TW202117048A - 半導體處理裝置、用於形成汽化反應物之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種半導體處理裝置。該半導體裝置包括反應器及汽化器，該汽化器經組態以提供反應物蒸氣至該反應器。該裝置可包括製程控制室，其介於該汽化器與該反應器之間。該裝置可包括控制系統，其經組態以至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之壓力。

Description

液體汽化器
本領域是關於液體汽化器（例如，用於半導體處理裝置之液體汽化器）。
在半導體處理期間，各種反應物蒸氣被饋送至反應室中。在一些應用中，反應物蒸氣是以氣態形式儲存於反應物源容器中。在此類應用中，反應物蒸氣在周圍壓力及溫度下常是氣態。然而，在一些情況下，使用在周圍壓力及溫度下為液體或固體之源化學品的蒸氣。可加熱這些物質以產生用於反應製程（諸如氣相沉積）之足量的蒸氣。用於半導體產業的化學氣相沉積（CVD）可能會需要連續的反應物蒸氣流，而原子層沉積（ALD）可能會需要連續流或脈衝供應，取決於組態。在兩種情況下，可能是重要的是在某一準確度下知曉每單位時間或每脈衝所供應的反應物量，以便控制製程的劑量及效應。
對一些固體及液體物質而言，室溫下的蒸氣壓過低，使得其等必須經加熱以產生足量的反應物蒸氣及/或維持在非常低的壓力下。一旦經汽化，重要的是使氣相反應物在通過處理系統時保持蒸氣形式，以便防止反應室中、以及閥、過濾器、導管、及其他與將氣相反應物輸送至反應室相關聯的組件中之非所欲的冷凝。來自此類固體或液體物質之氣相反應物亦可用於針對半導體產業（例如，蝕刻、摻雜等）及針對各種其他產業之其他類型的化學反應，但特別受關注的是例如在CVD或ALD中使用之金屬及半導體前驅物。然而，對經改善之反應物蒸氣的形成及至反應器的輸送仍持續存在需求。
在一實施例中，揭示一種半導體處理裝置。該裝置可包括反應器及汽化器，該汽化器經組態以提供反應物蒸氣至該反應器。該裝置可包括製程控制室，其介於該汽化器與該反應器之間。該裝置可包括控制系統，其經組態以至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之壓力。
在另一實施例中，揭示一種用於形成汽化反應物之裝置。該裝置可包括汽化器，其經組態以將反應物源汽化成反應物蒸氣，該汽化器經設置在處於第一溫度下之第一熱區中。該裝置可包括製程控制室，其在該汽化器下游，該製程控制室經設置在處於第二溫度下之第二熱區中，該第二溫度高於該第一溫度。該裝置可包括控制系統，其經組態以維持該汽化器中之第一壓力在該第一溫度下處於或低於該反應物蒸氣之露點壓力。該控制系統可經組態以至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之壓力。
在另一實施例中，揭示一種形成汽化反應物之方法。該方法可包括供應反應物源至汽化器，該汽化器經設置在處於第一溫度下之第一熱區中。該方法可包括使該反應物源汽化以形成反應物蒸氣。該方法可包括維持該汽化器中之壓力在該第一溫度下處於或低於該反應物蒸氣之總蒸氣壓。該方法可包括將該反應物蒸氣傳遞至製程控制室，該製程控制室經設置在處於第二溫度下之第二熱區中，該第二溫度高於該第一溫度。該方法可包括至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之壓力。
在另一實施例中，揭示一種用於形成汽化反應物之裝置。該裝置可包括汽化器，其經組態以從液體反應物形成反應物蒸氣。該裝置可包括製程控制室，其在該汽化器下游。該裝置可包括控制系統，其經組態以至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之壓力。
本文所揭示之實施例是關於改善的液體汽化器（例如，直接液體注入汽化器），其用於使反應物液體汽化以供半導體處理裝置使用。本文所揭示之實施例可與任何合適類型的半導體處理裝置併用，包括原子層沉積（ALD）裝置、化學氣相沉積（CVD）裝置、有機金屬CVD（MOCVD）裝置、物理氣相沉積裝置（PVD）等。
例如，ALD是一種用於將高度均勻薄膜生長至基材上之方法。在時分ALD反應器中，將基材放入無雜質的反應空間中，並將至少兩個不同的前驅物（反應物氣體）以氣相交替且重複地注入反應空間中。反應物蒸氣可因此包含包括一或多個前驅物及一或多個溶劑之蒸氣。膜生長是基於發生在基材表面上之交替的表面反應以形成原子或分子的固態層，因為反應物及基材溫度是經選擇，使得交替注入的氣相前驅物之分子僅在基材上與其表面層起反應。反應物是以足夠高的劑量注入，以使表面在各注入循環期間實際上飽和。因此，製程是高度自調節的，不與起始材料之濃度相依，藉此可能達成單一原子層或分子層之極高的膜均勻度及厚度準確度。在空間分割ALD反應器中得到類似的結果，其中基材經移動至用於交替暴露至不同反應物的區中。反應物可有助於生長膜（前驅物）及/或提供其他功能，諸如從前驅物之經吸附物種剝除配位體以促成後續反應物的反應或吸附。
ALD方法可用於生長元素及化合物薄膜兩者。ALD可涉及使二或更多個反應物在循環中重複交替，且不同循環可具有不同數目的反應物。純ALD反應傾向於每循環產生少於一單層，然而ALD之變體可於每循環沉積多於一單層。
使用ALD方法生長膜由於其逐步（逐層）本質而可為緩慢的製程。使至少兩個氣體脈衝交替以形成一層所欲材料，並使脈衝保持彼此分開以用於防止膜的不受控生長及ALD反應器的污染。於各脈衝後，將薄膜生長製程之氣態反應產物以及呈氣相的過量反應物從反應空間移除，或將基材從含有其等之區移除。在時分實例中，此可藉由回泵反應空間、藉由在接續脈衝之間以惰性氣體流沖洗反應空間、或兩者來達成。在反應物脈衝之間利用導管中之惰性氣體柱來沖洗。由於其效率及在接續脈衝之間形成有效擴散障壁的能力，沖洗是廣泛地用在生產規模上。亦規律地使用惰性沖洗氣體作為反應物脈衝期間的載體氣體，在反應物蒸氣經饋入反應空間之前將其稀釋。
充分的基材暴露及反應空間之良好沖洗是成功的ALD製程所欲的。也就是說，脈衝應足夠強烈以使基材實際上飽和（在漸近飽和曲線的平坦部分中），且沖洗應足夠有效率以實際上從反應器移除所有前驅物殘留物及非所欲的反應產物。相對於前驅物暴露時間，沖洗時間可相對長。
如上文所解釋，液體前驅物（或前驅物－溶劑混合物）可在汽化器（諸如液體注入汽化器）中蒸發，以形成欲輸送至反應器或反應室之反應物蒸氣。然而在一些裝置中，在汽化器與反應室之間系統的一些部分處之壓力及溫度可能會改變。製程控制室內之溫度及/或壓力的差異（或沿著汽化器與反應室之間的路徑之其他此類差異）可能會導致汽化反應物冷凝成液體小滴。反應物蒸氣在反應室上游冷凝可導致液體小滴存在反應室內，其等可導致所處理之基材（例如，所處理之晶圓）中的缺陷並降低處理產量。
此外，在各種半導體處理裝置中，藉由在循環之間供應惰性氣體至汽化器而從汽化器沖洗反應物氣體。在一些裝置中汽化器可能具有大體積，而沖洗此類大體積的時間可顯著降低產出量。在一些處理裝置中，由於每次脈衝之不適當的流量率控制而引起的大幅壓力波動，可在反應室中產生過量的粒子。此外，將過濾器放置在反應器上游可是具挑戰性的，其可導致液體小滴至反應室及基材的傳遞。
圖1是根據各種實施例之半導體處理裝置1的示意系統圖。圖2是包括液體反應物源3之圖1之半導體處理裝置的示意系統圖，該液體反應物源供應液體反應物至液體汽化器10。液體汽化器10可供應汽化反應物至製程控制室20，其經組態以確保反應物維持蒸氣形式，以用於供應至反應器總成或反應器21。液體反應物可包含液體前驅物或液體前驅物與溶劑（例如，辛烷）的混合物（液體前驅物是例如，鋯有機金屬、或ZrMO，諸如鋯胺基烷氧化物，例如，Zr(dmae)4 、Zr(dmae)2 (OtBu)2 、及Zr(dmae)2 (OiPr)2 （其中dmae是(二甲胺)乙氧基）、[OCH2 CH2 N(CH3 )2 ]）。液體反應物源3可沿著液體注入管線7供應液體反應物至汽化器10。可提供液體質量流量控制器（液體MFC）2以控制或計量沿著液體注入管線7的液體反應物流量。第一閥11可調節至汽化器10中之液體反應物的流量（例如，壓力及/或流量率）。第一閥11可包含任何合適類型的閥。例如，在各種實施例中，第一閥11可包含可調整閥，其具有複數個流導設定以調節通過液體注入管線7之流量率。
可沿著液體注入管線7提供原子化注射器5或注射器5以將液體反應物原子化成欲輸送至汽化器10之高速噴霧。如本文所解釋，可控制汽化器10之壓力及溫度，使得所注入的液體反應物蒸發成反應物蒸氣。反應物蒸氣可沿著第一反應物蒸氣供應管線8供應至過濾器4。過濾器可經組態以捕獲及蒸發由於不完全蒸發或冷凝而存在之任何小滴。
在各種實施例中，如本文所揭示，可在不使用分開的惰性載體氣體供應的情況下沿著第一反應物蒸氣供應管線8供應可為反應物與汽化溶劑之混合物的反應物蒸氣。省略載送反應物蒸氣通過第一反應物蒸氣供應管線8之分開的惰性氣體源可有利地降低與裝置1相關聯的成本及複雜度。此外如上文所解釋，汽化器10可能是大體積的，使得產出量因為重複沖洗汽化器10而降低。在所說明之實施例中，與液體反應物一起供應的溶劑蒸氣可用以從汽化器10載送反應物並形成反應物蒸氣的部分，其可排除至汽化器10之分開的載體氣體供應的需求。
製程控制室20可設置在汽化器10與反應器21之間。製程控制室20可計量或控制沿著第二反應物蒸氣供應管線9供應至反應器21的反應物蒸氣量。因此，製程控制室20可經組態以控制輸送至反應器21之脈衝的脈衝寬度及時序。
第二閥12可設置在製程控制室20的上游。在所說明之實施例中，第二閥12可設置在過濾器4與製程控制室20之間。在其他實施例中，第二閥12可設置在過濾器4與汽化器10之間。第二閥12可包含可調整閥以控制汽化反應物的流導。第三閥13可設置在製程控制室20的下游（例如，介於製程控制室20與反應器21之間）。在一些實施例中，第三閥13可包含可調整閥以控制流導。在其他實施例中，其他類型的閥可以是合適的。
第二反應物蒸氣供應管線9可供應反應物蒸氣至反應器21的入口歧管18。入口歧管18可供應反應物蒸氣至反應器21之反應室30。分配裝置35（諸如所示之噴淋頭）或其他實施例中之水平注入裝置可包括充氣部32，其與複數個開口19流體連通。反應物蒸氣可通過開口19並供應至反應室30中。基材支撐22可經組態或定大小及成形以在反應室30內支撐基材36（諸如晶圓）。經分配的反應物蒸氣可接觸基材且起反應以在基材上形成一層（例如，一單層）。分配裝置35可以便於在基材上形成均勻層的方式分配反應物蒸氣。
排氣管線23可與反應室30流體連通。真空泵24可施加抽吸至排氣管線23以從反應室30抽空蒸氣及過量材料。反應器21可包含任何合適類型的半導體反應器（諸如原子層沉積（ALD）裝置、化學氣相沉積（CVD）裝置等）。
在圖1及圖2之實施例中，第一壓力轉換器14可經由第一轉換器管線15監控汽化器10內的壓力。第二壓力轉換器16可經由第二轉換器管線17監控製程控制室20內的壓力。第一回授電路25可電氣連接第一壓力轉換器14與第一閥11。第二回授電路26可電氣連接第二壓力轉換器16與第二閥12。控制系統34可控制裝置1之各種組件的操作。控制系統34可包含處理電子設備，其經組態以控制第一閥11、第二閥12、第一壓力轉換器14、第二壓力轉換器16、第三閥13、反應器21（及其中之各種組件）、及真空泵24之一或多者的操作。
雖然在圖2中繪示為單一結構，應理解控制系統34可包括複數個控制器或子系統，其等具有處理器、記憶體裝置、及控制裝置1之各種組件的操作之其他電子組件。用語控制系統（control system）（或控制器（controller））包括個別控制器裝置及處理電子設備的任何組合，其等可與其他裝置整合或連接至其他裝置（諸如閥、感測器等）。因此，在一些實施例中，控制系統34可包括集中式控制器，其控制多個（或全部）的系統組件之操作。在一些實施例中，控制系統34可包含複數個分散式控制器，其等控制一或多個系統組件之操作。
如上文所解釋，不足的蒸發或冷凝可導致反應室30中之膜生長變形，其可降低產量。此外，一些處理裝置可在沒有任何中介製程控制室或閥調配置的情況下從汽化器將反應物蒸氣輸送至反應器，其可導致液體輸送至反應室30。有利的是，圖1及圖2之實施例可包括汽化器10及製程控制室20中所測量之壓力的回授控制。
如圖1所示，裝置1可包括第一熱區27及第二熱區28，該第一熱區是維持在第一溫度，該第二熱區是維持在第二溫度。在各種實施例中，第二熱區28之第二溫度可高於第一熱區27之第一溫度。在各種實施例中，例如，第二溫度可高於第一溫度，其等之溫度差是在5°C至50°C的範圍內、在5°C至35°C的範圍內、或在10°C至25°C的範圍內。第一熱區27可包含汽化器10。第二熱區28可包含過濾器4、第二閥12、製程控制室20、及第三閥9，連同連接第二熱區28內之組件的供應管線。若熱區27、28是分開的，則介於區與區之間的第一反應物蒸氣供應管線8之部分可具備加熱器護套以維持管線處於或高於第一熱區27的溫度。
將過濾器4放入經加熱的第二熱區28內可有利地升高增強可能會通過過濾器4輸送之液體小滴的捕獲及蒸發。高溫的過濾器4可排除使用分開的小滴尺寸控制機構（例如，高流量惰性氣體注入）或快閃無接觸注入。此外，將汽化器10及製程控制室20放入處於不同溫度的加熱區中可使裝置1能夠微調反應器製程參數。例如，第一閥11及第二閥12可藉由控制系統34來調整以增加或減小至反應器中之溶劑及前驅物的流量率，以便得到所欲的處理反應器參數。
例如，用於汽化器10之第一壓力設定點可至少部分基於特定的反應物－溶劑混合物、第一熱區27的溫度、汽化器10的體積、通過汽化器10的流量率、及反應物材料在汽化器10的溫度下之露點壓力（例如，如本文所使用，反應物維持蒸氣形式之近似最大壓力）來計算。所計算的第一壓力設定點可針對汽化器10內的壓力設定上界，並可輸入至控制系統34中。第一壓力轉換器14可監控汽化器10中的壓力，並可將所測量的壓力沿著第一回授電路25及/或控制系統34回授至第一閥11。回授電路25及/或控制系統34可使用任何合適的閉迴路控制技術以維持汽化器10中的壓力處於或低於第一壓力設定點。例如，控制系統34可計算所測量的壓力與第一壓力設定點之間的差值。基於所計算的差值，控制系統34可發送控制信號至第一閥11以調整閥11的流導設定以調整汽化器10的壓力，以維持壓力處於或低於第一溫度下的反應物露點壓力。
作為判定用於閥11（或閥12）之壓力設定點的實例，可計算反應物及溶劑之混合物的特定重力。在第一實例中，對使用50%鋯有機金屬(ZrMO)（例如，鋯胺基烷氧化物）作為反應物及50%辛烷作為溶劑的混合物而言，特定重力可以是約0.961。在此實例中，混合物的流量率可以是約0.00133 g-液體/毫秒。對第一熱區27中之150°C設定溫度而言，對應的ZrMO蒸氣壓可以是約45 torr。用於具有0.5 L體積的汽化器10之對應的總蒸氣壓是大約159 torr，其可以是用於第一閥11的第一壓力設定點。壓力設定點當然會改變，取決於混合物的組成及製程參數。作為具有與用於第一實例相同的製程參數之第二實例，20% ZrMO反應物及80%辛烷溶劑混合物具有約500 torr的總蒸氣壓。
類似地，用於壓力控制室20之第二壓力設定點可至少部分基於反應物－溶劑混合物、第二熱區28的溫度、製程控制室20的體積、通過製程控制室20的流量率、及反應物材料在製程控制室20之溫度下的已知露點壓力來計算。所計算的第二壓力設定點可針對製程控制室20內的壓力設定上界，並可輸入至控制系統34中。第二壓力轉換器16可監控製程控制室20中的壓力，並可將所測量的壓力沿著第二回授電路26及/或控制系統34回授至第二閥12。第二回授電路26及/或控制系統34可使用任何合適的閉迴路控制技術以維持製程控制體積20中的壓力處於或低於第二壓力設定點。例如，控制系統34可計算所測量的壓力與第二壓力設定點之間的差值。基於所計算的差值，控制系統34可發送控制信號至第二閥12以調整閥12的流導設定以調整製程控制室20的壓力，以維持壓力處於或低於第二溫度下的反應物露點壓力。
因此，閥11、12、壓力轉換器14、16、及回授電路25、26可準確地控制汽化器10及製程控制室20中的各別壓力，以防止冷凝及不足的蒸發。此外，由於為維持不同溫度的兩熱區27、28提供兩回授電路25、26，裝置1可微調反應器處理參數及反應物流量率。例如，在一些實施例中，控制系統34可經組態以逐步減少製程控制室20的上游之反應物蒸氣的壓力。由於第二熱區28的第二溫度可高於第一熱區27的第一溫度，反應物蒸氣甚至在低壓下仍不會冷凝，同時逐步減少壓力可幫助調變至反應器之反應物氣體的劑量以及使反應製程穩定。在其他實施例中，控制系統34可經組態以逐步增加或以其他方式調整製程控制室20的上游之壓力，以便調諧反應處理參數。
圖3是包括液體反應物源3及惰性氣體源29之圖1之半導體處理裝置的示意系統圖。除非另有註明，圖3之組件通常可相同於或大致上類似於圖1及圖2之相似編號的組件。不同於其中僅存在液體反應物源3之圖1及圖2的實施例，在圖3中，裝置1可沿著惰性氣體管線33供應惰性載體氣體至汽化器10之注射器5。如所示，氣體質量流量控制器（MFC）6可計量沿著惰性氣體管線33之氣體供應。可沿著惰性氣體管線33提供第四閥31以調節至汽化器10之惰性氣體的流量。在一些實施例中，第四閥31可包含可調整閥，其具有複數個流導設定。在其他實施例中，第四閥31可包含二元開/閉閥，其中閥31允許或阻擋惰性氣體沿著惰性氣體管線33流動。在圖3之實施例中，惰性氣體可協助供應反應物蒸氣至反應器21。例如，惰性氣體可協助原子化注射器5中的反應物液體，其改善蒸發效率。
圖4是繪示根據各種實施例之半導體處理方法40的流程圖。方法40可始於方塊41，其中液體反應物是供應至汽化器。汽化器可設置在處於第一溫度之第一熱區中。轉向方塊42，反應物可在汽化器中汽化以形成反應物蒸氣。對所說明之直接液體注入實施例而言，汽化可包括原子化以及加熱。例如，原子化可通過無接觸注射器，其原子化同時與高速惰性氣體流混合，而經原子化或霧化之反應物的蒸發可以一或多個加熱器（例如，輻射加熱器）輔助，該（等）加熱器施加熱能至汽化器以增加其溫度。
在方塊43中，汽化器中的壓力可維持處於或低於反應物蒸氣（包括任何溶劑）在第一溫度下的露點壓力。如本文所解釋，在各種實施例中，第一閥可設置在汽化器上游。第一壓力轉換器可與汽化器流體連通。第一回授控制電路可電氣連接第一壓力轉換器及第一閥。第一回授控制電路可確保壓力低於壓力設定點，以便防止冷凝及不完全蒸發。
轉向方塊44，反應物蒸氣可傳遞至汽化器下游的製程控制室。製程控制室可設置在處於第二溫度之第二熱區中，該第二溫度高於該第一溫度。製程控制室可計量至反應器之反應物蒸氣的供應（或脈衝），該反應器可設置在製程控制室的下游。
在方塊45中，可至少部分基於製程控制室中之測量壓力的回授而調變製程控制室中的壓力。製程控制室中的壓力在第二溫度下可維持處於或低於反應物蒸氣（包括任何溶劑）的最大壓力，以便維持反應物蒸氣的蒸氣狀態。如本文所解釋，在各種實施例中，第二閥可設置在製程控制室上游。第二壓力轉換器可與製程控制室流體連通。第二回授控制電路可電氣連接第二壓力轉換器及第二閥。第二回授控制電路可確保壓力低於壓力設定點，以便防止冷凝及不完全蒸發。此外，在一些實施例中，製程控制室上游的壓力設定點可從汽化器逐步減少，以便調變反應器製程的製程參數。
雖然為清楚理解起見而經由繪示及實例詳細描述前述內容，但所屬技術領域中具有通常知識者當明白可實行某些變化及修改。因此，不應將描述及實例詮釋為將本發明之範疇限制在本文所述之特定實施例及實例，而是亦涵蓋伴隨所揭示的實施例之真實範疇及精神的所有修改及替代。此外，欲實行本實施例，不一定需要上述之所有特徵、態樣、及優點。
1:裝置 2:液體質量流量控制器 3:液體反應物源 4:過濾器 5:原子化注射器/注射器 6:氣體質量流量控制器 7:液體注入管線 8:第一反應物蒸氣供應管線/蒸氣供應管線 9:第二反應物蒸氣供應管線/蒸氣供應管線 10:液體汽化器/汽化器 11:第一閥/閥 12:第二閥/閥 13:第三閥 14:第一壓力轉換器/壓力轉換器 15:第一轉換器管線 16:第二壓力轉換器/壓力轉換器 17:第二轉換器管線 18:入口歧管 19:開口 20:製程控制室 21:反應器 22:基材支撐 23:排氣管線 24:真空泵 25:第一回授電路/回授電路 26:第二回授電路/回授電路 27:第一熱區/熱區 28:第二熱區/熱區 29:惰性氣體源 30:反應室 31:第四閥/閥 32:充氣部 33:惰性氣體管線 34:控制系統 35:分配裝置 36:支撐基材 40:方法 41、42、43、44、45:方塊
現將參照若干實施例的圖式來描述本發明的這些及其他特徵、態樣、及優點，該等實施例為意欲說明而非限制本發明。 圖1是根據各種實施例之半導體處理裝置的示意系統圖。 圖2是包括液體反應物源之圖1之半導體處理裝置的示意系統圖。 圖3是根據另一實施例之包括液體反應物源及惰性氣體源之半導體處理裝置的示意系統圖。 圖4是繪示根據各種實施例之半導體處理方法的流程圖。
1:裝置
4:過濾器
7:液體注入管線
8:第一反應物蒸氣供應管線/蒸氣供應管線
9:第二反應物蒸氣供應管線/蒸氣供應管線
10:液體汽化器/汽化器
11:第一閥/閥
12:第二閥/閥
13:第三閥
14:第一壓力轉換器/壓力轉換器
15:第一轉換器管線
16:第二壓力轉換器/壓力轉換器
17:第二轉換器管線
20:製程控制室
21:反應器
25:第一回授電路/回授電路
26:第二回授電路/回授電路
27:第一熱區/熱區
28:第二熱區/熱區

Claims (34)

  1. 一種半導體處理裝置，其包括： 一反應器； 一汽化器，其經組態以提供一反應物蒸氣至該反應器； 一製程控制室，其介於該汽化器與該反應器之間； 一控制系統，其經組態以至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之一壓力。
  2. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該控制系統經組態以維持該汽化器中之一壓力處於或低於該反應物蒸氣之一露點壓力。
  3. 如請求項2所述的半導體處理裝置，其進一步包括一第一壓力轉換器，該第一壓力轉換器與該汽化器流體連通，其中該控制系統包括處理電子設備，該處理電子設備經組態以至少部分基於藉由該第一壓力轉換器得到之來自一或多個壓力測量的回授而維持該汽化器中的該壓力。
  4. 如請求項3所述的半導體處理裝置，其進一步包括一第一閥，該第一閥在該汽化器的上游並與該第一壓力轉換器電氣連通，該第一閥經組態以調變該汽化器中的該壓力。
  5. 如請求項2所述的半導體處理裝置，其中該反應物蒸氣包括一汽化溶劑。
  6. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其進一步包括一第二壓力轉換器，該第二壓力轉換器與該製程控制室流體連通，其中該控制系統包括處理電子設備，該處理電子設備經組態以調變該製程控制室中的該壓力，並維持該製程控制室中的該壓力處於或低於該反應物蒸氣的一露點壓力。
  7. 如請求項6所述的半導體處理裝置，其中該控制系統是經組態以至少部分基於藉由該第二壓力轉換器得到之來自一或多個壓力測量的回授而調變該製程控制室中的該壓力。
  8. 如請求項7所述的半導體處理裝置，其進一步包括一第二閥，該第二閥在該製程控制室的上游，該第二閥經組態以調變該製程控制室中的該壓力。
  9. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其進一步包括一過濾器，該過濾器在該第二閥的上游。
  10. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該汽化器是設置在處於一第一溫度下之一第一熱區中，且該製程控制室是設置在處於一第二溫度下之一第二熱區中，該第二溫度大於該第一溫度。
  11. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其進一步包括一第三閥，該第三閥介於該製程控制室與該反應器之間，該第三閥經組態以調節至該反應器之該反應物蒸氣的流動。
  12. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該汽化器並未連接至一惰性氣體供應管線。
  13. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其進一步包括一液體反應物源，該液體反應物源輸送液體反應物至該汽化器。
  14. 如請求項13所述的半導體處理裝置，其進一步包括一原子化器，該原子化器在該汽化器的上游。
  15. 如請求項14所述的半導體處理裝置，其進一步包括一液體質量流量控制器，其用以計量至該汽化器之該液體反應物的一流量。
  16. 一種用於形成汽化反應物之裝置，包括： 一汽化器，其經組態以將一反應物源汽化成一反應物蒸氣，該汽化器設置在處於一第一溫度下之一第一熱區中； 一製程控制室，其在該汽化器的下游，該製程控制室設置在處於一第二溫度下之一第二熱區中，該第二溫度高於該第一溫度； 一控制系統，其經組態以： 維持該汽化器中之一第一壓力在該第一溫度下處於或低於該反應物蒸氣之一露點壓力； 至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之一壓力。
  17. 如請求項16所述的裝置，其進一步包括一反應器，該反應器在該製程控制室的下游。
  18. 如請求項16所述的裝置，其中該反應物源包括一液體反應物源，其輸送液體反應物至該製程控制室。
  19. 如請求項16所述的裝置，其中該控制系統是經組態以維持該製程控制室中的該壓力在該第二溫度下處於或低於該反應物蒸氣之該露點壓力。
  20. 如請求項16所述的裝置，其進一步包括在該汽化器的上游之一第一閥、與該汽化器流體連通之一第一壓力轉換器、及與該第一壓力轉換器及該第一閥電氣連通之一第一回授電路。
  21. 如請求項16所述的裝置，其進一步包括在該製程控制室的上游之一第二閥、與該製程控制室流體連通之一第二壓力轉換器、及與該第二壓力轉換器及該第二閥電氣連通之一第二回授電路。
  22. 如請求項16所述的裝置，其進一步包括一過濾器，該過濾器在該製程控制室的上游，該過濾器設置在該第二熱區中。
  23. 如請求項16所述的裝置，其進一步包括一原子化器，該原子化器在該汽化器的上游。
  24. 如請求項23所述的裝置，其進一步包括一液體質量流量控制器，其用以計量至該汽化器之液體反應物的一流量。
  25. 一種形成汽化反應物之方法，包括： 供應一反應物源至一汽化器，該汽化器設置在處於一第一溫度下之一第一熱區中； 使該反應物源汽化以形成一反應物蒸氣； 維持該汽化器中之一壓力在該第一溫度下處於或低於該反應物蒸氣之一總蒸氣壓； 將該反應物蒸氣傳遞至一製程控制室，該製程控制室設置在處於一第二溫度下之一第二熱區中，該第二溫度高於該第一溫度；及 至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之一壓力。
  26. 如請求項25所述的方法，其進一步包括維持該製程控制室中的該壓力在該第二溫度下處於或低於該反應物蒸氣之一露點壓力。
  27. 如請求項25所述的方法，其進一步包括使該反應物蒸氣從該製程控制室脈衝至一半導體處理室中。
  28. 一種用於形成汽化反應物之裝置，包括： 一汽化器，其經組態以從一液體反應物形成一反應物蒸氣； 一製程控制室，其在該汽化器的下游； 一控制系統，其經組態以至少部分基於該製程控制室中之測量壓力的回授而調變該製程控制室中之一壓力。
  29. 如請求項28所述的裝置，其中該控制系統經組態以維持該汽化器中之一壓力處於或低於該反應物蒸氣之一露點壓力。
  30. 如請求項29所述的裝置，其進一步包括一第一壓力轉換器，該第一壓力轉換器與該汽化器流體連通，其中該控制系統包括處理電子設備，該處理電子設備經組態以至少部分基於藉由該第一壓力轉換器得到之來自一或多個壓力測量的回授而維持該汽化器中的該壓力。
  31. 如請求項30所述的裝置，其進一步包括一第一閥，該第一閥在該汽化器的上游並與該第一壓力轉換器電氣連通，該第一閥經組態以調變該汽化器中的該壓力。
  32. 如請求項28所述的裝置，其進一步包括一第二壓力轉換器，該第二壓力轉換器與該製程控制室流體連通，其中該控制系統包括處理電子設備，該處理電子設備經組態以調變該製程控制室中的該壓力，並維持該製程控制室中的該壓力處於或低於該反應物蒸氣的一露點壓力。
  33. 如請求項32所述的裝置，其中該控制系統是經組態以至少部分基於藉由該第二壓力轉換器得到之來自一或多個壓力測量的回授而調變該製程控制室中的該壓力。
  34. 如請求項33所述的裝置，其進一步包括一第二閥，該第二閥在該製程控制室的上游，該第二閥經組態以調變該製程控制室中的該壓力。
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