號說明書的段落[0665]～段落[0670]、美國專利申請案公開2015/0004544A1號說明書的段落[0210]～段落[0235]、美國專利申請案公開2016/0237190A1號說明書的段落[0424]～段落[0426]、及美國專利申請案公開2016/0274458A1號說明書的段落[0357]～段落[0366]中所揭示的公知的溶劑。作為製備組成物時可使用的溶劑，例如可列舉：烷二醇單烷基醚羧酸酯、烷二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環狀內酯（較佳為碳數4～10）、可具有環的單酮化合物（較佳為碳數4～10）、碳酸伸烷基酯、烷氧基乙酸烷基酯、及丙酮酸烷基酯等有機溶劑。

作為有機溶劑，亦可使用將結構中具有羥基的溶劑與不具有羥基的溶劑混合而成的混合溶劑。作為具有羥基的溶劑、及不具有羥基的溶劑，可適宜選擇所述的例示化合物，作為包含羥基的溶劑，較佳為烷二醇單烷基醚或乳酸烷基酯等，更佳為丙二醇單甲醚（PGME（propylene glycol monomethyl ether）：1-甲氧基-2-丙醇）、丙二醇單乙醚（propylene glycol monoethyl ether，PGEE）、2-羥基異丁酸甲酯、或乳酸乙酯（ethyl lactate，EL）。另外，作為不具有羥基的溶劑，較佳為烷二醇單烷基醚乙酸酯、烷基烷氧基丙酸酯、可具有環的單酮化合物、環狀內酯、或乙酸烷基酯等，該些中，更佳為丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA（propylene glycol monomethyl ether acetate）：1-甲氧基-2-乙醯氧基丙烷）、乙基乙氧基丙酸酯、2-庚酮、γ-丁內酯、環己酮、環戊酮、或乙酸丁酯，進而佳為丙二醇單甲醚乙酸酯、γ-丁內酯、乙基乙氧基丙酸酯、環己酮、環戊酮、或2-庚酮。作為不具有羥基的溶劑，亦較佳為碳酸伸丙酯。具有羥基的溶劑與不具有羥基的溶劑的混合比（質量比）為1/99～99/1，較佳為10/90～90/10，更佳為20/80～60/40。含有50質量%以上的不具有羥基的溶劑的混合溶劑就塗佈均勻性的方面而言較佳。溶劑較佳為含有丙二醇單甲醚乙酸酯，可為丙二醇單甲醚乙酸酯單獨溶劑，亦可為含有丙二醇單甲醚乙酸酯的兩種以上的混合溶劑。

《其他添加劑》本發明的組成物除了上述所說明的成分以外，亦可適宜包含界面活性劑、羧酸、羧酸鎓鹽、國際光學工程學會會議記錄（Proceeding of Society of Photo-optical Instrumentation Engineers，Proceeding of SPIE），2724，355（1996）等中記載的分子量為3000以下的溶解抑制化合物、染料、塑化劑、光增感劑、光吸收劑、抗氧化劑等。

羧酸亦可較佳地用於提高性能。作為羧酸，較佳為苯甲酸及萘甲酸等芳香族羧酸。於組成物包含羧酸的情況下，相對於組成物的總固體成分，羧酸的含量較佳為0.01質量%～10質量%，更佳為0.01質量%～5質量%，進而佳為0.01質量%～3質量%。

作為界面活性劑，較佳為氟系界面活性劑及/或矽系界面活性劑。該些界面活性劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。於組成物包含界面活性劑的情況下，以組成物的總固體成分為基準，其含量較佳為0質量%～2質量%，更佳為0.0001質量%～2質量%，進而佳為0.0005質量%～1質量%。

組成物的固體成分濃度較佳為1.0質量%～10質量%，更佳為2.0質量%～5.7質量%，進而佳為2.0質量%～5.3質量%。

＜負型抗蝕劑組成物的較佳形態2＞作為能夠鹼顯影的負型抗蝕劑組成物的另一例，可列舉包含聚合性化合物、光聚合起始劑、及溶媒的組成物等。組成物中，聚合性化合物較佳為鹼可溶性成分。另外，組成物亦較佳為包含樹脂。作為樹脂，較佳為鹼可溶性樹脂。再者，鹼可溶性樹脂亦可用作分散劑或黏合劑。於組成物包含鹼可溶性樹脂的情況下，樹脂的含量相對於組成物的總固體成分而較佳為0.1質量%～40質量%。另外，於聚合性化合物包含環狀醚基、羥甲基或烷氧基甲基的情況下，組成物亦較佳為進而包含硬化劑。另外，組成物亦可包含著色劑（顏料等）、界面活性劑、聚合抑制劑、矽烷偶合劑、紫外線吸收劑、及抗氧化劑等成分。

作為聚合性化合物，例如可列舉具有聚合性基的化合物（聚合性化合物）。作為聚合性基，可列舉含有乙烯性不飽和鍵的基、環狀醚基、羥甲基、及烷氧基甲基等。作為含有乙烯性不飽和鍵的基，可列舉：乙烯基、乙烯基苯基、(甲基)烯丙基、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基、及(甲基)丙烯醯胺基等。作為環狀醚基，可列舉環氧基及氧雜環丁基等。聚合性化合物可為單體，亦可為聚合物。於聚合性化合物為單體的情況下，作為分子中的聚合性基的個數，只要為一個以上則並無特別限制，較佳為兩個以上，更佳為三個以上。作為上限值，並無特別限制，較佳為十五個以下，更佳為六個以下。於聚合性化合物為聚合物的情況下，較佳為包含具有聚合性基的重複單元的聚合物。

於聚合性化合物為單體的情況下，聚合性化合物的分子量較佳為小於2,000，更佳為1,500以下。作為下限，較佳為100以上，更佳為200以上。於聚合性化合物為聚合物的情況下，聚合性化合物的重量平均分子量（Mw）較佳為2000萬～200萬。作為上限值，較佳為100萬以下，更佳為50萬以下，進而佳為10萬以下。作為下限值，較佳為3,000以上，更佳為5,000以上。

聚合性化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。於組成物的總固體成分中，聚合性化合物的含量較佳為1質量%～95質量%。

作為溶劑，可列舉水、有機溶劑。作為有機溶劑，例如可列舉丙二醇單甲醚及丙二醇單甲醚乙酸酯等。溶劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。組成物中的溶劑的含量較佳為10質量%～97質量%。

作為光聚合起始劑，並無特別限制，可自公知的光聚合起始劑中適宜選擇。例如較佳為對紫外線區域至可見區域的光線具有感光性的化合物。光聚合起始劑較佳為光自由基聚合起始劑。

光聚合起始劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。於組成物的總固體成分中，光聚合起始劑的含量較佳為0.1質量%～40質量%。

於組成物包含具有環狀醚基的化合物的情況下，組成物較佳為進而包含硬化劑。作為硬化劑，例如可列舉：胺化合物、酸酐化合物、醯胺化合物、酚化合物、多元羧酸及硫醇化合物等。於使用硬化劑的情況下，相對於具有環狀醚基的化合物的100質量份，硬化劑的含量較佳為0.01質量份～20質量份。

作為所述能夠鹼顯影的負型抗蝕劑組成物，例如可列舉：於固體攝像組件的製造過程中可用於形成各種硬化膜的硬化性組成物（例如，遮光膜或彩色濾光片製作用的硬化性組成物等）。作為此種硬化性組成物，可列舉日本專利特開2020-126253號及日本專利特開2020-073989號等中所揭示的組成物等作為一例。

[感光化射線性或感放射線性組成物的製造方法] 本發明的感光化射線性或感放射線性組成物（抗蝕劑組成物）的製造方法具有以下的組成物製備步驟及檢查步驟。組成物製備步驟：製備包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）的步驟檢查步驟：對藉由組成物製備步驟獲得的包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物），實施基於本發明的檢查方法的檢查的步驟再者，關於包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）的製備方法及檢查方法，如已述般，較佳形態亦相同。

於藉由檢查步驟偵測到由經過組成物製備步驟而得的抗蝕劑組成物導致的缺陷的數量多於期望值的情況下，較佳為對經過了檢查步驟的檢查組成物進一步實施精製處理。另外，檢查步驟於抗蝕劑組成物的製備後可僅實施一次，亦可實施多次。

作為本發明的製造方法的較佳一形態，可列舉具有以下的組成物製備步驟、檢查步驟、精製步驟、及再檢查步驟的製造方法。所述製造方法視需要亦可進而具有重覆步驟（重覆步驟為一次以上）。組成物製備步驟：製備包含鹼可溶性成分的抗蝕劑組成物（檢查組成物）的步驟檢查步驟：對藉由組成物製備步驟獲得的抗蝕劑組成物（檢查組成物），實施基於本發明的檢查方法的檢查的步驟精製步驟：對經過了缺陷檢查步驟的抗蝕劑組成物進一步實施精製處理（例如過濾處理）的步驟再檢查步驟：對經過了精製步驟的抗蝕劑組成物（檢查組成物）再次實施基於本發明的檢查方法的檢查的步驟重覆步驟：於所述再檢查步驟中檢測出的、由抗蝕劑組成物導致的缺陷的數量不滿足規定值的情況下，再次實施所述精製步驟及接下來的再檢查步驟的步驟

[電子元件的製造方法] 另外，本發明亦是有關於一種具有實施基於所述本發明的檢查方法的檢查的步驟的電子元件的製造方法、及藉由所述製造方法製造的電子元件。作為電子元件的製造方法的具體一形態，較佳為具有基於所述本發明的組成物的製造方法的步驟。作為電子元件，並無特別限制，例如為較佳地搭載於電氣電子機器（家電、辦公自動化（Office Automation，OA）、媒體相關機器、光學用機器及通訊機器等）中者。 [實施例]

以下基於實施例更詳細地說明本發明。以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容及處理順序等只要不脫離本發明的主旨則可適宜變更。因此，本發明的範圍不應由以下所示的實施例來限定性地解釋。

[實施例及比較例的抗蝕劑組成物的準備] 〔抗蝕劑組成物A、抗蝕劑組成物A-1、抗蝕劑組成物A-2的製備：負型抗蝕劑組成物〕作為負型抗蝕劑組成物，藉由以下所示的順序來製備抗蝕劑組成物A。另外，藉由對抗蝕劑組成物A實施以下所示的不同的兩種精製處理，製備A-1及A-2此兩種抗蝕劑組成物。

＜抗蝕劑組成物A的製備＞ ·下述樹脂P-8 61.2質量份 ·下述光酸產生劑A-12 7.5質量份 ·下述光酸產生劑B-1 4.5質量份 ·下述鹼性化合物Q-1 0.3質量份 ·下述交聯劑X-1 26.4質量份 ·溶劑（EL/PGME/PEGMEA（質量比：60/20/20））固體成分濃度為2.3質量%的量

（樹脂P-8） [化8]

再者，樹脂P-8中的與各重複單元對應的數值是指莫耳比。

（光酸產生劑A-12） [化9]

（光酸產生劑B-1） [化10]

（鹼性化合物Q-1） [化11]

（交聯劑X-1） [化12]

＜抗蝕劑液的過濾＞另外，藉由對按照所述順序製備的抗蝕劑組成物A實施以下所示的不同的兩種精製處理，製備抗蝕劑組成物A-1及抗蝕劑組成物A-2此兩種抗蝕劑組成物。

（抗蝕劑組成物A-1）藉由以下的二級過濾器過濾抗蝕劑組成物A 12000 g，獲得抗蝕劑組成物A-1。第一階段：頗爾（PALL）公司製造的孔隙尺寸20 nm的尼龍過濾器（過濾器C）第二階段：英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸3 nm的聚乙烯過濾器（過濾器D）（抗蝕劑組成物A-2）藉由以下的二級過濾器過濾抗蝕劑組成物A 12000 g，獲得抗蝕劑組成物A-2。第一階段：頗爾（PALL）公司製造的孔隙尺寸5 nm的尼龍過濾器（過濾器A）第二階段：英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸1 nm的聚乙烯過濾器（過濾器B）

〔抗蝕劑組成物B、抗蝕劑組成物B-1、抗蝕劑組成物B-2A、抗蝕劑組成物B-2B的調製：負型抗蝕劑組成物〕作為負型抗蝕劑組成物，藉由以下所示的順序製備抗蝕劑組成物B。另外，藉由對抗蝕劑組成物B實施以下所示的不同的三種精製處理，製備抗蝕劑組成物B-1、抗蝕劑組成物B-2A、抗蝕劑組成物B-2B此三種抗蝕劑組成物。再者，關於抗蝕劑組成物B-2B，除了於即將進行過濾處理之前實施過濾器事先清洗的方面以外，藉由與抗蝕劑組成物B-2A同樣的順序實施精製處理。

＜抗蝕劑組成物B的製備＞ ·所述樹脂P-8 57.7質量份 ·所述光酸產生劑A-12 8.1質量份 ·所述光酸產生劑B-1 5.0質量份 ·所述鹼性化合物Q-1 1.0質量份 ·所述交聯劑X-1 28.2質量份 ·溶劑（EL/PGME/PEGMEA（質量比：60/20/20））固體成分濃度為2.6質量%的量

＜抗蝕劑液的過濾＞另外，藉由對抗蝕劑組成物B實施以下所示的不同的三種精製處理，製備抗蝕劑組成物B-1、抗蝕劑組成物B-2A、抗蝕劑組成物B-2B此三種抗蝕劑組成物。

（抗蝕劑組成物B-1）藉由以下的二級過濾器過濾抗蝕劑組成物B 12000 g，獲得抗蝕劑組成物B-1。第一階段：頗爾（PALL）公司製造的孔隙尺寸5 nm的尼龍過濾器（過濾器A）第二階段：英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸1 nm的聚乙烯過濾器（過濾器B）

（抗蝕劑組成物B-2A）藉由以下的二級過濾器對抗蝕劑組成物B 12000 g進行14次循環過濾，獲得抗蝕劑組成物B-2A（再者，所謂14次的循環過濾，是將測定流量並且使投入量為12000 g的14倍的量通液的次數設為14次。）第一階段：頗爾（PALL）公司製造的孔隙尺寸5 nm的尼龍過濾器（過濾器A）第二階段：英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸1 nm的聚乙烯過濾器（過濾器B）

（抗蝕劑組成物B-2B）藉由以下的二級過濾器對抗蝕劑組成物B 12000 g進行14次循環過濾，獲得抗蝕劑組成物B-2B（再者，所謂14次的循環過濾，是將測定流量並且使投入量為12000 g的14倍的量通液的次數設為14次。）但是，於即將實施循環過濾之前，使用製備抗蝕劑組成物時使用的溶劑來實施過濾器的事先清洗。按照使所述溶劑通過過濾器的順序實施事先清洗。第一階段：頗爾（PALL）公司製造的孔隙尺寸5 nm的尼龍過濾器（過濾器A）第二階段：英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸1 nm的聚乙烯過濾器（過濾器B）

〔抗蝕劑組成物C、抗蝕劑組成物C-1的製備（比較例用正型抗蝕劑組成物）〕作為負型抗蝕劑組成物，藉由以下所示的順序製備抗蝕劑組成物C。另外，藉由對抗蝕劑組成物C實施以下所示的過濾處理，製備抗蝕劑組成物C-1。

＜抗蝕劑組成物C的製備＞ ·下述樹脂P-1 77.4質量份 ·下述光酸產生劑A-11 16.5質量份 ·所述光酸產生劑B-1 5.1質量份 ·所述鹼性化合物Q-1 1.0質量份 ·溶劑（EL/PGME/PEGMEA（質量比：60/20/20））固體成分濃度為2.6質量%的量

（樹脂P-1） [化13]

再者，樹脂P-1中的與各重複單元對應的數值是指莫耳比。

（光酸產生劑A-11） [化14]

＜抗蝕劑液的過濾＞另外，藉由對按照所述順序製備的抗蝕劑組成物C實施以下所示的精製處理，製備抗蝕劑組成物C-1。

（抗蝕劑組成物C-1）藉由以下的二級過濾器過濾抗蝕劑組成物B 12000 g，獲得抗蝕劑組成物C-1。第一階段：頗爾（PALL）公司製造的孔隙尺寸5 nm的尼龍過濾器（過濾器A）第二階段：英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸1 nm的聚乙烯過濾器（過濾器B）

[鹼顯影液（步驟X2中使用的除去用溶劑）的準備] 〔鹼顯影液（除去用溶劑）的種類〕＜鹼顯影液的種類＞作為鹼顯影液，準備以下所示的鹼顯影液X及鹼顯影液Y。進而，藉由對鹼顯影液X實施以下所示的不同的兩種精製處理，製備鹼顯影液X-W1及鹼顯影液X-W2此兩種鹼顯影液。另外，藉由對鹼顯影液Y實施以下所示的精製處理，製備鹼顯影液Y-W1。

鹼顯影液X：氫氧化四甲基銨（Tetramethylammonium hydroxide，TMAH）的2.38質量%的水溶液鹼顯影液Y：包含2.38質量%的氫氧化四甲基銨（TMAH）及界面活性劑的水溶液

繼而，於以下所示的兩種條件下對鹼顯影液X實施塗佈機內的POU過濾器過濾，獲得鹼顯影液X-W1及鹼顯影液X-W2，將其於後述的實施例中使用。另外，按照同樣的順序對鹼顯影液Y實施處理，獲得鹼顯影液Y-W1，將其於後述的實施例中使用。再者，所謂「使用點（Point Of Use，POU）過濾器」，相當於組入至裝置內的、用於在即將使用之前進行精製的過濾用過濾器。（鹼顯影液X-W1）藉由英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸10 nm的聚乙烯過濾器進行POU過濾（鹼顯影液X-W2）藉由英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸20 nm的聚乙烯過濾器進行POU過濾（鹼顯影液Y-W1）藉由英特格（Entegris）公司製造的孔隙尺寸10 nm的聚乙烯過濾器進行POU過濾

〔鹼顯影液（除去用溶劑）的清潔度評價（由步驟X2中使用的除去用溶劑導致的缺陷數的測定）（相當於步驟Z1～步驟Z4）〕＜檢查用晶圓的缺陷檢查＞使用科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5，實施用於檢查的12英吋（直徑300 mm）矽晶圓的缺陷檢查，對矽晶圓的表面上存在的20 nm以上大小的缺陷的數量（缺陷數）進行測定（「EX：原基板缺陷數」）。

再者，於以後所示的、使用科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5的12英吋（直徑300 mm）矽晶圓的表面上的缺陷數的測定中，將作為所述12英吋（直徑300 mm）矽晶圓的同心圓的面積為660 cm ²的圓的圓內區域（換言之，以所述12英吋（直徑300 mm）矽晶圓的中心為中心的圓且為面積為660 cm ²的圓的圓內區域）作為檢查區域。另外，於以後所示的各表中，作為使用科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5的12英吋（直徑300 mm）矽晶圓的表面上的缺陷數的測定結果，顯示出所述圓內區域中的缺陷數（單位：個）以及每單位面積的缺陷數（單位：個/cm ²）。

＜鹼顯影液（除去用溶劑）的清潔度評價（由步驟X2中使用的除去用溶劑導致的缺陷數的測定）＞將所述除去用溶劑（未過濾的狀態下的溶劑）分別與東京電子（Tokyo Electron）公司製造的可林特拉克（CLEAN TRACK）ACT12的塗佈機的顯影線連接。再者，連接時，於連接配管連接所述POU過濾器而使用。即，所述鹼顯影液X-W1、鹼顯影液X-W2及鹼顯影液X-W3是指通過所述POU過濾器而得的鹼顯影液，於後述的順序中，作為過濾後的除去用溶劑的鹼顯影液X-W1、鹼顯影液X-W2及鹼顯影液X-W3被塗佈於矽晶圓上。接著，於所述的＜檢查用晶圓的缺陷檢查＞中預先檢查了缺陷數的12英吋（直徑300 mm）矽晶圓上，藉由塗佈機塗佈（以600 mL/分鐘的流量噴出90秒）藉由所述方法連接的除去用溶劑，其中，於100℃下烘烤60秒鐘。對於藉由所述順序獲得的除去用溶劑塗佈後的晶圓，使用科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5，對矽晶圓的表面上存在的20 nm以上大小的缺陷的數量（缺陷數）進行測定（「F：除去用溶劑塗佈後缺陷數」）。繼而，基於藉由所述各種檢查獲得的「EX：原基板缺陷數」及「F：除去用溶劑塗佈後缺陷數」的結果，藉由下述計算式求出「C：除去用溶劑缺陷數」。將結果示於表1。式（A1）：[C：除去用溶劑缺陷數]=[F：除去用溶劑塗佈後缺陷數]-[EX：原基板缺陷數]

藉由所述檢查可確認到，對於鹼顯影液X-W1的初始缺陷數（[C：除去用溶劑缺陷數]），缺陷數為100個以下（0.15個/cm ²以下），對於鹼顯影液X-W2的初始缺陷數（[C：除去用溶劑缺陷數]），缺陷數為220個（0.33個/cm ²），對於鹼顯影液Y-W1的初始缺陷數（[C：除去用溶劑缺陷數]），缺陷數為100個以下（0.15個/cm ²以下）。

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例1] 〔檢查用晶圓的缺陷檢查（相當於步驟Y1）〕於抗蝕劑膜的缺陷評價之前，使用科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5，實施用於檢查的12英吋（直徑300 mm）矽晶圓（檢查用晶圓）的缺陷檢查，對矽晶圓的表面上存在的20 nm以上大小的缺陷的數量（缺陷數）進行測定（「E：原基板缺陷數」）。將結果示於表1。

〔抗蝕劑膜的形成（相當於步驟X1）〕將所製備的抗蝕劑組成物A-2與東京電子（Tokyo Electron）公司製造的可林特拉克（CLEAN TRACK）ACT12的塗佈機的抗蝕劑線連接（再者，連接時，於連接配管不連接過濾器而使用仿真容器（capsule））。接著，於所述12英吋（直徑300 mm）矽晶圓上，藉由塗佈機塗佈藉由所述方法連接的抗蝕劑組成物，其後，於90℃下烘烤90秒鐘而形成塗膜。此時的抗蝕劑膜（塗膜）的膜厚調整為80 nm。再者，如上所述，於所述步驟中並未實施曝光處理。另外，關於形成了抗蝕劑膜的基板，於無塵室內的晶圓殼體內環境下保存，直到供至接下來的〔抗蝕劑膜的除去步驟（相當於步驟X2）〕。

〔抗蝕劑膜的除去步驟（相當於步驟X2）〕繼而，使用鹼顯影液（除去用溶劑），自實施所述的〔抗蝕劑膜的形成（相當於步驟X1）〕的順序而得的帶抗蝕劑膜的矽晶圓除去抗蝕劑膜。再者，此處使用的除去用溶劑是[鹼顯影液（步驟X2中使用的除去用溶劑）的準備]中記載的鹼顯影液X-W1。

除去是藉由與所述的〔鹼顯影液（除去用溶劑）的清潔度評價（由步驟X2中使用的除去用溶劑導致的缺陷數的測定）〕同樣的方法，並藉由連接了過濾前的除去用溶劑的東京電子（Tokyo Electron）公司製造的可林特拉克（CLEAN TRACK）ACT12實施（再者，連接時，於連接配管連接所述POU過濾器而使用。即，所述的鹼顯影液X-W1是指通過所述POU過濾器而得的鹼顯影液，於後述的順序中，作為過濾後的除去用溶劑的鹼顯影液X-W1被塗佈於矽晶圓上）。作為所述除去的具體順序，於帶抗蝕劑膜的矽晶圓上，藉由塗佈機塗佈（以600 mL/分鐘的流量噴出90秒）藉由所述方法連接於塗佈機的顯影線上的除去用溶劑，其後，於100℃下烘烤60秒鐘。

〔除去後基板的缺陷檢查（相當於步驟X3）〕＜抗蝕劑的缺陷數評價（[A：抗蝕劑缺陷數]的算出）＞對所述處理後的晶圓，使用科磊（KLA-Tencor）公司製造的暗視野缺陷檢查裝置SP5實施缺陷檢查，對矽晶圓的表面上存在的20 nm以上大小的缺陷的數量（缺陷數）進行測定（[D：溶劑除去處理後的總缺陷數]）。

繼而，基於藉由所述各種檢查獲得的「E：原基板缺陷數」、[D：溶劑除去處理後的總缺陷數]及[C：除去用溶劑缺陷數]的結果，藉由下述計算式求出「A：抗蝕劑缺陷數」。式（A2）：[A：抗蝕劑缺陷數]=[D：溶劑除去處理後的總缺陷數]-[E：原基板缺陷數]-[C：除去用溶劑缺陷數] 將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例2] 將抗蝕劑組成物A-1替換為抗蝕劑組成物A-2，除此以外，藉由與實施例1同樣的順序，實施實施例2的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例3] 將抗蝕劑組成物A-1替換為抗蝕劑組成物B-1，除此以外，藉由與實施例1同樣的順序，實施實施例3的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例4] 不實施〔檢查用晶圓的缺陷檢查（相當於步驟Y1）〕，除此以外，藉由與實施例3同樣的順序，實施實施例4的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。再者，於實施例4中，基於藉由所述各種檢查獲得的[D：溶劑除去處理後的總缺陷數]及[C：除去用溶劑缺陷數]的結果，藉由下述計算式求出「AX：抗蝕劑缺陷數」。式（A3）：「AX：抗蝕劑缺陷數」=[D：溶劑除去處理後的總缺陷數]-[C：除去用溶劑缺陷數]

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例5] 將除去用溶劑替換為[鹼顯影液（步驟X2中使用的除去用溶劑）的準備]中記載的鹼顯影液X-W2，除此以外，藉由與實施例3同樣的順序，實施實施例5的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例6] 變更基板的種類，除此以外，藉由與實施例3同樣的順序，實施實施例6的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例7] 將抗蝕劑組成物B-1替換為抗蝕劑組成物B-2A，除此以外，藉由與實施例3同樣的順序，實施實施例7的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例8] 將抗蝕劑組成物B-1替換為抗蝕劑組成物B-2B，除此以外，藉由與實施例3同樣的順序，實施實施例8的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：實施例9] 將除去用溶劑替換為[鹼顯影液（步驟X2中使用的除去用溶劑）的準備]中記載的鹼顯影液Y-W1，除此以外，藉由與實施例3同樣的順序，實施實施例9的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：比較例1] 於〔抗蝕劑膜的形成（相當於步驟X1）〕之後且為實施〔抗蝕劑膜的除去步驟（相當於步驟X2）〕之前實施曝光處理（藉由電子束描繪裝置照射80 uC/cm ²），除此以外，藉由與實施例3同樣的順序，實施比較例1的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

[抗蝕劑組成物的檢查：比較例2] 將抗蝕劑組成物B-1替換為抗蝕劑組成物C-1，除此以外，藉由與實施例3同樣的順序實施比較例2的抗蝕劑組成物的檢查。將結果示於表1。

以下示出表1。再者，表中，「基板的初始缺陷數[20 nm以上的缺陷數]（「E：原基板缺陷數」）」一欄的數值表示於所述的〔檢查用晶圓的缺陷檢查（相當於步驟Y1）〕中測定出的缺陷數。另外，表中，「鹼顯影液的初始缺陷數[20 nm以上的缺陷數]（[C：除去用溶劑缺陷數]）」一欄的數值表示於所述的＜鹼顯影液（除去用溶劑）的清潔度評價（由步驟X2中使用的除去用溶劑導致的缺陷數的測定）＞中測定出的缺陷數。另外，表中，於「缺陷數（實施例4以外：[A：抗蝕劑缺陷數]、實施例4：[AX：抗蝕劑缺陷數]）」一欄中，實施例4以外的[A：抗蝕劑缺陷數]為藉由式（A2）（[D：溶劑除去處理後的總缺陷數]-[E：原基板缺陷數]-[C：除去用溶劑缺陷數]）而得的數值。實施例4的[AX：抗蝕劑缺陷數]為如上所述般藉由式（A3）（[D：溶劑除去處理後的總缺陷數]-[C：除去用溶劑缺陷數]）而得的數值。

另外，表中，「有無曝光」一欄表示於〔抗蝕劑膜的形成（相當於步驟X1）〕之後且為實施〔抗蝕劑膜的除去步驟（相當於步驟X2）〕之前是否實施曝光處理。另外，表中，「抗蝕劑殘膜」一欄表示於〔抗蝕劑膜的除去步驟（相當於步驟X2）〕之後有無殘膜。「無」表示於〔抗蝕劑膜的除去步驟（相當於步驟X2）〕後藉由目視未確認到殘膜的情況，「有」表示藉由目視確認到殘膜的情況。

[表1]

表1

實施例1

實施例2

實施例3

實施例4

實施例5

實施例6

實施例7

實施例8

實施例9

比較例1

比較例2

抗蝕劑

抗蝕劑組成物的種類

抗蝕劑A-1

抗蝕劑A-2

抗蝕劑B-1

抗蝕劑 B-1

抗蝕劑B-2A

抗蝕劑B-2B

抗蝕劑B-1

抗蝕劑C-1

負型

正型

過濾器的種類

第一階段

過濾器C

過濾器A

第一階段

過濾器D

過濾器B

循環濾過的次數

第一階段/第二階段

1

14

1

過濾器事先清洗步驟的有無

無

有

無

鹼顯影液

鹼顯影液的種類

顯影液X-W1

顯影液X-W2

顯影液X-W1

顯影液Y-W1

顯影液X-W1

鹼顯影液中的界面活性劑的有無

無

有

無

檢查製程

基板的事先檢查步驟的有無

有

無

有

基板的初始缺陷數 [20 nm以上的缺陷數] （「E：原基板缺陷數」）

[個]

≦100

-

≦100

876

≦100

[個/cm ²]

≦0.15

-

≦0.15

1.33

≦0.15

鹼顯影液的初始缺陷數 [20 nm以上的缺陷數] （[C：除去用溶劑缺陷數]）

[個]

≦100

220

≦100

[個/cm ²]

≦0.15

0.33

≦0.15

有無曝光

無

有

無

抗蝕劑殘膜

目視

無

有

缺陷評價1

缺陷數（實施例4以外：[A：抗蝕劑缺陷數]、實施例4：[AX：抗蝕劑缺陷數]）

缺陷數[個]

5602

2872

1241

1352

1503

2203

682

461

431

無法評價

缺陷數[個/cm ²]

8.49

4.35

1.88

2.05

2.28

3.34

1.03

0.70

0.65

已知由抗蝕劑組成物的異物導致而於基板上產生的缺陷的數量可藉由過濾器的口徑下降、循環次數及過濾器的事先清洗等來減少。因此，於實施例的檢查方法的評價中，於[A：抗蝕劑缺陷數]與所述潛在缺陷數的序列匹配並且其差明確的情況下，可視作連抗蝕劑組成物中的微小異物都可評價。由表1的結果可知，若為實施例的檢查方法則連微小的異物都可評價。具體而言，如下所述。可認為：例如，實施例1～實施例3中使用的抗蝕劑組成物的潛在缺陷數按抗蝕劑組成物A-1（過濾器C+過濾器D的過濾品）＞A-2（過濾器A+過濾器B的過濾品）＞B-1（過濾器A+過濾器B的過濾品）的順序變少。與此相對，可知若參照實施例1～實施例3的缺陷數（[A：抗蝕劑缺陷數]、）的數值，則與所述潛在缺陷數的序列匹配並且其差明確。另外，可認為：例如，實施例3、實施例7、實施例8中使用的抗蝕劑組成物的潛在缺陷數按B-1（過濾器A+過濾器B的循環次數1次的過濾品）＞B-2A（過濾器A+過濾器B的循環次數14次的過濾品）＞B-2B（實施了事先清洗的過濾器A+過濾器B的循環次數14次的過濾品）的順序變少。與此相對，可知若參照實施例3、實施例7、實施例8的缺陷數（[A：抗蝕劑缺陷數]）的數值，則與所述潛在缺陷數的序列匹配並且其差明確。

另外，由實施例3及實施例4的對比可確認到，於檢查方法包括步驟Y1的情況下，不受基板的初始缺陷數（「E：原基板缺陷數」）的影響，而可進行更高精度的缺陷評價。

另外，由實施例3及實施例5的對比可確認到，於步驟X2中使用的除去用溶劑的初始缺陷數（[C：除去用溶劑缺陷數]）大的情況下，對〔除去後的基板的缺陷檢查（相當於步驟X3）〕產生影響（即使進行減去步驟X2中使用的除去用溶劑的初始缺陷數（[C：除去用溶劑缺陷數]）的修正，於除去後的基板的缺陷檢查時亦會產生大量由鹼顯影液的缺陷導致的散射光，有[A：抗蝕劑缺陷數]的數值成為大的值的傾向）。由所述結果可確認到，於步驟X2中使用的除去用溶劑的初始缺陷數（[C：除去用溶劑缺陷數]）的數值小的情況下（較佳為於20 nm以上的缺陷數為0.15個/cm ²以下的情況下），可進行更高精度的缺陷評價。

另外，由實施例3及實施例6的對比可確認到，於步驟X1中使用的基板的初始缺陷數（「E：原基板缺陷數」）大的情況下，對〔除去後的基板的缺陷檢查（相當於步驟X3）〕產生影響（即使進行減去步驟X1中使用的基板的初始缺陷數（「E：原基板缺陷數」）的修正，於除去後的基板的缺陷檢查時亦會產生大量由基板的缺陷導致的散射光，有[A：抗蝕劑缺陷數]的數值成為大的值的傾向）。由所述結果可確認到，於步驟X1中使用的基板的初始缺陷數（「E：原基板缺陷數」）的數值小的情況下（較佳為於20 nm以上的缺陷數為0.15個/cm ²以下的情況下），可進行更高精度的缺陷評價。

若為比較例的檢查方法，則抗蝕劑膜會殘留，無法實施基板上的缺陷檢查。再者，雖亦能夠對抗蝕劑膜的殘膜實施缺陷檢查，但通常40 nm以上的尺寸的缺陷成為檢測的對象。

[抗蝕劑組成物的檢查（LPC）：比較例3～比較例11] 對於所述表1中的實施例1～實施例9中使用的各抗蝕劑組成物，使用理音（Rion）公司製造的粒子計數器，計測組成物1 mL中所含的粒徑0.15 μm以上的粒子（LPC）數。將結果示於表2。

[表2]

表2	抗蝕劑組成物種類	粒徑0.15 um以上的液中粒子（缺陷數[個/mL]）
比較例3	抗蝕劑A-1	10
比較例4	抗蝕劑A-2	3
比較例5	抗蝕劑B-1	3
比較例6	抗蝕劑B-1	3
比較例7	抗蝕劑B-1	4
比較例8	抗蝕劑B-1	3
比較例9	抗蝕劑B-2A	4
比較例10	抗蝕劑B-2B	5
比較例11	抗蝕劑B-2B	2

於比較例3～比較例11（LPC（液中粒子）評價）中，僅可評價0.15 μm（150 nm）以上的大缺陷，另外，無法評價所述過濾方法不同的三種抗蝕劑組成物的微細缺陷數差。進而，即使以相同的抗蝕劑組成物為對象進行試驗，觀測到的缺陷數亦會產生偏差。

無

Claims

一種檢查方法，為包含鹼可溶性成分的感光化射線性或感放射線性組成物的檢查方法，具有：步驟X1，將所述組成物塗佈於基板上來形成塗膜；步驟X2，不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液自所述基板除去所述塗膜；以及步驟X3，使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後的所述基板上的缺陷的數量。
如請求項1所述的檢查方法，具有：步驟Y1，進而於所述步驟X1之前使用缺陷檢查裝置對所述步驟X1中使用的所述基板測定所述基板上的缺陷的數量。
如請求項1所述的檢查方法，其中，於所述步驟X1中，所述基板為矽晶圓，並且使用缺陷檢查裝置測定的缺陷的數量為0.15個/cm ²以下。
如請求項1至請求項3中任一項所述的檢查方法，其中，於所述步驟X1中，所述基板為矽晶圓，並且使用缺陷檢查裝置測定的所述基板上的20 nm以上大小的缺陷的數量為0.15個/cm ²以下。
如請求項1至請求項3中任一項所述的檢查方法，其中，進而於所述步驟X2之前，具有：步驟Z1，將所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液塗佈於基板上；以及步驟Z2，使用缺陷檢查裝置測定塗佈有所述鹼顯影液的所述基板上的缺陷的數量。
如請求項5所述的檢查方法，具有：步驟Z3，進而於所述步驟Z1之前，使用缺陷檢查裝置對所述步驟Z1中使用的所述基板測定所述基板上的缺陷的數量；以及步驟Z4，自於所述步驟Z2中測定出的缺陷的數量減去於所述步驟Z3中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液導致的缺陷的數量。
如請求項1至請求項3中任一項所述的檢查方法，其中，於所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液是由下述缺陷檢查R1算出的20 nm以上大小的缺陷的數量為0.15個/cm ²以下的鹼顯影液，缺陷檢查R1：缺陷檢查R1具有下述步驟ZA1～步驟ZA4，步驟ZA1：使用缺陷檢查裝置測定基板上的20 nm以上大小的缺陷的數量的步驟步驟ZA2：將所述鹼顯影液塗佈於所述基板上的步驟步驟ZA3：使用缺陷檢查裝置測定塗佈有所述鹼顯影液的所述基板上的20 nm以上大小的缺陷的數量的步驟步驟ZA4：自於所述步驟ZA3中測定出的缺陷的數量減去於所述步驟ZA1中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由所述鹼顯影液導致的20 nm以上大小的缺陷的數量的步驟。
如請求項1至請求項3中任一項所述的檢查方法，其中，所述鹼顯影液是包含氫氧化四甲基銨的水溶液。
如請求項1至請求項3中任一項所述的檢查方法，其中，於所述步驟X2中，使用所述鹼顯影液的除去處理的除去時間為300秒以內。
如請求項9所述的檢查方法，其中，所述除去時間為180秒以內。
如請求項1所述的檢查方法，為包含鹼可溶性成分的感光化射線性或感放射線性組成物的檢查方法，具有：步驟X1，將所述組成物塗佈於基板上來形成塗膜；步驟X2，不利用光化射線或放射線的照射進行曝光處理而使用鹼顯影液自所述基板除去所述塗膜；步驟X3A，使用缺陷檢查裝置測定除去所述塗膜之後的所述基板上的缺陷的數量；步驟Y1，進而於所述步驟X1之前，使用缺陷檢查裝置對所述步驟X1中使用的所述基板測定所述基板上的缺陷的數量；步驟ZX，於所述步驟X2之前實施步驟Z1、步驟Z2、步驟Z3以及步驟Z4，所述步驟Z1將所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液塗佈於基板上；所述步驟Z2使用缺陷檢查裝置測定塗佈有所述鹼顯影液的所述基板上的缺陷的數量；所述步驟Z3使用缺陷檢查裝置對所述步驟Z1中使用的所述基板測定所述基板上的缺陷的數量；所述步驟Z4自於所述步驟Z2中測定出的缺陷的數量減去於所述步驟Z3中測定出的缺陷數的數量，藉此算出由所述步驟X2中使用的所述鹼顯影液導致的缺陷的數量；以及步驟X3E，自於所述步驟X3A中測定出的缺陷的數量減去所述步驟Y1中算出的缺陷的數量以及所述步驟Z4中算出的缺陷的數量，藉此算出由所述組成物導致的缺陷的數量。
一種感光化射線性或感放射線性組成物的製造方法，具有：感光化射線性或感放射線性組成物的製備步驟，以及實施如請求項1至請求項11中任一項所述的檢查方法的步驟。
一種電子元件的製造方法，具有實施如請求項1至請求項11中任一項所述的檢查方法的步驟。