TW201928518A - 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法、化合物 - Google Patents

感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法、化合物 Download PDF

Info

Publication number
TW201928518A
TW201928518A TW107141128A TW107141128A TW201928518A TW 201928518 A TW201928518 A TW 201928518A TW 107141128 A TW107141128 A TW 107141128A TW 107141128 A TW107141128 A TW 107141128A TW 201928518 A TW201928518 A TW 201928518A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
general formula
compound
radiation
preferable
Prior art date
Application number
TW107141128A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI778180B (zh
Inventor
小島雅史
上村稔
川島敬史
後藤研由
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商富士軟片股份有限公司 filed Critical 日商富士軟片股份有限公司
Publication of TW201928518A publication Critical patent/TW201928518A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI778180B publication Critical patent/TWI778180B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C233/00—Carboxylic acid amides
    • C07C233/90—Carboxylic acid amides having nitrogen atoms of carboxamide groups further acylated
    • C07C233/92—Carboxylic acid amides having nitrogen atoms of carboxamide groups further acylated with at least one carbon atom of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/17—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing carboxyl groups bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/24—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of a carbon skeleton containing six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/28—Sulfonic acids having sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • C07C309/39—Sulfonic acids having sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing halogen atoms bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C311/00—Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/48—Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups having nitrogen atoms of sulfonamide groups further bound to another hetero atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C311/00—Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/50—Compounds containing any of the groups, X being a hetero atom, Y being any atom
    • C07C311/51—Y being a hydrogen or a carbon atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C63/00—Compounds having carboxyl groups bound to a carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C07C63/68—Compounds having carboxyl groups bound to a carbon atoms of six-membered aromatic rings containing halogen
    • C07C63/70—Monocarboxylic acids
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

本發明提供一種能夠獲得保存穩定性優異、LWR性能優異之圖案之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物。又，提供一種有關上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物之抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及化合物。感光化射線性或感放射線性樹脂組成物包含具有具備藉由酸的作用分解而極性增大之基團之重複單元之樹脂及由通式（I）表示之化合物Q。

Description

感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法、化合物
本發明有關一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及化合物。
以往，在IC（Integrated Circuit，積體電路）及LSI（Large Scale Integrated circuit，大型積體電路）等半導體元件的製造步驟中，進行依據使用了感光化射線性或感放射線性樹脂組成物之微影術之微細加工。 例如，在日本專利文獻1中公開有包含由以下的式表示之化合物之抗蝕劑組成物。
[化1][先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-189977號
本發明人等對在日本專利文獻1中公開之化合物進行具體研究之結果，發現使用了在日本專利文獻1中公開之化合物之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物有時保存性穩定性不一定充分。又，發現所獲得之圖案的LWR（line width roughness，線寬粗糙度）性能亦具有改善的空間。
本發明的課題係提供一種能夠獲得保存穩定性優異、LWR性能優異之圖案之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物。 又，本發明的課題係提供一種有關上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物之抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及化合物。
本發明人等為了完成上述課題進行深入研究之結果，發現藉由使用特定結構的化合物Q能夠解決上述課題，並完成了本發明。 亦即，發現了藉由以下的構成能夠解決上述課題。
[1]一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其包含樹脂及由通式（I）表示之化合物Q，所述樹脂具有具備藉由酸的作用分解而極性增大之基團之重複單元。 [2]如[1]所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中在通式（I）中，A表示單鍵。 [3]如[1]或[2]所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中在通式（I）中，R1 、R5 、R6 及R10 中的任一個為由通式（II）表示之基團。 [4]如[1]～[3]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其還包含上述化合物Q以外的光酸產生劑。 [5]一種抗蝕劑膜，其使用[1]～[4]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物來形成。 [6]一種圖案形成方法，其具有使用[1]～[4]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物在支撐體上形成抗蝕劑膜之製程、曝光上述抗蝕劑膜之製程、使用顯影液將上述經曝光之抗蝕劑膜進行顯影之製程。 [7]一種電子元件的製造方法，其包括[6]所述之圖案形成方法。 [8]一種化合物，其由通式（I-2）表示。 [9]如[8]所述之化合物，其中在通式（I-2）中，A表示單鍵。 [10]如[8]或[9]所述之化合物，其中在通式（I-2）中，R1 、R5 、R6 及R10 中的任一個為由通式（II）表示之基團。 [發明效果]
依本發明，能夠提供一種能夠獲得保存穩定性優異、LWR性能優異之圖案之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物。 又，本發明的課題係提供一種有關上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物之抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及化合物。
以下，對本發明進行詳細說明。 以下記載之構成要件的說明有時依據本發明的代表性實施態樣而完成，但本發明並不限定於該等實施態樣。 關於本說明書中的基團（原子團）的標記，未記述取代及未經取代之標記包含不具有取代基者及具有取代基者。例如，“烷基”不僅包含不具有取代基之烷基（未經取代烷基），還包含具有取代基之烷基（取代烷基）。又，本說明書中的“有機基團”表示至少包含1個碳原子之基團。 本說明書中的“光化射線”或“放射線”表示例如由水銀燈的明線光譜、準分子雷射代表的遠紫外線、極紫外線（EUV光：Extreme Ultraviolet）、X射線及電子束（EB：Electron Beam）等。本說明書中的“光”表示光化射線或放射線。 只要無特別明示，本說明書中的“曝光”不僅包括藉由由水銀燈的明線光譜、準分子雷射代表的遠紫外線、極紫外線、X射線及EUV光等的曝光，還包括藉由電子束及離子束等粒子束的描繪。 在本說明書中，“～”以將記載於其前後之數值作為下限值及上限值而包括之含義而使用。
在本說明書中，（甲基）丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。 在本說明書中，將樹脂的重量平均分子量（Mw）、數平均分子量（Mn）及分散度（亦稱作分子量分佈。）（Mw/Mn）定義為藉由利用GPC（凝膠滲透層析術；Gel Permeation Chromatography）裝置（TOSOH CORPORATION製HLC-8120GPC）的GPC測定（溶劑：四氫呋喃，流量（樣品注入量）：10μL、管柱：TOSOH CORPORATION製TSK gel Multipore HXL-M、管柱溫度：40℃、流速：1.0mL/分鐘、檢測器：示差折射率檢測器（Refractive Index Detector））的聚苯乙烯換算值。
在本說明書中，pKa（酸解離常數pKa）表示水溶液中的酸解離常數pKa，例如，在化學便覽（II）（改訂4版，1993年，日本化學會編、Maruzen Inc.）中有定義。酸解離常數pKa的值越低表示越表示酸強度大。具體而言，水溶液中的酸解離常數pKa能夠使用無限稀釋水溶液來測定在25℃的酸解離常數，藉此進行實測。或者，亦能夠使用下述套裝軟體1來計算哈米特的取代基常數及依據公知文獻值的資料庫之值，藉此求得。本說明書中記載之所有pKa的值表示利用該套裝軟體藉由計算求得的值。
套裝軟體1：Advanced Chemistry Development （ACD/Labs） Software V8.14 for Solaris （1994-2007 ACD/Labs）。
在本說明書中，作為鹵素原子，例如可以舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
[感光化射線性或感放射線性樹脂組成物] 對本發明的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物（以下，亦簡單稱作“組成物”或“本發明的組成物”）進行說明。 本發明的組成物為所謂抗蝕劑組成物，可以為正型抗蝕劑組成物，亦可以為負型抗蝕劑組成物。又，可以為鹼顯影用的抗蝕劑組成物，亦可以為有機溶劑顯影用的抗蝕劑組成物。 本發明的組成物典型為化學增幅型抗蝕劑組成物。
作為本發明的組成物的特徵點，可以舉出包含具有具備藉由酸的作用分解而極性增大之基團之重複單元之樹脂和由後述通式（I）表示之化合物Q這一點。 以此類構成解決本發明的課題之機制並不明確，但本發明人等推測如下。 認為化合物Q所具有之陰離子性基酸性度高且親核性低，因此與日本專利文獻1中記載之化合物相比，不易使組成物中的其他成分（上述樹脂等）分解，藉此組成物的保存穩定性得到改善。 又，化合物Q為甜菜鹼化合物，電荷在分子內被中和，因此離子性降低。認為其結果，與樹脂的相溶性得到提高而變得能夠在膜中均勻分散，藉此LWR性能得到改善。
以下，對本發明的組成物所包含的成分進行詳細說明。
＜具有具備藉由酸的作用分解而極性增大之基團之重複單元之樹脂＞ 本發明的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物包含樹脂（以下，亦稱作“酸分解性樹脂”或“樹脂A”），該樹脂具有具備藉由酸的作用分解而極性增大之基團（以下，亦稱作“酸分解性基”）之重複單元。 此時，在本發明的圖案形成方法中，典型為在作為顯影液採用鹼顯影液時，較佳地形成正型圖案，而在作為顯影液使用有機系顯影液時，較佳地形成負型圖案。
（具有酸分解性基之重複單元） 樹脂A具有具備酸分解性基之重複單元為較佳。
酸分解性基具有極性基被藉由酸的作用分解而脫離的基團（脫離基）保護的結構為較佳。 作為極性基，可以舉出羧基、酚性羥基、氟化醇基、磺酸基、磺醯胺基、磺醯亞胺基、(烷基磺醯基)(烷基羰基)亞甲基、(烷基磺醯基)(烷基羰基)醯亞胺基、雙(烷基羰基)亞甲基、雙(烷基羰基)醯亞胺基、雙(烷基磺醯基)亞甲基、雙(烷基磺醯基)醯亞胺基、三(烷基羰基)亞甲基及三(烷基磺醯基)亞甲基等酸性基（在2.38質量%氫氧化四甲基銨水溶液中解離之基團）及醇性羥基等。
此外，醇性羥基為與烴基鍵結的羥基，係指除直接在芳香環上鍵結的羥基（酚性羥基）以外的羥基，並將作為羥基α位被氟原子等吸電子基取代的脂肪族醇（例如，六氟異丙醇基等）除外。作為醇性羥基，pKa（酸解離常數）為12～20的羥基為較佳。
作為極性基，羧基、酚性羥基、氟化醇基（較佳為六氟異丙醇基）或磺酸基為較佳。
作為酸分解性基較佳之基團為將該等基團的氫原子以藉由酸的作用脫離之基團（脫離基）取代之基團。 作為藉由酸的作用脫離的基團（脫離基），例如可以舉出-C(R36 )(R37 )(R38 )、-C(R36 )(R37 )(OR39 )及-C(R01 )(R02 )(OR39 )等。 式中，R36 ～R39 分別獨立地表示烷基、環烷基、芳基、芳烷基或烯基。R36 與R37 可以相互鍵結而形成環。 R01 及R02 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基或烯基。
R36 ～R39 、R01 及R02 的烷基為碳數1～8的烷基為較佳，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、正丁基、二級丁基、己基及辛基等。 R36 ～R39 、R01 及R02 的環烷基可以為單環，亦可以為多環。作為單環，碳數3～8的環烷基為較佳，例如可以舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基及環辛基等。作為多環，碳數6～20的環烷基為較佳，例如可以舉出金剛烷基、降莰基、異莰基、莰基、二環戊基、α-菔基、三環癸基、四環十二烷基及雄甾烷基等。此外，環烷基中的1個以上的碳原子可以被氧原子等雜原子取代。 R36 ～R39 、R01 及R02 的芳基為碳數6～10的芳基為較佳，例如可以舉出苯基、萘基及蒽基等。 R36 ～R39 、R01 及R02 的芳烷基為碳數7～12的芳烷基為較佳，例如可以舉出苄基、苯乙基及萘甲基等。 R36 ～R39 、R01 及R02 的烯基為碳數2～8的烯基為較佳，例如可以舉出乙烯基、烯丙基、丁烯基及環己烯基等。 作為R36 與R37 相互鍵結而形成之環，環烷基（單環或多環）為較佳。作為單環的環烷基，環戊基或環己基等為較佳，作為多環的環烷基，降莰基、四環癸基、四環十二烷基或金剛烷基等為較佳。
酸分解性基具有三級烷基酯基、縮醛基、枯基酯基、烯醇酯基或縮醛酯基為較佳，具有縮醛基或三級烷基酯基為更佳。
樹脂A具有由下述通式（AI）表示之重複單元作為具有酸分解性基之重複單元為較佳。
[化2]
在通式（AI）中，T表示單鍵或2價的連接基團。 作為T的2價的連接基團，可以舉出伸烷基、伸芳基、-COO-Rt-及-O-Rt-等。式中，Rt表示伸烷基、環伸烷基或伸芳基。 T為單鍵或-COO-Rt-為較佳。Rt為碳數1～5的鏈狀伸烷基為較佳，-CH2 -、-(CH2 )2 -或-(CH2 )3 -為更佳。 T為單鍵為更佳。
在通式（AI）中，Xa1 表示氫原子、鹵素原子或1價的有機基團。 Xa1 為氫原子或烷基為較佳。 Xa1 的烷基可以具有取代基，作為取代基，例如可以舉出羥基及鹵素原子（較佳為氟原子）。 Xa1 的烷基為碳數1～4為較佳，可以舉出甲基、乙基、丙基、羥甲基及三氟甲基等。Xa1 的烷基為甲基為較佳。
在通式（AI）中，Rx1 ～Rx3 分別獨立地表示烷基或環烷基。 Rx1 ～Rx3 中的任意兩個可以鍵結而形成環結構，亦可以不形成。 作為Rx1 、Rx2 及Rx3 的烷基，可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或三級丁基等為較佳。烷基的碳原子數為1～10為較佳，1～5為更佳，1～3為進一步較佳。Rx1 、Rx2 及Rx3 的烷基中，碳碳鍵結的一部分可以為雙鍵。 Rx1 、Rx2 及Rx3 的環烷基可以為單環，亦可以為多環。作為單環的環烷基，可以舉出環戊基及環己基等。作為多環的環烷基，可以舉出降莰基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等。
Rx1 、Rx2 及Rx3 的兩個鍵結而形成之環可以為單環，亦可以為多環。作為單環的例子，可以舉出環戊環、環己環、環庚環及環辛烷環等的單環的環烷環。作為多環的例子，或可以舉出降莰烷環、四環癸烷環、四環十二烷環及金剛烷環等的多環的環烷基環。其中，環戊環、環己環或金剛烷環為較佳。 又，作為Rx1 、Rx2 及Rx3 的兩個鍵結而形成之環，以下所示之環亦較佳。
[化3]
以下舉出相當於由通式（AI）表示之重複單元之單體的具體例。下述的具體例相當於通式（AI）中的Xa1為甲基的情況，Xa1能夠任意被氫原子、鹵素原子或1價的有機基團取代。
[化4]
樹脂A具有美國專利申請公開2016/0070167A1號說明書的段落＜0336＞～＜0369＞中記載之重複單元作為具有酸分解性基之重複單元亦較佳。
又，樹脂A可以具有具備美國專利申請公開2016/0070167A1號說明書的段落＜0363＞～＜0364＞中記載之藉由酸的作用分解而產生醇性羥基之基團之重複單元作為具有酸分解性基之重複單元。
樹脂A可以單獨具有1種具有酸分解性基之重複單元，亦可以具有2種以上。
樹脂A所包含的具有酸分解性基之重複單元的含量（具有酸分解性基之重複單元存在複數個時為其合計）相對於樹脂A的所有重複單元，10～90莫耳%為較佳，20～80莫耳%為更佳，30～70莫耳%為進一步較佳。
（具有選自包括內酯結構、磺內酯結構及碳酸鹽結構的群中之至少1種的重複單元） 樹脂A具有具備選自包括內酯結構、磺內酯結構及碳酸鹽結構之群中之至少1種的重複單元為較佳。
作為內酯結構或磺內酯結構，只要具有內酯環或磺內酯環即可，具有5～7員環的內酯環之內酯結構或具有5～7員環的磺內酯環之磺內酯結構為較佳。 以形成雙環結構或螺環結構之形式，縮合有除了5～7員環內酯環以外的環之內酯結構亦較佳。以形成雙環結構或螺環結構之形式，縮合有除了5～7員環磺內酯環以外的環之磺內酯結構亦較佳。
其中，樹脂A具有具備由下述通式（LC1-1）～（LC1-22）中的任一個表示的內酯結構或由下述通式（SL1-1）～（SL1-3）中的任一個表示之磺內酯結構之重複單元為較佳。又，內酯結構或磺內酯結構可以直接鍵結於主鏈。 其中，通式（LC1-1）、通式（LC1-4）、通式（LC1-5）、通式（LC1-8）、通式（LC1-16）、通式（LC1-21）、或通式（LC1-22）由表示之內酯結構或通式（SL1-1）由表示之磺內酯結構為較佳。
[化5]
內酯結構或磺內酯結構可以具有取代基（Rb2 ），亦可以不具有。作為取代基（Rb2 ），碳數1～8的烷基、碳數4～7的環烷基、碳數1～8的烷氧基、碳數2～8的烷氧羰基、羧基、鹵素原子、羥基、氰基或酸分解性基等為較佳，碳數1～4的烷基、氰基或酸分解性基為更佳。n2 表示0～4的整數。n2 為2以上時，存在複數個之取代基（Rb2 ）可以相同，亦可以不同。又，存在複數個之取代基（Rb2 ）彼此可以鍵結而形成環。
作為具有內酯結構或磺內酯結構之重複單元，由下述通式（III）表示之重複單元為較佳。
[化6]
在上述通式（III）中， A表示酯鍵（由-COO-表示之基團）或醯胺鍵（由-CONH-表示之基團）。
n為由-R0 -Z-表示之結構的重複數，表示0～5的整數，0或1為較佳，0為更佳。n為0時，（-R0 -Z-）n 成為單鍵。
R0 表示伸烷基、環伸烷基或其組合。R0 存在複數個時，存在複數個之R0 分別可以相同或不同。 R0 的伸烷基或環伸烷基可以具有取代基。
Z為單鍵、醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、胺基甲酸酯鍵或脲鍵。Z存在複數個時，存在複數個之Z分別可以相同或不同。 其中，Z為醚鍵或酯鍵為較佳，酯鍵為更佳。
R8 表示具有內酯結構或磺內酯結構之1價的有機基團。 其中，在通式（LC1-1）～（LC1-22）及由通式（SL1-1）～（SL1-3）表示之結構中的任一個中，從1個構成內酯結構或磺內酯結構之碳原子去除1個氫原子而成的基團為較佳。此外，上述被去除1個氫原子之碳原子不為構成取代基（Rb2 ）之碳原子為較佳。
R7 表示氫原子、鹵素原子或1價的有機基團（較佳為甲基）。
作為具有內酯結構或磺內酯結構之重複單元，由下述通式（III-2）表示之重複單元亦較佳。
[化7]
在通式（III-2）中，RIII分別獨立地表示氫原子或取代基。作為取代基，例如可以舉出鹵素原子及1價的有機基團（較佳為甲基）。 RIII為氫原子為較佳。 cyc表示具有內酯結構或磺內酯結構之基團。 具體而言，在通式（LC1-1）～（LC1-22）及由通式（SL1-1）～（SL1-3）表示之結構中的任一個中，從1個構成內酯結構或磺內酯結構之碳原子去除兩個氫原子而成的基團為較佳。此外，上述被去除兩個氫原子之碳原子不為構成取代基（Rb2 ）之碳原子為較佳。
樹脂A可以具有具備碳酸鹽結構之重複單元。作為碳酸鹽結構，環狀碳酸酯結構為較佳。 作為具有環狀碳酸酯結構之重複單元，由下述通式（A-1）表示之重複單元為較佳。
[化8]
在通式（A-1）中，RA 1 表示氫原子、鹵素原子或1價的有機基團（較佳為甲基）。 n表示0以上的整數。 RA 2 表示取代基。n為2以上時，存在複數個之RA 2 分別可以相同或不同。 A表示單鍵或2價的連接基團。 Z表示與由式中的-O-CO-O-表示之基團一同形成單環結構或多環結構之原子團。
樹脂A具有美國專利申請公開2016/0070167A1號說明書的段落＜0370＞～＜0414＞中記載之重複單元作為具有選自包括內酯結構、磺內酯結構及碳酸鹽結構的群中之至少1種的重複單元亦較佳。
樹脂A可以單獨具有1種具有選自包括內酯結構、磺內酯結構及碳酸鹽結構的群中之至少1種的重複單元，亦可以具有2種以上。
以下例示相當於具有選自包括內酯結構、磺內酯結構及碳酸鹽結構的群中之至少1種的重複單元之單體。 下述例示中，與乙烯基鍵結之甲基可以被氫原子、鹵素原子或1價的有機基團取代。
[化9]
[化10]
樹脂A具有選自包括內酯結構、磺內酯結構及碳酸鹽結構的群中之至少1種的重複單元時，樹脂A所包含的具有選自包括內酯結構、磺內酯結構及碳酸鹽結構的群中之至少1種的重複單元的含量（具有選自包括內酯結構、磺內酯結構及碳酸鹽結構的群中之至少1種的重複單元存在複數個時為其合計）相對於樹脂A中的所有重複單元，5～70莫耳%為較佳，10～65莫耳%為更佳，20～60莫耳%為進一步較佳。
（具有極性基之重複單元） 樹脂A可以具有不同於上述基團的具有極性基之重複單元。 作為極性基，可以舉出羥基、氰基、羧基及氟化醇基等。 作為具有極性基之重複單元，具有被極性基取代之脂環烴結構之重複單元為較佳。又，具有極性基之重複單元不具有酸分解性基為較佳。作為被極性基取代之脂環烴結構中的脂環烴結構，金剛烷基或降莰烷基為較佳。
以下舉出相當於具有極性基之重複單元的單體的具體例，但本發明並不限定於該等具體例。
[化11]
除此以外，作為具有極性基之重複單元的具體例還可以舉出美國專利申請公開2016/0070167A1號說明書的段落＜0415＞～＜0433＞中公開的重複單元。 樹脂A可以單獨具有1種具有極性基之重複單元，亦可以具有2種以上。 樹脂A具有具備極性基之重複單元時，具有極性基之重複單元的含量相對於樹脂A中的所有重複單元，5～40莫耳%為較佳，5～30莫耳%為更佳，10～25莫耳%為進一步較佳。
（不具有酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元） 樹脂A還可以具有不同於上述基團的不具有酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元。不具有酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元具有脂環烴結構為較佳。作為不具有酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元，例如可以舉出美國專利申請公開2016/0026083A1號說明書的段落＜0236＞～＜0237＞中記載之重複單元。以下示出相當於不具有酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元之單體的較佳例。
[化12]
除此以外，作為不具有酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元的具體例，可以舉出美國專利申請公開2016/0070167A1號說明書的段落＜0433＞中公開之重複單元。 樹脂A可以單獨具有1種不具有酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元，亦可以具有2種以上。 樹脂A具有不具備酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元時，不具有酸分解性基及極性基中的任一個之重複單元的含量相對於樹脂A中的所有重複單元，5～40莫耳%為較佳，5～30莫耳%為更佳，5～25莫耳%為進一步較佳。
除了上述重複結構單元以外，樹脂A可以以調節乾式蝕刻耐性、標準顯影液適性、基板密合性、抗蝕劑分佈或進而抗蝕劑通常需要的特性即解析度、耐熱性及靈敏度等目的具有各種重複結構單元。 作為此類重複結構單元，可以舉出相當於規定的單量體的重複結構單元，但並不限定於此。
作為規定的單量體，例如可以舉出具有1個選自丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯醯胺類、烯丙基化合物、乙烯基醚類及乙烯酯類等的加成聚合性不飽和鍵之化合物等。 除此以外，還可以使用能夠與相當於上述各種重複結構單元之單量體共聚的加成聚合性的不飽和化合物。 為了調節各種性能，在樹脂A中，適當設定各重複結構單元的含有莫耳比。
本發明的組成物為ArF曝光用時，從ArF光的透過性的觀點考慮，樹脂A實質上不具有芳香族基為較佳。更具體而言，相對於樹脂A中的所有重複單元，具有芳香族基之重複單元為5莫耳%以下為較佳，3莫耳%以下為更佳，理想的是0莫耳%，亦即不具有具備芳香族基之重複單元為進一步較佳。又，樹脂A具有單環或多環的脂環烴結構為較佳。
在樹脂A中，所有重複單元可以由（甲基）丙烯酸酯系重複單元構成。此時，所有重複單元可以為甲基丙烯酸酯系重複單元，所有重複單元可以為丙烯酸酯系重複單元，所有重複單元亦可以為甲基丙烯酸酯系重複單元與丙烯酸酯系重複單元的組合。其中，丙烯酸酯系重複單元的含量相對於樹脂A的所有重複單元為50莫耳%以下為較佳。
此外，作為樹脂A，能夠適當使用公知的樹脂。例如，能夠將美國專利申請公開2016/0274458A1號說明書的段落＜0055＞～＜0191＞、美國專利申請公開2015/0004544A1號說明書的段落＜0035＞～＜0085＞及美國專利申請公開2016/0147150A1號說明書的段落＜0045＞～＜0090＞中公開的公知的樹脂適當用作樹脂A。
本發明的組成物為KrF曝光用、EB曝光用或EUV曝光用時，樹脂A為具有具備芳香族烴基之重複單元為較佳，樹脂A具有包含酚性羥基之重複單元為更佳。作為包含酚性羥基之重複單元，可以舉出羥基苯乙烯系重複單元及羥基苯乙烯（甲基）丙烯酸酯系重複單元。 本發明的組成物為KrF曝光用、EB曝光用或EUV曝光用時，樹脂A具有酚性羥基的氫原子被藉由酸的作用分解而脫離的基團（脫離基）保護的結構為較佳。 此時，樹脂A所包含的具有芳香族烴基之重複單元的含量相對於樹脂A中的所有重複單元，30～100莫耳%為較佳，40～100莫耳%為更佳，50～100莫耳%為進一步較佳。
樹脂A的重量平均分子量為1,000～200,000為較佳，2,000～20,000為更佳，3,000～15,000為進一步較佳，3,000～12,000為特佳。分散度（Mw/Mn）通常為1.0～3.0，1.0～2.6為較佳，1.0～2.0為更佳，1.1～2.0為進一步較佳。
樹脂A可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。 樹脂A的組成物中的含量相對於組成物中的總固體成分，通常20質量%以上的情況較多，40質量%以上為較佳，60質量%以上為更佳，75質量%以上為進一步較佳。上限並不特別限定，95質量%以下為較佳，90質量%以下為更佳，85質量%以下為進一步較佳。 此外，固體成分表示去除了組成物中的溶劑之成分。
＜化合物Q＞ 本發明的組成物包含化合物Q。 化合物Q為由通式（I）表示之化合物。
[化13]
在通式（I）中， R1 ～R10 分別獨立地表示氫原子或取代基。 其中，R1 ～R10 中的任一個為由通式（II）表示之基團。 換言之，在R1 ～R10 中，存在1個由通式（II）表示之基團，其餘9個基團為除由通式（II）表示之基團以外的取代基或氫原子。
*-A-X- （II） 通式（II）中，A表示單鍵或2價的連接基團。 作為2價的連接基團並不特別限定，例如可以舉出-O-、-S-、-NRF -（RF 為氫原子或烷基。）、2價的烴基（例如，伸烷基、伸烯基（例：-CH=CH-）、伸炔基（例：-C≡C-）及伸芳基（伸苯基為較佳））或將該等組合之基團。 作為上述2價的連接基團，可以具有取代基之伸烷基（較佳為碳數1～3）、酯基或由該等的組合構成之基團為較佳。 作為上述伸烷基可以具有的取代基，鹵素原子為較佳，氟原子為進一步較佳。 其中，A為單鍵為較佳。
X- 表示-SO3 - 、-(SO2 )-N- -(SO2 )R11 、-(SO2 )-N- -COR12 、-CO-N- -(SO2 )R13 或-CO-N- -COR14 。 R11 ～R14 分別獨立地表示有機基團。 作為上述有機基團，可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的環烷基為較佳。 上述烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀。碳數為1～6為較佳。 其中，作為烷基，甲基、乙基、丙基、異丙基、三級丁基或正丁基為較佳。 作為上述環烷基，可以為單環，亦可以為多環。碳數為5～10為較佳。 作為上述烷基及環烷基可以具有的取代基，鹵素原子為較佳，氟原子為更佳。例如，上述烷基及環烷基所具有的氫原子的一部分或全部被鹵素原子（較佳為氟原子）取代者亦較佳。換言之，上述烷基為氟烷基（包含全氟烷基。較佳為碳數1～6）亦較佳。 其中，R3 或R8 為由通式（II）表示之基團，且為-(SO2 )-N- -(SO2 )R11 時，R11 表示三氟甲基以外的有機基團為較佳。
從獲得組成物的保存穩定性更優異、LWR性能更優異之圖案的觀點考慮，在R1 ～R10 中，R1 、R5 、R6 及R10 中的任一個為由通式（II）表示之基團為較佳。
在由R1 ～R10 表示之取代基中，除了1個由通式（II）表示之基團以外為除了氫原子或由通式（II）表示之基團以外的取代基。 作為除了由通式（II）表示之基團以外的取代基，除了陰離子性基以外的基團為較佳。 在由R1 ～R10 表示之取代基中，作為除了由通式（II）表示之基團以外的取代基，例如可以舉出可以被鹵素原子（較佳為氟原子）取代之烷基。作為烷基，可以為直鏈狀，還可以為支鏈狀，亦可以具有環狀結構。又，構成烷基之碳原子可以被包括選自醚基、羰基及酯基的群中之1以上的基團取代（例如，烷基中的根部的碳原子被醚基取代而烷基可以成為烷氧基的形態）。其中，作為烷基，甲基、乙基、丙基、異丙基、三級丁基或正丁基為較佳。該等基團所具有的氫原子的一部分或全部被鹵素原子（較佳為氟原子）取代者亦較佳。換言之，上述烷基為氟烷基（包含全氟烷基。較佳為碳數1～6）亦較佳。 除了由通式（II）表示之基團以外的R1 ～R10 中，0～3個表示取代基為較佳，0～1個表示取代基為更佳。
化合物Q為由通式（I-2）表示之化合物為較佳。
[化14]
通式（I-2）中， R1 ～R10 分別獨立地表示氫原子或取代基。 其中，R1 ～R10 中的任一個為由通式（II）表示之基團。 *-A-X- （II） 在通式（II）中， A表示單鍵或2價的連接基團。 X- 表示-SO3 - 、-(SO2 )-N- -(SO2 )R11 、-(SO2 )-N- -COR12 、-CO-N- -(SO2 )R13 或-CO-N- -COR14 。 R11 ～R14 分別獨立地表示有機基團。
由通式（I-2）中的各記號表示之基團與相當於通式（I）中的基團的含義相同，較佳之範圍亦相同。 其中，在通式（I-2）中，R3 或R8 為由通式（II）表示之基團，且為-(SO2 )-N- -(SO2 )R11 時，R11 表示除了三氟甲基以外的有機基團。
化合物Q為在分子內具有正電荷和負電荷這兩者的分子，所謂雙性離子。 化合物Q為藉由光化射線或放射線的照射而產生酸的化合物為較佳。 又，化合物Q在未曝光狀態下顯示鹼性，所謂作為酸擴散控制劑發揮作用為較佳。酸擴散控制劑捕獲藉由曝光從光酸產生劑等產生之酸，藉此抑制未曝光部中的樹脂A的酸分解性基因多餘的產生酸而進行反應。
化合物Q可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。 本發明的組成物的總固體成分中的化合物Q的含量為0.5質量%以上為較佳，1.0質量%以上為更佳，2.5質量%以上為進一步較佳。上限並不特別限定，15.0質量%以下為較佳，7.0質量%以下為更佳，5.0質量%以下為進一步較佳。
＜光酸產生劑＞ 本發明的組成物包含除了化合物Q以外的化合物亦即光酸產生劑為較佳。 在本說明書中，光酸產生劑為藉由光化射線或放射線的照射而產生酸的化合物，為除了化合物Q以外的化合物。 作為光酸產生劑，藉由光化射線或放射線的照射產生有機酸的化合物為較佳。例如可以舉出鋶鹽化合物、碘鹽化合物、重氮鹽化合物、鏻鹽化合物、醯亞胺磺酸鹽化合物、肟磺酸鹽化合物、重氮二碸化合物、二碸化合物及鄰硝基苄基磺酸鹽化合物。 光酸產生劑可以為雙性離子，但無法成為化合物Q。
作為光酸產生劑，能夠單獨使用藉由光化射線或放射線的照射而產生酸的公知的化合物，或作為該等的混合物適當選擇使用。例如，能夠將美國專利申請公開2016/0070167A1號說明書的段落＜0125＞～＜0319＞、美國專利申請公開2015/0004544A1號說明書的段落＜0086＞～＜0094＞及美國專利申請公開2016/0237190A1號說明書的段落＜0323＞～＜0402＞中公開之公知的化合物作為光酸產生劑而較佳地使用。
作為光酸產生劑，例如，由下述通式（ZI）、通式（ZII）或通式（ZIII）表示之化合物為較佳。
[化15]
在上述通式（ZI）中， R201 、R202 及R203 分別獨立地表示有機基團。 作為R201 、R202 及R203 的有機基團的碳數，通常為1～30，1～20為較佳。又，R201 ～R203 中的兩個可以鍵結而形成環結構，環內可以包含氧原子、硫原子、酯鍵、醯胺鍵或羰基。作為R201 ～R203 中的兩個鍵結而形成之基團，可以舉出伸烷基（例如，伸丁基、伸戊基）及-CH2 -CH2 -O-CH2 -CH2 -。 Z- 表示陰離子。
作為通式（ZI）中的陽離子的較佳態樣，可以舉出後述化合物（ZI-1）、化合物（ZI-2）、化合物（ZI-3）及化合物（ZI-4）中的對應之基團。 此外，光酸產生劑可以為具有複數個由通式（ZI）表示之結構之化合物。例如，由通式（ZI）表示之化合物的R201 ～R203 中的至少一個和由通式（ZI）表示之另一化合物的R201 ～R203 中的至少一個可以為具有藉由單鍵或連接基團鍵結之結構的化合物。
首先，對化合物（ZI-1）進行說明。 化合物（ZI-1）為上述通式（ZI）的R201 ～R203 中的至少一個為芳基的芳基鋶化合物，亦即，將芳基鋶設為陽離子的化合物。 芳基鋶化合物中，可以是所有R201 ～R203 為芳基，亦可以是R201 ～R203 中的一部分為芳基，剩餘部分為烷基或環烷基。 作為芳基鋶化合物，例如可以舉出三芳基鋶化合物、二芳基烷基鋶化合物、芳基二烷基鋶化合物、二芳基環烷基鋶化合物及芳基二環烷基鋶化合物。
作為芳基鋶化合物所包含的芳基，苯基或萘基為較佳，苯基為更佳。芳基可以為具有具備氧原子、氮原子或硫原子等之雜環結構之芳基。作為雜環結構，可以舉出吡咯殘基、呋喃殘基、噻吩殘基、吲哚殘基、苯并呋喃殘基及苯并噻吩殘基等。芳基鋶化合物具有兩個以上的芳基時，兩個以上的芳基可以相同，亦可以不同。 芳基鋶化合物依據需要具有的烷基或環烷基為碳數1～15的直鏈狀烷基、碳數3～15的支鏈狀烷基或碳數3～15的環烷基為較佳，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、正丁基、二級丁基、三級丁基、環丙基、環丁基及環己基等。
R201 ～R203 的芳基、烷基及環烷基可以分別獨立地具有烷基（例如碳數1～15）、環烷基（例如碳數3～15）、芳基（例如碳數6～14）、烷氧基（例如碳數1～15）、鹵素原子、羥基或苯基硫基作為取代基。
接著，對化合物（ZI-2）進行說明。 化合物（ZI-2）中，式（ZI）中的R201 ～R203 分別獨立地為表示不具有芳香環的有機基團之化合物。在此芳香環亦包括包含雜原子之芳香族環。 作為R201 ～R203 的不具有芳香環的有機基團的碳數通常為1～30，碳數1～20為較佳。 R201 ～R203 較佳為分別獨立地表示烷基、環烷基、烯丙基或乙烯基，更佳為直鏈狀或支鏈狀的2-氧代烷基、2-氧代環烷基或烷氧羰基甲基，進一步較佳為直鏈狀或支鏈狀的2-氧代烷基。
作為R201 ～R203 的烷基及環烷基，較佳地可以舉出碳數1～10的直鏈狀烷基或碳數3～10的支鏈狀烷基（例如，甲基、乙基、丙基、丁基及戊基）及碳數3～10的環烷基（例如環戊基、環己基及降莰基）。 R201 ～R203 可以進一步被鹵素原子、烷氧基（例如碳數1～5）、羥基、氰基或硝基取代。
接著，對化合物（ZI-3）進行說明。 化合物（ZI-3）為由下述通式（ZI-3）表示，且具有苯甲醯甲基鋶鹽結構之化合物。
[化16]
通式（ZI-3）中， R1c ～R5c 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、烷基羰氧基、環烷基羰氧基、鹵素原子、羥基、硝基、烷基硫基或芳基硫基。 R6c 及R7c 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或芳基。 Rx 及Ry 分別獨立地表示烷基、環烷基、2-氧代烷基、2-氧代環烷基、烷氧羰基烷基、烯丙基或乙烯基。
R1c ～R5c 中的任意兩個以上、R5c 與R6c 、R6c 與R7c 、R5c 與Rx 及Rx 與Ry 可以各自鍵結而形成環結構，該環結構可以分別獨立地包含氧原子、硫原子、酮基、酯鍵或醯胺鍵。 作為上述環結構，可以舉出芳香族或非芳香族的烴環、芳香族或非芳香族的雜環及組合兩個以上的該等環而成之多環縮合環。作為環結構，可以舉出3～10員環，4～8員環為較佳，5或6員環為更佳。
作為R1c ～R5c 中的任意兩個以上、R6c 與R7c 及Rx 與Ry 鍵結而形成之基團，可以舉出伸丁基及伸戊基等。 作為R5c 與R6c 及R5c 與Rx 鍵結而形成之基團，單鍵或伸烷基為較佳。作為伸烷基，可以舉出亞甲基及伸乙基等。 Zc- 表示陰離子。
接著，對化合物（ZI-4）進行說明。 化合物（ZI-4）由下述通式（ZI-4）表示。
[化17]
在通式（ZI-4）中， l表示0～2的整數。 r表示0～8的整數。 R13 表示具有氫原子、氟原子、羥基、烷基、環烷基、烷氧基、烷氧羰基或環烷基之基團。該等基團可以具有取代基。 R14 表示具有羥基、烷基、環烷基、烷氧基、烷氧羰基、烷基羰基、烷基磺醯基、環烷基磺醯基或環烷基之基團。該等基團可以具有取代基。R14 存在複數個時分別獨立地表示羥基等上述基團。 R15 分別獨立地表示烷基、環烷基或萘基。該等基團可以具有取代基。兩個R15 可以相互鍵結而形成環。兩個R15 相互鍵結而形成環時，可以在環骨架內包含氧原子或氮原子等雜原子。在一態樣，兩個R15 為伸烷基，相互鍵結而形成環結構為較佳。 Z- 表示陰離子。
在通式（ZI-4）中，R13 、R14 及R15 的烷基為直鏈狀或支鏈狀。烷基的碳數為1～10為較佳。作為烷基，甲基、乙基、正丁基或三級丁基等為更佳。
接著，對通式（ZII）及通式（ZIII）進行說明。 在通式（ZII）及通式（ZIII）中，R204 ～R207 分別獨立地表示芳基、烷基或環烷基。 作為R204 ～R207 的芳基，苯基或萘基為較佳，苯基為更佳。R204 ～R207 的芳基可以為具有具備氧原子、氮原子或硫原子等之雜環結構之芳基。作為具有雜環結構之芳基的骨架，例如可以舉出吡咯、呋喃、噻吩、吲哚、苯并呋喃及苯并噻吩等。 作為R204 ～R207 的烷基及環烷基，碳數1～10的直鏈狀烷基或碳數3～10的支鏈狀烷基（例如，甲基、乙基、丙基、丁基及戊基）或碳數3～10的環烷基（例如環戊基、環己基及降莰基）為較佳。
R204 ～R207 的芳基、烷基及環烷基可以分別獨立地具有取代基。作為R204 ～R207 的芳基、烷基及環烷基可以具有的取代基，例如可以舉出烷基（例如碳數1～15）、環烷基（例如碳數3～15）、芳基（例如碳數6～15）、烷氧基（例如碳數1～15）、鹵素原子、羥基及苯硫基等。 Z- 表示陰離子。
作為在通式（ZI）中的Z- 、通式（ZII）中的Z- 、通式（ZI-3）中的Zc- 及通式（ZI-4）中的Z- ，由下述通式（3）表示之陰離子為較佳。
[化18]
在通式（3）中， o表示1～3的整數。p表示0～10的整數。q表示0～10的整數。
Xf表示氟原子或被至少一個氟原子取代的烷基。該烷基的碳數為1～10為較佳，1～4為更佳。又，作為被至少一個氟原子取代的烷基，全氟烷基為較佳。 Xf為氟原子或碳數1～4的全氟烷基為較佳，氟原子或CF3 為更佳。其中，兩者的Xf為氟原子為進一步較佳。
R4 及R5 分別獨立地表示氫原子、氟原子、烷基或被至少一個氟原子取代的烷基。R4 及R5 存在複數個時，存在複數個之R4 及存在複數個之R5 分別可以相同或不同。 由R4 及R5 表示之烷基可以具有取代基，碳數1～4為較佳。R4 及R5 較佳為氫原子。 被至少一個氟原子取代的烷基的具體例及較佳態樣與通式（3）中的Xf的具體例及較佳態樣相同。
L表示2價的連接基團。L存在複數個時，存在複數個之L分別可以相同或不同。 作為2價的連接基團，例如，-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2 -、伸烷基（較佳為碳數1～6）、環伸烷基（較佳為碳數3～15）、伸烯基（較佳為碳數2～6）及組合了該等複數個之2價的連接基團等。其中，-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-SO2 -、-COO-伸烷基-、-OCO-伸烷基-、-CONH-伸烷基-或-NHCO-伸烷基-為較佳，-COO-、-OCO-、-CONH-、-SO2 -、-COO-伸烷基-或-OCO-伸烷基-為更佳。
W表示包含環狀結構之有機基團。其中，環狀的有機基團為較佳。 作為環狀的有機基團，例如可以舉出脂環基、芳基及雜環基。 脂環基可以為單環，亦可以為多環。作為單環的脂環基，例如可以舉出環戊基、環己基及環辛基等的單環的環烷基。作為多環的脂環基，例如可以舉出降莰基、三環癸基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基。其中，碳數7以上的具有大體積結構的脂環基為較佳，作為例子，可以舉出降莰基、三環癸基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等。
芳基可以為單環，亦可以為多環。作為該芳基，例如可以舉出苯基、萘基、菲基及蒽基。 雜環基可以為單環，亦可以為多環。多環更加能夠抑制酸的擴散。又，雜環基可以具有芳香族性，亦可以不具有芳香族性。作為具有芳香族性之雜環，例如可以舉出呋喃環、噻吩環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環及吡啶環。作為不具有芳香族性之雜環，例如可以舉出四氫哌喃環、內酯環、磺內酯環及十氫異喹啉環。作為內酯環及磺內酯環的例子，可以舉出在前述的樹脂中例示之內酯結構及磺內酯結構。作為雜環基中的雜環，呋喃環、噻吩環、吡啶環或十氫異喹啉環為較佳。
上述環狀的有機基團可以具有取代基。作為該取代基，例如可以舉出烷基（可以為直鏈狀及支鏈狀中的任一個，碳數1～12為較佳）、環烷基（可以為單環、多環（還包括螺環等）中的任一個，碳數3～20為較佳）、芳基（碳數6～14為較佳）、羥基、烷氧基、酯基、醯胺基、胺基甲酸酯基、脲基、硫醚基、磺醯胺基及磺酸酯基。此外，構成環狀的有機基團之碳（有助於環形成之碳）可以為羰基碳。
作為由通式（3）表示之陰離子，SO3 - -CF2 -CH2 -OCO-(L)q’-W、SO3 - -CF2 -CHF-CH2 -OCO-(L)q’-W、SO3 - -CF2 -COO-(L)q’-W、SO3 - -CF2 -CF2 -CH2 -CH2 -(L)q-W或SO3 - -CF2 -CH(CF3 )-OCO-(L)q’-W為較佳。在此，L、q及W與通式（3）相同。q’表示0～10的整數。
在一態樣，作為通式（ZI）中的Z- 、通式（ZII）中的Z- 、通式（ZI-3）中的Zc- 及通式（ZI-4）中的Z- ，由下述的通式（4）表示之陰離子亦較佳。
[化19]
在通式（4）中， XB1 及XB2 分別獨立地表示不具有氫原子或氟原子之1價的有機基團。XB1 及XB2 為氫原子為較佳。 XB3 及XB4 分別獨立地表示氫原子或1價的有機基團。XB3 及XB4 中的至少一個為具有氫原子或氟原子之1價的有機基團為較佳，XB3 及XB4 的兩者為具有氫原子或氟原子之1價的有機基團為更佳。XB3 及XB4 兩者為被氟取代之烷基為進一步較佳。 L、q及W與通式（3）相同。
作為通式（ZI）中的Z- 、通式（ZII）中的Z- 、通式（ZI-3）中的Zc- 及通式（ZI-4）中的Z- ，由下述通式（5）表示之陰離子亦較佳。
[化20]
在通式（5）中，Xa分別獨立地表示氟原子或被至少一個氟原子取代的烷基。Xb分別獨立地表示不具有氫原子或氟原子之有機基團。o、p、q、R4 、R5 、L及W的定義及較佳態樣與通式（3）相同。
通式（ZI）中的Z- 、通式（ZII）中的Z- 、通式（ZI-3）中的Zc- 及通式（ZI-4）中的Z- 可以為苯磺酸根陰離子，被支鏈狀烷基或環烷基取代之苯磺酸根陰離子為較佳。
作為通式（ZI）中的Z- 、通式（ZII）中的Z- 、通式（ZI-3）中的Zc- 及通式（ZI-4）中的Z- ，由下述的通式（SA1）表示之芳香族磺酸根陰離子亦較佳。
[化21]
在式（SA1）中， Ar表示芳基，可以進一步具有磺酸根陰離子及-（D-B）基以外的取代基。作為可以進一步具有的取代基，可以舉出氟原子及羥基等。
n表示0以上的整數。作為n，1～4為較佳，2～3為更佳，3為進一步較佳。
D表示單鍵或2價的連接基團。作為2價的連接基團，可以舉出包括醚基、硫醚基、羰基、亞碸基、磺酸基、磺酸酯基、酯基及該等的2種以上的組合之基團等。
B表示烴基。
較佳為D為單鍵，B為脂肪族烴結構。B為異丙基或環己基為更佳。
作為通式（ZI）中的Z- 、通式（ZII）中的Z- 、通式（ZI-3）中的Zc- 及通式（ZI-4）中的Z- 可以為三碸基碳陰離子或二磺醯胺陰離子。 三碸基碳陰離子例如為由C- (SO2 -Rp )3 表示之陰離子。 在此，Rp 表示可以具有取代基的烷基，氟烷基為較佳，全氟烷基為更佳，三氟甲基為進一步較佳。 二磺醯胺陰離子例如為由N- (SO2 -Rq )2 表示之陰離子。 在此，Rq 表示可以具有取代基的烷基，氟烷基為較佳，全氟烷基為更佳。兩個Rq 可以相互鍵結而形成環。兩個Rq 相互鍵結而形成的基團為可以具有取代基的伸烷基為較佳，氟伸烷基為較佳，全氟伸烷基為進一步較佳。上述伸烷基（較佳為氟伸烷基，更佳為全氟伸烷基）的碳數為2～4為較佳。
以下示出通式（ZI）中的鋶陽離子及通式（ZII）中的碘陽離子的較佳例。
[化22]
以下示出通式（ZI）、通式（ZII）中的陰離子Z- 、通式（ZI-3）中的Zc- 及通式（ZI-4）中的Z- 的較佳例。
[化23]
能夠任意組合上述的陽離子及陰離子來用作光酸產生劑。
光酸產生劑可以為低分子化合物的形態，亦可以為組合到聚合物的一部分中的形態。又，可以併用低分子化合物的形態和組合到聚合物的一部分中的形態。 光酸產生劑為低分子化合物的形態為較佳。 光酸產生劑為低分子化合物的形態時，分子量為3,000以下為較佳，2,000以下為更佳，1,000以下為進一步較佳。下限並不特別限定，通常為50以上。 光酸產生劑為組合到聚合物的一部分中的形態時，可以組合到前述樹脂A的一部分中，亦可以組合到與樹脂A不同之樹脂中。 光酸產生劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。 以組成物的總固體成分為基準，光酸產生劑的組成物中的含量（存在複數種時為其合計）為0.1～35質量%為較佳，0.5～25質量%為更佳，3～20質量%為進一步較佳。
＜疏水性樹脂＞ 本發明的組成物可以包含疏水性樹脂。此外，疏水性樹脂為與樹脂A不同的樹脂為較佳。 本發明的組成物藉由包含疏水性樹脂，能夠控制感光化射線性或感放射線性膜的表面的靜態和/或動態接觸角。藉此能夠改善顯影特性，抑制脫氣，提高液浸曝光中的液浸液追隨性及降低液浸缺陷等。 疏水性樹脂以偏在於抗蝕劑膜的表面之方式設計為較佳，但與界面活性劑不同，無需一定要在分子內具有親水基團，可以對極性性物質及非極性物質的均勻混合不起作用。
從向膜表層的偏在化的觀點考慮，疏水性樹脂為具有選自包括“氟原子”、“矽原子”及“樹脂的側鏈部分中含有的CH3 部分結構”的群中之至少1種的重複單元之樹脂為較佳。 疏水性樹脂包含氟原子和/或矽原子時，疏水性樹脂中的上述氟原子和/或矽原子可以包含於樹脂的主鏈中，亦可以包含於側鏈中。
疏水性樹脂包含氟原子時，作為具有氟原子之部分結構，包含具有氟原子之烷基、具有氟原子之環烷基或具有氟原子之芳基之樹脂為較佳。
疏水性樹脂具有選自下述（x）～（z）的群中之至少一個基團為較佳。 （x）酸基 （y）藉由鹼顯影液的作用分解而對鹼顯影液的溶解度增大之基團（以下，亦稱作極性轉換基。） （z）藉由酸的作用分解之基團
作為酸基（x），可以舉出酚性羥基、羧基、氟化醇基、磺酸基、磺醯胺基、磺醯亞胺基、(烷基磺醯基)(烷基羰基)亞甲基、(烷基磺醯基)(烷基羰基)醯亞胺基、雙(烷基羰基)亞甲基、雙(烷基羰基)醯亞胺基、雙(烷基磺醯基)亞甲基、雙(烷基磺醯基)醯亞胺基、三(烷基羰基)亞甲基及三(烷基磺醯基)亞甲基等。 作為酸基，氟化醇基（較佳為六氟異丙醇）、磺醯亞胺基或雙（烷基羰基）亞甲基為較佳。
作為藉由鹼顯影液的作用分解而對鹼顯影液的溶解度增大之基團（y），例如可以舉出內酯基、羧酯基（-COO-）、酸酐基（-CO-O-CO-）、酸醯亞胺基（-NHCONH-）、羧硫酯基（-COS-）、碳酸醚基（-O-CO-O-）、硫酸酯基（-OSO2 O-）及磺酸酯基（-SO2 O-）等，內酯基或羧酯基（-COO-）為較佳。 作為包含該等基團之重複單元，例如為該等基團直接鍵結於樹脂的主鏈的重複單元，例如可以舉出源自丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之重複單元等。該重複單元中，該等基團可以藉由連接基團鍵結於樹脂的主鏈上。或，該重複單元在聚合具有該等基團之聚合起始劑或鏈轉移劑時使用，並可以導入樹脂的末端。 作為具有內酯基之重複單元，例如可以舉出，與具有在上述樹脂A的項中說明的內酯結構之重複單元相同者。
具有藉由鹼顯影液的作用分解而對鹼顯影液的溶解度增大之基團（y）之重複單元的含量相對於疏水性樹脂中的所有重複單元，1～100莫耳%為較佳，3～98莫耳%為更佳，5～95莫耳%為進一步較佳。
疏水性樹脂中的具有藉由酸的作用分解之基團（z）之重複單元可以舉出與在樹脂A中舉出的具有酸分解性基之重複單元相同者。具有藉由酸的作用分解之基團（z）之重複單元可以具有氟原子及矽原子中的至少任一者。具有藉由酸的作用分解之基團（z）之重複單元的含量相對於疏水性樹脂中的所有重複單元，1～80莫耳%為較佳，10～80莫耳%為更佳，20～60莫耳%為進一步較佳。 疏水性樹脂可以進一步具有與上述重複單元不同的重複單元。
包含氟原子之重複單元相對於疏水性樹脂中的所有重複單元，10～100莫耳%為較佳，30～100莫耳%為更佳。又，包含矽原子之重複單元相對於疏水性樹脂中的所有重複單元，10～100莫耳%為較佳，20～100莫耳%為更佳。
另一方面，尤其疏水性樹脂在側鏈部分包含CH3 部分結構時，疏水性樹脂實質上不包含氟原子及矽原子的形態亦較佳。又，疏水性樹脂實質上僅由重複單元（僅由選自碳原子、氧原子、氫原子、氮原子及硫原子的原子構成）構成為較佳。
疏水性樹脂的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量為1,000～100,000為較佳，1,000～50,000為更佳。
疏水性樹脂所包含的殘存單體和/或寡聚物成分的合計含量為0.01～5質量%為較佳，0.01～3質量%為更佳。又，分散度（Mw/Mn）為1.0～5.0為較佳，1.0～3.0為更佳。
作為疏水性樹脂，能夠單獨或作為該等的混合物適當選擇使用公知的樹脂。例如，能夠將美國專利申請公開2015/0168830A1號說明書的段落＜0451＞～＜0704＞及美國專利申請公開2016/0274458A1號說明書的段落＜0340＞～＜0356＞中公開之公知的樹脂較佳地用作疏水性樹脂。又，美國專利申請公開2016/0237190A1號說明書的段落＜0177＞～＜0258＞中公開之重複單元亦作為構成疏水性樹脂之重複單元為較佳。
以下示出相當於構成疏水性樹脂之重複單元的單體的較佳例。
[化24]
[化25]
疏水性樹脂可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。 從兼顧液浸曝光中的液浸液追隨性和顯影特性的觀點考慮，混合使用表面能不同的2種以上的疏水性樹脂亦較佳。 疏水性樹脂的組成物中的含量相對於本發明的組成物中的總固體成分為0.01～10質量%為較佳，0.03～8質量%為更佳。
＜界面活性劑＞ 本發明的組成物可以包含界面活性劑。包含界面活性劑時，氟系和/或矽系界面活性劑（具體而言，氟系界面活性劑、矽系界面活性劑或具有氟原子和矽原子兩者之界面活性劑）為較佳。
本發明的組成物藉由包含界面活性劑，在使用250 nm以下（尤其220 nm以下）的曝光光源時，能夠以良好的靈敏度及解析度獲得密合性及顯影缺陷少的圖案。 作為氟系和/或矽系界面活性劑，可以舉出美國專利申請公開第2008/0248425號說明書的段落＜0276＞項中記載之界面活性劑。 又，還能夠使用美國專利申請公開第2008/0248425號說明書的段落＜0280＞項中記載之除氟系和/或矽系界面活性劑以外的其他界面活性劑。
該等界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。 本發明的組成物包含界面活性劑時，界面活性劑的含量相對於組成物的總固體成分，0.0001～2質量%為較佳，0.0005～1質量%為更佳。 另一方面，將相對於組成物的總固體成分的界面活性劑的含量設為10質量ppm以上，藉此提高疏水性樹脂的表面偏在性。藉此，能夠使感光化射線性或感放射線性膜的表面進一步具有疏水性，並提高液浸曝光時的水追隨性。
＜溶劑＞ 本發明的組成物可以包含溶劑。 在本發明的組成物中，能夠適當使用公知的抗蝕劑溶劑。例如，能夠較佳地使用美國專利申請公開2016/0070167A1號說明書的段落＜0665＞～＜0670＞、美國專利申請公開2015/0004544A1號說明書的段落＜0210＞～＜0235＞、美國專利申請公開2016/0237190A1號說明書的段落＜0424＞～＜0426＞及美國專利申請公開2016/0274458A1號說明書的段落＜0357＞～＜0366＞中公開之公知的溶劑。 作為能夠在製備組成物時使用的溶劑，例如可以舉出伸烷基二醇單烷基醚羧酸酯、伸烷基二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環狀內酯（較佳為碳數4～10）、可以具有環之單酮化合物（較佳為碳數4～10）、伸烷基碳酸酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等有機溶劑。
作為有機溶劑，可以使用混合了結構中具有羥基之溶劑和不具有羥基之溶劑之混合溶劑。 作為具有羥基之溶劑及不具有羥基之溶劑，能夠適當選擇前述的例示化合物，作為含有羥基之溶劑，伸烷基二醇單烷基醚或乳酸烷基等為較佳，丙二醇單甲醚（PGME）、丙二醇單乙醚（PGEE）、2-羥基異丁酸甲酯或乳酸乙酯為更佳。又，作為不具有羥基之溶劑，伸烷基二醇單烷基醚乙酸酯、烷基烷氧基丙酸酯、可以具有環之單酮化合物、環狀內酯或乙酸烷基等為較佳，其中，丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、乙基乙氧基丙酸酯、2-庚酮、γ-丁內酯、環己酮、環戊酮或乙酸丁酯為更佳，丙二醇單甲醚乙酸酯、γ-丁內酯、乙基乙氧基丙酸酯、環己酮、環戊酮或2-庚酮為進一步較佳。作為不具有羥基之溶劑，碳酸丙烯酯亦較佳。 具有羥基之溶劑與不具有羥基之溶劑的混合比（質量比）為1/99～99/1，10/90～90/10為較佳，20/80～60/40為更佳。包含50質量%以上的不具有羥基之溶劑之混合溶劑從塗佈均勻性的觀點考慮為較佳。 溶劑包含丙二醇單甲醚乙酸酯為較佳。此時，溶劑可以為丙二醇單甲醚乙酸酯單獨溶劑，亦可以為包含丙二醇單甲醚乙酸酯的2種以上的混合溶劑。
本發明的組成物的固體成分濃度為1.0～10質量%為較佳，2.0～5.7質量%為更佳，2.0～5.3質量%為進一步較佳。亦即，組成物包含溶劑時的組成物中的溶劑的含量調整為滿足上述固體成分濃度的較佳範圍為較佳。此外，固體成分濃度為除了溶劑以外的其他抗蝕劑成分的質量相對於組成物的總質量的質量百分率。 將組成物中的固體成分濃度設定在適當的範圍而使其具有適當的黏度，提高塗佈性或製膜性，藉此能夠調整由本發明的組成物構成的抗蝕劑膜（感光化射線性或感放射線性膜）的膜厚。
＜其他添加劑＞ 本發明的組成物還可以包含上述以外的樹脂、交聯劑、酸增殖劑、染料、塑化劑、光敏劑、光吸收劑、鹼可溶性樹脂、溶解抑制劑或溶解促進劑等。
＜製備方法＞ 關於本發明的組成物，將上述的成分溶解於規定的有機溶劑（較佳為上述混合溶劑），並對此進行過濾器過濾之後，塗佈在規定的支撐體（基板）上來使用為較佳。 用於過濾器過濾之過濾器的細孔尺寸為0.1 μm以下為較佳，0.05 μm以下為更佳，0.03 μm以下為進一步較佳。過濾器為聚四氟乙烯製、聚乙烯製或尼龍製的過濾器為較佳。過濾器過濾中，例如公開於日本專利申請公開第2002-062667號說明書（日本特開2002-062667），可以進行循環過濾，亦可以串聯或並聯連接複數種過濾器來進行過濾。又，組成物可以過濾複數次。進而，在過濾器過濾的前後，可以對組成物進行脫氣處理等。
＜用途＞ 本發明的組成物有關一種藉由光化射線或放射線的照射進行反應而性質發生變化之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物。更具體而言，本發明的組成物有關一種用於IC（積體電路；Integrated Circuit）等半導體製造製程、液晶或熱能頭等的電路基板的製造、壓印用模具結構體的製作、其他感光蝕刻加工製程或平版印刷版、或酸硬化性組成物的製造中之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物。在本發明中形成的圖案能夠用於蝕刻製程、離子植入製程、凸塊電極形成製程、再配線形成製程及MEMS（微機電系統：Micro Electro Mechanical Systems）等中。
[圖案形成方法、抗蝕劑膜] 本發明亦有關一種使用上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物之圖案形成方法。以下，對本發明的圖案形成方法進行說明。又，與圖案形成方法的說明一同對本發明的抗蝕劑膜（感光化射線性或感放射線性膜）進行說明。
本發明的圖案形成方法具有： （i）使用上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物在支撐體上形成抗蝕劑膜（感光化射線性或感放射線性膜）之製程（抗蝕劑膜形成製程（成膜製程））、 （ii）曝光上述抗蝕劑膜（照射光化射線或放射線）之製程（曝光製程）及 （iii）使用顯影液對上述經曝光之抗蝕劑膜進行顯影之製程（顯影製程）。
本發明的圖案形成方法只要包括上述（i）～（iii）的製程，則並不特別限定，可以進一步具有下述的製程。 本發明的圖案形成方法中，（ii）曝光製程中的曝光方法可以為液浸曝光。 本發明的圖案形成方法在（ii）曝光製程之前具有（iv）預烘烤（PB：PreBake）製程為較佳。 本發明的圖案形成方法在（ii）曝光製程之後且（iii）顯影製程之前具有（v）曝光後加熱（PEB：Post Exposure Bake）製程為較佳。 本發明的圖案形成方法可以具有複數次（ii）曝光製程。 本發明的圖案形成方法可以具有複數次（iv）預烘烤製程。 本發明的圖案形成方法可以具有複數次（v）曝光後加熱製程。
在本發明的圖案形成方法中，上述（i）抗蝕劑膜形成製程（成膜製程）、（ii）曝光製程及（iii）顯影製程能夠藉由通常習知的方法進行。
從提高解析度的觀點考慮，抗蝕劑膜的膜厚為90nm以下為較佳，85nm以下為更佳。 又，依據需要，可以在抗蝕劑膜與支撐體之間形成抗蝕劑下層膜（例如，SOG（旋塗玻璃：Spin On Glass）、SOC（旋塗碳：Spin On Carbon）及防反射膜）。作為構成抗蝕劑下層膜之材料，能夠適當使用公知的有機系或無機系的材料。 可以在抗蝕劑膜的上層形成保護膜（頂塗層）。作為保護膜，能夠適當使用公知的材料。例如，能夠較佳地使用美國專利申請公開第2007/0178407號說明書、美國專利申請公開第2008/0085466號說明書、美國專利申請公開第2007/0275326號說明書、美國專利申請公開第2016/0299432號說明書、美國專利申請公開第2013/0244438號說明書、國際專利申請公開第2016/157988A號說明書中公開之保護膜形成用組成物。作為保護膜形成用組成物，包含上述酸擴散控制劑者為較佳。 可以在包含上述疏水性樹脂之抗蝕劑膜的上層形成保護膜。
支撐體並不特別限定，能夠使用通常用於除了IC等半導體的製造製程或液晶或熱能頭等的電路基板的製造製程以外，其他感光蝕刻加工的微影術製程等中的基板。作為支撐體的具體例，可以舉出矽、SiO2 及SiN等無機基板等。
關於加熱溫度，在（iv）預烘烤製程及（v）曝光後加熱製程中的任一製程中均為70～150℃為較佳，80～120℃為更佳。 關於加熱時間，在（iv）預烘烤製程及（v）曝光後加熱製程中的任一製程中均為30～300秒為較佳，30～180秒為更佳，30～90秒為進一步較佳。 加熱可以利用曝光裝置及顯影裝置所具備之構件進行，亦可以使用加熱板等進行。
用於曝光製程中的光源波長並無限定，例如可以舉出紅外光、可見光、紫外光、遠紫外光、極紫外光（EUV）、X射線及電子束等。該等中遠紫外光為較佳，其波長為250 nm以下為較佳，220 nm以下為更佳，1～200 nm為進一步較佳。具體而言，KrF準分子雷射（248 nm）、ArF準分子雷射（193 nm）、F2 準分子雷射（157 nm）、X射線、EUV（13 nm）或電子束等較佳，KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EUV或電子束為更佳。
在（iii）顯影製程中，可以為鹼顯影液，亦可以為包含有機溶劑之顯影液（以下，亦稱作有機系顯影液。）。
作為鹼顯影液，通常使用由氫氧化四甲基銨代表之4級銨鹽，除此以外，還能夠使用無機鹼、1～3級胺、醇胺及環狀胺等鹼水溶液。 進而，上述鹼顯影液可以包含適當量的醇類和/或界面活性劑。鹼顯影液的鹼濃度通常為0.1～20質量%。鹼顯影液的pH通常為10～15。 使用鹼顯影液進行顯影的時間通常為10～300秒。 鹼顯影液的鹼濃度、pH及顯影時間能夠依據所形成之圖案適當進行調整。
有機系顯影液為包含選自包括酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑及烴系溶劑的群中之至少1種有機溶劑之顯影液為較佳。
作為酮系溶劑，例如可以舉出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、2-庚酮（甲基戊基酮）、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮（ionone）、二丙酮醇、乙醯甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛爾酮及碳酸丙烯酯等。
作為醚系溶劑，例如可以舉出乙酸甲基、乙酸丁基、乙酸乙基、乙酸異丙基、乙酸戊、乙酸異戊、乙酸戊基、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、甲酸甲基、甲酸乙基、甲酸丁基、甲酸丙基、乳酸乙基、乳酸丁基、乳酸丙基、丁酸丁基、2-羥基異丁酸甲基、乙酸異戊基、異丁酸異丁基及丙酸丁基等。
作為醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑及烴系溶劑，能夠使用美國專利申請公開2016/0070167A1號說明書的段落＜0715＞～＜0718＞中公開之溶劑。
上述的溶劑可以混合複數種，亦可以與除了上述以外的溶劑或水混合。作為顯影液整體的含水率小於50質量%為較佳，小於20質量%為更佳，小於10質量%為進一步較佳，實質上不含水分為特佳。 相對於有機系顯影液之有機溶劑的含量相對於顯影液的總量為50～100質量%為較佳，80～100質量%為更佳，90～100質量%為進一步較佳，95～100質量%為特佳。
顯影液可以依據需要包含適當量的公知的界面活性劑。
界面活性劑的含量相對於顯影液的總量，通常為0.001～5質量%，0.005～2質量%為較佳，0.01～0.5質量%為更佳。
有機系顯影液可以包含酸擴散控制劑。
作為顯影方法，例如可以舉出，將基板在充滿顯影液的槽中浸漬一定時間的方法（浸漬法）、藉由表面張力使顯影液隆起並在基板表面靜止一定時間的方法（覆液法）、對基板表面噴塗顯影液的方法（噴塗法）及以一定速度一邊掃描顯影液噴出噴嘴一邊將顯影液持續噴出到以一定速度旋轉的基板上的方法（動態分配法）等。
可以組合使用鹼水溶液進行顯影之製程（鹼顯影製程）及使用包含有機溶劑之顯影液進行顯影之製程（有機溶劑顯影製程）。藉此，可以僅使中間水平的曝光強度的區域不溶解而形成圖案，因此能夠形成更加微細的圖案。
在（iii）顯影製程之後具有使用沖洗液清洗的製程（沖洗製程）為較佳。
使用鹼顯影液之顯影製程之後的沖洗製程中使用的沖洗液，例如能夠使用純水。純水可以包含適當量的界面活性劑。此時，可以在顯影製程或沖洗製程之後，追加藉由超臨界流體去除附著於圖案上的顯影液或沖洗液之處理。進而，為了去除殘存在圖案中的水分，可以在藉由沖洗處理或超臨界流體之處理之後進行加熱處理。
在使用包含有機溶劑之顯影液之顯影製程之後的沖洗製程中使用的沖洗液只要不溶解圖案，則並不特別限制，能夠使用包含通常的有機溶劑之溶液。作為沖洗液，使用包含選自包括烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑的群中之至少1種有機溶劑之沖洗液為較佳。 作為烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑的具體例，可以舉出與在包含有機溶劑之顯影液中說明者相同者。 作為此時用於沖洗製程的沖洗液，包含1價醇之沖洗液為更佳。
作為沖洗製程中使用的1價醇，可以舉出直鏈狀、支鏈狀或環狀的1價醇。具體而言，可以舉出1-丁醇、2-丁醇、3-甲基-1-丁醇、三級丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、環戊醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇及甲基異丁基甲醇。 1價醇為碳數5以上者為較佳，作為這樣的例子，可以舉出1-己醇、2-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-戊醇、3-甲基-1-丁醇及甲基異丁基甲醇等。
各成分可以混合複數種，亦可以與除了上述以外的有機溶劑混合來使用。 在使用包含有機溶劑之顯影液之顯影製程之後的沖洗製程中使用的沖洗液中的含水率為10質量%以下為較佳，5質量%以下為更佳，3質量%以下為進一步較佳。藉由將含水率設為10質量%以下，可以獲得良好的顯影特性。 使用包含有機溶劑之顯影液之顯影製程之後的沖洗液可以包含適當量的界面活性劑。
在沖洗製程中，使用沖洗液對經顯影之基板進行清洗處理。清洗處理的方法並不特別限定，例如可以舉出以一定速度旋轉的基板上持續噴出沖洗液之方法（旋轉塗佈法）、將基板在充滿顯影液的槽中浸漬一定時間的方法（浸漬法）或對基板表面噴塗顯影液的方法（噴塗法）等。其中，用旋轉塗佈法進行清洗處理，清洗後使基板以2,000～4,000 rpm的轉速旋轉，以將沖洗液從基板上去除的方法為較佳。又，在沖洗製程之後具有加熱製程（後烘烤：Post Bake）亦較佳。藉由該加熱製程去除殘留於圖案之間及圖案內部的顯影液及沖洗液。在沖洗製程之後的加熱製程中，加熱溫度通常為40～160℃，70～95℃為較佳，加熱時間通常為10秒～3分鐘，30秒～90秒為較佳。
本發明的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物及本發明的圖案形成方法中使用的各種材料（例如，抗蝕劑溶劑、顯影液、沖洗液、防反射膜形成用組成物或頂塗層形成用組成物等）不包含金屬成分、異構物及殘存單體等雜質為較佳。作為該等材料中包含的雜質的含量，1質量ppm以下為較佳，100質量ppt以下為更佳，10質量ppt以下為進一步較佳，實質上不含有（為測定裝置的檢測極限以下）為特佳。
作為從上述各種材料去除金屬等雜質的方法，例如可以舉出使用過濾器的過濾。作為過濾器孔徑，細孔尺寸10 nm以下為較佳，5 nm以下為更佳，3 nm以下為進一步較佳。作為過濾器的材質，聚四氟乙烯製、聚乙烯製、或尼龍製的過濾器為較佳。過濾器亦可以使用提前用有機溶劑清洗者。過濾器過濾製程中，可以串聯或並聯連接複數種過濾器來使用。使用複數種過濾器時，可以組合使用孔徑和/或材質不同的過濾器。又，可以對各種材料進行複數次過濾，進行複數次過濾之製程亦可以為循環過濾製程。作為過濾器，如日本專利申請公開第2016-201426號說明書（日本特開2016-201426）公開的溶出物減少者為較佳。 除了過濾器過濾以外，可使用吸附材料去除雜質，亦可以組合使用過濾器過濾和吸附材料。作為吸附材料，能夠使用公知的吸附材料，例如能夠使用矽膠或沸石等無機系吸附材料或活性碳等有機系吸附材料。作為金屬吸附材，例如可以舉出日本專利申請公開第2016-206500號說明書（日本特開2016-206500）中公開者。 又，作為降低上述各種材料中所含之金屬等雜質之方法，可以舉出選擇金屬含量較少的原料作為構成各種材料之原料、對構成各種材料之原料進行過濾器過濾或者藉由使用Teflon（註冊商標）於裝置內進行襯覆等在盡可能抑制污染之條件下進行蒸餾等方法。對構成各種材料之原料進行之過濾器過濾中之較佳條件與上述之條件相同。
為了防止雜質的混入，將上述的各種材料保存在美國專利申請公開第2015/0227049號說明書及日本專利申請公開第2015-123351號說明書（日本特開2015-123351）等中記載之容器為較佳。
可以對藉由本發明的圖案形成方法形成的圖案應用改善圖案的表面粗糙之方法。作為改善圖案的表面粗糙之方法，例如可以舉出美國專利申請公開第2015/0104957號說明書中公開之藉由含氫氣體的電漿處理圖案之方法。除此以外，可以應用日本專利申請公開第2004-235468號說明書（日本特開2004-235468）、美國專利申請公開第2010/0020297號說明書及Proc. of SPIE Vol.8328 83280N-1“EUV Resist Curing Technique for LWR Reduction and Etch Selectivity Enhancement”中記載之公知的方法。 又，藉由上述方法形成之圖案能夠用作例如日本專利申請公開第1991-270227號說明書（日本特開平3-270227）及美國專利申請公開第2013/0209941號說明書中公開之間隔物製程的芯材（Core）。
[電子元件的製造方法] 又，本發明還有關一種包括上述圖案形成方法之電子元件的製造方法。藉由本發明的電子元件的製造方法製造的電子元件能夠較佳地裝載在電氣電子機器（例如，家電、OA（辦公自動化：Office Automation）關連機器、媒體關連機器、光學用機器及通訊機器等）。
[化合物] 本發明還包含化合物的發明。 本發明的化合物與由通式（II-2）表示之化合物相同，較佳之條件亦相同。 [實施例]
以下依據實施例對本發明進行更詳細的說明。以下的實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等只要不脫離本發明的主旨，則能夠適當變更。因此，本發明的範圍不被以下所示的實施例限定性解釋。
[感光化射線性或感放射線性樹脂組成物] [成分] 以下示出在實施例或比較例中使用的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物（以下，亦稱作“組成物”）所包含的成分。
＜酸分解性樹脂＞ 以下示出在組成物的製造中使用的酸分解性樹脂。 以下的式中，*表示鍵結位置。附加在各重複單元的數值表示各重複單元在各樹脂中所佔的莫耳比率（莫耳%）。
[化26]
＜化合物Q＞ （Q-1的合成） 依據以下的方法合成了化合物Q-1。
[化27]
將在上述方法中所示的化合物HBI（5 g）溶解於2,2,2-三氟乙醇/二氯甲烷混合液（體積比：2/1）（84 ml）之後，進而添加苯（2.6 g），並將所獲得的溶液在室溫下攪拌12小時。從上述溶液蒸餾去除溶劑之後，使用甲醇進行晶析來獲得了化合物Q-1（2.4 g）（產率40%）。
以同樣的方法合成了化合物Q-2～Q-8。 以下示出在組成物的製備中使用的化合物Q。 此外，在比較例中，將化合物Q-9及Q-10用作比較用化合物。
[化28]
＜光酸產生劑＞ 以下示出在組成物的製備中使用的光酸產生劑。
[化29]
＜疏水性樹脂＞ 以下示出在組成物的製備中使用的疏水性樹脂。 在以下的式中，*表示鍵結位置。附加在各重複單元的數值表示各重複單元在各樹脂中所佔的莫耳比率（莫耳%）。
[化30]
＜界面活性劑＞ 以下示出在組成物的製備中使用的界面活性劑。 ·W-1：MEGAFACE F176（DIC Corporation製；氟系） ·W-2：PolyFox PF-6320（OMNOVA Solutions Inc.製；氟系）
＜溶劑＞ 以下示出在組成物的製備中使用的溶劑。 ·SL-1：丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA） ·SL-2：丙二醇單甲醚（PGME） ·SL-3：環己酮 ·SL-4：γ-丁內酯
[組成物的製備] 以後面所示的表中記載之摻合，使各成分溶解於溶劑來分別製備了固體成分濃度3.8質量%的溶液。接著，將所獲得的溶液以具有0.1 μm的孔徑的聚乙烯過濾器過濾，藉此製備了感光化射線性或感放射線性樹脂組成物（組成物）。
[評價] ＜圖案的形成＞ （抗蝕劑膜的形成） 在矽晶圓上塗佈有機防反射膜形成用ARC29SR（Brewer公司製），以205℃進行60秒的烘烤來形成了膜厚98 nm的防反射膜。此外，塗佈以後面所示的表中記載之摻合製備的各組成物，以100℃經60秒進行烘烤來形成了膜厚90 nm的抗蝕劑膜。
（曝光～顯影） 利用ArF準分子雷射液浸掃描儀（ASML公司製；XT1700i、NA1.20、C-Quad、外西格瑪0.730，內西格瑪0.630，XY偏轉），並通過線寬44 nm的1：1線與空間圖案的6%半色調遮罩來對以上述步驟獲得的矽晶圓上的抗蝕劑膜進行了曝光。作為液浸液使用了超純水。之後，以120℃加熱60秒之後，用乙酸丁酯顯影30秒之後，進行旋轉乾燥來獲得了圖案。
＜LWR性能＞ 形成線寬44 nm的1：1線與空間圖案的圖案時曝光量（mJ/cm2 ）設為最佳曝光量。觀測了以最佳曝光量進行曝光及顯影來獲得的線寬44 nm的1：1線與空間圖案。在圖案觀測中，利用測長掃描型電子顯微鏡（SEM（Hitachi, Ltd. S-8840））從圖案上部觀察，在任一點（160點）觀測線寬，將其測定偏差以3σ進行了評價。 將結果記載於後面所示的表中。 示於表中“LWR（nm）”欄的值越小，表示LWR性能越良好。 此外，在本評價中，圖案的形成中使用的組成物為剛製備後的組成物。
＜保存穩定性（靈敏度比）＞ 在所獲得的抗蝕劑膜中，將形成線寬44 nm的1：1線與空間圖案的圖案時的曝光量（mJ/cm2 ）設為最佳曝光量。藉由將使用剛製備後的組成物時獲得的最佳曝光量S1與使用製備後在4℃放置1週的組成物時獲得的最佳曝光量S2的靈敏度比（S1/S2）評價了靈敏度變化。S1/S2的值越接近1，靈敏度的變化越小，保存穩定性越優異。 將結果記載於後面所示的表中。
＜保存穩定性（污染物）＞ 利用RION Co., Ltd.製污染物計數器分別對剛製備後的組成物中的污染物數（污染物原始值）與在4℃放置3個月之後的組成物中的污染物數（經時後的污染物數）進行計數，將用“（經時後的污染物數）-（污染物原始值）”計算的污染物增加數按照以下的基準評價了組成物的保存穩定性。 污染物增加數越小的組成物，保存穩定性越優異。 此外，在此，將組成物1.0 ml中所包含的粒徑0.25 μm以上的物質作為污染物計數。 將結果記載於後面所示的表中。
A：污染物的增加數為0.2個/ml以下 B：污染物的增加數超過0.2個/ml，1.0個/ml以下 C：污染物的增加數超過1.0個/ml，5.0個/ml以下 D：污染物的增加數超過5.0個/ml
[結果] 使用組成物的摻合及該等的組成物來進行的評價結果示於下述表。 此外，在各組成物中，樹脂、疏水性樹脂及界面活性劑分別摻合了10 g、0.05 g及0.03 g。關於化合物Q及光酸產生劑，摻合了與各成分名稱一起在括號內示出的質量（g）。以各溶劑的內分比（質量比）成為示於各欄的比，且組成物的固體成分濃度為3.8質量%之方式調整摻合溶劑。
[表1]
從表中所示的結果確認到本發明的組成物可以獲得保存穩定性優異、LWR性能優異之圖案。 又，關於化合物Q，確認到R1 、R5 、R6 及R10 中的任一個為由通式（II）表示之基團時，可以獲得組成物的保存穩定性更優異、LWR性能更優異之圖案（實施例1、2及5的比較）。 關於化合物Q，確認到A表示單鍵時，可以獲得組成物的保存穩定性更優異、LWR性能更優異之圖案（實施例3、7及11的比較）。 確認到組成物還包含除了化合物Q以外的化合物即光酸產生劑時，可以獲得LWR性能更優異之圖案（實施例9及19的比較）。

Claims (10)

  1. 一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其包含樹脂及由通式（I）表示之化合物Q，該樹脂具有具備藉由酸的作用分解而極性增大之基團之重複單元，在通式（I）中， R1 ～R10 分別獨立地表示氫原子或取代基， 其中，R1 ～R10 中的任一個為由通式（II）表示之基團， *-A-X- （II） 在通式（II）中， A表示單鍵或2價的連接基團， X- 表示-SO3 - 、-(SO2 )-N- -(SO2 )R11 、-(SO2 )-N- -COR12 、-CO-N- -(SO2 )R13 或-CO-N- -COR14 ， R11 ～R14 分別獨立地表示有機基團。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中 A表示單鍵。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中 R1 、R5 、R6 及R10 中的任一個為由該通式（II）表示之基團。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其還包含除了該化合物Q以外的光酸產生劑。
  5. 一種抗蝕劑膜，其使用如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物來形成。
  6. 一種圖案形成方法，其具有： 使用如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物在支撐體上形成抗蝕劑膜之製程； 曝光該抗蝕劑膜之製程；及 利用顯影液對該經曝光的抗蝕劑膜進行顯影之製程。
  7. 一種電子元件的製造方法，其包括如申請專利範圍第6項所述之圖案形成方法。
  8. 一種化合物，其由通式（I-2）表示，在通式（I-2）中， R1 ～R10 分別獨立地表示氫原子或取代基， 其中，R1 ～R10 中的任一個為由通式（II）表示之基團， *-A-X- （II） 在通式（II）中， A表示單鍵或2價的連接基團， X- 表示-SO3 - 、-(SO2 )-N- -(SO2 )R11 、-(SO2 )-N- -COR12 、-CO-N- -(SO2 )R13 或-CO-N- -COR14 ， R11 ～R14 分別獨立地表示有機基團， 其中，R3 或R8 為由通式（II）表示之基團，且為-(SO2 )-N- -(SO2 )R11 時，R11 表示除了三氟甲基以外的有機基團。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之化合物，其中 A表示單鍵。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之化合物，其中 R1 、R5 、R6 及R10 中的任一個為由該通式（II）表示之基團。
TW107141128A 2017-12-27 2018-11-20 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法、化合物 TWI778180B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017250563 2017-12-27
JP2017-250563 2017-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201928518A true TW201928518A (zh) 2019-07-16
TWI778180B TWI778180B (zh) 2022-09-21

Family

ID=67067010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107141128A TWI778180B (zh) 2017-12-27 2018-11-20 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法、化合物

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7076473B2 (zh)
TW (1) TWI778180B (zh)
WO (1) WO2019130866A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102232882B1 (ko) * 2020-05-29 2021-03-29 한국수력원자력 주식회사 포스트텐션 공법에서 피복 텐던의 무덕트 시공을 위한 피복 텐던 고정장치
KR20240026196A (ko) * 2021-07-29 2024-02-27 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP2024022755A (ja) 2022-08-08 2024-02-21 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020015826A1 (en) * 2000-04-11 2002-02-07 Darryl Desmarteau Zwitterionic iodonium compounds and methods of application
JP6131202B2 (ja) * 2013-07-10 2017-05-17 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI778180B (zh) 2022-09-21
JPWO2019130866A1 (ja) 2021-01-14
JP7076473B2 (ja) 2022-05-27
WO2019130866A1 (ja) 2019-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7076570B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
JP6997803B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物
JP6818600B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
JP7053625B2 (ja) 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
TWI727142B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、光阻膜、圖案形成方法及電子器件的製造方法
JP7076473B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物
WO2018180070A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
TW201914990A (zh) 感光性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法及電子元件的製造方法
TWI813634B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法
TWI756463B (zh) 感光性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法及電子元件的製造方法
JP7097873B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
TW201940970A (zh) 感光性樹脂組成物及其製造方法、抗蝕劑膜、圖案形成方法以及電子器件的製造方法
WO2019187632A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及びポリエステル
JP7336018B2 (ja) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
JP7191981B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
TWI805828B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法及電子器件之製造方法
JP6967655B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
WO2020044771A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
WO2020203246A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
JP7084995B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、樹脂
JP6967661B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
TWI833701B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法
WO2020203254A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
WO2019188455A1 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及びポリエステル
TW201936595A (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent