TW202223991A - 用於可流動間隙填充之方法及裝置 - Google Patents

Abstract

根據本文中的一些實施例，描述多個用於薄膜的可流動沉積之方法及裝置。本文中的一些實施例係有關用於間隙填充的多個循環製程，其中沉積之後是熱退火並重複。在一些實施例中，沉積與熱退火在分離站中進行。在一些實施例中，第二模組加熱到比第一站更高的溫度。在一些實施例中，熱退火包含快速熱退火(RTA)。

Description

用於可流動間隙填充之方法及裝置

本申請案是有關於一種用於可流動間隙填充之方法及裝置。

積體電路通常是藉由複雜的製程進行製造，在製程中，在半導體基材上以預定配置循序建構多種材料層。

本文中的一些實施例係有關半導體製造及多個用於薄膜的可流動沉積之方法及裝置。在半導體製造中，時常需要填充基材中的間隙，例如使用絕緣材料。隨著器件幾何尺寸的縮小，由於現有沉積製程的限制，使得無孔洞間隙填充變得越來越困難。通常由現有可流動間隙填充製程沉積的薄膜具有多種缺點。例如，其可能呈現出較差的品質及/或不良的熱穩定性。在升高的溫度（例如約400℃）下退火後，這可導致高於所需濕蝕刻速率和40%或更大的薄膜收縮率。

許多沉積製程難以填充目前半導體製程方案中使用的小溝槽和其他間隙特徵。在任何特定半導體製程世代(Technology node)中產生的個別溝槽和其他間隙類型特徵的主要尺寸明顯小於定義技術世代的關鍵尺寸。因此，普遍存在奈米尺度的間隙。此外，除非製程非常均勻一致，否則多個間隙會在其頸部擠壓形成孔洞。此外，這些間隙當中許多間隙具有相對較高的縱橫比。

使用填充材料填充間隙，同時避免填充材料中的孔洞面臨挑戰性。最近半導體器件的小型化（諸如MEOL器件中的自對準接觸(SAC)間隙填充及FEOL器件中的虛置鰭片間隙填充/環繞式閘極(GAA)側向間隙填充）需要完美的無孔洞和無縫間隙填充，具高薄膜品質防止蝕刻穩定性和後熱收縮。例如，SiN薄膜的習知化學氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)無法避免導致間隙結構內出現接縫及/或孔洞。在薄膜沉積期間很難獲得可流動SiN薄膜。例如，圖1A示意說明一使用薄膜的ALD或CVD沉積的示例間隙填充。如所例示，ALD或CVD沉積本身可能導致間隙中形成一或多個孔洞。圖2A示意說明使用ALD或CVD沉積形成的示例性可流動SiCN薄膜的掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)影像。圖2A的SiCN薄膜間隙結構呈現出多個孔洞。

一種用以減少間隙中在SiN或SiCN薄膜沉積中形成接縫或孔洞之方法係使用可流動沉積，並在間隙填充前驅物中添加諸如碳（例如甲基）或氫（例如胺基）的另一元素。此方法可能導致基本上沒有接縫/孔洞的可流動SiCN或SiN沉積。圖1B和圖2B示意說明使用具碳或氫增強前驅物之可流動沉積的示例無孔洞間隙填充。然而，可流動沉積製程通常在低溫（例如 150℃或更低）下進行以維持前驅物可流動性，從而導致較低薄膜品質。通常藉由可流動間隙填充沉積的薄膜呈現出較差品質及/或不良熱穩定性。在升高的溫度（例如約400℃）下退火後，此可能導致高於所需濕蝕刻速率和40%或更大的薄膜收縮率。

一種沉積後處理可用於獲得高品質可流動SiCN/SiN薄膜。然而，如前述，晶圓的沉積後處理可能導致較慢的產出率。此外，單一沉積後處理可能提供有限的重整深度。例如，圖1C和圖2C示意說明使用沉積後退火（亦即熱處理）的示例性可流動沉積間隙填充。如圖1C所示和圖2C的STEM影像所示，單一沉積後退火不會形成完全無孔洞和無接縫的間隙填充。單一熱處理可能導致薄膜收縮，從而可能導致薄膜底部處形成孔洞，如圖1C和圖2C所示。

先前已提出數種其他方法來改善可流動沉積後的薄膜品質，包括沉積後電漿或紫外線(UV)處理。然而，使用電漿或紫外光線為主的處理所獲得的薄膜品質存在侷限性。原位循環電漿固化可用於改善薄膜品質。此消除薄膜收縮並將濕蝕刻速率改善到所需值。然而，缺點是當使用原位循環電漿固化時填充能力明顯降低。在不受任何特定理論的限制之下，填充能力降低可能是在循環電漿處理期間由釋氣物質的再沉積引起。此外，沉積後處理通常導致產出率下降。因此，需要用於可流動間隙填充製程的改善方法及裝置。

出於本揭露之目的，本文描述本發明的某些態樣、優選和新穎特徵。應瞭解，根據本發明的任何特定實施例，不必然要實現所有這些優選。因此，例如，本技術領域中具有通常知識者將明白，本發明可具體實施或實現以達成如本文所教示的一或多個優選，不必然要達成如本文所教示或建議的其他優選。

在一些實施例中，提供一種用於可流動間隙填充沉積之方法。在一些實施例中，方法可包含：(a)置放一基材在一第一站中； (b)在一第一溫度下，藉由一氣相沉積製程在第一站中沉積一可流動材料於基材上，其中第一溫度低於300℃；(c)在沉積可流動材料於基材上後，置放第一基材在第二站中；(d)藉由在第二站中將基材的表面加熱到一第二溫度對基材進行熱處理，其中第二溫度介於80℃與1000℃之間；及循環重複(a)-(d)直到所需厚度之薄膜沉積於基材上為止。

在一些實施例中，可流動材料由烷基矽氮烷或氨基矽烷前驅物形成。在一些實施例中，熱處理包含一快速熱退火(RTA)。在一些實施例中，快速熱退火包含在小於10秒的期間將基材的表面加熱到第二溫度。在一些實施例中，第二溫度介於800℃與1000℃之間。

在一些實施例中，第一站包含一上腔室與一下腔室，其中下腔室包含一介於第一站與一第二站之間的共用中間空間。在一些實施例中，第一站與第二站包含一共用壓力系統，使得第一站和第二站在循環期間維持在一共同壓力。在一些實施例中，第一站包含一第一站加熱單元，其構造成獨立於第二站的溫度而控制第一站的溫度，且其中第二站包含一第二站加熱單元，其構造成獨立於第一站的溫度而控制第二站的溫度。

在一些實施例中，第一溫度係低於300℃。在一些實施例中，薄膜包含一SiNH或SiCNH薄膜。在一些實施例中，薄膜填充間隙之至少90%於基材的表面上、間隙之至少95%於基材的表面上、間隙之至少99%於基材的表面上或間隙之至少99.5%於基材的表面上。在一些實施例中，基材包含矽或鍺。

在一些實施例中，方法更包含在第一站中接觸基材期間，將一或多個製程氣體引入第一站，其中製程氣體包含Ar、He、N ₂、H ₂、NH ₃、O ₂或前述之一或多者的組合。在一些實施例中，前驅物包含烷基矽氮烷或氨基矽烷、六甲基環三矽氮烷(HMCTS)或三甲矽烷基胺(TSA)。在一些實施例中，循環期間的共同壓力介於300 Pa與2800 Pa之間。

在一些實施例中，其中循環更包含步驟(b)或(d)後電漿固化基材，其中電漿固化包含微脈衝射頻(RF)電漿注入第一站或第二站。在一些實施例中，基材在第二站中退火之後，在第二站中電漿固化基材。

在一些實施例中，提供一半導體處理裝置。在一些實施例中，裝置包含：一或多個製程腔室，每個製程腔室包含兩或多個站，每個站包含一上隔室和一下隔室，其中上隔室構造成在基材的製程期間容置一基材，其中下隔室包含一介於兩或多個站之間的共用中間空間；一第一搬運系統，其構造成在晶圓處理腔室中將基材從一第一製程腔室移到一第二製程腔室；一第二搬運系統，其構造成在製程腔室的共用中間空間內將基材從一第一站移到一第二站；一第一加熱單元，其構造成獨立於一第二站溫度而控制一第一站溫度；一壓力系統，其包含一幫浦和一排氣器件，壓力系統構造成在兩或多個站中維持一共同製程腔室壓力；及一控制器，其包含一提供指令給裝置之處理器，以控制下列各項的循環：(a)置放一基材在一第一站中；(b)在一第一溫度下，藉由一氣相沉積製程在第一站中沉積一可流動材料於基材上，其中第一溫度低於300℃；(c)在沉積可流動材料於基材上後，置放第一基材在第二站中；(d)藉由在第二站中將基材的表面加熱到一第二溫度對基材進行熱處理，其中第二溫度介於80℃與650℃之間；及循環重複(a)-(d)直到所需厚度之薄膜沉積於基材上為止。在一些實施例中，針對每個1 nm（奈米）至5 nm沉積薄膜厚度或針對每個5 nm至50 nm沉積薄膜厚度進行熱處理。

本文中的一些實施例係有關一用於可流動間隙填充沉積之方法，方法包含：(a)置放一基材在一第一站中，第一站包含一上腔室與一下腔室，其中下腔室包含一介於第一站、一第二站、一第三站與一第四站之間的共用中間空間；(b)在一第一溫度下，使第一站中的基材接觸一前驅物，其中接觸前驅物在第一基材之一間隙內形成一第一可流動薄膜層；(c)在第一站中的基材接觸前驅物後，置放基材在第二站中；(d)藉由在第二站中將基材加熱到一第二溫度對基材進行一第一退火，以緻密化第一可流動薄膜層；(e)在對基材進行第一退火後，置放基材在第三站中；(f)在第一溫度下，使第三站中的基材接觸前驅物，其中接觸前驅物在第一基材之一間隙內形成一第二可流動薄膜層；(g)在第三站中的基材接觸前驅物後，置放基材在第四站中；(h)藉由在第四站中將基材加熱到第二溫度對基材進行一第二退火，以緻密化第二可流動薄膜層；及循環重複(a)-(h)直到所需厚度之薄膜沉積於第一基材上為止，其中第二溫度不同於第一溫度。

本文中的一些實施例有關一用於可流動間隙填充沉積之方法，方法包含：(a)置放一基材在一站中；(b)在一第一溫度下，使第一站中的基材接觸前驅物，其中接觸前驅物在第一基材之一間隙內形成一可流動薄膜層；(c)藉由在第一站中將基材的表面加熱到一第二溫度對基材進行退火，以緻密化可流動薄膜層，其中第二溫度高於第一溫度，且其中第二溫度介於80℃與1000℃之間；及循環重複(a)-(c)直到所需厚度之薄膜沉積於第一基材上為止，其中第一溫度低於第二溫度。在一些實施例中，基材的表面藉由一或多個紅外光燈加熱到第二溫度。在一些實施例中，基材的表面加熱到第二溫度小於10秒。

雖然以下揭露某些較佳實施例與實例，但是本發明之標的超出多個具體所揭露實施例，延伸到其他替代性實施例及/或用途及其修改和等同性。因此，文後申請專利範圍的範疇並未受限於以下所敘述的任何特定實施例。例如，在本文中所揭露的任何方法或製程中，方法或製程的多個動作或操作可採取任何適當順序執行且不必然侷限於任何特定所揭露順序。各種操作可又描述為多個不連續操作，使得有助於瞭解某些實施例；然而，描述的順序不應解釋為意味著這些操作是順序相依性。此外，本文中描述的結構、系統及/或器件可具體實施為整合組件或分立組件。出於比較各種實施例之目的，描述這些實施例的某些態樣和優選。不必然所有此態樣或優選都由任何特定實施例所實現。因此，例如，各種實施例可實踐，以實現或最佳化如本文中所教示的一或多個優選，而不必然達成如亦在本文中所教示或建議的其他態樣或優選。

現將描述某些示例性實施例，以提供對本文中所揭露器件及方法的結構、功能、製造及使用原理的整體瞭解。這些實施例中的一或多個示例在附圖中示出。本技術領域中具有通常知識者將瞭解，本文中所具體描述及附圖中所例示的多個器件及方法為非限制性示例實施例，且本發明的範疇僅限定於申請專利範圍。結合一示例性實施例所示出或描述的多個特徵可結合其他實施例的特徵。此修改和變化意為包括在本技術的範疇內。

簡介：

根據本文中的一些實施例，描述了多個用於薄膜的可流動沉積之方法及裝置。本文中描述的方法及裝置有關藉由在間隙中形成可流動薄膜，使用固體材料填充間隙或其他三維特徵於基材上，諸如溝槽。本文中的一些實施例有關包括含有一可流動沉積與一熱處理的沉積循環之循環製程。在一些實施例中，熱處理可包含將基材加熱到相對於沉積的增加溫度。在一些實施例中，熱處理可在不同於沈積的腔室或站中進行。在其他實施例中，藉由將基座或基材台加熱到較高於使用在可流動沉積中的溫度進行熱處理。在一些實施例中，熱處理可包含一使用紅外光(IR)處理之快速熱退火(RTA)。在一些實施例中，循環可在含有由一共用中間空間連接的一或多個站之多重製程腔室中實踐。如本文所使用，術語「基材」可指能夠用於形成或於其上可形成器件、電路或薄膜的任何一或多個底層材料。根據本文中的多個實施例可使用多種基材與沉積化學物質。一基材可包括一塊體材料，諸如矽（例如，單晶矽）、其他IV族材料（諸如鍺）或其他半導體材料（諸如II-VI族或III-V族半導體），並可包括上覆或下伏於塊體材料的一或多個層。術語「晶圓」與「基材」在本文中可互換使用。

在一些實施例中，一循環溫度處理可用作間隙填充沉積製程的一部分。在一些實施例中，循環溫度處理可包含在低溫下進行間隙填充，然後在升高的溫度下固化。在一些實施例中，含有具熱處理步驟的沉積循環之循環間隙填充沉積製程可填充間隙而不形成孔洞或接縫，或可相對於不使用循環處理的製程減少形成孔洞或接縫。在一些實施例中，相對於需要移到不同、分離反應腔室的沉積後處理製程，本文中的循環溫度處理可提供改善的產出率。在一些實施例中，在每個沉積循環中使用升高溫度處理生長薄膜導致改善薄膜，例如，相對於其他製程減少形成接縫或孔洞。在一些實施例中，熱處理可改善交聯作用(Cross-linking)。在一些實施例中，循環溫度處理可不包含電漿處理。不受任何特定理論的限制下，避免電漿處理可防止釋氣物質的再沉積，從而改善間隙填充。在一些實施例中，可使用多個站，包括設定為不同溫度的多個台及一用於多個站之間搬運晶圓的搬運系統。在一些實施例中，相較於熱固化，不同站和不同溫度可用於可流動沉積。

本文中的一些實施例包含使用具一或多個低溫沉積站及一或多個退火站之多重製程腔室裝置。在一些實施例中，可使用一多重製程四腔室模組(QCM)，其中使用一或多個低溫沉積站及一或多個退火站。例如，一些裝置可包含兩沉積站和兩退火站。在一些實施例中，可使用a-CH、SiCN、SiN、SiON、SiCO、SiCOH、SiCNH、SiCH、SiNH或SiCON間隙填充。因此，雖然本文中的多個實施例主要描述關於SiN及/或SiCN沉積，但是本文中的多個實施例係廣泛適用於各種製程化學。

如前有關圖1C和圖2C，一單沉積後熱處理可用於實現一相對高品質的可流動SiCN/SiN薄膜。然而，如前述，晶圓的沉積後處理可能導致不想要的產出率下降。此外，由於受限的重整深度，使得單一沉積後處理可能無效。因此，在每個循環中含有熱處理（例如退火）的循環沉積製程可提供改善的間隙填充，如圖1D和圖2D所示。在一些實施例中，循環退火可非常有效防止薄膜收縮問題。圖1D示意說明使用循環退火的示例可流動間隙填充。圖2D示意說明使用循環退火的SiCN可流動間隙填充的STEM影像。如圖1D和圖2D所示，使用含有具熱處理相的一或多個循環的循環製程之可流動間隙填充可產生一無孔洞、無接縫與高品質薄膜。在一些實施例中，循環製程可在習知反應腔室裝置中進行。在一些實施例中，循環製程可在QCM裝置中執行，如本文中的討論。

圖3A圖示意說明一用於執行沉積及隨後退火之習知裝置。如所例示，一習知裝置可包含一或多個沉積腔室，沉積腔室包含一或多個用於執行沉積製程的站。一或多個沉積腔室可經由一晶圓處理腔室或其他搬運腔室而與一或多個退火腔室分離。在使用多個腔室的典型循環處理的情況下，透過搬運腔室在一沉積腔室與一退火腔室之間的晶圓搬運時間可能甚至變成較長於處理時間。為了解決此問題，在一些實施例中，可使用在利用分離站的單一腔室中進行不同製程之多重製程腔室模組，並可明顯減少晶圓搬運時間。

因此，本文中描述具有例如一或多個低溫沉積站及一或多個高溫退火站之多重製程裝置。由退火站提供的熱處理可改善例如SiCN/SiN薄膜的可流動薄膜品質。如前述，電漿或UV處理在沿著薄膜深度方向上的均勻品質改善係受限制。藉由使用熱處理，可明顯增強薄膜重整和均勻性。

圖3B示意說明根據本文中一些實施例的多重製程腔室模組。在一些實施例中，多重製程腔室模組可包含含有兩低溫沉積站的一四站配置，如圖3B中的RC1和RC3所示。另外兩站可包含高溫退火站，如圖3B中的RC2和RC4所示。在一些實施例中，多重製程腔室模組中可存在更多站。大體上，這些附加站將包括至少一附加沉積站與至少一附加製程站。在一些實施例中，多重製程腔室模組包含至少兩站，亦即一沉積站與一熱製程站。

如本文中的使用，「站」泛指一可包含基材的位置，使得可在站中的基材上執行一製程。因此，一站可意指一反應器、或一反應器之一部分、或一反應器內的反應空間或反應腔室。在一些實施例中，根據本文中的多個實施例之站係彼此「氣體隔離」或構造成當基材在站內處理時處於氣體隔離。在一些實施例中，多個站係藉由實體屏障而氣體隔離，而不是藉由氣體軸承或氣幕。在一些實施例中，多個站係藉由實體屏障結合氣體軸承和氣幕而處於氣體隔離。在一些實施例中，在將基材置放於特定站之後或同時，基材置放為與其他站氣體隔離（使得在特定站中可進行多個製程步驟），且在基材已在特定站中處理之後，特定站跳脫氣體隔離，且基材可從特定站取出，並置放在中間空間。來自多個不同站的基材可置放在一共用中間空間中，以在不同站間移動。站可置於氣體隔離中，例如，藉由一實體屏障。在一些實施例中，站並未置於氣體隔離中。在一些實施例中，一或多個站包含一加熱及/或冷卻系統，使得不同站中的不同前驅物可同時在不同溫度下處理基材。因此，在一些實施例中，一整個第一站的溫度低於或高於一整個第二站的溫度，或者一第一站包含一基座，其溫度低於或高於一第二站中的基座的溫度；及/或一第一前驅物流入一第一站，同時一第二前驅物在低於或高於第一站的溫度下流入一第二站。

在一些實施例中，站係藉由固體材料彼此分離，而不是藉由氣體軸承或氣幕彼此分離。在一些實施例中，站係藉由固體材料或氣幕彼此分離，而不是藉由氣體軸承彼此分離。在一些實施例中，站係藉由固體材料或氣體軸承彼此分離，而不是藉由氣幕彼此分離。選擇上，實體屏障可連同於多個站與中間空間之間往返移動基材之一移動台同時移動，使得實體屏障在基材置放在站的同時（或稍早或稍晚），將站置於氣體隔離中。選擇上，實體屏障可結合一氣體屏障使用，例如以填充由實體屏障留下的一些間隙。在一些實施例中，提供一實體屏障，但不提供一氣體屏障或氣幕。

在一些實施方案中，一站包含一反應器的一模組或腔室，使得每個站包含一分離腔室或模組。在一些實施例中，一站包含一反應腔室之一部分，其可藉由在多個站之間定位一壁部、一氣幕或一氣體軸承而置於與反應腔室的其他部分氣體隔離。選擇上，一特定站由一或多個壁部、氣幕、氣體軸承或項目之任一者的組合完全封閉。然而，在一些實施例中，站並未分離。

如圖3B所示，在根據本文中的一些實施例的間隙填充製程期間，晶圓可透過站來旋轉。例如，一晶圓可進入站RC1處的腔室，其中晶圓可經歷一第一可流動沉積製程。在一些實施例中，在經歷第一可流動沉積製程之後，晶圓可搬運到RC4，如圖3B所示。或者，晶圓可搬運到RC2。在任一情況下，晶圓可經歷一第一退火製程。在第一退火之後，晶圓可搬運到RC3，其中其可經歷一第二可流動沉積製程。在經歷第二可流動沉積製程之後，如果晶圓先前搬運到RC4，則晶圓可搬運到RC2；或者，如果晶圓先前搬運到RC2，則晶圓可搬運到RC4。在任一情況下，晶圓可經歷一第二退火製程。晶圓可搬運回到RC1以完成單一沉積-退火循環。循環可重複以實現所需的薄膜品質。此外，晶圓可在RC1、RC2、RC3或RC4之任一者處進入腔室並沿著任何方向循環通過站。然而，大體上，沉積-退火循環將從至少一可流動積製開始，然後是至少一退火製程。至少一可流動沉積製程可在不同晶圓上同時進行及/或在一單晶圓上循序進行。在圖3B的所示實施例中，相同類型的沉積站和退火站係對角定位。在一些實施例中，此組態可改善薄膜均勻性。然而，相同類型站的相鄰配置亦在本文中所揭露實施例的範疇內。在一些實施例中，兩或多個成對站係平行於兩或多個基材上執行相同製程。

前述概念亦適用於任何不同數量的站。舉例來說，圖3C示意說明根據本文中所敘述一些實施例之多重製程雙腔室模組。在系統中，一低溫可流動沉積和高溫退火可藉由在RC1與RC2之間循序搬運晶圓而同時進行並週期性重複。

因此，在一些實施例中，如本文中的多重製程腔室模組可包含多個站，其半數站可用於可流動沉積而另一半數站則可用於熱退火。在一些實施例中，一多重製程腔室模組包含至少兩站，例如至少2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、30、40、50、100、150、200、250、300、400或500個站，包括介於所列舉值中的任意兩者之間的範圍。然而，站的數量不必然受到限制。

多重製程腔室模組：

根據本文中的一些實施例，本文中的一多重製程腔室模組可包含兩或多個用於執行基材的可流動沉積和退火之站。選擇上，多重製程腔室模組可亦構造成執行電漿固化。在一些實施例中，多重製程腔室模組可包含一雙系統氣體輸送和溫度控制系統，使得每個站可獨立加熱且不同氣體可同時輸送到每個站。在一些實施例中，多重製程腔室模組之每個站可包含一用於加熱站的加熱器，獨立於多重製程腔室模組的其他站。在一些實施例中，加熱器可包含一氮化鋁(AlN)陶瓷加熱器或陽極氧化鋁陽極氧化加熱器。在一些實施例中，加熱器可包含一或多個用於將IR輻射傳輸到基材的表面之加熱燈。

在一些實施例中，多重製程腔室模組可包含一整合的單系統排氣和幫浦系統，使得所有站可同時維持在同步壓力下。此外，多重製程腔室模組可包含一用於向站提供射頻功率的單系統射頻電源。在一些實施例中，多重製程腔室模組可包含一含有搬運空間的下腔室及一含有多個製程站的上腔室。在一些實施例中，下腔室和上腔室可不密封。然而，在一些實施例中，腔室可彼此密封。

本文中的一些實施例提供一用於氣體連通前驅物源的沉積之站，使得一前驅物可流入站。根據本文中的一些實施例之裝置包含一第一站和一第二站。裝置可更包含一控制器，控制器設置成控制基材於不同站間的移動、前驅物和製程氣體進入多個站的流動及/或多個站的吹驅。不同的製程氣體可在適當每個特定前驅物的不同溫度下接觸基材。在一些實施例中，站中的一前驅物經由一噴灑頭輸送。選擇上，噴灑頭包含一加熱的噴灑頭，以在所需溫度或溫度範圍下向站提供前驅物。在一些實施例中，加熱的噴灑頭在或接近前驅物接觸基材的溫度下向站提供製程氣體。選擇上，噴灑頭包含一環繞其周邊的真空排氣清除器以捕獲過量的前驅物，並將潛在性可用於參與連同其他氣體的CVD反應之前驅物量降至最低。在一些實施例中，多個前驅物包含在多個站(及/或前驅物源管線及/或吹驅管線)內但不允許進入多個站之間的任何空間。

根據本文中的一些實施例，基材在兩或多個站之間往返移動，其中每個站執行一沉積或退火製程。例如，一第一站可提供在一第一溫度下吸附到基材的暴露表面上的前驅物，且一第二站可在不同於第一溫度的第二溫度下執行基材的熱處理。基材可在第一和第二站之間重複往返來回移動直到形成無孔洞、無接縫間隙填充為止。在一些實施例中，基材在多個站之間連續移動。在一些實施例中，多個站之間的基材移動不是連續性，而是包含分度運動(Indexing motion)，諸如停止-開始或交替的慢-快運動。

在一些實施例中，基材係以小於1000毫秒(msec)在製程序列(例如第一站與第二站之間的移動時間，且不必然包括站中的時間)中從一站移到下一站，例如小於 1000 msec、900 msec、800 msec、700 msec、600 msec、500 msec、400 msec、300 msec、200 msec、175 msec、150 msec、125 msec、100 msec、75 msec、50 msec、25 msec、10 msec或 5 msec，包括介於所列舉值之任兩者間的範圍，例如 10-1000 msec、10-500 msec、10-400 msec、10-300 msec、10-200 msec、10-100 msec、30-1000 msec、30-500 msec、30-400 msec、30-300 msec、30-200 msec、30-100 msec、50-1000 msec、50-500 msec、50-400 msec、50-300 msec、50-200 msec、50-100 msec、100-1000 msec、100-500 msec、100-400 msec、100-300 msec或 100-200 msec。選擇上，基材可在由固體材料（諸如壁部）而不是由氣體軸承或氣幕所隔開的兩或多個站之間往返移動。選擇上，基材沿著圓形路徑或弧線而不是線性路徑在多個站之間往返移動。選擇上，基材沿著線性路徑而不是弧形或圓形路徑在多個站之間往返移動。還考慮到根據本文中的一些實施例在不通過任何附加位置的情況下在不同站間移動基材可藉由將處理時間降至最低來增加產出率。選擇上，基材可不通過附加位置而直接從一第一站移到一第二站。

應注意，如果兩不同站包含兩不同製程，不同站中可維持不同站條件，例如不同溫度。例如，一第一站可處於針對第一站的第一製程所最佳化的一第一溫度，而第二站可處於針對第二站的第二製程所最佳化的一第二溫度。因此，在一些實施例中，整個第一站與整個第二站處於不同的溫度。在一些實施例中，整個第一站與整個第二站處於不同的溫度，但是兩站則處於相同的壓力。

選擇上，一站係進一步氣體連通一吹驅氣體源及/或真空，使得可吹驅站。例如，根據本文中的一些實施例，在一第一站處的基材接觸一前驅物（但在基材移到一第二站之前）後，可吹驅第一站，同時基材保留在第一站中，以消除或降低殘留的前驅物連同晶圓搬運到第二站的可能性。

選擇上，根據本文中的一些實施例之一或多個站包含一基座，基座上可置放基材。基座可加熱或冷卻，因此可構造成將基材加熱或冷卻到一適當溫度。因此，在一些實施例中，第一站中的基座加熱或冷卻到一第一溫度，同時第二站中的基座加熱或冷卻到一第二溫度。此外，在一些實施例中，基座可加熱或冷卻基材不同的持續時間，以使基材達到適當溫度。在一些實施例中，可能需要冷卻及/或加熱基座以維持多個沉積站與退火站之間的大溫度差。選擇上，基座的質量可小於基材，使得基座可比基材更快加熱或冷卻。在其他實施例中，基座的質量可大於基材的質量，使得基材可比基座更快加熱或冷卻。選擇上，基座不在不同站間移動。選擇上，基座包含一已加熱及/或已冷卻的基座。在一些實施例中，在基材置放於基座上之前，基座處於用於沉積前驅物的適當溫度。在一些實施例中，在基材置放於基座上之後，基座加熱到一用於沉積前驅物的適當溫度。

根據本文的多個實施例之一沉積站可包含一流體耦接反應空間之氣體注入系統、一用於將前驅物與選擇性一載氣（例如He）引入反應空間之第一氣體源、一用於將一或多個製程氣體的混合物引入反應空間之第二氣體源、一排氣及一控制器，其中控制器構造成控制進入氣體注入系統的氣體流動，以實現如本文中所敘述的多個方法。如所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解的，(多個)控制器係連通反應器的各種電源、加熱系統、幫浦、機械手及氣體流量控制器或閥。在一些實施例中，氣體注入系統包含一前驅物輸送系統，系統採用一用於將前驅物載運到反應空間之載體氣體。在一些實施例中，控制器可包含一處理器，處理器提供指令給裝置以控制下列各項的循環：(a)置放一基材在一第一站中；(b)在一第一溫度下，使第一站中的基材接觸前驅物，其中接觸前驅物在第一基材之一間隙內形成一可流動薄膜層；(c)在第一站中的基材接觸前驅物後，置放基材在第二站中；(d)藉由在第二站中將第一基材加熱到一第二溫度對基材進行退火以緻密化第一可流動薄膜層。在一些實施例中，循環重複(a)-(d)直到具有所需厚度之一薄膜沉積於基材上為止。

裝置可更包含一基材搬運系統，基材搬運系統構造成將一基材置放在一第一站中，並隨後在第一站中於基材上執行一第一製程（例如可流動沉積或退火）之後，將基材置放在一第二站中。裝置可包含一中間空間或晶圓搬運空間。基材搬運系統可包含一基材搬運構件（諸如一轉動支架），其構造成在中間空間內移動基材。在一些實施例中，界定站的可移動屏障會被移動，使基材暴露於中間空間，且搬運構件將基材通過中間空間搬運到一不同站，然後可經由可移動屏障將其置放於氣體隔離中。在一些實施例中，裝置的基材搬運系統包含一或多個基材搬運機構（例如可移動台），其中每個基材搬運機構僅結合一站，並可在其站與中間空間之間往返移動基材。因此，每個站的搬運機構可將基材從一特定站移到中間空間，或從中間空間移到站。例如，一可移動台可舉升和降低中間空間與結合特定可移動台的站之間的基材。在一些實施例中，構造成接受基材的站中的基材搬運機構或台或基座包含複數個起模頂針(Lift pin)。當起模頂針伸出時，位於伸出的起模頂針上的基材可很容易接觸基材搬運構件（例如轉動支架）以拾取或放下。當起模頂針伸縮回時，基材可定位在適當的表面（例如台或基座的表面）上。在中間空間當中，基材可在不同站間移動，或在不同基材搬運機構（例如可移動台）間移動，例如經由一旋轉基材搬運構件，諸如轉動支架。選擇上，每個基材搬運機構（例如可移動台）包含複數個起模頂針，起模頂針構造成在中間空間當中從基材搬運機構延伸及舉升基材。所舉升的基材可容易由諸如一轉動支架的搬運構件拾取，以將基材移到中間空間當中的不同基材搬運構件。選擇上，在將基材置放於站中（例如在基座或台上）或在有結合站的基材搬運機構上之後，基材搬運構件縮回到中間空間。

如本文中的使用，「基材搬運構件」或「搬運構件」是指可將基材從一第一站（或從結合第一站的搬運機構）移到一第二站（或結合第二站的搬運機構）的諸如旋轉構件或轉動支架之結構。在一些實施例中，搬運系統包含一含有轉動支架的搬運構件。如本文中的使用，「轉動支架」是指一具有多個臂的晶圓搬運構件，每個臂構造成透過一轉動支架末端受動器咬合晶圓。轉動支架可相對於多個站居中配置。

圖4示意說明根據本文中的一些實施例之多重製程腔室模組的示意圖。在一些實施例中，一多重製程腔室模組可包含一相對於多個站201、202、203、204居中配置的轉動支架200。轉動支架200可具有一或多個臂205，每個臂具有一轉動支架末端受動器206供咬合一晶圓。當需要搬運晶圓時，可藉由起模頂針或類似結構舉升晶圓，並旋轉轉動支架200，使得轉動支架末端受動器206在晶圓下方且轉動支架末端受動器206咬合晶圓。在一些實施例中，轉動支架200旋轉超過90度（或不同數值，如果有不同的站數量；對於均勻分佈的多個站而言，數值可為360度除以站數量），轉動支架末端受動器206脫離晶圓，使晶圓座落在表面上(例如，在站中的基座上，或在如本文中的基材搬運機構上），表面可亦包含多個用於舉升基材的起模頂針或類似結構。然後可將轉動支架200移到多個站201、202、203、204之間的中間位置，使得當多個站彼此處於氣體隔離狀態時，轉動支架或其任何構成部件都不會暴露於任何的反應氣體。選擇上，附加的末端受動器207可將晶圓移出叢集站，並移入晶圓處理腔室、載卸室及/或另一叢集站。在一些實施例中，多個晶圓可在多個站201、202、203、204之間進行順時針或逆時針旋轉搬運，其中多個站201、202、203、204包含可流動沉積站或退火站。

在一些實施例中，基材搬運系統包含複數個「基材搬運機構」，其中每個基材搬運機構僅結合一站，並可在一特定站與中間空間之間往返移動基材，例如藉由舉升和降低。選擇上，每個基材搬運機構（例如可移動台）包含複數個起模頂針，起模頂針構造成在中間空間當中從基材搬運機構延伸及舉升基材。所舉升的基材可容易由一搬運構件（諸如轉動支架）拾取，以中間空間當中將基材移到一不同基材搬運機構。因此，每個基材搬運機構暴露於不超過一個以上的站。在一些實施例中，每個基材搬運機構包含一可移動台。

圖5示意說明根據本文中的一些實施例之多重製程腔室模組的由上而下圖。每個多重製程腔室模組500可包含一或多個製程腔室501，每個製程腔室包含一或多個與其他站進行氣體隔離的站503。在一些實施例中，一轉動支架505可將基材在不同製程腔室間移動。一位於晶圓處理腔室(WHC)502中的末端受動器可從轉動支架(連通多個製程腔室)及/或一裝卸腔室504(LLC)添加及移除基材。如前述，多重製程腔室模組可包含一含有獨立加熱系統506、508之雙加熱系統。在一些實施例中，加熱系統506可獨立於加熱系統508而將多個站503之一或多者加熱及/或冷卻到一第一溫度。同樣地，加熱系統508可獨立於加熱系統506而將其他站503之一或多者加熱及/或冷卻到不同於第一溫度之一第二溫度。此組態允許在不同站中進行不同的同時製程，諸如一或多個沉積製程及一或多個退火製程。多重製程腔室模組500可亦包含一壓力系統510，壓力系統包含一排氣與幫浦系統。在一些實施例中，壓力系統可連通反應腔室501中的所有站503，使得在反應腔室501中的所有站503可維持相同的腔室壓力。在一些實施例中，多個站503不是彼此密封，使得每個製程空間（亦即上腔室）經由一中間下腔室空間連通。在一些實施例中，此沒有站分離允許不複雜設計、較容易和較快在多個站間的晶圓處理與一共用壓力系統510，使得多個沉積站與退火站可同時維持在相同壓力。

在一些實施例中，提供含有一或多個處理模組(PM)的基材製程設備，其中複數個站位於其中。站可包含由一中間空間（亦即下腔室）連通的製程空間。基材製程設備可包含至少兩基材搬運系統，一者用於裝卸腔室(LLC)與PM之間移動基材，另一者則用於在PM中的多個製程站之間移動基材。選擇上，藉由獨立控制一些製程條件（諸如氣體與溫度），但藉由其他製程條件（諸如壓力與RF）的共享控制，PM有能力在由開放中間空間所連通的多個站中同時進行至少兩不同製程。

在一些實施例中，多重製程腔室模組的每個站可包含一用於加熱站的加熱器，獨立於多重製程腔室模組的其他站。在一些實施例中，加熱器可包含一氮化鋁(AlN)陶瓷加熱器、一陽極氧化鋁陽極氧化加熱器及/或一或多個IR加熱燈。

圖6A示意說明根據本文中的一些實施例之一用於可流動沉積站的加熱單元之示例圖。加熱單元600可分別在第一和第二加熱區中包含一或多個加熱元件602、604。加熱元件可位於加熱單元600的表面上或內部，加熱單元可為用於將基材保持在多重製程腔室模組的站中之基座的一部分。加熱元件可通電以將基座、基材及/或站的溫度升高到適於可流動沉積的溫度。加熱單元600可亦包含用於冷卻基座、基材及/或站的一液體冷卻管線606。一隔熱槽608可設置成改善加熱及/或冷卻效率。例如，在一些實施例中，隔熱槽可將第一和第二加熱區分離以對晶圓提供均勻加熱。在一些實施例中，加熱單元可構造成將基座、基材及/或站加熱到介於約20℃與約200℃之間的溫度。在一些實施例中，使用兩加熱區有效防止由電漿熱產生或壁溫效應引起的不利晶圓溫度升高。

圖6B示意說明根據本文中的一些實施例之一用於退火站中的加熱單元之示例圖。加熱單元610可包含在單一加熱區中的一或多個加熱元件612。在一些實施例中，加熱單元可構造成將基座、基材及/或站加熱到介於約400℃與約600℃之間的溫度。

間隙填充方法：

本發明的各種實施例有關間隙填充方法、使用方法所形成的結構與器件及用於執行方法及/或用於形成結構及/或器件之裝置。一些實施例有關在沉積站中沉積可流動材料與在第二站中進行熱處理。在一些實施例中，一沉積製程包含在一沉積站中引入含間隙的基材，間隙包含一凹槽及從凹槽基本上向後延伸的側向空間；將一前驅物引入沉積站並將電漿引入沉積站，藉使前驅物起反應以形成至少部分填充凹槽和間隙的側向空間之間隙填充流體。在一些實施例中，沉積可包含除了前驅物之外將一或多個製程氣體引入沉積站。在一些實施例中，其他氣相製程可用來沉積一可流動材料。

在一些實施例中，填充能力可在填充有可在特定參數範圍內聚合的揮發性前驅物的腔室中，藉由衝擊例如電漿形成氣相中的黏性材料來實現。選擇上，氣相包含除電漿之外的另外氣體，例如一稀有氣體或H ₂。製程參數可包括例如電漿衝擊期間前驅物的分壓和晶圓溫度。如本文中的使用，聚合可包括形成一更長分子且不必然需要包括一碳-碳鍵。實際上，聚合可包括形成例如Si-Si鍵、Si-C鍵及/或Si-N鍵。在一些實施例中，黏性材料形成一黏性相並可在基材上的溝槽中流動。適合之基材包括矽晶圓。因此，黏性材料採取由底而上的方式無縫填充溝槽。本文中的多個實施例範疇內的示例前驅物包括例如烷基矽氮烷（含Si、C、N、H）或氨基矽烷/矽烷胺（含Si、N、H）前驅物，包括用於SiCN可流動沉積的六甲基環三矽氮烷(HMCTS)以及用於SiN沉積的氨基矽烷與三甲矽烷基胺(TSA)。在一些實施例中，前驅物可選自由矽氮烷、環矽氮與矽烷基胺所組成的列舉。

當揮發性前驅物藉由電漿聚合並沉積在基材的表面上時，可暫時獲得可流動的薄膜，其中氣態前驅物（例如，單體）由電漿氣體放電提供的能量活化或裂變以引發聚合，並當所生成的材料沉積於基材的表面上時，材料呈現出暫時性可流動行為。沉積於表面上的材料薄膜品質可經由含有熱處理的循環製程來改善，如本文中。

在一些實施例中，一揮發性前驅物聚合在主要由電漿衝擊期間的前驅物分壓、晶圓溫度與反應腔室的總壓力所限定的特定參數範圍內。為調節「前驅物分壓」，一間接製程節流閥（稀釋氣體流）可用來控制前驅物分壓。為控制沉積薄膜的可流動性，可不需要前驅物分壓的絕對值，而是在參考溫度下，前驅物的流率與殘餘氣體的流率和反應空間的總壓力的比率可作為實際的控制參數。

基材中的間隙可指基材中的圖案化凹槽或溝槽。因此，填充圖案化凹槽或溝槽於基材上的示例性方法包括提供含有凹槽/溝槽的基材於反應空間中；向反應空間提供一前驅物，從而使用前驅物填充凹槽；及提供電漿以在凹槽中形成前驅物的黏性相，其中前驅物的黏性相流動及沉積或形成所沉積材料在相對於側壁及/或遠離凹槽的基材頂部的凹槽底部中。

在一些實施例中，間隙填充沉積方法包括使用射頻(RF)電漿與脈衝前驅物流。在一些實施方案中，可改變製程參數以在整個RF開啟時段過程中實現足夠高分壓進行聚合，並提供足夠能量以激活反應（其係由RF開啟時段與RF功率所定義）。在一些實施例中，溫度和壓力可控制用於聚合/鏈增長並設定高於可流動相的熔點與低於可流動相的沸點。在一些實施例中，使用一間隙填充流體填充間隙的製程包含以下附屬步驟之一或多者。一含有間隙的基材定位在一沉積站中。間隙包含流體連通一或多個側向空間的凹槽。在一些實施例中，可將一前驅物引入沉積站。在一些實施例中，一或多個製程氣體可亦引入沉積站。製程氣體可包含一或多個含有共反應物的另外氣體。在一些實施例中，一電漿（諸如RF電漿）可維持在沉積站中。在一些實施例中，前驅物可起反應以形成一間隙填充流體於基材上。在一些實施例中，間隙填充流體可至少部分填充複數個凹槽及一或多個側向空間。在一些實施例中，可同時引入多個製程氣體與前驅物。在一些實施例中，前驅物可在製程氣體之前或之後引入。在一些實施例中，在引入前驅物及/或多個製程氣體之前、期間或之後，可維持RF電漿。熟習項技藝者將瞭解，當採取循序方式（亦即循環式）執行前述多個方法時，每個循環可沉積少量材料並可重複一系列步驟直到獲得一所需厚度層為止。在一些實施例中，製程循環進行並藉由吹驅氣體脈衝分離一或多個步驟。

在一些實施例中，前述方法涉及間歇性向沉積站提供前驅物，並連續施加電漿。在一些實施例中，前述方法涉及間歇性向沉積站提供前驅物，並間歇性施加電漿。因此，後者實施例特徵在於向反應空間循序施加多個前驅物脈衝與電漿脈衝。

在一些實施例中，製程氣體可包含例如Ar、He、N ₂、H ₂、NH ₃、O ₂或前述之一或多者的組合。在一些實施例中，前驅物可僅引入沉積站中。換言之，沉積站與退火站可包含多個分離的前驅物氣體連通。

在不受理論或任何特定操作模式的約束下，一般相信，沉積材料在整個沉積製程中想要保持黏性或液體且不應容易固化或蒸發。更相信，在所需反應條件下，液相的蒸氣壓力（但不是前驅物的蒸氣壓力）應低於整體站壓力。因此，一般相信，站溫度與壓力應維持處於可流動反應產物以液體形式存在而前驅物以氣體形式存在的條件下。

在一些實施例中，站壓力可維持介於約300 Pa至2800 Pa之間的壓力。例如，站壓力可維持在約300 Pa（帕）、約350 Pa、約400 Pa、約450 Pa、約500 Pa、約550 Pa、約600 Pa、約650 Pa、約700 Pa、約750 Pa、約800 Pa、約850 Pa、約900 Pa、約950 Pa、約1000 Pa、約1050 Pa、約1100 Pa、約1150 Pa、約1200 Pa、約1250 Pa、約1300 Pa、約1350 Pa、約1400 Pa、約1450 Pa、約1500 Pa、約1550 Pa、約1600 Pa、約1650 Pa、約1700 Pa、約1750 Pa、約1800 Pa、約1850 Pa、約1900 Pa、約1950 Pa、約2000 Pa、約2050 Pa、約2100 Pa、約2150 Pa、約2200 Pa、約2250 Pa、約2300 Pa、約2350 Pa、約2400Pa、約2450 Pa、約2500 Pa、約2550 Pa、約2600 Pa、約2650 Pa、約2700 Pa、約2750 Pa、約2800 Pa或介於前述值之任一者之間的任何值。

在一些實施例中，沉積站溫度可維持在低於約300℃的溫度。例如，站溫度可經由一加熱/冷卻系統維持在約50℃、約55℃、約60℃、約65℃、約70℃、約75℃、約80℃、約85℃、約90℃、約95℃、約100℃、約105℃、約110℃、約115℃、約120℃、約125℃、約130℃、約135℃、約140℃、約145℃、約150℃、約155℃、約160℃、約165℃、約170℃、約175℃、約180℃、約185℃、約190℃、約195℃、約200℃、約205℃、約210℃、約215℃、約220℃、約225℃、約230℃、約235℃、約240℃、約245℃、約250℃、約255℃、約260℃、約265℃、約270℃、約275℃、約280℃、約285℃、約290℃、約295℃、約300℃或介於前述值之間的任何值。

在一些實施例中，向站提供的RF功率係介於約20 W（瓦）與1000 W之間。例如，在一些實施例中，向站提供RF功率在約20 W、約40 W、約60 W、約80 W、約100 W、約120 W、約140 W、約160 W、約180 W、約200 W、約220 W、約240 W、約260 W、約280 W、約300 W、約320 W、約340 W、約360 W、約380 W、約400 W、約420 W、約440 W、約460 W、約480 W、約500 W、約520 W、約540 W、約560 W、約580 W、約600 W、約620 W、約640 W、約660 W、約680 W、約700 W、約720 W、約740 W、約760 W、約780 W、約800 W、約820 W、約840 W、約860 W、約880 W、約900 W、約920 W、約940 W、約960 W、約980 W、約1000 W或介於前述值之間的任何值。

在一些實施例中，每個循環沉積具有至少約1 nm（奈米）厚度的薄膜，例如約1 nm、約2 nm、約3 nm、約4 nm、約5 nm、約6 nm、約7 nm、約8 nm、約9 nm、約10 nm、約15 nm、約20 nm、約25 nm、約30 nm、約35 nm、約40 nm、約45 nm、約50 nm、約60 nm、約70 nm、約80 nm、約90 nm或約100 nm，包括介於多個所列舉值之任兩者間的範圍，例如1 nm - 100 nm、1 nm - 20 nm、1 nm - 10 nm、1 nm - 5 nm、2 nm - 100 nm、2 nm - 20 nm、2 nm - 10 nm、2 nm - 5 nm、3 nm - 4 nm、5 nm - 100 nm、5 nm - 20 nm、5 nm - 10 nm、10 nm - 100 nm或 10 nm - 20 nm。

前驅物和製程氣體可約.1每分鐘標準公升(SLM)至約10 SLM的體積流率提供給多個站。例如，前驅物與製程氣體可使用以下不同體積流率提供給多個站，例如約0.1 SLM、約0.5 SLM、約1 SLM、約1.5 SLM、約2 SLM、約2.5 SLM、約3 SLM、約3.5 SLM、約4 SLM、約4.5 SLM、約5 SLM、約5.5 SLM、約6 SLM、約6.5 SLM、約7 SLM、約7.5 SLM、約8 SLM、約8.5 SLM、約9 SLM、約9.5 SLM、約10 SLM、約10.5 SLM、約11 SLM、約11.5 SLM、約12 SLM、約12.5 SLM、約13 SLM、約13.5 SLM、約14 SLM、約14.5 SLM、約15 SLM、約15.5 SLM、約16 SLM、約16.5 SLM、約17 SLM、約17.5 SLM、約18 SLM、約18.5 SLM、約19 SLM、約19.5 SLM、約20 SLM或介於前述值之間的任何值。

在一些實施例中，基材包含半導體。在一些具體例中，半導體包含矽。本文中進一步提供一含有複數個凹槽的半導體基材之結構。複數個凹槽係流體連通一或多個側向空間。此外，在完成一或多個沉積循環後，複數個凹槽與一或多個側向空間係至少部分填充一間隙填充流體。在一些具體例中，間隙填充流體完全填充多數個凹槽中之至少90%、較佳至少95%、更佳至少99%、最佳所有凹槽。在一些具體例中，間隙填充流體完全填充側向空間中之至少90%、較佳至少95%、更佳至少99%、最佳所有側向空間。換言之，間隙填充流體較佳填充待用間隙填充流體填充之各側向空間中之全部。在一些實施例中，間隙填充流體實質上不含孔洞或接縫。

在一些實施例中，在沉積及/或熱循環退火後，基材可經歷一NF ₃和O ₂清潔製程。在一些實施例中，一電漿固化步驟可亦用來進一步改善間隙填充薄膜品質。在一些實施例中，固化步驟可採用一連續直接電漿。間隙填充流體沉積與直接電漿固化可循環進行。在一些實施例中，此允許有效固化全部或至少大部分的間隙填充流體。在一些實施例中，固化步驟可涉及使用一微脈衝電漿。在一些實施例中，電漿固化步驟可循環進行，亦即採用間隙填充流體沉積與微脈衝RF電漿的交替循環，儘管沉積後微電漿固化處理亦可能。施加循環間隙填充流體沉積與電漿步驟允許有效固化全部或至少大部分的間隙填充流體。

在一些實施例中，一循環間隙填充製程可包含在沉積站中執行一沉積步驟、在退火站中執行一熱退火步驟及選擇性重複沉積步驟與熱退火步驟，直到一所需厚度和品質的薄膜形成於基材上為止。沉積-退火循環可執行n次，其中n是整數。在一些實施例中，在完成可流動沉積步驟與選擇性固化步驟的一實例之後，一晶圓可搬運到一分離退火站，其中晶圓可經歷一熱退火步驟。由退火站提供的熱處理可改善例如SiCN/SiN薄膜的可流動薄膜品質。在一些實施例中，循環退火可包含一熱處理，其包括使用He、Ar、N ₂、H ₂、或O ₂、NH ₃、H ₂O ₂或前述之任何組合的熱固化，然後是一使用NF ₃和O ₂的晶圓清潔製程。在循環退火期間，晶圓可加熱到介於約80℃與約650℃間的溫度。例如，晶圓可加熱到約80℃、約90℃、約100℃、約110℃、約120℃、約130℃、約140℃、約150℃、約160℃、約170℃、約180℃、約190℃、約200℃、約210℃、約220℃、約230℃、約240℃、約250℃、約260℃、約270℃、約280℃、約290℃、300℃、約310℃、約320℃、約330℃、約340℃、約350℃、約360℃、約370℃、約380℃、約390℃、約400℃、約410℃、約420℃、約430℃、約440℃、約450℃、約460℃、約470℃、約480℃、約490℃、約500℃、約510℃、約520℃、約530℃、約540℃、約550℃、約560℃、約570℃、約580℃、約590℃、約600℃、約610℃、約620℃、約630℃、約640℃、約650℃或介於前述值之間的任何值。類似於沉積腔室中的壓力與氣體條件可用於同時進行沉積與退火。

圖7A至圖7C示意說明使用循序施加前驅物與電漿脈衝之間隙填充方法的示例實施例。圖7A示意說明根據本文中的一些實施例之使用重複循環諸如ALD之氣相沉積與退火的示例間隙填充方法。製程可使用一前驅物與一或多個含有共反應物的製程氣體。可在恆定流率下向反應腔室連續提供一或多個製程氣體。前驅物脈衝與RF脈衝可循序施加在沉積站中。在間隙填充沉積期間，沉積站可維持在一致性壓力與溫度。在完成沉積製程後，晶圓可搬運到一退火站以進行退火製程。在一些實施例中，在維持退火壓力與退火溫度的同時向退火站連續提供一或多個製程氣體。在一些實施例中，退火站使用的製程氣體可包含例如Ar、O ₂、H ₂、N ₂、NH ₃、He、H ₂O、H ₂O ₂及/或其任何組合。選擇上，在退火持續時間過程中向退火站連續或脈衝提供RF功率。ALD沉積-退火循環可重複任意次數以實現所需薄膜品質。在一些實施例中，ALD製程與退火製程可同時使用，其中ALD製程可在一第一基材上進行，而退火製程可在一第二基材上進行。在一雙腔室模組中，諸如圖3C所示，第一基材與第二基材可在RC1與RC2之間重複交換，直到在兩基材上實現所需薄膜品質為止。

圖7B示意說明根據本文中的一些實施例之使用重複循環一氣相沉積製程(諸如CVD)與退火的示例間隙填充方法。對照於ALD方法，對於CVD，可同時施加前驅物與RF功率。退火製程可基本上類似於ALD製程後的使用。CVD沉積-退火循環可重複任意次數以實現所需薄膜品質。在一些實施例中，可同時採用CVD製程與退火製程，其中CVD製程在一第一基材上進行，而退火製程可在一第二基材上進行。在一些實施例中，退火處理可間歇性進行，使得針對每個1 nm - 5 nm沉積薄膜厚度或針對每個5 nm - 50 nm沉積薄膜厚度進行退火。

圖7C示意說明根據本文中的一些實施例之使用重複循環ALD與電漿固化退火的示例間隙填充方法。正如圖7A的ALD製程，前驅脈衝與RF脈衝可循序施加。然而，在完成沉積製程後，可採用一電漿固化處理，如本文中的討論。在一些實施例中，可在沉積站中使用電漿固化。在其他實施例中，退火站中可使用電漿固化。在一些實施例中，電漿固化可在退火步驟或快速熱退火之後進行。例如，在一些實施例中，退火或快速熱退火可使一或多個氣體從可流動薄膜中釋氣，且電漿固化可在殘餘薄膜中建立附加的結合。在一些實施例中，電漿固化包含連續向站與RF脈衝提供一或多個製程氣體。在一些實施例中，相對於電漿固化過程中的沉積-退火製程期間的壓力，可降低或增加站壓力。此外，在沉積-退火製程期間流入站的多個製程氣體可不同於在電漿固化期間流入站的多個製程氣體。

快速熱退火(RTA)：

在一些實施例中，本文中所敘述的多重製程腔室模組中的多個間隙填充站之間的溫度差可能很明顯。例如，多個可流動沉積站可維持在低於300℃，且多個循環退火站可維持在約450℃。在一些實施例中，此可能需要復雜的硬體設計。此外，在一些實施例中，由於必須針對每個處理步驟加熱及冷卻整個晶圓，因此可能延長製程時間。

在一些實施例中，循環快速熱退火(RTA)之使用可用作熱處理之使用的替代，如前述。在此情況下，晶圓藉由暴露於紅外光(IR)輻射而快速加熱，可固化間隙填充材料，改善其性能和品質。RTA曝露時間可在約0.1秒至約10秒的範圍內，並允許使用相對較高溫度，因為僅加熱晶圓的頂表面。例如，在一些實施例中，RTA曝露時間可為約0.1秒、約0.2秒、約0.3秒、約0.4秒、約0.5秒、約0.6秒、約0.7秒、約0.8秒、約0.9秒、約1秒、約1.1秒、約1.2秒、約1.3秒、約1.4秒、約1.5秒、約1.6秒、約1.7秒、約1.8秒、約1.9秒、約2秒、約2.1秒、約2.2秒、約2.3秒、約2.4秒、約2.5秒、約2.6秒、約2.7秒、約2.8秒、約2.9秒、約3秒、約3.1秒、約3.2秒、約3.3秒、約3.4秒、約3.5秒、約3.6秒、約3.7秒、約3.8秒、約3.9秒、約4秒、約4.1秒、約4.2秒、約4.3秒、約4.4秒、約4.5秒、約4.6秒、約4.7秒、約4.8秒、約4.9秒、約5秒、約5.1秒、約5.2秒、約5.3秒、約5.4秒、約5.5秒、約5.6秒、約5.7秒、約5.8秒、約5.9秒、約6秒、約6.1秒、約6.2秒、約6.3秒、約6.4秒、約6.5秒、約6.6秒、約6.7秒、約6.8秒、約6.9秒、約7秒、約7.1秒、約7.2秒、約7.3秒、約7.4秒、約7.5秒、約7.6秒、約7.7秒、約7.8秒、約7.9秒、約8秒、約8.1秒、約8.2秒、約8.3秒、約8.4秒、約8.5秒、約8.6秒、約8.7秒、約8.8秒、約8.9秒、約9秒、約9.1秒、約9.2秒、約9.3秒、約9.4秒、約9.5秒、約9.6秒、約9.7秒、約9.8秒、約9.9秒、約10秒或介於前述值之任一者間的任何值。

在一些實施例中，相較於前述熱處理/退火，可在相對較高的溫度下執行RTA。例如，在一些實施例中，RTA可在介於約80℃至約1000℃之間的溫度下執行。在一些實施例中，RTA可在以下的溫度執行，例如約80℃、約105℃、約130℃、約155℃、約180℃、約205℃、約230℃、約255℃、約280℃、300℃、約325℃、約350℃、約375℃、約400℃、約425℃、約450℃、約475℃、約500℃、約525℃、約550℃、約575℃、約600℃、約625℃、約650℃、約675℃、約700℃、約725℃、約750℃、約775℃、約800℃、約825℃、約850℃、約875℃、約900℃、約925℃、約950℃、約975℃、約1000℃或介於前述值間的任何值。在一些實施例中，一較高溫度RTA可對應於一較低暴露時間。

因此，在本文中的一些實施例中，可利用循環RTA來固化可流動間隙填充物。在一些實施例中，一循環RTA可防止再沉積（此在循環電漿處理是問題），同時相較於循環熱處理，則增加了產出率。

在一些實施例中，對照於前述多重製程腔室模組裝置及方法，在RTA期間，退火站中的基材台可保持在相同於沉積站中的基材台的溫度，避免多個處理間的溫度間隙。如同在循環退火中，可在分離腔室中為可流動沉積提供使用IR加熱的 RTA，此需要在每個沉積退火循環期間移動晶圓。然而，在一些實施例中，RTA可整合在沉積站本身以增加產出率。在一些實施例中，使用單一站可增加產出率並減小裝置尺寸。然而，在一些實施例中，當沉積站與熱處理之間的製程氣體或所需製程參數(例如壓力)不同時，使用多站裝置可較佳。

在一些實施例中，一沉積RTA循環可重複m次，其中m是整數。m值可取決於各種製程變數，包括可流動沉積製程的生長速率、待填充的間隙結構的體積及是否實施選擇性電漿固化。例如，在一些實施例中，如果實施電漿固化，可針對每個約1nm至約5nm的薄膜生長提供RTA。在一些實施例中，如果不實施電漿固化，則可針對每個約5nm至約50nm的薄膜生長提供RTA。

如前述，RTA基本上僅加熱晶圓的頂表面。因此，多個站之間不需要溫度間隙，因為可能在進行可流動沉積與循環退火的多重製程腔室模組中。此外，相對於循環退火可加速RTA中的加熱及冷卻。RTA方法避免在循環電漿處理中觀察到再沉積效應，並相較於循環熱處理，增加了產出率。

圖8示意說明根據本文中的一些實施例之使用快速熱退火(RTA)的示例間隙填充方法。如所例示，一基材可經歷可流動沉積製程，沉積製程包含使一或多個前驅物流入一保持基材的站並脈衝電漿注入站。一或多個前驅物可形成一可沉積到存在於基材上的間隙中的可流動薄膜。沉積後，可在完成可流動沉積製程的相同站內或在一分離站內進行RTA製程。RTA可包含在約0.1秒至10秒的曝露時間內升高基材頂表面的溫度。在一些實施例中，可使用諸如紅外光燈的加熱燈來加熱基材的頂面。RTA可亦包含將基材頂表面冷卻約1分鐘。RTA可緻密所沉積的薄膜，同時避釋氣物質的電漿再沉積。可流動沉積製程與RTA可在沉積-RTA循環中重複任意次數以形成一所需厚度和品質薄膜。

其他實施例：

在前述說明書中，本發明已參考其多個具體實施例描述。然而，很明顯在不悖離本發明的更廣泛精神與範疇的情況下，可對其進行各種修改與變更。因此，本說明書及圖示係欲視為說明性而非限制意義。

實際上，雖然本發明已在某些實施例與實例的背景中揭露，但熟習項技藝者將瞭解，本發明超出具體所揭露實施例延伸到本發明的其他替代實施例及/或用途及其明顯的修改及其等同物。此外，雖然已詳細示出及描述本發明的多個實施例的數個變體，但是基於本發明，熟習項技藝者將明白在本發明範疇內的其他修改。還考慮到可進行多個實施例的特定特徵與態樣的各種組合或附屬組合且仍然落入本發明的範圍內。應瞭解，所揭露實施例的各種特徵與態樣可彼此組合或替代，以形成所揭露發明的多個實施例的不同模式。本文中所揭露的任何方法不需要按所引用順序來執行。因此，本文中所揭露本發明的範疇不應受限於前述特定實施例。

將明白，本發明的多個系統及方法各個具有數個創新態樣，其中沒有任何單一者單係僅負責本文所揭露之所需屬性或要求所需屬性。前述各種特徵與製程可彼此獨立使用或可採取各種方式組合。所有可能的組合與附屬組合都在本發明的範疇內。

在多個分離實施例的背景下，本說明書中描述的某些特徵亦可在單一實施例中組合實施。而是，在單一實施例的背景下描述的各種特徵亦可分開或採用任何適當附屬組合實施於多個實施例中。此外，雖然前述多個特徵在某些組合中可描述作用於某些組合與甚至最初要求保護，但在某些情況下，出自所要求保護組合的一或多個特徵可從組合中刪除，且所要求保護組合可針對附屬組合或附屬組合的變體。沒有任何單一特徵或一組特徵係每一個實施例所必需或不可或缺的。

將亦明白，除非另有說明，或如所使用背景內的瞭解，否則本文中使用的諸如「可以」、「能夠」、「可能」、「可」、「例如」等的條件用語通常意指傳達某些實施例包括（同時其他實施例不包括）某些特徵、元件及/或步驟。因此，此條件用語通常不意欲暗指特徵、元件及/或步驟以任何方式為一或多個實施例所必需，或者一或多個實施例在有無作者輸入或提示的情況下必然包括用於決策的邏輯，無論這些特徵、元件及/或步驟是否包括在內或欲在任何具體實施例中執行。用語「包含」、「包括」、「具有」等是同義字並以開放式包含性使用，且並未排除附加元件、特徵、動作、操作等。此外，用語「或」係包含性意義（而非排他性意義)使用，因此，例如，當用於連接列舉多個元件時，用語「或」意指在列舉中的多個元件之一者、一些者或全部。此外，除非另有說明，否則如本專利案與文後申請專利範圍中使用的「一種」、「一」和「」應解釋為表示「一或多個」或「至少一」。類似地，雖然多個操作按一特定順序描述在圖式中，但是應明白，此等操作不必然按所示的特定順序或循序順序來執行，或者執行所有例示的操作，以實現所需結果。此外，多個圖式採用流程圖形式來示意性描述另外一示例性製程。然而，未描述的其他操作可併入示意性所示的多個示例性方法及製程中。例如，一或多個附加操作可在任何所例示操作之前、之後、同時或其間執行。此外，在其他實施例中，多個操作可重新配置或重新排序。在某些情況下，多工與平行處理可為優選。此外，前述實施例中的各種系統組件的分離不應解釋為在所有實施例中都需要此分離，而應瞭解，所描述的程序組件與系統大體上一起整合成單一軟體產品或套裝成多個軟體產品。此外，其他實施例亦在文後申請專利的範疇內。在一些情況下，申請專利範圍中所引用的動作可按不同順序來執行，並仍可實現所需結果。

此外，雖然本文中的多個方法與器件可易於進行各種修改與替代形式，但是其多個具體實例已示出在圖式並在本文中詳細描述。然而，應瞭解，本發明並未侷限於所揭露的特定形式或方法，而是，本發明涵蓋在各種實施與文後申請專利範圍的精神與範疇內的所有修改、等同項及替代項。此外，本文中所揭露結合實施或實施例的任何特定特性、態樣、方法、特質、特徵、品質、屬性、元件等可用於本文中闡述的所有其他實施或實施例。本文中所揭露的任何方法不需要按所引用順序來執行。本文中所揭露的方法可包括專業人員所採取的某些作為；然而，這些方法可亦包括這些動作的任何第三方指導，無論是明示或暗示。本文中所揭露的範圍亦包含任何與所有重疊、附屬範圍及其組合。諸如「高達」、「至少」、「大於」、「小於」、「介於」等用語包括所引用的數字。不同數字前面所使用的諸如「約」或「概略」用語包括所引用的數字，並應根據情況進行解釋（例如，在多種情況下盡可能合理準確，例如 ±5%、±10%、±15 %、等）。例如，「約3.5 mm（毫米）」包括「3.5 mm」。前面使用諸如「基本上」用詞的詞組包括所引用的詞組，並應根據各種具體情況（例如，在各種具體情況下盡可能合理）來解釋。例如，「基本恆定」包括「恆定」。除非另有說明，否則所有測量都在標準條件下進行，包括溫度與壓力。

如本文中的使用，關於所列舉項目「之至少一者」之詞組意指項目的任何組合，包括多個單一構件。例如，「以下至少一者：A、B 或 C」意指涵蓋：A、B、C、A和B、A和C、B和C及A、B和C。除非另有特別說明，否則諸如詞組「X、Y和Z之至少一者」之結合語與前後關聯一起理解為通常用來傳達一項目、項等可為X、Y或Z之至少一者。因此，這種結合語通常不意欲暗指某些實施例需要存在X之至少一者、Y之至少一者及Z之至少一者之每一者。本文中所提供的標題（如果有的話）僅是為了方便，不必然影響本文中所揭露器件與方法的範疇或意義。

因此，申請專利範圍並未欲侷限於本文中所示的多個實施例，而是符合本文中所揭露的此揭露內容、原理與新穎特性的最廣範疇。

200:轉動支架 201,202,203,204,503:站 205:臂 206:支架末端受動器 207:末端受動器 500:多製程腔室模組 501:製程腔室 502:晶圓處理腔 504:裝卸腔室 505:轉動支架 506:加熱系統 508:加熱系統 510:壓力系統 600:加熱單元 602,604:加熱元件 606:液體冷卻管線 608:隔熱槽 610:加熱單元 612:加熱元件 RC1,RC3:低溫沉積站 RC2,RC4:高溫退火站

所提供的圖式示意說明多個示例實施例而並非意欲限制本發明的範疇。參考以下結合附圖之描述將更瞭解本文之系統及方法，其中： ［圖1A至圖1D］示意說明多種不同類型的間隙填充製程。 ［圖2A至圖2D］示意說明使用圖1A至圖1D所例示各種間隙填充製程的示例性可流動SiCN薄膜之掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)影像。 ［圖3A］示意說明一用於進行沉積及隨後退火之習知裝置。 ［圖3B］示意說明根據本文中一些實施例之多重製程腔室模組。 ［圖3C］示意說明根據本文中一些實施例之多重製程雙腔室模組。 ［圖4］示意說明根據本文中的一些實施例之多重製程腔室模組的示意圖。 ［圖5］示意說明根據本文中的一些實施例之多重製程腔室模組的由上而下圖。 ［圖6A］示意說明根據本文中的一些實施例之一用於可流動沉積站之加熱單元的示例圖。 ［圖6B］示意說明根據本文中的一些實施例之一用於退火站之加熱單元的示例圖。 ［圖7A］示意說明根據本文中的一些實施例之使用重複循環ALD與退火之示例間隙填充方法。 ［圖7B］示意說明根據本文中的一些實施例之使用重複循環CVD與退火之示例間隙填充方法。 ［圖7C］示意說明根據本文中的一些實施例之使用重複循環ALD與電漿固化退火之示例間隙填充方法。 ［圖8］示意說明根據本文中的一些實施例之使用快速熱退火(RTA)之示例間隙填充方法。

Claims (22)

1. 一種用於可流動間隙填充沉積之方法，該方法包含： (a)置放一基材在一第一站中； (b)在一第一溫度下，藉由一氣相沉積製程在該第一站中沉積一可流動材料於該基材上，其中該第一溫度低於300℃； (c)在沉積該可流動材料於該基材上後，置放該第一基材在該第二站中； (d)藉由在該第二站中將該基材的表面加熱到一第二溫度對該基材進行熱處理，其中該第二溫度介於80℃與1000℃之間；及 循環重複(a)-(d)直到具有所需厚度之一薄膜沉積於該基材上為止。
2. 如請求項1所述之方法，其中該可流動材料由烷基矽氮烷或氨基矽烷前驅物形成。
3. 如請求項1所述之方法，其中該熱處理包含一快速熱退火(RTA)。
4. 如請求項3所述之方法，其中該快速熱退火包含在小於10秒的期間將所述基材的表面加熱到該第二溫度。
5. 如請求項4所述之方法，其中該第二溫度介於800℃與1000℃之間。
6. 如請求項1所述之方法，其中該第一站包含一上腔室與一下腔室，其中該下腔室包含介於該第一站與一第二站之間的一共用中間空間。
7. 如請求項1所述之方法，其中該第一站與該第二站包含一共用壓力系統，使得該第一站和該第二站在該循環期間維持在一共同壓力下。
8. 如請求項7所述之方法，其中在該循環期間的該共同壓力介於300 Pa與2800 Pa之間。
9. 如請求項1所述之方法，其中該第一站包含一第一站加熱單元，其構造成控制該第一站的一溫度，該第一站的該溫度獨立於該第二站的一溫度，且其中該第二站包含一第二站加熱單元，其構造成控制該第二站的該溫度，該第二站的該溫度獨立於該第一站的該溫度。
10. 如請求項1所述之方法，其中該薄膜包含一SiNH或SiCNH薄膜。
11. 如請求項1所述之方法，其中該薄膜填充於該基材的表面上的一間隙之至少90%、於該基材的表面上的該間隙之至少95%、於該基材的表面上的該間隙之至少99%或於該基材的表面上的該間隙之至少99.5%。
12. 如請求項1所述之方法，其中該基材包含矽或鍺。
13. 如請求項1所述之方法，其更包含在該第一站中接觸該基材期間，將一或多個製程氣體引入該第一站，其中該等製程氣體包含Ar、He、N ₂、H ₂、NH ₃、O ₂或前述之一或多者的組合。
14. 如請求項1所述之方法，其中該前驅物包含烷基矽氮烷或氨基矽烷、六甲基環三矽氮烷(HMCTS)或三甲矽烷基胺(TSA)。
15. 如請求項1所述之方法，其中該循環更包含在步驟(b)或(d)後電漿固化該基材，其中該電漿固化包含微脈衝射頻(RF)電漿至該第一站或該第二站。
16. 如請求項15所述之方法，其中在該基材在該第二站中退火之後，在該第二站中電漿固化該基材。
17. 一種半導體製程裝置，其包含： 一或多個製程腔室，每個製程腔室包含兩或多個站，每個站包含一上隔室和一下隔室， 其中該上隔室構造成在一基材的製程期間容置該基材， 其中該下隔室包含介於兩或多個站之間的一共用中間空間； 一第一搬運系統，其構造成在一晶圓處理腔室中將一基材從一第一製程腔室移到一第二製程腔室； 一第二搬運系統，其構造成在一製程腔室的該共用中間空間內將該基材從一第一站移到一第二站； 一第一加熱單元，其構造成控制一第一站溫度，該第一站溫度獨立於一第二站溫度； 一壓力系統，其包含一幫浦和一排氣器件，該壓力系統構造成在該兩或多個站中維持一共同製程腔室壓力；及 一控制器，其包含提供複數個指令至該裝置之一處理器，以控制下列各項的循環： (a)置放一基材在一第一站中； (b)在一第一溫度下，藉由一氣相沉積製程在該第一站中沉積一可流動材料於該基材上，其中該第一溫度低於300℃； (c)在沉積該可流動材料於該基材上後，置放該第一基材在該第二站中； (d)藉由在該第二站中將該基材的表面加熱到一第二溫度對該基材進行一熱處理，其中該第二溫度介於80℃與650℃之間；及 循環重複(a)-(d)直到具有所需厚度之一薄膜沉積於該基材上為止。
18. 如請求項17所述之系統，其中針對每個1 nm至5 nm沉積薄膜厚度或針對每個5 nm至50 nm沉積薄膜厚度進行該熱處理。
19. 一種用於可流動間隙填充沉積之方法，該方法包含： (a)置放一基材在一第一站中，該第一站包含一上腔室和一下腔室，其中該下腔室包含介於該第一站、一第二站、一第三站與一第四站之間的一共用中間空間； (b)在一第一溫度下，使該第一站中的該基材接觸一前驅物，其中與該前驅物之該接觸在該第一基材之一間隙內形成一第一可流動薄膜層； (c)在該第一站中的該基材接觸該前驅物後，置放該基材在該第二站中； (d)藉由在該第二站中將該基材加熱到一第二溫度對該基材進行一第一退火，以緻密化該第一可流動薄膜層； (e)在對該基材上進行該第一退火後，置放該基材在該第三站中； (f)在該第一溫度下，使該第三站中的該基材接觸該前驅物，其中所述接觸該前驅物在該第一基材之一間隙內形成一第二可流動薄膜層； (g)在該第三站中的該基材接觸該前驅物後，置放該基材在該第四站中； (h)藉由在該第四站中將該基材加熱到該第二溫度對該基材進行一第二退火，以緻密化該第二可流動薄膜層；及 循環重複(a)-(h)直到具有所需厚度之一薄膜沉積於該第一基材上為止， 其中該第二溫度不同於該第一溫度。
20. 一種用於可流動間隙填充沉積之方法，該方法包含： (a)置放一基材在一站中； (b)在一第一溫度下，使該第一站中的該基材接觸一前驅物，其中與該前驅物之該接觸在該第一基材之一間隙內形成一可流動薄膜層； (c)藉由在該第一站中將該基材的一表面加熱到一第二溫度對所述基材進行退火，以緻密化該可流動薄膜層，其中該第二溫度高於該第一溫度，且其中該第二溫度介於80℃與1000℃之間；及 循環重複(a)-(c)直到具有所需厚度之一薄膜沉積於該第一基材上為止， 其中該第一溫度低於該第二溫度。
21. 如請求項20所述之方法，其中該基材的該表面藉由一或多個紅外光燈加熱到該第二溫度。
22. 如請求項20所述之方法，其中在小於10秒的期間將該基材的該表面加熱到該第二溫度。

Images