CN115104000A - 膜厚测定装置及膜厚测定方法 - Google Patents

膜厚测定装置及膜厚测定方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115104000A
CN115104000A CN202180013891.2A CN202180013891A CN115104000A CN 115104000 A CN115104000 A CN 115104000A CN 202180013891 A CN202180013891 A CN 202180013891A CN 115104000 A CN115104000 A CN 115104000A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
film thickness
wavelength
thickness measuring
measuring apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180013891.2A
Other languages
English (en)
Inventor
中村共则
大塚贤一
荒野谕
土屋邦彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN115104000A publication Critical patent/CN115104000A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G01B11/0633Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection using one or more discrete wavelengths
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0608Height gauges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0691Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of objects while moving
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/02Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0205Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/027Control of working procedures of a spectrometer; Failure detection; Bandwidth calculation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/30Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
    • G01J3/36Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/8422Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/141Beam splitting or combining systems operating by reflection only using dichroic mirrors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)

Abstract

膜厚测定装置具备:光照射部,其相对于对象物面状地照射光;光学元件,其在规定的波长频带中透过率及反射率对应于波长而变化,将来自对象物的光进行透过及反射而予以分离;摄像部,其对由光学元件分离的光进行摄像;及解析部,其基于来自对光进行摄像的摄像部的信号,推定对象物的膜厚;光照射部照射光学元件的规定的波长频带所包含的波长的光。

Description

膜厚测定装置及膜厚测定方法
技术领域
本发明的一方式涉及一种膜厚测定装置及膜厚测定方法。
背景技术
在例如半导体的制造装置等中,在晶圆面均匀地成膜是重要的。在膜厚值的面内均匀性较差的情况下,产生配线不良或空隙等的故障主要原因,而使成品率恶化。该情况下,因工艺时间及材料增加,生产效率恶化成为问题。因而,在半导体的制造装置等中,通常,通过点传感器或线扫描(例如参照专利文献1)等测定膜厚,并判定是否成为所期望的膜厚分布。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-205132
发明内容
发明所要解决的技术问题
此处,在上述的通过点传感器或线扫描等测定膜厚的方法中,测定时间变长成为问题。
本发明的一方式鉴于上述实际情况而完成,其目的在于,提供一种可高速地测定膜厚的膜厚测定装置及膜厚测定方法。
解决问题的技术手段
本发明的一方式的膜厚测定装置,具备:光照射部,其相对于对象物面状地照射光;光学元件,其在规定的波长频带中透过率及反射率对应于波长而变化,将来自对象物的光进行透过及反射而予以分离;摄像部,其对由光学元件分离的光进行摄像;及解析部,其基于来自对光进行了摄像的摄像部的信号,推定对象物的膜厚;光照射部照射光学元件的规定的波长频带所包含的波长的光。
在本发明的一方式的膜厚测定装置中,相对于对象物面状地照射光学元件的规定的波长频带所包含的波长的光。于是,在本膜厚测定装置中,光学元件对来自对象物的光进行透过及反射而予以分离。此处,光学元件在规定的波长频带中,透过率及反射率对应于波长而变化。因而,在光学元件中被分离的光的被透过的比例与被反射的比例对应于波长而变化。于是,通过在摄像部中对被分离的光进行摄像,而可特定透过光的比例与反射光的比例,其结果,可特定波长。再有,在解析部中,基于来自摄像部的信号,推定对象物的膜厚。在可基于表示波长的信息推定膜厚的情况下,如上所述,根据摄像部的摄像结果,特定波长,因而通过考虑包含该波长的信息的信号(来自摄像部的信号),而可高精度地推定对象物的膜厚。于是,在本膜厚测定装置中,由于相对于对象物面状地照射光,同时对应于来自对象物的光推定对象物的面内的膜厚,因而与一边通过点传感器或线扫描等变更光的照射范围一边推定面内的膜厚的情况比较,可高速地推定面内的膜厚分布。如以上所述,根据本发明的一方式的膜厚测定装置,可高速地测定对象物的膜厚。
在上述膜厚测定装置中,解析部也可基于摄像部的每一像素的波长信息,推定与各像素对应的膜厚。根据这样的结构,可更详细地(按每一像素)推定对象物的照射面上的膜厚分布。
在上述膜厚测定装置中,解析部也可进一步考虑照射于对象物的光的角度来推定膜厚。由于若照射于对象物的光的角度改变,则光路改变,因而存在仅根据波长的信息,无法高精度地推定膜厚的情况。该点通过进一步考虑照射于对象物的光的角度,而可对应于实际的光路,更高精度地推定膜厚。
在上述膜厚测定装置中,光照射部也可相对于对象物照射扩散光。由此,可相对于对象物的表面,均匀地照射光。
在上述膜厚测定装置中,光照射部也可具有产生扩散光的导光板。由此,可以紧凑的结构,相对于对象物的表面,均匀地照射光。
上述膜厚测定装置也可还具备配置于光学元件及摄像部之间的带通滤波器。由此,可去除所期望的波长范围外的光,可提高膜厚推定的精度。
本发明的一方式的膜厚测定方法,包含:第1工序,其相对于对象物面状地照射光;第2工序,其对由光学元件分离的光进行摄像,该光学元件在规定的波长频带中透过率及反射率对应于波长而变化,且将来自对象物的光透过及反射而予以分离;及第3工序,其基于摄像结果导出波长,并基于该波长,推定对象物的膜厚。根据这样的膜厚测定方法,可与上述的膜厚测定装置同样地,高速地测定对象物的膜厚。
发明的效果
根据本发明的一方式的膜厚测定装置,可高速地测定对象物的膜厚。
附图说明
图1是示意性显示本发明的实施方式的膜厚测定装置的图。
图2是示意性显示光源的一个例子的图,图2的(a)显示平面圆顶(flat dome)照明,图2的(b)显示圆顶(dome)照明。
图3是说明分色镜的特性与自光源出射的光的波长的关系的图。
图4是说明光的光谱及倾斜分色镜的特性的图。
图5是说明与透过光量及反射光量对应的波长偏移的图。
图6是显示波长与膜厚的关系的图。
图7是说明膜厚测定的原理的图。
图8是说明相对于相机系统的光的入射角的不同的图。
图9是说明膜厚测定值的修正的图。
图10是显示本实施方式的膜厚测定装置与比较例的比较结果的图。
图11是说明变形例的膜厚测定装置的图。
图12是说明变形例的膜厚测定装置的图。
图13是示意性显示变形例的膜厚测定装置的图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行详细的说明。此外,在各图中,对同一或相当部分赋予同一符号,且省略重复的说明。
图1是示意性显示本实施方式的膜厚测定装置1的图。膜厚测定装置1是相对于样品100(对象物)面状地照射光,并基于来自该样品100的反射光,测定形成于样品100的膜的厚度的装置。样品100可为例如LED、微型LED、μLED、SLD元件、激光元件、垂直型激光元件(VCSEL)、OLED等的发光元件,也可为通过包含纳米点等的荧光物质而调整发光波长的发光元件。
如图1所示,膜厚测定装置1具备:光源10(光照射部)、相机系统20、及控制装置30(解析部)。
光源10相对于样品100面状地照射光。光源10例如相对于样品100的表面的大致整个面,面状地照射光。光源10例如为可对样品100的表面均匀地照射的光源,相对于样品100照射扩散光。如图2所示,光源10可为所谓平面圆顶型的光源10A(参照图2的(a)),也可为圆顶型的光源10B(参照图2的(b))。图2的(a)所示的光源10A具有:LED 10c、及导光板10d。导光板10d对应于自LED 10c照射的光,产生扩散光。由导光板10d产生的扩散光在样品100被反射,并输入至相机系统20。根据这样的平面圆顶型的光源10A,可一边确保充分的视野(例如300mm左右的视野)一边抑制映入。光源10B具有:LED 10e、及圆顶部10f。自LED 10e照射的光朝圆顶部10f的内面照射,来自该圆顶部10f的内面的扩散光在样品100被反射,样品100的反射光输入至相机系统20。光源10可为利用白色LED、卤素灯、或Xe灯等的面照明单元。
光源10相对于样品100照射相机系统20所具有的倾斜分色镜22(细节在后面描述)的规定的波长频带所包含的波长的光。细节在后面描述,但倾斜分色镜22是将来自样品100的光对应于波长进行透过及反射而予以分离的光学元件。倾斜分色镜22在上述的规定的波长频带中透过率及反射率对应于波长而变化。
图3是说明倾斜分色镜22的特性与自光源10出射的光的波长的关系的图。在图3中,横轴表示波长,纵轴表示倾斜分色镜22的透过率。如图3的倾斜分色镜22的特性X4所示的那样,在倾斜分色镜22中,在规定的波长频带X10中,光的透过率(及反射率)对应于波长的变化而平缓地变化,在该规定的波长频带以外的波长频带中,无论波长的变化如何,均将光的透过率(及反射率)设为一定。如图3所示,自光源10输出的光X20包含上述的规定的波长频带X10所包含的波长的光。即,光源10输出包含规定的波长频带X10的宽的光谱的光。此外,测定所涉及的波长频带(干涉峰波长)由形成于样品100的膜的材质及测定膜厚范围决定。
返回图1,相机系统20构成为包含透镜21、倾斜分色镜22(光学元件)、区域传感器23、24(摄像部)、及带通滤波器25、26。
透镜21是将入射的来自样品100的光聚光的透镜。透镜21可配置于倾斜分色镜22的前段(上游),也可配置于倾斜分色镜22与区域传感器23、24之间的区域。透镜21可为有限焦点透镜,也可为无限焦点透镜。在透镜21为有限焦点透镜的情况下,透镜21至区域传感器23、24的距离被设为规定值。在透镜21为无限焦点透镜的情况下,透镜21为将来自样品100的光转换为平行光的准直透镜,以获得平行光的方式进行像差修正。自透镜21输出的光朝倾斜分色镜22入射。
倾斜分色镜22是利用特殊的光学原材料而制作的镜,且是将来自样品100的光对应于波长进行透过及反射而予以分离的光学元件。倾斜分色镜22构成为在规定的波长频带中,光的透过率及反射率对应于波长而变化。
图4是说明光的光谱及倾斜分色镜22的特性的图。在图4中,横轴表示波长,纵轴表示光谱强度(光的光谱的情况)及透过率(倾斜分色镜22的情况)。如图4的倾斜分色镜22的特性X4所示的那样,在倾斜分色镜22中,在规定的波长频带(波长λ1~λ2的波长频带)中,光的透过率(及反射率)对应于波长的变化而平缓地变化,在该规定的波长频带以外的波长频带(即,较波长λ1为低波长侧、及较波长λ2为高波长侧)中,无论波长的变化如何,均将光的透过率(及反射率)设为一定。换言之,在规定的波长帯(波长λ1~λ2的波长帯)中,光的透过率对应于波长的变化而单调增加(反射率单调减少)地变化。由于透过率与反射率存在若一者朝变大的方向变化,则另一者朝变小的方向变化的负的相关关系,因而以下有简单记载为“透过率”,而不记载为“透过率(及反射率)”的情况。此外,“无论波长的变化如何,光的透过率均为一定”不仅包含完全为一定的情况,也包含例如相对于波长1nm的变化的透过率的变化为0.1%以下的情况。在较波长λ1低波长侧,无论波长的变化如何,光的透过率均大致为0%,在较波长λ2高波长侧,无论波长的变化如何,光的透过率均大致为100%。此外,“光的透过率大致为0%”包含0%+10%左右的透过率,“光的透过率大致为100%”包含100%-10%左右的透过率。在图4中,波形X1表示自光源10输出的光的波形。如图4的波形X1所示,自光源10输出的光包含倾斜分色镜22的规定的波长频带(波长λ1~λ2的波长频带)所包含的波长的光。
区域传感器23、24对由倾斜分色镜22分离的光进行摄像。区域传感器23对在倾斜分色镜22透过的光进行摄像。区域传感器24对在倾斜分色镜22反射的光进行摄像。区域传感器23、24具有灵敏度的波长的范围对应于在倾斜分色镜22中光的透过率(及反射率)对应于波长的变化而变化的规定的波长频带。区域传感器23、24例如为单色传感器或彩色传感器。由区域传感器23、24获得的摄像结果(图像)输出至控制装置30。
带通滤波器25配置于倾斜分色镜22及区域传感器23之间。带通滤波器26配置于倾斜分色镜22及区域传感器24之间。带通滤波器25、26例如也可为去除上述的规定的波长频带(在倾斜分色镜22中,光的透过率及反射率对应于波长而变化的波长频带)以外的波长频带的光的滤波器。
返回图1,控制装置30为计算机,在物理上构成为具备RAM、ROM等的存储器、CPU等的处理器(运算电路)、通信接口、硬盘等的储存部。控制装置30通过以计算机系统的CPU执行储存于存储器的程序而发挥功能。控制装置30也可由微电脑或FPGA构成。
控制装置30基于来自对光进行了摄像的区域传感器23、24的信号,推定样品100的膜厚。控制装置30基于区域传感器23、24中的每一像素的波长信息,推定与各像素对应的膜厚。更详细而言,控制装置30基于:基于区域传感器23中的摄像结果(来自区域传感器23的信号)而特定的透过光量、基于区域传感器24中的摄像结果(来自区域传感器24的信号)而特定的反射光量、倾斜分色镜22的中心波长(规定的波长频带的中心波长)、及倾斜分色镜22的宽度,导出每一像素的光的波长重心,并基于该波长重心,推定与各像素对应的膜厚。所谓倾斜分色镜22的宽度,例如是在倾斜分色镜22中透过率成为0%的波长至透过率成为100%的波长的波长宽度。
具体而言,控制装置30基于以下的(1)式,导出各像素的波长重心。在以下的(1)式中,λ表示波长重心,λ0表示倾斜分色镜22的中心波长,A表示倾斜分色镜22的宽度,R表示反射光量,T表示透过光量。
λ=λ0+A(T-R)/2(T+R) (1)
图5是说明与透过光量及反射光量对应的波长偏移的图。在根据上述的(1)式,导出λ(波长重心)的情况下,如图5所示,针对T(透过光量)=R(反射光量)的像素,设为λ=λ0(倾斜分色镜22的中心波长)。另外,针对T<R的像素、即反射光量多于透过光量的像素,设为λ=λ1(较λ0为短波长侧的波长)。另外,针对T>R的像素、即透过光量多于反射光量的像素,设为λ=λ2(较λ0为长波长侧的波长)。这样,λ(波长重心)的值基于透过光量及反射光量而偏移(波长偏移)。
此外,波长重心的导出方法并不限定于上述。例如,由于λ(波长重心)与以下的x存在比例关系,因而可根据以下的(2)式及(3)式导出波长重心。在以下的(3)式中,IT表示透过光量,IR表示反射光量。另外,在测定对象的光谱形状及倾斜分色镜22的线形成为理想的形状的情况下,作为(2)式中的参数的a、b由倾斜分色镜22的光学特性决定。
λ=ax+b (2)
x=IT-IR/2(IT+IR) (3)
此外,由于实际上在光学系统及相机间的光谱特性上存在差异(个体差异),因而出于对它们予以修正的目的,例如,可将反射特性为已知的基板的信号强度作为参考,根据以下的(4)式导出x。在以下的(4)式中,ITr表示参考的透过光量,IRr表示参考的反射光量。
x=(IT/ITr-IR/IRr)/2(IT/ITr+IR/IRr) (4)
另外,出于去除来自光源的直接光的影响的目的,可利用无反射状态的信号量,根据以下的(5)式导出x。在以下的(5)式中,ITb表示无反射状态的透过光量,IRb表示无反射状态的反射光量。
x={(IT-ITb)/(ITr-ITb)-(IR-IRb)/(IRr-IRb)}/2{(IT-ITb)/(ITr-ITb)+(IR-IRb)/(IRr-IRb
)}(5)
另外,为了总括性地实施膜特性、照射光谱、倾斜分色镜22的非线形性等的各种修正,波长重心(λ)也可以以下的(6)式那样的多项式近似。此外,以下的(6)式中的各参数(a、b、c、d、e)例如通过将波长重心(膜厚)不同的样品测定多次而决定。
λ=ax4+bx3+cx2+dx+e (6)
图6是说明膜厚测定的原理的图。在图6中,横轴设为波长,纵轴设为反射率。在图6所示的例子中,针对膜厚为820nm的例子、830nm的例子、840nm的例子的各个,显示波长与反射率的关系。如图6所示,波长重心因膜厚的不同而不同。因而,通过特定波长重心,而可推定膜厚。
波长与膜厚的关系可如图7所示,通过以下的(7)式来说明。在以下的(7)式中,n表示膜的折射率,d表示膜厚。m表示正整数(1、2、3、…),λ表示波长重心。2nd表示光路差(因配置膜而产生的光路差)。控制装置30基于以下的(7)式,根据各像素的波长重心,推定与各像素对应的膜厚。
2nd=mλ(m=1、2、3、…)(增强条件)
2nd=(m-1/2)λ(m=1、2、3、…)(减弱条件)··(7)
此处,上述的表示波长与膜厚的关系的(7)式在光相对于样品100垂直地入射的情况下成立。另一方面,在光不相对于样品100垂直地入射的情况下,上述(7)式不成立。即,如图8所示,在光相对于在基材102的表面配置有膜101的样品100入射的情况下,由于光的入射角因测定点而不同且光路差不同,因而无法一律根据上述(7)式高精度地推定膜厚。因而,为了在任何测定点(入射角)均高精度地推定膜厚,需要与测定点(入射角)对应的计算(修正处理)。
图9是说明膜厚测定值的修正的图。如图9的(a)所示,在光的入射角为θ的情况下,光路差以2ndcosθ表示。由此,考虑了入射角θ的波长与膜厚的关系可如图9的(b)所示通过以下的(8)式说明。控制装置30基于以下的(8)式,进行与测定点(入射角)对应的膜厚推定。这样,控制装置30也可进一步考虑照射于样品100的光的角度,根据波长重心,推定膜厚。
2ndcosθ=mλ(增强条件)
2ndcosθ=(m-1/2)λ(减弱条件)··(8)
如上所述,膜厚测定装置1实施膜厚测定方法。膜厚测定方法例如包含:第1工序,其相对于样品100,面状地照射光;第2工序,其对由倾斜分色镜22分离的光进行摄像,该倾斜分色镜22在规定的波长频带中透过率及反射率对应于波长而变化,将来自样品100的光进行透过及反射而予以分离;及第3工序,其基于摄像结果导出波长,并基于该波长,推定样品100的膜厚。
其次,针对本实施方式的作用效果进行说明。
本实施方式的膜厚测定装置1具备:光源10,其相对于样品100,面状地照射光;倾斜分色镜22,其在规定的波长频带中,透过率及反射率对应于波长而变化,将来自样品100的光进行透过及反射而予以分离;区域传感器23、24,其对由倾斜分色镜22分离的光进行摄像;及控制装置30,其基于来自对光进行了摄像的区域传感器23、24的信号,推定样品100的膜厚;光源10照射倾斜分色镜22的规定的波长频带所包含的波长的光。
在本实施方式的膜厚测定装置1中,相对于样品100,面状地照射倾斜分色镜22的规定的波长频带所包含的波长的光。于是,在本实施方式的膜厚测定装置1中,倾斜分色镜22对来自样品100的光进行透过及反射而予以分离。此处,倾斜分色镜22在规定的波长频带中,透过率及反射率对应于波长而变化。因而,在倾斜分色镜22被分离的光中的被透过的比例与被反射的比例对应于波长而变化。于是,通过在区域传感器23、24中对被分离的光进行摄像,而可特定透过光的比例与反射光的比例,其结果,可特定波长。再有,在控制装置30中,基于来自区域传感器23、24的信号,推定样品100的膜厚。由于若可基于表示波长的信息,推定膜厚,则如上所述,根据区域传感器23、24的摄像结果推定波长,因而通过考虑包含该波长的信息的信号(来自区域传感器23、24的信号),而可高精度地推定样品100的膜厚。于是,在本实施方式的膜厚测定装置1中,由于相对于样品100,面状地照射光,同时对应于来自样品100的光,推定样品100的面内的膜厚,因而与一边通过点传感器或线扫描等变更光的照射范围一边推定面内的膜厚的情况比较,可高速地推定面内的膜厚分布。如以上所述,根据本实施方式的膜厚测定装置1,可高速地测定样品100的膜厚。
图10是显示本实施方式的膜厚测定装置1与比较例的比较结果的图。如图10所示,在通过点传感器各一点地测定膜厚的情况下,耗费例如4小时左右的测定时间。此外,此处的4小时是例如进行约16000点的检测的情况下的测定时间。另外,如图10所示,在通过线扫描各一条线地测定膜厚的情况下,耗费例如3分钟左右的测定时间。相对于此,如图10所示,在本实施方式的膜厚测定装置1中,由于相对于样品100面状地照射光且一并(同时)地测定面内的膜厚,因而测定时间成为5秒左右。这样,本实施方式的膜厚测定装置1与比较例的点传感器或线扫描等比较,可高速地推定面内的膜厚分布。此外,在本实施方式的膜厚测定装置1中,可将测定结果与实际的膜厚的误差设为0.1%以下。这样,本实施方式的膜厚测定装置1可兼得与膜厚相关的测定时间的缩短及测定精度的提高。另外,点传感器及线扫描所涉及的结构难以进行嵌入(向装置的搭载),但本实施方式的膜厚测定装置1容易进行嵌入对应。
在上述膜厚测定装置1中,控制装置30也可基于区域传感器23、24中的每一像素的波长信息,推定与各像素对应的膜厚。根据这样的结构,可更详细地(按每一像素)推定样品100的照射面上的膜厚分布。
在上述膜厚测定装置1中,控制装置30也可进一步考虑照射于样品100的光的角度来推定膜厚。由于若照射于样品100的光的角度改变,则光路改变,因而存在仅根据波长的信息,无法高精度地推定膜厚的情况。该点通过进一步考虑照射于样品100的光的角度,而可对应于实际的光路,更高精度地推定膜厚。具体而言,利用上述的(8)式,推定膜厚。
在上述膜厚测定装置1中,光源10也可相对于样品100照射扩散光。由此,可相对于样品100的表面均匀地照射光。
在上述膜厚测定装置1中,光源10也可具有产生扩散光的导光板10d(参照图2的(a))。由此,可以紧凑的结构,相对于样品100的表面,均匀地照射光。
上述膜厚测定装置1也可还具备配置于倾斜分色镜22及区域传感器23、24之间的带通滤波器25、26。由此,可去除所期望的波长范围外的光,可提高膜厚推定的精度。
本实施方式的膜厚测定方法由膜厚测定装置1实施,且包含:第1工序,其相对于样品100,面状地照射光;第2工序,其对由倾斜分色镜22分离的光进行摄像,该倾斜分色镜22在规定的波长频带中透过率及反射率对应于波长而变化且将来自样品100的光进行透过及反射而予以分离;及第3工序,其基于摄像结果导出波长,并基于该波长,推定样品100的膜厚。根据这样的膜厚测定方法,可高速地测定样品100的膜厚。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但本发明并不限定于上述实施方式。膜厚测定装置1可应用于各种样品100的膜厚测定。如图11所示,作为样品100,考虑半导体元件100A、平板显示器100B、膜构件100C、电子部件100D、及电子部件以外的其他的部件100E等。
即,膜厚测定装置1针对半导体元件100A,也可测定形成于作为晶圆的基材102的膜101的厚度。该情况下,作为装置结构,利用包含臂、卡匣、前开式晶圆传送盒、输送机、移动载台等的晶圆搬送及保持机构。
另外,膜厚测定装置1针对平板显示器100B,也可测定形成于由玻璃、膜、片材等构成的基材102的膜101的厚度。该情况下,作为装置结构,利用包含臂、玻璃台、输送机、移动载台等的搬送及保持机构。
另外,膜厚测定装置1针对膜构件100C,也可测定形成于由玻璃、膜、片材等构成的基材102的膜101的厚度。该情况下,作为装置结构,利用包含臂、玻璃台、输送机、移动载台等的搬送及保持机构。此外,针对膜构件100C,例如,也可如图12所示,连续地对朝一方向搬送的膜构件100C进行摄像,通过将摄像区域彼此接合,而实施搬送的膜构件100C整体的膜厚测定。
另外,膜厚测定装置1针对电子部件100D,也可测定形成于作为基板的基材102的膜101的厚度。该情况下,作为装置结构,利用包含臂、卡匣、前开式晶圆传送盒、输送机、样品台、移动载台等的晶圆搬送及保持机构。
另外,膜厚测定装置1针对部件100E,也可测定形成于作为基板的基材102的膜101的厚度。作为部件100E的膜,例如为成形品等的薄膜,该情况下的膜厚测定,是例如薄膜涂层厚度的测定。作为装置结构,利用包含臂、卡匣、前开式晶圆传送盒、输送机、样品台、移动载台等的晶圆搬送及保持机构。
另外,通过上述的膜厚测定,导出相对的膜厚分布,但除此之外,也可还通过检测样品100的某一点的光谱信息(基准光谱信息),而基于相对的膜厚分布及基准光谱信息,分别导出各区域的膜厚的绝对值。图13是示意性显示变形例的膜厚测定装置1A的图。膜厚测定装置1A除在实施方式中所说明的膜厚测定装置1的各结构以外,还具备半反半透镜29、及分光器50。半反半透镜29反射例如样品100的中央附近的一点的光。分光器50取得该一点的光的分光光谱数据即基准光谱信息。这样,通过取得基准光谱信息,而决定(7)式及(8)式中的m的值,不仅可导出相对的膜厚的变化量,也可导出各区域的膜厚的绝对值。此外,膜厚的绝对值测量的方法不限定于上述。
符号的说明
1,1A…膜厚测定装置、10…光源(光照射部)、10d…导光板、22…倾斜分色镜、23,24…区域传感器(摄像部)、25,26…带通滤波器、30…控制装置(解析部)、100…样品(对象物)。

Claims (7)

1.一种膜厚测定装置,其中,
具备:
光照射部,其相对于对象物面状地照射光;
光学元件,其在规定的波长频带中透过率及反射率对应于波长而变化,将来自所述对象物的光进行透过及反射而予以分离;
摄像部,其对由所述光学元件分离的光进行摄像;
解析部,其基于来自对光进行了摄像的所述摄像部的信号,推定所述对象物的膜厚,
所述光照射部照射所述光学元件的所述规定的波长频带所包含的波长的光。
2.如权利要求1所述的膜厚测定装置,其中,
所述解析部基于所述摄像部中的每一像素的波长信息,推定与各像素对应的膜厚。
3.如权利要求1或2所述的膜厚测定装置,其中,
所述解析部进一步考虑照射于所述对象物的光的角度而推定膜厚。
4.如权利要求1~3中任一项所述的膜厚测定装置,其中,
所述光照射部相对于所述对象物照射扩散光。
5.如权利要求4所述的膜厚测定装置,其中,
所述光照射部具有产生所述扩散光的导光板。
6.如权利要求1所述的膜厚测定装置,其中,
还具备配置于所述光学元件及所述摄像部之间的带通滤波器。
7.一种膜厚测定方法,其中,
包含:
第1工序,其相对于对象物面状地照射光;
第2工序,其对由光学元件分离的光进行摄像,该光学元件在规定的波长频带中透过率及反射率对应于波长而变化,且将来自所述对象物的光进行透过及反射而予以分离;及
第3工序,其基于摄像结果导出波长,并基于该波长,推定所述对象物的膜厚。
CN202180013891.2A 2020-02-13 2021-02-09 膜厚测定装置及膜厚测定方法 Pending CN115104000A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020022724 2020-02-13
JP2020-022724 2020-02-13
PCT/JP2021/004743 WO2021161986A1 (ja) 2020-02-13 2021-02-09 膜厚測定装置及び膜厚測定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115104000A true CN115104000A (zh) 2022-09-23

Family

ID=77291527

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180013797.7A Pending CN115087849A (zh) 2020-02-13 2021-01-04 摄像单元及测定装置
CN202180013788.8A Pending CN115104002A (zh) 2020-02-13 2021-02-02 高度测量装置及高度测量方法
CN202180013891.2A Pending CN115104000A (zh) 2020-02-13 2021-02-09 膜厚测定装置及膜厚测定方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180013797.7A Pending CN115087849A (zh) 2020-02-13 2021-01-04 摄像单元及测定装置
CN202180013788.8A Pending CN115104002A (zh) 2020-02-13 2021-02-02 高度测量装置及高度测量方法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US20230061667A1 (zh)
EP (3) EP4086597A4 (zh)
JP (3) JPWO2021161684A1 (zh)
KR (3) KR20220137629A (zh)
CN (3) CN115087849A (zh)
TW (3) TW202200972A (zh)
WO (3) WO2021161684A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023088595A (ja) * 2021-12-15 2023-06-27 浜松ホトニクス株式会社 計測装置及び計測方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3400493B2 (ja) 1993-07-14 2003-04-28 協立電機株式会社 プリント基板上の物体の高さ検査装置
JPH1047926A (ja) * 1996-08-07 1998-02-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 膜厚測定装置および膜厚測定方法
JP3668466B2 (ja) * 2002-05-10 2005-07-06 松下電器産業株式会社 実時間レンジファインダ
JP2004069651A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Omron Corp 膜厚測定装置
JP2006276840A (ja) * 2005-03-03 2006-10-12 Olympus Corp 顕微鏡装置、その制御装置、及びプログラム
JP2007101399A (ja) 2005-10-05 2007-04-19 Nikon Corp 高さ測定装置および方法
JP5332192B2 (ja) 2007-12-17 2013-11-06 株式会社ニコン 3次元形状測定装置
US8040513B2 (en) * 2008-06-18 2011-10-18 Till I.D. Gmbh Dual emission microscope
DE102008044375A1 (de) * 2008-12-05 2010-06-10 Robert Bosch Gmbh Optisches Messgerät
US20110071784A1 (en) * 2009-09-21 2011-03-24 Nikon Corporation Goos-Hanchen compensation in autofocus systems
JP2012137394A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Honda Motor Co Ltd 三次元形状測定装置
JP6285112B2 (ja) 2013-06-03 2018-02-28 浜松ホトニクス株式会社 光分割装置
JP6261883B2 (ja) * 2013-06-03 2018-01-17 浜松ホトニクス株式会社 光観察装置、それに用いる撮像装置、及び光観察方法
JP2015211727A (ja) * 2014-05-01 2015-11-26 オリンパス株式会社 内視鏡装置
JP6391345B2 (ja) * 2014-07-29 2018-09-19 オリンパス株式会社 顕微鏡システム
JP6394514B2 (ja) * 2015-06-25 2018-09-26 Jfeスチール株式会社 表面欠陥検出方法、表面欠陥検出装置、及び鋼材の製造方法
DE102015218720A1 (de) * 2015-09-29 2016-09-15 Carl Zeiss Meditec Ag Beleuchtungsvorrichtung für ein Operationsmikroskop
CN106052871A (zh) * 2016-06-03 2016-10-26 哈尔滨工业大学深圳研究生院 针对led全光谱检测的快速多通道光谱仪
JP2018116032A (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 キヤノン株式会社 被計測物の形状を計測する計測装置
JP6285597B1 (ja) 2017-06-05 2018-02-28 大塚電子株式会社 光学測定装置および光学測定方法
JP2019144217A (ja) * 2018-02-20 2019-08-29 国立大学法人千葉大学 膜厚測定装置、これを用いた蒸着装置及び膜特性評価装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP4067842A4 (en) 2023-12-06
JPWO2021161854A1 (zh) 2021-08-19
WO2021161986A1 (ja) 2021-08-19
EP4086597A1 (en) 2022-11-09
TW202200972A (zh) 2022-01-01
EP4067842A1 (en) 2022-10-05
CN115104002A (zh) 2022-09-23
KR20220137616A (ko) 2022-10-12
EP4086597A4 (en) 2024-01-10
EP4067843A4 (en) 2023-12-20
US20230058064A1 (en) 2023-02-23
US20230066638A1 (en) 2023-03-02
CN115087849A (zh) 2022-09-20
TW202140992A (zh) 2021-11-01
JPWO2021161684A1 (zh) 2021-08-19
JP2023169165A (ja) 2023-11-29
JPWO2021161986A1 (zh) 2021-08-19
KR20220137615A (ko) 2022-10-12
WO2021161854A1 (ja) 2021-08-19
US20230061667A1 (en) 2023-03-02
EP4067843A1 (en) 2022-10-05
TW202140993A (zh) 2021-11-01
KR20220137629A (ko) 2022-10-12
WO2021161684A1 (ja) 2021-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI480501B (zh) Displacement measurement method and displacement measuring device
KR101782336B1 (ko) 검사 장치 및 검사 방법
JP5790644B2 (ja) 検査装置および検査方法
US20060109484A1 (en) Shape measuring apparatus
WO2012036213A1 (ja) 反射率測定装置、反射率測定方法、膜厚測定装置及び膜厚測定方法
US10732126B2 (en) Method and apparatus for inspecting defects on transparent substrate and method emitting incident light
CN115104000A (zh) 膜厚测定装置及膜厚测定方法
JP2004022797A (ja) マーク位置検出装置およびマーク位置検出方法
JP2011174764A (ja) 検査方法および検査装置
TWI834843B (zh) 檢查裝置及檢查方法
JP2014199229A (ja) 傾斜角度測定方法および傾斜角度測定装置
US8699783B2 (en) Mask defect inspection method and defect inspection apparatus
JP2004069651A (ja) 膜厚測定装置
JP7504189B2 (ja) 膜厚測定装置及び膜厚測定方法
JP5833963B2 (ja) 明暗検査装置、明暗検査方法
KR101865338B1 (ko) 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법
EP4343274A1 (en) Film thickness measurement device and film thickness measurement method
KR102204449B1 (ko) 광간섭 방식을 이용한 컨포말 코팅 두께 측정 장치
JP2006003168A (ja) 表面形状の測定方法およびその装置
WO2024014273A1 (ja) 検査システム及びこれを用いた物品の表面の傾斜角補正方法
JP2011141136A (ja) 検査装置
JP4611174B2 (ja) 撮像素子位置測定装置及び撮像素子位置測定方法
JP2020051759A (ja) 異物検査装置、露光装置、および物品製造方法
JP2020177032A (ja) 検査装置及び検査方法
TW202246730A (zh) 膜厚測定裝置及膜厚測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination