CN114277423A - 镀覆装置、气泡除去方法、以及存储介质 - Google Patents

镀覆装置、气泡除去方法、以及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN114277423A
CN114277423A CN202111142362.0A CN202111142362A CN114277423A CN 114277423 A CN114277423 A CN 114277423A CN 202111142362 A CN202111142362 A CN 202111142362A CN 114277423 A CN114277423 A CN 114277423A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plating
tank
resistor
bubble
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111142362.0A
Other languages
English (en)
Inventor
辻一仁
下山正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN114277423A publication Critical patent/CN114277423A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/16—Regeneration of process solutions
    • C25D21/18—Regeneration of process solutions of electrolytes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/008—Current shielding devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02—Tanks; Installations therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/16—Regeneration of process solutions
    • C25D21/20—Regeneration of process solutions of rinse-solutions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02—Analysing fluids
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/222—Constructional or flow details for analysing fluids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/04—Electroplating with moving electrodes
    • C25D5/06—Brush or pad plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及镀覆装置、气泡除去方法、以及存储介质，本发明抑制在向镀覆槽加液时气泡停滞在电阻体的背面。镀覆模块(400)包括：镀覆槽(410)；基板保持件(440)，用于将基板(Wf)保持为被镀覆面(Wf‑a)朝向下方的状态；升降机构(442)，用于使基板保持件(440)升降；阳极(430)，配置在镀覆槽(410)内，以便与由基板保持件(440)保持的基板(Wf)对置；电阻体(450)，配置在阳极(430)与基板(Wf)之间；供给配管(460)，用于将储存于贮槽的处理液从比电阻体(450)靠下方的位置供给到镀覆槽(410)；以及旁通配管(462)，用于将经由供给配管(460)供给至镀覆槽(410)的处理液从比电阻体(450)靠下方的位置排出到贮槽。

Description

镀覆装置、气泡除去方法、以及存储介质
技术领域
本申请涉及镀覆装置、气泡除去方法、以及储存用于使镀覆装置的计算机执行气泡除去方法的程序的存储介质。本申请主张基于在2020年10月1日申请的日本专利申请编号第2020-166988号的优先权。日本专利申请编号第2020-166988号的包括说明书、权利要求书、附图以及摘要的全部的公开内容通过参照而整体被本申请引用。
背景技术
作为镀覆装置的一个例子，公知有杯式的电镀装置。杯式的电镀装置使被镀覆面朝向下方地将保持于基板保持件的基板(例如半导体晶片)浸渍于镀覆液，在基板与阳极之间施加电压，从而使导电膜在基板的表面析出。
例如如专利文献1所公开的那样，公知在杯式的电镀装置中，向镀覆槽供给镀覆液，将从镀覆槽的上缘溢出的镀覆液积存于槽，使积存于槽的镀覆液在镀覆槽循环。
专利文献1：日本特开2008-19496号公报
然而，现有技术的电镀装置没有考虑在向镀覆槽加液时气泡停滞在电阻体的背面的情况。
即，杯式的电镀装置往往为了向基板的被镀覆面供给均匀的电场而具备配置在阳极与基板之间的电阻体。电阻体可以由多孔质板状部件或者形成有将阳极侧与基板侧连通的多个贯通孔的板状部件构成。
这里，在从镀覆槽为空的状态进行镀覆液等处理液的加液时，有时因处理液的供给配管内的空气的卷入等而在镀覆槽内混入气泡。若保持原状地继续加液而将处理液充满镀覆槽，则往往小的气泡经过电阻体的多孔性孔或贯通孔并上升而从处理液的液面逸出，而比电阻体的多孔性孔或贯通孔大的气泡停滞在电阻体的背面。若气泡停滞在电阻体的背面，则可能会对镀覆性能产生影响，因此不优选。
发明内容
因此，本申请的一个目的在于抑制在向镀覆槽加液时气泡停滞在电阻体的背面。
根据一个实施方式，公开一种镀覆装置，包括：镀覆槽；基板保持件，用于将基板保持为被镀覆面朝向下方的状态；升降机构，用于使上述基板保持件升降；阳极，配置在上述镀覆槽内，以便与由上述基板保持件保持的基板对置；电阻体，配置在上述阳极与上述基板之间；供给配管，用于将储存于贮槽的处理液从比上述电阻体靠下方的位置供给到上述镀覆槽；以及旁通配管，用于将经由上述供给配管供给至镀覆槽的处理液从比上述电阻体靠下方的位置排出到上述贮槽。
附图说明
图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。
图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。
图3是简要地示出第一实施方式的镀覆模块的结构的纵向剖视图。
图4是示意性地示出在电阻体的背面停滞的气泡的图。
图5是简要地示出第一实施方式的镀覆模块的处理液的循环路径的图。
图6是简要地示出第二实施方式的镀覆模块的处理液的循环路径的图。
图7是简要地示出第三实施方式的镀覆模块的处理液的循环路径的图。
图8是简要地示出第四实施方式的镀覆模块的结构的纵向剖视图。
图9是简要地示出第五实施方式的镀覆模块的结构的纵向剖视图。
图10是使用镀覆模块的气泡除去方法的流程图。
附图标记说明
410…镀覆槽；412…内槽；412a…侧壁；412b…供给口；412c…排出口；414…外槽；416…倾斜机构；420…隔膜；422…阴极区域；424…阳极区域；430…阳极；440…基板保持件；442…升降机构；450…电阻体；452…贯通孔；454…背面；460…供给配管；462…旁通配管；470…贮槽；472…泵；480…流量调整机构；482…配管气泡检测传感器；484…脱气模块；490…电阻体气泡检测传感器；492…超声波发送部件；494…超声波接收部件；800…控制模块；810…处理装置；820…存储介质；1000…镀覆装置；Bub…气泡；Wf…基板；Wf-a…被镀覆面。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下说明的附图中，对相同或者相当的构成要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。
＜镀覆装置的整体结构＞
图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。如图1、2所示，镀覆装置1000具备装载口100、输送机械臂110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转冲洗干燥模块600、输送装置700以及控制模块800。
装载口100是用于将收纳于未图示的FOUP等盒的基板搬入于镀覆装置1000或者从镀覆装置1000向盒搬出基板的模块。在本实施方式中，4台装载口100沿水平方向排列配置，但装载口100的数量及配置是任意的。输送机械臂110是用于输送基板的机械臂，构成为在装载口100、对准器120以及输送装置700之间交接基板。输送机械臂110及输送装置700能够在输送机械臂110与输送装置700之间交接基板时，经由未图示的临时放置台进行基板的交接。
对准器120是用于使基板的定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准的模块。在本实施方式中，2台对准器120沿水平方向排列配置，但对准器120的数量及配置是任意的。预湿模块200是通过使纯水或脱气水等处理液润湿镀覆处理前的基板的被镀覆面，将在基板表面形成的图案内部的空气置换为处理液。预湿模块200构成为实施通过在镀覆时将图案内部的处理液置换为镀覆液而容易向图案内部供给镀覆液的预湿处理。在本实施方式中，2台预湿模块200沿上下方向排列配置，但预湿模块200的数量及配置是任意的。
预浸模块300例如构成为实施利用硫酸、盐酸等处理液对在镀覆处理前的基板的被镀覆面形成的种子层表面等存在的电阻大的氧化膜进行蚀刻除去而对镀覆基底表面进行清洗或活化的预浸处理。在本实施方式中，2台预浸模块300沿上下方向排列配置，但预浸模块300的数量及配置是任意的。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。在本实施方式中，沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台镀覆模块400的组件为两组，合计设置有24台镀覆模块400，但镀覆模块400的数量及配置是任意的。
清洗模块500构成为为了除去镀覆处理后的基板上残留的镀覆液等而对基板实施清洗处理。在本实施方式中，2台清洗模块500沿上下方向排列配置，但清洗模块500的数量及配置是任意的。旋转冲洗干燥模块600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而使其干燥的模块。在本实施方式中，2台旋转冲洗干燥模块沿上下方向排列配置，但旋转冲洗干燥模块的数量及配置是任意的。输送装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块之间输送基板的装置。控制模块800构成为控制镀覆装置1000的多个模块，例如能够由具备与操作人员之间的输入输出接口的一般的计算机或专用计算机构成。
对镀覆装置1000进行的一系列镀覆处理的一个例子进行说明。首先，将收纳于盒的基板搬入于装载口100。接着，输送机械臂110从装载口100的盒取出基板，并将基板输送至对准器120。对准器120使基板的定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准。输送机械臂110将由对准器120对准了方向的基板交接给输送装置700。
输送装置700将从输送机械臂110接收到的基板输送给预湿模块200。预湿模块200对基板实施预湿处理。输送装置700将实施了预湿处理的基板输送给预浸模块300。预浸模块300对基板实施预浸处理。输送装置700将实施了预浸处理的基板输送给镀覆模块400。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。
输送装置700将实施了镀覆处理的基板输送给清洗模块500。清洗模块500对基板实施清洗处理。输送装置700将实施了清洗处理的基板输送给旋转冲洗干燥模块600。旋转冲洗干燥模块600对基板实施干燥处理。输送装置700将实施了干燥处理的基板交接给输送机械臂110。输送机械臂110将从输送装置700接收到的基板输送给装载口100的盒。最后，将收纳基板的盒从装载口100搬出。
＜镀覆模块的结构＞
接下来，对镀覆模块400的结构进行说明。本实施方式中的24台镀覆模块400是相同的结构，因此仅对1台镀覆模块400进行说明。图3是简要地示出第一实施方式的镀覆模块400的结构的的纵向剖视图。如图3所示，镀覆模块400具备用于收容镀覆液的镀覆槽410。镀覆槽410构成为包括上表面开口的圆筒形的内槽412、和设置在内槽412的周围以便积存从内槽412的上缘溢出的镀覆液的外槽414。
镀覆模块400具备将内槽412的内部沿上下方向隔开的隔膜420。内槽412的内部被隔膜420分隔成阴极区域422和阳极区域424。在阴极区域422和阳极区域424分别填充有镀覆液。在阳极区域424的内槽412的底面设置有阳极430。在阴极区域422配置有与隔膜420对置的电阻体450。电阻体450是用于实现基板Wf的被镀覆面Wf-a的镀覆处理的均匀化的部件。此外，在本实施方式中，示出了设置有隔膜420的一个例子，但也可以不设置隔膜420。
另外，镀覆模块400具备用于将基板Wf保持为被镀覆面Wf-a朝向下方的状态的基板保持件440。基板保持件440具备用于从未图示的电源向基板Wf供电的供电接点。镀覆模块400具备用于使基板保持件440升降的升降机构442。升降机构442例如能够通过马达等公知的机构来实现。镀覆模块400构成为通过使用升降机构442来使基板Wf浸渍于阴极区域422的镀覆液，并在阳极430与基板Wf之间施加电压，由此对基板Wf的被镀覆面Wf-a实施镀覆处理。
本实施方式的镀覆模块400构成为例如在镀覆模块400启动时从镀覆槽410为空的状态进行镀覆液的加液的情况下，分别向阴极区域422和阳极区域424供给镀覆液。从与阳极区域424连接的未图示的供给配管向阳极区域424供给镀覆液。另一方面，如图3所示，为了向阴极区域422供给镀覆液，在内槽412的侧壁412a的比电阻体450靠下方且比隔膜420靠上方的位置形成有供给口412b。镀覆模块400具备为了将镀覆液供给至内槽412内的阴极区域422而与供给口412b连接的供给配管460。
这里，在向阴极区域422加液时，存在由于镀覆液在供给配管460中卷入空气等而在内槽412内(阴极区域422)混入气泡的情况。图4是示意性地表示在电阻体450的背面停滞的气泡的图。如图4所示，电阻体450由板状部件构成，该板状部件形成有沿上下方向延伸的多个贯通孔452，以将设置有阳极430的一侧与供基板Wf浸渍的一侧连通。当持续供给卷入了空气的镀覆液而在内槽412充满镀覆液时，如图4所示，往往小的气泡Bus经过电阻体450的贯通孔452并上升而从镀覆液面逸出，但比电阻体450的贯通孔452大的气泡Bub停滞在电阻体450的背面454。若气泡Bub停滞在电阻体450的背面454，则可能会对镀覆性能产生影响，因此不优选。此外，电阻体450不限定于本实施方式的结构，例如也能够由多孔质板状部件等构成。
对此，在第一实施方式的镀覆模块400中，如图3所示，在内槽412的侧壁412a的与供给口412b对置的位置形成有排出口412c。镀覆模块400具备为了将经由供给配管460供给至镀覆槽410(内槽412)的镀覆液排出而与排出口412c连接的旁通配管462。以下，对使用旁通配管462的镀覆液的循环进行说明。
图5是简要地示出第一实施方式的镀覆模块400的处理液的循环路径的图。如图5所示，镀覆模块400具备构成为积存镀覆液的贮槽470。供给配管460的第一端部460a与贮槽470连接，第二端部460b与内槽412的供给口412b连接。在供给配管460设置有用于将积存于贮槽470的镀覆液向内槽412射出的泵472。另外，在供给配管460设置有用于除去镀覆液中包含的灰尘等异物的过滤器474、以及用于将镀覆液保持在规定温度的恒温器476。
另一方面，旁通配管462的第一端部462a与内槽412的排出口412c连接，第二端部462b与贮槽470连接。在旁通配管462设置有流量调整机构480，该流量调整机构480构成为调整在旁通配管462流过的镀覆液的流量。流量调整机构480例如可以是能够对旁通配管462进行开闭的开闭阀，也可以是能够对流过旁通配管462的镀覆液的流量进行可变控制的调节阀。如果通过流量调整机构480使镀覆液流过旁通配管462，则经由供给配管460供给至内槽412的镀覆液经由旁通配管462被排出到贮槽470。另外，包含经由旁通配管462被排出的镀覆液的贮槽470内的镀覆液通过泵472经由供给配管460被供给至内槽412。其结果，镀覆液在内槽412与贮槽470之间循环。此外，镀覆模块400具备用于使积存于外槽414的镀覆液返回到贮槽470的返回配管464。返回配管464的第一端部464a与外槽414连接，第二端部464b与贮槽470连接。
镀覆模块400在进行加液的情况下，一边调整泵472的射出量一边使镀覆液在内槽412与贮槽470之间循环，以使内槽412内的镀覆液的液面不高于电阻体450的背面454。在镀覆液在内槽412与贮槽470之间循环的期间，镀覆液中包含的气泡例如从内槽412内的镀覆液的液面或者贮槽470内的镀覆液的液面向大气逸出。
镀覆模块400例如进行通过实验等经验地得到的规定时间的镀覆液的循环，由此能够除去镀覆液中包含的气泡。镀覆模块400在通过镀覆液的循环除去了镀覆液中的气泡后，使用流量调整机构480关闭旁通配管462，由此停止镀覆液的循环。另一方面，镀覆模块400通过利用泵472向内槽412继续供给不含气泡的镀覆液，由此能够在内槽412充满镀覆液直到电阻体450的上方后，执行基板Wf的镀覆处理。以上，根据本实施方式，能够抑制在向镀覆槽410(内槽412)加液时气泡Bub停滞在电阻体450的背面454。此外，如图3所示，例如升降机构442、泵472、流量调整机构480等构成镀覆模块400的各种部件能够由具备处理装置810(例如CPU)及存储介质820的控制模块800控制。但是，不限于上述方式，镀覆模块400也可以在通过镀覆液的循环除去了镀覆液中的气泡后，使用流量调整机构480来缩小在旁通配管462流过的镀覆液的流量，从而使少量的镀覆液从旁通配管462继续流过。在该情况下，镀覆模块400通过缩小在旁通配管462流过的镀覆液的流量，以使镀覆液向内槽412的供给量比镀覆液从旁通配管462排出的量多，从而能够向内槽412填充(充满)镀覆液。
此外，在本实施方式中，示出了排出口412c形成在与供给口412b对置的位置的例子，但不限定于此。排出口412c只要形成在内槽412的侧壁412a的比电阻体450靠下方且比隔膜420靠上方的位置即可。在镀覆模块400不具备隔膜420的情况下，排出口412c只要形成在内槽412的侧壁412a的比电阻体450靠下方的位置即可。作为一个例子，排出口412c也可以以位于比供给口412b靠上方的位置的方式形成于内槽412的侧壁412a。由于供给至内槽412的镀覆液中包含的气泡存在于镀覆液的上部，因此通过将排出口412c设置于比供给口412b高的位置，能够容易将气泡从排出口412c排出。另外，在本实施方式中，作为向镀覆槽410加液的处理液的一个例子，说明了镀覆液，但处理液不限于镀覆液，也可以是用于清洗镀覆槽410的清洗液。清洗液例如可以是纯水，也可以是稀硫酸、柠檬酸、添加剂成分等针对有机物污染的碱性水溶液(氢氧化钠、氢氧化钾等)、SPM(Sulfuric Acid HydrogenPeroxide Mixture：硫酸过氧化氢混合物)溶液，也可以是针对金属污染的硝酸等水溶液。
图6是简要地示出第二实施方式的镀覆模块的处理液的循环路径的图。第二实施方式的镀覆模块除了具备配管气泡检测传感器482之外，与第一实施方式为相同的结构，因此对于与第一实施方式重复的结构省略说明。
如图6所示，第二实施方式的镀覆模块400具备配管气泡检测传感器482，该配管气泡检测传感器482构成为检测在供给配管460流过的镀覆液中的气泡的存在。配管气泡检测传感器482例如可以是能够对流过供给配管460的镀覆液发送超声波，并且接收在镀覆液传播的超声波，基于接收到的超声波的强度来检测气泡的存在的超声波传感器，但不限定于超声波传感器。第二实施方式的镀覆模块400能够与第一实施方式同样地一边使镀覆液循环一边通过配管气泡检测传感器482来判定镀覆液中包含的气泡是否已被除去。
在第二实施方式的镀覆模块400中，流量调整机构480能够根据配管气泡检测传感器482的检测结果来调整在旁通配管462流过的镀覆液的流量。具体而言，流量调整机构480在通过配管气泡检测传感器482在镀覆液中在规定时间内没有检测到气泡的存在的情况下，能够关闭旁通配管462而停止镀覆液的循环。根据本实施方式，能够使用配管气泡检测传感器482来确认镀覆液中是否存在气泡，因此能够在镀覆液中不含气泡之后停止镀覆液的循环，在内槽412积存镀覆液。其结果，根据本实施方式，能够更可靠地抑制在向内槽412加液时，气泡Bub停滞在电阻体450的背面454。此外，在本实施方式中，示出了在供给配管460设置有配管气泡检测传感器482的例子，但配管气泡检测传感器482也可以设置于旁通配管462，也能够检测在旁通配管462流过的镀覆液中的气泡的存在。
图7是简要地示出第三实施方式的镀覆模块的处理液的循环路径的图。第三实施方式的镀覆模块除了具备脱气模块484之外，与第二实施方式为相同的结构，因此对于与第二实施方式重复的结构省略说明。
如图7所示，镀覆模块400具备脱气模块484，该脱气模块484构成为除去在旁通配管462流过的镀覆液中包含的气泡。在本实施方式中，在镀覆液在内槽412与贮槽470之间循环的期间，镀覆液中包含的气泡被脱气模块484脱气。在本实施方式中，示出了脱气模块484设置于旁通配管462的例子，但不限于此，脱气模块484也可以设置于供给配管460。
根据本实施方式，通过使用脱气模块484能够高效地除去镀覆液中的气泡，因此能够更可靠地抑制在向内槽412加液时气泡Bub停滞在电阻体450的背面454。另外，通过使用脱气模块484能够高效地除去镀覆液中的气泡，因此能够缩短用于除去气泡的镀覆液的循环时间，其结果，能够在镀覆模块400启动时等迅速地执行向镀覆槽410的加液。此外，在图5～图7的实施方式中，示出了一个贮槽470连接于一个镀覆槽410的例子，但不限定于此。多个(例如两个)镀覆槽410也可以以同样的配管构造连接于一个贮槽470。即，多个镀覆槽410也可以以同样的配管构造共用一个贮槽470。
图8是简要地示出第四实施方式的镀覆模块的结构的纵向剖视图。第四实施方式的镀覆模块除了具备电阻体气泡检测传感器490之外，与第一实施方式为相同的结构，因此对于与第一实施方式重复的结构省略说明。
如图8所示，镀覆模块400具备用于检测电阻体450的与阳极430对置的面(背面454)处的气泡的存在的电阻体气泡检测传感器490。电阻体气泡检测传感器490能够由超声波传感器构成，该超声波传感器包括：超声波发送部件492，构成为沿着电阻体450的与阳极430对置的面(背面454)发送超声波；和超声波接收部件494，构成为接收从超声波发送部件492发送的超声波。
根据本实施方式，能够通过电阻体气泡检测传感器490来确认电阻体450的背面454处是否存在气泡。因此，例如，通过在向内槽412加液时使镀覆液循环来除去镀覆液中的气泡，在内槽412充满镀覆液后，能够确认在电阻体450的背面454没有停滞气泡。镀覆模块400在由电阻体气泡检测传感器490在电阻体450的背面454检测到气泡的情况下，能够发出警报，再次进行镀覆液的循环。镀覆模块400在通过电阻体气泡检测传感器490在电阻体450的背面454没有检测到气泡的情况下，能够执行镀覆处理。
图9是简要地示出第五实施方式的镀覆模块的结构的纵向剖视图。第五实施方式的镀覆模块除了具备倾斜机构416之外，与第四实施方式为相同的结构，因此对于与第四实施方式重复的结构省略说明。
如图9所示，镀覆模块400具备倾斜机构416，该倾斜机构416构成为使镀覆槽410倾斜。倾斜机构416例如能够通过倾斜机构等公知的机构来实现。如图9所示，镀覆模块400能够在使镀覆槽410倾斜的状态下，通过电阻体气泡检测传感器490来确认电阻体450的背面454处是否存在气泡。
即，电阻体450形成为圆板状，以适合于圆筒形状的内槽412。因此，在存在通过镀覆液的循环而未被除去的气泡的情况下，气泡停滞在电阻体450的圆形的背面454的任意位置。这里，在气泡停滞在从超声波发送部件492发送并由超声波接收部件494接收的超声波的传播路径以外的位置的情况下，存在该气泡不能被电阻体气泡检测传感器490检测到的担忧。
对此，在本实施方式中，通过使镀覆槽410倾斜，电阻体450也倾斜，因此在气泡停滞在电阻体450的背面454的情况下，如图9所示，气泡移动到倾斜的电阻体450的上端附近。而且，超声波接收部件494配置于随着镀覆槽410的倾斜而倾斜的电阻体450的上端的附近。因此，本实施方式的镀覆模块400在气泡停滞在电阻体450的背面454的情况下，通过使该气泡移动到基于电阻体气泡检测传感器490的超声波的传播路径，能够可靠地检测停滞在背面454的气泡的存在。
此外，镀覆模块400在通过电阻体气泡检测传感器490在电阻体450的背面454没有检测到气泡的情况下，能够通过倾斜机构416使镀覆槽410返回到水平之后执行镀覆处理。另外，镀覆模块400也能够使基板保持件440倾斜以使基板Wf与阳极430平行而执行镀覆处理。
接下来，对本实施方式的气泡除去方法进行说明。图10是使用镀覆模块的气泡除去方法的流程图。本实施方式的气泡除去方法在镀覆模块400加液时执行。如图10所示，气泡除去方法使用泵472将储存于贮槽470的镀覆液从供给配管460供给到内槽412(供给步骤102)。接着，气泡除去方法将通过供给步骤102供给至内槽412的镀覆液从旁通配管462排出到贮槽470(排出步骤104)。
接着，气泡除去方法使用配管气泡检测传感器482来判定在流过供给配管460的镀覆液中是否检测到气泡的存在(配管气泡检测步骤106)。气泡除去方法当在流过供给配管460的镀覆液中检测到气泡的存在时(配管气泡检测步骤106，是)，将包含通过排出步骤104排出的镀覆液在内的储存于贮槽470的镀覆液从供给配管460供给至内槽412(循环步骤107)。气泡除去方法在循环步骤107之后返回到排出步骤104，重复进行排出步骤104、配管气泡检测步骤106以及循环步骤107。
此外，在镀覆模块400不具备配管气泡检测传感器482的情况下，不执行配管气泡检测步骤106。在该情况下，气泡除去方法例如在通过实验等经验地得到的规定时间内，重复进行排出步骤104及循环步骤107来进行镀覆液的循环，由此能够除去镀覆液中包含的气泡。另外，供给步骤102和循环步骤107在通过泵472将储存于贮槽470的镀覆液供给至内槽412这一点上是同一动作，但在供给至内槽412的镀覆液是否包含从内槽412排出的镀覆液这一点上不同，因此记载为不同的步骤。
另一方面，气泡除去方法当在流过供给配管460的镀覆液中没有检测到气泡的存在时(配管气泡检测步骤106，否)，使用流量调整机构480调整在旁通配管462流过的镀覆液的流量(流量调整步骤108)。流量调整步骤108例如在流量调整机构480为开闭阀的情况下，通过关闭开闭阀来停止镀覆液的循环。由此，不从旁通配管462排出镀覆液，而继续向内槽412供给镀覆液，从而在内槽412充满镀覆液。
接着，气泡除去方法使用倾斜机构416使内槽412倾斜(倾斜步骤109)。此外，在镀覆模块400不具备倾斜机构416的情况下，不执行倾斜步骤109。接着，气泡除去方法使用电阻体气泡检测传感器490来判定在电阻体450的背面454处是否检测到气泡的存在(电阻体气泡检测步骤110)。气泡除去方法当在电阻体450的背面454检测到气泡的存在时(电阻体气泡检测步骤110，是)，发出警报(步骤112)。
另一方面，气泡除去方法当在电阻体450的背面454没有检测到气泡的存在时(电阻体气泡检测步骤110，否)，将基板Wf保持于基板保持件440(步骤114)。接着，气泡除去方法使基板Wf浸渍于镀覆液而执行镀覆处理(步骤116)。
根据本实施方式的气泡除去方法，通过使镀覆液在内槽412与贮槽470之间循环，能够将镀覆液中包含的气泡从例如内槽412内的镀覆液的液面或者贮槽470内的镀覆液的液面除去。因此，根据本实施方式的气泡除去方法，能够抑制在向镀覆槽410(内槽412)加液时气泡停滞在电阻体450的背面454。
如图3等所示，控制模块800具备处理装置810(例如CPU)以及存储介质820。在存储介质820，除在镀覆装置1000中使用的各种数据之外，还储存有用于使镀覆装置1000的计算机(控制模块800)执行上述气泡除去方法中的各步骤的程序。控制模块800的处理装置810(例如CPU)能够读出并执行储存于存储介质820的程序。该程序能够被记录于计算机可读取的存储介质，并经由存储介质提供给控制模块800。或者，该程序也可以经由因特网等通信网络提供给控制模块800。
以上，对几个本发明的实施方式进行了说明，但上述的发明的实施方式是为了容易理解本发明，而不限定本发明。本发明当然能够在不脱离主旨的情况下进行变更、改进，并且在本发明中包括其等效物。另外，在能够解决上述课题的至少一部分的范围或者起到效果的至少一部分的范围内，能够进行权利要求书以及说明书所记载的各构成要素的任意的组合或者省略。
作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，其包括：镀覆槽；基板保持件，用于将基板保持为被镀覆面朝向下方的状态；升降机构，用于使上述基板保持件升降；阳极，配置在上述镀覆槽内，以与由上述基板保持件保持的的基板对置；电阻体，配置在上述阳极与上述基板之间；供给配管，用于将储存于贮槽的处理液从比上述电阻体靠下方的位置供给到上述镀覆槽；以及旁通配管，用于将经由上述供给配管供给至镀覆槽的处理液从比上述电阻体靠下方的位置排出到上述贮槽。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，其还包括泵，该泵用于将包含从上述旁通配管排出的处理液在内的储存于上述贮槽的处理液经由上述供给配管向上述镀覆槽射出。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，其还包括配管气泡检测传感器，该配管气泡检测传感器构成为检测在上述供给配管或者上述旁通配管流过的处理液中的气泡的存在。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，上述配管气泡检测传感器为超声波传感器。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，其还包括流量调整机构，该流量调整机构构成为根据上述配管气泡检测传感器的检测结果，调整在上述旁通配管流过的处理液的流量。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，其还包括电阻体气泡检测传感器，该电阻体气泡检测传感器用于检测上述电阻体的与上述阳极对置的表面处的气泡的存在。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，上述电阻体气泡检测传感器是超声波传感器，该超声波传感器包括：超声波发送部件，构成为沿着上述电阻体的与上述阳极对置的面发送超声波；和超声波接收部件，构成为接收从上述超声波发送部发送的超声波。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，其还包括倾斜机构，该倾斜机构构成为使上述镀覆槽倾斜，上述超声波接收部件配置于随着上述倾斜机构引起的上述镀覆槽的倾斜而倾斜的上述电阻体的上端附近。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，其还包括脱气模块，该脱气模块构成为对流过上述供给配管或上述旁通配管的处理液进行脱气。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，其还包括将配置有上述阳极的区域与配置有上述电阻体的区域隔开的隔膜，上述供给配管以及上述旁通配管被连接在上述镀覆槽的上述隔膜与上述电阻体之间。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，上述电阻体包括配置为分隔上述阳极与上述基板之间的多孔质板状部件或者形成有将上述阳极侧与上述基板侧连通的多个贯通孔的板状部件。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种镀覆装置，上述处理液是镀覆液，或者用于清洗上述镀覆槽的清洗液。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种气泡除去方法，其是在杯式的镀覆装置的镀覆槽积存处理液时的气泡除去方法，包括：供给步骤，将储存于贮槽的处理液从比配置在收容于上述镀覆槽的阳极与基板之间的电阻体靠下方的位置经由供给配管供给到上述镀覆槽；排出步骤，将通过上述供给步骤供给至上述镀覆槽的处理液从比上述电阻体靠下方的位置经由旁通配管排出到上述贮槽；以及循环步骤，将包含通过上述排出步骤排出的处理液的储存于上述贮槽的处理液从上述供给配管供给到上述镀覆槽。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种气泡除去方法，其还包括配管气泡检测步骤，该配管气泡检测步骤检测在上述供给配管或者上述旁通配管流过的处理液中的气泡的存在。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种气泡除去方法，其还包括流量调整步骤，该流量调整步骤根据上述配管气泡检测步骤的检测结果，调整在上述旁通配管流过的处理液的流量。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种气泡除去方法，其还包括电阻体气泡检测步骤，该电阻体气泡检测步骤用于检测上述电阻体的与上述阳极对置的表面处的气泡的存在。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种气泡除去方法，其还包括倾斜步骤，该倾斜步骤在执行上述电阻体气泡检测步骤之前，使上述镀覆槽倾斜。
另外，作为一个实施方式，本申请公开了一种存储介质，其储存用于使镀覆装置的计算机执行在将处理液积存于镀覆槽时的气泡除去方法的程序，上述气泡除去方法包括：供给步骤，将储存于贮槽的处理液从比配置在收容于杯式的镀覆装置的镀覆槽的阳极与基板之间的电阻体靠下方的位置经由供给配管供给到上述镀覆槽；排出步骤，将通过上述供给步骤供给到上述镀覆槽的处理液从比上述电阻体靠下方的位置经由旁通配管排出到上述贮槽；以及循环步骤，将包含通过上述排出步骤排出的处理液在内的储存于上述贮槽的处理液从上述供给配管供给到上述镀覆槽。

Claims (20)

1.一种镀覆装置，其中，包括：
镀覆槽；
基板保持件，用于以将被镀覆面朝向下方的状态对基板进行保持；
升降机构，用于使所述基板保持件升降；
阳极，配置在所述镀覆槽内，以便与被所述基板保持件保持的基板对置；
电阻体，配置在所述阳极与所述基板之间；
隔膜，将配置有所述阳极的区域与配置有所述电阻体的区域隔开；
供给配管，用于将储存于贮槽的处理液从比所述电阻体靠下方的位置供给至所述镀覆槽；以及
旁通配管，用于将经由所述供给配管供给至镀覆槽的处理液从比所述电阻体靠下方的位置排出至所述贮槽，
所述供给配管以及所述旁通配管被连接在所述镀覆槽的所述隔膜与所述电阻体之间。
2.根据权利要求1所述的镀覆装置，其中，
所述镀覆装置还包括泵，所述泵用于将包含从所述旁通配管排出的处理液在内的储存于所述贮槽的处理液经由所述供给配管向所述镀覆槽射出。
3.根据权利要求1所述的镀覆装置，其中，
所述镀覆装置还包括流量调整机构，所述流量调整机构构成为调整在所述旁通配管中流过的处理液的流量，
所述流量调整机构构成为在使经由所述旁通配管、所述贮槽以及所述供给配管的处理液的循环进行了规定时间之后，停止处理液的循环。
4.根据权利要求1所述的镀覆装置，其中，
所述镀覆装置还包括配管气泡检测传感器，所述配管气泡检测传感器构成为检测在所述供给配管或者所述旁通配管中流过的处理液中的气泡的存在。
5.根据权利要求4所述的镀覆装置，其中，
所述配管气泡检测传感器是超声波传感器。
6.根据权利要求4所述的镀覆装置，其中，
所述镀覆装置还包括流量调整机构，所述流量调整机构根据所述配管气泡检测传感器的检测结果，调整在所述旁通配管中流过的处理液的流量。
7.根据权利要求1所述的镀覆装置，其中，
所述镀覆装置还包括电阻体气泡检测传感器，所述电阻体气泡检测传感器用于检测所述电阻体的与所述阳极对置的表面处的气泡的存在。
8.根据权利要求7所述的镀覆装置，其中，
所述电阻体气泡检测传感器是超声波传感器，
所述超声波传感器包括：
超声波发送部件，构成为沿着所述电阻体的与所述阳极对置的表面发送超声波；和
超声波接收部件，构成为接收由所述超声波发送部发送的超声波。
9.根据权利要求8所述的镀覆装置，其中，
所述镀覆装置还包括倾斜机构，所述倾斜机构构成为使所述镀覆槽倾斜，
所述超声波接收部件配置在随着所述倾斜机构引起的所述镀覆槽的倾斜而倾斜的所述电阻体的上端的附近。
10.根据权利要求1所述的镀覆装置，其中，
所述镀覆装置还包括脱气模块，所述脱气模块构成为对流过所述供给配管或者所述旁通配管的处理液进行脱气。
11.根据权利要求1所述的镀覆装置，其中，
所述电阻体包括配置为将所述阳极与所述基板之间分隔的多孔质板状部件或者形成有多个贯通孔的板状部件，该多个贯通孔将所述阳极侧与所述基板侧连通。
12.根据权利要求1所述的镀覆装置，其中，
所述处理液是镀覆液，或者用于清洗所述镀覆槽的清洗液。
13.一种气泡除去方法，是在将处理液积存于杯式的镀覆装置的镀覆槽时的气泡除去方法，其中，包括：
供给步骤，将储存于贮槽的处理液从比配置在收容于所述镀覆槽的阳极与基板之间的电阻体靠下方的位置经由供给配管供给至所述镀覆槽；
排出步骤，将通过所述供给步骤供给至所述镀覆槽的处理液从比所述电阻体靠下方的位置经由旁通配管排出至所述贮槽；以及
循环步骤，将包含通过所述排出步骤排出的处理液在内的储存于所述贮槽的处理液从所述供给配管供给至所述镀覆槽，
所述镀覆槽包括将配置有所述阳极的区域与配置有所述电阻体的区域隔开的隔膜，
所述供给配管以及所述旁通配管被连接在所述镀覆槽的所述隔膜与所述电阻体之间。
14.根据权利要求13所述的气泡除去方法，其中，
所述气泡除去方法具有在进行了规定时间的所述循环步骤后停止处理液的循环的停止步骤。
15.根据权利要求13所述的气泡除去方法，其中，
所述气泡除去方法还包括配管气泡检测步骤，所述配管气泡检测步骤检测在所述供给配管或者所述旁通配管中流过的处理液中的气泡的存在。
16.根据权利要求15所述的气泡除去方法，其中，
所述气泡除去方法还包括流量调整步骤，所述流量调整步骤根据所述配管气泡检测步骤的检测结果，调整在所述旁通配管中流过的处理液的流量。
17.根据权利要求13所述的气泡除去方法，其中，
所述气泡除去方法还包括电阻体气泡检测步骤，所述电阻体气泡检测步骤用于检测所述电阻体的与所述阳极对置的表面处的气泡的存在。
18.根据权利要求17所述的气泡除去方法，其中，
所述气泡除去方法还包括倾斜步骤，所述倾斜步骤在执行所述电阻体气泡检测步骤前，使所述镀覆槽倾斜。
19.一种存储介质，是储存用于使镀覆装置的计算机执行在将处理液积存于镀覆槽时的气泡除去方法的程序的存储介质，其中，
所述气泡除去方法包括：
供给步骤，将储存于贮槽的处理液从比配置在收容于杯式的镀覆装置的镀覆槽的阳极与基板之间的电阻体靠下方的位置经由供给配管供给至所述镀覆槽；
排出步骤，将通过所述供给步骤供给至所述镀覆槽的处理液从比所述电阻体靠下方的位置经由旁通配管排出至所述贮槽；以及
循环步骤，将包含通过所述排出步骤排出的处理液在内的储存于所述贮槽的处理液从所述供给配管供给至所述镀覆槽，
所述镀覆槽包括将配置有所述阳极的区域与配置有所述电阻体的区域隔开的隔膜，
所述供给配管以及所述旁通配管被连接在所述镀覆槽的所述隔膜与所述电阻体之间。
20.根据权利要求19所述的存储介质，其中，
所述气泡除去方法具有在进行了规定时间的所述循环步骤后停止处理液的循环的停止步骤。
CN202111142362.0A 2020-10-01 2021-09-28 镀覆装置、气泡除去方法、以及存储介质 Pending CN114277423A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020166988A JP7474673B2 (ja) 2020-10-01 2020-10-01 めっき装置、気泡除去方法、および気泡除去方法をめっき装置のコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体
JP2020-166988 2020-10-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114277423A true CN114277423A (zh) 2022-04-05

Family

ID=80868613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111142362.0A Pending CN114277423A (zh) 2020-10-01 2021-09-28 镀覆装置、气泡除去方法、以及存储介质

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11542623B2 (zh)
JP (1) JP7474673B2 (zh)
KR (1) KR20220044407A (zh)
CN (1) CN114277423A (zh)
TW (1) TW202223168A (zh)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5516417A (en) * 1993-10-22 1996-05-14 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method and apparatus for applying composite plating on hollow member
JP3513130B2 (ja) * 2001-10-11 2004-03-31 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 メッキ装置及びメッキ方法
JP2005042158A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Ebara Corp めっき方法及びめっき装置
JP2008019496A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電解めっき装置および電解めっき方法
JP2010065287A (ja) 2008-09-11 2010-03-25 Ebara Corp 電解処理装置及び電解処理方法
TW201218277A (en) * 2010-09-09 2012-05-01 Novellus Systems Inc By-product mitigation in through-silicon-via plating
US9404194B2 (en) 2010-12-01 2016-08-02 Novellus Systems, Inc. Electroplating apparatus and process for wafer level packaging
US9617652B2 (en) 2012-12-11 2017-04-11 Lam Research Corporation Bubble and foam solutions using a completely immersed air-free feedback flow control valve
TWI624567B (zh) 2012-12-11 2018-05-21 諾發系統有限公司 真空電鍍槽
JP2017115170A (ja) 2015-12-21 2017-06-29 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
JP6696462B2 (ja) 2017-03-09 2020-05-20 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜装置
CN107022776B (zh) * 2017-06-12 2019-02-05 俊杰机械(深圳)有限公司 一种pcb板掉板监测装置及电镀装置
CN112708910B (zh) 2019-10-25 2021-11-23 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 电化学电镀方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7474673B2 (ja) 2024-04-25
KR20220044407A (ko) 2022-04-08
US11542623B2 (en) 2023-01-03
TW202223168A (zh) 2022-06-16
JP2022059327A (ja) 2022-04-13
US20220106698A1 (en) 2022-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102583188B1 (ko) 전기도금 셀 내에서의 균일한 플로우 거동을 위한 방법
JP6934127B1 (ja) めっき装置、プリウェット処理方法及び洗浄処理方法
US10928732B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
KR102404963B1 (ko) 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체
KR102622414B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN114867892B (zh) 镀敷装置
US20220106701A1 (en) Air bubble removing method of plating apparatus and plating apparatus
US10458010B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP2020107744A (ja) 基板液処理装置
CN114277423A (zh) 镀覆装置、气泡除去方法、以及存储介质
KR102456832B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11833551B2 (en) Pre-wet module, deaerated liquid circulation system, and pre-wet method
CN112687576A (zh) 基片处理装置和装置清洗方法
CN216597515U (zh) 基片处理装置
WO2023073860A1 (ja) めっき装置
JP3118443B2 (ja) ウェーハ洗浄装置
KR102626664B1 (ko) 애노드실의 액 관리 방법 및 도금 장치
TWI837780B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
KR102494058B1 (ko) 도금 처리 방법
WO2022180780A1 (ja) 基板ホルダの保管方法、めっき装置
TW202405926A (zh) 基板處理裝置
KR20240022440A (ko) 도금 장치 및 도금 방법
KR20220027762A (ko) 기판 처리 장치
CN115380133A (zh) 镀覆装置以及气泡除去方法
CN117637530A (zh) 基片处理装置和基片处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination