TW202120337A - 保護構件形成裝置 - Google Patents

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柿沼良典
右山芳國
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Abstract

[課題]在將液狀樹脂按壓並擴散時，判定該液狀樹脂是否已在預定的範圍擴展。 [解決手段]一種保護構件形成裝置，是使紫外線硬化型的液狀樹脂與覆蓋片積層於樹脂薄膜之上，而在基板的正面形成保護構件，前述保護構件形成裝置具備：液狀樹脂供給單元，將該液狀樹脂供給到密合於該基板的該樹脂薄膜上；按壓單元，具備平坦且具有透光性的按壓面，並將該液狀樹脂隔著該覆蓋片以該按壓面來按壓而在該樹脂薄膜上擴散；紫外線照射單元，對該液狀樹脂照射紫外線而進行硬化；及判定單元，判定已擴散的該液狀樹脂的狀態，該判定單元具備：相機，拍攝該液狀樹脂與該基板；及判定部，從該相機所拍攝而得到的圖像中檢測該液狀樹脂與該基板，並判定該液狀樹脂是否已在以該基板為基準之預定的範圍擴展。

Description

保護構件形成裝置
本發明是有關於一種在正面具有凹凸之基板的該正面形成保護構件的保護構件形成裝置。
使用於行動電話或電腦等的電子機器之器件晶片，是藉由將排列並配設有複數個器件之基板從背面側磨削並薄化，且按每個器件來分割該基板而形成。基板之磨削是以磨削裝置來實施。在磨削裝置中，是在使背面側露出於上方的狀態下將基板以工作夾台保持，並使在圓環軌道上移動的磨削磨石接觸於該基板的背面側來磨削該基板。此時，為了保護基板的正面側，而在基板的正面事先貼附積層有基材層及糊層的保護構件。
在基板的正面側配設有構成器件或配線的圖案等。又，在基板的正面側，會有將成為器件的電極之凸塊事先形成的情況。因此，會因各種圖案或凸塊等而在基板的正面形成凹凸。在基板的正面之凹凸的高低差較大的情況下，凹凸未能被保護構件的糊層充分地吸收，而使保護構件的固定變得不安定。又，因為保護構件的基材層側之面並未變得平坦，而無法以磨削裝置的工作夾台均一地支撐基板，所以在磨削基板時基板的背面無法變得平坦。
此外，因為在基板的外周部之未形成有器件的外周剩餘區域中未形成圖案或凸塊，而變得比形成器件的器件形成區域更低，所以在基板的外周部會無法充分地貼附保護構件。因此，會變得容易在磨削基板時在基板的外周產生缺損。雖然為了可以充分地吸收基板的正面的凹凸，可考慮使用糊層較厚的保護構件，但在此情況下，在將保護構件從基板剝離時糊層的殘渣容易殘留在凹凸，而成為器件晶片的不良的原因。
因此，已開發有一種保護構件，前述保護構件是藉由以下作法而形成：在覆蓋片上供給液狀樹脂，並以基板的正面側朝向下方的狀態將基板載置於覆蓋片之上，從上方按壓基板來使該液狀樹脂滲透至基板的凹凸，且使該液狀樹脂硬化(參照專利文獻1)。在基板的正面形成該保護構件時，是事先在基板的正面配設薄膜。此時，是使薄膜以順應於基板的正面的凹凸的方式來先密合於基板的正面。再者，至少在密合於基板的器件形成區域的區域中，在薄膜上未形成有糊層，因而在基板的器件形成區域並未接觸糊層。
在此，若使用比基板的正面更寬廣的薄膜，會使朝向基板的正面的外側擴展的液狀樹脂到達基板的外側時，因為液狀樹脂受到薄膜阻止，所以液狀樹脂不會繞到基板的背面側。所形成的保護構件包含薄膜、已硬化之液狀樹脂與覆蓋片，且覆蓋片側之面會變得較平坦。並且，在磨削基板後，當連同薄膜一起來將保護構件從基板的正面去除時，不會使液狀樹脂及糊層的殘渣殘留在基板的正面的凹凸。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2017-50536號公報
發明欲解決之課題
然而，在將已供給至密合於基板的正面的薄膜之液狀樹脂按壓並擴散時，有時液狀樹脂在預定的範圍並未充分地擴展。若在液狀樹脂未充分擴展的狀態下使液狀樹脂硬化而形成保護構件，在將基板搬入磨削裝置的工作夾台上時會無法適當地支撐基板。因此，變得無法得到所期望的磨削結果因而成為問題。
本發明是有鑒於所述的問題點而作成的發明，其目的在於提供一種保護構件形成裝置，其可以在將液狀樹脂按壓並擴散時，判定該液狀樹脂是否已在預定的範圍擴展。 用以解決課題之手段
根據本發明的一個態樣，可提供一種保護構件形成裝置，是使紫外線硬化型的液狀樹脂與覆蓋片積層在已密合於正面具備凹凸之基板的該正面且比該基板更大的樹脂薄膜之上，而在該正面形成比該正面更平坦的保護構件，其中前述樹脂薄膜是以順應於該凹凸的方式來密合於該正面，前述保護構件形成裝置的特徵在於：具備： 支撐工作台，支撐在該正面密合有該樹脂薄膜之該基板； 液狀樹脂供給單元，將該液狀樹脂供給到密合於被該支撐工作台所支撐之該基板的該樹脂薄膜上； 按壓單元，具備可以保持該覆蓋片之平坦且具有透光性的按壓面，並將已供給到該樹脂薄膜之上的該液狀樹脂隔著以該按壓面保持的該覆蓋片以該按壓面來按壓而在該樹脂薄膜上擴散； 紫外線照射單元，將紫外線以穿透該按壓面及該覆蓋片的方式照射到該液狀樹脂來將該液狀樹脂硬化，而形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋片的該保護構件；及 判定單元，判定已藉由該按壓單元而擴散之該液狀樹脂的狀態， 該判定單元具備：相機，從上方隔著該按壓單元的該按壓面來拍攝該液狀樹脂與該基板；判定部，從該相機所拍攝而得到的圖像中檢測該液狀樹脂與該基板，並判定該液狀樹脂是否已在以該基板為基準之預定的範圍擴展；及通知部，通知該判定部之判定結果。
又，根據本發明的其他的一個態樣，可提供一種保護構件形成裝置，是使紫外線硬化型的液狀樹脂與覆蓋片積層在已密合於正面具備凹凸之基板的該正面且比該基板更大的樹脂薄膜之上，而在該正面形成比該正面更平坦的保護構件，其中前述樹脂薄膜是以順應於該凹凸的方式來密合於該正面，前述保護構件形成裝置的特徵在於：具備： 支撐工作台，以透光性構件形成支撐面，且可以藉該支撐面來支撐該覆蓋片； 液狀樹脂供給單元，將該液狀樹脂供給到被該支撐工作台所支撐的該覆蓋片的上表面； 按壓單元，以平坦的按壓面從上方按壓已將該樹脂薄膜所密合的該正面朝向下方之狀態的該基板，以讓該樹脂薄膜密合於已支撐於該支撐工作台的該覆蓋片上的該液狀樹脂； 紫外線照射單元，將紫外線以穿透該支撐工作台的該支撐面及該覆蓋片的方式照射到該液狀樹脂來讓該液狀樹脂硬化，而形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋片的該保護構件；及 判定單元，判定已藉由該按壓單元而擴散之該液狀樹脂的狀態， 該判定單元具備：相機，從下方隔著該支撐工作台的該支撐面來拍攝該液狀樹脂與該基板；判定部，從該相機所拍攝而得到的圖像中檢測該基板與該液狀樹脂，並判定該液狀樹脂是否已在以該基板為基準之預定的範圍擴展；及通知部，通知該判定部之判定結果。
較佳的是，該相機是相鄰於該紫外線照射單元來配置，並且具有設置在對應於與該基板的中央相面對的位置之魚眼透鏡或廣角透鏡，且可使用該魚眼透鏡或該廣角透鏡來實施拍攝。 發明效果
在本發明之一態樣的保護構件形成裝置中，是將液狀樹脂供給到已密合於基板的正面的樹脂薄膜之上，且將液狀樹脂隔著覆蓋片以按壓單元的按壓面來按壓液狀樹脂而在該樹脂薄膜上擴散。此時，是將方向設定成例如讓按壓面變得平行於基板的背面。並且，該保護構件形成裝置具備判定單元，前述判定單元具有從上方以穿透該按壓面的方式來拍攝該液狀樹脂與該基板的相機。
或者，在本發明之一態樣的保護構件形成裝置中，是將液狀樹脂供給至覆蓋片之上，且藉由樹脂薄膜所密合的基板來隔著該樹脂薄膜將該液狀樹脂按壓而在該覆蓋片上擴散。並且，該保護構件形成裝置具備判定單元，前述判定單元具有從下方以穿透支撐覆蓋片的支撐工作台的支撐面的方式來拍攝該液狀樹脂與該基板的相機。
當以相機拍攝液狀樹脂與基板後，即可以判定液狀樹脂是否已在預定的範圍擴展。因此，在液狀樹脂未充分擴展的情況下，可以在使液狀樹脂硬化之前檢測該液狀樹脂尚未充分地擴展之情形，並進一步按壓液狀樹脂來將液狀樹脂擴展。因為液狀樹脂的硬化是在已確認到液狀樹脂已充分地擴展後實施，所以可以在基板的正面適當地形成保護構件。
從而，根據本發明之一態樣，可提供一種保護構件形成裝置，其可以在將液狀樹脂按壓來擴散時，判定該液狀樹脂是否已在預定的範圍擴展。
用以實施發明之形態
參照附加圖式，說明本發明的一個態樣之實施形態。在本實施形態之保護構件形成裝置中，是在正面形成有複數個器件的半導體晶圓等之基板的正面形成保護構件。首先，說明在正面形成保護構件的基板。圖1是示意地顯示基板1的立體圖。
基板1是例如由Si(矽)、SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)、GaAs(砷化鎵)、或者是其他的半導體等的材料所形成的晶圓。或者，基板1是由藍寶石、玻璃、石英等的材料所構成之大致圓板狀的基板等。該玻璃可為例如鹼玻璃、無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硼矽酸玻璃、石英玻璃等。
於圖1示意地顯示有基板1的立體圖，於圖3(A)示意地顯示有基板1的截面圖，於圖3(B)示意地顯示有基板1的放大截面圖。在基板1的正面1a設定有互相交叉的複數條分割預定線3。在以分割預定線3所區劃出的各區域中，形成有IC(積體電路，Integrated Circuit)、LSI(大型積體電路，Large Scale Integration)等的器件5。當從背面1b側將基板1磨削並薄化，而沿著分割預定線3分割基板1後，即可以形成一個個的器件晶片。
在基板1的正面1a設置有以金屬所形成的複數個被稱為凸塊7的凸部。凸塊7是各自電連接於器件5，且在已將基板1分割並形成器件晶片時，作為對器件5輸入輸出電氣訊號時的電極而發揮功能。凸塊7是以例如金、銀、銅、或鋁等之金屬材料所形成。但是，在基板1的正面1a亦可不一定設置有凸塊7。
基板1的正面1a之包圍形成有複數個器件5的區域之外周側的區域是稱為外周剩餘區域11。在基板1的正面1a的外周剩餘區域11中，未形成有器件5，也未形成有成為器件5之電極的凸塊7。被基板1的正面1a的外周剩餘區域11所包圍的區域是稱為器件形成區域9。基板1的正面1a的器件形成區域9並非是平坦的，且具有起因於構成器件5的各圖案或凸塊7的凹凸。另一方面，正面1a的外周剩餘區域11是平坦的。
再者，可形成保護構件的基板1並非限定於此。例如，亦可為將在平面上排列的複數個器件以密封樹脂密封而形成之封裝基板。當藉由磨削封裝基板的背面側的密封樹脂來薄化封裝基板，且將該封裝基板按照每個器件來分割後，即可以形成已被密封樹脂所密封之預定的厚度的一個個的器件晶片。因為可在封裝基板的正面形成成為一個個的器件之電極的凸塊，所以封裝基板的正面也不平坦而具備凹凸。
當以磨削裝置從背面1b側將基板1磨削並薄化後，可在分割基板1時得到已薄化至預定的厚度的器件晶片。從背面1b側磨削基板1時，會為了保護正面1a側而事先將保護構件貼附於正面1a側。當將正面1a貼附有保護構件的基板1搬入磨削裝置時，可隔著該保護構件而將基板1適當地支撐於支撐工作台。
以下，說明本實施形態之保護構件形成裝置。圖2是示意地顯示保護構件形成裝置2的頂視圖。保護構件形成裝置2具備支撐各構成要素的基台4。在基台4的端部設置有片匣載置台6a、6b，前述片匣載置台6a、6b是供可容置複數個基板1的片匣8a、8b載置。
形成保護構件前的基板1是例如容置在可載置於片匣載置台6a的片匣8a來搬入保護構件形成裝置2。並且，在保護構件形成裝置2中，是將已在正面1a形成有保護構件之基板1容置在例如已載置於片匣載置台6b的片匣8b。
於基台4上之相鄰於片匣載置台6a的位置設有基板搬送機器人10a，且在相鄰於片匣載置台6b的位置設有基板搬送機器人10b。基板搬送機器人10a、10b是例如以連續的且可在相互之端部旋轉的方式連接有複數個臂部的多關節型的機器人，並且在最前端側的臂部的前端設置有可以保持基板1的基板保持部10c、10d。當使各臂部互相旋轉時，即可以移動基板保持部10c、10d。
基板搬送機器人10a、10b之基板保持部10c、10d可插入已載置於片匣載置台6a、6b之片匣8a、8b的內部，而將基板1對片匣8a、8b搬出搬入。在此，基板搬送機器人10a、10b具備有豎立設置於基台4且支撐該臂部的軸部、及使該軸部升降的升降機構。該升降機構是使基板保持部10c、10d升降成與包含於片匣8a、8b之積層的複數個片匣容置區域當中成為基板1的搬出搬入之對象的片匣容置區域之高度相對齊。
基板搬送機器人10a具有以下功能：將容置於已載置於片匣載置台6a之片匣8a的基板1搬送至接著說明的樹脂薄膜密合單元12。圖3(A)是示意地顯示樹脂薄膜密合單元12之一例的截面圖。樹脂薄膜密合單元12是例如在內部具有可以容置基板1的空間之腔室狀的單元，且具有使樹脂薄膜13密合於基板1的正面1a的功能。在此，樹脂薄膜13是例如聚烯烴系片材、聚乙烯系片材等，可為單層亦可積層形成，且是設為20μm以上且80μm以下的厚度。
樹脂薄膜密合單元12具有：朝上方開口之凹狀的下部本體12a、與配設在下部本體12a的上方且朝下方開口之凹狀的上部本體12b。上部本體12b為可升降。下部本體12a的該開口與上部本體12b的該開口為相同形狀，當以相互之開口重疊的方式來使上部本體12b朝下部本體12a下降時，可以在上部本體12b及下部本體12a的內部形成和外部隔離之空間。再者，各自的該開口是比基板1更大，而可以在該空間內容置基板1。
在下部本體12a設置有支撐基板1之工作台狀的基板支撐部14。基板支撐部14的上表面是支撐基板1之平坦的支撐面14a。基板支撐部14的高度是調整成：在將基板1載置於支撐面14a時，使基板1的正面1a與下部本體12a的開口之高度成為大致相同。或者，基板支撐部14的高度可調整成：下部本體12a的開口比基板1的正面1a更高。在這些情況下，如後述地將樹脂薄膜13載置於下部本體12a之上並使其密合於基板1時，不會有樹脂薄膜13不必要地變大而密合於基板1的側面之情形。
於下部本體12a的底壁或側壁連接有排氣部16。排氣部16具備將一端連接於下部本體12a且將另一端連接於吸引源16b之排氣路16a。又，於上部本體12b的頂板或側壁連接有排氣部18。排氣部18具備將一端連接於上部本體12b且將另一端連接於吸引源18b的排氣路18a。
在使用樹脂薄膜密合單元12使樹脂薄膜13密合於基板1的正面1a時，是將基板1搬入基板支撐部14之上而使基板1支撐於基板支撐部14後，以樹脂薄膜13覆蓋基板1的正面1a。在保護構件形成裝置2的基台4之相鄰於樹脂薄膜密合單元12的位置，設置有準備了複數個樹脂薄膜13的樹脂薄膜供給部22。覆蓋基板1的樹脂薄膜13是從樹脂薄膜供給部22被後述之搬送單元24a所搬送。
為了在將樹脂薄膜13搬送至基板1之上時，可以形成被下部本體12a與樹脂薄膜13所封閉之空間20a，而在樹脂薄膜供給部22準備比下部本體12a的開口更大的樹脂薄膜13。並且，在將樹脂薄膜13搬送至基板1之上後，使上部本體12b下降而使上部本體12b接觸於樹脂薄膜13的上表面。如此一來，便會形成被上部本體12b與樹脂薄膜13所封閉之空間20b。
此時，會成為腔室狀的樹脂薄膜密合單元12的內部被樹脂薄膜13區分成上側的空間20b與下側的空間20a之狀態。並且，當使排氣部16的吸引源16b作動並且使排氣部18的吸引源18b作動時，即可以對空間20a及空間20b進行排氣並減壓。之後，僅停止對空間20b進行減壓的吸引源18b後，對空間20b進行大氣開放。
其結果，會隔著樹脂薄膜13而瞬間在空間20a及空間20b產生較大的壓力差。然後，藉由此壓力差，樹脂薄膜13會以順應於基板1的正面1a的凹凸的方式密合於該正面1a。圖3(B)是將於正面1a密合有樹脂薄膜13的基板1放大而示意地顯示的截面圖。當如以上地使用樹脂薄膜密合單元12後，即可以將樹脂薄膜13密合於基板1的正面。使樹脂薄膜13密合於基板1後，使排氣部16停止，並使上部本體12b上升。
再者，於上部本體12b的頂板或側壁連接有可以供給經加熱的氣體之未圖示的加熱部。該加熱部具有對上部本體12b的空間20b供給經加熱的氣體的功能。該氣體可為例如空氣、氮氣等。例如，在將藉由加熱來提升柔軟性的材料使用於樹脂薄膜13的情況下，若對空間20b供給經加熱的氣體時，可藉由該氣體使樹脂薄膜13的溫度上升，而軟化樹脂薄膜13。
若使樹脂薄膜13軟化，樹脂薄膜13會變得容易順應於基板1的正面1a的形狀而變形，而變得容易使樹脂薄膜13密合於基板1的正面1a。例如，亦可在對空間20a及空間20b進行減壓之前，藉由該加熱部對空間20b供給經加熱的氣體，來將樹脂薄膜13事先加熱而使其軟化。或者，亦可在對空間20a及空間20b進行減壓，並對空間20b進行大氣開放後，使該加熱部作動來加熱樹脂薄膜13而促進樹脂薄膜13的變形。
保護構件形成裝置2在基台4上之相鄰於樹脂薄膜密合單元12的位置具備支撐工作台54。密合有樹脂薄膜13的基板1是藉由搬送單元24a從樹脂薄膜密合單元12搬送至支撐工作台54。
在圖2所例示的裝置構成中，是將樹脂薄膜供給部22、樹脂薄膜密合單元12、與支撐工作台54排列成直線狀來配置。搬送單元24a具有從樹脂薄膜供給部22將樹脂薄膜13搬送至樹脂薄膜密合單元12的功能。此外，具有將密合有樹脂薄膜13的基板1，以已在該基板1的外側讓樹脂薄膜13擴展的狀態直接從基板支撐部14搬送至支撐工作台54的功能。
於圖2示意地顯示有搬送單元24a的頂視圖。又，於圖4(A)、圖4(B)、及圖5(A)示意地顯示有搬送單元24a的側面圖。搬送單元24a具備沿著排列樹脂薄膜密合單元12與支撐工作台54的方向的導軌26a、及可滑動地裝設在導軌26a的臂部28a。搬送單元24a具備使臂部28a沿著導軌26a移動的移動機構(未圖示)。
該移動機構包含例如沿著導軌26a的滾珠螺桿(未圖示)、及使該滾珠螺桿旋轉的脈衝馬達(未圖示)。在臂部28a的基端側設有螺合於該滾珠螺桿的螺帽部(未圖示)，當以該脈衝馬達使該滾珠螺桿旋轉時，臂部28a即沿著導軌26a移動。在臂部28a的前端側固定有基台部30a，該移動機構是使基台部30a與臂部28a一起移動。
於基台部30a的中央下表面，透過複數個柱狀的支撐部46a而固定有板狀的非接觸式吸引墊支撐部40a。在圖4(A)等中顯示有非接觸式吸引墊支撐部40a的截面圖。於非接觸式吸引墊支撐部40a形成有貫通孔44a。在非接觸式吸引墊支撐部40a的下表面，設置有複數個非接觸式吸引墊42a。複數個非接觸式吸引墊42a是透過非接觸式吸引墊支撐部40a及支撐部46a而固定在基台部30a。
複數個非接觸式吸引墊42a是以可以各自在與基板1重疊的區域中面對已密合於基板1的正面1a的樹脂薄膜13的方式配置在非接觸式吸引墊支撐部40a的下表面。又，於基台部30a的外周部下表面固定有複數個吸引墊32a。複數個吸引墊32a是以可以各自在基板1的外側面對樹脂薄膜13的方式配置於基台部30a的下表面。
在此，將複數個吸引墊32a的下表面的高度統一，且將複數個非接觸式吸引墊42a的下表面的高度統一。並且，吸引墊32a的下表面的高度是設成比複數個非接觸式吸引墊42a的下表面的高度稍微低的位置。吸引墊32a及非接觸式吸引墊42a的下表面是成為可以吸引保持已密合於基板1的樹脂薄膜13之吸引面。
搬送單元24a具備吸引路38a，前述吸引路38a是一端到達各自的吸引墊32a的下表面，且將另一端連接於吸引源34a。並且，於吸引路38a設置有切換部36a。切換部36a具有切換吸引路38a的遮斷狀態與通氣狀態的功能。當將切換部36a設為通氣狀態時，會藉由吸引源34a的作用而在吸引墊32a的下表面產生負壓。
又，搬送單元24a具備供氣路52a，前述供氣路52a是一端到達各自的非接觸式吸引墊42a的下表面，且將另一端連接於供氣源48a。並且，於供氣路52a設置有切換部50a。切換部50a具有切換供氣路52a的遮斷狀態與通氣狀態的功能。當將切換部50a設為通氣狀態時，可藉由供氣源48a的作用而從非接觸式吸引墊42a的下表面噴出氣體。
在此，在非接觸式吸引墊42a的下表面設置有未圖示的複數個噴出口，並且經過供氣路52a而供給至非接觸式吸引墊42a之氣體是從該噴出口噴出。並且，該噴出口並未朝向正下方向，而是朝向從正下方向朝各自的非接觸式吸引墊42a的外側傾斜的方向，且將氣體從噴出口朝向該方向噴出。
在非接觸式吸引墊42a的下方稍微空出間隙來將吸引的對象物定位，並將切換部50a設為通氣狀態而從各噴出口噴出氣體時，噴出之氣體會朝向非接觸式吸引墊42a的外側前進。並且，通過非接觸式吸引墊支撐部40a的貫通孔44a而讓一部分的該氣體朝上方穿過。
因為從非接觸式吸引墊支撐部40a的噴出口所噴出的氣體是一邊將周圍的空氣捲入一邊前進，所以在非接觸式吸引墊42a的中央下部會產生負壓。該吸引之對象物雖然可藉由該負壓而被非接觸式吸引墊42a吸引保持，但此時，非接觸式吸引墊42a與該吸引之對象物並未接觸。
例如，在取代非接觸式吸引墊42a而使用接觸式的吸引墊的情況下，會導致吸引墊與樹脂薄膜13相接觸。在此情況下，會有在樹脂薄膜13的上表面形成該吸引墊的接觸痕跡之疑慮、或附著在吸引墊的下表面之成為污染源的微粒子等轉移到樹脂薄膜13之疑慮，且有時會成為保護構件的適當的形成之妨礙。又，因為密合於基板1的正面1a的樹脂薄膜13的上表面具有凹凸形狀，所以即使讓接觸式的吸引墊接觸於樹脂薄膜13，在該吸引墊與樹脂薄膜13之間仍然會產生起因於該凹凸形狀的間隙並使負壓洩漏。因此，並無法以接觸式的吸引墊來適當地吸引保持樹脂薄膜13。
相對於此，在以非接觸式吸引墊42a吸引保持已密合於基板1的樹脂薄膜13的情況下，不會產生那樣的問題。另一方面，因為在基板1的外側不需要高精度地形成保護構件，所以吸引保持樹脂薄膜13的外周部的吸引墊32a可為非接觸式亦可為接觸式。
在搬送單元24a中，於將密合有樹脂薄膜13的基板1從基板支撐部14搬送到支撐工作台54時，是使樹脂薄膜密合單元12的上部本體12b上升，並使基台部30a移動到基板支撐部14的上方。在此，搬送單元24a具備使基台部30a升降之未圖示的升降機構。接著，使該升降機構作動而使基台部30a朝向被基板支撐部14所支撐之基板1下降。
並且，將基台部30a定位在吸引墊32a的下表面接觸於樹脂薄膜13的高度，且非接觸式吸引墊42a可以吸引樹脂薄膜13的高度上。之後，使切換部36a、50a作動，以吸引墊32a對樹脂薄膜13的外周部進行吸引吸附，並且以非接觸式吸引墊42a隔著樹脂薄膜13來吸引吸附基板1。然後，使該升降機構作動並以搬送單元24a舉起基板1。
之後，使搬送單元24a的移動機構作動而使基台部30a移動到支撐工作台54的上方。圖4(A)是示意地顯示以搬送單元24a搬送基板1之情形的截面圖。使基台部30a移動到支撐工作台54的上方後，使升降機構作動而將基板1載置於支撐工作台54上。之後，首先僅使切換部36a作動來設成遮斷狀態，而解除由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附。
圖4(B)是示意地顯示已解除由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附之狀態下的搬送單元24a與基板1的截面圖。當解除由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附後，樹脂薄膜13即垂下到支撐工作台54的上表面。此時，從非接觸式吸引墊42a仍持續噴出有氣體，且該氣體於樹脂薄膜13的上表面朝向支撐工作台54的外側前進。
因此，在解除由吸引墊32a所進行的樹脂薄膜13的吸引吸附時，會在樹脂薄膜13上施加藉由該氣體的流動而朝向外側方向之力。例如，在樹脂薄膜13未密合於基板1的部分產生有捲曲、或產生有皺褶的情況下，可藉由該氣體的流動來讓樹脂薄膜13伸展，而將捲曲或皺褶去除。之後，當解除由非接觸式吸引墊42a所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附時，會以樹脂薄膜13已擴展的狀態將基板1放置在支撐工作台54之上。
考慮例如以下情形：為了迅速地完成樹脂薄膜13的搬送，而將由全部的襯墊所進行的吸引吸附同時解除。但是，在這種情況下在解除樹脂薄膜13的吸引之時在該樹脂薄膜13仍會產生捲曲或皺褶，且因為該氣體的流動也已停止，所以無法將捲曲等去除。若在已產生樹脂薄膜13的捲曲或皺褶的狀態下將基板1放置在支撐工作台54之上，會有以下疑慮：無法正常地實施將在以後實施的步驟，而無法在基板1的正面1a適當地形成保護構件。
相對於此，在本實施形態之保護構件形成裝置2的搬送單元24a中，可以各自獨立地作動吸引墊32a與非接觸式吸引墊42a。因此，可以設置時間差來依序解除各自之樹脂薄膜13的吸引吸附。從而，可以在將基板1搬送到支撐工作台54之時抑制樹脂薄膜13的捲曲或皺褶的發生，而可以抑制起因於樹脂薄膜13的捲曲或皺褶之保護構件的形成不良。
圖5(A)是示意地顯示已將由搬送單元24a所進行之基板1的吸引保持解除且藉由升降機構使基台部30a上升之狀態的截面圖。在支撐工作台54中，是隔著樹脂薄膜13將液狀樹脂供給至基板1的正面1a側，且將液狀樹脂從上方按壓而在樹脂薄膜13上擴散，並將液狀樹脂硬化。
在保護構件形成裝置2的基台4之相鄰於支撐工作台54的位置設置有液狀樹脂供給單元56。液狀樹脂供給單元56是具備沿鉛直方向伸長的軸部56a、從軸部56a的上端朝水平方向伸長的臂部56b、與從臂部56b的前端朝向下方的噴嘴56c之管狀的單元。
軸部56a是以可繞著鉛直方向的方式旋轉，當使軸部56a旋轉時噴嘴56c會在以臂部56b為半徑之圓弧狀的軌道上移動。臂部56b的長度是設為可藉由使軸部56a旋轉而將噴嘴56c定位在支撐工作台54的中央上方的長度。
液狀樹脂供給單元56具有通過軸部56a、臂部56b與噴嘴56c來將紫外線硬化型的液狀樹脂供給到已載置於支撐工作台54的基板1之上的功能。紫外線硬化型的液狀樹脂是指藉由照射紫外線而硬化的液狀樹脂。於圖5(B)示意地顯示有已供給到已密合於基板1的樹脂薄膜13之上的液狀樹脂的截面圖。
在將液狀樹脂15供給到樹脂薄膜13的上表面時，是藉由使軸部56a旋轉而將噴嘴56c定位到支撐工作台54的中央上方。並且，在將液狀樹脂15供給到基板1的正面1a後，藉由再次使軸部56a旋轉而將噴嘴56c定位到和支撐工作台54不重疊的位置。
在支撐工作台54的上方配設有按壓單元58。於圖2示意地顯示有按壓單元58的頂視圖，於圖6及圖7(A)示意地顯示有按壓單元58的側面圖。按壓單元58具備沿著鉛直方向的一對支撐柱60、可滑動地配設在各自的支撐柱60的連接部62a、從各自的連接部62a朝水平方向伸長的一對支撐部62b、及被一對支撐部62b所支撐的按壓部64。
連接部62a是藉由未圖示的升降機構而可沿著支撐柱60升降。藉由該升降機構，即可以升降按壓部64。按壓部64在下表面具有平坦的按壓面68。按壓面68是以高精度的方式來將方向設定成相對於支撐工作台54的上表面成為平行。並且，按壓部64在內部具備接近於按壓面68的紫外線照射單元66。
紫外線照射單元66是由例如層層排列並配置成環狀的複數個紫外線LED所構成，且使用構成按壓面68之可在按壓部64之下端讓紫外線及可見光穿透之平板狀的透光性構件70。
按壓部64可以在按壓面68保持覆蓋片17。按壓單元58是在以按壓面68保持有覆蓋片17的狀態下使按壓部64下降，而隔著覆蓋片17以按壓面68從上方按壓液狀樹脂15。之後，在以紫外線照射單元66將液狀樹脂15硬化時，可將樹脂薄膜13、已硬化之液狀樹脂15及覆蓋片17一體化來成為保護構件。也就是說，覆蓋片17是構成保護構件的構件。
如圖2所示，在相鄰於支撐工作台54的位置配設有覆蓋片供給部80，前述覆蓋片供給部80是供給可被按壓部64的按壓面68保持的覆蓋片17。例如，在覆蓋片供給部80，可將複數個覆蓋片17捲繞成捲狀來準備，且因應於需要而一片一片地拉出至支撐工作台54上。並且，使按壓部64下降而使按壓面68接觸於覆蓋片17的上表面，並以按壓面68保持覆蓋片17。
在此，按壓部64具備用於以按壓面68保持覆蓋片17之未圖示的保持機構。例如，可在按壓面68設置連接到吸引源的複數個吸引孔，並藉由從吸引孔對覆蓋片17進行吸引，而以按壓面68來保持覆蓋片17。或者，按壓部64亦可在按壓面68的附近具有靜電夾頭機構，且亦可使該靜電夾頭機構作動而藉由靜電力以按壓面68來保持覆蓋片17。
或者，按壓部64亦可不具備有保持機構。在此情況下，亦可例如在覆蓋片17的上表面設置糊層，且亦可用糊層來將覆蓋片17接著於按壓面68。或者，亦可在覆蓋片17的上表面或按壓面68塗布接著劑，而以接著劑來將覆蓋片17保持在按壓面68。
在支撐工作台54上，在以液狀樹脂供給單元56將液狀樹脂15供給到樹脂薄膜13之上後，讓以按壓面68保持覆蓋片17的按壓單元58下降，而隔著覆蓋片17以按壓面68來按壓液狀樹脂15。在圖7(A)示意地顯示有在以按壓面68按壓液狀樹脂15時之基板1、樹脂薄膜13、液狀樹脂15及覆蓋片17的截面圖。當以按壓面68按壓液狀樹脂15時，液狀樹脂15即朝向基板1的外周而被擴散。
換言之，按壓單元58具有以下功能：以覆蓋片17來覆蓋在以液狀樹脂供給單元56所供給的液狀樹脂15之上，並且以按壓面68隔著該覆蓋片17來按壓該液狀樹脂15，而在樹脂薄膜13上將該液狀樹脂15擴散。
紫外線照射單元66是在已將液狀樹脂15朝向基板1的外周1c擴散，且基板1的正面1a的預定的區域被樹脂薄膜13、液狀樹脂15與覆蓋片17所覆蓋之後，使液狀樹脂15硬化。此時，紫外線照射單元66是以穿透按壓面68及覆蓋片17的方式來對液狀樹脂15照射紫外線。
之後，當使紫外線照射單元66停止，且使按壓部64上升後，覆蓋片17會留在已硬化之液狀樹脂15之上。亦即，已將樹脂薄膜13、已硬化之液狀樹脂15與覆蓋片17一體化的保護構件19會形成在基板1的正面1a。在此，因為支撐工作台54的上表面及按壓面68為互相平行，所以基板1的背面1b及保護構件19的上表面會成為互相平行。圖7(B)是將形成在基板1之上的保護構件19放大而示意地顯示的截面圖，其中前述基板1在正面1a具備由凸塊7所形成之凹凸。
以往，在將液狀樹脂15按壓並擴散時曾有以下情況：液狀樹脂15未在預定的範圍充分地擴展，而使液狀樹脂15未到達該預定的範圍的外緣、或在液狀樹脂15產生不均。在此情況下，在使液狀樹脂15硬化而形成保護構件19，之後將形成有保護構件19的基板1搬送至磨削裝置來磨削基板1的背面1b側時，會無法藉由保護構件19來適當地支撐基板1。因此，會有在基板1的背面1b側產生磨削不均的情況、或背面1b未變得平坦的情況。
於是，本實施形態之保護構件形成裝置2具備判定單元76，前述判定單元76是對藉由按壓單元58而被擴散之液狀樹脂15的狀態進行判定。判定單元76在將液狀樹脂15按壓並擴散時，是檢測液狀樹脂15並判定液狀樹脂15是否已在預定的範圍適當地擴展。判定單元76是例如已組入按壓單元58。接著，說明判定單元76。
判定單元76是如圖6及圖7(A)所示，具備配備在按壓部64的紫外線照射單元66的中心之相機72。相機72是從上方隔著按壓單元58的按壓面68來拍攝液狀樹脂15與基板1。更詳細地說，是通過構成按壓面68的透光性構件70、與被按壓面68所保持的覆蓋片17來拍攝基板1及液狀樹脂15。
為了判定液狀樹脂15是否已在基板1上充分地擴展，所期望的是相機72可以拍攝基板1之到外周1c為止的區域。例如，若透光性構件70具有某種程度的厚度，即可以讓相機72拍攝較大的範圍。另一方面，所期望的是透光性構件70充分地變薄以免損害紫外線對液狀樹脂15之照射效率。於是，會在相機72使用魚眼透鏡或廣角透鏡，前述魚眼透鏡或廣角透鏡是相鄰於紫外線照射單元66而配置且設置在對應於與基板1的中央相面對的位置。
對相機72所要求的功能，並非得到沒有失真的圖像，而是得到可以判別液狀樹脂15在基板1的正面1a的整個區域之有無的圖像。若使用魚眼透鏡或廣角透鏡等之可以拍攝廣域的透鏡，即使透光性構件70充分地變薄，也可以以相機72拍攝基板1的正面1a的整個區域。換言之，若將魚眼透鏡等使用於相機72，即可以將透光性構件70設得較薄，而可以提升紫外線對液狀樹脂15之照射效率。
在此，於圖8示意地顯示可以對按壓單元58的按壓部64於在包含紫外線照射單元66及相機72的水平面上斷開時進行觀察的截面圖。雖然為了拍攝基板1的正面1a的整個區域也可考慮在按壓單元58的內部設置複數個相機72之作法，但是在此情況下，必須將紫外線照射單元66所佔據的區域縮小設置相機72的區域之量。如此一來，恐有以下疑慮：無法充分地配置紫外線LED而變得無法充分地讓紫外線對液狀樹脂15之照射沒有不均地實施。
於是，若使用魚眼透鏡等，因為可以充分地確保紫外線照射單元66所佔據的區域，所以不會產生那樣的問題。但是，在本實施形態之保護構件形成裝置2中，在紫外線照射單元66的能力充分地高的情況下，判定單元76亦可具有複數個相機72，相機72亦可使用魚眼透鏡等以外的透鏡。
判定單元76更具備連接到相機72的判定部74。判定部74是從相機72所拍攝而得到的圖像中檢測液狀樹脂15與基板1，而判定液狀樹脂15是否已在以基板1為基準之預定的範圍擴展。判定部74的功能是在例如保護構件形成裝置2之控制各構成要素的裝置控制用電腦上作為軟體而實現。
在此，該裝置控制用電腦是藉由包含CPU等的處理裝置、或快閃記憶體等的儲存裝置之電腦所構成。並且，藉由依照儲存於儲存裝置的程式等之軟體來讓處理裝置動作，而作為使軟體與處理裝置(硬體資源)協同合作之具體的手段來發揮功能。
其次，說明判定部74所實施之判定。判定部74是依據相機72拍攝所得到的圖像來實施判定。相機72是在例如藉由按壓單元58按壓液狀樹脂15的期間，定期地對基板1及液狀樹脂15進行拍攝而取得圖像。在圖9(A)至圖9(C)中分別顯示有相機72拍攝而取得的圖像的例子。再者，在各圖中，是將樹脂薄膜13省略。
在相機72拍攝而取得的圖像中，會照進基板1與液狀樹脂15。在圖9(A)至圖9(C)中，為了方便說明，是以虛線表示通過液狀樹脂15而拍進圖像之形成於基板1的正面1a的器件5等。並且，圖9(A)是示意地顯示在將液狀樹脂15供給到基板1的上方時所取得的圖像之圖。
當使按壓部64下降而以按壓面68按壓液狀樹脂15時，液狀樹脂15即朝向基板1的外周1c而被擴散。圖9(B)是示意地顯示在將液狀樹脂15按壓而擴散到一定程度的範圍的狀態下所取得的圖像。此外，當使按壓部64下降時，液狀樹脂15會超過基板1的外周1c而被擴展。圖9(C)是示意地顯示在已將液狀樹脂15充分地擴散的狀態下所取得的圖像之圖。
判定部74是從相機72拍攝並取得的圖像中檢測基板1與液狀樹脂15。並且，判定液狀樹脂15是否已在以基板1為基準之預定的範圍擴展。所謂該預定的範圍，是指可以判定為已將液狀樹脂15擴展到成為以下的狀態之程度的範圍：可以藉由所形成的保護構件19來充分地保護基板1的正面1a，且可以對基板1的背面1b實施所期望的磨削。該預定的範圍的外緣是將基板1作為基準來規定，且設定成例如與基板1的外周1c重疊。
並且，判定部74會判別液狀樹脂15是否已在預定的範圍擴展。在相機72拍攝基板1及液狀樹脂15而得到如圖9(B)所示的圖像的情況下，判定部74會判定為液狀樹脂15未擴展至預定的範圍。又，在將液狀樹脂15進一步擴展，且相機72拍攝基板1及液狀樹脂15而得到如圖9(C)所示的圖像的情況下，判定部74會判定為已將液狀樹脂15擴展至預定的範圍。
判定單元76具備向保護構件形成裝置2的使用者或管理者等通知判定部74的判定結果的通知部78。通知部78是在例如判定部74已判定為：液狀樹脂15已擴展至預定的範圍的情況下，向保護構件形成裝置2的使用者或管理者等通知判定結果。通知部78可為例如設置於保護構件形成裝置2的外殼的顯示部、或警示燈等，且使警告畫面顯示於顯示部或使警示燈的紅色燈亮燈來通知判定結果。
已從通知部78被通知判定部74的判定結果之該使用者或管理者等，是例如使按壓單元58進一步進行液狀樹脂15的按壓，而進一步使液狀樹脂15擴展。又，針對形成保護構件19之接下來後續的基板1，增加藉由液狀樹脂供給單元56所供給的液狀樹脂的供給量，以將液狀樹脂15擴展至更寬廣的區域。
另一方面，在判定部74判定為已將液狀樹脂15擴展至預定的範圍的情況下，是在作為通知部78而發揮功能的顯示部持續顯示表示保護構件形成裝置2為正常地動作之情形的圖像。又，作為通知部78而發揮功能的警示燈之綠色燈被持續亮燈。亦即，通知部78通知判定部74的判定結果之情形，包含有通知部78並非通知發生有異常之情形。
如以上所說明，在本實施形態之保護構件形成裝置2中，是判定單元76判定液狀樹脂15是否已在將基板1設為基準之預定的範圍充分地擴展。因此，在液狀樹脂15並未擴展至預定的範圍的情況下，可以在使紫外線照射單元66作動之前進一步以按壓單元58來按壓液狀樹脂15，而將液狀樹脂15擴展。其結果，可以適當地在基板1形成保護構件19，而變得可以藉磨削裝置將基板1的背面1b適當地磨削。
再者，判定單元76亦可從相機72所拍攝而得到的圖像中取得有關於液狀樹脂15的狀態之資訊，來判定是否並未在液狀樹脂15產生不均。在判定為在液狀樹脂15產生有不均的情況下，亦可同樣地藉由按壓單元58來進一步按壓液狀樹脂15，亦可實施增加液狀樹脂15的供給量等的對策。
保護構件形成裝置2具備切斷單元84(參照圖10)，前述切斷單元84是將已形成在基板1的正面1a的保護構件19的不需要部分切除。由切斷單元84所進行之保護構件19的切斷，可在設置於基台4之相鄰於支撐工作台54的位置的工作台82上實施。保護構件形成裝置2具備可以將形成有保護構件19的基板1從支撐工作台54搬送到工作台82的搬送單元24b。再者，因為搬送單元24b是和搬送單元24a同樣地被構成，所以將說明省略一部分。
於圖2中示意地顯示有搬送單元24b的頂視圖。搬送單元24b具備沿著支撐工作台54與工作台82之排列的方向的導軌26b、及可滑動地裝設在導軌26b的臂部28b。搬送單元24b具備使臂部28b及基台部30b沿著導軌26b移動的移動機構(未圖示)。
於臂部28b的前端側固定有基台部30b，且於基台部30b的中央下表面隔著複數個柱狀的支撐部而固定有板狀的非接觸式吸引墊支撐部40b。在非接觸式吸引墊支撐部40b形成有貫通孔44b，且在非接觸式吸引墊支撐部40b的下表面設有複數個非接觸式吸引墊。又，於基台部30b的外周部下表面固定有複數個吸引墊。
在以搬送單元24b搬送設置有保護構件19的基板1時，是使基台部30b移動到支撐工作台54的上方。然後，使基台部30b下降，而以吸引墊吸引保持樹脂薄膜13，並且以非接觸式吸引墊吸引保持保護構件19。之後，使基台部30b上升，並使基台部30b移動到工作台82的上方，且使基台部30b下降而將形成有保護構件19的基板1載置到工作台82之上。
之後，首先解除樹脂薄膜13的吸引吸附，接著解除保護構件19的吸引保持。此時，以已藉由從非接觸式吸引墊所噴出之氣體的流動而在工作台82上擴展了樹脂薄膜13的狀態，將基板1放置在工作台82之上。因為藉由該非接觸式吸引墊而吸引吸附有樹脂薄膜13的期間，可藉由來自該非接觸式吸引墊的該氣體的流動來將保護構件19冷卻而提高硬度，所以保護構件19的不需要部分的切除會變得較容易。
再者，工作台82亦可具有可以吸引保持基板1的保持機構，在此情況下，工作台82的上表面會成為保持面82a。例如，工作台82可為以下的工作夾台：具備在保持面82a露出的多孔質構件、與連接於該多孔質構件的吸引源，並藉由作動該吸引源而吸引保持載置於保持面82a上的基板1。
接著，說明切斷單元84。切斷單元84具備工作台82，前述工作台82會支撐於正面1a形成有保護構件19的基板1。此外，切斷單元84具備：旋轉軸88，沿著垂直於工作台82的保持面82a的方向；圓板狀的切斷部支撐部86，固定於旋轉軸88的下端；及切斷部90，固定在切斷部支撐部86的下表面的外周側。切斷部90是例如下端為銳利的切割器。
於旋轉軸88的上端連接有未圖示的旋轉驅動源，且當使該旋轉驅動源作動而使旋轉軸88旋轉時，固定在切斷部支撐部86的下表面的切斷部90會沿著基板1的外周1c於圓環軌道上移動。亦即，該旋轉驅動源、旋轉軸88與切斷部支撐部86是作為使切斷部90移動的切斷部移動單元92而發揮功能。
切斷單元84在切斷保護構件19時會使切斷部移動單元92作動而一邊使切斷部90旋轉移動一邊使旋轉軸88下降，而使切斷部90沿著保護構件19切入。亦即，切斷單元84可以藉由以切斷部移動單元92使切斷部90沿著基板1的外周1c移動而沿著該基板1的外周1c來切斷該保護構件19。
當以切斷單元84切除保護構件19的不需要部分後，即成為可進行基板1的磨削加工之狀態。在基台4之相鄰於工作台82的位置，具備對已切除的保護構件19的不需要部分進行回收的不需要部分回收部94。例如，以搬送單元24b將保護構件19的不需要部分搬送到不需要部分回收部94，並解除該不需要部分的吸引吸附來使其掉落到不需要部分回收部94而吸引回收該不需要部分。
以切斷單元84切除保護構件19的不需要部分後，可將於正面1a形成有保護構件19的基板1藉由基板搬送機器人10b而從工作台82上搬出，並容置到載置於片匣載置台6b的片匣8b。之後，將片匣8b搬送到磨削裝置，並以該磨削裝置從背面1b側磨削基板1。
再者，本發明並不因上述實施形態之記載而受到限制，並可進行各種變更而實施。例如，在上述實施形態中，雖然已針對從上方將液狀樹脂15供給到基板1的正面1a，且隔著覆蓋片17從上方按壓該液狀樹脂15的情況作說明，但本發明之一態樣的保護構件形成裝置2並非限定於此。亦即，保護構件形成裝置2亦可將液狀樹脂15供給至覆蓋片17之上，且以樹脂薄膜13所密合之基板1從上方按壓液狀樹脂15來讓液狀樹脂15擴散。
接著，使用圖11來說明保護構件形成裝置2的變形例。在該變形例中，支撐工作台54a是以透光性構件70a形成支撐面，且可以藉該支撐面來支撐覆蓋片17。並且，液狀樹脂供給單元56是對被支撐工作台54a所支撐的覆蓋片17的上表面供給液狀樹脂15。
配設在支撐工作台54a的上方的按壓單元58可以在樹脂薄膜13所密合之基板1的正面1a朝向下方的狀態下，以按壓面68保持基板1。並且，以平坦的按壓面68從上方按壓讓樹脂薄膜13所密合的正面1a朝向下方之狀態的基板1，以使樹脂薄膜13密合於已支撐在支撐工作台54a的覆蓋片17上的液狀樹脂15。如此一來，可隔著樹脂薄膜13將液狀樹脂15按壓並擴散。
在支撐工作台54a的上部，組入有紫外線照射單元66a，前述紫外線照射單元66a是穿透該支撐工作台54a的該支撐面及覆蓋片17來對液狀樹脂15照射紫外線，而使液狀樹脂15硬化。當使紫外線照射單元66a作動而使液狀樹脂15硬化後，即可在基板1的正面1a形成包含樹脂薄膜13、已硬化之液狀樹脂15與覆蓋片17的保護構件19。
在本變形例中，也是若液狀樹脂15在預定的範圍未充分地擴展的話，會無法適當地形成保護構件19。因此，可使用判定單元76a。判定單元76a具有判定藉由按壓單元58而被擴散之液狀樹脂15的狀態之功能。判定單元76a與上述實施形態之判定單元76是同樣地構成。
判定單元76a具備相機72a與判定部74a，前述相機72a是從下方隔著支撐工作台54a的該支撐面來拍攝液狀樹脂15與基板1，前述判定部74a是依據相機72a所拍攝到的圖像來判定液狀樹脂15是否已在預定的範圍擴展。此外，判定單元76a具備通知部78a，前述通知部78a是通知由判定部74a所進行之判定的結果。
在本變形例中，也可以在以紫外線照射單元66a使液狀樹脂15硬化之前，藉由判定單元76a判定液狀樹脂15是否已在以基板1作為基準之預定的範圍擴展。因此，因為可在確認液狀樹脂15已在預定的範圍擴展後才將液狀樹脂15硬化，所以可將保護構件19適當地形成在基板1的正面1a。
其他，上述實施形態及變化例之構造、方法等，只要不脫離本發明之目的的範圍，皆可適當變更而實施。
1:基板 1a:正面 1b:背面 1c:外周 2:保護構件形成裝置 3:分割預定線 4:基台 5:器件 6a,6b:片匣載置台 7:凸塊 8a,8b:片匣 9:器件形成區域 10a,10b:基板搬送機器人 10c,10d:基板保持部 11:外周剩餘區域 12:樹脂薄膜密合單元 12a:下部本體 12b:上部本體 13:樹脂薄膜 14:基板支撐部 14a:支撐面 15:液狀樹脂 16,18:排氣部 16a,18a:排氣路 16b,18b:吸引源 17:覆蓋片 19:保護構件 20a,20b:空間 22:樹脂薄膜供給部 24a,24b:搬送單元 26a,26b:導軌 28a,28b:臂部 30a,30b:基台部 32a:吸引墊 34a:吸引源 36a:切換部 38a:吸引路 40a,40b:非接觸式吸引墊支撐部 42a:非接觸式吸引墊 44a,44b:貫通孔 46a:支撐部 48a:供氣源 50a:切換部 52a:供氣路 54,54a:支撐工作台 56:液狀樹脂供給單元 56a:軸部 56b:臂部 56c:噴嘴 58:按壓單元 60:支撐柱 62a:連接部 62b:支撐部 64:按壓部 66,66a:紫外線照射單元 68:按壓面 70,70a:透光性構件 72,72a:相機 74,74a:判定部 76,76a:判定單元 78,78a:通知部 80:覆蓋片供給部 82:工作台 82a:保持面 84:切斷單元 86:切斷部支撐部 88:旋轉軸 90:切斷部 92:切斷部移動單元 94:不需要部分回收部
圖1是示意地顯示基板的立體圖。 圖2是示意地顯示保護構件形成裝置的頂視圖。 圖3(A)是示意地顯示樹脂薄膜密合單元的截面圖，圖3(B)是將於正面密合有樹脂薄膜的基板放大而示意地顯示的截面圖。 圖4(A)是示意地顯示已保持在搬送單元之基板的截面圖，圖4(B)是示意地顯示已解除由將基板搬送到支撐工作台上之搬送單元的吸引墊所進行的樹脂薄膜的吸引保持之狀態的截面圖。 圖5(A)是示意地顯示已解除由搬送單元的非接觸式吸引墊所進行的樹脂薄膜的吸引保持之狀態的截面圖，圖5(B)是示意地顯示已對樹脂薄膜的上表面供給有液狀樹脂之基板的截面圖。 圖6是示意地顯示已密合有樹脂薄膜之基板、液狀樹脂、按壓單元、及判定單元的截面圖。 圖7(A)是示意地顯示以按壓單元按壓液狀樹脂之情形的截面圖，圖7(B)是示意地顯示形成於基板的正面之保護構件的截面圖。 圖8是示意地顯示按壓單元的截面圖。 圖9(A)是示意地顯示已供給至基板1的上方之液狀樹脂的平面圖，圖9(B)是示意地顯示已被按壓之液狀樹脂的平面圖，圖9(C)是示意地顯示進一步被按壓的液狀樹脂的平面圖。 圖10是示意地顯示沿著基板外周切斷已形成於基板正面的保護構件之情形的截面圖。 圖11是示意地顯示變形例之判定單元的截面圖。
1:基板
1a:正面
1b:背面
7:凸塊
13:樹脂薄膜
15:液狀樹脂
17:覆蓋膜
19:保護構件
54:支撐工作台
58:按壓單元
60:支撐柱
62a:連接部
62b:支撐部
64:按壓部
66:硬化單元
68:按壓面
70:透光性構件
72:相機
74:判定部
76:判定單元
78:通知部

Claims (3)

  1. 一種保護構件形成裝置，是使紫外線硬化型的液狀樹脂與覆蓋片積層在已密合於正面具備凹凸之基板的該正面且比該基板更大的樹脂薄膜之上，而在該正面形成比該正面更平坦的保護構件，其中前述樹脂薄膜是以順應於該凹凸的方式來密合於該正面，前述保護構件形成裝置的特徵在於：具備： 支撐工作台，支撐在該正面密合有該樹脂薄膜之該基板； 液狀樹脂供給單元，將該液狀樹脂供給到密合於被該支撐工作台所支撐之該基板的該樹脂薄膜上； 按壓單元，具備可以保持該覆蓋片之平坦且具有透光性的按壓面，並將已供給到該樹脂薄膜之上的該液狀樹脂隔著以該按壓面保持的該覆蓋片以該按壓面來按壓而在該樹脂薄膜上擴散； 紫外線照射單元，將紫外線以穿透該按壓面及該覆蓋片的方式照射到該液狀樹脂來讓該液狀樹脂硬化，而形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋片的該保護構件；及 判定單元，判定已藉由該按壓單元而擴散之該液狀樹脂的狀態， 該判定單元具備： 相機，從上方隔著該按壓單元的該按壓面來拍攝該液狀樹脂與該基板； 判定部，從該相機所拍攝而得到的圖像中檢測該液狀樹脂與該基板，並判定該液狀樹脂是否已在以該基板為基準之預定的範圍擴展；及 通知部，通知該判定部之判定結果。
  2. 一種保護構件形成裝置，是使紫外線硬化型的液狀樹脂與覆蓋片積層在已密合於正面具備凹凸之基板的該正面且比該基板更大的樹脂薄膜之上，而在該正面形成比該正面更平坦的保護構件，其中前述樹脂薄膜是以順應於該凹凸的方式來密合於該正面，前述保護構件形成裝置的特徵在於：具備： 支撐工作台，以透光性構件形成支撐面，且可以藉該支撐面來支撐該覆蓋片； 液狀樹脂供給單元，將該液狀樹脂供給到被該支撐工作台所支撐的該覆蓋片的上表面； 按壓單元，以平坦的按壓面從上方按壓已將該樹脂薄膜所密合的該正面朝向下方之狀態的該基板，以讓該樹脂薄膜密合於已支撐於該支撐工作台的該覆蓋片上的該液狀樹脂； 紫外線照射單元，將紫外線以穿透該支撐工作台的該支撐面及該覆蓋片的方式照射到該液狀樹脂來讓該液狀樹脂硬化，而形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋片的該保護構件；及 判定單元，判定已藉由該按壓單元而擴散之該液狀樹脂的狀態， 該判定單元具備： 相機，從下方隔著該支撐工作台的該支撐面來拍攝該液狀樹脂與該基板； 判定部，從該相機所拍攝而得到的圖像中檢測該基板與該液狀樹脂，並判定該液狀樹脂是否已在以該基板為基準之預定的範圍擴展；及 通知部，通知該判定部之判定結果。
  3. 如請求項1或2之保護構件形成裝置，其中該相機是相鄰於該紫外線照射單元來配置，並且具有設置在對應於與該基板的中央相面對的位置之魚眼透鏡或廣角透鏡，且可使用該魚眼透鏡或該廣角透鏡來實施拍攝。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261146A (ja) 2001-03-02 2002-09-13 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法および半導体製造装置
JP4741897B2 (ja) 2005-01-12 2011-08-10 芝浦メカトロニクス株式会社 光硬化性樹脂の塗布装置及び塗布方法
JP2008140890A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Fujitsu Ltd 部品組立状態の観察装置およびこれを用いた部品組立状態の観察方法
US8875652B2 (en) * 2011-09-14 2014-11-04 Apple Inc. Liquid adhesive boundary control
JP2013157510A (ja) 2012-01-31 2013-08-15 Disco Abrasive Syst Ltd 貼着装置
JP6149223B2 (ja) * 2013-04-18 2017-06-21 株式会社ディスコ 板状物の貼着方法
JP5676046B1 (ja) * 2014-09-16 2015-02-25 オリジン電気株式会社 部材貼り合わせ装置及び方法
DE102015216619B4 (de) 2015-08-31 2017-08-10 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
KR20170050536A (ko) 2015-10-30 2017-05-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP6765949B2 (ja) * 2016-12-12 2020-10-07 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018133379A (ja) 2017-02-14 2018-08-23 キヤノン株式会社 液滴の充填状態のばらつきを補正するインプリント方法
JP6925714B2 (ja) 2017-05-11 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6906859B2 (ja) * 2017-09-13 2021-07-21 株式会社ディスコ 加工装置

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US11135828B2 (en) 2021-10-05
US20210039376A1 (en) 2021-02-11
JP7286250B2 (ja) 2023-06-05
CN112349605A (zh) 2021-02-09
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