TW202120318A - 脫模膜及脫模膜之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種具有較先前更優異之脫模性且抗皺性亦優異之脫模膜、及製造該脫模膜之方法。 本發明係一種脫模膜，其具有至少1層脫模層，上述脫模層之藉由將入射角設為0.06°之斜入射廣角X射線繞射法所求出之結晶度為50%以上，且上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra為2.0 μm以上。

Description

脫模膜及脫模膜之製造方法
本發明係關於一種脫模膜及脫模膜之製造方法。
於印刷配線基板、可撓性電路基板、多層印刷配線板等之製造步驟中使用脫模膜。 於可撓性電路基板之製造步驟中，經由熱硬化型接著劑或熱硬化型接著片將覆蓋膜熱壓接著於形成有銅電路之可撓性電路基板本體。此時，藉由於覆蓋膜與熱壓板之間配置脫模膜，可防止覆蓋膜與熱壓板接著，又，可防止「接著劑滲出而阻礙電極部之鍍覆處理」等不良情況。
對脫模膜要求於熱壓接著後容易剝離之脫模性。為了提高脫模性，例如進行調整脫模膜之結晶度。專利文獻1中記載有一種脫模膜，其於至少一面具有包含聚酯樹脂之脫模層，且脫模層之結晶度為10%以上且50%以下。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2016-2730號公報
[發明所欲解決之課題]
近年來，隨著可撓性電路基板之薄膜化，對脫模膜要求更高之脫模性。又，近年來，關於可撓性電路基板之製造，亦不斷發展利用輥對輥（RtoR）方式等之自動化。於輥對輥方式中進行如下操作：將自輥捲出之可撓性電路基板本體及脫模膜等分別搬送至熱壓板之間，進行熱壓接著後，再捲取至輥。於此種輥對輥方式中，在熱壓接著後自可撓性電路基板將脫模膜剝離時，有剝離角度變成低角度之傾向。因此，於使用習知之脫模膜之情形時，有時必須於剝離時施加更大之力，有引發不良情況等之隱憂。因此，對脫模膜要求更高之脫模性。 又，脫模膜有於加壓加工時界面中夾帶氣泡而產生褶皺，從而導致出現不良品之情況。先前難以實現具有如上所述之優異脫模性並且可抑制褶皺產生（具有抗皺性）之脫模膜。
本發明之目的在於提供一種具有較先前更優異之脫模性且抗皺性亦優異之脫模膜、及製造該脫模膜之方法。 [解決課題之技術手段]
作為本發明之一態樣之脫模膜，其具有至少1層脫模層，且上述脫模層之藉由將入射角設為0.06°之斜入射廣角X射線繞射法所求出之結晶度為50%以上，且上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra為2.0 μm以上。 以下，對本發明之脫模膜進行詳細敘述。
本發明人等發現於具有至少1層脫模層之脫模膜中，藉由選擇性地僅提高脫模層表面之極薄區域（最表面）之結晶度而非提高脫模層整體之結晶度，可不損害對凹凸之追隨性而顯著地提高脫模性。又，發現藉由選擇性地僅提高脫模層之最表面之結晶度後進行壓紋處理，可於表現並維持優異之脫模性之狀態下兼顧抗皺性，從而完成了本發明。
本發明之脫模膜具有至少1層脫模層。 上述脫模層之藉由將入射角設為0.06°之斜入射廣角X射線繞射法（In-Plane法）所求出之結晶度為50%以上。 藉由於斜入射廣角X射線繞射法中將入射角設為0.06°，可僅測定上述脫模層之最表面之結晶度而非上述脫模層整體之結晶度。最表面係指表面之極薄區域，更具體而言指表面至厚度約4 nm左右之區域。藉由使上述脫模層之最表面之結晶度為50%以上，可充分抑制熱壓接著時形成於覆蓋膜之接著劑滲透至上述脫模層。即，可使接著劑滲入上述脫模層之深度較淺，可抑制接著劑之投錨效應，因此脫模膜之脫模性大幅提高。再者，上述脫模層之至少一表面具有此種最表面之結晶度即可。上述脫模層之最表面之結晶度較佳為60%以上，更佳為65%以上。
上述脫模層之最表面之結晶度之上限並無特別限定，較佳之上限為90%。若上述脫模層之最表面之結晶度為90%以下，則於熱壓接著時上述脫模層之最表面之結晶質相不易產生破裂，可抑制脫模性變差。上述脫模層之最表面之結晶度之更佳之上限為80%。
上述脫模層之最表面之結晶度可藉由如下方式求出：藉由將X射線之入射角設為0.06°之斜入射廣角X射線繞射法對上述脫模層之表面進行分析而獲得繞射測定圖，於該繞射測定圖上畫出基準線，分別對結晶質相及非晶質相進行擬合，根據所獲得之結晶質相之波峰總面積及非晶質相之波峰總面積，利用下述式（1）求出。
結晶度（%）＝結晶質相之波峰總面積 /（結晶質相之波峰總面積＋非晶質相之波峰總面積）×100       （1）
作為用以求出上述脫模層之最表面之結晶度之X射線繞射裝置，例如可使用設定為下述條件之Rigaku公司製造之表面結構評價用多功能X射線繞射裝置（ATX-G型）。 X射線源                  CuKα射線 管電壓-管電流        50 kV-300 mA 入射光學系統          集中法 入射角（ω）           0.06° 測定範圍                 5～70° 測定間隔                 0.02° 掃描速度                 1.0°/min 掃描方法                 In-Plane法
將上述脫模層之最表面之結晶度調整為上述範圍之方法並無特別限定，較佳為於降低上述脫模層之表面處理前之算術平均粗糙度Ra且/或調高上述脫模層之表面處理前之光澤度，之後對上述脫模層之表面進行表面處理。藉由降低上述脫模層之表面處理前之算術平均粗糙度Ra且/或調高上述脫模層之表面處理前之光澤度，可大幅提昇對上述脫模層之表面進行表面處理而提高結晶度之效果，從而將上述脫模層之最表面之結晶度調整為上述範圍。尤其，本發明人等發現：於將摩擦處理前之脫模層之坯膜表面調整得充分平滑後對該表面進行摩擦之操作於確實地提高最表面之結晶度之方面有效。 降低上述脫模層之表面處理前之算術平均粗糙度Ra且/或調高上述脫模層之表面處理前之光澤度之方法並無特別限定，較佳為於將構成上述脫模層之樹脂熔融擠出並使熔融樹脂冷卻時例如採用如下方法。即，較佳為使用具有更平滑表面之冷卻輥使該輥表面形狀轉印至膜之方法、或於冷卻時以施加至熔融樹脂之伸長應力變大之方式進行調整之方法等。
藉由降低上述脫模層之表面處理前之算術平均粗糙度Ra，可將上述脫模層之最表面之結晶度調整為上述範圍。上述脫模層之表面處理前之表面之算術平均粗糙度Ra例如可設為0.50 μm以下。 再者，上述脫模層之表面處理前之算術平均粗糙度Ra於表面處理時越小越好，若為表面處理後，則即便如下所述般對脫模層之表面實施壓紋加工而導致算術平均粗糙度Ra變大，亦不會對最表面之結晶度本身產生較大影響。
藉由提高上述脫模層之表面處理前之光澤度，可將上述脫模層之最表面之結晶度調整為上述範圍。上述脫模層之表面處理前之光澤度例如可設為100%以上。 再者，上述脫模層之表面處理前之光澤度於表面處理時越大越好，若為表面處理後，則即便如下所述般對脫模層之表面實施壓紋加工而導致光澤度變小，亦不會對最表面之結晶度本身產生較大影響。
再者，藉由調整表面處理前之算術平均粗糙度Ra或表面處理前之光澤度而表面處理之提高結晶度之效果提昇的原因尚不明確，但可作如下推斷。認為於算術平均粗糙度Ra相對較大之情形時，表面處理對最表面之影響可能不均，但於算術平均粗糙度Ra相對較小之情形時，表面處理對最表面之影響變得均等，最表面之羰基潛入面內之概率或量提高。認為於例如藉由摩擦處理進行表面處理之情形時，當算術平均粗糙度Ra相對較大之情形時，脫模層表面之凹凸可能導致某些物性變化或均一之處理受阻。相對於此，當算術平均粗糙度Ra充分較小之情形時，脫模層表面之凹凸所導致之對物性變化或均一之處理之阻礙較小，藉由摩擦處理可使表面充分變化。 又，由於光澤度受到對象之表面粗糙度或內部晶粒之大小之影響，故而光澤度較大意味著表面粗糙度較小，晶粒較小（為一定尺寸以下）。認為於表面處理前之晶粒相對較大之情形時，多個晶粒互相成為立體阻礙，藉由表面處理之結晶生長受阻。另一方面，於表面處理前之晶粒相對較小之情形時，不會受到如上所述之立體阻礙，藉由表面處理促進結晶生長，故結果為：提高最表面之結晶度之效果提昇。又，可認為晶粒之大小受到熔融擠出時之冷卻或伸長應力之影響。
上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra為2.0 μm以上。上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra之下限較佳為3.0 μm，更佳為3.5 μm，尤佳為5.0 μm。藉由使上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra為上述範圍，可製成抗皺性優異之脫模膜。上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra之上限並無特別限定，較佳為10 μm，更佳為8 μm。 上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra係依據JIS B 0601：2013之算術平均粗糙度Ra，例如可使用Mitutoyo公司製造之Surftest SJ-301進行測定。上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra亦會受到製膜時之條件之影響，但於欲使其積極變化之情形時，需要另外實施壓紋處理或平滑化處理。再者，於施加了熱壓（加壓退火）等處理之情形時，表面之凹凸被破壞，故通常算術平均粗糙度Ra之值有變小之傾向。
上述脫模層表面之光澤度並無特別限定，較佳之上限為100%，更佳之上限為50%，進而較佳之上限為25%，尤佳之上限為10%。藉由使上述脫模層表面之光澤度為上述範圍，容易提高脫模膜之抗皺性。上述脫模層表面之光澤度之下限並無特別限定，實質上為5%以上。 上述脫模層表面之光澤度係依據JIS Z8741並將入射角設為60°所測得之光澤度，例如可使用日本電色工業公司製造之光澤度計VG-1D進行測定。上述脫模層表面之光澤度亦會受到製膜時之條件之影響，但於欲使其積極變化之情形時，需要另外實施壓紋處理或平滑化處理。再者，於施加了熱壓（加壓退火）等處理之情形時，表面之凹凸被破壞，故通常光澤度之值有變大之傾向。
上述表面處理並無特別限定，例如可列舉：摩擦處理、熱處理、單軸延伸或雙軸延伸處理等。該等表面處理可單獨使用，亦可併用2種以上。 上述摩擦處理之方法並無特別限定，較佳為利用摩擦處理裝置（例如山縣機械公司製造之研磨處理裝置，型號YCM-150M）並使用織物作為摩擦處理材之表面素材進行摩擦處理之方法。 上述熱處理之方法並無特別限定，較佳為使膜於加熱至一定溫度之輥之間通過之方法、利用加熱器對膜進行加熱之方法等。 上述單軸或雙軸延伸處理之方法並無特別限定，較佳為將製膜後之膜於一定溫度下進行延伸之方法等。
上述脫模層整體之結晶度並無特別限定，較佳為小於上述脫模層之最表面之結晶度。上述脫模層整體之結晶度之較佳下限為25%，較佳之上限為50%。 若使脫模層整體之結晶度高出所需，則存在如下情況：作為脫模膜整體之柔軟性降低，對凹凸之追隨性降低，於熱壓接著時產生空隙或接著劑之滲出寬度增大。藉由調整上述脫模層之最表面以外之結晶度，可使上述脫模層於最表面具有高達50%以上之結晶度，並且作為上述脫模層整體具有上述範圍之適度之結晶度。藉由設為此種構成，上述脫模膜無論是脫模性抑或是對凹凸之追隨性均變得更加優異。若上述脫模層整體之結晶度為25%以上，則脫模膜之耐熱性提高。若上述脫模層整體之結晶度為50%以下，則脫模膜對凹凸之追隨性提高。上述脫模層整體之結晶度之下限更佳為30%，進而較佳為35%。上述脫模層整體之結晶度之上限更佳為45%，進而較佳為40%，尤佳為35%。
上述脫模層整體之結晶度可藉由如下方式求出：藉由廣角X射線繞射法對上述脫模層整體進行分析而獲得繞射測定圖，於繞射測定圖上畫出基準線，分別對結晶質相及非晶質相進行擬合，根據所獲得之結晶質相之波峰總面積及非晶質相之波峰總面積，利用下述式（2）求出。再者，於脫模膜由多層構成之情形時，可藉由將脫模膜之各層剝離而對僅由上述脫模層構成之樣品進行分析，而對上述脫模層整體之結晶度進行評價。
結晶度（%）＝結晶質相之波峰總面積 /（結晶質相之波峰總面積＋非晶質相之波峰總面積）×100       （2）
作為用以求出上述脫模層整體之結晶度之X射線繞射裝置，例如可使用設定為下述條件之Rigaku公司製造之薄膜評價用試樣水平型X射線繞射裝置（Smart Lab）。 X射線源                  CuKα射線 管電壓-管電流        45 kV-200 mA 入射光學系統          集中法 測定範圍                 5～80° 測定間隔                 0.02° 掃描速度                 5.0°/min 掃描方法                 Out-of-Plane法
將上述脫模層整體之結晶度調整為上述範圍之方法並無特別限定，較佳為於將構成上述脫模層之樹脂熔融擠出並使熔融樹脂冷卻時例如採用如下方法。即，較佳為調整熔融樹脂與冷卻輥之接觸時間之方法、調整冷卻輥溫度之方法等。藉由以此方式調整脫模層表面與脫模層內部之溫度梯度，可調整脫模層表面與脫模層內部之結晶速度，調整作為上述脫模層整體之結晶度。再者，亦可將脫模層整體之結晶度調整為高於脫模層之最表面之結晶度之值。
構成上述脫模層之樹脂並無特別限定，就提高脫模膜之脫模性之方面而言，較佳為聚酯、聚烯烴或聚苯乙烯。 上述聚酯較佳為含有芳香族聚酯樹脂。上述聚烯烴較佳為含有聚(4-甲基-1-戊烯)或脂環式烯烴系樹脂。上述聚苯乙烯較佳為含有具有對排結構之聚苯乙烯系樹脂。其中，就對凹凸之追隨性優異，且形成於覆蓋膜之接著劑之滲出防止性優異之方面而言，上述脫模層更佳為含有芳香族聚酯樹脂。
上述芳香族聚酯樹脂並無特別限定，較佳為結晶性芳香族聚酯樹脂。具體而言，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚對苯二甲酸己二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸丁二酯樹脂、對苯二甲酸丁二醇酯聚四亞甲基二醇共聚物等。該等芳香族聚酯樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，就耐熱性、脫模性、對凹凸之追隨性等之平衡之觀點而言，較佳為聚對苯二甲酸丁二酯樹脂。 又，亦較佳為聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、與聚對苯二甲酸丁二酯和脂肪族聚醚之嵌段共聚物的混合樹脂。上述脂肪族聚醚並無特別限定，例如可列舉：聚乙二醇、聚二乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基二醇等。
就膜製膜性之觀點而言，上述芳香族聚酯樹脂之熔體體積流動速率（melt volume flow rate）較佳為30 cm3 /10 min以下，更佳為20 cm3 /10 min以下。再者，熔體體積流動速率可依照ISO1133於測定溫度250℃、負載2.16 kg進行測定。
作為上述芳香族聚酯樹脂中之市售者，例如可列舉：「PELPRENE（註冊商標）」（東洋紡公司製造）、「Hytrel（註冊商標）」（東麗杜邦公司製造）、「Duranex（註冊商標）」（日本寶理塑膠公司製造）、「NOVADURAN（註冊商標）」（三菱工程塑膠公司製造）等。
含有上述聚(4-甲基-1-戊烯)之聚烯烴中，較佳為含有90重量%以上之聚(4-甲基-1-戊烯)樹脂。 上述聚(4-甲基-1-戊烯)樹脂例如可使用三井化學公司製造之商品名TPX（註冊商標）等市售品。
上述脂環式烯烴系樹脂係指於主鏈或側鏈具有環狀脂肪族烴之烯烴系樹脂，就耐熱性、強度等方面而言，較佳為熱塑性飽和降莰烯系樹脂。 作為上述熱塑性飽和降莰烯系樹脂，例如可列舉（於視需要進行馬來酸加成或環戊二烯加成等改質後）使降莰烯系單體之開環聚合物或開環共聚物氫化而成之樹脂。又，可列舉：使降莰烯系單體加成聚合而成之樹脂、使降莰烯系單體與乙烯或α-烯烴等烯烴系單體加成聚合而成之樹脂、使降莰烯系單體與環戊烯、環辛烯、5,6-二氫二環戊二烯等環狀烯烴系單體加成聚合而成之樹脂。進而，亦可列舉該等樹脂之改質物等。
含有上述具有對排結構之聚苯乙烯系樹脂之聚苯乙烯中，較佳為含有70重量%以上且90重量%以下之具有對排結構之聚苯乙烯系樹脂。 再者，具有對排結構之聚苯乙烯系樹脂係指具有對排結構、即作為側鏈之苯基或取代苯基相對於由碳-碳σ鍵所形成之主鏈交替地位於相反方向之立體規則結構的樹脂。
上述具有對排結構之聚苯乙烯系樹脂並無特別限定。例如可列舉：具有以外消旋二元組計75%以上之對排立構度、或以外消旋五元組計30%以上之對排立構度的聚苯乙烯、聚(烷基苯乙烯)、聚(芳基苯乙烯)、聚(鹵化苯乙烯)、聚(鹵化烷基苯乙烯)、聚(烷氧基苯乙烯)、聚(苯甲酸乙烯酯)等。又，可列舉該等之氫化聚合物及該等之混合物、以該等為主成分之共聚物等。上述具有對排結構之聚苯乙烯系樹脂例如可使用出光興產公司製造之商品名XAREC（註冊商標）等市售品。
上述脫模層亦可含有包含聚對苯二甲酸丁二酯樹脂與彈性體之混合樹脂。上述彈性體並無特別限定，例如可列舉聚對苯二甲酸丁二酯與脂肪族聚醚之嵌段共聚物等。上述脂肪族聚醚並無特別限定，例如可列舉：聚乙二醇、聚二乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基二醇等。 上述聚對苯二甲酸丁二酯樹脂於構成上述脫模層之樹脂中所占之比率並無特別限定，較佳為75重量%以上。若上述聚對苯二甲酸丁二酯樹脂之比率為75重量%以上，則脫模膜之脫模性提高。上述聚對苯二甲酸丁二酯樹脂於構成上述脫模層之樹脂中所占之比率之更佳下限為80重量%。
上述脫模層亦可含有橡膠成分。藉由上述脫模層含有橡膠成分，脫模膜對凹凸之追隨性提高。 上述橡膠成分並無特別限定，例如可列舉：天然橡膠、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚丁二烯、聚異戊二烯、丙烯腈-丁二烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物（EPM、EPDM）、聚氯丁二烯、丁基橡膠、丙烯酸橡膠、矽橡膠、胺酯（urethane）橡膠等。又，作為上述橡膠成分，例如可列舉：烯烴系熱塑性彈性體、苯乙烯系熱塑性彈性體、氯乙烯系熱塑性彈性體、酯系熱塑性彈性體、醯胺系熱塑性彈性體等。
上述脫模層亦可含有穩定劑。 上述穩定劑並無特別限定，例如可列舉：受阻酚系抗氧化劑、熱穩定劑等。 上述受阻酚系抗氧化劑並無特別限定，例如可列舉：1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二第三丁基-4-羥基苄基)苯、3,9-雙{2-[3-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)-丙醯氧基]-1,1-二甲基乙基}-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷等。上述熱穩定劑並無特別限定，例如可列舉：亞磷酸三(2,4-二第三丁基苯基)酯、亞磷酸三月桂酯、2-第三丁基-α-(3-第三丁基-4-羥基苯基)-對異丙苯基雙(對壬基苯基)亞磷酸酯、3,3'-硫代二丙酸二肉豆蔻酯、3,3'-硫代二丙酸二硬脂酯、新戊四醇四(3-月桂基硫代丙酸酯)、3,3'-硫代二丙酸二-十三烷基酯等。
上述脫模層亦可進而含有纖維、無機填充劑、阻燃劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、無機物、高級脂肪酸鹽等先前公知之添加劑。
上述脫模層之厚度並無特別限定，較佳之下限為10 μm，較佳之上限為40 μm。若上述脫模層之厚度為10 μm以上，則脫模膜之耐熱性提高。若上述脫模層之厚度為40 μm以下，則脫模膜對凹凸之追隨性提高。上述脫模層之厚度之更佳下限為15 μm，更佳上限為30 μm。 再者，上述脫模層之厚度亦可為1 μm以下。藉由使脫模層之厚度成為1 μm以下之極薄厚度，可提高脫模膜之柔軟性，提高追隨性。如上所述，上述脫模層中，使藉由將入射角設為0.06°之斜入射廣角X射線繞射法所求出之結晶度成為50%以上，藉此可發揮較高之脫模性，但無論脫模層之結晶度如何，均可將脫模層之厚度設為1 μm以下。
本發明之脫模膜可為僅由上述脫模層構成之單層構造，亦可為具有上述脫模層以外之層之多層構造。
本發明之脫模膜較佳為進而具有緩衝層。藉由具有上述緩衝層，脫模膜對凹凸之追隨性提高。 於具有上述緩衝層之情形時，本發明之脫模膜只要具有至少1層脫模層、及緩衝層即可，可為2層構造，亦可為3層以上之構造。其中，較佳為具有於緩衝層之兩側具有脫模層之構造。於該情形時，既可兩側之脫模層均具有如上所述之最表面之結晶度，亦可僅單側之脫模層具有如上所述之最表面之結晶度。又，兩側之脫模層可為相同之樹脂組成，亦可為不同之樹脂組成。又，兩側之脫模層可為相同之厚度，亦可為不同之厚度。 又，本發明之脫模膜可為脫模層與緩衝層直接接觸而一體化之構造，亦可為脫模層與緩衝層經由接著層一體化之構造。
構成上述緩衝層之樹脂並無特別限定，較佳為上述緩衝層含有構成上述脫模層之樹脂。 藉由上述緩衝層含有構成上述脫模層之樹脂，上述脫模層與上述緩衝層之密合性提高。上述緩衝層更佳為含有上述脫模層之主成分樹脂，進而較佳為含有上述脫模層之主成分樹脂及聚烯烴樹脂。此處，上述脫模層之主成分樹脂意指上述脫模層所含之樹脂中含量最多之樹脂。
上述緩衝層中之構成上述脫模層之樹脂之含量並無特別限定，較佳之下限為10重量%，較佳之上限為50重量%。若構成上述脫模層之樹脂之含量為10重量%以上，則上述脫模層與上述緩衝層之密合性提高。若構成上述脫模層之樹脂之含量為50重量%以下，則上述緩衝層之柔軟性變得充分，脫模膜對凹凸之追隨性提高。構成上述脫模層之樹脂之含量之更佳下限為20重量%，進而較佳之下限為25重量%。構成上述脫模層之樹脂之含量之更佳上限為40重量%，進而較佳之上限為35重量%。
上述聚烯烴樹脂並無特別限定，例如可列舉：聚乙烯樹脂（例如高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯）、聚丙烯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。又，亦可列舉：乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物等乙烯-丙烯酸系單體共聚物等。該等聚烯烴樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，就容易兼顧對凹凸之追隨性與耐熱性之方面而言，較佳為聚丙烯樹脂。
上述緩衝層中之上述聚烯烴樹脂之含量並無特別限定，較佳之下限為50重量%，較佳之上限為90重量%。若上述聚烯烴樹脂之含量為50重量%以上，則上述緩衝層之柔軟性變得充分，脫模膜對凹凸之追隨性提高。若上述聚烯烴樹脂之含量為90重量%以下，則上述脫模層與上述緩衝層之密合性提高。上述聚烯烴樹脂之含量之更佳下限為60重量%，進而較佳之下限為65重量%。上述聚烯烴樹脂之含量之更佳上限為80重量%，進而較佳之上限為75重量%。
上述緩衝層亦可進而含有聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚醯胺、聚碳酸酯、聚碸、聚酯等樹脂。 上述緩衝層亦可進而含有纖維、無機填充劑、阻燃劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、無機物、高級脂肪酸鹽等添加劑。
上述緩衝層可為由單獨之層所構成之單層構造，亦可為由多層之積層體所構成之多層構造。於緩衝層為多層構造之情形時，多層亦可經由接著層積層一體化。
上述緩衝層之厚度並無特別限定，較佳之下限為15 μm，較佳之上限為200 μm。若上述緩衝層之厚度為15 μm以上，則脫模膜對凹凸之追隨性提高。若上述緩衝層之厚度為200 μm以下，則可抑制於熱壓接著時膜端部發生自上述緩衝層之樹脂滲出。上述緩衝層之厚度之更佳下限為30 μm，更佳之上限為150 μm。
於上述緩衝層與上述脫模層直接接觸之情形時，較佳為於緩衝層與脫模層之界面具有凹凸。藉由具有凹凸，可提高脫模層及與緩衝層之密合性，可防止脫模層與緩衝層之層間剝離。即，於自可撓性電路基板剝離時容易操作，可抑制施加至可撓性電路基板之負載。緩衝層與脫模層之界面之性狀例如可藉由一面減小脫模層之厚度一面控制壓紋加工之條件而進行調整。 於上述緩衝層與脫模層之界面具有凹凸之情形時，界面之算術平均粗糙度Ra較佳為3 μm以上。 再者，緩衝層與脫模層之界面之性狀或界面之算術平均粗糙度Ra可藉由觀察脫模膜之截面並測量其粗糙度曲線而進行確認。
製造本發明之脫模膜之坯膜之方法並無特別限定，例如可列舉：水冷式或氣冷式共擠出吹脹法、利用共擠出T模法進行製膜之方法、溶劑流延法、熱壓成形法等。 於具有在上述緩衝層之兩側具有上述脫模層之構造之情形時，可列舉如下方法：製作出成為一脫模層之膜後，藉由擠出層壓法於該膜上積層緩衝層，繼而，乾式層壓另一脫模層。又，可列舉乾式層壓成為一脫模層之膜、成為緩衝層之膜、及成為另一脫模層之膜的方法。 其中，就各層之厚度控制性優異之方面而言，較佳為藉由共擠出T模法進行製膜之方法。
如上所述，本發明人等發現：對於上述脫模層，藉由對充分平滑之（或具有光澤之）表面進行摩擦處理，可將上述脫模層之最表面之結晶度調整為上述範圍。平滑之表面意指算術平均粗糙度Ra較小。具有光澤意指光澤度較大。更具體而言，藉由使即將進行摩擦步驟前之坯膜表面之算術平均粗糙度Ra為0.50 μm以下或使即將進行摩擦步驟前之坯膜表面之光澤度為100%以上，可製造具有較先前更優異之脫模性之脫模膜。於摩擦處理前藉由實施壓紋處理等而使算術平均粗糙度Ra變大或使光澤度變小之情形時，所獲得之脫模膜有時不具顯著之脫模性。 又，具有至少1層脫模層之脫模膜之製造方法亦為本發明之一，且該製造方法具有對上述脫模層之坯膜之表面進行摩擦的摩擦步驟，且即將進行上述摩擦步驟前之上述坯膜表面的算術平均粗糙度Ra為0.50 μm以下。 又，具有至少1層脫模層之脫模膜之製造方法亦為本發明之一，且該製造方法具有對上述脫模層之坯膜之表面進行摩擦的摩擦步驟，且即將進行上述摩擦步驟前之上述坯膜表面的光澤度為100%以上。
即將進行上述摩擦步驟前之上述脫模層之坯膜表面之算術平均粗糙度Ra之更佳上限為0.30 μm，進而較佳之上限為0.20 μm，尤佳之上限為0.10 μm。上述脫模層之坯膜表面之算術平均粗糙度Ra之下限並無特別限定，實質上較佳之下限為0.01 μm。 再者，於本說明書中，算術平均粗糙度Ra係依據JIS B 0601：2013之算術平均粗糙度Ra，例如可使用Mitutoyo公司製造之Surftest SJ-301進行測定。
即將進行上述摩擦步驟前之上述脫模層之坯膜表面之光澤度之更佳下限為120%。上述脫模層之坯膜表面之光澤度之上限並無特別限定，實質上較佳之上限為200%。 再者，於本說明書中，光澤度係依據JIS Z8741並將入射角設為60°所測得之光澤度，例如可使用日本電色工業公司製造之光澤度計VG-1D進行測定。
作為使坯膜表面變得充分平滑（或具有光澤）之方法，例如可列舉於坯膜的製膜時使熔融之樹脂膜冷卻時，使用表面之算術平均粗糙度Ra為0.50 μm以下之冷卻輥之方法。 又，具有至少1層脫模層之脫模膜之製造方法亦為本發明之一，且該製造方法具有對上述脫模層之坯膜之表面進行摩擦的摩擦步驟，且於上述脫模層之坯膜的製膜時使熔融之樹脂膜冷卻時，使用表面之算術平均粗糙度Ra為0.50 μm以下之冷卻輥。
上述摩擦處理之方法並無特別限定，較佳為利用摩擦處理裝置（例如山縣機械公司製造之研磨處理裝置，型號YCM-150M）並使用織物作為摩擦處理材之表面素材進行摩擦處理之方法。
於上述摩擦處理中，用於摩擦處理材之表面素材之織物其纖維之拉伸強度的較佳下限為1.0 g/d，較佳上限為5.0 g/d。若上述纖維之拉伸強度未達1.0 g/d，則有於上述摩擦處理中纖維拉斷而所獲得之脫模膜上附著有纖維之情況。若上述纖維之拉伸強度超過5.0 g/d，則有所獲得之脫模膜上產生褶皺、傷痕等損傷，對基板表面之追隨性降低，無法充分抑制熱壓成形時之接著劑流出之情況。上述纖維之拉伸強度之更佳上限為3.0 g/d。 再者，於本說明書中，纖維之拉伸強度意指藉由依據JIS-L-1095之方法所求出之一根纖維之拉伸強度。
上述纖維之伸長率之較佳下限為1%，較佳之上限為30%。若上述纖維之伸長率未達1%，則有於上述摩擦處理中纖維拉斷而所獲得之脫模膜上附著有纖維之情況。若上述纖維之伸長率超過30%，則有所獲得之脫模膜上產生褶皺、傷痕等損傷，對基板表面之追隨性降低，無法充分抑制熱壓成形時之接著劑流出之情況。上述纖維之伸長率之更佳上限為29%。 再者，於本說明書中，纖維之伸長率意指藉由依據JIS-L-1095之方法所求出之一根纖維之拉伸伸長率。
作為上述纖維，具體而言，例如可列舉：PET、嫘縈、棉、羊毛、乙酸酯等。其中，就可進一步抑制因進行摩擦處理而於脫模膜上產生之褶皺、傷痕等損傷，從而獲得對基板表面之追隨性優異之脫模膜，又，可減少附著於脫模膜之纖維之方面而言，較佳為嫘縈、羊毛。
又，用於上述摩擦處理材之表面素材之織物其摩擦係數之較佳下限為0.1，較佳上限為0.8。若上述織物之摩擦係數未達0.1，則有所獲得之脫模膜之脫模性降低之情況。若上述織物之摩擦係數超過0.8，則有所獲得之脫模膜上產生褶皺、傷痕等損傷，對基板表面之追隨性降低，無法充分抑制熱壓成形時之接著劑流出之情況。上述織物之摩擦係數之更佳下限為0.3，更佳之上限為0.7。 再者，於本說明書中，織物之摩擦係數意指藉由依據JIS-K-7125之方法所求出之織物對2 mm之聚碳酸酯板之摩擦係數。
上述織物之彈性模數之較佳之下限為0.1 MPa，較佳之上限為4.0 MPa。若上述織物之彈性模數未達0.1 MPa，則有所獲得之脫模膜之脫模性降低之情況。若上述織物之彈性模數超過4.0 MPa，則有所獲得之脫模膜上產生褶皺、傷痕等損傷，對基板表面之追隨性降低，無法充分抑制熱壓成形時之接著劑流出之情況。上述織物之彈性模數之更佳之下限為0.7 MPa，更佳之上限為3.9 MPa。 再者，於本說明書中，織物之彈性模數意指藉由依據JIS-K-7127之方法所求出之織物之硬度。
上述織物之拉伸強度之較佳之下限為1.5 N/10 mm，較佳之上限為2.5 N/10 mm。若上述織物之拉伸強度未達1.5 N/10 mm，則有於上述摩擦處理中纖維拉斷而所獲得之脫模膜上附著有纖維之情況。若上述織物之拉伸強度超過2.5 N/10 mm，則有所獲得之脫模膜上產生褶皺、傷痕等損傷，對基板表面之追隨性降低，無法充分抑制熱壓成形時之接著劑流出之情況。上述織物之拉伸強度之更佳下限為1.6 N/10 mm，更佳之上限為2.3 N/10 mm，進而較佳之上限為1.8 N/10 mm。 再者，於本說明書中，織物之拉伸強度意指藉由依據JIS-K-7127之方法所求出之織物之拉伸強度。
上述脫模膜之製造方法較佳為具有對脫模層之表面實施壓紋處理之壓紋步驟。又，上述脫模膜之製造方法較佳為於上述摩擦步驟後進行上述壓紋步驟。若為摩擦處理後，則即便對脫模層之表面實施壓紋處理，亦不會對脫模性產生不良影響，可賦予抗皺性。 如上所述，本發明人等發現藉由使脫模層之坯膜之表面變得充分平滑後進行摩擦處理，可顯著提高脫模性。然而，若使脫模膜之脫模層之表面平滑化，則有於加壓加工時將脫模膜配置於覆蓋膜與熱壓板之間時界面中夾帶氣泡之情況，有抗皺性降低之擔憂。即，優異之脫模性與抗皺性互為取捨關係，先前難以兼顧。 此處，本發明人等發現壓紋處理有助於提高抗皺性，但存在即便對實施過壓紋處理之膜進行摩擦處理，亦不具有顯著之脫模性之情形。本發明人等發現：藉由於摩擦處理時使脫模層之表面變得充分平滑再藉由摩擦處理提高脫模性，之後再次實施壓紋處理，可製造具有優異之脫模性及抗皺性之脫模膜。再者，先前通常於擠出成形時實施壓紋處理，故不會進行先暫時平滑地製作膜，其後實施摩擦處理，進而實施壓紋處理之操作。又，由於步驟變得繁雜，故通常難以反其道地假設進行此種步驟。
上述壓紋處理之方法並無特別限定，例如可列舉壓紋輥法等先前公知之方法。對脫模膜表面之壓紋處理亦可提高膜之視認性或操作性（正面與背面之判別或滑動性）、或者抑制膜彼此之黏連。又，亦可對脫模膜之兩面實施壓紋處理。藉由對脫模膜之兩面實施壓紋處理，可進一步提高膜之視認性或操作性、耐黏連性。
上述壓紋處理亦可加熱後進行。作為加熱方法，並無特別限定，例如可列舉對膜進行預加熱之方法、或對壓紋輥進行加熱之方法等。 作為用於上述壓紋處理之壓紋輥，例如可使用表面之算術平均粗糙度Ra為2.0 μm以上之壓紋輥。藉由使用表面之算術平均粗糙度Ra為2.0 μm以上之壓紋輥，可製造不易產生褶皺之脫模膜。作為壓紋輥，亦可使用表面之算術平均粗糙度Ra為5.0 μm以上者。
本發明之脫模膜之用途並無特別限定，可於印刷配線基板、可撓性電路基板、多層印刷配線板等之製造步驟中良好地使用。 具體而言，例如，在可撓性電路基板之製造步驟中，於經由熱硬化型接著劑或熱硬化型接著片將覆蓋膜熱壓接著於形成有銅電路之可撓性電路基板本體時可使用本發明之脫模膜。 本發明之脫模膜之脫模性極其優異，故亦可良好地用於要求高脫模性之利用輥對輥方式之可撓性電路基板之製造。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種具有較先前更優異之脫模性且抗皺性亦優異之脫模膜。
以下，列舉實施例更加詳細地對本發明之態樣進行說明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
（實施例1） （1）脫模膜之製造 作為構成脫模層（脫模層a及脫模層b）之樹脂，使用聚對苯二甲酸丁二酯樹脂（PBT）。作為構成緩衝層之樹脂，使用聚丙烯樹脂（PP）75重量份、及聚對苯二甲酸丁二酯樹脂（PBT）（脫模層之主成分樹脂）25重量份。 使用擠出機（GM ENGINEERING公司製造，GM30-28（螺旋直徑30 mm，L/D28））以T模寬度400 mm將構成脫模層之樹脂、及構成緩衝層之樹脂進行三層共擠出，並利用冷卻輥（溫度90℃）使擠出之熔融樹脂冷卻。藉此獲得於緩衝層（厚度50 μm）之兩側分別具有脫模層a（厚度20 μm）及脫模層b（厚度30 μm）之3層構造之膜。再者，於冷卻時，使熔融樹脂與冷卻輥之接觸時間為2.0秒，且使利用冷卻輥使熔融樹脂冷卻時之伸長應力為400 kPa。作為冷卻輥，使用表面之算術平均粗糙度Ra為0.1 μm之冷卻輥。
再者，伸長應力由下述式（3）表示。
伸長應力（Pa）＝應變速度（1/s）×熔融樹脂之伸長黏度（Pa・s）       （3） 又，應變速度及熔融樹脂之伸長黏度分別由下述式（4）、（5）表示。
應變速度（1/s）＝9×V×｛（V/V0ˆ（1/9）-1｝/L             （4）
熔融樹脂之伸長黏度（Pa・s）＝零剪切黏度（Pa・s） ×應變速度（1/s）ˆ（-0.1）        （5）
式（4）中，V為輥速度（m/s），V0為模具出口之熔融樹脂之流速（m/s），L為模具出口至熔融樹脂之輥接觸點之距離（m）。
一面利用輥輸送所獲得之膜，一面利用摩擦處理裝置（山縣機械公司製造之研磨處理裝置，型號YCM-150M）並使用織物作為摩擦處理材之表面素材對脫模層a之表面進行摩擦處理。於摩擦處理時，藉由於輸送側輥與捲取側輥之間設置表面處理部輥並將表面處理部輥壓抵於膜而對膜施加負載。調整捲取側輥之轉速與輸送側輥之轉速的比，使朝向膜之捲出方向產生400 N/m之張力。再者，於摩擦處理時施加之作功能量為300 kJ。又，摩擦處理前之算術平均粗糙度Ra為0.04 μm，光澤度為185%。
一面利用輥輸送摩擦處理後之膜，一面利用壓紋輥（表面粗糙度Ra8 μm，溫度160℃，線壓50 kg/cm）進行擠壓而對脫模層a側之表面實施壓紋加工，獲得脫模膜。
（2）算術平均粗糙度Ra之測定 依據JIS B 0601：2013，使用Mitutoyo公司製造之Surftest SJ-301測定摩擦處理後之脫模層a之表面之算術平均粗糙度Ra。將結果示於表1。
（3）光澤度之測定 依據JIS Z8741，將入射角設為60°，使用日本電色工業公司製造之光澤度計VG-1D測定摩擦處理後之脫模層a之表面之光澤度。將結果示於表1。
（4）最表面之結晶度（藉由將入射角設為0.06°之斜入射廣角X射線繞射法所求出之結晶度）之測定 藉由將X射線之入射角設為0.06°之斜入射廣角X射線繞射法對脫模層a之表面進行分析。對於所獲得之繞射測定圖，於2θ＝9.5～35°之範圍畫出直線狀之基準線。以高斯函數之形式分別對結晶質相及非晶質相進行擬合，根據所獲得之結晶質相之波峰總面積及非晶質相之波峰總面積，利用上述式（1）求出脫模層之最表面之結晶度。將結果示於表1。
作為斜入射廣角X射線繞射裝置，使用設定為下述條件之Rigaku公司製造之表面結構評價用多功能X射線繞射裝置（ATX-G型）。 X射線源                  CuKα射線 管電壓-管電流        50 kV-300 mA 入射光學系統          集中法 入射角（ω）           0.06° 測定範圍                  5～70° 測定間隔                 0.02° 掃描速度                 1.0°/min 操作方法                 In-Plane法
（5）脫模層整體之結晶度之測定 將脫模膜之各層剝離，獲得僅由脫模層a構成之樣品。藉由廣角X射線繞射法對脫模層a進行分析。對於所獲得之繞射測定圖，於2θ＝12.0～28.18°之範圍畫出直線狀之基準線。以高斯函數之形式分別對結晶質相及非晶質相進行擬合，根據所獲得之結晶質相之波峰總面積及非晶質相之波峰總面積，利用上述式（2）求出脫模層整體之結晶度。將結果示於表1。
作為廣角X射線繞射裝置，使用設定為下述條件之Rigaku公司製造之薄膜評價用試樣水平型X射線繞射裝置（Smart Lab）。 X射線源                  CuKα射線 管電壓                     45 kV-200 mA 入射光學系統          集中法 測定範圍                 5～80° 測定間隔                 0.02° 掃描速度                 5.0°/min 掃描方法                 Out-of-Plane法
（實施例2） 作為構成脫模層（脫模層a及脫模層b）之樹脂，以重量比80：20使用聚對苯二甲酸丁二酯樹脂（PBT）及PBT-聚四亞甲基二醇共聚物，並如表1所示般變更熔融樹脂與冷卻輥之接觸時間、冷卻輥溫度及伸長應力、以及表面處理時之張力，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得脫模膜。以與實施例1相同之方式對所獲得之脫模膜求出各物性。
（實施例3～6） 如表1所示般變更熔融樹脂與冷卻輥之接觸時間、冷卻輥溫度及伸長應力、以及表面處理時之張力，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得脫模膜。以與實施例1相同之方式對所獲得之脫模膜求出各物性。
（比較例1～6） 不進行壓紋處理，除此以外，分別以與實施例1～6相同之方式獲得脫模膜。以與實施例1相同之方式對所獲得之脫模膜求出各物性。
（比較例7～12） 於摩擦處理前進行壓紋處理，除此以外，分別以與實施例1～6相同之方式獲得脫模膜。以與實施例1相同之方式對所獲得之脫模膜求出各物性。
＜評價＞ 對實施例及比較例中所獲得之脫模膜進行以下評價。
（1）脫模性之評價 使用CVL1（尼關工業公司製造，CISV2535）作為環氧接著片，將脫模膜以脫模層a與環氧接著片接觸之方式重疊於環氧接著片上，於180℃、30 kgf/cm2 之條件熱壓5分鐘。其後，於一部分樣品中脫模膜自然剝離。對於即便自熱壓開始經過10分鐘後脫模膜亦未自然剝離之樣品，將其切割為寬度30 mm，以試驗速度500 mm/分鐘、剝離角度30°進行剝離試驗，求出30°剝離強度（30°剝離值）。 又，為了比較與通常要求之條件相比更嚴酷之條件下之脫模性，將環氧接著片CVL1替換為接著力更強之環氧接著片CVL2（杜邦公司製造，HXC2525）而進行同樣之測定。
基於該等測定結果，以如下方式對脫模膜之脫模性進行評價。 ◎：於使用CVL1之試驗中脫模膜自然剝離且於使用CVL2之試驗中30°剝離強度為100 gf/cm以下之情形 ○：於使用CVL1之試驗中脫模膜自然剝離且於使用CVL2之試驗中30°剝離強度大於100 gf/cm之情形 ×：於使用CVL1之試驗中脫模膜未自然剝離之情形 再者，以剝離角度30°進行之剝離試驗與以剝離角度180°進行之試驗相比剝離角度較低，故通常極難以剝離。即，可謂以剝離角度30°進行之剝離試驗為良好之脫模膜具有與習知之脫模膜相比更優異之脫模性。
（2）抗皺性之評價 自下而上依序積層CCL（20 cm×20 cm，聚醯亞胺厚度25 μm，銅箔35 μm）、覆蓋層（20 cm×20 cm，聚醯亞胺厚度15 μm，環氧系樹脂接著劑層25 μm，尼關工業公司製造，CISV2535）、及脫模膜。使用滑動式真空熱壓機（MKP-3000V-WH-ST，MIKADO TECHNOS公司製造），置於預先經180℃加熱之加壓模具間並進行位置對準，其後開始加壓（自設置開始至實際施加壓力為止約經過10秒）。藉由於真空條件下以50 kg/cm2 加壓2分鐘，製作出由CCL及覆蓋層所構成之可撓性電路基板（FPC）評價樣品。 其後，取出FPC評價樣品及脫模膜，將脫模膜剝離後，測定轉印至覆蓋層表面上之褶皺之個數。將褶皺個數為0個之情形評價為「◎」，將褶皺個數為1～10個之情形評價為「○」，將褶皺個數為11～20個之情形評價為「△」，將褶皺個數為21個以上之情形評價為「×」。再者，於褶皺個數為20個以下之情形時，可謂具有作為製造可撓性電路基板時之脫模膜充分之抗皺性。於褶皺個數為10個以下之情形時，可謂具有優異之抗皺性。
（3）追隨性之評價 於覆銅積層板（CCL）（12.5 cm×12.5 cm，聚醯亞胺厚度25 μm，銅箔厚度35 μm）之銅箔面上，以環氧接著劑層與該銅箔面接觸之方式積層「開有ϕ＝1 mm之孔的覆蓋膜（12.5 cm×12.5 cm，聚醯亞胺厚度25 μm，環氧接著劑層厚度35 μm）」。進而，以脫模層a與覆蓋膜接觸之方式積層脫模膜。將該積層體於180℃、30 kgf/cm2 之條件熱壓2分鐘。其後，將脫模膜剝離，利用光學顯微鏡觀察流出至覆銅積層板（CCL）上之環氧接著劑。於12點測定環氧接著劑之滲出寬度並算出其平均值。基於測定結果，對於脫模膜之追隨性，將環氧接著劑之滲出寬度之平均值未達55 μm之情形評價為「○」，將環氧接著劑之滲出寬度之平均值為55 μm以上之情形評價為「×」。
[表1]
單位 實施例
1 2 3 4 5 6
與冷卻輥之接觸時間 秒 2.0 1.0 1.5 3.0 2.0 1.0
冷卻輥溫度 ℃ 90 70 90 80 70 90
伸長應力 kPa 400 360 300 250 200 200
表面處理時之張力 N/m 400 200 120 133 136 136
算術平均 粗糙度Ra 摩擦處理前 μm 0.04 0.17 0.19 0.26 0.41 0.41
壓紋後 μm 4.6 4.1 2.8 3.1 2.4 2.6
光澤度 摩擦處理前 % 185 177 171 145 122 122
壓紋後 % 8 9 15 14 19 18
最表面之結晶度 % 67 63 61 58 55 55
脫模層整體之結晶度 % 41 48 45 34 37 53
脫模性 （剝離角30°） CVL1 gf/cm 自然 剝離 自然 剝離 自然 剝離 自然 剝離 自然 剝離 自然 剝離
CVL2 gf/cm 53 67 111 130 155 155
判定 - ◎ ◎ ○ ○ ○ ○
抗皺性 褶皺個數 個 0 0 5 4 8 7
判定 - ◎ ◎ ○ ○ ○ ○
追隨性 滲出寬度 μm 44 53 50 38 41 59
判定 - ○ ○ ○ ○ ○ ×
[表2]
單位 比較例
1 2 3 4 5 6
與冷卻輥之接觸時間 秒 2.0 1.0 1.5 3.0 2.0 1.0
冷卻輥溫度 ℃ 90 70 90 80 70 90
伸長應力 kPa 400 360 300 250 200 200
表面處理時之張力 N/m 400 200 120 133 136 136
算術平均 粗糙度Ra 摩擦處理前 μm 0.04 0.17 0.19 0.26 0.41 0.41
壓紋後 μm - - - - - -
光澤度 摩擦處理前 % 185 177 171 145 122 122
壓紋後 % - - - - - -
最表面之結晶度 % 67 63 61 58 55 55
脫模層整體之結晶度 % 41 48 45 34 37 53
脫模性 （剝離角30°） CVL1 gf/cm 自然 剝離 自然 剝離 自然 剝離 自然 剝離 自然 剝離 自然 剝離
CVL2 gf/cm 53 67 111 130 155 155
判定 - ◎ ◎ ○ ○ ○ ○
抗皺性 褶皺個數 個 31 27 24 24 28 24
判定 - × × × × × ×
追隨性 滲出寬度 μm 44 53 50 38 41 59
判定 - ○ ○ ○ ○ ○ ×
[表3]
單位 比較例
7 8 9 10 11 12
與冷卻輥之接觸時間 秒 2.0 1.0 1.5 3.0 2.0 1.0
冷卻輥溫度 ℃ 90 70 90 80 70 90
伸長應力 kPa 400 360 300 250 200 200
表面處理時之張力 N/m 400 200 120 133 136 136
算術平均 粗糙度Ra 摩擦處理前 μm 2.20 2.40 3.00 3.20 4.20 4.40
壓紋後 μm - - - - - -
光澤度 摩擦處理前 % 21 19 14 13 9 8
壓紋後 % - - - - - -
最表面之結晶度 % 67 63 61 58 55 55
脫模層整體之結晶度 % 41 48 45 34 37 53
脫模性 （剝離角30°） CVL1 gf/cm 14 12 24 27 31 29
CVL2 gf/cm 116 132 241 272 332 331
判定 - × × × × × ×
抗皺性 褶皺個數 個 9 8 6 7 0 0
判定 - ○ ○ ○ ○ ◎ ◎
追隨性 滲出寬度 μm 44 53 50 38 41 59
判定 - ○ ○ ○ ○ ○ ×
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種具有較先前更優異之脫模性且抗皺性亦優異之脫模膜、及製造該脫模膜之方法。
無
無

Claims (14)

  1. 一種脫模膜，其具有至少1層脫模層，且特徵在於： 上述脫模層之藉由將入射角設為0.06°之斜入射廣角X射線繞射法所求出之結晶度為50%以上，且 上述脫模層表面之算術平均粗糙度Ra為2.0 μm以上。
  2. 如請求項1之脫模膜，其中，脫模層整體之結晶度小於脫模層之最表面之結晶度。
  3. 如請求項1或2之脫模膜，其中，脫模層整體之結晶度為25～50%。
  4. 2或3之脫模膜，其中，脫模層表面之光澤度為50%以下。
  5. 2、3或4之脫模膜，其進而具有緩衝層，且於上述緩衝層之兩側具有脫模層。
  6. 2、3、4或5之脫模膜，其中，脫模層含有芳香族聚酯樹脂。
  7. 如請求項6之脫模膜，其中，芳香族聚酯樹脂含有聚對苯二甲酸丁二酯樹脂。
  8. 如請求項7之脫模膜，其中，聚對苯二甲酸丁二酯樹脂於構成脫模層之樹脂中所占之比率為75重量%以上。
  9. 2、3、4、5、6、7或8之脫模膜，其用於利用輥對輥（RtoR）方式的可撓性電路基板之製造。
  10. 一種脫模膜之製造方法，其係具有至少1層脫模層之脫模膜之製造方法，且特徵在於： 具有對上述脫模層之坯膜之表面進行摩擦的摩擦步驟，且即將進行上述摩擦步驟前之上述坯膜表面的算術平均粗糙度Ra為0.50 μm以下。
  11. 一種脫模膜之製造方法，其係具有至少1層脫模層之脫模膜之製造方法，且特徵在於： 具有對上述脫模層之坯膜之表面進行摩擦的摩擦步驟，且即將進行上述摩擦步驟前之上述坯膜表面的光澤度為100%以上。
  12. 一種脫模膜之製造方法，其係具有至少1層脫模層之脫模膜之製造方法，且特徵在於： 具有對上述脫模層之坯膜之表面進行摩擦的摩擦步驟，且於上述脫模層之坯膜的製膜時使熔融之樹脂膜冷卻時，使用表面之算術平均粗糙度Ra為0.50 μm以下之冷卻輥。
  13. 如請求項10、11或12之脫模膜之製造方法，其具有對脫模層之表面實施壓紋處理之壓紋步驟，且於上述摩擦步驟後進行上述壓紋步驟。
  14. 如請求項13之脫模膜之製造方法，其中，於壓紋步驟中使用表面之算術平均粗糙度Ra為2.0 μm以上之壓紋輥。
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