TWI720499B - 用於原子層沉積的隔離沉積區域 - Google Patents

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Abstract

用於藉由原子層沉積沉積材料的系統和方法。第一氣體分配單元組構以提供第一前驅物至反應室內側的第一區域。第二氣體分配單元組構以提供第二前驅物至該反應室內側的第二區域。基底支撐件配置以握持該反應室內側的該等基底。該基底支撐件組構以相對於該反應室將該等基底從該第一區域線性移動至該第二區域，以作為將該膜沉積在由該基底支撐件所握持的該等基底的各者上的原子層沉積程序的循環式沉積循環的部件。

Description

用於原子層沉積的隔離沉積區域
本發明是關於半導體裝置製作和積體電路，並且，更特定地，是關於用於藉由原子層沉積沉積材料的系統和方法。
原子層沉積是用來沉積高度均勻且共形的薄膜的一種技術。原子層沉積依賴沉積循環的個別沉積步驟，以藉由在各個沉積步驟中循序地沉積原子單層而在晶圓上建立薄膜。一種典型程序由注入前驅物進入反應室內以及暴露晶圓一段時間直到在晶圓上藉由化學吸附形成飽和單層的反應前驅物分子為止所組成。使用惰性氣體從該反應室清除該初始前驅物，並接著注入與該初始單層的反應前驅物分子反應的不同前驅物進入該反應室內，以在該晶圓上形成單層材料。在該反應完成後，從該反應室清除該第二前驅物。重覆數個循環的前驅物暴露和惰性氣體清除，以遞增地沉積單層的材料，並在該晶圓上建立具有希望厚度的膜。
單一晶圓原子層沉積系統可為相當慢到達厚度目標，因為各個沉積循環僅沉積單層材料(例如，小於0.1nm)。爐式原子層沉積系統組構以批量處理多個晶圓，但仍然缺乏足夠的產出，以符合特定製造要求(例如，厚膜應用)。藉由去除該惰性氣體清除，空間性原子層沉積系統可比爐 式原子層沉積系統達成較高的產出。空間性原子層沉積系統的處理室被分隔成多個處理隔間，其可繞著旋轉軸配置。該晶圓由繞著該旋轉軸旋轉的基座握持，以使各個晶圓從一個處理隔間循序地被傳送至另一個隔間，以在沉積循環中連續性暴露至該不同前驅物。
需要藉由原子層沉積沉積材料的改進的原子層沉積系統和方法。
在該發明的實施例中，提供一種方法用來在複數個基底的各者上沉積層。該方法包括握持該等基底在反應室內側的基底支撐件上、暴露該等基底至該反應室內側的第一區域中的第一前驅物、以線性移動方式將該基底支撐件上的該等基底從該第一區域傳送至第二區域、以及暴露該等基底至該反應室內側的該第二區域中的第二前驅物。
在該發明的實施例中，提供一種結構用來在複數個基底上沉積膜。該沉積系統包括反應室、組構以提供第一前驅物至該反應室內側的第一區域的第一氣體分配單元、組構以提供第二前驅物至該反應室內側的第二區域的第二氣體分配單元、以及配置以握持該反應室內側的該等基底的基底支撐件。該基底支撐件組構以相對於該反應室將該等基底從該第一區域線性移動至該第二區域，以作為將該膜沉積在由該基底支撐件所握持的該等基底的各者上的原子層沉積程序的循環式沉積循環的部件。
10‧‧‧沉積系統、直立類型系統、水平類型系統
12‧‧‧反應室
14‧‧‧晶圓握持器
15‧‧‧基底
16、18‧‧‧氣體分配單元
17、19、21‧‧‧區域
20‧‧‧氣體隔幕
24‧‧‧中心線
28‧‧‧加熱元件
30‧‧‧系統控制器、控制器
32‧‧‧移動控制器
48、50、52‧‧‧供應系統
60‧‧‧電漿源
70、72‧‧‧處理單元
併入至此說明書內並構成此說明書的一部分的伴隨圖式例示該發明的各種實施例，並連同上方所給定的該發明的一般性描述及下方所給定的實施例的詳細描述，一起用作解釋該發明的實施例。
第1圖是依據該發明的實施例的沉積系統的概略視圖。
第1A圖是第1圖的該沉積系統的概略視圖，其中，該等基底已經被重新位於該反應室內側的不同區域。
第2圖是依據該發明的不同實施例的沉積系統的概略視圖。
第3圖是依據該發明的不同實施例的具有多個處理單元的沉積系統的概略視圖。
第3A圖是第3圖的該沉積系統的概略視圖，其中，該等基底已經重新位於各處理單元的不同區域。
參考第1圖並依據該發明的實施例，用來處理基底15的沉積系統10包括反應室12和至少部分地配置在該反應室12內側的基底或晶圓握持器14。該沉積系統10(其以簡化方式顯示)可包括額外的結構，例如，輸入/輸出站，其適配以接收晶圓片匣、將該等基底15從該晶圓片匣傳送進入該反應室12內、以及將處理過的基底15從該反應室12傳送回進入該晶圓片匣內。該沉積系統10可組構以處理任何尺寸的基底15，例如，由例如矽或III-V半導體所組成的200mm晶圓、300mm晶圓或450mm晶圓。
在該代表實施例中，該沉積系統10的該反應室12具有在直立或實質地直立方位朝向的中心線24。在不同實施例中，該反應室12的該中心線24可具有水平或實質水平方位。
該沉積系統10配備有系統控制器30，其被程式化以控制和協調該沉積系統10的運作。該系統控制器30典型地包括一個或更多個處理單元，用來控制各種系統功能、腔室程序、和支援硬體(例如，偵測器、機器人、馬達、質量流動控制器等)，並且用來監視該系統和腔室程序(例如，腔室溫度和壓力、程序序列產出、腔室程序時間等)。用來指示該一個或更多個處理單元的軟體指令和資料可予以編碼並且儲存在記憶體及/或儲存裝置內。記憶體中所保留並且可由該系統控制器30的該一個或更多個處理單元所執行的軟體程式可判定哪個任務在基底15上執行，包括但不限於關於監視和執行腔室程序的任務以及依據提供薄或厚膜的沉積的程序配方的其它相關任務。
該反應室12包括氣體分配單元16、氣體分配單元18、以及沿著該反應室12的高度配置的多個氣體隔幕(curtain)20。在該代表實施例的直立類型系統10中，該氣體分配單元16將氣體或氣相前驅物引進該反應室12內側的區域17內，該氣體分配單元18將不同氣體或氣相前驅物引進該反應室12內側的區域19(其沿著該反應室12的高度而與該區域17隔開)，而該氣體隔幕20將惰性氣體引進該反應室12內側的個別空間隔開的區域21。就水平類型系統10而言，該氣體分配單元16、18和氣體隔幕20是沿著該反應室12的長度隔開，並且提供空間隔開的水平區域17、19、21在該水平朝向的反應室12中。該氣體分配單元16配置在一對該氣體隔幕20之間，並且，類似地，該氣體分配單元18配置在一對該氣體隔幕20之間。該等氣體隔幕20的一者配置在該氣體分配單元16與該氣體分配單元18之間。
該晶圓握持器14作用成基底支撐件，其握持該等基底15在該反應室12內側，以允許暴露至個別區域17、19的各者中的氣體或氣相 前驅物。該晶圓握持器14連接至該系統控制器30，並可組構以線性移動方式直立地向上和直立地向下集合地移動該握持的基底15，以實施和重覆將所有該等基底15暴露至區域17和19中的該氣體或氣相前驅物的沉積循環。或者，在水平類型系統10中，該晶圓握持器14可組構以在相對的來回方向以線性移動方式水平地移動該等基底15，以實施和重覆將所有該等基底15暴露至區域17和19的沉積循環。該系統控制器30可提供移動指示至移動控制器32，該移動控制器32運作，例如驅動馬達或氣動裝置，以提供由該晶圓握持器14所握持的基底15和該晶圓握持器14的線性移動。舉例來說，該晶圓握持器14可由機械性鏈接而連接至驅動馬達，該驅動馬達由來自該移動控制器32的指令控制，以將該晶圓握持器14實體地支撐該等基底15的部分相對於該反應室12內側的該區域17、19、21線性移動。該晶圓握持器14可在該反應室12內側握持多個基底15，該多個基底15在該區域17、19的各個內側被同時地處理。舉例來說，該晶圓握持器14可握持總數5個基底15。
該反應室12可由一個或更多個加熱元件28加熱。舉例來說，該一個或更多個加熱元件28可耦接至該晶圓握持器14或該反應室12，用來間接地加熱該等基底15。該一個或更多個加熱元件28可用來在沉積期間變化該等基底15的程序溫度和該反應室12內側的周圍環境，例如，在從室溫至800℃的範圍。
該氣體分配單元16和該氣體分配單元18可組構以提供個別氣體或氣相前驅物(其在原子層沉積程序的多個沉積循環期間反應)至該區域17、19，以建立薄膜或厚膜。可被供應至該氣體分配單元16、18並從該氣體分配單元16、18供應至該區域17、19的範例前驅物包括、但不限於，二氯矽烷(DCS)、六氯二矽烷(HCD)、四氯化鈦(TiCl4)、乙矽烷(DIS)、 氨(NH3)、二(二乙胺基)矽烷(BDEAS)、二異丙基胺基矽烷(DIPAS)、氧氣(O2)、三(二甲基胺)矽烷(3DMAS)、二氫化鈦(NEt2)2等。該氣體隔幕20可組構以提供惰性氣體(例如，氮氣(N2)或氬氣(Ar))至將區域17與區域19彼此隔離的區域21，其可防止該不同區域17、19之間的交叉污染。舉例來說，為了形成鈦矽化物，該氣體分配單元16可供應作為前驅物的二氯矽烷至該區域17，該氣體分配單元18可供應四氯化鈦至該區域19，而該氣體隔幕20可供應氮氣至該等區域21。該氣體分配單元16、18可包括注入器、噴淋頭等，其引導一個或更多個流束的蒸汽或氣體朝向還在該區域17、19中的該等基底15。該蒸汽或氣體流束可持續地流動，或可受控以僅於基底15位在該個別區域17、19內時流動。
該沉積系統10包括由一組氣體管線耦接至該氣體隔幕20的供應系統48。在基底處理期間，清除氣體可從該供應系統48持續地流動經過該氣體隔幕20而進入該等區域21內。該等區域21提供氣態隔幕或阻障件，其防止、或至少顯著地限制在該區域17與該區域19之間傳送該不同前驅物。該清除氣體也提供該等區域21內側的惰性大氣，以致於在該等基底15上的沉積和反應層於在該區域17與該區域19之間被傳送經過該等區域21時實質地未改變。
該沉積系統10包括由一個或更多個氣體管線耦接至該氣體分配單元16的供應系統50、以及由一個或更多個氣體管線耦接至該氣體分配單元18的供應系統52。在基底處理期間，前驅物可從該供應系統50持續地流動至該氣體分配單元16並接續地進入該區域17內，以提供用於該原子層沉積程序的循環的反應物，並且不同前驅物可從供應系統52持續地流動至該氣體分配單元18並接續地進入該區域19內，以提供用於該原子層沉積程序的循環的另一個反應物。連接至該系統控制器30的該供應系 統48、50、52可各者包括一個或更多個氣體或前驅物源、一個或更多個加熱器、一個或更多個壓力控制裝置、一個或更多個質量流動控制裝置、一個或更多個過濾器、一個或更多個閥件、一個或更多個流動感應器等。
該不同前驅物可源自固相或液相，其可揮發以形成氣相或氣態相。該不同前驅物可被傳遞至該區域17、19作為氣體或蒸汽，並且有或沒有載體氣體的幫助。依據將被沉積以作為該等基底的各者上的薄或厚膜的材料的組成和特性，選擇由該供應系統50供應至該反應室12內側的該區域17的該前驅物以及由該供應系統52供應至該反應室12內側的該區域19的該前驅物。可依據意圖促進膜生長的程序配置(還有其它變數)，選擇該等前驅物和該等基底15的溫度和壓力。
在使用時，該沉積系統10的該反應室12可用來在由該晶圓握持器14所握持的該等基底15的各者上沉積薄或厚膜。在該循環式沉積程序的初始步驟中，運作該晶圓握持器14以將所有該等基底15放置在該區域17內側，並且所有該等基底15均在該區域17中暴露至來自供應系統50的該前驅物，該前驅物由該氣體分配單元16被引進該區域17內作為反應物。前驅物流動可持續或可在該等基底15進入該區域17內時被初始化。
在暴露至區域17中的該蒸汽或氣體相前驅物期間，該晶圓握持器14可在該系統控制器30的控制下被握持不動，以致於該等基底15是固定而沒有移動。該前驅物可以一給定流動率及一給定流動時間流動進入該區域17內，並且被允許在該等基底15的該暴露表面上吸收。舉例來說，至區域17的流動率的範圍從每分鐘標準立方公分(sccm)至每分鐘10標準公升(slm)，而該流動時間的範圍從1秒至30秒。在該等基底15上吸 收的氣體或氣相前驅物的總量視該流動率和流動時間等參數(還有其它沉積條件)而定。
在該沉積循環的接續步驟中並且如第1A圖中所顯示的，運作該晶圓握持器14線性移動該等基底15通過該等區域21的一者，並且將所有該等基底15放置在該區域19內側。所有該等基底15均在該區域19中暴露至來自供應系統52的該前驅物，該前驅物由該氣體分配單元18引進該區域19內作為反應物。該前驅物可以一給定流動率及一給定流動時間流動進入該區域19內，並且被允許在該等基底15的該暴露表面上吸收以及與先前地施加在該區域17中的現存的吸收的前驅物反應。前驅物流動可持續或可於該等基底15進入該區域19內時被初始化。
在暴露至區域19中的該前驅物期間，該晶圓握持器14可在該系統控制器30的控制下被握持不動，以致於該等基底15是固定而沒有移動。舉例來說，至區域19的流動率的範圍從每分鐘100標準立方公分(sccm)至每分鐘10標準公升(slm)，而該流動時間的範圍從1秒至30秒。在該等基底15上吸收以及反應的氣體或氣相前驅物的總量視該流動率和流動時間等參數以及與該初始前驅動物的自我限制反應(還有其它沉積條件)而定。
在該系統控制器30的控制下，重複移動該晶圓握持器14並且將該等基底15接續地暴露至區域17和區域19中的該不同前驅物的該循環程序，以遞增該沉積材料的厚度並且最終沉積具有給定最終厚度的薄或厚膜。舉例來說，由該原子層沉積程序在該等基底15的各者上所沉積的該薄或厚膜的該最終厚度的範圍從1nm至100nm。為了重複該沉積循環，該晶圓握持器14可直立地移動該等基底15，以使該等基底15重新位於該區域17內側，並且將該等基底15暴露至從供應系統50所供應的該氣體 或氣相前驅物，以初始化另一個沉積循環。或者，該晶圓握持器14可以提供直立流通(vertical circulation)的不同方式重新定位該等基底15，以備接續的沉積循環。
該沉積系統10的好處是在於供應至該區域17、19的各者的該前驅物沒有變化或改變，並且該區域17、19內側的周圍環境也沒有為了改變該前驅物的類型而被惰性氣體清除。該沉積系統10的另一個好處是在於該薄或厚膜與在多個基底15的各者上相同或實質地相同的塗層是同時地形成，如至少部分地由該晶圓握持器14的握持能力及/或處理單元的數目所決定，如接續地描述。該沉積系統10具有爐式原子層沉積系統的一些性質(可批次處理多個晶圓)並連同空間性原子層沉積系統的一些性質(該整個反應室12在沉積循環的前驅物引進的不同步驟之間不用被清除)。由該沉積系統10所擁有的性質組合的結果允許在原子層沉積程序期間增加處理產出。
參考第2圖，其中，相同的元件符號參考第1圖中的相同特徵並且依據該發明的不同實施例，該反應室12的該區域19可包括電漿源60，其可產生含有來自由供應系統52所供應的該氣體或蒸汽前驅物的離子及/或原子團的電漿。該基底15當在該區域19中時暴露至該電漿。該電漿源60可例如供應射頻能量，其從區域19中的該前驅物產生該電漿。該電漿源60可配置以在該反應室12內側產生該電漿，或者，可為提供該電漿至該反應室12的遠端源。有了此修飾，該沉積系統10可用來在該等基底15上實施薄或厚膜的電漿加強原子層沉積。該反應室12的該區域17也可包括電漿源(未顯示)，其可產生含有來自由供應系統50所供應的該氣體或氣相前驅物的離子及/或原子團的電漿。
參考第3圖，其中，相同的元件符號參考第1圖中的相同特徵並且依據該發明的不同實施例，該沉積系統10可包括在該反應室12內側的一組多個處理單元70、72，並且，該個別處理單元70、72的各者可包括該區域17和19。該等區域21的一者可在該不同處理單元70、72之間的轉移處的該不同處理單元70、72之間共享。堆疊該多個處理單元70、72，以在各個處理單元內致能薄或厚膜的同時沉積在多個基底15上。由於堆疊，因此，處理單元70、72的數目可大於第3圖中所顯示的。舉例來說，該沉積系統10可包括5個堆疊的處理單元，該5個處理單元的各者可包括該區域17和19，並且該晶圓握持器14可支撐5個基底15，以在該處理單元70、72的各者中實施沉積循環。至少部分地由提供惰性氣體的隔幕的該等區域21致能堆疊多個處理單元70、72的能力，該隔幕將鄰接對的該區域17、19及/或在該不同區域17、19之間的該線性移動基底15予以分離。
在沉積程序期間，各個處理單元70、72內的該等基底15可於任何給定時間全數位在該區域17、19的相同一者中。舉例來說，在各個處理單元70、72內的該等基底15可於沉積循環的一部分期間全數位在區域17中，各個處理單元70、72內的該等基底15可被同時地傳送至該處理單元70、72的一者的區域19，如第3A圖中所顯示的，而各個處理單元70、72內的該等基底15可在該沉積循環的連續部分期間全數位在區域19中。
上方所描述的該方法是使用在製作積體電路晶片。該生成的積體電路晶片可由製作者以生晶圓形式(例如，成具有多個未封裝晶片的單一晶圓)分佈成裸晶粒、或以封裝形式分佈。在後者的案例中，該晶片是安裝在單一晶片封裝件(例如，具有引線固定至主機板的塑膠承載件、或其它 高階承載件)中、或在多晶片封裝件(例如，具有表面互連和埋置互連的一者或兩者的陶瓷承載件)中。在任何案例中，該晶片可整合至其它晶片、分離的電路元件、及/或其它訊號處理裝置，以作為中間產品或終端產品的部件。
本文中參照的術語「直立」、「水平」等是藉由範例、而非藉由限制的方式作出，以建立參照的框架。術語「直立」和「正交」是指與水平平面垂直的方向。術語「側向」是指在水平平面內的方向。例如「上方」和「下方」的術語用於指示元件或結構的位置相對於彼此如相對於相對高度。
特徵「連接」或「耦接」至另一個元件可直接地連接或耦接至該其它元件、或替代地，可出現一個或更多個中介元件。特徵可「直接地連接」或「直接地耦接」至另一個元件，如果沒有中介元件出現。特徵可「間接地連接」或「間接地耦接」至另一個元件，如果出現至少一個中介元件。
本發明的各種實施例的描述已經呈現，為了例示的目的，而不意圖窮盡或限制至所揭露的實施例。許多修飾和變化對於本領域中的熟習技術者將是明顯的，而不致於偏離該描述的實施例的範疇和精神。本文所使用的技術用語經選擇以最佳解釋該實施例的原理、針對市場中所發現的技術的實際應用或技術改進、或致能本領域中的其他通常技術者了解本文所揭露的實施例。
10‧‧‧沉積系統、直立類型系統、水平類型系統
12‧‧‧反應室
14‧‧‧晶圓握持器
15‧‧‧基底
16、18‧‧‧氣體分配單元
17、19、21‧‧‧區域
20‧‧‧氣體隔幕
24‧‧‧中心線
28‧‧‧加熱元件
30‧‧‧系統控制器、控制器
32‧‧‧移動控制器
48、50、52‧‧‧供應系統

Claims (20)

  1. 一種沉積系統，用於沉積膜在複數個基底上，該沉積系統包含：反應室；第一氣體分配單元，組構以提供第一前驅物至該反應室內側的第一區域；第二氣體分配單元，組構以提供第二前驅物至該反應室內側的第二區域；以及基底支撐件，組構以同時握持該反應室內側的該複數個基底，該基底支撐件配置以同時將該複數個基底相對於該反應室從該第一區域線性移動至該第二區域，以作為將該膜沉積在由該基底支撐件所握持的該複數個基底的各者上的原子層沉積程序的循環式沉積循環的部件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之沉積系統，復包含：一個或更多個加熱元件，組構以加熱由該基底支撐件所握持的該複數個基底。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之沉積系統，復包含：氣體隔幕，組構以提供惰性氣體至該反應室內側的第三區域，該第三區域配置在該第一區域與該第二區域之間，用於將該第一區域與該第二區域隔離。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之沉積系統，其中，該基底支撐件是相對於該第一區域、該第二區域和該第三區域配置，以於在該第一區域與該第二區域之間移動時，同時移動該複數個基底通過該第三區域。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之沉積系統，其中，該基底支撐件組構以於在該第一區域與該第二區域之間移動時，在直立方向同時移動該複數個基底通過該第三區域。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之沉積系統，其中，該反應室具有實質地直立地朝向的中心線，並且，該第一氣體分配單元和該第二氣體分配單元沿著該中心線配置。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之沉積系統，復包含：第三氣體分配單元，組構以提供該第一前驅物至該反應室內側的第四區域；第四氣體分配單元，組構以提供該第二前驅物至該反應室內側的第五區域；以及第二基底支撐件，組構以在該反應室內側同時握持額外複數個基底，該第二基底支撐件組構以相對於該反應室從該第四區域線性移動至該第五區域。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之沉積系統，其中，該第三氣體分配單元和該第四氣體分配單元與該第一氣體分配單元和該第二氣體分配單元堆疊。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之沉積系統，復包含：第一氣體隔幕，組構以提供惰性氣體至該反應室內側的第六區域，該第六區域配置在該第二區域與該第四區域之間，用於將該第四區域與該第二區域隔離。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之沉積系統，復包含：第二氣體隔幕，組構以提供惰性氣體至該反應室內側的第三區域，該第三區域配置在該第一區域與該第二區域之間，用於將該第一區域與該第 二區域隔離，或配置在該第四區域與該第五區域之間，用於將該第四區域與該第五區域隔離。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之沉積系統，其中，該第一氣體分配單元組構成從該第一前驅物在該第一區域中產生電漿的電漿源。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之沉積系統，復包含：控制器，組構以引起該基底支撐件將該複數個基底同時相對於該反應室從該第一區域線性移動至該第二區域，以作為該原子層沉積程序的該循環式沉積循環的部件，其中，該控制器復組構以於該複數個基底同時暴露至該第一區域中的該第一前驅物時以及於該複數個基底同時暴露至該第二區域中的該第二前驅物時，握持該基底支撐件和該複數個基底不動。
  13. 一種用於沉積層在複數個基底的各者上之方法，該方法包含：同時握持該複數個基底在反應室內側的基底支撐件上；同時暴露該複數個基底至該反應室內側的第一區域中的第一前驅物；同時以線性移動方式將該基底支撐件上的該複數個基底從該第一區域傳送至第二區域；以及同時暴露該複數個基底至該反應室內側的該第二區域中的第二前驅物。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，復包含：供應惰性氣體至該反應室內側的第三區域，該第三區域配置在該第一區域與該第二區域之間，用於將該第一區域與該第二區域隔離。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中，該基底支撐件相對於該第一區域、該第二區域和該第三區域配置，以於在該第一區域與該第二區域之間移動時，同時移動該複數個基底通過該第三區域。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中，該基底支撐件於在該第一區域與該第二區域之間移動時，在直立方向同時移動該複數個基底通過該第三區域。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中，該反應室具有實質地直立地朝向的中心線，並且，該第一區域和該第二區域沿著該中心線配置。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中，同時暴露該複數個基底至該反應室內側的該第二區域中的該第二前驅物包含：從該第一前驅物在該第一區域中產生電漿。
  19. 如申請專利範圍第13項所述之方法，復包含：於該複數個基底同時暴露至該第一區域中的該第一前驅物時以及於該複數個基底同時暴露至該第二區域中的該第二前驅物時，握持該基底支撐件和該等基底不動。
  20. 如申請專利範圍第13項所述之方法，復包含：提供該第一前驅物至該反應室內側的第三區域；以及供應惰性氣體至該反應室內側的第四區域，該第四區域配置在該第二區域與該第三區域之間，用於將該第二區域與該第三區域隔離。
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