TW202140993A - 膜厚測定裝置及膜厚測定方法 - Google Patents
膜厚測定裝置及膜厚測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202140993A TW202140993A TW110105149A TW110105149A TW202140993A TW 202140993 A TW202140993 A TW 202140993A TW 110105149 A TW110105149 A TW 110105149A TW 110105149 A TW110105149 A TW 110105149A TW 202140993 A TW202140993 A TW 202140993A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- film thickness
- wavelength
- measuring device
- thickness measuring
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 26
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
- G01B11/0633—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection using one or more discrete wavelengths
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0691—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of objects while moving
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/027—Control of working procedures of a spectrometer; Failure detection; Bandwidth calculation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/30—Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
- G01J3/36—Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/141—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using dichroic mirrors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
本發明之膜厚測定裝置具備:光照射部,其對於對象物,面狀地照射光;光學元件,其在特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化,對來自對象物之光藉由進行透過及反射而予分離;攝像部,其拍攝由前述光學元件分離之光;及解析部,其基於來自拍攝到光之攝像部之信號,推定對象物之膜厚;且光照射部照射光學元件之特定之波長頻帶中所含之波長之光。
Description
本發明之一態樣係關於一種膜厚測定裝置及膜厚測定方法。
於例如半導體之製造裝置等中,重要的是於晶圓面均一地成膜。於膜厚值之面內均一性較差之情形下,產生配線不良或空隙等之故障要因,而成品率惡化。該情形下,因製程時間及材料增加,而生產效率惡化成為問題。因而,於半導體之製造裝置等中,通常,藉由點感測器或線掃描(例如參照專利文獻1)等測定膜厚,並判定是否成為所期望之膜厚分佈。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2018-205132
[發明所欲解決之問題]
此處,於上述之藉由點感測器或線掃描等測定膜厚之方法中,測定時間變長成為問題。
本發明之一態樣係鑒於上述實際情況而完成者,目的在於提供一種可高速地測定膜厚之膜厚測定裝置及膜厚測定方法。
[解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之膜厚測定裝置具備:光照射部,其對於對象物,面狀地照射光;光學元件,其在特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化,對來自對象物之光藉由進行透過及反射而予分離;攝像部,其拍攝由光學元件分離之光;及解析部,其基於來自拍攝到光之攝像部之信號,推定對象物之膜厚;且光照射部照射光學元件之特定之波長頻帶中所含之波長之光。
於本發明之一態樣之膜厚測定裝置中,對於對象物,面狀地照射光學元件之特定之波長頻帶中所含之波長之光。而且,於本膜厚測定裝置中,光學元件對來自對象物之光藉由進行透過及反射而予分離。此處,光學元件於特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化。因而,於光學元件中被分離之光之被透過之比例與被反射之比例相應於波長變化。而且,藉由在攝像部中拍攝被分離之光,而可特定出透過光之比例與反射光之比例,其結果可特定出波長。進而,於解析部中,基於來自攝像部之信號,推定對象物之膜厚。在可基於表示波長之資訊推定膜厚的情況下,如上述般,根據攝像部之攝像結果,特定波長,故藉由考量包含該波長之資訊之信號(來自攝像部之信號),而可高精度地推定對象物之膜厚。而且,於本膜厚測定裝置中,由於對於對象物,面狀地照射光,同時相應於來自對象物之光,推定對象物之面內之膜厚,故與一面藉由點感測器或線掃描等,變更光之照射範圍,一面推定面內之膜厚之情形比較,可高速地推定面內之膜厚分佈。如以上所述般,根據本發明之一態樣之膜厚測定裝置,可高速地測定對象物之膜厚。
於上述膜厚測定裝置中,解析部可基於攝像部之每一像素之波長資訊,推定與各像素對應之膜厚。根據如此之構成,可更詳細地(就每一像素)推定對象物之照射面之膜厚分佈。
於上述膜厚測定裝置中,解析部可進一步考量照射於對象物之光之角度,來推定膜厚。由於若照射於對象物之光之角度改變,則光路改變,故存在僅憑藉波長之資訊,無法高精度地推定膜厚之情形。該點藉由進一步考量照射於對象物之光之角度,而可相應於實際之光路,更高精度地推定膜厚。
於上述膜厚測定裝置中,光照射部可對於對象物照射漫射光。藉此,可對於對象物之表面,均一地照射光。
於上述膜厚測定裝置中,光照射部可具有產生漫射光之導光板。藉此,可以小型之構成,對於對象物之表面,均一地照射光。
上述膜厚測定裝置可更具備配置於光學元件及攝像部之間之帶通濾波器。藉此,可去除所期望之波長範圍外之光,可提高膜厚推定之精度。
本發明之一態樣之膜厚測定方法包含:第1步驟,其對於對象物,面狀地照射光;第2步驟,其拍攝由光學元件分離之光,該光學元件在特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化,對來自對象物之光藉由進行透過及反射而予分離;及第3步驟,其基於攝像結果導出波長,並基於該波長,推定對象物之膜厚。根據如此之膜厚測定方法,可與上述之膜厚測定裝置同樣地,高速地測定對象物之膜厚。
[發明之效果]
根據本發明之一態樣之膜厚測定裝置,可高速地測定對象物之膜厚。
以下,針對本發明之實施形態,參照圖式,詳細地說明。此外,於各圖中,對同一或相當部分賦予同一符號,且省略重複之說明。
圖1係示意性顯示本實施形態之膜厚測定裝置1之圖。膜厚測定裝置1係對於樣品100(對象物),面狀地照射光,並基於來自該樣品100之反射光,測定形成於樣品100之膜之厚度之裝置。樣品100可為例如LED、微型LED、μLED、SLD元件、雷射元件、垂直型雷射元件(VCSEL)、OLED等之發光元件,亦可為藉由包含奈米點等之螢光物質而調整發光波長之發光元件。
如圖1所示,膜厚測定裝置1具備:光源10(光照射部)、相機系統20、及控制裝置30(解析部)。
光源10對於樣品100,面狀地照射光。光源10例如對於樣品100之表面之大致全面,面狀地照射光。光源10例如為可對樣品100之表面均一地照射之光源,對於樣品100照射漫射光。如圖2所示,光源10可為所謂之平面圓頂型之光源10A(參照圖2(a)),亦可為圓頂型之光源10B(參照圖2(b))。圖2(a)所示之光源10A具有:LED 10c、及導光板10d。導光板10d相應於自LED 10c照射之光,產生漫射光。由導光板10d生成之漫射光於樣品100中反射,並輸入至相機系統20。根據如此之平面圓頂型之光源10A,可一面確保充分之視野(例如300 mm左右之視野),一面抑制映入。光源10B具有:LED 10e、及圓頂部10f。自LED 10e照射之光朝圓頂部10f之內面照射,來自該圓頂部10f之內面之漫射光於樣品100中反射,樣品100之反射光輸入至相機系統20。光源10可為利用白色LED、鹵素燈、或Xe燈等之面照明單元。
光源10對於樣品100,照射相機系統20所具有之傾斜二向分色反射鏡22(細節於後文描述)之特定之波長頻帶中所含之波長之光。雖然細節於後文描述,但傾斜二向分色反射鏡22係對來自樣品100之光藉由相應於波長進行透過及反射而予分離之光學元件。傾斜二向分色反射鏡22於上述之特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化。
圖3係說明傾斜二向分色反射鏡22之特性與自光源10出射之光之波長之關係之圖。於圖3中,橫軸表示波長,縱軸表示傾斜二向分色反射鏡22之透過率。如圖3之傾斜二向分色反射鏡22之特性X4所示般,於傾斜二向分色反射鏡22中,於特定之波長頻帶X10中,光之透過率(及反射率)相應於波長之變化緩和地變化,於該特定之波長頻帶以外之波長頻帶中,無論波長之變化如何,均將光之透過率(及反射率)設為一定。如圖3所示,自光源10輸出之光X20包含上述之特定之波長頻帶X10中所含之波長之光。亦即,光源10輸出包含特定之波長頻帶X10之寬廣之光譜之光。此外,測定之波長頻帶(干涉峰值波長)係由形成於樣品100之膜之材質及測定膜厚範圍決定。
返回圖1,相機系統20包含透鏡21、傾斜二向分色反射鏡22(光學元件)、區域感測器23、24(攝像部)、及帶通濾波器25、26而構成。
透鏡21係將入射之來自樣品100之光集光之透鏡。透鏡21可配置於傾斜二向分色反射鏡22之前段(上游),亦可配置於傾斜二向分色反射鏡22與區域感測器23、24之間之區域。透鏡21可為有限焦點透鏡,亦可為無限焦點透鏡。於透鏡21為有限焦點透鏡之情形下,透鏡21至區域感測器23、24之距離被設為特定值。於透鏡21為無限焦點透鏡之情形下,透鏡21為將來自樣品100之光轉換為平行光之準直透鏡,以獲得平行光之方式進行像差修正。自透鏡21輸出之光朝傾斜二向分色反射鏡22入射。
傾斜二向分色反射鏡22係利用特殊之光學素材而製作之反射鏡,且係對來自樣品100之光藉由相應於波長進行透過及反射而予分離之光學元件。傾斜二向分色反射鏡22構成為於特定之波長頻帶中,光之透過率及反射率相應於波長變化。
圖4係說明光之光譜及傾斜二向分色反射鏡22之特性之圖。於圖4中,橫軸表示波長,縱軸表示光譜強度(於光之光譜之情形下)及透過率(於傾斜二向分色反射鏡22之情形下)。如圖4之傾斜二向分色反射鏡22之特性X4所示般,於傾斜二向分色反射鏡22中,於特定之波長頻帶(波長λ1
~λ2
之波長頻帶)中,光之透過率(及反射率)相應於波長之變化緩和地變化,於該特定之波長頻帶以外之波長頻帶(亦即,較波長λ1
為低波長側、及較波長λ2
為高波長側)中,無論波長之變化如何,均將光之透過率(及反射率)設為一定。換言之,於特定之波長帯(波長λ1
~λ2
之波長帯)中,光之透過率相應於波長之變化而單調增加(反射率單調減少)地變化。由於透過率與反射率存在若一者朝變大之方向變化,則另一者朝變小之方向變化之負相關,故以下,有簡單記載為「透過率」,而不記載為「透過率(及反射率)」之情形。此外,「無論波長之變化如何,均光之透過率為一定」不僅包含完全為一定之情形,亦包含如例如相對於波長1 nm之變化之透過率之變化為0.1%以下之情形。於較波長λ1
為低波長側,無論波長之變化如何,光之透過率均大致為0%,於較波長λ2
為高波長側,無論波長之變化如何,光之透過率均大致為100%。此外,「光之透過率大致為0%」係包含0%+10%左右之透過率者,「光之透過率大致為100%」係包含100%-10%左右之透過率者。於圖4中,波形X1表示自光源10輸出之光之波形。如圖4之波形X1所示般,自光源10輸出之光包含傾斜二向分色反射鏡22之特定之波長頻帶(波長λ1
~λ2
之波長頻帶)中所含之波長之光。
區域感測器23、24拍攝由傾斜二向分色反射鏡22分離之光。區域感測器23拍攝在傾斜二向分色反射鏡22中透過之光。區域感測器24拍攝在傾斜二向分色反射鏡22中反射之光。區域感測器23、24具有感度之波長之範圍對應於在傾斜二向分色反射鏡22中光之透過率(及反射率)相應於波長之變化而變化之特定之波長頻帶。區域感測器23、24例如為單色感測器或彩色感測器。由區域感測器23、24獲得之攝像結果(圖像)輸出至控制裝置30。
帶通濾波器25配置於傾斜二向分色反射鏡22及區域感測器23之間。帶通濾波器26配置於傾斜二向分色反射鏡22及區域感測器24之間。帶通濾波器25、26例如可為去除上述之特定之波長頻帶(於傾斜二向分色反射鏡22中,光之透過率及反射率相應於波長變化之波長頻帶)以外之波長頻帶之光之濾波器。
返回圖1,控制裝置30為電腦,實體上具備RAM、ROM等之記憶體、CPU等之處理器(運算電路)、通訊介面、硬碟等之儲存部而構成。控制裝置30藉由以電腦系統之CPU執行儲存於記憶體之程式而發揮功能。控制裝置30可由微電腦或FPGA構成。
控制裝置30基於來自拍攝到光之區域感測器23、24之信號,推定樣品100之膜厚。控制裝置30基於區域感測器23、24之每一像素之波長資訊,推定與各像素對應之膜厚。更詳細而言,控制裝置30基於:基於區域感測器23之攝像結果(來自區域感測器23之信號)而特定出之透過光量、基於區域感測器24之攝像結果(來自區域感測器24之信號)而特定出之反射光量、傾斜二向分色反射鏡22之中心波長(特定之波長頻帶之中心波長)、及傾斜二向分色反射鏡22之寬度,導出每一像素之光之波長重心,並基於該波長重心,推定與各像素對應之膜厚。傾斜二向分色反射鏡22之寬度係例如於傾斜二向分色反射鏡22中透過率成為0%之波長至透過率成為100%之波長之波長寬度。
具體而言,控制裝置30基於以下之(1)式,導出各像素之波長重心。於以下之(1)式中,λ表示波長重心,λ0
表示傾斜二向分色反射鏡22之中心波長,A表示傾斜二向分色反射鏡22之寬度,R表示反射光量,T表示透過光量。
λ=λ0
+A(T-R)/2(T+R) (1)
圖5係說明與透過光量及反射光量相應之波長偏移之圖。於根據上述之(1)式,導出λ(波長重心)之情形下,如圖5所示般,針對T(透過光量)=R(反射光量)之像素,設為λ=λ0
(傾斜二向分色反射鏡22之中心波長)。又,針對T<R之像素、亦即反射光量多於透過光量之像素,設為λ=λ1
(較λ0
為短波長側之波長)。又,針對T>R之像素、亦即透過光量多於反射光量之像素,設為λ=λ2
(較λ0
為長波長側之波長)。如此,λ(波長重心)之值基於透過光量及反射光量而偏移(波長偏移)。
此外,波長重心之導出方法並不限定於上述內容。例如,由於λ(波長重心)與以下之x存在比例關係,故可根據以下之(2)式及(3)式導出波長重心。於以下之(3)式中,IT
表示透過光量,IR
表示反射光量。又,於測定對象之光譜形狀及傾斜二向分色反射鏡22之線形成為理想性形狀之情形下,作為(2)式之參數之a、b係由傾斜二向分色反射鏡22之光學特性決定。
λ=ax+b (2)
x=IT
-IR
/2(IT
+IR
) (3)
此外,由於實際上在光學系統及相機間之光譜特性上存在差異(個體差異),故出於對其等予以修正之目的,例如,可將反射特性為已知之基板之信號強度作為參考,根據以下之(4)式導出x。於以下之(4)式中,ITr
表示參考之透過光量,IRr
表示參考之反射光量。
x=(IT
/ITr
-IR
/IRr
)/2(IT
/ITr
+IR
/IRr
) (4)
又,出於去除來自光源之直接光之影響之目的,可利用無反射狀態之信號量,根據以下之(5)式導出x。於以下之(5)式中,ITb
表示無反射狀態之透過光量,IRb
表示無反射狀態之反射光量。
x={(IT
-ITb
)/(ITr
-ITb
)-(IR
-IRb
)/(IRr
-IRb
)}/2{(IT
-ITb
)/(ITr
-ITb
)+(IR
-IRb
)/(IRr
-IRb
)} (5)
又,為了概括性地實施膜特性、照射光譜、傾斜二向分色反射鏡22之非線形性等之各種修正,而波長重心(λ)可以如以下之(6)式之多項式近似。此外,以下之(6)式之各參數(a、b、c、d、e)例如藉由將波長重心(膜厚)不同之樣品測定複數次而決定。
λ=ax4
+bx3
+cx2
+dx+e (6)
圖6係說明膜厚測定之原理之圖。於圖6中,橫軸設為波長,縱軸設為反射率。於圖6所示之例中,針對膜厚為820 nm之例、830 nm之例、840 nm之例各者,顯示波長與反射率之關係。如圖6所示,波長重心因膜厚之不同而異。因而,藉由特定出波長重心,而可推定膜厚。
波長與膜厚之關係可如圖7所示般,藉由以下之(7)式來說明。於以下之(7)式中,n表示膜之折射率,d表示膜厚。m表示正整數(1、2、3、…),λ表示波長重心。2nd表示光路差(因配置膜而產生之光路差)。控制裝置30基於以下之(7)式,根據各像素之波長重心,推定與各像素對應之膜厚。
2nd=mλ(m=1、2、3、…) (增強條件)
2nd=(m-1/2)λ(m=1、2、3、…) (減弱條件)・・(7)
此處,上述之表示波長與膜厚之關係之(7)式於光對於樣品100垂直地入射之情形下成立。另一方面,於光不對於樣品100垂直地入射之情形下,上述(7)式不成立。亦即,如圖8所示,於光對於在基材102之表面配置有膜101之樣品100入射之情形下,由於光之入射角因測定點而異,光路差不同,故無法一律根據上述(7)式高精度地推定膜厚。因而,為了於任何測定點(入射角)均高精度地推定膜厚,而必須要有與測定點(入射角)相應之計算(修正處理)。
圖9係說明膜厚測定值之修正之圖。如圖9(a)所示,於光之入射角為θ之情形下,光路差以2ndcosθ表示。藉此,已考量入射角θ之波長與膜厚之關係可如圖9(b)所示般藉由以下之(8)式而說明。控制裝置30基於以下之(8)式,進行與測定點(入射角)相應之膜厚推定。如此,控制裝置30可進一步考量照射於樣品100之光之角度,根據波長重心,推定膜厚。
2ndcosθ=mλ (增強條件)
2ndcosθ=(m-1/2)λ (減弱條件)・・(8)
如上述般,膜厚測定裝置1實施膜厚測定方法。膜厚測定方法例如包含:第1步驟,其對於樣品100,面狀地照射光;第2步驟,其拍攝由傾斜二向分色反射鏡22分離之光,該傾斜二向分色反射鏡22在載特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化,對來自樣品100之光藉由進行透過及反射而予分離;及第3步驟,其基於攝像結果導出波長,並基於該波長,推定樣品100之膜厚。
其次,針對本實施形態之作用效果進行說明。
本實施形態之膜厚測定裝置1具備:光源10,其對於樣品100,面狀地照射光;傾斜二向分色反射鏡22,其在特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化,對來自樣品100之光藉由進行透過及反射而予分離;區域感測器23、24,其等拍攝由傾斜二向分色反射鏡22分離之光;及控制裝置30,其基於來自拍攝到光之區域感測器23、24之信號,推定樣品100之膜厚;且光源10照射傾斜二向分色反射鏡22之特定之波長頻帶中所含之波長之光。
於本實施形態之膜厚測定裝置1中,對於樣品100,面狀地照射傾斜二向分色反射鏡22之特定之波長頻帶中所含之波長之光。而且,於本實施形態之膜厚測定裝置1中,傾斜二向分色反射鏡22對來自樣品100之光藉由進行透過及反射而予分離。此處,傾斜二向分色反射鏡22於特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化。因而,於傾斜二向分色反射鏡22中被分離之光之被透過之比例與被反射之比例相應於波長變化。而且,藉由在區域感測器23、24中拍攝被分離之光,而可特定出透過光之比例與反射光之比例,其結果可特定出波長。進而,於控制裝置30中,可基於來自區域感測器23、24之信號,推定樣品100之膜厚。由於若可基於表示波長之資訊,推定膜厚,則如上述般,根據區域感測器23、24之攝像結果推定波長,故藉由考量包含該波長之資訊之信號(來自區域感測器23、24之信號),而可高精度地推定樣品100之膜厚。而且,於本實施形態之膜厚測定裝置1中,由於對於樣品100,面狀地照射光,同時相應於來自樣品100之光,推定樣品100之面內之膜厚,故與一面藉由點感測器或線掃描等變更光之照射範圍一面推定面內之膜厚之情形比較,可高速地推定面內之膜厚分佈。如以上所述般,根據本實施形態之膜厚測定裝置1,可高速地測定樣品100之膜厚。
圖10係顯示本實施形態之膜厚測定裝置1與比較例之比較結果之圖。如圖10所示,於藉由點感測器,逐個一點地測定膜厚之情形下,耗費例如4小時左右之測定時間。此外,此處之4小時係例如進行約16000點之檢測之情形之測定時間。又,如圖10所示,於藉由線掃描,逐個一條線地測定膜厚之情形下,耗費例如3分鐘左右之測定時間。相對於此,如圖10所示之般,於本實施形態之膜厚測定裝置1中,由於對於樣品100,面狀地照射光,批次(同時)測定面內之膜厚,故測定時間成為5秒左右。如此,本實施形態之膜厚測定裝置1與比較例之點感測器或線掃描等比較,可高速地推定面內之膜厚分佈。此外,於本實施形態之膜厚測定裝置1中,可將測定結果與實際之膜厚之誤差設為0.1%以下。如此,本實施形態之膜厚測定裝置1可兼顧與膜厚相關之測定時間之縮短及測定精度之提高。又,點感測器及線掃描之構成難以進行嵌入(向裝置之搭載),但本實施形態之膜厚測定裝置1容易進行嵌入對應。
於上述膜厚測定裝置1中,控制裝置30可基於區域感測器23、24之每一像素之波長資訊,推定與各像素對應之膜厚。根據如此之構成,可更詳細地(就每一像素)推定樣品100之照射面之膜厚分佈。
於上述膜厚測定裝置1中,控制裝置30可進一步考量照射於樣品100之光之角度,來推定膜厚。由於若照射於樣品100之光之角度改變,則光路改變,故存在僅憑藉波長之資訊,無法高精度地推定膜厚之情形。該點藉由進一步考量照射於樣品100之光之角度,而可相應於實際之光路,更高精度地推定膜厚。具體而言,利用上述之(8)式,推定膜厚。
於上述膜厚測定裝置1中,光源10可對於樣品100照射漫射光。藉此,可對於樣品100之表面,均一地照射光。
於上述膜厚測定裝置1中,光源10可具有產生漫射光之導光板10d(參照圖2(a))。藉此,可以小型之構成,對於樣品100之表面,均一地照射光。
上述膜厚測定裝置1可更具備配置於傾斜二向分色反射鏡22及區域感測器23、24之間之帶通濾波器25、26。藉此,可去除所期望之波長範圍外之光,可提高膜厚推定之精度。
本實施形態之膜厚測定方法由膜厚測定裝置1實施,且包含:第1步驟,其對於樣品100,面狀地照射光;第2步驟,其拍攝由傾斜二向分色反射鏡22分離之光,該傾斜二向分色反射鏡22在載特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化,對來自樣品100之光藉由進行透過及反射而予分離;及第3步驟,其基於攝像結果導出波長,並基於該波長,推定樣品100之膜厚。根據如此之膜厚測定方法,可高速地測定樣品100之膜厚。
以上,針對本發明之實施形態進行了說明,但本發明並不限定於上述實施形態。膜厚測定裝置1可應用於各種樣品100之膜厚測定。如圖11所示,作為樣品100,考量半導體元件100A、平板顯示器100B、膜構件100C、電子零件100D、及電子零件以外之其他之零件100E等。
亦即,膜厚測定裝置1針對半導體元件100A,可測定形成於作為晶圓之基材102之膜101之厚度。該情形下,作為裝置構成,利用包含臂、卡匣、前開式晶圓傳送盒、輸送機、及移動載台等之晶圓搬送及保持機構。
又,膜厚測定裝置1針對平板顯示器100B,可測定形成於由玻璃、膜、片材等構成之基材102之膜101之厚度。該情形下,作為裝置構成,利用包含臂、玻璃台、輸送機、及移動載台等之搬送及保持機構。
又,膜厚測定裝置1針對膜構件100C,可測定形成於由玻璃、膜、片材等構成之基材102之膜101之厚度。該情形下,作為裝置構成,利用包含臂、玻璃台、輸送機、及移動載台等之搬送及保持機構。此外,針對膜構件100C,例如,可如圖12所示般,連續地拍攝朝一方向搬送之膜構件100C,藉由將攝像區域彼此接合,而可實施搬送之膜構件100C整體之膜厚測定。
又,膜厚測定裝置1針對電子零件100D,可測定形成於作為基板之基材102之膜101之厚度。該情形下,作為裝置構成,利用包含臂、卡匣、前開式晶圓傳送盒、輸送機、樣品台、及移動載台等之晶圓搬送及保持機構。
又,膜厚測定裝置1針對零件100E,可測定形成於作為基板之基材102之膜101之厚度。作為零件100E之膜,例如為成形品等之薄膜,該情形之膜厚測定係例如薄膜塗層厚度之測定。作為裝置構成,利用包含臂、卡匣、前開式晶圓傳送盒、輸送機、樣品台、及移動載台等之晶圓搬送及保持機構。
又,藉由上述之膜厚測定,導出相對的膜厚分佈,但此外,藉由檢測樣品100之某一點之光譜資訊(基準光譜資訊),而可基於相對的膜厚分佈及基準光譜資訊,分別導出各區域之膜厚終極絕對值。圖13係示意性顯示變化例之膜厚測定裝置1A之圖。膜厚測定裝置1A除在實施形態中所說明之膜厚測定裝置1之各構成以外,亦具備半反射鏡29、及分光器50。半反射鏡29反射例如樣品100之中央附近之一點之光。分光器50取得該一點之光之分光光譜資料即基準光譜資訊。如此,藉由取得基準光譜資訊,而決定(7)式及(8)式之m之值,不僅可導出相對的膜厚之變化量,亦可導出各區域之膜厚之絕對值。此外,膜厚之絕對值計測之方法不限定於上述內容。
1,1A:膜厚測定裝置
2nd,2ndcosθ:光路差
10:光源(光照射部)
10A:平面圓頂型之光源
10B:圓頂型之光源/光源
10c,10e:LED
10d:導光板
10f:圓頂部
20:相機系統
21:透鏡
22:傾斜二向分色反射鏡
23,24:區域感測器(攝像部)
25,26:帶通濾波器
29:半反射鏡
30:控制裝置(解析部)
50:分光器
100:樣品(對象物)
100A:半導體元件
100B:平板顯示器
100C:膜構件
100D:電子零件
100E:零件
101:膜
102:基材
m:正整數
R:反射光量
T:透過光量
X1:波形
X4:傾斜二向分色反射鏡之特性
X10:波長頻帶
X20:光
λ0:傾斜二向分色反射鏡之中心波長
λ1,λ2:波長
θ:入射角
圖1係示意性顯示本發明之實施形態之膜厚測定裝置之圖。
圖2係示意性顯示光源之一例之圖,圖2(a)顯示平面圓頂照明,圖2(b)顯示圓頂照明。
圖3係說明二向分色反射鏡之特性與自光源出射之光之波長之關係之圖。
圖4係說明光之光譜及傾斜二向分色反射鏡之特性之圖。
圖5係說明與透過光量及反射光量相應之波長偏移之圖。
圖6係顯示波長與膜厚之關係之圖。
圖7係說明膜厚測定之原理之圖。
圖8係說明對於相機系統之光之入射角之不同之圖。
圖9(a)、(b)係說明膜厚測定值之修正之圖。
圖10係顯示本實施形態之膜厚測定裝置與比較例之比較結果之圖。
圖11係說明變化例之膜厚測定裝置之圖。
圖12係說明變化例之膜厚測定裝置之圖。
圖13係示意性顯示變化例之膜厚測定裝置之圖。
1:膜厚測定裝置
10:光源(光照射部)
20:相機系統
21:透鏡
22:傾斜二向分色反射鏡
23,24:區域感測器(攝像部)
25,26:帶通濾波器
30:控制裝置(解析部)
100:樣品(對象物)
Claims (7)
- 一種膜厚測定裝置,其具備: 光照射部,其對於對象物,面狀地照射光; 光學元件,其在特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化,對來自前述對象物之光藉由進行透過及反射而予分離; 攝像部,其拍攝由前述光學元件分離之光; 解析部,其基於來自拍攝到光之前述攝像部之信號,推定前述對象物之膜厚;且 前述光照射部照射前述光學元件之前述特定之波長頻帶中所含之波長之光。
- 如請求項1之膜厚測定裝置,其中前述解析部基於前述攝像部之每一像素之波長資訊,推定與各像素對應之膜厚。
- 如請求項1或2之膜厚測定裝置,其中前述解析部進一步考量照射於前述對象物之光之角度,來推定膜厚。
- 如請求項1至3中任一項之膜厚測定裝置,其中前述光照射部對於前述對象物照射漫射光。
- 如請求項4之膜厚測定裝置,其中前述光照射部具有產生前述漫射光之導光板。
- 如請求項1之膜厚測定裝置,其更具備配置於前述光學元件及前述攝像部之間之帶通濾波器。
- 一種膜厚測定方法,其包含: 第1步驟,其對於對象物,面狀地照射光; 第2步驟,其拍攝由光學元件分離之光,該光學元件於特定之波長頻帶中,透過率及反射率相應於波長變化,對來自前述對象物之光藉由進行透過及反射而予分離;及 第3步驟,其基於攝像結果導出波長,並基於該波長,推定前述對象物之膜厚。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-022724 | 2020-02-13 | ||
JP2020022724 | 2020-02-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202140993A true TW202140993A (zh) | 2021-11-01 |
Family
ID=77291527
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110102791A TW202200972A (zh) | 2020-02-13 | 2021-01-26 | 攝像單元及測定裝置 |
TW110104642A TW202140992A (zh) | 2020-02-13 | 2021-02-08 | 高度計測裝置及高度計測方法 |
TW110105149A TW202140993A (zh) | 2020-02-13 | 2021-02-09 | 膜厚測定裝置及膜厚測定方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110102791A TW202200972A (zh) | 2020-02-13 | 2021-01-26 | 攝像單元及測定裝置 |
TW110104642A TW202140992A (zh) | 2020-02-13 | 2021-02-08 | 高度計測裝置及高度計測方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20230061667A1 (zh) |
EP (3) | EP4086597A4 (zh) |
JP (4) | JPWO2021161684A1 (zh) |
KR (3) | KR20220137629A (zh) |
CN (3) | CN115087849A (zh) |
TW (3) | TW202200972A (zh) |
WO (3) | WO2021161684A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023088595A (ja) * | 2021-12-15 | 2023-06-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 計測装置及び計測方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3400493B2 (ja) | 1993-07-14 | 2003-04-28 | 協立電機株式会社 | プリント基板上の物体の高さ検査装置 |
JPH1047926A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定装置および膜厚測定方法 |
JP3668466B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2005-07-06 | 松下電器産業株式会社 | 実時間レンジファインダ |
JP2004069651A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Omron Corp | 膜厚測定装置 |
JP2006276840A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-10-12 | Olympus Corp | 顕微鏡装置、その制御装置、及びプログラム |
JP2007101399A (ja) | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nikon Corp | 高さ測定装置および方法 |
JP5332192B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-11-06 | 株式会社ニコン | 3次元形状測定装置 |
US8040513B2 (en) * | 2008-06-18 | 2011-10-18 | Till I.D. Gmbh | Dual emission microscope |
DE102008044375A1 (de) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Robert Bosch Gmbh | Optisches Messgerät |
US20110071784A1 (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-24 | Nikon Corporation | Goos-Hanchen compensation in autofocus systems |
JP2012137394A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Honda Motor Co Ltd | 三次元形状測定装置 |
JP6261883B2 (ja) * | 2013-06-03 | 2018-01-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光観察装置、それに用いる撮像装置、及び光観察方法 |
JP6285112B2 (ja) | 2013-06-03 | 2018-02-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光分割装置 |
JP2015211727A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | オリンパス株式会社 | 内視鏡装置 |
JP6391345B2 (ja) * | 2014-07-29 | 2018-09-19 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡システム |
JP6394514B2 (ja) * | 2015-06-25 | 2018-09-26 | Jfeスチール株式会社 | 表面欠陥検出方法、表面欠陥検出装置、及び鋼材の製造方法 |
DE102015218720A1 (de) * | 2015-09-29 | 2016-09-15 | Carl Zeiss Meditec Ag | Beleuchtungsvorrichtung für ein Operationsmikroskop |
CN106052871A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-10-26 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 针对led全光谱检测的快速多通道光谱仪 |
JP2018116032A (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | キヤノン株式会社 | 被計測物の形状を計測する計測装置 |
JP6285597B1 (ja) | 2017-06-05 | 2018-02-28 | 大塚電子株式会社 | 光学測定装置および光学測定方法 |
JP2019144217A (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 国立大学法人千葉大学 | 膜厚測定装置、これを用いた蒸着装置及び膜特性評価装置 |
-
2021
- 2021-01-04 JP JP2022500259A patent/JPWO2021161684A1/ja active Pending
- 2021-01-04 US US17/797,206 patent/US20230061667A1/en active Pending
- 2021-01-04 KR KR1020227024143A patent/KR20220137629A/ko unknown
- 2021-01-04 EP EP21754639.9A patent/EP4086597A4/en active Pending
- 2021-01-04 WO PCT/JP2021/000041 patent/WO2021161684A1/ja unknown
- 2021-01-04 CN CN202180013797.7A patent/CN115087849A/zh active Pending
- 2021-01-26 TW TW110102791A patent/TW202200972A/zh unknown
- 2021-02-02 JP JP2022500339A patent/JPWO2021161854A1/ja active Pending
- 2021-02-02 EP EP21753865.1A patent/EP4067842A4/en active Pending
- 2021-02-02 WO PCT/JP2021/003768 patent/WO2021161854A1/ja unknown
- 2021-02-02 CN CN202180013788.8A patent/CN115104002A/zh active Pending
- 2021-02-02 US US17/797,179 patent/US20230066638A1/en active Pending
- 2021-02-02 KR KR1020227018393A patent/KR20220137616A/ko unknown
- 2021-02-08 TW TW110104642A patent/TW202140992A/zh unknown
- 2021-02-09 CN CN202180013891.2A patent/CN115104000A/zh active Pending
- 2021-02-09 JP JP2022500416A patent/JPWO2021161986A1/ja active Pending
- 2021-02-09 WO PCT/JP2021/004743 patent/WO2021161986A1/ja unknown
- 2021-02-09 TW TW110105149A patent/TW202140993A/zh unknown
- 2021-02-09 EP EP21754650.6A patent/EP4067843A4/en active Pending
- 2021-02-09 US US17/797,193 patent/US20230058064A1/en active Pending
- 2021-02-09 KR KR1020227018154A patent/KR20220137615A/ko active Search and Examination
-
2023
- 2023-08-23 JP JP2023135422A patent/JP2023169165A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115087849A (zh) | 2022-09-20 |
US20230058064A1 (en) | 2023-02-23 |
WO2021161986A1 (ja) | 2021-08-19 |
KR20220137629A (ko) | 2022-10-12 |
EP4086597A1 (en) | 2022-11-09 |
KR20220137615A (ko) | 2022-10-12 |
US20230066638A1 (en) | 2023-03-02 |
US20230061667A1 (en) | 2023-03-02 |
EP4067843A4 (en) | 2023-12-20 |
WO2021161854A1 (ja) | 2021-08-19 |
JPWO2021161854A1 (zh) | 2021-08-19 |
TW202140992A (zh) | 2021-11-01 |
JPWO2021161684A1 (zh) | 2021-08-19 |
CN115104002A (zh) | 2022-09-23 |
TW202200972A (zh) | 2022-01-01 |
EP4086597A4 (en) | 2024-01-10 |
EP4067843A1 (en) | 2022-10-05 |
WO2021161684A1 (ja) | 2021-08-19 |
EP4067842A1 (en) | 2022-10-05 |
JP2023169165A (ja) | 2023-11-29 |
JPWO2021161986A1 (zh) | 2021-08-19 |
KR20220137616A (ko) | 2022-10-12 |
EP4067842A4 (en) | 2023-12-06 |
CN115104000A (zh) | 2022-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI480501B (zh) | Displacement measurement method and displacement measuring device | |
JP6523558B2 (ja) | 透明基板を備えた薄膜の測定装置およびその測定方法 | |
JP4323991B2 (ja) | 分光反射率測定装置、膜厚測定装置および分光反射率測定方法 | |
JP5790644B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
TW200532164A (en) | Film thickness measuring method and apparatus | |
JP5871242B2 (ja) | 膜厚測定装置及び膜厚測定方法 | |
JP2008039750A (ja) | 高さ測定装置 | |
JP2011174764A (ja) | 検査方法および検査装置 | |
TW202140993A (zh) | 膜厚測定裝置及膜厚測定方法 | |
WO2020195137A1 (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
JP2004069651A (ja) | 膜厚測定装置 | |
JP3632078B2 (ja) | 透明平行平板の表面形状測定および厚さ不均一測定のための干渉縞解析法 | |
JP6923363B2 (ja) | 膜厚測定装置及び膜厚測定方法 | |
JP2005274156A (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP2011141136A (ja) | 検査装置 | |
WO2022172532A1 (ja) | 膜厚測定装置及び膜厚測定方法 | |
WO2024014273A1 (ja) | 検査システム及びこれを用いた物品の表面の傾斜角補正方法 | |
KR102204449B1 (ko) | 광간섭 방식을 이용한 컨포말 코팅 두께 측정 장치 | |
JP7121222B1 (ja) | 膜厚測定装置及び膜厚測定方法 | |
JPH06331320A (ja) | 膜厚測定装置 | |
TW202246730A (zh) | 膜厚測定裝置及膜厚測定方法 | |
JP2023019494A (ja) | 検査システム | |
JP2020177032A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
KR20160025425A (ko) | 패키지 모듈 측정장치 및 측정방법 | |
JP2011038963A (ja) | 斜入射干渉計 |