TW322602B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW322602B
TW322602B TW086104281A TW86104281A TW322602B TW 322602 B TW322602 B TW 322602B TW 086104281 A TW086104281 A TW 086104281A TW 86104281 A TW86104281 A TW 86104281A TW 322602 B TW322602 B TW 322602B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
section
group
feed
head
Prior art date
Application number
TW086104281A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Ehara Seisakusho Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ehara Seisakusho Kk filed Critical Ehara Seisakusho Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW322602B publication Critical patent/TW322602B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/4557Heated nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4486Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

Μ __Β7 五、發明説明(1 ) 發明背# 發明頜城 本發明概括地係有關一種氣化裝置,用以氣化液體物 質Μ提供氣體物質供,例如,化學氣相澱積裝置所用,且 特別者,有關一種氣化装置,該氣化裝置適合於產生蒸氣 物質用Μ製造具有髙電介常數的薄膜例如鈦酸鋇或鈦酸總 〇 枏騙抟15夕說明 於最近數年内,半導體工業所製積體電路的電路密度 已有顯著的進展,且熱烈的發展活動正進行著Μ期能用十 億一位元(gega-bit)級DRAMS取代目前普及的百萬位元( mega-bit)级DRAMS。製造DRAMS所需高電容裝置所用的介 電薄膜材料在過去係包括介電常數低於10的氧化矽膜或氮 化矽膜,介電常數約為20的五氧化钽膜(Ta2〇5);不過, 較新的材料例如鈦酸鋇(BaTi〇3)或鈦酸緦(SrTi〇3)或這些 化合物的混合物顯得更有前途。 為了製備彼等薄膜,化學氣相澱積(CVD化學氣相澱積 )法似乎是有希望者,且於此情況中,需要使進料氣體到 最後K穩定氣體流形式供給到配置在反應容器内的基材上 。為了穩定住氣化特性,要經由將在常溫下為固體的彼等 物質如Ba(DPM)2或Sr(DPM)2溶解在某些有機溶劑(如THF) 内所製成的液體來源予Μ加熱而導出進料氣體。 傳統氣化裝置有於,例如,日本專利申請公開第Η6-310444號中揭示者,其中係將液體物質或霧化液體物質注 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 、1Τ -線 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 3 3 8 8 2 3 ^^2β〇2 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 係氣 管 i 化材 體些近溫物 形體係器料膨現 完不 器置 配ct氧基' 氣某靠化將 盒液力容進積圼。内; 化配 分Jeli(在 料出度氣在 在從壓應,體而會器化 氣方 ss(e氣而 進現溫著性 置 Μ 的反時著,機化氣 該前 氣頭tt應 的圼解在特。配所内與器隨速之氣體 , 嘴。料出M反 用而分存些難由,器器化伴加化在氣 er)噴率進射反生 所S)和間這困經者容化氣會漸氣質料 n 射效由到的產 中ie度之。成係給應氣過低逐全物進 ori注化經導双以 置rt溫劑低造熱供反致通減會完料給 apo在氣係引應注 裝pe化溶的中的而,導體力度不進間 va示佳體後 噴 積ΓΟ氣機常之用導外會氣壓速而將時 e 揭較氣然纟材 澱 P丨有非流所傳此,當為體器及止 P 管 C 1 y 也得化, 基 的 和都體化板。托,因氣化象停 r 外而氣内 向。膜 η : 體全氣氣化足WI5此-料氣現的 ber此率的¾)體注IR)性Γ1性氣力化為氣不 因且進過種足 mb。 導成 — — 氣 &介111難性壓氣因之得 。-的通這充 3 積^物 .1 , ch的熱備 性蒸匕電{ 困造氣的,上變 異低器度止供 (C熱的製膜應將 W 高質些製蒸定中部率SR差減化速防提 _器加良内ί 並{造性這膜}樓術内效 U 力漸氣高了要 2 北 Μ 改器器從-膜製在。}(3持技或化} 壓逐過 Κ 為需 {氣予供化應 合薄等内性(2及保統壁氣rs幅會通體 ,, g型器提氣反 Μ 混一彼列難.,,和傳的的or大力 Μ 氣Μ化 脱室熱以在到)>> 積在下困起異化於器相4的壓所料所氣 W到加板 導ead體澱 有作一差氣 化氣托間體,進 地 4射由化 引he氣上 具操在度質 氣到幾之氣脹出 全 五 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4 3 8 8 2 3 A7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 料造保之 糸材或结 置全及装成 一圓表的料組 進而為作 送基.成映 裝.完解膜促 :具内型進内 且,成工 輸在組反 化體降薄 Μ 括所形構和和 , 長造修 的體中接 氣液體電器 包件茼旋口件 大 太更維 開 氣膜直 該料 氣介化 置成圓 螺人成 太得此和 分性的的 ,進料高氣 装組該有體組 成變。備 由應上體 置供進造型 該外在一液外 變會題設 經反材氣 裝許的製密 ,該,成料該 會度問加 係與基料 化容後而緊 到對件形進熱 寸長之添 體體成進 氣由化材種。達正成上與加 尺之加的 氣氣促為 種經氣基一 合中有組之係 Μ 器室增需 性料會其 一以止到出混置一内者道置 化積會所 應進,, 出質防給發效裝,之 一通裝 氣沈機溫 反,勻題 提物,供開有化件面少質熱 的膜應高 和時均問 為體間地為的氣成表至物加 需到反於 體之不質 的液時定的體種組外的料一 所器澱 處 氣中能品 目化留穩目氣 一 外形中 進及。 的化沈管 料器可品 項氣停體一 性在之筒面該.,者 }目氣早配 進容佈產 一地的氣另應已面圓表,的一 3 此從過分 若應分之 的率分料的反的表的外道通少 ί 成管的體。 ,反的勻 明效充進明和目内面形通相至 W完配相氣題者到方均 i發有需化發體些形表茼質口的 Μ要分氣料問再送上不 i本成所氣本氣這筒内圓物出中 ^,體使進本 輸面度。1 促化經。料 圓形和料體件 ^過氣成持成 統表厚果 d 可氣將置進 有筒面進氣成 五 --------ί 丨批衣------IT------ d. (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 5 3 8 8 2 3 經濟部中央樣隼局員工消費合泎汪午乳 A7 B7 五、發明説明(4 ) 上文所提及的氣化器可以經由迫使液體物質通過長流 道及改良接觸效率而在將進料液體轉化成進料氣體中達到 高效率。 該裝置的一形態為該外組成件與該内組成件係配置成 可相對地轉動者,該裝置包括一驅動源以轉動該外組成件 和内組成件中的至少一者。該氣化器可經由轉動改良物質 與加熱壁的接觸效率而達到高效率。 壓力產生段的存在可Μ在流通道的上游段中保持一反 壓(back pressure) 防止有櫬溶劑過早蒸發且提供在流 通道内的充分滯留時間(retention time)M更確保進料液 體變成進料氣體的完全轉化。 該裝置的另一形態為該内和外兩組成件係在進料物質 通道的下游位置連接到一反應容器。因此,將膜澱積段與 氣化器段製成一簞元Μ節省空間並縮短經氣化進料氣體必 須輸送過的輸送距離Μ及加熱介質流動途徑所經距離。 該裝置的另一形態為在進料物質通道的下游位置裝設 有一混合空間Μ混合從進料物質通道降下來的進料氣體與 從外部來源専入的反應性氣體,藉而使該進料氣體與該反 懕性氣體在接近注射噴口的混合空間内混合Μ防止程序氣 體發生降解。 該裝置的另一形態為該壓力產生段係裝設成與該進料 物質通道的下游端相通,且裝設有一在該混合空間内部旋 轉的葉輪。如此,該葉輪係用來阻斷進料物質的自由流動 Κ在上游段中維持一反壓,及在葉輪内實施進料氣髖與反 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 •線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 6 3 8 8 2 3 3^26〇2 A7 B7 五、發明説明(5 ) 懕性氣體的完全混合Μ產生經均匀混合過的程序氣體以供 導到氣體射出頭内。 本發明裝置的另一形態為該壓力產生段包括在該内組 成件和外組成件中的至少一者之上形成的一個凹凸段( convexoconcave),使得因為該凹凸段的细密間隔可用來 阻斷未受阻或自由流動的進料物質而保持一反壓。 本發明装置的另一形態為一用Μ產生進料氣體流到基 材上的有噴嘴之氣體射出頭係與該進料物質通道的下游端 相通使得蒸氣途徑距離得Μ縮短。 本發明裝置的另一形態為該氣體射出頭係與一轉動組 成件形成一單元,如此,經氣化的進料氣體(或進料氣體 與反應性氣體的混合物)可在氣體射出頭内混合Μ縮短流 動途徑而防止程序氣體的降解,藉此改良沈積層的均匀性 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝·
、aT 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裂 下生葉料 成率 一熱 道產心進 組效 於加 通 力離止 内觸 置由 質壓該阻 該接 配經 物該,此 而良 到括 料且此藉 的改 出包 進,如, 定來 射置 於丨,流 固用 體裝 上on輪倒 係可 氣氣 件ti葉流。件即 料唄 成ec心體力成力 進體 組 S 離氣壓組心 將氣 led一料游外離 要的 在PP的進上該其 ,用 為te内使 住為, 中所 態 U 段 Μ 持態來 態面 形段階段維形一 形上 一 階有生 而一此 一材 另 有該產 動另如 另基 的一在 力流的, 明的 置成設壓 由置著 發内 裝形裝為自裝動 本器 該置括作的該轉 於容 位 包可質 係Μ 游段輪物 件。 反 線 3 88 2 3 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A7 B7 五、發明説明(6 ) 液體物質產生進料氣體的氣化器段及產生進料氣體流到基 經濟部中央標隼局員工消費合阼杜印裝 頭體變使薄 出短異反 化, 有筒面進氣成幾 出氣度此質 '射在變早 氣來。一圓表的料組同 射料溫藉品 體體度過 該一下..具内型進内相 體進何,髙 氣氣溫開 著此之括所形構和和的 氣的任題成 和料到避 設如度包件茼旋口 件質。 該化到問製 段進受可 裝,溫段成圓螺入成物體 與氣受之M器的遭前 殼道定器組該有體組料氣 段經遭塞應 化化會之 外通固化外在一液外進料 器,會堵反 氣 氣不内 該質在氣該,成料該限進 化來不道積 該經而間 為介持該對件形進熱界的 氣一中通澱 為使頭格 態熱保為正成上與加以化 該此程和的 態可出積 形加可分有組之係以用氣 中如過應定 形此射沈 一的皆部一内者道置,全 其。的反穩 一如體膜 的有者一 ,之一通裝來完 , 元段澱行 的,氣到 置共兩的件面少質熱一生 段單頭沈進 置殼到導 裝所段置成表至物加此產 頭勻出早可 裝外給被 氣段頭裝組外的料一如地 出均射過體 氣的供體 嗔頭出氣外形中進及。效 射熱體止氣 噴同接氣 體出射噴之筒面該.,者有明 體一氣防料 體共直料 氣射和體面圓表,的一 K 說 氣成到可進 氣一内進。料體段氣表的外道通少可胳 的配送著的。料同道在澱進氣器料内面形通相至即簡 面經輸接化品進共通而沈該和化進形表简質口 的型之 上係其。氣產 段動因或 段氣 筒内圓物出中類式 材段在異經膜 頭流,應 器該 圓形和料體件何圃 I-------^ 1¾衣------、玎-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 8 3 8 8 2 3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) 第1圖為本發明裝置第一實施例的整體横斷面圖。 第2圖為一圖形,其中顯示第1圖所示實施例中沿進 料物質流動途徑的壓力分佈。 第3圖為第1圖的重要部份之放大圖。 第4圖為本發明氣化裝置中所用霧化段或氣化段的另 一實施例。 第5圖為本發明氣化裝置的另一實施例。 第6圖為本發明氣化裝置的又另一實施例。 第7圖為第6圖所示實施例装置中所含離心輪葉的概 示圖。 較住glife例夕說明 第1圖為本發明噴氣裝置的略圖,其中包括用於氣體 射出頭的垂直型氣化器段,且此實施例所示的類型為其中 進料物質係從裝置的頂部流到底部者。其外殻(外組成件 )1,平底段2和上馬達段3係用耐熱性材料例如金鼷製成一 單元者,且其上終端部份係用天花板4封閉起來的。在外 殻1内側配置一内殻(内組成件)5,兩者之間有一狹窄空間 ,其亦為用耐熱性材料例如金靨製成的。外殻1與内毅5之 間的餘隙係經選擇Μ提供沿壁的最小可能途徑距離同時可 防止外殻和内殻在轉動中接觸。整個裝置係經設計成可Κ 快速裝配和拆除並減少沿著外殻1的內表面之短路流體流 〇 在外殻1的頂部段中,裝設著眾多沿切線伸展且在圓 周等距離位置開放之進料入口 6供經蓀化的液體物質進人 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 9 3 8 8 2 3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(8 ) 所用。進料入口 6的數目和位置必須依各案根據系統要求 而決定。外殼1上在底部段2稍微上方之處裝設著大直徑段 7 Μ容納環形氣體停留段(gas dwelling section)8 1該 氣體停留段8具有反懕性氣體入口 9供反應性氣體給到氣體 停留段8内所用及氣體相通孔10將氣體停留段8與外殻1的 内部空間相通。 在内殼5的外周面上Μ螺旋方式向下伸展著具有梯形 横截面形狀的線形突出部11,由是形成Μ類似方式螺旋地 在線形突出部11之間伸展之溝12。該溝12構成配置在外骰 1和内殻5之間的螺旋流動通道13Μ提供來自進科入口 6的 向下降落進料物質之流動途徑。流動通道13係從進料入口 6向下伸展,而内殼5係做成稍微伸展超過進料入口 6其上 方裝設有一個突出環14以過止進料液體發生溢流。 在外殻1的内壁上,在進料人口 6下方沿整個下端區裝 設加熱介質通道16作為加熱裝置,且也裝設一控制裝置Μ 控制在加熱介質通道16内流動的加熱介質所具溫度和流速 〇 内殻5係偁合到套裝在外殼1馬達段3中的驅動馬達 17之驅動軸(轉子)18使得內殼5可被驅動馬達17所轉動。 驅動軸18係經自由地支樓在一磁軸承(magnetic bearing) 19之上同時在兩者之間保持一定間距。在該磁軸承19的上 端和下端兩處裝設著觸底軸承(touchdown bearings)2〇M 在磁軸承19因緊急狀態例如停電而不能操作時•用來支撐 驅動軸18。内般5的轉動方向係經選擇成可逐次迫使進料 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 10 38 8 2 3 ^22602 A7 B7 五、發明説明(9 ) 物質沿著螺旋流動通道13向下流動之方向。 有關磁軸承19,一般係探用主動控制型磁軸承( active control type magnetic bearing),不過不需要 限制在此類型,也可M使用其他的類型例如,M永久磁鐵 為基體的被動型。該觸底軸承20常為球軸承,不過,因為 周圍溫度高,較佳者為使用陶瓷軸承。不一定侷限於球軸 承,也可以使用其他類型的軸承,例如滑動軸承。 在内穀5中面朝氣體相通孔10的位置處,裝設著一混 合空間21,且在内骰5的底端處,有一中間盤式設計經整 體地連接起來的氣體射出頭23,其中有眾多射出噴口 22。 該氣體射出頭23係突出在外殼1的底部段2之下而進入 密封容器26的膜澱積格間25之中使得其具有射出噴口 22的 下表面係朝向膜澱積格間25。換言之,該氣化裝置係接著 到密封容器26 Μ致於可用該底部段2覆蓋住該容器的開放 端。該氣體射出頭23係配置成面向基材28例如固持在基座 27上的半導體晶圓。該密封容器26裝設著一排放口29以向 外排出廢餘氣體。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在内骰5的外表面上,於内通道24的頂端和底端裝設 著個別的壓力產生段32a,32b,其係由眾多细密相隔開的 凹下段30和突出段31形成的,該突出段31係配合到凹下段 30之間的内部空間内者。上壓力產生段32a係用來對於由 轉動内殼5的作用沿流動通道13向下流動時逐漸被氣化的 進料氣體,透過阻斷進料氣體之未被中斷的向下之氣流而 產生反壓。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 11 3 8 8 2 3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4规格(210X297公釐) 3 8 8 2 3 A7 B7 五、發明説明(1〇) 在此段内的壓力變化要參照第2圖予以解釋。在進料 入口 6(位置a)處,環境壓力係經選擇成防止有機溶劑分離 者,例如約500托,且經氣化的進料氣體係從氣體射出頭 2 3的射出噴口 2 2 (位置C )注射到保持在約5托的膜沈積格間 25之内。上壓力產生段32a的功能係經由阻止未經中斷的 進料物質向下流動而維持住上游壓力。因此,其係經設計 成在約為上端壓力產生段32a的界區(位置b)處提供突然的 壓力下降。在流動通道13底部區裝設的壓力產生段32a可 Μ使進料物質在流動通道13内有足夠的停留時間使得進料 物質(混合著蒸氣的霧)可Μ與經加熱的壁有充足的接觸時 間Μ進行完全轉變成蒸氣之程序,且該經氣化的氣體可在 逐漸減低的壓力下膨脹。這種措施可防止進料氣體突然膨 脹以免専致進料物質在沒有進行進料液體轉變成進料氣體 的完全相變化(full phase change)程序之下即通過流動 通道1 3。 另一方面,下端壓力產生段32b係作為密封功能K防 止在混合空間21内混合進料氣體和反應性氣體所產生的程 序氣體快速逸散。 氣化裝置操作時係將經霧化或部份霧化的進料物質供 給到進料入口 6 ,且對於此目的而言,此裝置係配合一霧 化裝置而操作的,該霧化裝置包括一超音波振動器33,於 其中進料液體滴經由噴口 35供給入而載氣如氬氣係經由另 一噴口 34供給入Μ載送經孩化的進料。位於霧化裝置底部 區中的空間係用來捕捉液體或固體殘留物。 12 I------- 1^.------、玎-----i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(11) 必須特別提及者也可Μ應用其他的霧化配置例如第4 圖中所示者。在這種已知裝置中有一個雙流體通道噴嘴39 ,其中外噴嘴37係供載氣所用而内噴嘴則供進料氣體所用 ,且可Μ用已知的噴霧方法產生霧,其他措施包括加上一 熱板40Μ將雙流體通道噴嘴39輸送過來的霧部份地氣化。 茲說明氣化裝置的操作。該氣化裝置係經由將外殻1 的底部段2接到内有膜澱積格間25的内有膜澱積格間25的 密封容器26之頂端開放段Κ密封該開放段而裝配起來的。 首先,經由將在室溫下為固體的進料物質,例如Ba( DPM)2或Sr(DPM)2溶解在有機溶劑(例如THF)中而製備成液 體原料,以使蒸氣性質安定。 將該液體原料置於上述霧化器(註,第4圖中的裝置會 產生經部份霧化,部份氣化之進料)中霧化並經由進料入 口 6引専到氣化裝置之内,同時啟動驅動馬達17M轉動内 殼5。液體原料即進入在内毅5外表面上所裝設的流動通道 13內,且隨著内殻5的轉動*流體進料會逐漸地被迫向下 並沿著向下降方向,與外殻1的經加熱壁接觸,且透過熱 交換而逐漸地氣化。 進料物質向下降同時進行螺旋運動,而呈霧粒形式的 液體原料會被轉動的離心力向外濺散,且該霧粒會優先地 被迫接觸外殻11的壁表面Μ透過熱交換促進氣化。此外, 流動通道13的横斷面輪廊係沿軸向伸長者,使其可確保與 壁的大接觸面積,並進一步促進熱交換程序。所有流動通 道13的内部容積係經選擇得成為整體地相同者以防止沈澱 13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝· 訂 線 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 3 8 8 2 3 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(12 ) 粒子的形成。 當進料物質進入包含眾多凹下部份30和偶合突出部31 的上端壓力產生段32a之内時,沿著流動通道13輸送的該 進料物質即被阻止自由地向下繼續流動。換言之,該進料 物質會被留在流動通道13内一段時間而在高周圍壓力下不 會膨脹。隨著進料物質完全氣化,該經氣化的進料物質會 漸漸地漏經該上端壓力產生段32a並進入混合空間21内。 完全氣化的進料物質在進入混合空間21中時即膨脹· 並與從反應性氣體入口 9専入的反應性氣體(氧化性氣體) 混合。混合後的處理氣體(process gas)即經由内殼5的内 通道24進入氣體射出頭23之内。該處理氣體即經由配置在 膜澱積格間2 5内部的氣體射出頭2 3所具射出嗔嘴2 2引導到 基材例如半導體晶圓28的表面上而在其表面上形成薄膜。 於該程序中,因為膜澱積格間25内部的壓力約為,例 如,5托,所以在混合空間21内製備成的處理氣體會在壓 力梯度的驅動力下迅速地加速且快速進入氣體射出頭23内 而向下從射出噴口 22射出。 於此操作過程中,氣體射出頭23係沿著内殻5轉動, 且該旋轉動作會經由轉動力的效應將進料氣體與反應性氣 體攪拌混合而促進處理氣體的均勻化。此外,作用在混合 中之處理氣體上的離心力會促進處理氣體均勻地流到基材 28的整個表面上,由_在基材28的表面上產生具有均勻厚 度和品質的膜。廢餘氣體則從密封容器26上所裝設的排放 口 29向外排出。 14 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 丨線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 3 8 8 2 3 ^22602 A7 B7 五、發明説明(13) 如上文所述•於本實施例之氣化裝置中,氣化器係與 氣體射出頭23整體地形成者,且裝配於一共同外殼内,亦 即,外殼1和底部段2。所以,經氣化的進料物質可經由短 通道不需通過分配管路而直接供給到氣體射出頭。再者, 進料氣體係經由該氣化器和氣賵射出頭23所共有因而使彼 等呈熱均勻狀態的加熱裝置予Μ加熱和保持溫度,由於可 在進料氣體的輸送步驟過程中防止溫度變異。如此,在進 料氣體到達澱積格間之前可防止其過早反應或形成沈澱粒 子,因此促進在膜澱積格間内的穩定蒸氣相澱積反應而不 會堵塞通道或形成不要的粒子造成產品的潛在污染。 第5圖顯示出氣化裝置的另一實施例。於此模型中, 氣體射出頭41係固定在基底板2的底側,該基底板2也作為 密封容器26的天花板,而在兩者之間形成一混合段42。於 氣體射出頭41中•有眾多射出噴口 43,具有一油循環通道 44包圍該射出噴口 43。油的溫度係利用如溫度感測器和控 制器裝置等器具而保持在約2501C。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於此實施例内,壓力產生功能係經由葉輪45來提供, 其尺寸係經設計配置在內通道24内並耦接到内殻5的底部 端。在基底板2之上方裝置著反應性氣體人口 46 Μ讁反應 性氣體進入,氣體停留段47和相通通道48以使氣體停留段 47與混合空間42相通。此外•内殻亦做成中空Μ減低其重 量*且加熱裝置為裝設在外殻1的内部上之高頻加熱器49a 且有一線圈加熱器49b捲繞在外殻1的外表面上。 於此實施例中,進料物質係在轉動的内骰5之作用下 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 15 3 8 8 23 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(14) 被迫向下逐漸地沿流動通道13流動,且逐漸地氣化並滲漏 到混合空間45之内。與内殼5圼一單元轉動的葉輪45之作 用阻斷該進料物質的自由向下運動,且使進料氣體停留在 流動通道13内不膨脹並維持高周圍壓力,且在已達到完全 氣化之後,蒸氣即進人混合空間4 2之内。 在該混合空間42之內,經由葉輪45的旋轉動作使進入 的反應性氣體和進料氣體受到充分地攪拌和混合,由是防 止因進料氣體和反應性氣體中的組成分佈所引起的膜厚度 和品質之變異。 第6圖和第7圖顯示出氣化裝置的另一變異形態。於此 實施例中,内骰的底部裝設有一縮小直徑段51,其具有居 中的有階表面50,且該縮小直徑段51周圍有反應性氣體入 口 52,氣體停留段53和相通孔54。該有階表面50裝設有由 具有眾多輪葉55的離心葉輪56所構成之壓力產生段。 該離心葉輪56係配置成用以使下降氣體流的流動反向 ,使得沿流動通道13下降的進料氣體被遏止而不能自由流 動通過該壓力產生段。如此一來,該進料物質可保持在高 壓並停留在該流動通道13内不會膨脹•且在完全氣化之後 ,該進料氣體即可進入混合空間42之内。 於此實施例中,該混合空間42係做成比葉輪45較為大 。此葉輪45主要是用來攢拌混合進料氣體和反應性氣體, 而非用以使混合後之處理氣體的流動反向。於第5圖,第 6圖中所示裝置内,氣化裝置係與氣體射出頭23形成一單 元,而且經混合的處理氣體不會發生堵塞或過早沈澱,因 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1 6 3 8 8 2 3 -1 I I - 1 —L H - n 1^1 I In -、1τ-— I I--^ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(15) 而可促進在膜澱積格間内的穩定蒸氣相澱積反應。 雖然本發明的某些較佳實施例已詳细地經顯示和說明 不 而 改 修 和 更 變 1 種 各 有 〇 可者 仍圍 中範 其的 者圍 解範 了利 須專 必請 , Φ. 過附 不後 ’ 離 過違 I ..... Ϊ - I— I ::1 I .....1 --—1 I I- 1 I -----1___ —I _ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3 8 8 2 3 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8申請專利範圍 一種用於將液體原料轉化成進料氣體的氣化裝置 裝置包括: 該 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 内 茼的體 中 件括者 在外該 件到 物物 形 圓成氣 件 成包一 設該在。成接 料料 茼 該形料 成 組置少 裝由而壓組連 進進 圓 在上進 組 外裝至 一經助反外置 該從 具 係之一 内 該該的 括對幫一該位 在合 , 所 其者和 該 中 ,中 包以所 住中游 中混 面件 且一口 和 其者件 更段動 持其下 其 Μ 表成 型少入 件 ,動成 ,生轉維,的 ,間 内組 構至體 成 置轉組 置產對體置道 、置空 形外 旋的液 組 裝地内 裝力相氣装通 裝合 茼該 螺中科 外 化對和 化壓該料化質 化混 圓對 有面進 該 氣相件 氣的的進氣物 氣一 一面 具表一 熱 之可成 之上間該之料 之有 有有, -外與 加 項成組 項段之的項進 項設 具具面道形係 以 1 置外 2 游件降 1 該 1 装 , , 表 通筒道 , 第配該 第下成下第在 第置 件件外 質圓通 置 圍係動 圍道組 内圍係。圍位 成成形物該質及裝。.範件轉 範通内道範件上範游 組組筒料與物.,熱者利成以 利質該通利成器利下 外内圓進面料通加一專組源 專物與質專組容專的 一 一之 一表進相一少請内動 請料件物請内應請道 面 内該口 至申該驅 申進成料申該反申通 表 型,出 的如與一 。如該組進如和一如質 ♦ · · · 2 3 4 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 3 8 8 2 3 s226Q〇 ABCD 六、申請專利範圍 質通道降下來的進料氣體與從外部來源導入的反應性 氣體。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 生設 生形. 體的下 出一 成位段 件 應,體 產裝 產上 氣上的 射成 組游階 成 反段氣 力且 力之 個材道 體形 外下有 組 在器料 壓, 壓者 一基通 氣者 該的該 外 置化進 該通 該一 括到質 該該 在道在 該 配氣生 中相 中少 包流物 中的 中通括 中 到一產 其端 其至 更生科 其動 其質包 其 射括以 , 游。,的 ,產進 ,轉 ,物段 , 噴包質 置下輪置中 置以該 置中 置料生。置。體置物 裝的葉裝件 裝口與 裝件 裝進產輪裝的氣裝體 化道的化成 化噴係 化成 化該力葉化動料氣液 氣通轉氣組 氣有頭 氣組 氣的壓 心氣轉進噴熱 之質旋之外 之具出 之內 之設該離之係將該加 項物部項和 項頭射 項該 項裝且的項件於 ,*' 3 料内 3 件 1 出體 8 與 3 所,設 1 成用者經 第進間第成。第射氣 第件 第上段裝第組係上於 圍該空圍組段圍體該 圍成 圍件階所圍内,之用 範與合範内凸範氣, 範組 範成一中範該置材係 利成混利該凹利該流。利外 利組有者利而裝基段 專設該專在個專,體通專該 專内成一專者氣的器 請裝在請括一請頭氣相請與。請該形少請定噴中化 申係一申包的申出料端申係元申和上至申固種器氣 如段有如段成如射進游如頭單如件置中如係一容該 • · · * . · · ο 12 6 7 8 9 1 1 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 3 8 8 2 3 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 者,及一氣體射出頭段用Μ產生射到該基材上的該進 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 配 段 設道.段 組,上通加。段納料 整氣 應 經器 裝通 器 外件之質一者器容進 調之 反 係 化 殻質 化 該 成者物及一化 Μ 將 體體 於 段氣 外介 氣 對組一料.,少氣間及 流氣 置 頭該 該熱 該 正内少進的至該空應 該料 配 出 中 中加 中 有之至該通的中整效。中進 到 射 其 其的 其 一面的,相中其調脹 口其該 出 體 ,。,有 , ,表中 道口件,體膨 噴-於 射 氣置骰置共 置 件外面通出成置流積多置同 體 該裝外裝所 裝 成形表質體組裝的體眾裝不 氣 與氣同氣段 氣 組筒外物氣内氣同的之氣入 料 段噴共噴頭 噴 外圓形料料和噴共生段噴専 進 器之 一之出 之 之的筒進進件之一產頭之 Μ 將 化。項 有項射 項 面面圓 的和成 項有所 出項道 以 氣元12共12體12表表和型口組12共化射16通 用 該單第段第氣 第 内内面構入外第段變體第給 係 中匀圍頭圍和 圍 形形表旋體該圍頭相氣圍供 - 其均範出範段 範 筒茼内螺液熱範出體該範一 置 , 熱利射利器 利 圓圓形有料加利射氣到利有 裝 流一專體專化 專 有具筒一進以專體-配專設 氣 體成請氣請氣 請:一所圓的與置請氣-Μ分請裝 噴 氣形申該申該 申括 件該成係裝 申該體體申間。種 料置如與如著。如包 成在形道熱如與液氣如空體 一 ♦ * ♦ •►丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 3 8 8 2 3 382602 μ8 C8 D8 六、申請專利範圍 容器中的基材上,該噴氣裝置包括一氣化器段Μ經由 氣其緣 該,絕 與流熱 段體 一 頭氣在 出料覆 射進包 體該被 氣的係 一 上段 及材頭 體基出 氣該射 枓到體 進射氣 生生該 產產與 料 Μ 段 原通器 體 相化。 液段氣内 熱 器該元 加化中單 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3 8 8 2 3 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
TW086104281A 1996-04-05 1997-04-03 TW322602B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11028296 1996-04-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW322602B true TW322602B (zh) 1997-12-11

Family

ID=14531747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW086104281A TW322602B (zh) 1996-04-05 1997-04-03

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6036783A (zh)
EP (1) EP0799907B1 (zh)
KR (1) KR970072043A (zh)
DE (1) DE69707735T2 (zh)
TW (1) TW322602B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI391151B (zh) * 2009-01-30 2013-04-01 Panasonic Healthcare Co Ltd 滅菌物質供給裝置及隔離器
TWI616555B (zh) * 2017-01-17 2018-03-01 漢民科技股份有限公司 應用於半導體設備之噴氣裝置

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6409839B1 (en) * 1997-06-02 2002-06-25 Msp Corporation Method and apparatus for vapor generation and film deposition
JPH11312649A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Nippon Asm Kk Cvd装置
US6358323B1 (en) * 1998-07-21 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved control of process and purge material in a substrate processing system
US6210485B1 (en) * 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US20030101938A1 (en) * 1998-10-27 2003-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for the deposition of high dielectric constant films
JP3470055B2 (ja) * 1999-01-22 2003-11-25 株式会社渡邊商行 Mocvd用気化器及び原料溶液の気化方法
US6267820B1 (en) * 1999-02-12 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Clog resistant injection valve
DE19921744B4 (de) * 1999-05-11 2008-04-30 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Transport von mindestens einer dampfförmigen Substanz durch die Wand einer Vakuumkammer in die Vakuumkammer sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und deren Verwendung
US6548112B1 (en) 1999-11-18 2003-04-15 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for delivery of precursor vapor from low vapor pressure liquid sources to a CVD chamber
US6596085B1 (en) * 2000-02-01 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for improved vaporization of deposition material in a substrate processing system
US6572706B1 (en) * 2000-06-19 2003-06-03 Simplus Systems Corporation Integrated precursor delivery system
US6299692B1 (en) * 2000-07-21 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Head for vaporizing and flowing various precursor materials onto semiconductor wafers during chemical vapor deposition
US6302965B1 (en) * 2000-08-15 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces
IL156978A0 (en) * 2001-01-18 2004-02-08 Watanabe M & Co Ltd Carburetor, various types of devices using the carburetor, and method of vaporization
JP2004530190A (ja) * 2001-02-28 2004-09-30 ポーター・インストゥルメント・カンパニー・インコーポレイテッド 流量コントローラ
US6827974B2 (en) * 2002-03-29 2004-12-07 Pilkington North America, Inc. Method and apparatus for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
JP4202856B2 (ja) * 2003-07-25 2008-12-24 東京エレクトロン株式会社 ガス反応装置
EP1747302B1 (en) * 2004-05-20 2012-12-26 Akzo Nobel N.V. Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical
US20070194470A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Aviza Technology, Inc. Direct liquid injector device
WO2007122203A2 (en) * 2006-04-20 2007-11-01 Shell Erneuerbare Energien Gmbh Thermal evaporation apparatus, use and method of depositing a material
EP2215282B1 (en) * 2007-10-11 2016-11-30 Valence Process Equipment, Inc. Chemical vapor deposition reactor
JP2009246168A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd 液体原料気化器及びそれを用いた成膜装置
JP5614935B2 (ja) 2009-02-03 2014-10-29 株式会社渡辺商行 気化器、この気化器を用いたmocvd用気化器、これら気化器若しくはmocvd用気化器に用いられるセンターロッド、及びキャリアガスの分
CN102470282B (zh) * 2009-09-30 2013-02-13 Ckd株式会社 液体汽化系统
DE102009049839B4 (de) * 2009-10-16 2012-12-06 Calyxo Gmbh Gasverdampfer für Beschichtungsanlagen sowie Verfahren zu dessen Betreiben
US20120276291A1 (en) * 2011-04-28 2012-11-01 Bird Chester D Methods and Apparatuses for Reducing Gelation of Glass Precursor Materials During Vaporization
US9574268B1 (en) * 2011-10-28 2017-02-21 Asm America, Inc. Pulsed valve manifold for atomic layer deposition
US9388492B2 (en) 2011-12-27 2016-07-12 Asm America, Inc. Vapor flow control apparatus for atomic layer deposition
US10113232B2 (en) 2014-07-31 2018-10-30 Lam Research Corporation Azimuthal mixer
US9951421B2 (en) * 2014-12-10 2018-04-24 Lam Research Corporation Inlet for effective mixing and purging
US9877514B2 (en) 2015-09-21 2018-01-30 Cloud V Enterprises Vaporizer with electronically heated nail
US10662527B2 (en) 2016-06-01 2020-05-26 Asm Ip Holding B.V. Manifolds for uniform vapor deposition
US11492701B2 (en) 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
US11788190B2 (en) 2019-07-05 2023-10-17 Asm Ip Holding B.V. Liquid vaporizer
US11946136B2 (en) 2019-09-20 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing device
KR20210048408A (ko) 2019-10-22 2021-05-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 증착 반응기 매니폴드

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4847469A (en) * 1987-07-15 1989-07-11 The Boc Group, Inc. Controlled flow vaporizer
JP2796975B2 (ja) * 1988-11-28 1998-09-10 株式会社高純度化学研究所 液体原料気化装置
KR940002439B1 (ko) * 1990-03-09 1994-03-24 니뽄 덴신 덴와 가부시끼가이샤 금속 박막 성장방법 및 장치
US5252134A (en) * 1991-05-31 1993-10-12 Stauffer Craig M Integrated delivery system for chemical vapor from non-gaseous sources for semiconductor processing
DE4124018C1 (zh) * 1991-07-19 1992-11-19 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
JPH0582507A (ja) * 1991-09-18 1993-04-02 Applied Materials Japan Kk 液体気化バルブ
JPH06291040A (ja) * 1992-03-03 1994-10-18 Rintetsuku:Kk 液体気化供給方法と液体気化供給器
JP3118493B2 (ja) * 1993-04-27 2000-12-18 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 液体原料用cvd装置
US5435850A (en) * 1993-09-17 1995-07-25 Fei Company Gas injection system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI391151B (zh) * 2009-01-30 2013-04-01 Panasonic Healthcare Co Ltd 滅菌物質供給裝置及隔離器
TWI616555B (zh) * 2017-01-17 2018-03-01 漢民科技股份有限公司 應用於半導體設備之噴氣裝置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69707735D1 (de) 2001-12-06
KR970072043A (ko) 1997-11-07
DE69707735T2 (de) 2002-08-01
EP0799907B1 (en) 2001-10-31
EP0799907A1 (en) 1997-10-08
US6036783A (en) 2000-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW322602B (zh)
TW565626B (en) Liquid feed vaporization system and gas injection device
TWI253479B (en) Mixer, and device and method for manufacturing thin-film
TW560029B (en) Carburetor, various types of devices using the carburetor, and method vaporization
TW393669B (en) CVD apparatus for and method of forming thin film with high dielectric constant
TW393521B (en) Vaporizer apparatus and film deposition apparatus therewith
TWI251621B (en) Thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors
KR100780143B1 (ko) 기재상에 하나 이상의 층을 증착하기 위한 장치와 방법
TWI300956B (en) Multi-tray film precursor evaporation system and thin film deposition system incorporating same
TWI657022B (zh) 固體材料容器及於該固體材料容器填充有固體材料之固體材料製品
CN108888513B (zh) 用于颗粒制剂的干粉包衣设备
TW200846080A (en) Vaporizer and semiconductor processing system
TW546405B (en) Vaporizer and apparatus for vaporizing and supplying
WO2001036707A1 (en) Apparatus and method for delivery of precursor vapor from low vapor pressure liquid sources to a cvd chamber
TW201034525A (en) Plasma processing apparatus
TW486756B (en) Reactor with remote plasma system and method of processing a semiconductor substrate
JP2000144432A (ja) ガス噴射ヘッド
JPH06310444A (ja) 液体原料用cvd装置
TW201305367A (zh) 用以沉積oled的方法與裝置
CN106861958A (zh) 一种制备燃料电池膜电极的静电喷涂装置
CN100414674C (zh) 气体反应装置和半导体处理装置
TW200400549A (en) Method of depositing CVD thin film
TWI261311B (en) Vaporizer
JP2002217181A (ja) 半導体原料供給用気化器
US20050133025A1 (en) Inhalator and method of manufacturing same