JP2021054071A - 離型フィルム - Google Patents
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Abstract
Description
フレキシブル回路基板の製造工程においては、銅回路を形成したフレキシブル回路基板本体に、熱硬化型接着剤又は熱硬化型接着シートを介してカバーレイフィルムが熱プレス接着される。このとき、カバーレイフィルムと熱プレス板との間に離型フィルムを配置することで、カバーレイフィルムと熱プレス板とが接着するのを防止することができ、また、接着剤が染み出して電極部のめっき処理の障害となる等の不具合を防止することができる(例えば、特許文献1、2)。
以下に本発明を詳述する。
上記離型層は、ナノ熱分析により測定した表面の軟化温度が180℃以上である。
なお、上記離型層の少なくとも一方の表面がこのような軟化温度を有していればよい。
なお一般的に、熱可塑性樹脂等のポリマー材料の軟化温度は、ビカット軟化点測定や熱機械分析装置(TMA)等によって測定することができるが、この場合の軟化点は、材料の極表面だけではなく材料全体(バルク)の軟化温度を反映している。
サーマルプローブを対象試料表面に接触させ、プローブの先端を昇温させながら、プローブの上下の変位、並びにプローブに流れる電流の変化又はプローブにかかる電圧を記録する。試料の熱膨張や軟化等、熱変化に起因するプローブの変位の変化は、試料表面の熱による変化(ガラス転移や融解等)を反映する。すなわち、プローブ先端を昇温させていくと、試料の膨張に伴いプローブの変位が増加していく。更に昇温を続け、プローブ先端の温度が試料表面の軟化温度に達すると、プローブ先端が試料表面から内部に侵入し、プローブの変位が減少する。表面温度に対して変位をプロットすると、極大値を有する曲線が得られる。この曲線において、変位が極大値を示す際の温度を軟化温度とする。従来の熱機械分析装置(TMA)等を用いた熱分析手法がバルク試料を対象にしているのに対して、ナノ熱分析では、微小領域(直径数10〜100nm、深さ100nm程度の微小領域)の熱物性を評価することができる。
上記軟化温度は180℃以上であることが好ましく、200℃以上であることがより好ましい。上記軟化温度の上限は特に限定されないが、良好な埋込性を保つ観点からは300℃以下であることが好ましく、250℃以下であることがより好ましい。
なお、上記離型層の表面処理前の算術平均粗さRaは、表面処理時において小さければよく、表面処理後であれば、後述するように離型層の表面にエンボス加工を施した結果、算術平均粗さRaが大きくなっても、ナノ熱分析により測定した表面の軟化温度には大きく影響しない。
上記離型層の表面処理前の表面の算術平均粗さRaは、JIS B 0601:2013に準拠した算術平均粗さRaであり、例えば、Mitutoyo社製のサーフテストSJ−301を用いて測定することができる。
例えば、上記離型層を構成する樹脂を溶融押出して、溶融樹脂を冷却する際に、次のような方法を採用することができる。即ち、より平滑な表面を有する冷却ロールを用いて、そのロール表面形状をフィルムに転写させる方法や、冷却の際に、溶融樹脂にかかる伸長応力が大きくなるように調整する方法等が挙げられる。また、加熱プレス(プレスアニール)等の処理を加えることができる。
上記熱処理の方法は特に限定されないが、一定の温度に加熱したロールの間にフィルムを通す方法、ヒーターによりフィルムを加熱する方法等を用いることができる。
上記一軸又は二軸延伸処理の方法は特に限定されないが、製膜後のフィルムを一定の温度下にて、延伸する方法等を用いることができる。
上記表面処理として摩擦処理を行う場合には、加熱した状態で摩擦処理を行うことができる。高温下で摩擦処理を行うことにより、離型層のナノ熱分析により測定した表面の軟化温度を180℃以上とすることがより容易となる。上記摩擦処理における加熱温度は、例えば30〜70℃とすることができる。
上記離型層全体の軟化温度を必要以上に高めると、離型フィルム全体としての柔軟性が低下し、凹凸への追従性が低下して、熱プレス接着時にボイドが発生したり、接着剤の染み出し幅が増大したりすることがある。上記離型層の極表面以外の軟化温度を調整することで、上記離型層が極表面では高い軟化温度(例えば180℃以上)を有しつつ、上記離型層全体としては上記範囲の適度な軟化温度を有するようにすることができる。このような構成とすることで、上記離型フィルムは、離型性にも凹凸への追従性にも更に優れたものとなる。
上記離型層全体の軟化温度は、例えば、熱機械分析装置(TMA)等を用いた熱分析手法により測定することができる。上記熱機械分析装置としては、例えば、TA instruments社製のTMA2940等を用いることができる。具体的には、離型フィルムの離型層を剥がした上で試料とし、上から0.1Nの力を加えた状態で、5℃/minの昇温速度で80℃から250℃まで加熱し、測定端子の垂直方向における変位を測定し、変位が上がり始める温度を軟化温度とすることができる。
上記低軟化温度領域は、上記離型層の表面からの距離が50nm以上である位置に存在することが好ましい。
また、上記離型層において、上記低軟化温度領域が占める割合は、50%以上であることが好ましい。上記低軟化温度領域が占める割合は、より好ましくは80%以上、さらに好ましくは95%以上、特に好ましくは99.5%以上である。
上記離型層のナノ熱分析により測定した表面の軟化温度をTs、上記低軟化温度領域の軟化温度をTbとした場合、これらの温度差Ts−Tbは、3℃以上であることが好ましい。温度差Ts−Tbは、より好ましくは5℃以上、さらに好ましくは10℃以上、特に好ましくは20℃以上である。
上記低軟化温度領域の軟化温度の好ましい下限は150℃、より好ましい下限は160℃であり、好ましい上限は200℃、より好ましい上限は180℃である。
上記離型層は、表面から深さ100nmまでの領域における軟化温度が、表面から深さ100nm以上の領域における軟化温度よりも高いことが好ましい。
上記ポリエステルは、芳香族ポリエステル樹脂を含有することが好ましい。上記ポリオレフィンは、ポリ(4−メチル−1−ペンテン)又は脂環式オレフィン系樹脂を含有することが好ましい。上記ポリスチレンは、シンジオタクチック構造を有するポリスチレン系樹脂を含有することが好ましい。なかでも、凹凸への追従性に優れ、カバーレイフィルムに形成された接着剤の染み出し防止性に優れることから、上記離型層は、芳香族ポリエステル樹脂を含有することがより好ましい。
また、ポリブチレンテレフタレート樹脂と、ポリブチレンテレフタレートと脂肪族ポリエーテルとのブロック共重合体との混合樹脂も好ましい。上記脂肪族ポリエーテルは特に限定されず、例えば、ポリエチレングリコール、ポリジエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等が挙げられる。
上記ポリ(4−メチル−1−ペンテン)樹脂は、例えば、三井化学社製の商品名TPX(登録商標)等の市販品を用いることができる。
上記熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂として、例えば、ノルボルネン系モノマーの開環重合体又は開環共重合体を、(必要に応じてマレイン酸付加やシクロペンタジエン付加のような変性を行った後に)水素添加した樹脂が挙げられる。また、ノルボルネン系モノマーを付加重合させた樹脂、ノルボルネン系モノマーとエチレン又はα−オレフィン等のオレフィン系モノマーとを付加重合させた樹脂、ノルボルネン系モノマーとシクロペンテン、シクロオクテン、5,6−ジヒドロジシクロペンタジエン等の環状オレフィン系モノマーとを付加重合させた樹脂が挙げられる。更に、これらの樹脂の変性物等も挙げられる。
なお、シンジオタクチック構造を有するポリスチレン系樹脂とは、シンジオタクチック構造、即ち、炭素−炭素シグマ結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体規則構造を有する樹脂である。
上記ゴム成分は特に限定されず、例えば、天然ゴム、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリブタジエン、ポリイソプレン、アクリルニトリル−ブタジエン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体(EPM、EPDM)、ポリクロロプレン、ブチルゴム、アクリルゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等が挙げられる。また、上記ゴム成分として、例えば、オレフィン系熱可塑性エラストマー、スチレン系熱可塑性エラストマー、塩ビ系熱可塑性エラストマー、エステル系熱可塑性エラストマー、アミド系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
上記安定剤は特に限定されず、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、熱安定剤等が挙げられる。
上記ヒンダードフェノール系酸化防止剤は特に限定されず、例えば、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、3,9−ビス{2−〔3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−プロピオニロキシ〕−1,1−ジメチルエチル}−2,4,8,10−テトラオキサスピロ〔5,5〕ウンデカン等が挙げられる。
上記熱安定剤は特に限定されず、例えば、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリラウリルホスファイト、2−t−ブチル−α−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−p−クメニルビス(p−ノニルフェニル)ホスファイト、ジミリスチル3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル3,3’−チオジプロピオネート、ペンタエリスチリルテトラキス(3−ラウリルチオプロピオネート)、ジトリデシル3,3’−チオジプロピオネート等が挙げられる。
上記クッション層を有する場合、本発明の離型フィルムは、少なくとも1つの離型層とクッション層とを有してればよく、2層構造であってもよいし、3層以上の構造であってもよい。なかでも、クッション層の両側に離型層を有する構造を有することが好ましい。この場合、両側の離型層が上述したような軟化温度を有していてもよいし、片側の離型層のみが上述したような軟化温度を有していてもよい。また、両側の離型層は同じ樹脂組成であってもよいし、異なる樹脂組成であってもよい。また、両側の離型層は同じ厚みであってもよいし、異なる厚みであってもよい。
また、本発明の離型フィルムは、離型層とクッション層とが直接接して一体化している構造であってもよいし、離型層とクッション層とが接着層を介して一体化している構造であってもよい。
上記クッション層が上記離型層を構成する樹脂を含有することにより、上記離型層と上記クッション層との密着性が向上する。上記クッション層は、上記離型層の主成分樹脂を含有することがより好ましく、上記離型層の主成分樹脂及びポリオレフィン樹脂を含有することが更に好ましい。ここで、上記離型層の主成分樹脂とは、上記離型層に含まれる樹脂の中で含有量が最も多い樹脂のことを意味する。
上記クッション層は、更に、繊維、無機充填剤、難燃剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、無機物、高級脂肪酸塩等の添加剤を含有してもよい。
上記クッション層の両側に上記離型層を有する構造を有する場合には、一方の離型層となるフィルムを作製した後、このフィルムにクッション層を押出ラミネート法にて積層し、次いで他方の離型層をドライラミネーションする方法が挙げられる。また、一方の離型層となるフィルム、クッション層となるフィルム及び他方の離型層となるフィルムをドライラミネーションする方法が挙げられる。
なかでも、各層の厚み制御に優れる点から、共押出Tダイ法で製膜する方法が好適である。
上記表面処理後には、離型層の表面にエンボス加工を施してもよい。離型層の表面にエンボス加工を施すことにより、カバーレイフィルムと熱プレス板との間に離型フィルムを配置したときに界面に気泡を巻き込むのを防止して、耐シワ性を向上させることができる。
なお、上記表面処理が摩擦処理である場合、ナノ熱分析により測定した離型層の表面の軟化温度を180℃以上とするためには、表面処理時において離型層の表面の算術平均粗さRaが小さいことが好ましい。しかしながら、表面処理後であれば、離型層の表面にエンボス加工を施した結果、算術平均粗さRaが大きくなっても、ナノ熱分析により測定した表面の軟化温度には大きく影響しない。
具体的には例えば、フレキシブル回路基板の製造工程において、銅回路を形成したフレキシブル回路基板本体に、熱硬化型接着剤又は熱硬化型接着シートを介してカバーレイフィルムを熱プレス接着する際に本発明の離型フィルムを用いることができる。
本発明の離型フィルムは離型性に極めて優れることから、高い離型性が求められるRtoR方式によるフレキシブル回路基板の製造にも好適に用いることができる。
(1)フィルムの調製
離型層(離型層a及び離型層b)を構成する樹脂として、ポリブチレンテレフタレート樹脂(PBT、ノバデュラン5026、三菱エンジニアリングプラスチックス社製)を用いた。クッション層を構成する樹脂として、ポリプロピレン樹脂(PP)75重量部と、ポリブチレンテレフタレート樹脂(PBT)(離型層の主成分樹脂)25重量部とを用いた。
離型層を構成する樹脂、及び、クッション層を構成する樹脂を押出機(ジーエムエンジニアリング社製、GM30−28(スクリュー径30mm、L/D28))を用いてTダイ幅400mmにて三層共押出し、押出された溶融樹脂を冷却ロール(温度70℃)により冷却した。これにより、クッション層(厚み50μm)の両側に離型層a(厚み20μm)及び離型層b(厚み30μm)をそれぞれ有する3層構造のフィルムを得た。なお、冷却時には、溶融樹脂と冷却ロールとの接触時間を1.0秒、冷却ロールによって溶融樹脂を冷却する際の伸長応力を300kPaとした。
得られたフィルムをロールで送りつつ、離型層aの表面を、摩擦処理装置(山縣機械社製の研磨処理装置、型式YCM−150M)を用い、摩擦処理材の表面の素材として織物を用いて摩擦処理し、離型フィルムを得た。
摩擦処理の際には、送り側ロールと、巻き取り側ロールとの間に表面処理部ロールを設け、表面処理部ロールをフィルムに押し当てることでフィルムに荷重をかけた。巻き取り側のロール回転速度と、送り側のロールの回転速度との比を調整し、フィルムの繰り出し方向へ張力400N/mを生じさせた。摩擦処理の際に加えた仕事エネルギー量Enは700kJであった。
得られたフィルムについて、日立ハイテクサイエンス社製AFM5300E/NanoNaviII/Nano−TA2複合システムを用いて表面軟化温度を測定した。プローブとしてAN2−300(先端径30nm)を用い、大気中でコンタクトモードにより測定を行った。まず測定対象の表面を8μm角の範囲で観察し、異物が無いことを確認した後、昇温速度5℃/秒でプローブ先端を加熱し、昇温に対するプローブ先端の変位を記録した。変位の測定は、温度40℃から開始して変位の低下が見られるまで行い、温度に対する変位をプロットした曲線の極大値を軟化温度とした。同様の測定を3回行い、これらの平均値を離型層表面(極表面)の軟化温度とした。実施例1で得られたフィルムの離型層の軟化温度は215℃であった。
得られたフィルムについて、TA instruments社製のTMA2940を用いて離型層全体の軟化温度を測定した。具体的には、得られたフィルムの離型層を剥がしたうえで試料とし、上から0.1Nの力を加えた状態で、5℃/minの昇温速度で80℃から250℃まで加熱し、測定端子の垂直方向における変位を測定した。この際、変位が上がり始める温度を軟化温度とした。実施例1で得られたフィルムの離型層全体の軟化温度は165℃であった。
摩擦処理時の仕事エネルギー量を変化させた以外は実施例1と同様にして、離型フィルムを得た。
摩擦処理を行わなかった以外は実施例1と同様にして、離型フィルムを得た。
摩擦処理時の離型層表面の算術平均粗さRaを3.0μmに変更した以外は実施例1と同様にして、離型フィルムを得た。
摩擦処理を行わなかった以外は比較例3と同様にして、離型フィルムを得た。
実施例及び比較例で得られた離型フィルムについて、以下の評価を行った。結果を表1に示した。
200mm角に切り抜いたカバーレイフィルム(CISV−2535、ニッカン工業社製)のエポキシ接着剤面と、得られた離型フィルムの離型層a側の面とを重ねた。次いで、スライド式真空ヒータープレス(MKP−3000v−MH−ST、ミカドテクノス社製)を用いて、圧力120kgf、180℃、5分間でプレスを行った。その後、サンプルから巾30mm、長さ150mmの評価サンプルを切り出し、この評価サンプルについて、テンシロン(STA−1150、エーアンドデー社製)を用いて、剥離速度500mm/分、剥離角度180°でカバーレイフィルム側を引っ張り、剥離力(gf/cm)を測定した。
Claims (7)
- 少なくとも1つの離型層を有する離型フィルムであって、前記離型層は、ナノ熱分析により測定した表面の軟化温度が180℃以上であることを特徴とする離型フィルム。
- 離型層全体の軟化温度が、ナノ熱分析により測定した表面の軟化温度よりも低いことを特徴とする請求項1記載の離型フィルム。
- 離型層は、芳香族ポリエステル樹脂を含有することを特徴とする請求項1又は2記載の離型フィルム。
- 芳香族ポリエステル樹脂は、ポリブチレンテレフタレート樹脂を含有することを特徴とする請求項3記載の離型フィルム。
- 離型層を構成する樹脂に占めるポリブチレンテレフタレート樹脂の割合が75重量%以上であることを特徴とする請求項4記載の離型フィルム。
- 更にクッション層を有し、前記クッション層の両側に離型層を有することを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載の離型フィルム。
- RtoR方式によるフレキシブル回路基板の製造に用いられることを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の離型フィルム。
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