TW202223168A - 鍍覆裝置、氣泡去除方法、及儲存有用以在鍍覆裝置之電腦上實行氣泡去除方法之程式的記憶媒體 - Google Patents

Abstract

本發明揭示了一種鍍覆裝置、氣泡去除方法、以及存儲介質，本發明抑制在向鍍覆槽加液時氣泡停滯在電阻體的背面。鍍覆模組（400）包括：鍍覆槽（410）；基板保持件（440），用於將基板（Wf）保持為被鍍覆面（Wf-a）朝向下方的狀態；升降機構（442），用於使基板保持件（440）升降；陽極（430），配置在鍍覆槽（410）內，以便與由基板保持件（440）保持的基板（Wf）對置；電阻體（450），配置在陽極（430）與基板（Wf）之間；供給配管（460），用於將儲存於貯槽的處理液從比電阻體（450）靠下方的位置供給到鍍覆槽（410）；以及旁通配管（462），用於將經由供給配管（460）供給至鍍覆槽（410）的處理液從比電阻體（450）靠下方的位置排出到貯槽。

Description

鍍覆裝置、氣泡去除方法、及儲存有用以在鍍覆裝置之電腦上實行氣泡去除方法之程式的記憶媒體

本發明提供一種鍍覆裝置、氣泡去除方法、以及儲存用於使鍍覆裝置的計算機執行氣泡去除方法的程序的存儲介質。本申請主張基於在2020年10月1日申請的日本專利申請編號第2020-166988號的優先權。日本專利申請編號第2020-166988號的包括說明書、發明申請專利範圍、附圖以及摘要的全部的公開內容通過參照而整體被本申請引用。

以往作為鍍覆裝置的一個例子，公知有杯式的鍍覆裝置。杯式的鍍覆裝置使被鍍覆面朝向下方地將保持於基板保持件的基板（例如半導體晶片）浸漬於鍍覆液，在基板與陽極之間施加電壓，從而使導電膜在基板的表面析出。

例如如專利文獻1所公開的那樣，公知在杯式的鍍覆裝置中，向鍍覆槽供給鍍覆液，將從鍍覆槽的上緣溢出的鍍覆液積存於槽，使積存於槽的鍍覆液在鍍覆槽循環。

專利文獻1：日本特開2008-19496號公報

然而，現有技術的鍍覆裝置沒有考慮在向鍍覆槽加液時氣泡停滯在電阻體的背面的情況。

即，杯式的鍍覆裝置往往為了向基板的被鍍覆面供給均勻的電場而具備配置在陽極與基板之間的電阻體。電阻體可以由多孔質板狀構件或者形成有將陽極側與基板側連通的多個貫通孔的板狀構件構成。

這裡，在從鍍覆槽為空的狀態進行鍍覆液等處理液的加液時，有時因處理液的供給配管內的空氣的捲入等而在鍍覆槽內混入氣泡。若保持原狀地繼續加液而將處理液充滿鍍覆槽，則往往小的氣泡經過電阻體的多孔性孔或貫通孔並上升而從處理液的液面逸出，而比電阻體的多孔性孔或貫通孔大的氣泡停滯在電阻體的背面。若氣泡停滯在電阻體的背面，則可能會對鍍覆性能產生影響，因此不優選。

本發明目的在於抑制在向鍍覆槽加液時氣泡停滯在電阻體的背面。

根據本發明的一實施方式，公開一種鍍覆裝置，包括：鍍覆槽；基板保持件，用於將基板保持為被鍍覆面朝向下方的狀態；升降機構，用於使上述基板保持件升降；陽極，配置在上述鍍覆槽內，以便與由上述基板保持件保持的基闆對置；電阻體，配置在上述陽極與上述基板之間；供給配管，用於將儲存於貯槽的處理液從比上述電阻體靠下方的位置供給到上述鍍覆槽；以及旁通配管，用於將經由上述供給配管供給至鍍覆槽的處理液從比上述電阻體靠下方的位置排出到上述貯槽。

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下說明的附圖中，對相同或者相當的構成要素標註相同的附圖標記並省略重複的說明。

（鍍覆裝置的整體結構） 圖1是表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的立體圖。圖2是表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的俯視圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000具備裝載口100、輸送機械臂110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、旋轉沖洗乾燥模組600、輸送裝置700以及控制模組800。

裝載口100是用於將收納於未圖示的FOUP等盒的基板搬入於鍍覆裝置1000或者從鍍覆裝置1000向盒搬出基板的模組。在本實施方式中，4台裝載口100沿水平方向排列配置，但裝載口100的數量及配置是任意的。輸送機械臂110是用於輸送基板的機械臂，構成為在裝載口100、對準器120以及輸送裝置700之間交接基板。輸送機械臂110及輸送裝置700能夠在輸送機械臂110與輸送裝置700之間交接基板時，經由未圖示的臨時放置台進行基板的交接。

對準器120是用於使基板的定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準的模組。在本實施方式中，2台對準器120沿水平方向排列配置，但對準器120的數量及配置是任意的。預濕模組200是通過使純水或脫氣水等處理液潤濕鍍覆處理前的基板的被鍍覆面，將在基板表面形成的圖案內部的空氣置換為處理液。預濕模組200構成為實施通過在鍍覆時將圖案內部的處理液置換為鍍覆液而容易向圖案內部供給鍍覆液的預濕處理。在本實施方式中，2台預濕模組200沿上下方向排列配置，但預濕模組200的數量及配置是任意的。

預浸模組300例如構成為實施利用硫酸、鹽酸等處理液對在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面形成的種晶層表面等存在的電阻大的氧化膜進行蝕刻去除而對鍍覆基底表面進行清洗或活化的預浸處理。在本實施方式中，2台預浸模組300沿上下方向排列配置，但預浸模組300的數量及配置是任意的。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。在本實施方式中，沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台鍍覆模組400的組件為兩組，合計設置有24台鍍覆模組400，但鍍覆模組400的數量及配置是任意的。

清洗模組500構成為為了去除鍍覆處理後的基板上殘留的鍍覆液等而對基板實施清洗處理。在本實施方式中，2台清洗模組500沿上下方向排列配置，但清洗模組500的數量及配置是任意的。旋轉沖洗乾燥模組600是用於使清洗處理後的基板高速旋轉而使其乾燥的模組。在本實施方式中，2台旋轉沖洗乾燥模組沿上下方向排列配置，但旋轉沖洗乾燥模組的數量及配置是任意的。輸送裝置700是用於在鍍覆裝置1000內的多個模組之間輸送基板的裝置。控制模組800構成為控制鍍覆裝置1000的多個模組，例如能夠由具備與操作人員之間的輸入輸出接口的一般的計算機或專用計算機構成。

對鍍覆裝置1000進行的一系列鍍覆處理的一個例子進行說明。首先，將收納於盒的基板搬入於裝載口100。接著，輸送機械臂110從裝載口100的盒取出基板，並將基板輸送至對準器120。對準器120使基板的定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準。輸送機械臂110將由對準器120對準了方向的基板交接給輸送裝置700。

輸送裝置700將從輸送機械臂110接收到的基板輸送給預濕模組200。預濕模組200對基板實施預濕處理。輸送裝置700將實施了預濕處理的基板輸送給預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。輸送裝置700將實施了預浸處理的基板輸送給鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

輸送裝置700將實施了鍍覆處理的基板輸送給清洗模組500。清洗模組500對基板實施清洗處理。輸送裝置700將實施了清洗處理的基板輸送給旋轉沖洗乾燥模組600。旋轉沖洗乾燥模組600對基板實施乾燥處理。輸送裝置700將實施了乾燥處理的基板交接給輸送機械臂110。輸送機械臂110將從輸送裝置700接收到的基板輸送給裝載口100的盒。最後，將收納基板的盒從裝載口100搬出。

（鍍覆模組的結構） 接下來，對鍍覆模組400的結構進行說明。本實施方式中的24台鍍覆模組400是相同的結構，因此僅對1台鍍覆模組400進行說明。圖3是簡要地示出第一實施方式的鍍覆模組400的結構的的縱向剖視圖。如圖3所示，鍍覆模組400具備用於收容鍍覆液的鍍覆槽410。鍍覆槽410構成為包括上表面開口的圓筒形的內槽412、和設置在內槽412的周圍以便積存從內槽412的上緣溢出的鍍覆液的外槽414。

鍍覆模組400具備將內槽412的內部沿上下方向隔開的隔膜420。內槽412的內部被隔膜420分隔成陰極區域422和陽極區域424。在陰極區域422和陽極區域424分別填充有鍍覆液。在陽極區域424的內槽412的底面設置有陽極430。在陰極區域422配置有與隔膜420對置的電阻體450。電阻體450是用於實現基板Wf的被鍍覆面Wf-a的鍍覆處理的均勻化的構件。此外，在本實施方式中，示出了設置有隔膜420的一個例子，但也可以不設置隔膜420。

另外，鍍覆模組400具備用於將基板Wf保持為被鍍覆面Wf-a朝向下方的狀態的基板保持件440。基板保持件440具備用於從未圖示的電源向基板Wf供電的供電接點。鍍覆模組400具備用於使基板保持件440升降的升降機構442。升降機構442例如能夠通過馬達等公知的機構來實現。鍍覆模組400構成為通過使用升降機構442來使基板Wf浸漬於陰極區域422的鍍覆液，並在陽極430與基板Wf之間施加電壓，由此對基板Wf的被鍍覆面Wf-a實施鍍覆處理。

本實施方式的鍍覆模組400構成為例如在鍍覆模組400啟動時從鍍覆槽410為空的狀態進行鍍覆液的加液的情況下，分別向陰極區域422和陽極區域424供給鍍覆液。從與陽極區域424連接的未圖示的供給配管向陽極區域424供給鍍覆液。另一方面，如圖3所示，為了向陰極區域422供給鍍覆液，在內槽412的側壁412a的比電阻體450靠下方且比隔膜420靠上方的位置形成有供給口412b。鍍覆模組400具備為了將鍍覆液供給至內槽412內的陰極區域422而與供給口412b連接的供給配管460。

這裡，在向陰極區域422加液時，存在由於鍍覆液在供給配管460中捲入空氣等而在內槽412內（陰極區域422）混入氣泡的情況。圖4是示意性地表示在電阻體450的背面停滯的氣泡的圖。如圖4所示，電阻體450由板狀構件構成，該板狀構件形成有沿上下方向延伸的多個貫通孔452，以將設置有陽極430的一側與供基板Wf浸漬的一側連通。當持續供給捲入了空氣的鍍覆液而在內槽412充滿鍍覆液時，如圖4所示，往往小的氣泡Bus經過電阻體450的貫通孔452並上升而從鍍覆液面逸出，但比電阻體450的貫通孔452大的氣泡Bub停滯在電阻體450的背面454。若氣泡Bub停滯在電阻體450的背面454，則可能會對鍍覆性能產生影響，因此不優選。此外，電阻體450不限定於本實施方式的結構，例如也能夠由多孔質板狀構件等構成。

對此，在第一實施方式的鍍覆模組400中，如圖3所示，在內槽412的側壁412a的與供給口412b對置的位置形成有排出口412c。鍍覆模組400具備為了將經由供給配管460供給至鍍覆槽410（內槽412）的鍍覆液排出而與排出口412c連接的旁通配管462。以下，對使用旁通配管462的鍍覆液的循環進行說明。

圖5是簡要地示出第一實施方式的鍍覆模組400的處理液的循環路徑的圖。如圖5所示，鍍覆模組400具備構成為積存鍍覆液的貯槽470。供給配管460的第一端部460a與貯槽470連接，第二端部460b與內槽412的供給口412b連接。在供給配管460設置有用於將積存於貯槽470的鍍覆液向內槽412射出的泵472。另外，在供給配管460設置有用於去除鍍覆液中包含的灰塵等異物的過濾器474、以及用於將鍍覆液保持在規定溫度的恆溫器476。

另一方面，旁通配管462的第一端部462a與內槽412的排出口412c連接，第二端部462b與貯槽470連接。在旁通配管462設置有流量調整機構480，該流量調整機構480構成為調整在旁通配管462流過的鍍覆液的流量。流量調整機構480例如可以是能夠對旁通配管462進行開閉的開閉閥，也可以是能夠對流過旁通配管462的鍍覆液的流量進行可變控制的調節閥。如果通過流量調整機構480使鍍覆液流過旁通配管462，則經由供給配管460供給至內槽412的鍍覆液經由旁通配管462被排出到貯槽470。另外，包含經由旁通配管462被排出的鍍覆液的貯槽470內的鍍覆液通過泵472經由供給配管460被供給至內槽412。其結果，鍍覆液在內槽412與貯槽470之間循環。此外，鍍覆模組400具備用於使積存於外槽414的鍍覆液返回到貯槽470的返回配管464。返回配管464的第一端部464a與外槽414連接，第二端部464b與貯槽470連接。

鍍覆模組400在進行加液的情況下，一邊調整泵472的射出量一邊使鍍覆液在內槽412與貯槽470之間循環，以使內槽412內的鍍覆液的液面不高於電阻體450的背面454。在鍍覆液在內槽412與貯槽470之間循環的期間，鍍覆液中包含的氣泡例如從內槽412內的鍍覆液的液面或者貯槽470內的鍍覆液的液面向大氣逸出。

鍍覆模組400例如進行通過實驗等經驗地得到的規定時間的鍍覆液的循環，由此能夠去除鍍覆液中包含的氣泡。鍍覆模組400在通過鍍覆液的循環去除了鍍覆液中的氣泡後，使用流量調整機構480關閉旁通配管462，由此停止鍍覆液的循環。另一方面，鍍覆模組400通過利用泵472向內槽412繼續供給不含氣泡的鍍覆液，由此能夠在內槽412充滿鍍覆液直到電阻體450的上方後，執行基板Wf的鍍覆處理。以上，根據本實施方式，能夠抑制在向鍍覆槽410（內槽412）加液時氣泡Bub停滯在電阻體450的背面454。此外，如圖3所示，例如昇降機構442、泵472、流量調整機構480等構成鍍覆模組400的各種構件能夠由具備處理裝置810（例如CPU）及存儲介質820的控制模組800控制。但是，不限於上述方式，鍍覆模組400也可以在通過鍍覆液的循環去除了鍍覆液中的氣泡後，使用流量調整機構480來縮小在旁通配管462流過的鍍覆液的流量，從而使少量的鍍覆液從旁通配管462繼續流過。在該情況下，鍍覆模組400通過縮小在旁通配管462流過的鍍覆液的流量，以使鍍覆液向內槽412的供給量比鍍覆液從旁通配管462排出的量多，從而能夠向內槽412填充（充滿）鍍覆液。

此外，在本實施方式中，示出了排出口412c形成在與供給口412b對置的位置的例子，但不限定於此。排出口412c只要形成在內槽412的側壁412a的比電阻體450靠下方且比隔膜420靠上方的位置即可。在鍍覆模組400不具備隔膜420的情況下，排出口412c只要形成在內槽412的側壁412a的比電阻體450靠下方的位置即可。作為一個例子，排出口412c也可以以位於比供給口412b靠上方的位置的方式形成於內槽412的側壁412a。由於供給至內槽412的鍍覆液中包含的氣泡存在於鍍覆液的上部，因此通過將排出口412c設置於比供給口412b高的位置，能夠容易將氣泡從排出口412c排出。另外，在本實施方式中，作為向鍍覆槽410加液的處理液的一個例子，說明了鍍覆液，但處理液不限於鍍覆液，也可以是用於清洗鍍覆槽410的清洗液。清洗液例如可以是純水，也可以是稀硫酸、檸檬酸、添加劑成分等針對有機物污染的鹼性水溶液（氫氧化鈉、氫氧化鉀等）、SPM（Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸過氧化氫混合物）溶液，也可以是針對金屬污染的硝酸等水溶液。

圖6是簡要地示出第二實施方式的鍍覆模組的處理液的循環路徑的圖。第二實施方式的鍍覆模組除了具備配管氣泡檢測傳感器482之外，與第一實施方式為相同的結構，因此對於與第一實施方式重複的結構省略說明。

如圖6所示，第二實施方式的鍍覆模組400具備配管氣泡檢測傳感器482，該配管氣泡檢測傳感器482構成為檢測在供給配管460流過的鍍覆液中的氣泡的存在。配管氣泡檢測傳感器482例如可以是能夠對流過供給配管460的鍍覆液發送超聲波，並且接收在鍍覆液傳播的超聲波，基於接收到的超聲波的強度來檢測氣泡的存在的超聲波傳感器，但不限定於超聲波傳感器。第二實施方式的鍍覆模組400能夠與第一實施方式同樣地一邊使鍍覆液循環一邊通過配管氣泡檢測傳感器482來判定鍍覆液中包含的氣泡是否已被去除。

在第二實施方式的鍍覆模組400中，流量調整機構480能夠根據配管氣泡檢測傳感器482的檢測結果來調整在旁通配管462流過的鍍覆液的流量。具體而言，流量調整機構480在通過配管氣泡檢測傳感器482在鍍覆液中在規定時間內沒有檢測到氣泡的存在的情況下，能夠關閉旁通配管462而停止鍍覆液的循環。根據本實施方式，能夠使用配管氣泡檢測傳感器482來確認鍍覆液中是否存在氣泡，因此能夠在鍍覆液中不含氣泡之後停止鍍覆液的循環，在內槽412積存鍍覆液。其結果，根據本實施方式，能夠更可靠地抑制在向內槽412加液時，氣泡Bub停滯在電阻體450的背面454。此外，在本實施方式中，示出了在供給配管460設置有配管氣泡檢測傳感器482的例子，但配管氣泡檢測傳感器482也可以設置於旁通配管462，也能夠檢測在旁通配管462流過的鍍覆液中的氣泡的存在。

圖7是簡要地示出第三實施方式的鍍覆模組的處理液的循環路徑的圖。第三實施方式的鍍覆模組除了具備脫氣模組484之外，與第二實施方式為相同的結構，因此對於與第二實施方式重複的結構省略說明。

如圖7所示，鍍覆模組400具備脫氣模組484，該脫氣模組484構成為去除在旁通配管462流過的鍍覆液中包含的氣泡。在本實施方式中，在鍍覆液在內槽412與貯槽470之間循環的期間，鍍覆液中包含的氣泡被脫氣模組484脫氣。在本實施方式中，示出了脫氣模組484設置於旁通配管462的例子，但不限於此，脫氣模組484也可以設置於供給配管460。

根據本實施方式，通過使用脫氣模組484能夠高效地去除鍍覆液中的氣泡，因此能夠更可靠地抑制在向內槽412加液時氣泡Bub停滯在電阻體450的背面454。另外，通過使用脫氣模組484能夠高效地去除鍍覆液中的氣泡，因此能夠縮短用於去除氣泡的鍍覆液的循環時間，其結果，能夠在鍍覆模組400啟動時等迅速地執行向鍍覆槽410的加液。此外，在圖5~圖7的實施方式中，示出了一個貯槽470連接於一個鍍覆槽410的例子，但不限定於此。多個（例如兩個）鍍覆槽410也可以以同樣的配管構造連接於一個貯槽470。即，多個鍍覆槽410也可以以同樣的配管構造共用一個貯槽470。

圖8是簡要地示出第四實施方式的鍍覆模組的結構的縱向剖視圖。第四實施方式的鍍覆模組除了具備電阻體氣泡檢測傳感器490之外，與第一實施方式為相同的結構，因此對於與第一實施方式重複的結構省略說明。

如圖8所示，鍍覆模組400具備用於檢測電阻體450的與陽極430對置的面（背面454）處的氣泡的存在的電阻體氣泡檢測傳感器490。電阻體氣泡檢測傳感器490能夠由超聲波傳感器構成，該超聲波傳感器包括：超聲波發送構件492，構成為沿著電阻體450的與陽極430對置的面（背面454）發送超聲波；和超聲波接收構件494，構成為接收從超聲波發送構件492發送的超聲波。

根據本實施方式，能夠通過電阻體氣泡檢測傳感器490來確認電阻體450的背面454處是否存在氣泡。因此，例如，通過在向內槽412加液時使鍍覆液循環來去除鍍覆液中的氣泡，在內槽412充滿鍍覆液後，能夠確認在電阻體450的背面454沒有停滯氣泡。鍍覆模組400在由電阻體氣泡檢測傳感器490在電阻體450的背面454檢測到氣泡的情況下，能夠發出警報，再次進行鍍覆液的循環。鍍覆模組400在通過電阻體氣泡檢測傳感器490在電阻體450的背面454沒有檢測到氣泡的情況下，能夠執行鍍覆處理。

圖9是簡要地示出第五實施方式的鍍覆模組的結構的縱向剖視圖。第五實施方式的鍍覆模組除了具備傾斜機構416之外，與第四實施方式為相同的結構，因此對於與第四實施方式重複的結構省略說明。

如圖9所示，鍍覆模組400具備傾斜機構416，該傾斜機構416構成為使鍍覆槽410傾斜。傾斜機構416例如能夠通過傾斜機構等公知的機構來實現。如圖9所示，鍍覆模組400能夠在使鍍覆槽410傾斜的狀態下，通過電阻體氣泡檢測傳感器490來確認電阻體450的背面454處是否存在氣泡。

即，電阻體450形成為圓板狀，以適合於圓筒形狀的內槽412。因此，在存在通過鍍覆液的循環而未被去除的氣泡的情況下，氣泡停滯在電阻體450的圓形的背面454的任意位置。這裡，在氣泡停滯在從超聲波發送構件492發送並由超聲波接收構件494接收的超聲波的傳播路徑以外的位置的情況下，存在該氣泡不能被電阻體氣泡檢測傳感器490檢測到的擔憂。

對此，在本實施方式中，通過使鍍覆槽410傾斜，電阻體450也傾斜，因此在氣泡停滯在電阻體450的背面454的情況下，如圖9所示，氣泡移動到傾斜的電阻體450的上端附近。而且，超聲波接收構件494配置於隨著鍍覆槽410的傾斜而傾斜的電阻體450的上端的附近。因此，本實施方式的鍍覆模組400在氣泡停滯在電阻體450的背面454的情況下，通過使該氣泡移動到基於電阻體氣泡檢測傳感器490的超聲波的傳播路徑，能夠可靠地檢測停滯在背面454的氣泡的存在。

此外，鍍覆模組400在通過電阻體氣泡檢測傳感器490在電阻體450的背面454沒有檢測到氣泡的情況下，能夠通過傾斜機構416使鍍覆槽410返回到水平之後執行鍍覆處理。另外，鍍覆模組400也能夠使基板保持件440傾斜以使基板Wf與陽極430平行而執行鍍覆處理。

接下來，對本實施方式的氣泡去除方法進行說明。圖10是使用鍍覆模組的氣泡去除方法的流程圖。本實施方式的氣泡去除方法在鍍覆模組400加液時執行。如圖10所示，氣泡去除方法使用泵472將儲存於貯槽470的鍍覆液從供給配管460供給到內槽412（供給步驟102）。接著，氣泡去除方法將通過供給步驟102供給至內槽412的鍍覆液從旁通配管462排出到貯槽470（排出步驟104）。

接著，氣泡去除方法使用配管氣泡檢測傳感器482來判定在流過供給配管460的鍍覆液中是否檢測到氣泡的存在（配管氣泡檢測步驟106）。氣泡去除方法當在流過供給配管460的鍍覆液中檢測到氣泡的存在時（配管氣泡檢測步驟106，是），將包含通過排出步驟104排出的鍍覆液在內的儲存於貯槽470的鍍覆液從供給配管460供給至內槽412（循環步驟107）。氣泡去除方法在循環步驟107之後返回到排出步驟104，重複進行排出步驟104、配管氣泡檢測步驟106以及循環步驟107。

此外，在鍍覆模組400不具備配管氣泡檢測傳感器482的情況下，不執行配管氣泡檢測步驟106。在該情況下，氣泡去除方法例如在通過實驗等經驗地得到的規定時間內，重複進行排出步驟104及循環步驟107來進行鍍覆液的循環，由此能夠去除鍍覆液中包含的氣泡。另外，供給步驟102和循環步驟107在通過泵472將儲存於貯槽470的鍍覆液供給至內槽412這一點上是同一動作，但在供給至內槽412的鍍覆液是否包含從內槽412排出的鍍覆液這一點上不同，因此記載為不同的步驟。

另一方面，氣泡去除方法當在流過供給配管460的鍍覆液中沒有檢測到氣泡的存在時（配管氣泡檢測步驟106，否），使用流量調整機構480調整在旁通配管462流過的鍍覆液的流量（流量調整步驟108）。流量調整步驟108例如在流量調整機構480為開閉閥的情況下，通過關閉開閉閥來停止鍍覆液的循環。由此，不從旁通配管462排出鍍覆液，而繼續向內槽412供給鍍覆液，從而在內槽412充滿鍍覆液。

接著，氣泡去除方法使用傾斜機構416使內槽412傾斜（傾斜步驟109）。此外，在鍍覆模組400不具備傾斜機構416的情況下，不執行傾斜步驟109。接著，氣泡去除方法使用電阻體氣泡檢測傳感器490來判定在電阻體450的背面454處是否檢測到氣泡的存在（電阻體氣泡檢測步驟110）。氣泡去除方法當在電阻體450的背面454檢測到氣泡的存在時（電阻體氣泡檢測步驟110，是），發出警報（步驟112）。

另一方面，氣泡去除方法當在電阻體450的背面454沒有檢測到氣泡的存在時（電阻體氣泡檢測步驟110，否），將基板Wf保持於基板保持件440（步驟114）。接著，氣泡去除方法使基板Wf浸漬於鍍覆液而執行鍍覆處理（步驟116）。

根據本實施方式的氣泡去除方法，通過使鍍覆液在內槽412與貯槽470之間循環，能夠將鍍覆液中包含的氣泡從例如內槽412內的鍍覆液的液面或者貯槽470內的鍍覆液的液面去除。因此，根據本實施方式的氣泡去除方法，能夠抑制在向鍍覆槽410（內槽412）加液時氣泡停滯在電阻體450的背面454。

如圖3等所示，控制模組800具備處理裝置810（例如CPU）以及存儲介質820。在存儲介質820，除在鍍覆裝置1000中使用的各種數據之外，還儲存有用於使鍍覆裝置1000的計算機（控制模組800）執行上述氣泡去除方法中的各步驟的程序。控制模組800的處理裝置810（例如CPU）能夠讀出並執行儲存於存儲介質820的程序。該程序能夠被記錄於計算機可讀取的存儲介質，並經由存儲介質提供給控制模組800。或者，該程序也可以經由因特網等通信網絡提供給控制模組800。

以上，對幾個本發明的實施方式進行了說明，但上述的發明的實施方式是為了容易理解本發明，而不限定本發明。本發明當然能夠在不脫離主旨的情況下進行變更、改進，並且在本發明中包括其等效物。另外，在能夠解決上述課題的至少一部分的範圍或者起到效果的至少一部分的範圍內，能夠進行發明申請專利範圍以及說明書所記載的各構成要素的任意的組合或者省略。

作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，其包括：鍍覆槽；基板保持件，用於將基板保持為被鍍覆面朝向下方的狀態；升降機構，用於使上述基板保持件升降；陽極，配置在上述鍍覆槽內，以與由上述基板保持件保持的的基闆對置；電阻體，配置在上述陽極與上述基板之間；供給配管，用於將儲存於貯槽的處理液從比上述電阻體靠下方的位置供給到上述鍍覆槽；以及旁通配管，用於將經由上述供給配管供給至鍍覆槽的處理液從比上述電阻體靠下方的位置排出到上述貯槽。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，其還包括泵，該泵用於將包含從上述旁通配管排出的處理液在內的儲存於上述貯槽的處理液經由上述供給配管向上述鍍覆槽射出。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，其還包括配管氣泡檢測傳感器，該配管氣泡檢測傳感器構成為檢測在上述供給配管或者上述旁通配管流過的處理液中的氣泡的存在。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，上述配管氣泡檢測傳感器為超聲波傳感器。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，其還包括流量調整機構，該流量調整機構構成為根據上述配管氣泡檢測傳感器的檢測結果，調整在上述旁通配管流過的處理液的流量。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，其還包括電阻體氣泡檢測傳感器，該電阻體氣泡檢測傳感器用於檢測上述電阻體的與上述陽極對置的表面處的氣泡的存在。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，上述電阻體氣泡檢測傳感器是超聲波傳感器，該超聲波傳感器包括：超聲波發送構件，構成為沿著上述電阻體的與上述陽極對置的面發送超聲波；和超聲波接收構件，構成為接收從上述超聲波發送部發送的超聲波。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，其還包括傾斜機構，該傾斜機構構成為使上述鍍覆槽傾斜，上述超聲波接收構件配置於隨著上述傾斜機構引起的上述鍍覆槽的傾斜而傾斜的上述電阻體的上端附近。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，其還包括脫氣模組，該脫氣模組構成為對流過上述供給配管或上述旁通配管的處理液進行脫氣。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，其還包括將配置有上述陽極的區域與配置有上述電阻體的區域隔開的隔膜，上述供給配管以及上述旁通配管被連接在上述鍍覆槽的上述隔膜與上述電阻體之間。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，上述電阻體包括配置為分隔上述陽極與上述基板之間的多孔質板狀構件或者形成有將上述陽極側與上述基板側連通的多個貫通孔的板狀構件。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種鍍覆裝置，上述處理液是鍍覆液，或者用於清洗上述鍍覆槽的清洗液。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種氣泡去除方法，其是在杯式的鍍覆裝置的鍍覆槽積存處理液時的氣泡去除方法，包括：供給步驟，將儲存於貯槽的處理液從比配置在收容於上述鍍覆槽的陽極與基板之間的電阻體靠下方的位置經由供給配管供給到上述鍍覆槽；排出步驟，將通過上述供給步驟供給至上述鍍覆槽的處理液從比上述電阻體靠下方的位置經由旁通配管排出到上述貯槽；以及循環步驟，將包含通過上述排出步驟排出的處理液的儲存於上述貯槽的處理液從上述供給配管供給到上述鍍覆槽。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種氣泡去除方法，其還包括配管氣泡檢測步驟，該配管氣泡檢測步驟檢測在上述供給配管或者上述旁通配管流過的處理液中的氣泡的存在。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種氣泡去除方法，其還包括流量調整步驟，該流量調整步驟根據上述配管氣泡檢測步驟的檢測結果，調整在上述旁通配管流過的處理液的流量。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種氣泡去除方法，其還包括電阻體氣泡檢測步驟，該電阻體氣泡檢測步驟用於檢測上述電阻體的與上述陽極對置的表面處的氣泡的存在。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種氣泡去除方法，其還包括傾斜步驟，該傾斜步驟在執行上述電阻體氣泡檢測步驟之前，使上述鍍覆槽傾斜。

另外，作為一個實施方式，本申請公開了一種存儲介質，其儲存用於使鍍覆裝置的計算機執行在將處理液積存於鍍覆槽時的氣泡去除方法的程序，上述氣泡去除方法包括：供給步驟，將儲存於貯槽的處理液從比配置在收容於杯式的鍍覆裝置的鍍覆槽的陽極與基板之間的電阻體靠下方的位置經由供給配管供給到上述鍍覆槽；排出步驟，將通過上述供給步驟供給到上述鍍覆槽的處理液從比上述電阻體靠下方的位置經由旁通配管排出到上述貯槽；以及循環步驟，將包含通過上述排出步驟排出的處理液在內的儲存於上述貯槽的處理液從上述供給配管供給到上述鍍覆槽。

100:裝載口 102~109:步驟 110:輸送機械臂 112~116:步驟 120:對準器 200:預濕模組 300:預浸模組 400:鍍覆模組 410:鍍覆槽 412:內槽 412a:側壁 412b:供給口 412c:排出口 414:外槽 416:傾斜機構 420:隔膜 422:陰極區域 424:陽極區域 430:陽極 440:基板保持件 442:升降機構 450:電阻體 452:貫通孔 454:背面 460:供給配管 460a:第一端部 460b:第二端部 462:旁通配管 462a:第一端部 464:返回配管 464a:第一端部 464b:第二端部 470:貯槽 472:泵 474:過濾器 476:恆溫器 480:流量調整機構 482:配管氣泡檢測傳感器 484:脫氣模組 490:電阻體氣泡檢測傳感器 492:超聲波發送構件 494:超聲波接收構件 500:清洗模組 600:旋轉沖洗乾燥模組 700:輸送裝置 800:控制模組 810:處理裝置 820:存儲介質 1000:鍍覆裝置 Bub:大的氣泡 Bus:小的氣泡 Wf:基板 Wf-a:被鍍覆面

圖1係表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的立體圖。 圖2係表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的俯視圖。 圖3係說明第一實施方式的鍍覆模塊的結構的縱向剖視圖。 圖4係示意性地示出在電阻體的背面停滯的氣泡的圖。 圖5係說明第一實施方式的鍍覆模塊的處理液的循環路徑的圖。 圖6係說明第二實施方式的鍍覆模塊的處理液的循環路徑的圖。 圖7係說明第三實施方式的鍍覆模塊的處理液的循環路徑的圖。 圖8係說明第四實施方式的鍍覆模塊的結構的縱向剖視圖。 圖9係說明第五實施方式的鍍覆模塊的結構的縱向剖視圖。 圖10係使用鍍覆模塊的氣泡去除方法的流程圖。

400:鍍覆模組

410:鍍覆槽

412:內槽

412a:側壁

412b:供給口

412c:排出口

414:外槽

420:隔膜

422:陰極區域

424:陽極區域

430:陽極

440:基板保持件

442:升降機構

450:電阻體

454:背面

460:供給配管

462:旁通配管

800:控制模組

810:控制模組

820:存儲介質

Wf:基板

Wf-a:被鍍覆面

Claims (20)

1. 一種鍍覆裝置，其中，包括： 鍍覆槽； 基板保持件，用於以將被鍍覆面朝向下方的狀態對基板進行保持； 升降機構，用於使所述基板保持件升降； 陽極，配置在所述鍍覆槽內，以便與被所述基板保持件保持的基闆對置； 電阻體，配置在所述陽極與所述基板之間； 隔膜，將配置有所述陽極的區域與配置有所述電阻體的區域隔開； 供給配管，用於將儲存於貯槽的處理液從比所述電阻體靠下方的位置供給至所述鍍覆槽；以及 旁通配管，用於將經由所述供給配管供給至鍍覆槽的處理液從比所述電阻體靠下方的位置排出至所述貯槽， 所述供給配管以及所述旁通配管被連接在所述鍍覆槽的所述隔膜與所述電阻體之間。
2. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中， 所述鍍覆裝置還包括泵，所述泵用於將包含從所述旁通配管排出的處理液在內的儲存於所述貯槽的處理液經由所述供給配管向所述鍍覆槽射出。
3. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中， 所述鍍覆裝置還包括流量調整機構，所述流量調整機構構成為調整在所述旁通配管中流過的處理液的流量， 所述流量調整機構構成為在使經由所述旁通配管、所述貯槽以及所述供給配管的處理液的循環進行了規定時間之後，停止處理液的循環。
4. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中， 所述鍍覆裝置還包括配管氣泡檢測傳感器，所述配管氣泡檢測傳感器構成為檢測在所述供給配管或者所述旁通配管中流過的處理液中的氣泡的存在。
5. 如請求項4所述的鍍覆裝置，其中， 所述配管氣泡檢測傳感器是超聲波傳感器。
6. 如請求項4所述的鍍覆裝置，其中， 所述鍍覆裝置還包括流量調整機構，所述流量調整機構根據所述配管氣泡檢測傳感器的檢測結果，調整在所述旁通配管中流過的處理液的流量。
7. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中， 所述鍍覆裝置還包括電阻體氣泡檢測傳感器，所述電阻體氣泡檢測傳感器用於檢測所述電阻體的與所述陽極對置的表面處的氣泡的存在。
8. 如請求項7所述的鍍覆裝置，其中， 所述電阻體氣泡檢測傳感器是超聲波傳感器， 所述超聲波傳感器包括： 超聲波發送構件，構成為沿著所述電阻體的與所述陽極對置的表面發送超聲波；和 超聲波接收構件，構成為接收由所述超聲波發送部發送的超聲波。
9. 如請求項8所述的鍍覆裝置，其中， 所述鍍覆裝置還包括傾斜機構，所述傾斜機構構成為使所述鍍覆槽傾斜， 所述超聲波接收構件配置在隨著所述傾斜機構引起的所述鍍覆槽的傾斜而傾斜的所述電阻體的上端的附近。
10. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中， 所述鍍覆裝置還包括脫氣模組，所述脫氣模組構成為對流過所述供給配管或者所述旁通配管的處理液進行脫氣。
11. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中， 所述電阻體包括配置為將所述陽極與所述基板之間分隔的多孔質板狀構件或者形成有多個貫通孔的板狀構件，該多個貫通孔將所述陽極側與所述基板側連通。
12. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中， 所述處理液是鍍覆液，或者用於清洗所述鍍覆槽的清洗液。
13. 一種氣泡去除方法，是在將處理液積存於杯式的鍍覆裝置的鍍覆槽時的氣泡去除方法，其中，包括： 供給步驟，將儲存於貯槽的處理液從比配置在收容於所述鍍覆槽的陽極與基板之間的電阻體靠下方的位置經由供給配管供給至所述鍍覆槽； 排出步驟，將通過所述供給步驟供給至所述鍍覆槽的處理液從比所述電阻體靠下方的位置經由旁通配管排出至所述貯槽；以及 循環步驟，將包含通過所述排出步驟排出的處理液在內的儲存於所述貯槽的處理液從所述供給配管供給至所述鍍覆槽， 所述鍍覆槽包括將配置有所述陽極的區域與配置有所述電阻體的區域隔開的隔膜， 所述供給配管以及所述旁通配管被連接在所述鍍覆槽的所述隔膜與所述電阻體之間。
14. 如請求項13所述的氣泡去除方法，其中， 所述氣泡去除方法具有在進行了規定時間的所述循環步驟後停止處理液的循環的停止步驟。
15. 如請求項13所述的氣泡去除方法，其中， 所述氣泡去除方法還包括配管氣泡檢測步驟，所述配管氣泡檢測步驟檢測在所述供給配管或者所述旁通配管中流過的處理液中的氣泡的存在。
16. 如請求項15所述的氣泡去除方法，其中， 所述氣泡去除方法還包括流量調整步驟，所述流量調整步驟根據所述配管氣泡檢測步驟的檢測結果，調整在所述旁通配管中流過的處理液的流量。
17. 如請求項13所述的氣泡去除方法，其中， 所述氣泡去除方法還包括電阻體氣泡檢測步驟，所述電阻體氣泡檢測步驟用於檢測所述電阻體的與所述陽極對置的表面處的氣泡的存在。
18. 如請求項17所述的氣泡去除方法，其中， 所述氣泡去除方法還包括傾斜步驟，所述傾斜步驟在執行所述電阻體氣泡檢測步驟前，使所述鍍覆槽傾斜。
19. 一種存儲介質，是儲存用於使鍍覆裝置的計算機執行在將處理液積存於鍍覆槽時的氣泡去除方法的程序的存儲介質，其中， 所述氣泡去除方法包括： 供給步驟，將儲存於貯槽的處理液從比配置在收容於杯式的鍍覆裝置的鍍覆槽的陽極與基板之間的電阻體靠下方的位置經由供給配管供給至所述鍍覆槽； 排出步驟，將通過所述供給步驟供給至所述鍍覆槽的處理液從比所述電阻體靠下方的位置經由旁通配管排出至所述貯槽；以及 循環步驟，將包含通過所述排出步驟排出的處理液在內的儲存於所述貯槽的處理液從所述供給配管供給至所述鍍覆槽， 所述鍍覆槽包括將配置有所述陽極的區域與配置有所述電阻體的區域隔開的隔膜， 所述供給配管以及所述旁通配管被連接在所述鍍覆槽的所述隔膜與所述電阻體之間。
20. 如請求項19所述的存儲介質，其中， 所述氣泡去除方法具有在進行了規定時間的所述循環步驟後停止處理液的循環的停止步驟。

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